JP2001244783A - Surface acoustic wave device and circuit board - Google Patents

Surface acoustic wave device and circuit board

Info

Publication number
JP2001244783A
JP2001244783A JP2000051776A JP2000051776A JP2001244783A JP 2001244783 A JP2001244783 A JP 2001244783A JP 2000051776 A JP2000051776 A JP 2000051776A JP 2000051776 A JP2000051776 A JP 2000051776A JP 2001244783 A JP2001244783 A JP 2001244783A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
base substrate
wiring pattern
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000051776A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Furukawa
修 古川
Reiko Kobayashi
玲子 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000051776A priority Critical patent/JP2001244783A/en
Publication of JP2001244783A publication Critical patent/JP2001244783A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave device, provided with a sound absorption member that provides ease of flip-chip connection at a low cost. SOLUTION: A surface acoustic wave element 1 is arranged in such a way that the face of the element 1 toward a transducer 2 is arranged counterposed to a wiring pattern forming face of a base board 6 and is structured such that the surface acoustic wave element 1 is covered and sealed by a cap member 9. The base board is a copper clad circuit board, and a wiring pattern 10 is formed by patterning the copper clad circuit board. The connection part of the wiring pattern with a bump of the surface acoustic wave element 1 is copper-plated after patterning, nickel plating is applied to the copper plating and gold plating is applied to the nickel plating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は例えばテレビ等に用
いる弾性表面波装置に係り、特に弾性表面波を吸収する
吸音材を有する弾性表面波装置とその内部接続構造に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used for, for example, a television, and more particularly to a surface acoustic wave device having a sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves and an internal connection structure thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】弾性表面波装置の小型化、面実装化のた
めに、弾性表面波素子のトランスデューサ面を、これに
対向する配線パターンをもった回路基板にフリップチッ
プ接続する方法が知られている。フリップチップ接続法
とはワイヤーを用いずに、素子表面に設けられた端子と
基板に設けられた端子同士を直接接合する方法である。
表面弾性波素子に接続される基板材料は一般にセラミッ
クが用いられ、この基板表面にタングステン等の金属パ
ターンが形成されている。
2. Description of the Related Art A method of connecting a transducer surface of a surface acoustic wave element to a circuit board having a wiring pattern opposed thereto by flip-chip bonding has been known in order to reduce the size and surface mounting of a surface acoustic wave device. I have. The flip chip connection method is a method in which terminals provided on the element surface and terminals provided on the substrate are directly joined to each other without using wires.
A ceramic material is generally used as a substrate material connected to the surface acoustic wave element, and a metal pattern such as tungsten is formed on the surface of the substrate.

【0003】例えばテレビ等の特定用途に用いられる弾
性表面波装置では、不要な弾性表面波を吸収する目的
で、吸音材が弾性表面波素子のトランスデューサ面及び
/または素子の裏面に形成されている。しかし、弾性表
面波素子の表面に吸音材が、基板に対向する側に設けら
れる場合、フリップチップ接続をする際、吸音材の厚み
がじゃまをして両端子の接続が困難であったり、また
は、充分な接続時の加重が加わらないことがある。この
ため、吸音材に対向する基板表面の一部を削ったり、凹
部を設けたりしなければならなかった。基板の材料とし
ては上記したようにセラミック等の硬い材料が用いられ
ているので、加工に手間がかかった。
For example, in a surface acoustic wave device used for a specific application such as a television, a sound absorbing material is formed on a transducer surface of a surface acoustic wave element and / or a back surface of the element in order to absorb unnecessary surface acoustic waves. . However, if a sound absorbing material is provided on the surface of the surface acoustic wave element on the side facing the substrate, when flip-chip connection is performed, the thickness of the sound absorbing material disturbs the connection between the two terminals, or In some cases, a sufficient connection weight may not be applied. For this reason, a part of the substrate surface facing the sound absorbing material must be cut off or a concave portion must be provided. As described above, a hard material such as a ceramic is used as a material of the substrate, so that processing is troublesome.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このように、吸音材等
の凸部を基板に対向させて弾性表面波素子上に設ける場
合、比較的硬い基板に対して加工を施す必要があるの
で、弾性表面波装置の製造コストが高くなってしまうと
いう欠点があった。
As described above, when a convex portion such as a sound absorbing material is provided on a surface acoustic wave element so as to face a substrate, it is necessary to process a relatively hard substrate. There is a disadvantage that the manufacturing cost of the surface acoustic wave device increases.

【0005】本発明は上記問題点を解消し、吸音材が設
けられた弾性表面波素子であっても容易にフリップチッ
プ接続が可能で、低コストな弾性表面波装置とその内部
接続構造を提供することを目的とする。
The present invention solves the above problems and provides a low-cost surface acoustic wave device which can be easily flip-chip connected even with a surface acoustic wave device provided with a sound absorbing material, and an internal connection structure thereof. The purpose is to do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、トランスデユーサとそれに接続された配線パターン
と該配線パターンの一部に設けられたパッド部と該パッ
ド部上に形成されたバンプを有する弾性表面波素子と、
一方の面に外部と接続するための端子を設け他方の面に
該端子と接続される配線パターンを設けたベース基板
と、このベース基板上に設けられ前記弾性表面波素子の
厚みより大きい凹部を有するキャップ部材と、前記弾性
表面波素子とベース基板とを電気的かつ機械的に接続す
る接続部材、及び前記キャップ部材とベース基板を機械
的に接続し封止する封止部材とを具備し、前記弾性表面
波素子のトランスデューサ側の面は、前記配線パターン
が形成された前記ベース基板の前記他方の面に対向して
配置され、かつ前記弾性表面波素子が前記キャップ部材
で覆われ封止された構造を有し、前記ベース基板が銅張
り回路基板であって、前記配線パターンは該銅張り回路
基板をパターンニングすることにより形成されている。
A surface acoustic wave device according to the present invention comprises a transducer, a wiring pattern connected to the transducer, a pad provided on a part of the wiring pattern, and a pad formed on the pad. A surface acoustic wave element having a bump;
A base substrate provided with a terminal for connection to the outside on one surface and a wiring pattern connected to the terminal on the other surface, and a concave portion provided on the base substrate and larger than the thickness of the surface acoustic wave element. A cap member having a connection member that electrically and mechanically connects the surface acoustic wave element and the base substrate, and a sealing member that mechanically connects and seals the cap member and the base substrate, The surface of the surface acoustic wave element on the transducer side is disposed so as to face the other surface of the base substrate on which the wiring pattern is formed, and the surface acoustic wave element is covered and sealed by the cap member. Wherein the base substrate is a copper-clad circuit board, and the wiring pattern is formed by patterning the copper-clad circuit board.

【0007】また、本発明の弾性表面波装置は、少なく
とも弾性表面波素子のトランスデューサが形成された面
に弾性表面波を吸収するための吸音材が形成されてい
る。
In the surface acoustic wave device according to the present invention, a sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves is formed on at least the surface of the surface acoustic wave element on which the transducer is formed.

【0008】また、本発明の弾性表面波装置の前記ベー
ス基板は、少なくとも前記弾性表面波素子のバンプ部と
の接続部分が、前記パターンニング後に銅メッキされ、
かつその上にニッケルめっきされ、さらにその上に金め
っきされた構造を有する。
In the surface acoustic wave device according to the present invention, at least a portion of the base substrate connected to the bump portion of the surface acoustic wave element is plated with copper after the patterning.
Further, it has a structure in which nickel plating is performed thereon and gold plating is further performed thereon.

【0009】本発明の弾性表面波装置において、銅めっ
きが15乃至40μm、ニッケルめっきが1乃至10μ
m、さらに金めっきが0.03乃至2μm形成されてい
ることが望ましい。
In the surface acoustic wave device of the present invention, copper plating is 15 to 40 μm and nickel plating is 1 to 10 μm.
m, and preferably, gold plating is formed in a thickness of 0.03 to 2 μm.

【0010】また、本発明の弾性表面波装置は、ベース
基板の銅はくの厚みをA1、Cuめっき厚みをA2、N
iめっき厚みをA3、Auめっき厚みをA4、バンプ厚
みをA5、弾性表面波素子の引き回し配線パターンの厚
みをA6とし、吸音材の最大厚みをBとしたとき、A1
+A2+A3+A4+A5+A6>Bである。
In the surface acoustic wave device of the present invention, the thickness of the copper foil on the base substrate is A1, the thickness of the Cu plating is A2, and
When the thickness of the i-plate is A3, the thickness of the Au plating is A4, the thickness of the bump is A5, the thickness of the wiring pattern of the surface acoustic wave element is A6, and the maximum thickness of the sound absorbing material is B, A1
+ A2 + A3 + A4 + A5 + A6> B.

【0011】また、本発明の弾性表面波装置は、弾性表
面波素子の吸音材に対向する領域のベース基板に配線パ
ターンがない。
Further, in the surface acoustic wave device according to the present invention, there is no wiring pattern on the base substrate in a region facing the sound absorbing material of the surface acoustic wave element.

【0012】また、本発明の弾性表面波装置は、弾性表
面波素子のトランスデューサに対向する領域のベース基
板に配線パターンがないことを特徴としている。
Further, the surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that there is no wiring pattern on the base substrate in an area facing the transducer of the surface acoustic wave element.

【0013】また、本発明の弾性表面波装置は、弾性表
面波素子のトランスデューサに対向するベース基板領域
に導体パターンが配置されている。
Further, in the surface acoustic wave device according to the present invention, the conductor pattern is arranged in the base substrate region facing the transducer of the surface acoustic wave element.

【0014】また、本発明の弾性表面波装置の内部接続
構造は、弾性表面波素子のトランスデューサに接続され
るパッド部と、前記パッド部上に形成された金バンプ
と、ベース基板上の少なくともパターンニングされた銅
配線部の上に形成された銅めっき及びその上に形成され
たニッケルめっき及びその上に形成された金めっき、前
記金バンプと前記金めっきを電気的に接続しかつ機械的
に固着する導電性接着剤とを具備する。
The internal connection structure of the surface acoustic wave device according to the present invention includes a pad portion connected to a transducer of the surface acoustic wave element, a gold bump formed on the pad portion, and at least a pattern on a base substrate. Copper plating formed on the plated copper wiring portion and nickel plating formed thereon and gold plating formed thereon, electrically connecting the gold bumps and the gold plating and mechanically A conductive adhesive to be fixed.

【0015】ベース基板に銅張り回路基板を用いたこと
により、ベース基板のパターンニングが容易にでき、か
つこのパターンニングを維持しながらめっきにてさらに
厚みを積み上げることができる。ベース基板上面はキャ
ップ部材により封印されるので、銅はく配線パターン上
に被覆物を形成する必要がない。
By using a copper-clad circuit board as the base substrate, patterning of the base substrate can be facilitated, and the thickness can be further increased by plating while maintaining this patterning. Since the upper surface of the base substrate is sealed by the cap member, there is no need to form a coating on the copper foil wiring pattern.

【0016】多重めっきによる厚みの増加は、めっき時
間等の処理条件を調整することによって任意に設定でき
る。
The increase in thickness due to multiple plating can be arbitrarily set by adjusting processing conditions such as plating time.

【0017】吸音材の厚みより厚く、多重めっき層を含
めた所定の厚みのパターンを形成することによって、フ
リップチップ接続した場合にも弾性表面波素子上の吸音
材とベース基板とが接触し特性劣化することなく、弾性
表面波装置としての充分な特性が得られる。
By forming a pattern having a predetermined thickness that is thicker than the thickness of the sound absorbing material and that includes the multiple plating layers, the sound absorbing material on the surface acoustic wave element comes into contact with the base substrate even in the case of flip-chip connection. Sufficient characteristics as a surface acoustic wave device can be obtained without deterioration.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1は本発明の一実施形態に係る弾性表面
波装置の断面図である。弾性表面波素子1のチップ表面
にはトランスデューサ2が形成され、この面に配線パタ
ーン3及び吸音材4が形成されている。この配線パター
ン3は接続部5を経由してベース基板6と接続されてい
る。ベース基板6の端部には複数の端子7が配置されて
いる。また、弾性表面波素子1はトランスデューサ部2
がベース基板6の基板面の配線パターンと対向するよう
に、ベース基板6に対してフリップチップ接続されてい
る。この弾性表面波素子1はキャップ材9と封止材8に
より基板6とともに包囲され封止されている。
FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention. A transducer 2 is formed on the chip surface of the surface acoustic wave element 1, and a wiring pattern 3 and a sound absorbing material 4 are formed on this surface. The wiring pattern 3 is connected to the base substrate 6 via the connection section 5. A plurality of terminals 7 are arranged at an end of the base substrate 6. Further, the surface acoustic wave element 1 includes a transducer 2
Are flip-chip connected to the base substrate 6 so that the wiring pattern is opposed to the wiring pattern on the substrate surface of the base substrate 6. The surface acoustic wave element 1 is surrounded and sealed with the substrate 6 by the cap material 9 and the sealing material 8.

【0020】次に本発明による弾性表面波装置の接続部
5の構造を詳細に説明する。図2は図1の接続部5の拡
大断面図である。
Next, the structure of the connecting portion 5 of the surface acoustic wave device according to the present invention will be described in detail. FIG. 2 is an enlarged sectional view of the connecting portion 5 of FIG.

【0021】ベース基板6の銅はく配線パターン5gの
上に、めっきにてCu(銅)層5fが形成され、その上
にめっきにてNi(ニッケル)層5eが形成され、更に
その上にAu(金)層5dが形成されている。
A Cu (copper) layer 5f is formed by plating on the copper foil wiring pattern 5g of the base substrate 6, a Ni (nickel) layer 5e is formed thereon by plating, and further thereon. An Au (gold) layer 5d is formed.

【0022】一方、弾性表面波素子1にはトランスデュ
ーサ2と電気的に接続された配線パッド部5aが形成さ
れている。この配線パッド5aは例えばアルミニウムに
より形成される。この配線パッド5aの上にAuバンプ
5bがバンプボンディング法により形成されている。こ
のバンプボンディング法とは、接合部を加熱し、超音波
及び圧力により金属同士を接続する方法である。ベース
基板側のAuめっき5d上には、導電性接着剤5cが塗
布され、そこにAuバンプ5bが接触し、電気的に接続
している。
On the other hand, the surface acoustic wave element 1 has a wiring pad portion 5a electrically connected to the transducer 2. This wiring pad 5a is formed of, for example, aluminum. An Au bump 5b is formed on the wiring pad 5a by a bump bonding method. The bump bonding method is a method of heating a bonding portion and connecting metals by ultrasonic waves and pressure. A conductive adhesive 5c is applied on the Au plating 5d on the base substrate side, and the Au bumps 5b are in contact therewith and are electrically connected.

【0023】図3(a)はベース基板6の平面図、図3
(b)は底面図及び側面図である。図3(a)のように
ベース基板6の表面には接続部5gを含む配線パターン
10が形成され、図3(b)のように裏面には端子7a
が形成されている。端子7aと配線パターン10とはス
ルーホールめっき7bにより結合されている。端子7a
はこの弾性表面波装置が適用される回路基板(図示され
ず)上のパッド部に接続される。図1では説明の都合
上、2つの端子7は左右の吸音材3と同じ方向で向かい
合っているが、実際には図3(a)の点線4aで示され
るような位置の上部に配置される。
FIG. 3A is a plan view of the base substrate 6 and FIG.
(B) is a bottom view and a side view. As shown in FIG. 3A, a wiring pattern 10 including a connection portion 5g is formed on the front surface of the base substrate 6, and as shown in FIG.
Are formed. The terminal 7a and the wiring pattern 10 are connected by a through-hole plating 7b. Terminal 7a
Is connected to a pad portion on a circuit board (not shown) to which the surface acoustic wave device is applied. In FIG. 1, for convenience of explanation, the two terminals 7 face each other in the same direction as the left and right sound absorbing members 3, but are actually arranged above the position indicated by the dotted line 4a in FIG. .

【0024】本発明で用いる銅張りベース基板6は、例
えば板厚0.4mmで両側にそれぞれ厚み18μmの銅
はくが貼られているものを使用する。基板の材質は、た
とえばガラスエポキシ基板FR−4やFR−5、BTレ
ジン(ビスマレイミドトリアジン樹脂)などが好適であ
る。この銅はくの厚みは、ここでは18μmとしたが、
9〜100μmの範囲で任意に調整してよい。ただし、
ベース基板に微細な配線パターンを形成しようとする場
合には、精度の点で薄いほうが好ましい。吸音材が形成
されている弾性表面波素子とともに用いる場合は18μ
m程度が適当である。
The copper-clad base substrate 6 used in the present invention is, for example, a substrate having a thickness of 0.4 mm and copper foil having a thickness of 18 μm on each side. As the material of the substrate, for example, a glass epoxy substrate FR-4 or FR-5, BT resin (bismaleimide triazine resin), or the like is preferable. Although the thickness of this copper foil was 18 μm here,
It may be arbitrarily adjusted in the range of 9 to 100 μm. However,
When a fine wiring pattern is to be formed on the base substrate, a thinner one is preferable in terms of accuracy. 18 μm when used with a surface acoustic wave element having a sound absorbing material
About m is appropriate.

【0025】この基板の両面にレジストを塗布し、必要
な部分のみを露光してレジストのパターンニングを行
い、その後Cuのエッチング液にひたして銅はくの一部
分を剥離し、レジストを剥離すると、図3のような回路
基板上にパターン5gを含む配線パターン10が形成で
きる。通常、パターンの幅は小さくても100μm程度
である。
A resist is applied to both sides of the substrate, and only the necessary portions are exposed to pattern the resist. Then, the resist is stripped by dipping in a Cu etching solution to remove a portion of the copper foil. The wiring pattern 10 including the pattern 5g can be formed on a circuit board as shown in FIG. Usually, the width of the pattern is at least about 100 μm.

【0026】続いて、形成されたCuの配線パターンに
対して、Cuめっき5fを約15〜35μm行なう。さ
らにその上にNiめっき5eを5〜10μm行ない、さ
らにその上にAuめっき5dを約0.03〜2μm行な
う。これらは電解めっきでも無電解めっきでもよい。表
面にAuめっきを行うのは耐食性を向上する目的も兼ね
ている。
Subsequently, Cu plating 5f is performed on the formed Cu wiring pattern by about 15 to 35 μm. Further, Ni plating 5e is performed thereon at 5 to 10 μm, and Au plating 5d is further performed thereon at about 0.03 to 2 μm. These may be electrolytic plating or electroless plating. The Au plating on the surface also serves to improve the corrosion resistance.

【0027】このようにすることによって、基板表面と
パターンニングした金属の表面との段差”A”は合わせ
て40〜80μm程度となる。このとき、ベース基板6
の配線パターン5g上にソルダーレジスト等の被覆物が
存在しないことが良好な電気的接続を得るために必要で
ある。
By doing so, the step "A" between the substrate surface and the patterned metal surface is about 40 to 80 μm in total. At this time, the base substrate 6
It is necessary that a coating such as a solder resist does not exist on the wiring pattern 5g in order to obtain good electrical connection.

【0028】図4は本発明の実施例に係る弾性表面波装
置の吸音材4と接合部5の相対関係を示す断面である。
この吸音材4はトランスデューサ2によって発生した表
面弾性波が弾性表面波素子1の端部で反射するのを防止
している。吸音材4は弾性表面波素子の両端に設けられ
るが、トランスデューサ2の周囲を囲むようにして設け
てもよい。吸音材4の厚み”B”は、弾性表面波素子1
と回路基板6との間の距離”C”より小である。
FIG. 4 is a cross section showing the relative relationship between the sound absorbing material 4 and the joint 5 of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
The sound absorbing material 4 prevents the surface acoustic wave generated by the transducer 2 from being reflected at the end of the surface acoustic wave element 1. The sound absorbing material 4 is provided at both ends of the surface acoustic wave element, but may be provided so as to surround the transducer 2. The thickness “B” of the sound absorbing material 4 is different from that of the surface acoustic wave element 1.
Is smaller than the distance “C” between the circuit board 6 and the circuit board 6.

【0029】弾性表面波素子1のトランスデューサ部2
が設けられた面に形成された吸音材の厚みは、通常のス
クリーン印刷法で形成した場合約40μm程度であるの
で、図3(a)のように基板のパターンのない部分4a
に弾性表面波素子の吸音材4を対向させることによっ
て、図4のように吸音材4とベース基板6の両者は接触
することなく維持される。両者が接触すると、弾性表面
波素子1の性能が劣化し、接触部の強度が低下し損傷す
ることがある。
Transducer section 2 of surface acoustic wave element 1
Since the thickness of the sound absorbing material formed on the surface provided with is approximately 40 μm when formed by a normal screen printing method, as shown in FIG.
By making the sound absorbing material 4 of the surface acoustic wave element face the other, the sound absorbing material 4 and the base substrate 6 are both maintained without contact as shown in FIG. If they come into contact with each other, the performance of the surface acoustic wave device 1 may be degraded, and the strength of the contact portion may be reduced to cause damage.

【0030】また、弾性表面波素子1のトランスデュー
サ2に対向するベース基板6の領域に配線パターンがな
い場合と、導体パターンが配置されている場合とでは、
弾性表面波装置の性能に差が生ずるが、どちらか性能劣
化の少ない構成を選択すればよい。
The case where there is no wiring pattern in the region of the base substrate 6 facing the transducer 2 of the surface acoustic wave element 1 and the case where the conductor pattern is arranged are as follows.
Although there is a difference in the performance of the surface acoustic wave device, one of them may be selected with a configuration with less performance degradation.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明による弾性
表面波装置の内部接続構造によれば、吸音材が形成され
た弾性表面波素子がベース基板にフリップチップ接続さ
れた構造を有する弾性表面波装置を低コストで提供する
ことができる。
As described above, according to the internal connection structure of a surface acoustic wave device according to the present invention, a surface acoustic wave device having a structure in which a surface acoustic wave element on which a sound absorbing material is formed is flip-chip connected to a base substrate. The wave device can be provided at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による弾性表面波装置の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図2】図1の弾性表面波装置の部分拡大断面図。FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the surface acoustic wave device of FIG.

【図3】ベース基板上に形成された配線パターン及び端
子パターン。
FIG. 3 shows a wiring pattern and a terminal pattern formed on a base substrate.

【図4】本発明による弾性表面波装置の吸音材厚みと内
部接続構造の関係を示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing the relationship between the thickness of the sound absorbing material and the internal connection structure of the surface acoustic wave device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 弾性表面波素子 2 トランスデューサ 3 引き回し配線パターン 4 吸音材 5 内部接続構造 5a 配線パッド部 5b Auバンプ 5c 導電性接着剤 5d Auめっき層 5e Niめっき層 5f Cuめっき層 5g Cuはく 6 ベース基板(回路基板) 7 端子 8 封止材 9 キャップ材 Reference Signs List 1 surface acoustic wave element 2 transducer 3 routing wiring pattern 4 sound absorbing material 5 internal connection structure 5a wiring pad 5b Au bump 5c conductive adhesive 5d Au plating layer 5e Ni plating layer 5f Cu plating layer 5g Cu foil 6 base substrate ( (Circuit board) 7 terminal 8 sealing material 9 cap material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E336 AA04 BB02 BC34 BC36 CC34 CC38 CC58 DD22 DD28 DD35 GG30 5J097 AA04 AA24 AA33 EE07 HA04 HA09 JJ01 JJ09 KK10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E336 AA04 BB02 BC34 BC36 CC34 CC38 CC58 DD22 DD28 DD35 GG30 5J097 AA04 AA24 AA33 EE07 HA04 HA09 JJ01 JJ09 KK10

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランスデユーサと、それに接続された
配線パターンと、該配線パターンの一部に設けられたパ
ッド部と、該パッド部上に形成されたバンプを有する弾
性表面波素子と、 一方の面に外部と接続するための端子を設け、他方の面
に該端子と接続される配線パターンを設けたベース基板
と、 このベース基板上に設けられ、前記弾性表面波素子の厚
みより大きい凹部を有する前記キャップ部材と、 前記弾性表面波素子とベース基板とを電気的かつ機械的
に接続する接続部材、及びキャップ部材とベース基板を
機械的に接続し封止する封止部材とを具備し、 前記弾性表面波素子のトランスデューサ側の面は、前記
配線パターンが形成された前記ベース基板の前記他方の
面に対向して配置され、かつ前記弾性表面波素子が前記
キャップ部材で覆われ封止された構造を有し、 前記ベース基板が銅張り回路基板であって、前記配線パ
ターンは前記回路基板の銅はくをパターンニングするこ
とにより形成されていることを特徴とする弾性表面波装
置。
1. A transducer, a wiring pattern connected thereto, a pad portion provided on a part of the wiring pattern, and a surface acoustic wave device having a bump formed on the pad portion. A base substrate provided with a terminal for connection to the outside on one surface, and a wiring pattern connected to the terminal on the other surface; and a concave portion provided on the base substrate and having a thickness larger than the thickness of the surface acoustic wave element. And a connection member for electrically and mechanically connecting the surface acoustic wave element and the base substrate, and a sealing member for mechanically connecting and sealing the cap member and the base substrate. A surface of the surface acoustic wave element on the transducer side is arranged to face the other surface of the base substrate on which the wiring pattern is formed, and the surface acoustic wave element is provided with the cap. Having a structure covered and sealed with a material, wherein the base substrate is a copper-clad circuit board, and the wiring pattern is formed by patterning a copper foil of the circuit board. Surface acoustic wave device.
【請求項2】 少なくとも前記弾性表面波素子の前記ト
ランスデューサが形成された面に弾性表面波を吸収する
ための吸音材が形成されていることを特徴とする請求項
1記載の弾性表面波装置。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves is formed on at least a surface of the surface acoustic wave element on which the transducer is formed.
【請求項3】 前記ベース基板の配線パターン上におい
て、少なくとも前記弾性表面波素子のバンプ部との接続
部分は、前記銅はく上に形成された多重めっき層を有す
ることを特徴とする請求項1または2記載の弾性表面波
装置。
3. The wiring pattern of the base substrate, wherein at least a connection portion between the surface acoustic wave element and the bump portion has a multiple plating layer formed on the copper foil. 3. The surface acoustic wave device according to 1 or 2.
【請求項4】 前記多重めっき層は前記銅はく上に下層
から順に、銅、ニッケル、金めっき層で構成されること
を特徴とする請求項1または2記載の弾性表面波装置。
4. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the multiple plating layer is composed of a copper, nickel, and gold plating layer in order from a lower layer on the copper foil.
【請求項5】 前記銅めっきが15乃至40μm、ニッ
ケルめっきが1乃至10μm、さらに金めっきが0.0
3乃至2μm形成されていることを特徴とする請求項4
記載の弾性表面波装置。
5. The copper plating is 15 to 40 μm, the nickel plating is 1 to 10 μm, and the gold plating is
5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the thickness is 3 to 2 μm.
The surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項6】 前記ベース基板が、前記配線パターン上
に被覆物が存在しない銅張りベース基板であることを特
徴とする請求項1記載の弾性表面波装置。
6. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the base substrate is a copper-clad base substrate having no covering on the wiring pattern.
【請求項7】 前記ベース基板の銅はくの厚みをA1、
銅めっきの厚みをA2、ニッケルめっきの厚みをA3、
金めっきの厚みをA4、バンプの厚みをA5、弾性表面
波素子の配線パターンの厚みをA6とし、吸音材の最大
厚みをBとしたとき、 A1+A2+A3+A4+A5+A6>B であることを特徴とする請求項3記載の弾性表面波装
置。
7. The thickness of the copper foil of the base substrate is A1,
The thickness of the copper plating is A2, the thickness of the nickel plating is A3,
4. A1 + A2 + A3 + A4 + A5 + A6> B, where A4 is the thickness of the gold plating, A5 is the thickness of the bump, A6 is the thickness of the wiring pattern of the surface acoustic wave element, and B is the maximum thickness of the sound absorbing material. The surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項8】 弾性表面波素子のトランスデューサに接
続されるパッド部と、 前記パッド部上に形成された金バンプと、 ベース基板上の少なくともパターンニングされた銅配線
部の上に形成された多重めっき層と、 前記多重めっき層と前記金バンプとを電気的に接続しか
つ機械的に固着する導電性接着剤、を具備することを特
徴とする弾性表面波装置。
8. A pad connected to a transducer of a surface acoustic wave element, a gold bump formed on the pad, and a multiplex formed on at least a patterned copper wiring on a base substrate. A surface acoustic wave device comprising: a plating layer; and a conductive adhesive for electrically connecting and mechanically fixing the multiple plating layers and the gold bumps.
【請求項9】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成された金属配線パターンと、 前記金属配線パターン上に部分的に設けられた多重めっ
き層、を具備することを特徴とする回路基板。
9. A circuit board, comprising: an insulating substrate; a metal wiring pattern formed on the insulating substrate; and a multiple plating layer partially provided on the metal wiring pattern.
JP2000051776A 2000-02-28 2000-02-28 Surface acoustic wave device and circuit board Pending JP2001244783A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000051776A JP2001244783A (en) 2000-02-28 2000-02-28 Surface acoustic wave device and circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000051776A JP2001244783A (en) 2000-02-28 2000-02-28 Surface acoustic wave device and circuit board

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001244783A true JP2001244783A (en) 2001-09-07

Family

ID=18573388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000051776A Pending JP2001244783A (en) 2000-02-28 2000-02-28 Surface acoustic wave device and circuit board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001244783A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100654988B1 (en) 2004-05-12 2006-12-06 주식회사 케이이씨 Surface Acoustic Wave filter package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100654988B1 (en) 2004-05-12 2006-12-06 주식회사 케이이씨 Surface Acoustic Wave filter package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6943100B2 (en) Method of fabricating a wiring board utilizing a conductive member having a reduced thickness
JP3189703B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20080035974A (en) Multilayer wiring substrate mounted with electronic component and method for manufacturing the same
US7719119B2 (en) Semiconductor device, electronic apparatus comprising the same, and method for fabrication of substrate for semiconductor device used therein
JP2004095633A (en) Surface-mount electronic component module and method for manufacturing same
JPH11163024A (en) Semiconductor device and lead frame for assembling the same, and manufacture of the device
JP2001077228A (en) Printed wiring board for semiconductor package and manufacture thereof
JP3549316B2 (en) Wiring board
JP2001244783A (en) Surface acoustic wave device and circuit board
JP3297959B2 (en) Semiconductor device
JPH0955447A (en) Semiconductor device
JP3576228B2 (en) Surface mount type semiconductor device
JPH06112395A (en) Hybrid integrated circuit device
JP2518145B2 (en) Multilayer lead frame with heat sink
JP2830221B2 (en) Mounting structure of hybrid integrated circuit
JP4356196B2 (en) Semiconductor device assembly
JP2813436B2 (en) Metal-based multilayer circuit board
JP2004095864A (en) Electronic part
JP2001230345A (en) Semiconductor device, its manufacturing method and lead frame for use in manufacture thereof
KR100318317B1 (en) Bare Chip Mounting Printed Circuit Board
JP2001251161A (en) Surface acoustic wave device and method for manufacture thereof
JPH0574853A (en) Connecting structure of semiconductor device
JPH05326814A (en) Lead frame for mounting electronic circuit device
JP3063733B2 (en) Semiconductor package
JP3859045B2 (en) Semiconductor chip mounting structure