JP2001251161A - Surface acoustic wave device and method for manufacture thereof - Google Patents

Surface acoustic wave device and method for manufacture thereof

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JP2001251161A
JP2001251161A JP2000063883A JP2000063883A JP2001251161A JP 2001251161 A JP2001251161 A JP 2001251161A JP 2000063883 A JP2000063883 A JP 2000063883A JP 2000063883 A JP2000063883 A JP 2000063883A JP 2001251161 A JP2001251161 A JP 2001251161A
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acoustic wave
surface acoustic
wave element
base substrate
sound absorbing
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Osamu Furukawa
修 古川
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Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive surface acoustic wave device in which flip chip bonding can easily be performed even in a surface acoustic wave element provided with sound absorbing material and which does not have such problems as cracking and chipping, and to provide its manufacturing method. SOLUTION: In a surface acoustic wave element 1, a surface on the side of a transducer 2 is arranged so as to face the surface of a base substrate 6 where a wiring pattern is formed, and the element 1 is covered with a cap member 9 and the base substrate 6 and sealed. The sound absorbing material 11 of the element 1 covers the entire rear surface of the element 1, the edge parts of the material 11 extend around the side faces of the element 1 and also function as cushioning material. The sound absorbing material 11 is formed on the rear surface of the element 1 after the element 1 is subjected to flip chip bonding to the substrate 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は例えばテレビ等に用
いる弾性表面波装置に係り、特に弾性表面波を吸収する
吸音材を有する弾性表面波装置とその内部接続構造に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used for, for example, a television, and more particularly to a surface acoustic wave device having a sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves and an internal connection structure thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】弾性表面波装置の小型化、面実装化のた
めに、弾性表面波素子のトランスデューサ面を、これに
対向する配線パターンをもった回路基板にフリップチッ
プ接続する方法が知られている。フリップチップ接続法
とはワイヤーを用いずに、素子表面に設けられた端子と
基板に設けられた端子同士を直接接合する方法である。
表面弾性表面波素子に接続される基板材料は一般にセラ
ミックが用いられ、この基板表面にタングステン等の金
属パターンが形成されている。
2. Description of the Related Art A method of connecting a transducer surface of a surface acoustic wave element to a circuit board having a wiring pattern opposed thereto by flip-chip bonding has been known in order to reduce the size and surface mounting of a surface acoustic wave device. I have. The flip chip connection method is a method in which terminals provided on the element surface and terminals provided on the substrate are directly joined to each other without using wires.
In general, ceramic is used as a substrate material connected to the surface acoustic wave element, and a metal pattern such as tungsten is formed on the surface of the substrate.

【0003】例えばテレビ等の特定用途に用いられる弾
性表面波装置では、不要な弾性表面波を吸収する目的
で、吸音材が弾性表面波素子のトランスデューサ面及び
/または素子の裏面に形成されている。しかし、弾性表
面波素子の表面に吸音材が、基板に対向する側に設けら
れる場合、フリップチップ接続をする際、吸音材の厚み
がじやまをして両端子の接続が困難であったり、また
は、充分な接続時の加重が加わらないことがある。この
ため、吸音材に対向する基板表面の一部を削ったり、凹
部を設けたりしなければならなかった。基板の材料とし
ては上記したようにセラミック等の硬い材料が用いられ
ているので、加工に手間がかかった。
For example, in a surface acoustic wave device used for a specific application such as a television, a sound absorbing material is formed on a transducer surface of a surface acoustic wave element and / or a back surface of the element in order to absorb unnecessary surface acoustic waves. . However, when a sound absorbing material is provided on the surface of the surface acoustic wave element on the side facing the substrate, when flip-chip connection is performed, the thickness of the sound absorbing material fluctuates and it is difficult to connect both terminals. Alternatively, a sufficient connection weight may not be applied. For this reason, a part of the substrate surface facing the sound absorbing material must be cut off or a concave portion must be provided. As described above, a hard material such as a ceramic is used as a material of the substrate, so that processing is troublesome.

【0004】また、これらの加工を行なうことにより、
弾性表面波装置の製造コストが高くなってしまうという
欠点があった。更に、吸音材をトランスデューサ面とは
反対側の裏面に形成し、トランスデューサ面をベース基
板に対向させ、弾性表面波素子をベース基板に押し付け
てフリップチップ接続する場合、ベース基板に対して弾
性表面波素子を平行に接続するには困難をきたしてい
た。
[0004] By performing these processes,
There is a disadvantage that the manufacturing cost of the surface acoustic wave device increases. Furthermore, when a sound absorbing material is formed on the back surface opposite to the transducer surface, the transducer surface is opposed to the base substrate, and the surface acoustic wave element is pressed against the base substrate for flip-chip connection, the surface acoustic wave is applied to the base substrate. It was difficult to connect the elements in parallel.

【0005】また、これらを回避しようとして、吸音材
の塗布面積を小さくした場合には、吸音材の効果が弱く
なってしまったり弾性表面波素子の端部がキャップ部材
内側にあたり、欠けたり割れたりするなどの弊害が生ず
ることがあり、歩留にも問題があった。
In order to avoid these problems, if the application area of the sound absorbing material is reduced, the effect of the sound absorbing material is weakened, or the end of the surface acoustic wave element hits the inside of the cap member, causing chipping or cracking. In some cases, there is a problem with the yield.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように、吸音材を
弾性表面波素子の裏面に形成し、ベース基板に対して弾
性表面波素子を平行に接続し、損傷を与えずに弾性表面
波素子をベース基板及びキャップ部材により封止するの
は困難であった。
As described above, the sound absorbing material is formed on the back surface of the surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element is connected in parallel to the base substrate, and the surface acoustic wave element is not damaged. Is difficult to seal with a base substrate and a cap member.

【0007】本発明は上記の問題点を解消し、吸音材が
設けられた弾性表面波素子であっても、容易にフリップ
チップ接続が可能であり、割れ欠けなどの問題の少ない
低コストである弾性表面波装置とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems, and even if the surface acoustic wave element is provided with a sound absorbing material, it can be easily flip-chip connected and has a low cost with few problems such as cracks and chips. An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、トランスデューサとそれに接続された配線パターン
と該配線パターンの一部に設けられたパッド部と該パッ
ド部上に形成されたバンプと弾性表面波を吸収するため
の第1の吸音材が一方の面に形成され、反対側の他方の
面には弾性表面波を吸収する第2の吸音材が形成された
弾性表面波素子と、一方の面に外部と接続するための端
子を設け、他方の面に該端子と接続される配線パターン
を設けたベース基板と、このベース基板上に設けられ、
前記弾性表面波素子の厚みより大きい凹部を有するキャ
ップ部材と、前記弾性表面波素子とベース基板とを電気
的かつ機械的に接続する接続部材、及び前記キャップ部
材とベース基板を機械的に接続し該弾性表面波素子を封
止する封止部材とを具備し、前記弾性表面波素子のトラ
ンスデューサ側の面は、前記配線パターンが形成された
前記ベース基板の前記他方の面に対向して配置された構
造を有し、前記第2の吸音材が前記弾性表面波素子の前
記一方の面及び側面にまで及んで設けられている。
A surface acoustic wave device according to the present invention comprises a transducer, a wiring pattern connected to the transducer, a pad portion provided on a part of the wiring pattern, and a bump formed on the pad portion. A surface acoustic wave element in which a first sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves is formed on one surface, and a second sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves is formed on the other surface on the opposite side; A base substrate provided with a terminal for connection to the outside on one surface, and a wiring pattern connected to the terminal on the other surface, provided on the base substrate;
A cap member having a concave portion larger than the thickness of the surface acoustic wave element, a connection member for electrically and mechanically connecting the surface acoustic wave element and the base substrate, and mechanically connecting the cap member and the base substrate. A sealing member for sealing the surface acoustic wave element, wherein a surface of the surface acoustic wave element on the transducer side is arranged to face the other surface of the base substrate on which the wiring pattern is formed. The second sound absorbing material is provided so as to extend to the one surface and the side surface of the surface acoustic wave element.

【0009】更に本発明による弾性表面波装置の製造方
法は、弾性表面波素子となるウェハーの一方の面に複数
の弾性表面波素子を形成するために、複数のトランスデ
ューサとそれに接続された配線パターンと該配線パター
ンの一部にパッド部を形成する工程と、前記ウェハーの
一方の面に、弾性表面波を吸収するための第1の吸音材
を形成する工程と、前記ウェハーの一方の面に設けられ
た前記パッド部上に接続用のバンプを形成する工程と、
複数の弾性表面波素子が形成されたウェハーを個々の弾
性表面波素子に分割する工程と、前記ベース基板の一方
の面に外部と接続する端子を設け他方の面にこれら端子
と接続する配線パターンを設ける工程と、前記ベース基
板の他方の面に設けられた配線パターンの一部に導電性
接着剤を配置する工程と、前記弾性表面波素子のトラン
スデューサが形成された面と前記ベース基板の配線パタ
ーンが形成された面を対向させ、該ベース基板の前記導
電性接着剤の領域と該弾性表面波素子の前記バンプを接
続し、該ベース基板及び弾性表面波素子のトランスデュ
ーサとの間に空隙をつくりながら該弾性表面波素子を該
ベース基板にフリップチップ接続する工程と、前記弾性
表面波素子のトランスデューサ形成面に対して反対側の
面及び該弾性表面波素子の側面に及んで、弾性表面波を
吸収するための第2の吸音材を形成する工程と、前記キ
ャップ部材を封止部材にて前記ベース基板に機械的に接
続し、前記弾性表面波素子を気密封止する工程を具備す
る。
Further, in the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, in order to form a plurality of surface acoustic wave elements on one surface of a wafer serving as a surface acoustic wave element, a plurality of transducers and a wiring pattern connected thereto are formed. Forming a pad portion on a part of the wiring pattern; forming a first sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves on one surface of the wafer; and forming a pad portion on one surface of the wafer. Forming a connection bump on the pad portion provided;
Dividing a wafer on which a plurality of surface acoustic wave elements are formed into individual surface acoustic wave elements; and providing a terminal for connecting to the outside on one surface of the base substrate and a wiring pattern for connecting to these terminals on the other surface. Providing a conductive adhesive on a part of a wiring pattern provided on the other surface of the base substrate; and providing wiring between the surface of the surface acoustic wave element on which the transducer is formed and the base substrate. The surfaces on which the patterns are formed face each other, the conductive adhesive area of the base substrate is connected to the bumps of the surface acoustic wave element, and a gap is formed between the base substrate and the transducer of the surface acoustic wave element. A step of flip-chip connecting the surface acoustic wave element to the base substrate while producing the surface acoustic wave element; a surface of the surface acoustic wave element opposite to a transducer forming surface; Forming a second sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves over a side surface of the element, and mechanically connecting the cap member to the base substrate with a sealing member; Is hermetically sealed.

【0010】前記弾性表面波素子の裏面の吸音材が素子
裏面全面を覆い、かつ吸音材の端部が素子の面積より大
きく素子の端部に回り込む形状をとることによって、弾
性表面波素子の角部にキャップ部材が直接接触すること
がなくなる。このため、角部を起点とした割れ、欠け、
クラックを防止することができる。
The sound absorbing material on the back surface of the surface acoustic wave element covers the entire back surface of the element, and the end of the sound absorbing material has a shape larger than the area of the element and goes around the end of the element. The cap member does not directly contact the portion. For this reason, cracks, chips,
Cracks can be prevented.

【0011】この場合、裏面吸音材は緩衝材の役割をも
つ。このような裏面吸音材の形状は、弾性表面波素子を
ベース基板にフリップチップ接続した後に、裏面吸音材
を塗布又はポッテイングにて形成することにより実現で
きる。
In this case, the back sound absorbing material has a role of a cushioning material. Such a shape of the back surface sound absorbing material can be realized by flip-chip connecting the surface acoustic wave element to the base substrate and then applying or potting the back surface sound absorbing material.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の一実施形態に係る弾性表面
波装置の断面図である。弾性表面波素子1のチップ表面
にはトランスデューサ2が形成され、この面に配線パタ
ーン3及び吸音材4が形成されている。吸音材4の厚み
は、弾性表面波素子1とベース基板6との間の距離より
小である。
FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. A transducer 2 is formed on the chip surface of the surface acoustic wave element 1, and a wiring pattern 3 and a sound absorbing material 4 are formed on this surface. The thickness of the sound absorbing material 4 is smaller than the distance between the surface acoustic wave element 1 and the base substrate 6.

【0014】この配線パターン3は接続部5を経由して
ベース基板6と接続されている。ベース基板6の端部に
は複数の端子7が配置されている。また、弾性表面波素
子1はトランスデューサ部2がベース基板6の基板面の
配線パターンと対向するように、ベース基板6に対して
フリップチップ接続されている。この弾性表面波素子1
はキャップ材9と封止材8により基板6とともに包囲さ
れ封止されている。
The wiring pattern 3 is connected to a base substrate 6 via a connection portion 5. A plurality of terminals 7 are arranged at an end of the base substrate 6. The surface acoustic wave element 1 is flip-chip connected to the base substrate 6 so that the transducer section 2 faces the wiring pattern on the substrate surface of the base substrate 6. This surface acoustic wave device 1
Is enclosed and sealed with the substrate 6 by the cap material 9 and the sealing material 8.

【0015】弾性表面波素子1のトランスデューサ部の
ある面とは別の面に吸音材11が形成されている。この
吸音材11の材質は吸音材4と同一でもよいし、必要に
応じて異なるものでもよい。吸音材11はトランスデュ
ーサ2により発生した弾性表面波が弾性表面波素子1の
裏面(図1では上面)で反射するのを防止している。
A sound absorbing material 11 is formed on a surface of the surface acoustic wave element 1 different from the surface on which the transducer section is provided. The material of the sound absorbing material 11 may be the same as the sound absorbing material 4 or may be different as required. The sound absorbing material 11 prevents the surface acoustic wave generated by the transducer 2 from being reflected on the back surface (the top surface in FIG. 1) of the surface acoustic wave element 1.

【0016】図2(a)はベース基板6の平面図、図2
(b)は底面図及び側面図である。図2(a)のように
ベース基板6の表面には接続部5を含む配線パターンが
形成され、図2(b)のように裏面には端子7aが形成
されている。端子7aと配線パターンとはスルーホール
めっき7bにより結合されている。端子7aはこの弾性
表面波装置が適用される回路基板(図示されず)上のパ
ッド部に接続される。図1では説明の都合上、2つの端
子7は左右の吸音材3と同じ方向で向かい合っている
が、実際には図2(a)の点線で示されるような位置4
aの上部に配置される。
FIG. 2A is a plan view of the base substrate 6 and FIG.
(B) is a bottom view and a side view. As shown in FIG. 2A, a wiring pattern including the connection portion 5 is formed on the front surface of the base substrate 6, and terminals 7a are formed on the back surface as shown in FIG. 2B. The terminal 7a and the wiring pattern are connected by a through-hole plating 7b. The terminal 7a is connected to a pad on a circuit board (not shown) to which the surface acoustic wave device is applied. In FIG. 1, for convenience of explanation, the two terminals 7 face each other in the same direction as the left and right sound absorbing members 3, but actually, the positions 4 as indicated by the dotted lines in FIG.
a.

【0017】弾性表面波素子1のトランスデューサ2が
設けられた面に形成された吸音材4の厚みは、通常のス
クリーン印刷法で形成した場合約40μm程度であるの
で、基板のパターンのない部分4aに弾性表面波素子の
吸音材の部分を対向させることによって、吸音材と基板
の両者は接触することなく維持される。
The thickness of the sound absorbing material 4 formed on the surface of the surface acoustic wave element 1 on which the transducer 2 is provided is about 40 μm when formed by a normal screen printing method. By making the sound absorbing material portion of the surface acoustic wave element face the other, both the sound absorbing material and the substrate are maintained without contact.

【0018】次に本発明の弾性表面波装置の製造方法及
び構造を図3及び図4を参照して詳細に説明する。図3
は本発明の弾性表面波装置の製造方法を示すフローチャ
ート、図4は図1の弾性表面波素子1の端部およびベー
ス基板との接続部の構造を示す拡大断面図である。
Next, the manufacturing method and structure of the surface acoustic wave device according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG.
FIG. 4 is a flowchart showing a method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the present invention, and FIG. 4 is an enlarged sectional view showing the structure of an end portion of the surface acoustic wave device 1 of FIG.

【0019】先ず、弾性表面波素子となるウェハー(図
示されず)の一方の面に複数の弾性表面波素子を構成す
るために、複数のトランスデューサ2とそれに接続され
た配線パターン及び配線パターンの一部にパッド部5a
を形成する(ステップS1)。
First, in order to form a plurality of surface acoustic wave elements on one surface of a wafer (not shown) serving as a surface acoustic wave element, one of a plurality of transducers 2 and a wiring pattern connected thereto and a wiring pattern are formed. Pad part 5a
Is formed (step S1).

【0020】次に、弾性表面波素子のトランスデューサ
2が形成されたウェハーの一方の面に、弾性表面波を吸
収するための吸音材4を形成し(ステップS2)、パッ
ド部5a上に接続用のバンプ5bを形成する(ステップ
S3)。ステップS4では、複数の弾性表面波素子が形
成されたウェハーを個々の弾性表面波素子1に分割す
る。
Next, a sound absorbing material 4 for absorbing surface acoustic waves is formed on one surface of the wafer on which the transducer 2 of the surface acoustic wave element is formed (step S2), and a connection member is formed on the pad portion 5a. Is formed (step S3). In step S4, the wafer on which the plurality of surface acoustic wave devices are formed is divided into individual surface acoustic wave devices 1.

【0021】ベース基板については先ずステップS5の
ように、ベース基板の一方の面に外部と接続する端子7
を設け、他方の面にこれら端子と接続する配線パターン
を設ける。
As for the base substrate, first, as shown in step S5, a terminal 7 connected to the outside is connected to one surface of the base substrate.
And a wiring pattern for connecting to these terminals is provided on the other surface.

【0022】本発明で用いるベース基板は、例えば板厚
0.4mmで両側にそれぞれ18μm厚の銅はくが貼ら
れているものを使用する。基板の材質は、たとえばガラ
スエポキシ基板FR−4やFR−5、BTレジン(ビス
マレイミドトリアジン樹脂)などが好適である。この銅
はくの厚みは、ここでは18μmとしたが、9〜100
μmの範囲で任意に調整してよい。ただし、ベース基板
に微細な配線パターンを形成しようとする場合には、精
度の点で薄いほうが好ましい。吸音材が形成されている
弾性表面波素子とともに用いる場合は18μm程度が適
当である。
The base substrate used in the present invention is, for example, a substrate having a thickness of 0.4 mm and copper foil having a thickness of 18 μm on each side. As the material of the substrate, for example, a glass epoxy substrate FR-4 or FR-5, BT resin (bismaleimide triazine resin), or the like is preferable. Although the thickness of the copper foil was 18 μm here, it was 9 to 100 μm.
It may be arbitrarily adjusted in the range of μm. However, when a fine wiring pattern is to be formed on the base substrate, it is preferable that the thickness is thinner in terms of accuracy. When used with a surface acoustic wave element having a sound absorbing material formed thereon, a thickness of about 18 μm is appropriate.

【0023】この基板の両面にレジストを塗布し、必要
な部分のみを露光してレジストのパターンニングを行
い、その後Cu(銅)のエッチング液にひたして一部分
を剥離し、レジストを剥離すると、この回路基板上にパ
ターンが形成できる。通常、パターンの幅は小さくても
100μm程度である。
A resist is applied to both surfaces of the substrate, and only necessary portions are exposed to pattern the resist. Thereafter, the resist is dipped in an etching solution of Cu (copper) to partially remove the resist. A pattern can be formed on a circuit board. Usually, the width of the pattern is at least about 100 μm.

【0024】続いて、形成されたCuの配線パターンに
対して、Cuめっきを約15〜35μm行なう。更にそ
の上にNi(ニッケル)めっきを5〜10μm行ない、
更にその上にAu(金)めっきを約0.03〜2μm行
なう。これらは電解めっきでも無電解めっきでもよい。
Subsequently, Cu plating is performed on the formed Cu wiring pattern by about 15 to 35 μm. Further, Ni (nickel) plating is performed thereon for 5 to 10 μm,
Further, Au (gold) plating is performed thereon for about 0.03 to 2 μm. These may be electrolytic plating or electroless plating.

【0025】このようにすることによって、ベース基板
表面とパターンニングした金属の表面との段差は合わせ
て40〜80μm程度となる。このとき、ベース基板の
配線パターン上にソルダーレジスト等の被覆物が存在し
ないことが良好な電気的接続を得るために必要である。
By doing so, the step between the surface of the base substrate and the surface of the patterned metal is about 40 to 80 μm in total. At this time, it is necessary that there is no coating such as a solder resist on the wiring pattern of the base substrate in order to obtain good electrical connection.

【0026】ステップS6ではベース基板側のAuめっ
き5d上に、導電性接着剤5cが塗布され、ステップS
7では弾性表面波素子1のトランスデューサが形成され
た面とベース基板6の配線パターンが形成された面を対
向させ、ベース基板の導電性接着剤の領域と弾性表面波
素子のバンプを接続し、ベース基板6と弾性表面波素子
1のトランスデューサ2との間に空隙をつくりながら弾
性表面波素子1をベース基板6にフリップチップ接続す
る。
In step S6, a conductive adhesive 5c is applied on the Au plating 5d on the base substrate side.
At 7, the surface of the surface acoustic wave element 1 on which the transducer is formed and the surface of the base substrate 6 on which the wiring pattern is formed face each other, and the conductive adhesive region of the base substrate is connected to the bumps of the surface acoustic wave element. The surface acoustic wave device 1 is flip-chip connected to the base substrate 6 while creating a gap between the base substrate 6 and the transducer 2 of the surface acoustic wave device 1.

【0027】ステップS8では、弾性表面波素子1のト
ランスデューサ2のある面とは反対側の面に吸音材11
が形成される。吸音材11の端部は弾性表面波素子1の
角部12を覆うようにして広がっており、弾性表面波素
子1の側面に回り込んでいる。つまり吸音材11は弾性
表面波素子1の側面にまで及んでいる。この程度は、弾
性表面波素子1のトランスデューサ形成面にかからない
ものであればよく、好ましくはその弾性表面波素子の厚
みの1/2以内に回り込んでいる程度が良い。最後にス
テップS9のように、キャップ部材9を封止部材8にて
ベース基板6に機械的に接続し、弾性表面波素子を気密
封止する。
In step S8, the sound absorbing material 11 is provided on the surface of the surface acoustic wave element 1 opposite to the surface on which the transducer 2 is located.
Is formed. The end of the sound absorbing material 11 spreads so as to cover the corner 12 of the surface acoustic wave device 1 and extends around the side surface of the surface acoustic wave device 1. That is, the sound absorbing material 11 extends to the side surface of the surface acoustic wave element 1. It is sufficient that this degree does not cover the transducer forming surface of the surface acoustic wave element 1, and it is preferable that the degree of wrap around the surface acoustic wave element is within 1/2 of the thickness of the surface acoustic wave element. Finally, as in step S9, the cap member 9 is mechanically connected to the base substrate 6 by the sealing member 8, and the surface acoustic wave element is hermetically sealed.

【0028】上記ステップS8における吸音材11の形
成は、吸音材4と同様にスクリーン印刷によって容易に
できる。もしくは、吸音材のスラリーを弾性表面波素子
1の裏面にポッティング、つまり垂らすようにして設け
ることも可能である。
The formation of the sound absorbing material 11 in the step S8 can be easily performed by screen printing as in the case of the sound absorbing material 4. Alternatively, the slurry of the sound absorbing material can be provided on the back surface of the surface acoustic wave element 1 by potting, that is, hanging down.

【0029】この吸音材11の形成工程は弾性表面波素
子のフリップチップ接続工程の後に行なわれることが必
要である。なぜなら、この吸音材11は弾性表面渋素子
1の角12を覆うようにして設けられる必要があるから
である。一般にキャップ部材9の内側角部13は図2の
ように円弧が形成され、弾性表面波素子素子1の角部1
2とこの角部13がぶつかりやすい。しかし、上記した
ように製造することによって、弾性表面波素子1の角1
2は、キャップ部材9がベース基板に接続されたとき、
直接キャップ部材に接触することがない。弾性表面波素
子1の角12がキャップ部材9に直接接触すると、弾性
表面波素子1の性能が低下するばかりか、弾性表面波素
子1が破損することがある。本発明では弾性表面波素子
1とキャンプ部材9の間に吸音材が設けられ、この吸音
材11が緩衝材としても作用する。
The step of forming the sound absorbing material 11 needs to be performed after the step of connecting the surface acoustic wave element to the flip chip. This is because the sound absorbing material 11 needs to be provided so as to cover the corners 12 of the elastic surface cushioning element 1. Generally, the inner corner 13 of the cap member 9 is formed in an arc as shown in FIG.
2 and this corner 13 are likely to collide. However, by manufacturing as described above, the angle 1 of the surface acoustic wave element 1 can be reduced.
2, when the cap member 9 is connected to the base substrate,
There is no direct contact with the cap member. When the corner 12 of the surface acoustic wave element 1 directly contacts the cap member 9, not only the performance of the surface acoustic wave element 1 is reduced, but also the surface acoustic wave element 1 may be damaged. In the present invention, a sound absorbing material is provided between the surface acoustic wave element 1 and the camping member 9, and the sound absorbing material 11 also functions as a cushioning material.

【0030】スクリーン印刷を行う際の吸音材の材質、
粘性、および塗布面積を調整することによって、弾性表
面波素子1の側面に吸音材11が回り込むようにするこ
とができる。また、ポッテイングで行なう場合には吸音
材の材質、粘性、滴下速度、温度を調整することによっ
て、弾性表面波素子1の側面に回り込むようにすること
ができる。いずれの場合も弾性表面波素子1の角部12
を覆うようにすればよいため、あまり粘性を下げること
は好ましくない。粘性は3〜50Pa・s程度が好まし
い。
The material of the sound absorbing material when performing screen printing,
By adjusting the viscosity and the application area, it is possible to make the sound absorbing material 11 wrap around the side surface of the surface acoustic wave element 1. In the case of potting, the sound absorbing material can be made to go around the side surface of the surface acoustic wave element 1 by adjusting the material, viscosity, dropping speed, and temperature of the sound absorbing material. In any case, the corner 12 of the surface acoustic wave element 1
, It is not preferable to lower the viscosity so much. The viscosity is preferably about 3 to 50 Pa · s.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、弾
性表面波素子の裏面の吸音材が素子裏面全面を覆い、か
つその端部が素子の面積より大きく素子の端部に回り込
む形状をとることによって、弾性表面波素子の角部にキ
ャップ部材が直接接触することがなくなるため、角部を
起点とした割れ、欠け、クラックを防止することができ
る。すなわち、緩衝材の役割を持つ裏面吸音材が形成さ
れた弾性表面波素子をベース基板にフリップチップ接続
した構造を有する弾性表面波装置を低コストで提供でき
る。
As described above, according to the present invention, the sound absorbing material on the back surface of the surface acoustic wave device covers the entire back surface of the device, and its end is larger than the area of the device and goes around the end of the device. With this configuration, the cap member does not directly come into contact with the corner of the surface acoustic wave element, so that cracks, chips, and cracks starting from the corner can be prevented. That is, a surface acoustic wave device having a structure in which a surface acoustic wave element having a back surface sound absorbing material having a role of a cushioning material formed flip-chip connected to a base substrate can be provided at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の断
面図。
FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図(a)はベース基板6の平面図、図(b)は
底面及び側面図。
2A is a plan view of a base substrate 6, and FIG. 2B is a bottom view and a side view.

【図3】本発明の弾性表面波装置の製造方法を示すフロ
ーチャート。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図4】図1の弾性表面波素子の端部およびベース基板
との接続部の構造を示す拡大断面図。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a structure of an end portion of the surface acoustic wave device of FIG. 1 and a connection portion with a base substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…弾性表面波素子 2…トランスデューサ 3…配線パターン 4、11…吸音材 5…接続部材 5a…パッド部 5b…Auバンプ 5c…導電性接着剤 5d…Auめっき層 5e…Niめっき層 5f…Cuめっき層 5g…Cuはく 6…ベース基板 7…端子 8…封止部材 9…キャップ部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface acoustic wave element 2 ... Transducer 3 ... Wiring pattern 4, 11 ... Sound absorbing material 5 ... Connection member 5a ... Pad part 5b ... Au bump 5c ... Conductive adhesive 5d ... Au plating layer 5e ... Ni plating layer 5f ... Cu Plating layer 5 g Cu foil 6 Base substrate 7 Terminal 8 Sealing member 9 Cap member

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランスデューサと、それに接続された
配線パターンと、該配線パターンの一部に設けられたパ
ッド部と、該パッド部上に形成されたバンプと、弾性表
面波を吸収するための第1の吸音材が一方の面に形成さ
れ、反対側の他方の面には弾性表面波を吸収する第2の
吸音材が形成された弾性表面波素子と、 一方の面に外部と接続するための端子を設け、他方の面
に該端子と接続される配線パターンを設けたベース基板
と、 このベース基板上に設けられ、前記弾性表面波素子の厚
みより大きい凹部を有するキャップ部材と、 前記弾性表面波素子とベース基板とを電気的かつ機械的
に接続する接続部材、及び前記キャップ部材とベース基
板を機械的に接続し該弾性表面波素子を封止する封止部
分とを具備し、 前記弾性表面波素子のトランスデューサ側の面は、前記
配線パターンが形成された前記ベース基板の前記他方の
面に対向して配置された構造を有し、 前記第2の吸音材が前記弾性表面波素子の前記一方の面
及び側面にまで及んで設けられていることを特徴とする
弾性表面波装置。
1. A transducer, a wiring pattern connected thereto, a pad portion provided on a part of the wiring pattern, a bump formed on the pad portion, and a second electrode for absorbing a surface acoustic wave. A surface acoustic wave element in which one sound absorbing material is formed on one surface and a second sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves is formed on the other surface on the opposite side; and one surface is connected to the outside. A base member provided with a terminal, and a wiring pattern connected to the terminal on the other surface; a cap member provided on the base substrate and having a recess larger than the thickness of the surface acoustic wave element; A connection member that electrically and mechanically connects the surface acoustic wave element and the base substrate, and a sealing portion that mechanically connects the cap member and the base substrate and seals the surface acoustic wave element; Surface acoustic wave device The surface on the transducer side has a structure arranged so as to face the other surface of the base substrate on which the wiring pattern is formed, and the second sound absorbing material is provided on the one side of the surface acoustic wave element. A surface acoustic wave device provided so as to extend to a surface and a side surface.
【請求項2】 弾性表面波素子となるウェハーの一方の
面に複数の弾性弾性弾性表面波素子を形成するために、
複数のトランスデューサとそれに接続された配線パター
ンと該配線パターンの一部にパッド部を形成する工程
と、 前記ウェハーの一方の面に、弾性弾性表面波を吸収する
ための第1の吸音材を形成する工程と、 前記ウェハーの一方の面に設けられた前記パッド部上に
接続用のバンプを形成する工程と、 複数の弾性表面波素子が形成されたウェハーを個々の弾
性表面波素子に分割する工程と、 前記ベース基板の一方の面に外部と接続する端子を設け
他方の面にこれら端子と接続する配線パターンを設ける
工程と、 前記ベース基板の他方の面に設けられた配線パターンの
一部に導電性接着剤を配置する工程と、 前記弾性表面波素子のトランスデューサが形成された面
と前記ベース基板の配線パターンが形成された面を対向
させ、該ベース基板の前記導電性接着剤の領域と該弾性
表面波素子の前記バンプを接続し、該ベース基板及び弾
性表面波素子のトランスデューサとの間に空隙をつくり
ながら該弾性表面波素子を該ベース基板にフリップチッ
プ接続する工程と、 前記弾性表面波素子のトランスデューサ形成面に対して
反対側の面及び該弾性表面波素子の側面に及んで、弾性
表面波を吸収するための第2の吸音材を形成する工程
と、 前記キャップ部材を封止部材にて前記ベース基板に機械
的に接続し、前記弾性表面波素子を気密封止する工程、
を具備することを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。
2. A method for forming a plurality of surface acoustic wave devices on one surface of a wafer serving as a surface acoustic wave device,
Forming a plurality of transducers, a wiring pattern connected thereto, and a pad portion on a part of the wiring pattern; forming a first sound absorbing material for absorbing a surface acoustic wave on one surface of the wafer; Forming a connection bump on the pad portion provided on one surface of the wafer; and dividing the wafer on which the plurality of surface acoustic wave elements are formed into individual surface acoustic wave elements. A step of providing a terminal connected to the outside on one surface of the base substrate and providing a wiring pattern connected to these terminals on the other surface; and a part of a wiring pattern provided on the other surface of the base substrate. Disposing a conductive adhesive on the surface of the surface acoustic wave element, and the surface of the surface acoustic wave element on which the transducer is formed and the surface of the base substrate on which the wiring pattern is formed are opposed to each other; The surface of the conductive adhesive is connected to the bump of the surface acoustic wave element, and the surface acoustic wave element is flip-chip bonded to the base substrate while creating a gap between the base substrate and the transducer of the surface acoustic wave element. Connecting; and forming a second sound absorbing material for absorbing surface acoustic waves over a surface of the surface acoustic wave element opposite to a transducer forming surface and a side surface of the surface acoustic wave element. And mechanically connecting the cap member to the base substrate with a sealing member to hermetically seal the surface acoustic wave element;
A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising:
【請求項3】 前記第2の吸音材を形成する工程は、
前記弾性表面波素子のフリップチップ接続工程の後に行
われることを特徴とする請求項2記載の弾性表面波装置
の製造方法。
3. The step of forming the second sound absorbing material,
3. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the method is performed after the flip chip connecting step of the surface acoustic wave element.
【請求項4】 前記第2の吸音材の形成をスクリーン
印刷により行なうことを特徴とする請求項2または3記
載の弾性表面波装置の製造方法。
4. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the second sound absorbing material is formed by screen printing.
【請求項5】 前記第2の吸音材の形成をポッティン
グにより行なうことを特徴とする請求項2または3記載
の弾性表面波装置の製造方法。
5. The method of manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the formation of the second sound absorbing material is performed by potting.
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