JP2006279483A - Surface acoustic wave device of surface mount type - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、弾性表面波チップを実装基板上にバンプを用いて搭載してから弾性表面波チップを樹脂にて封止した構造の弾性表面波デバイスにおいて、実装基板を貫通する孔内に充填した内部導体が弾性表面波チップ内の気密性を害する原因となる不具合を解消した表面実装型弾性表面波デバイスに関するものである。 The present invention provides a surface acoustic wave device having a structure in which a surface acoustic wave chip is mounted on a mounting substrate using bumps and then the surface acoustic wave chip is sealed with a resin, and a hole penetrating the mounting substrate is filled. The present invention relates to a surface-mount type surface acoustic wave device that eliminates a problem that causes an internal conductor to impair airtightness in a surface acoustic wave chip.
弾性表面波デバイス(SAWデバイス)は、水晶等の圧電基板上に櫛歯状の電極指から成るIDT(インターディジタルトランスジューサ)電極を配置した構成を備え、例えばIDT電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
半導体部品においてCSP(Chip Size Package)と呼ばれる小型パッケージング技術が一般化するのに伴って、SAWデバイスにおいても、デバイス小型化の容易化と、バッチ式の製造方法による生産性の向上という観点から、CSP技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。CSP技術では樹脂を用いた封止工法が多く使用されている。
図3に従来技術によるCSP構造のSAWデバイスの一例を示す(例えば、WO97/02596、特開平9−162690号公報)。
このSAWデバイス101は、絶縁基板(単層アルミナセラミック基板)103、絶縁基板103の底部に設けた表面実装用の外部電極104、及び該絶縁基板の上面に設けた配線パターン105とから成る実装基板102と、配線パターン105上に導体バンプ110を介して電気的機械的に接続される接続パッド116、及びIDT電極117を下面に備えた圧電基板118から成るSAWチップ115と、配線パターン105の上面を含む実装基板102とSAWチップ115の側面及び上面に対して被覆一体化される樹脂120と、を備えている。樹脂120は、SAWチップ115の下面と実装基板102の上面との間に樹脂が充填されていないSAW伝搬用の気密空間Sが確保されるようにスクリーン印刷等により被覆形成される。
A surface acoustic wave device (SAW device) has a configuration in which an IDT (interdigital transducer) electrode composed of comb-like electrode fingers is disposed on a piezoelectric substrate such as a quartz crystal. For example, by applying a high frequency electric field to an IDT electrode Filter characteristics are obtained by exciting a surface acoustic wave and converting the surface acoustic wave into a high-frequency electric field by a piezoelectric action.
With the generalization of small packaging technology called CSP (Chip Size Package) in semiconductor parts, SAW devices are also easy to miniaturize and from the viewpoint of improving productivity by batch manufacturing methods. Production methods using CSP technology have been introduced. In the CSP technology, a sealing method using a resin is often used.
FIG. 3 shows an example of a SAW device having a CSP structure according to the prior art (for example, WO 97/02596, JP-A-9-162690).
This
ところで、SAWデバイス101が縦横寸法が数mmの微小寸法である場合には、複数の実装基板102をシート状に連結した大面積の実装基板母材を用いたバッチ処理により量産され、実装基板母材上の各個片領域に対して、SAWチップ115のフリップチップ実装を行ってから、所定のマスクを用いたスクリーン印刷、或いはディスペンサによる塗布により樹脂120の被覆が行われる。この際、樹脂120は、各SAWチップ115間の谷間に充填されてSAWチップ115の裾部と実装基板上面との間の空間を気密封止する一方で、SAWチップ外面に対して密着して被覆される。
絶縁基板103の底部と上面に夫々設けた外部電極104、及び配線パターン105は、絶縁基板103に形成された貫通孔103aに充填された内部導体106によって電気的に接続されている。内部導体106は、セラミックグリーンシートに貫通孔103aを穿設し、この貫通孔103a内に導体ペーストを充填して焼成することで形成される。この導体ペーストの充填が不十分であると、焼成後に貫通孔103aと内部導体106との間の微小間隙を介してセラミック基板の内部導体部の気密性が劣化するという不具合が発生する。
図3の構造では、内部導体106が気密空間Sの直下に位置する絶縁基板103内に配置されているため、貫通孔103aと内部導体106との気密性が不十分な場合には外部から水分が気密空間S内に侵入して、内部空間に存在する金属を腐食させ、SAWデバイスの電気的特性を劣化させる原因となる。
By the way, when the
The
In the structure of FIG. 3, the
次に、図4に示すSAWデバイス101のように、実装基板102を構成する絶縁基板103を上層103Uと下層103Lから成る多層セラミック基板とし、上層103Uと下層103Lに夫々形成する各縦貫通孔103a’、103a”の横方向位置をずらすと共に、両縦貫通孔103a’、103a”間を横孔103'''によって連通した構造とした場合には、連通し合った各孔内に導体ペーストを充填して焼成した際に上層103Uと下層103Lとに夫々形成した内部導体106U、106Lの横方向位置が重ならなくなる。このように構成すれば、各縦貫通孔103a’、103a”及び横孔横孔103'''内への導体充填が不十分な場合であっても気密空間Sの気密性を確保することができる。
しかし、多層セラミック基板の製造に際しては、上層103Uと下層103Lの各々のセラミックグリーンシートに対して貫通孔穿設と導体充填を個別に行う必要があるので、製造工程が増大するという欠点がある。貫通孔の穿設方法が金型による打ち抜きである場合は、上層用と下層用の両方の金型を準備する必要があり、高価な打ち抜き用金型が複数個必要となってコスト増大をもたらす。貫通孔の穿設を金型による打ち抜きではなくNC加工機で行う場合は、穿設する貫通孔の数が単層セラミック基板の場合よりも多くなってしまうため、穿設完了までの時間が長くなってしまう。また、多層セラミック基板に対する配線パターンや外部電極となる導体パターンの印刷についても、上層と下層の各々のセラミックグリーンシートに対して行わなければならず、これも製造工程が増える原因となる。さらに、近年のデバイス薄型化によって実装基板についても薄肉化が進んでいるため、貫通孔穿設、導体充填、そして導体パターン印刷を終えた上層と下層の各々の薄型セラミックグリーンシートを積層する作業が非常に困難なものとなってきている。
このように、図4のような多層セラミック基板は、貫通孔内への導体充填が不十分な場合であっても内部空間の気密性を確保することができるが、上述のような多くの欠点がある。
Next, as in the
However, when manufacturing a multilayer ceramic substrate, it is necessary to individually form through holes and fill conductors in each of the ceramic green sheets of the
As described above, the multilayer ceramic substrate as shown in FIG. 4 can ensure the airtightness of the internal space even when the conductor filling in the through hole is insufficient, but there are many disadvantages as described above. There is.
次に、図5に示したSAWデバイス101は、内部導体106をSAWチップ115の外側端縁の直下位置に相当する絶縁基板内部に配置すると共に、内部導体106の上端部を含む配線パターン105を封止樹脂120の裾部により被覆した構造を備えている。この構造によれば、貫通孔103aへの導体充填が不十分な場合でも、内部導体上面を覆う封止樹脂120の裾部によって気密空間Sへの水分侵入が防止できるように思える。しかし、実際には実装基板102の配線パターン105表面には半田やAuバンプとの接合を行うためにAuメッキが施されており、Auと樹脂との密着性の悪さから、内部導体106と貫通孔103aとの間から侵入した水分は、Auメッキと封止樹脂裾部との接触界面伝いに気密空間内へ侵入してしまう。また、封止樹脂はアルミナセラミックとの密着は良好なため、封止樹脂と絶縁基板との密着強度を上げるためにも、アルミナセラミック製絶縁基板面と封止樹脂との接触界面幅Fを極力大きくとるのが望ましいが、近年のデバイス小型化により、十分な接触界面幅Fを確保するのが困難になっている。図5のSAWデバイスのように内部導体上面を封止樹脂で覆った構造は、例えば特開2003−298389公報に開示されている。
Next, in the
次に、図6は、内部導体106を導体バンプ110よりも中央寄りに配置し、内部導体106の上端部及び配線パターン105を封止樹脂120の裾部にて覆った構造である。このような構造の場合、アルミナセラミックからなる絶縁基板103面と封止樹脂120との接触界面幅は大きく確保しやすいが、内部導体が導体バンプ110よりも中央寄りに配置されるため、導体バンプ110の存在によって(導体バンプが障害となって)内部導体上端部とその周辺の配線パターン上面を封止樹脂により十分に覆うことが困難となる場合がある。
図6のように内部導体106を導体バンプよりも中央寄りに配置し、内部導体上端部及び配線パターン上面を封止樹脂で覆った構造は、例えば特開平11−74755号公報に開示されている。
A structure in which the
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、小型・薄型・低価格なCSP構造の樹脂封止型SAWデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to realize a resin-encapsulated SAW device having a small, thin, and low-cost CSP structure without deteriorating moisture resistance.
上記目的を達成するため、請求項1の発明は、単層セラミック基板、該単層セラミック基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、前記単層セラミック基板の上部に配置された配線パターン、及び前記単層セラミック基板に形成した貫通孔に充填された導体によって形成され前記外部電極と前記配線パターン間を導通する内部導体と、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したIDT電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続電極、を備えたSAWチップと、前記SAWチップを前記実装基板上に前記導体バンプを用いてフリップチップ実装した状態で、前記SAWチップ外面から前記実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記IDT電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスであって、前記内部導体の埋設位置を、前記気密空間部の外郭を構成する前記封止樹脂の裾部の幅内に位置するように構成し、前記内部導体上端部を含む前記配線パターンの一部を前記単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆い、かつ少なくとも前記絶縁コートの内部導体上端部に相当する部分を前記封止樹脂で覆ったことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1において、前記絶縁コート層による被覆範囲は、前記配線パターンの周縁に位置する前記絶縁基板面にも延在していることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1、又は2において、前記絶縁コート層は、前記実装基板の絶縁体材料がアルミナセラミックの場合にはアルミナコート、ガラスセラミックの場合にはガラスセラミックコートであることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention of
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the area covered by the insulating coating layer extends to the surface of the insulating substrate located at the periphery of the wiring pattern.
A third aspect of the present invention is the first or second aspect, wherein the insulating coating layer is an alumina coating when the insulating material of the mounting substrate is an alumina ceramic, and a glass ceramic coating when the insulating material is a glass ceramic. It is characterized by.
本発明のSAWデバイスによれば、気密空間の直下位置に相当する絶縁基板部分には内部導体を配置しないように構成したため、貫通孔と内部導体との間の気密性が不十分な場合に、水分等が直接内部空間に侵入することを防止できる。
また、内部導体の上端部とその周辺の配線パターン部分、更には配線パターン周辺の絶縁基板表面部分を、単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆ったので、絶縁コート層と配線パターン上のAu膜との間の密着強度と、絶縁コート層と封止樹脂との密着強度を夫々高めることができ、耐湿性を向上できる。
更に、内部導体を導体バンプよりも外側(SAWデバイス端面寄り)に設けているため、導体バンプの存在によって(導体バンプが障害となって)内部導体上面を封止樹脂で覆えなくなるということがなくなる。
また、絶縁基板を単層セラミック基板にて構成したため、製造コストを低減し、生産性を高めることができる。
以上の構成を備えた本発明によれば、小型・薄型・低価格なCSP構造の樹脂封止型SAWデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現できる。
According to the SAW device of the present invention, since the internal conductor is not disposed in the insulating substrate portion corresponding to the position immediately below the airtight space, when the airtightness between the through hole and the internal conductor is insufficient, It is possible to prevent moisture and the like from directly entering the internal space.
In addition, since the upper end portion of the inner conductor and the surrounding wiring pattern portion, and further, the insulating substrate surface portion around the wiring pattern are covered with the insulating coating layer using the same main component as the single-layer ceramic substrate, the insulating coating layer and The adhesion strength between the Au film on the wiring pattern and the adhesion strength between the insulating coating layer and the sealing resin can be increased, and the moisture resistance can be improved.
Furthermore, since the inner conductor is provided outside the conductor bump (near the end face of the SAW device), the upper surface of the inner conductor cannot be covered with the sealing resin due to the presence of the conductor bump (the conductor bump becomes an obstacle). .
In addition, since the insulating substrate is composed of a single-layer ceramic substrate, manufacturing costs can be reduced and productivity can be increased.
According to the present invention having the above-described configuration, it is possible to realize a resin-encapsulated SAW device having a small, thin, and low-cost CSP structure without deteriorating moisture resistance.
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図1(a)は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイス(以下、SAWデバイス、という)の縦断面図であり、(b)は要部拡大断面図である。
このSAWデバイス1は、実装基板2上にSAWチップ15を搭載し、更にSAWチップ15の外面を封止樹脂20にて被覆した構成を備えている。
実装基板2は、単層セラミック基板としての平板状の絶縁基板3、絶縁基板3の底部に設けた表面実装用の実装電極4、及び絶縁基板3の上面に設けられ且つ内部導体6を介して実装電極4と導通した配線パターン5、を備えている。単層セラミック基板としては、例えば単層アルミナセラミック基板、或いは単層ガラスセラミックを用いることができる。実装電極4及び配線パターン5は、夫々タングステンから成るベース4a、5a上にニッケルメッキ層4b、5b、Auメッキ層4c、5cを順次積層した構成を有している。また、内部導体6はタングステンにて構成されている。
SAWチップ15は、絶縁基板3の上面に設けた各配線パターン5と導体バンプ10を介して電気的機械的に接続される接続パッド16、及びIDT電極17を夫々水晶等の圧電基板18の下面に備えている。接続パッド16は、IDT電極17の外周を包囲するように配置されている。IDT電極17は、高周波電界を印加されることによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電反作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。IDT電極17及び接続パッド16は、フォトエッチング等の微細加工技術によって圧電基板18の主面に形成される。
封止樹脂20は、スクリーン印刷、或いはディスペンサを用いた充填によって、SAWチップ15の下面を除いた外面と実装基板上面にかけて被覆されることにより実装基板2上にSAWチップ15を固定すると共に、SAWチップ15の裾部(下面外周縁)と実装基板上面との間の空間に充填されることにより、SAWチップ15下面と実装基板2上面との間に気密空間Sを形成する。
内部導体6は、絶縁基板3に貫通形成した貫通孔3a内に導体を埋設することによって形成される。具体的には、セラミックグリーンシートに貫通孔3aを穿設し、この貫通孔3a内に導体ペーストを充填して焼成することで形成される。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings.
FIG. 1A is a longitudinal sectional view of a surface-mounted surface acoustic wave device (hereinafter referred to as a SAW device) according to an embodiment of the present invention, and FIG.
This
The
The
The sealing
The internal conductor 6 is formed by burying a conductor in a through hole 3 a formed through the insulating substrate 3. Specifically, the through hole 3a is formed in the ceramic green sheet, and the through hole 3a is filled with a conductive paste and fired.
この実施形態の特徴的な構成は、内部導体6の埋設位置を、気密空間Sの外郭を構成する封止樹脂20の裾部20aの幅F内に位置するように構成し、更に内部導体6の上端部とその周辺の配線パターン5の一部を、単層セラミック基板3と同じ主成分を用いた絶縁コート層30にて被覆し、かつ少なくとも絶縁コート層30の内部導体上端部6aに相当する部分を封止樹脂20で覆った点にある。絶縁コート層30が被覆する範囲は、少なくとも内部導体6の上端部6aとその周辺の配線パターン5部分、好ましくは更に配線パターン周辺の絶縁基板表面部分にまで拡張することが好ましい。なお、幅Fは、封止樹脂20の裾部と絶縁コート層30との接触界面幅である。
絶縁コート層30の材質としては、単層セラミック基板3が単層アルミナセラミック基板の場合はアルミナ、単層ガラスセラミック基板の場合はガラスセラミックとする。
図1(b)に示すように絶縁コート層30は、配線パターンのタングステンベース5a上にニッケルメッキ層5b、Auメッキ層5cを積層する前に、タングステンベース5aの外側端縁から所要幅の範囲にかけて積層される。
The characteristic configuration of this embodiment is such that the embedded position of the internal conductor 6 is positioned within the width F of the skirt 20a of the sealing
The material of the insulating
As shown in FIG. 1B, the insulating
図2は本発明のSAWデバイスの製造手順の説明図であり、実装基板2に対してSAWチップ15を組み付ける手順を示している。なお、実際には大面積の実装基板ウェハを用いたバッチ処理による製造が行われるが、説明を簡略化するため、本図においては個片についての製造手順を示す。
まず、絶縁基板3を構成するセラミックシート(グリーンシート)に実装電極4、配線パターン5、内部電極6を形成するための導体(タングステン)を形成し、続いて絶縁基板3の上面の所要範囲に絶縁コート30(アルミナコート)を塗布してから焼成する。その後、絶縁基板上に露出した金属パターンである実装電極ベース4aと、配線パターンベース5aに対してニッケルメッキ層4b、5bと、Auメッキ層4c、5cを順次成膜する。
絶縁コート層30は、実装基板2の上面外周縁に沿って所要幅にて帯状に積層形成されており、絶縁コート層30は配線パターン5(タングステンベース5a)の外側端縁から所要幅の範囲を被覆するように積層される。この状態で実装基板を焼成し、一方、SAWチップ15の各接続パッド16に予めバンプ10を固定した状態で、各バンプ10を各配線パターン5上の接合位置に固着することにより、実装基板2に対するSAWチップを搭載し、その後、真空雰囲気中にて封止樹脂20を塗布、充填することによりSAWデバイス1を完成する。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the manufacturing procedure of the SAW device of the present invention, and shows the procedure for assembling the
First, a conductor (tungsten) for forming the mounting electrode 4, the
The insulating
本発明に係るSAWデバイスは次のような効果を奏する。
即ち、本発明のSAWデバイスにあっては、絶縁基板の貫通孔3aと内部導体6との間の微小間隙を介して気密空間S内に外部から浸透する可能性のある水分を遮断するために、気密空間Sの直下位置に相当する絶縁基板部分には内部導体6を配置しないように構成したため、貫通孔3aと内部導体6との間の気密性が不十分な場合に、水分等が直接内部空間に侵入することを防止できる。
更に、気密空間Sの気密性、防水性(耐湿性)を高めるために、本実施形態では、内部導体6の上端部6aとその周辺の配線パターン5部分、更には配線パターン周辺の絶縁基板表面部分を、単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層30で覆った。絶縁コート層30は、実装基板3の絶縁体材料がアルミナセラミックの場合にはアルミナコート、ガラスセラミックの場合にはガラスセラミックコートとする。絶縁コートは、ペースト状の絶縁体材料を、貫通孔穿設・導体充填・導体パターン印刷を終えたセラミックグリーンシート上に印刷工程により塗布し、セラミックグリーンシートとともに同時に焼成して固化される。
絶縁コート層30を被覆する他のメリットは次の通りである。即ち、上記焼成工程の後、絶縁基板3上の導体パターン(配線パターン:例えばタングステン膜)上には、半田やAuバンプとの接合性を高めるために、Niメッキ膜と、Auメッキ膜を順次施す工程が実施されるが、絶縁コート層30上にはメッキ膜は付着しない。絶縁コート層30上にはAuメッキ膜が存在しないため、絶縁コート層30上面の少なくとも内部導体上端部とその周辺に相当する配線パターン部分に封止樹脂20を密着させた状態で強固に被覆することができる。つまり、アルミナ、或いはガラスセラミック等のセラミック材料を主成分とする絶縁コート層30と、封止樹脂20とによって接触界面を形成することができる。封止樹脂20とアルミナコート層30との密着強度、または封止樹脂20とガラスセラミックコート層30との密着強度は、封止樹脂とAuメッキとの間の密着強度よりも強いため、内部導体6を充填した貫通孔3aから浸入した水分が、絶縁コート層30と封止樹脂との接触界面伝いに気密空間Sへ浸入することを抑制できる。更に、絶縁シート層30と配線パターン(タングステン膜)との接合強度は、封止樹脂とAu膜との接合強度よりも強いため、耐湿性を更に高めることができる。
The SAW device according to the present invention has the following effects.
That is, in the SAW device of the present invention, in order to block moisture that may permeate from the outside into the airtight space S through the minute gap between the through hole 3a of the insulating substrate and the internal conductor 6. Since the internal conductor 6 is not disposed on the insulating substrate portion corresponding to the position directly below the airtight space S, moisture or the like is directly applied when the airtightness between the through hole 3a and the internal conductor 6 is insufficient. Intrusion into the internal space can be prevented.
Furthermore, in order to improve the airtightness and waterproofness (moisture resistance) of the airtight space S, in this embodiment, the upper end portion 6a of the internal conductor 6 and the surrounding
Other advantages of covering the insulating
このように本発明によれば、図5に示した従来構成におけるセラミック製絶縁基板と封止樹脂との接合幅Fよりも、セラミック絶縁コート層30と封止樹脂20との接触界面幅Fを大きく確保できるため、封止樹脂と実装基板との密着強度が向上し、耐湿性が向上される。具体的には、SAWデバイスの縦横寸法が数mmの微小寸法である場合には、セラミックと封止樹脂との接触界面幅Fは0.15mm以上であることが望ましく、これよりも小さくなると耐湿性が劣化する場合があるが、本実施形態によれば上記数値を超えた接触界面幅Fを確保できるので、耐湿性を高めることができる。
更に、本発明では、内部導体6は導体バンプ10よりも外側(SAWデバイス端面寄り)に設けているため、図6に示した従来例の場合のように、導体バンプの存在によって(導体バンプが障害となって)内部導体上面を封止樹脂で覆えなくなるということがなくなる。
また、本発明では、絶縁基板3を単層セラミック基板にて構成したため、貫通孔3aの穿設方法が金型による打ち抜きである場合に、多層セラミック基板にて絶縁基板を構成した場合よりも、使用する打ち抜き用金型の個数が少なくて済み、製造コストを低減できる。また、貫通孔3aの穿設を金型による打ち抜きではなくNC加工機にて行う場合、穿設する貫通孔3aの数が多層セラミック基板の場合よりも少なくて済むため、穿設作業を単時間に完了することができ、トータルの生産性を高めることができる。特に、単層セラミック基板を用いた場合には、多層セラミック基板を用いた場合に必要とされるセラミックグリーンシート毎の貫通孔の穿設、各貫通孔内への導体ペーストの充填、そして導体パターン印刷を終えたセラミックグリーンシートを他のセラミックグリーンシートに積層する必要がなくなるため、製造手数が大幅に低減する。このためSAWデバイスの薄型化に寄与することができる。
以上の構成を備えた本発明によれば、小型・薄型・低価格なCSP構造の樹脂封止型SAWデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現できる。
Thus, according to the present invention, the contact interface width F between the ceramic insulating
Furthermore, in the present invention, the inner conductor 6 is provided outside the conductor bump 10 (closer to the end face of the SAW device). Therefore, as in the conventional example shown in FIG. This prevents the upper surface of the inner conductor from being covered with the sealing resin.
In the present invention, since the insulating substrate 3 is constituted by a single-layer ceramic substrate, when the through hole 3a is punched by a die, the insulating substrate is constituted by a multilayer ceramic substrate. The number of punching dies to be used is small, and the manufacturing cost can be reduced. Further, when the through holes 3a are drilled by an NC processing machine instead of punching with a mold, the number of through holes 3a to be drilled is smaller than in the case of a multilayer ceramic substrate, so that the drilling operation can be performed for a single time. Can be completed, and total productivity can be increased. In particular, when a single-layer ceramic substrate is used, through holes are formed for each ceramic green sheet, which is required when a multilayer ceramic substrate is used, a conductive paste is filled in each through-hole, and a conductor pattern Since it is not necessary to laminate the printed ceramic green sheet on another ceramic green sheet, the number of manufacturing steps is greatly reduced. For this reason, it can contribute to thickness reduction of a SAW device.
According to the present invention having the above-described configuration, it is possible to realize a resin-encapsulated SAW device having a small, thin, and low-cost CSP structure without deteriorating moisture resistance.
1 弾性表面波デバイス(SAWデバイス)、2 実装基板、3 絶縁基板、4 実装電極、5 配線パターン、5a 露出領域、6 内部導体、10 導体バンプ、15 SAW(弾性表面波)チップ、16 接続パッド、17 IDT電極、18 圧電基板、20 封止樹脂、30 樹脂コート層。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
圧電基板、該圧電基板の一面に形成したIDT電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続電極、を備えたSAWチップと、
前記SAWチップを前記実装基板上に前記導体バンプを用いてフリップチップ実装した状態で、前記SAWチップ外面から前記実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記IDT電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスであって、
前記内部導体の埋設位置を、前記気密空間部の外郭を構成する前記封止樹脂の裾部の幅内に位置するように構成し、
前記内部導体上端部を含む前記配線パターンの一部を前記単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆い、かつ少なくとも前記絶縁コートの内部導体上端部に相当する部分を前記封止樹脂で覆ったことを特徴とする表面実装型弾性表面波デバイス。 A single-layer ceramic substrate, a surface-mount external electrode disposed at the bottom of the single-layer ceramic substrate, a wiring pattern disposed above the single-layer ceramic substrate, and a through-hole formed in the single-layer ceramic substrate are filled. A mounting board comprising an inner conductor formed between the external electrode and the wiring pattern formed by a conductor,
A SAW chip comprising a piezoelectric substrate, an IDT electrode formed on one surface of the piezoelectric substrate, and a connection electrode connected to the wiring pattern via a conductor bump;
In a state where the SAW chip is flip-chip mounted on the mounting substrate using the conductor bumps, the SAW chip is covered and formed from the outer surface of the SAW chip to the upper surface of the mounting substrate, thereby airtight between the IDT electrode and the mounting substrate. A surface acoustic wave device comprising: a sealing resin that forms a space;
The embedded position of the inner conductor is configured to be positioned within the width of the bottom portion of the sealing resin that forms the outline of the hermetic space portion,
A part of the wiring pattern including the upper end portion of the inner conductor is covered with an insulating coat layer using the same main component as the single-layer ceramic substrate, and at least a portion corresponding to the upper end portion of the inner conductor of the insulating coat is sealed. A surface-mount surface acoustic wave device that is covered with resin.
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JP2005095067A JP2006279483A (en) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | Surface acoustic wave device of surface mount type |
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Cited By (3)
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KR100843419B1 (en) | 2006-12-06 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | Semiconductor chip package and manufacturing the same |
JP2015146523A (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 京セラ株式会社 | Acoustic wave element and acoustic wave device |
CN113889446A (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-04 | 江苏中科智芯集成科技有限公司 | Wafer-level chip packaging structure and packaging method |
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2005
- 2005-03-29 JP JP2005095067A patent/JP2006279483A/en active Pending
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