JP2001244481A - 半導体トランスデューサ - Google Patents
半導体トランスデューサInfo
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- semiconductor element
- semiconductor transducer
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
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- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の実装箇所が半田接続のフラック
スに影響を受けること無いようにして、信頼性を高くす
る。 【解決手段】 ボディ１と、ボディ１に実装されるベア
チップの半導体素子３，４，５と、ボディ１に半田接続
により実装される電子部品８，９と、を備え、ボディ１
は、半導体素子３，４，５の実装箇所と電子部品８，９
の実装箇所との間を仕切る仕切部１ａを有した構成にし
ている。
スに影響を受けること無いようにして、信頼性を高くす
る。 【解決手段】 ボディ１と、ボディ１に実装されるベア
チップの半導体素子３，４，５と、ボディ１に半田接続
により実装される電子部品８，９と、を備え、ボディ１
は、半導体素子３，４，５の実装箇所と電子部品８，９
の実装箇所との間を仕切る仕切部１ａを有した構成にし
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサや加速
度センサ等の半導体トランスデューサに関する。
度センサ等の半導体トランスデューサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体トランスデューサ
として図５に示すものが存在する。このものは、プリン
ト基板Ａ、ボディＢ、カバーＣを備えている。
として図５に示すものが存在する。このものは、プリン
ト基板Ａ、ボディＢ、カバーＣを備えている。
【０００３】プリント基板Ａは、増幅用のオぺアンプ等
の半導体素子、コンデンサ及び抵抗等の部品Ａ１を実装
し、増幅回路ブロックＤを構成している。この増幅回路
ブロックＤは、プリント基板Ａが半田接続されることに
より、ボディＢに実装される。
の半導体素子、コンデンサ及び抵抗等の部品Ａ１を実装
し、増幅回路ブロックＤを構成している。この増幅回路
ブロックＤは、プリント基板Ａが半田接続されることに
より、ボディＢに実装される。
【０００４】ボディＢは、増幅回路ブロックＤの他に、
圧力を電気信号に変換する圧力センサチップ（半導体素
子）を内蔵するセンサエレメントＢ１も実装される。ま
た、このボディＢは、実装した増幅回路ブロックＤを外
部の電源等に接続するための入出力端子Ｂ２を設けてい
る。このボディＢは、増幅回路ブロックＤを収容するよ
う、カバーＣが被着される。
圧力を電気信号に変換する圧力センサチップ（半導体素
子）を内蔵するセンサエレメントＢ１も実装される。ま
た、このボディＢは、実装した増幅回路ブロックＤを外
部の電源等に接続するための入出力端子Ｂ２を設けてい
る。このボディＢは、増幅回路ブロックＤを収容するよ
う、カバーＣが被着される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
トランスデューサにあっては、部品Ａ１を実装するプリ
ント基板Ａを必要とするため、部品点数が多くなるとい
う問題点があり、さらに、部品Ａ１を実装するプリント
基板Ａを、ボディＢに組み込んで再び半田接続をするこ
とになるため、工程数が多くなるという問題点もあっ
た。
トランスデューサにあっては、部品Ａ１を実装するプリ
ント基板Ａを必要とするため、部品点数が多くなるとい
う問題点があり、さらに、部品Ａ１を実装するプリント
基板Ａを、ボディＢに組み込んで再び半田接続をするこ
とになるため、工程数が多くなるという問題点もあっ
た。
【０００６】そのため、図６に示すように、ボディ１０
に、圧力センサチップ２０、圧力センサとしての温度特
性や増幅度を調整するＩＣ３０、温度特性や増幅度を調
整するためのデータを保持するＲＯＭ４０等が、ベアチ
ップの半導体素子としてダイボンディングにより実装さ
れ、それらの半導体素子が、ボディ１０に同時成形され
たリードフレーム５０にワイヤーボンディング等により
接続されるものが考えられている。
に、圧力センサチップ２０、圧力センサとしての温度特
性や増幅度を調整するＩＣ３０、温度特性や増幅度を調
整するためのデータを保持するＲＯＭ４０等が、ベアチ
ップの半導体素子としてダイボンディングにより実装さ
れ、それらの半導体素子が、ボディ１０に同時成形され
たリードフレーム５０にワイヤーボンディング等により
接続されるものが考えられている。
【０００７】このものは、増幅にあたって、周波数フィ
ルターの機能を付加する場合には、ボディに１０一体成
形されたリードフレーム５０に、コンデンサ等の電子部
品を半田接続することになる。
ルターの機能を付加する場合には、ボディに１０一体成
形されたリードフレーム５０に、コンデンサ等の電子部
品を半田接続することになる。
【０００８】ところが、ベアチップの半導体素子を実装
する前に、コンデンサ等の電子部品６０を半田接続する
と、半田接続の際に使用するフラックスが飛散するよう
なことになって、ベアチップの実装箇所にフラックスが
付着してしまうと、ダイボンディングの信頼性が低下し
てしまって、半導体トランスデューサとしての信頼性が
低くなる恐れがある。逆に、ベアチップの半導体素子、
例えばＩＣ３０を実装した後に、コンデンサ等の電子部
品６０を半田接続すると、図７に示すように、ワイヤー
ボンディング用のワイヤー７０にフラックスが付着して
絶縁抵抗が低下してしまって、半導体トランスデューサ
としての信頼性が低くなる恐れがある。
する前に、コンデンサ等の電子部品６０を半田接続する
と、半田接続の際に使用するフラックスが飛散するよう
なことになって、ベアチップの実装箇所にフラックスが
付着してしまうと、ダイボンディングの信頼性が低下し
てしまって、半導体トランスデューサとしての信頼性が
低くなる恐れがある。逆に、ベアチップの半導体素子、
例えばＩＣ３０を実装した後に、コンデンサ等の電子部
品６０を半田接続すると、図７に示すように、ワイヤー
ボンディング用のワイヤー７０にフラックスが付着して
絶縁抵抗が低下してしまって、半導体トランスデューサ
としての信頼性が低くなる恐れがある。
【０００９】本発明は、上記の点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、半導体実装箇所が半田
接続のフラックスに影響を受けること無く、信頼性の高
い半導体トランスデューサを提供することにある。
ので、その目的とするところは、半導体実装箇所が半田
接続のフラックスに影響を受けること無く、信頼性の高
い半導体トランスデューサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載の半導体トランスデューサは、ボ
ディと、ボディに実装されるベアチップの半導体素子
と、ボディに半田接続により実装される電子部品と、を
備え、前記ボディは、前記半導体素子の実装箇所と前記
電子部品の実装箇所との間を仕切る仕切部を有した構成
にしている。
ために、請求項１記載の半導体トランスデューサは、ボ
ディと、ボディに実装されるベアチップの半導体素子
と、ボディに半田接続により実装される電子部品と、を
備え、前記ボディは、前記半導体素子の実装箇所と前記
電子部品の実装箇所との間を仕切る仕切部を有した構成
にしている。
【００１１】請求項２記載の半導体トランスデューサ
は、請求項１記載の半導体トランスデューサにおいて、
前記半導体素子としてＲＯＭを有し、そのＲＯＭは、Ｐ
ＲＯＭである構成にしている。
は、請求項１記載の半導体トランスデューサにおいて、
前記半導体素子としてＲＯＭを有し、そのＲＯＭは、Ｐ
ＲＯＭである構成にしている。
【００１２】請求項３記載の半導体トランスデューサ
は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半導体ト
ランスデューサにおいて、前記半導体素子としてセンサ
を有し、そのセンサからの出力信号がデジタル信号であ
る構成にしている。
は、請求項１又は請求項２のいずれかに記載の半導体ト
ランスデューサにおいて、前記半導体素子としてセンサ
を有し、そのセンサからの出力信号がデジタル信号であ
る構成にしている。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態の半導体ト
ランスデューサを図１乃至図３に基づいて以下に説明す
る。この半導体トランスデューサは、圧力センサであ
る。
ランスデューサを図１乃至図３に基づいて以下に説明す
る。この半導体トランスデューサは、圧力センサであ
る。
【００１４】１はボディで、成形材料により、略直方体
状に形成され、圧力を導入する貫通孔を設け、その貫通
孔の裏側の開口縁には、貫通孔に連通する内部空間を有
するパイプ２を連設し、貫通孔の表側の開口部を塞ぐよ
うに、圧力を電気信号に変換するの圧力センサ（半導体
素子）３がベアチップで実装されている。この圧力セン
サ３からの出力信号は、デジタル信号となっており、圧
力センサ３に加わる圧力が増加した場合に、図３に示す
ように、予め設定された所定期間に出力される一定振幅
で一定周期のパルス信号数が、増幅するようになってい
る。
状に形成され、圧力を導入する貫通孔を設け、その貫通
孔の裏側の開口縁には、貫通孔に連通する内部空間を有
するパイプ２を連設し、貫通孔の表側の開口部を塞ぐよ
うに、圧力を電気信号に変換するの圧力センサ（半導体
素子）３がベアチップで実装されている。この圧力セン
サ３からの出力信号は、デジタル信号となっており、圧
力センサ３に加わる圧力が増加した場合に、図３に示す
ように、予め設定された所定期間に出力される一定振幅
で一定周期のパルス信号数が、増幅するようになってい
る。
【００１５】このボディ１は、圧力センサ３の実装箇所
と同一面に、圧力センサ３の出力信号を増幅回路をなす
ためのオペアンプや温度特性等を補償する機能を内蔵し
たＩＣ（半導体素子）４及び温度特性を補償するための
データを記憶するＥＥＰＲＯＭ（半導体素子）５が、ベ
アチップで実装されている。これらのＩＣ４及びＥＥＰ
ＲＯＭ５は、ボディ１に同時成形されたリードフレーム
６に、ワイヤーボンディングにより接続され、リードフ
レーム６を通じて、ボディ１上に設けられた他の回路と
導通し得るようになっており、さらに、リードフレーム
６及びボディ１の側面に設けた入出力端子７を介して、
外部と導通し得るようになっている。
と同一面に、圧力センサ３の出力信号を増幅回路をなす
ためのオペアンプや温度特性等を補償する機能を内蔵し
たＩＣ（半導体素子）４及び温度特性を補償するための
データを記憶するＥＥＰＲＯＭ（半導体素子）５が、ベ
アチップで実装されている。これらのＩＣ４及びＥＥＰ
ＲＯＭ５は、ボディ１に同時成形されたリードフレーム
６に、ワイヤーボンディングにより接続され、リードフ
レーム６を通じて、ボディ１上に設けられた他の回路と
導通し得るようになっており、さらに、リードフレーム
６及びボディ１の側面に設けた入出力端子７を介して、
外部と導通し得るようになっている。
【００１６】また、このボディ１は、圧力センサ３、Ｉ
Ｃ４及びＥＥＰＲＯＭ５の実装箇所とその実装箇所とは
同一面で隅部寄りの２箇所との間を仕切る壁状の仕切部
１ａを有している。そして、この仕切部１ａにより、圧
力センサ３、ＩＣ４及びＥＥＰＲＯＭ５の実装箇所との
間が仕切られた隅部寄りの２箇所に、ＩＣ４の内蔵する
オペアンプによる増幅回路に周波数フィルターを付与す
るため等に使用するコンデンサ（電子部品）８及び抵抗
（電子部品）９を、圧力センサ３、ＩＣ４及びＥＥＰＲ
ＯＭ５の実装前に、半田接続により実装されている。
Ｃ４及びＥＥＰＲＯＭ５の実装箇所とその実装箇所とは
同一面で隅部寄りの２箇所との間を仕切る壁状の仕切部
１ａを有している。そして、この仕切部１ａにより、圧
力センサ３、ＩＣ４及びＥＥＰＲＯＭ５の実装箇所との
間が仕切られた隅部寄りの２箇所に、ＩＣ４の内蔵する
オペアンプによる増幅回路に周波数フィルターを付与す
るため等に使用するコンデンサ（電子部品）８及び抵抗
（電子部品）９を、圧力センサ３、ＩＣ４及びＥＥＰＲ
ＯＭ５の実装前に、半田接続により実装されている。
【００１７】かかる半導体トランスデューサにあって
は、ベアチップの半導体素子である、圧力センサ３、Ｉ
Ｃ４及びＥＥＰＲＯＭ５の実装箇所と半田接続される電
子部品である、コンデンサ８及び抵抗９の実装箇所との
間が、ボディ１の有する仕切部１ａにより仕切られるか
ら、図２に示すように、ベアチップの半導体素子の実装
箇所へ向かって、コンデンサ８及び抵抗９の半田接続の
際のフラックスが飛散するのが仕切部１ａにより抑制さ
れて、ベアチップの半導体素子の実装箇所にフラックス
が付着することがなく、ベアチップの半導体素子の実装
信頼性が高くなるので、半導体トランデューサとしての
信頼性を高くすることができる。
は、ベアチップの半導体素子である、圧力センサ３、Ｉ
Ｃ４及びＥＥＰＲＯＭ５の実装箇所と半田接続される電
子部品である、コンデンサ８及び抵抗９の実装箇所との
間が、ボディ１の有する仕切部１ａにより仕切られるか
ら、図２に示すように、ベアチップの半導体素子の実装
箇所へ向かって、コンデンサ８及び抵抗９の半田接続の
際のフラックスが飛散するのが仕切部１ａにより抑制さ
れて、ベアチップの半導体素子の実装箇所にフラックス
が付着することがなく、ベアチップの半導体素子の実装
信頼性が高くなるので、半導体トランデューサとしての
信頼性を高くすることができる。
【００１８】また、書き換え自在なＰＲＯＭであるＥＥ
ＰＲＯＭ５を有しているから、書き込むデータを適宜修
正することができるまた、圧力センサ３からの出力信号
がデジタル信号となっているから、図４に示すアナログ
信号とは異なって、をわざわざデジタル信号に変換しな
くてもよくなり、デジタルデータによるコンピュータ処
理が多い昨今、使い勝手が良いものとなっている。
ＰＲＯＭ５を有しているから、書き込むデータを適宜修
正することができるまた、圧力センサ３からの出力信号
がデジタル信号となっているから、図４に示すアナログ
信号とは異なって、をわざわざデジタル信号に変換しな
くてもよくなり、デジタルデータによるコンピュータ処
理が多い昨今、使い勝手が良いものとなっている。
【００１９】また、従来例とは異なって、プリント基板
を必要としないため、部品点数が少なくなり、プリント
基板をボデイ１に半田接続する工程も不要になる。
を必要としないため、部品点数が少なくなり、プリント
基板をボデイ１に半田接続する工程も不要になる。
【００２０】なお、本実施形態のＲＯＭは、電気的にデ
ータを消去するＥＥＰＲＯＭ５であるが、紫外線照射に
よりデータを消去するＥＰＲＯＭ等の他のＰＲＯＭでも
同様の効果を奏することができる。
ータを消去するＥＥＰＲＯＭ５であるが、紫外線照射に
よりデータを消去するＥＰＲＯＭ等の他のＰＲＯＭでも
同様の効果を奏することができる。
【００２１】また、本実施形態の半導体トランスデュー
サは、圧力センサであるが、加速度センサ等の他の半導
体トランスデューサでも、同様の効果を奏することがで
きる。
サは、圧力センサであるが、加速度センサ等の他の半導
体トランスデューサでも、同様の効果を奏することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】請求項１記載の半導体トランスデューサ
は、ベアチップの半導体素子の実装箇所と電子部品の実
装箇所との間が、ボディの有する仕切部により仕切られ
るから、電子部品の半田接続の際のフラックスが半導体
素子の実装箇所へ向かって飛散するのが仕切部により抑
制されて、半導体実装箇所が半田接続のフラックスに影
響を受けることがなくなり、ベアチップの半導体素子の
実装信頼性が高くなるので、半導体トランデューサとし
ての信頼性を高くすることができる。
は、ベアチップの半導体素子の実装箇所と電子部品の実
装箇所との間が、ボディの有する仕切部により仕切られ
るから、電子部品の半田接続の際のフラックスが半導体
素子の実装箇所へ向かって飛散するのが仕切部により抑
制されて、半導体実装箇所が半田接続のフラックスに影
響を受けることがなくなり、ベアチップの半導体素子の
実装信頼性が高くなるので、半導体トランデューサとし
ての信頼性を高くすることができる。
【００２３】請求項２記載の半導体トランスデューサ
は、請求項１記載の半導体トランスデューサの効果に加
えて、書き換え自在なＰＲＯＭを有しているから、ＲＯ
Ｍに書き込むデータを適宜修正することができる請求項
３記載の半導体トランスデューサは、請求項１記載の半
導体トランスデューサの効果に加えて、センサからの出
力信号がデジタル信号となっているから、アナログ信号
をわざわざデジタル信号に変換しなくてもよくなり、デ
ジタルデータによるコンピュータ処理が多い昨今、使い
勝手が良いものとなっている。
は、請求項１記載の半導体トランスデューサの効果に加
えて、書き換え自在なＰＲＯＭを有しているから、ＲＯ
Ｍに書き込むデータを適宜修正することができる請求項
３記載の半導体トランスデューサは、請求項１記載の半
導体トランスデューサの効果に加えて、センサからの出
力信号がデジタル信号となっているから、アナログ信号
をわざわざデジタル信号に変換しなくてもよくなり、デ
ジタルデータによるコンピュータ処理が多い昨今、使い
勝手が良いものとなっている。
【図１】本発明の一実施形態の斜視図である。
【図２】同上の仕切部が半田接続用のフラクックスの飛
散を抑制する状態を示す部分断面図である。
散を抑制する状態を示す部分断面図である。
【図３】同上のものの出力の説明図である。
【図４】アナログの出力がされる状態を示す説明図であ
る。
る。
【図５】従来例の分解斜視図である。
【図６】従来例の問題点を解決するべく考えられた半導
体トランスデューサの斜視図である。
体トランスデューサの斜視図である。
【図７】フラックスがワイヤーボンディング用ワイヤー
に付着する状態を示す部分断面図である。
に付着する状態を示す部分断面図である。
１ ボディ １ａ 仕切部 ３ 圧力センサ（半導体素子） ４ ＩＣ（半導体素子） ５ ＥＥＰＲＯＭ（半導体素子） ８ コンデンサ（電子部品） ９ 抵抗（電子部品）
Claims (3)
- 【請求項１】 ボディと、ボディに実装されるベアチッ
プの半導体素子と、ボディに半田接続により実装される
電子部品と、を備え、前記ボディは、前記半導体素子の
実装箇所と前記電子部品の実装箇所との間を仕切る仕切
部を有したことを特徴とする半導体トランスデューサ。 - 【請求項２】 前記半導体素子としてＲＯＭを有し、そ
のＲＯＭは、ＰＲＯＭである請求項１記載の半導体トラ
ンスデューサ。 - 【請求項３】 前記半導体素子としてセンサを有し、そ
のセンサからの出力信号がデジタル信号である請求項１
又は請求項２のいずれかに記載の半導体トランスデュー
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000054842A JP2001244481A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000054842A JP2001244481A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体トランスデューサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244481A true JP2001244481A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18576042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000054842A Pending JP2001244481A (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体トランスデューサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001244481A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7365452B2 (en) | 2002-10-18 | 2008-04-29 | Denso Corporation | Sensor device and output characteristic switching method of sensor device |
| JP2010539685A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-16 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 高密度インパッケージ超小型電子増幅器 |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000054842A patent/JP2001244481A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7365452B2 (en) | 2002-10-18 | 2008-04-29 | Denso Corporation | Sensor device and output characteristic switching method of sensor device |
| JP2010539685A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-16 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 高密度インパッケージ超小型電子増幅器 |
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