JP2001234075A - 導電性樹脂組成物並びにそれを用いる静電障害及び電磁波障害からの保護方法 - Google Patents

導電性樹脂組成物並びにそれを用いる静電障害及び電磁波障害からの保護方法

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JP2001234075A
JP2001234075A JP2000044296A JP2000044296A JP2001234075A JP 2001234075 A JP2001234075 A JP 2001234075A JP 2000044296 A JP2000044296 A JP 2000044296A JP 2000044296 A JP2000044296 A JP 2000044296A JP 2001234075 A JP2001234075 A JP 2001234075A
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Fumio Takei
文雄 武井
Hiroaki Yoshida
宏章 吉田
Takeshi Ogino
健 荻野
Satoshi Akutsu
智 阿久津
Toru Ito
徹 伊藤
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子装置や素子等の製造過程において有害な
静電障害や電磁波障害からそれらを一時的に保護するの
に有効な導電性樹脂組成物と、この組成物を用いる保護
方法の提供。 【解決手段】 保護しようとする電子装置や素子等の被
塗布物上に導電性の保護皮膜を形成可能な組成物であっ
て、導電性微粒子と結着材である樹脂とからなり、導電
性微粒子が金属、金属酸化物及び炭素系材料のうちから
選ばれる1種以上の材料の微粒子であり、結着材の樹脂
が、導電性保護皮膜の形成後、溶媒により溶解除去可能
なものである組成物とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性を有する樹
脂組成物を各種電子装置や素子等の被塗布物に塗布ある
いは印刷し、乾燥することにより、被塗布物に導電性を
与える導電性皮膜を形成し、電子装置や素子を静電障害
(ESD)や電磁波障害(EMI)から保護して、その
ような静電障害あるいは電磁波障害の可能性が低減され
た時点で、該導電性皮膜を除去することで、電子装置や
素子の一時的な保護を行う方法と、これに供する導電性
樹脂組成物に関する。この導電性樹脂組成物は、被塗布
物に対して一時的な導電性回路の形成を可能にし、その
後の任意の工程で除去可能な加工性を具備した樹脂組成
物である。
【0002】
【従来の技術】電子装置や素子を静電気や電磁波から保
護するためには、それらの電子装置や素子に導電性ペイ
ントを塗布し、あるいは無電解メッキ処理を施し、ある
いは真空蒸着法により導電性超薄膜を形成することなど
により、導電性の皮膜を対象とする電子装置や素子上に
形成し、この皮膜を通じて、静電気からの保護であれば
帯電電荷をアースレベルの電位に逃がし、電磁波からの
保護であればジュールエネルギー損失として電界を低減
する方法が従来より行われてきている。保護対象の電子
装置あるいは素子に導電性皮膜が残る上述の方法とは対
照的に、再剥離性の樹脂を使って再剥離できる皮膜を形
成する方法も行われている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のうちの最初
に述べた方法にあっては、導電性の皮膜が半永久的に電
子装置あるいは素子に残され、これがノイズの輻射ある
いは吸収による信号の擾乱など、新たな問題を起こすこ
とが少なくない。
【0004】このような問題は、再剥離性の導電性樹脂
組成物を塗布する方法を採用することで回避することが
できる。ところが、この場合には、導電性組成物の剥離
性を向上するために使用樹脂のガラス転移点を室温より
低くしているとともに、形成した導電性皮膜と被塗布物
との接着強度が再剥離に備えて小さくなるようにしてい
る。このため、導電性皮膜を設けた被塗布物の電子装置
や素子を高温で処理するプロセスが存在する場合、その
熱のため皮膜の導電性樹脂組成物が溶融して、最悪の場
合は電子装置や素子あるいは処理用の機器から流延・流
出したり、そこに至らないまでも、処理すべき電子装置
や素子の形成パターンや塗膜厚が変動したりする可能性
があった。また、形成した導電性皮膜は、低い接着強度
のため耐溶媒性にも乏しく、アルコールによる洗浄工程
などに耐えられないという問題もあった。
【0005】そこで、本発明は、電子装置や素子の製造
過程において有害な静電障害や電磁波障害からそれらを
一時的に保護するのに有効な導電性樹脂組成物と、この
組成物を用いて製造過程にある電子装置や素子を静電障
害や電磁波障害から一時的に保護する方法の提供を目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による導電性樹脂
組成物は、静電障害と電磁波障害の少なくとも一方から
保護しようとする被塗布物上に導電性の保護皮膜を形成
可能な組成物であって、導電性微粒子と結着材である樹
脂とからなり、導電性微粒子が金属、金属酸化物及び炭
素系材料のうちから選ばれる1種以上の材料の微粒子で
あり、結着材の樹脂が、導電性保護皮膜の形成後、溶媒
により溶解除去可能なものである。保護皮膜の除去は、
それが不要になった任意の時点で行うことができる。こ
の導電性樹脂組成物から電子装置や素子等の被塗布物上
に形成した導電性皮膜は、それらの電子装置や素子を静
電障害及び電磁波障害のうちの一方又は両方から保護す
るのに有効である。
【0007】本発明による保護方法は、導電性微粒子と
結着材である樹脂とからなる導電性樹脂組成物を用い
て、静電障害と電磁波障害の少なくとも一方から保護し
ようとする電子装置又は素子等の被塗布物上に導電性の
保護皮膜を形成し、この導電性保護皮膜が不要になった
段階でこれを溶解除去する方法である。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の導電性樹脂組成物は、導
電性微粒子と結着材である樹脂とからなる組成物であっ
て、特に製造過程にある電子装置や素子に、導電性皮膜
を形成して、電子装置や素子からそれらに蓄積した静電
荷を逃がし、あるいはそれらに輻射される電磁波をジュ
ールエネルギーとして発散させることで、電子装置や素
子をそれらにとって有害な静電障害及び電磁波障害の一
方又は両方から保護するのに有効なものである。
【0009】この組成物では、導電性微粒子として、
金、銀、銅、タングステン、チタン、タンタルなどの金
属材料の微粒子を使用することができ、あるいは酸化
錫、酸化チタン、酸化インジウム錫、酸化鉛などの導電
性を有する金属酸化物材料の微粒子を使用することがで
きる。これらに比べ導電性はやや劣るとはいえ、導電性
の炭素系材料、例えばアセチレンブラック、ケッチェン
ブラック、グラファイト、ファーネスブラックなどの微
粒子を便用してもよい。
【0010】本発明の導電性樹脂組成物により静電障害
や電磁波障害から保護しようとする電子装置や素子(具
体的な例は後述)では、例えば、銅、アルミニウム、
金、ステンレス鋼等の導電性材料、シリコン等の半導体
材料、ガラス、セラミック、有機樹脂等の絶縁性材料を
含めた、多様な材料が使用され、本発明の組成物はこの
ような各種材料の表面上に皮膜を形成して、対象の電子
装置や素子を静電障害や電磁波障害から保護するのに使
用される。本発明の組成物で用いる導電性微粒子は、そ
の組成物により皮膜を形成しようとする面の材質に応じ
て適した材料のものを選ぶのが好ましい。例えば、本発
明の組成物により皮膜を形成しようとする表面の材料が
金の場合、導電性徴粒子材料として、タングステン、チ
タン、タングステン−チタン含金などを使用するのが好
ましい。とは言え、先に挙げたような金属酸化物材料、
あるいは炭素系材料の使用も可能である。
【0011】導電性微粒子の材料としては、2種以上を
用いてもよい。この場合には、2種以上の材料の微粒子
を混合して得られる混合物を使用してもよく、あるいは
2種以上の材料を複合化したものの微粒子を使用しても
よい。後者の例としては、異種金属の合金、金属材料と
炭素系材料からなる複合材料(一例として金属マトリッ
クス中に炭素繊維又は粒子が分散したもの)、あるいは
金属酸化物材料と炭素系材料からなる複合材料などを挙
げることができる。また、核となる金属微粒子の周囲
に、更に微細な別の金属材料の粒子を配置した構造の複
合材料を使用することも考えられる。この場合、このよ
うな複合材料の微粒子は、乾式ブレンド、湿式ブレンド
などの混合手段をもって調製することができる。ガラス
等の微粒子の表面に薄い金属コーティングを施した複合
材料の使用も考えられる。更に、必要に応じて、導電性
微粒子の表面を、アセチレンブラックやケッチェンブラ
ックなどの高導電性カーボンや、ファーネスブラック、
チャネルブラックなどの色材用カーボンブラックや、あ
るいはグラファイト粉末等、導電性の炭素系材料で被覆
してもよい。
【0012】本発明に適用可能な導電性微粒子の形状に
は制限がなく、粒状、板状、鱗片状、針状、樹枝状、不
定形状など任意のものが使用できる。また、そのサイズ
に関しても、制限はなく、形成する保護皮膜の厚さを考
慮に入れて例えば0.01〜100μm程度のものが使
用できる。本発明の導電性樹脂組成物において特に好ま
しく用いられるのは、0.1〜10μmの大きさの板状
あるいは鱗片状のものである。
【0013】本発明の導電性樹脂組成物においては、導
電性微粒子のための結着材として、密着性、耐熱性、耐
溶媒性、除去性を満足する各種樹脂材料を適用すること
ができる。好ましくは、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコー
ル、ボリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポ
リアクリロニトリル、ポリオレフィン、ポリスチレン、
ポリカーボネート、ポリフェニレンオキサイド、ポリサ
ルフォン、飽和ポリエステル、ポリアセタール、ポリア
ミド、ポリブタジエン、酢酸セルロース、硝酸セルロー
ス等を使用する。このような樹脂を構成する単量体の2
種以上から生成された共重合体を使用してもよい。ま
た、本発明の導電性樹脂組成物で使用する樹脂は、後に
説明するように溶剤を使って被塗布物に適用後に、乾燥
によって皮膜を形成できることが必要である。樹脂は、
このような皮膜の形成と、その後の溶解除去とに有害で
ない限り、硬化性あるいは架橋性であってもよい。
【0014】本発明の組成物から形成した皮膜は、静電
障害あるいは電磁波障害防止用に用いられている間は被
塗布物に対する十分な密着性を有する一方で、後に容易
に溶解除去できることが不可欠であり、共重合体の使用
は、そのような相異なる特性の発現をより容易にする点
で好ましいものである。共重合体とすることで、皮膜の
耐熱性を損なうことなく適度の密着性と溶媒による除去
性を発揮する共重合樹脂材料の一例は、飽和共重合ポリ
エステル樹脂系でる。また、形成した皮膜に被塗布物へ
の高度な密着性とともに高度の耐溶媒性が要求される場
合には、例えば飽和ポリエステル等の樹脂材料にイソシ
アネート系化合物を配合する等の手法を採用することも
できる。
【0015】本発明の導電性樹脂組成物で使用可能な樹
脂自体は一般的なものであり、ここで詳細に説明するに
は及ばないが、一例として、飽和ポリエステル樹脂につ
いて説明することにする。
【0016】飽和ポリエステル樹脂は、一般に飽和多価
カルボン酸と飽和多価アルコールとから合成される不飽
和結合のないポリエステル樹脂である。上述のとおり、
2種以上の単量体を基にした共重合体を用いることで、
形成した導電性保護皮膜の被塗布物である電子装置又は
素子への密着性と使用後の溶解除去に適した特性とを都
合よく兼ね備えた導電性樹脂組成物の利用がより容易に
なる。この意味で、飽和共重合ポリエステル樹脂は本発
明において好ましい樹脂材料の一つである。
【0017】そのような飽和共重合ポリエステル樹脂
は、多価カルボン酸と多価アルコールのうちの少なくと
も一方として2種以上のものを使用(例えば2種類の多
価カルボン酸と1種類の多価アルコールとの組み合わ
せ、1種類の多価カルボン酸と2種類の多価アルコール
との組み合わせ、あるいはともに2種類の多価カルボン
酸と多価アルコールとの組み合わせ等)して合成された
飽和ポリエステル樹脂である。溶媒に溶解して被塗布物
へ適用することを考慮して、本発明で使用する飽和共重
合ポリエステル樹脂は、特定の溶媒に少なくとも20重
量%以上溶解し、室温において均一且つ透明な溶液を与
えるものであるのが好ましい。このことは、飽和ポリエ
ステル樹脂についても、また先に挙げたようなその他の
樹脂についても、同様に言えることである。
【0018】多価カルボン酸成分としては、テレフタル
酸、イソフタル酸、オルソフタル酸、2,6−ナフタレ
ンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、コハク酸、ア
ジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカンジオン
酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、テトラヒド
ロフタル酸、へキサヒドロフタル酸、クロレンド酸など
の脂肪族又は脂環族ジカルボン酸、更に5−ナトリウム
スルホイソフタル酸、4−ナトリウムスルホフタル酸な
どのスルホン酸金属塩基含育芳香族ジカルボン酸などが
挙げられる。芳香族ジカルボン酸成分としては、特にテ
レフタル酸、イソフタル酸が好ましく、多価カルボン酸
成分の20〜100モル%、好ましくは40〜100モ
ル%便用される。芳香族ジカルボン酸成分の飽和多価カ
ルボン酸成分中に占める割合が20モル%未満の場合に
は、一般に、得られた飽和ポリエステル樹脂を含む組成
物から形成した皮膜の耐水性、接着性、塗膜強度などが
不足しやすい。多価カルボン酸成分としては、上記のも
ののほかに、例えばトリメリット酸、ピロメリット酸等
の3官能以上の多価カルボン酸を併用することも可能で
ある。
【0019】多価アルコール成分としては、例えばエチ
レングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタ
ンジオール、1,6−へキサンジオール、1,5−ペン
タンジオール、ネオペンチルグリコール等のアルキレン
グリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリ
コール、テトラ以上のポリエチレングリコール、ジプロ
ピレングリコール、トリ以上のポリプロピレングリコー
ル、ポリテトラメチレングリコールなどのポリオキシア
ルキレングリコール、ジブロモネオペンチルグリコール
などのハロゲン化アルキレングリコール、1,4−シク
ロヘキサンジオール、ビスフェノールAのエチレンオキ
シド又はプロピレンオキシド付加物、1,4−シクロヘ
キサンジメタノールなどが挙げられる。多価アルコール
成分としては、上記のグリコール成分のほかに、トリメ
チロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリ
スリソールなどの3価以上の多価アルコールを併用して
も差し支えない。
【0020】本発明で使用する樹脂の合成に際しては、
上記の飽和多価カルボン酸及び多価アルコールのほか
に、必要に応じて、1価カルボン酸や1価アルコールを
少量併用することも差し支えない。
【0021】本発明の樹脂組成物で使用する樹脂材料
は、組成物を被塗布物へ適用する際及び形成した皮膜を
溶解除去する際にそれぞれ使用する溶媒に可溶であるこ
とが必要である。飽和共重合ポリエステル樹脂につい
て、そのような溶媒への溶解性を満足する好ましい成分
の例をあげると、酸成分として、テレフタル酸とイソフ
タル酸の2成分系、テレフタル酸、イソフタル酸及びア
ジピン酸の3成分系、テレフタル酸とアジビン酸の2成
分系、テレフタル酸とセバシン酸の2成分系、テレフタ
ル酸、イソフタル酸とセバシン酸の3成分系など、多価
アルコール成分として、エチレングリコールとプロピレ
ングリコールの2成分系、エチレングリコールと1,6
−へキサンジオールの2成分系、エチレングリコールと
ネオペンチルグリコールの2成分系などがある。
【0022】飽和共重合ポリエステル樹脂の溶媒への溶
解性は、そのポリエステル樹脂の酸価や分子量によって
も影響を受け、それゆえ本発明で使用する飽和共重合ポ
リエステル樹脂の分子量は2,000〜25,000程
度の範囲にあることが好ましく、酸価は10以下である
ことが好ましい。また、形成した皮膜の耐熱性の観点か
ら、飽和共重合ポリエステル樹脂はガラス転移温度が2
0℃以上であることが好ましく、より好ましいガラス転
移温度は40℃以上である。飽和共重合ポリエステル樹
脂に限らず、本発明の組成物で使用する樹脂材料は一般
に、好ましくは20℃以上、より好ましくは40℃以上
のガラス転移温度を有するのが有利である。
【0023】先に触れたように、形成した皮膜に被塗布
物への高度な密着性と高度の耐溶媒性の両方が要求され
る場合は、本発明の導電性樹脂組成物において結着材と
して使用する樹脂材料にイソシアネート系化合物を配合
することができる。そのようなイソシアネート化合物の
代表例を挙げるとすれば、芳香族イソシアネート化合
物、脂肪族イソシアネート化含物、これらのイソシアネ
ート化合物とポリヒドロキシ化合物又はポリアミン化合
物とから得られる末端イソシアネートプレポリマーない
しは高分子量のイソシアネート基含有ポリマーなどがあ
る。具体的なイソシアネート化合物の代表例は、トリレ
ンジイソシアネート(TDI)、4,4’−ジフェニル
メタンジイソシアネート(MDI)、キシリレンジイソ
シアネート(XDI)、ヘキサメチレンジイソシアネー
ト(HMDI)、イソホロンジイソシアネート(IPD
I〉、メチルシクロヘキサン−2,4−(又は2,6
−)ジイソシアネート(水素化TDI)、4,4’−メ
チレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)(水素化
MDI)、1,3−(イソシアネートメチル)シクロヘ
キサン(水素化XDI)、リジンジイソシアネート(L
DI〉、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート
(TMDI)、ダイマー酸ジイソシアネート(DD
I)、N,N’,N”−トリス(6−イソシアネートヘ
キサメチレン)ビウレットなどである。
【0024】本発明の導電性樹脂組成物は、静電障害あ
るいは電磁波障害の防止に有用な皮膜を形成するため組
成物を被塗布物である電子装置又は素子に塗布又は印刷
等により適用するのに好適な溶媒中で、既に説明した導
電性微粒子と樹脂成分を混合することにより容易に調製
することができる。この混合のためには、いずれの手段
を用いてもよく、一例として、本発明の組成物で使用す
る導電性微粒子のような微細な固体を含むペースト状の
混合物を作るのに適した3本ロール練り機等の混練機を
使用することができる。
【0025】被塗布物への適用のための溶媒としては、
エステル系、ケトン系、エーテルエステル系、塩素系、
アルコール系、エーテル系、炭化水素系などの有機溶媒
が使用できる。これらのうちの好適な溶媒の例として
は、次のものを挙げることができる。エステル系溶媒と
しては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、
酢酸イソブチル、酢酸ノチル、酢酸アミルなどがある。
ケトン系溶媒としては、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルアミ
ルケトン、エチルアミルケトン、イソブチルケトン、メ
トキシメチルペンタノン、シクロヘキサノン、ジアセト
ンアルコール、イソホロンなどがある。エーテルエステ
ル系溶媒としては、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチル
セロソルブ、酔酸ブチルセロソルブ、酢酸メトキシブチ
ル、酢酸メチルカルビトール、酢酸エチルカルビトー
ル、酢酸ブチルカルビトールなどがある。
【0026】本発明の導電性樹脂組成物には、必要に応
じて、カップリング剤を添加してもよい。使用できるカ
ップリング剤の代表的なものは、有機チタネート化合物
であるチタンジ(ジオクチルピロホスフェート)オキシ
アセテート、ジ(ジオクチルピロホスフェート)エチレ
ンチタネートなどや、シラン系化合物のγ−(2−アミ
ノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランなどや、更にア
ルミネート系カップリング剤としてアセトアルコキシア
ルミニウムジイソプロピレートなどである。
【0027】また、本発明の導電性樹脂組成物には、レ
ベリング剤、消泡剤、分散安定剤、揺変剤などの添加剤
を添加してもよい。結着材として使用する樹脂が硬化性
あるいは架橋性の場合には、硬化剤、硬化促進剤、架橋
剤、触媒等の必要な配合成分も添加される。
【0028】本発明の導電性樹脂組成物は、任意の手法
により、被塗布物である電子装置あるいは素子に適用す
ることができ、例えばドクターブレード法やスクリーン
印刷法などを利用することができる。被塗布物に適用し
た溶媒を含む組成物を乾燥させれば、静電障害あるいは
電磁波障害の防止に有用な皮膜が得られる。組成物中の
樹脂が硬化性あるいは架橋性である場合には、乾燥によ
る皮膜の形成時又は乾燥処理後に、硬化あるいは架橋反
応を生じさせることができる。
【0029】こうして被塗布物の電子装置又は素子上に
形成した皮膜は、そのような装置又は素子の製造工程に
おいて静電障害あるいは電磁波障害の可能性が低減され
た時点で、適切な溶媒を使って皮膜中の樹脂を溶解さ
せ、それに伴い導電性微粒子を溶媒中に分散させること
で、除去することができる。皮膜の溶解除去に用いる溶
媒は、皮膜を構成している樹脂の種類に応じて選べばよ
いが、一般には、N−メチル−2−ピロリドン、トルエ
ン、キシレン、二塩基酸エステル(例えば、コハク酸エ
チルエステル、グルタル酸エチルエステル、アジピン酸
エチルエステル等)を使用することができる。皮膜の溶
解除去に際しては、皮膜を施した電子装置あるいは素子
を溶媒中に浸漬させればよく、必要に応じて超音波処理
や加熱処理等の補助的な処理を利用してもよい。加熱を
行う場合、一般には50〜80℃程度の加熱温度が好ま
しいが、この範囲外の加熱温度を選ぶことも可能であ
る。このほかに、例えば、皮膜溶解除去用の溶媒をスプ
レーする等の手法を使用してもよい。
【0030】本発明の導電性樹脂組成物から皮膜を形成
することで静電障害や電磁波障害から保護することがで
きる電子装置あるいは素子としては、次に掲げる各種の
電子装置類あるいは素子類を挙げることができるが、本
発明の組成物を適用できるものはここに挙げたものに限
定されるわけではない。
【0031】1.製造工程中における各種集積回路(I
C) a.マイクロコンピュータ(CPU) b.メモリー素子 ・ダイナミックRAM(Randam Access
Memory) ・スタテッィクRAM ・強誘電体RAM ・マスクROM(Read Only Memory) ・UV−EPROM(Ultra Violet Er
asable Read Only Memory) ・EEPROM(Electrical Erasab
leRead Only Memory) c.システムLSI ・ASSP(特定用途向け標準LSI(Applica
tionSpecific Standard Pro
cessor)) ・ASIC(特定用途向け集積回路(Applicat
ionSpecific Integrated Ci
rcuit)) d.リニア用IC ・音声増幅用 ・映像信号増幅用 ・A/D変換(アナログ−ディジタル変換)用 ・D/A変換(ディジタル−アナログ変換)用 e.通信用IC f.情報/音響/映像用IC ・ビデオ制御IC ・音声信号制御IC ・時計用IC g.PLD(Programmable Logic
Device) h.ランダムロジックIC i.MOS(Metal Oxide Semicon
ductor)トランジスタ 2.プリント回路又は機器への実装行程における上記装
置又は素子 3.製造工程中におけるICカード 4.製造工程中における高精細液晶ディスプレイ用薄膜
トランジスタ(TFT) 5.製造工程中における大画面プラズマディスプレイ
(PDP)用素子 6.製造工程中における磁気ディスクドライブの磁気ヘ
ッド 7.製造工程中におけるCCDなどのイメージングデバ
イス等 8.その他エレクトロニクス素子の製造工程における静
電破壊防止のための短絡パターン形成 9.電子デバイスの特性測定等における一時的な静電シ
ールド、電磁波シールド
【0032】このほかにも、本発明の導電性樹脂組成物
は、部品検査等においてハンダ付けの使用できない場合
の仮引き出し配線の形成などに応用することが可能であ
る。
【0033】次に、実施例により本発明を更に説明す
る。言うまでもなく、本発明はこれらの例にいささかも
限定されるものではない。
【0034】〔実施例1〕平均粒子径5μmの銀粒子
(徳力本店より入手のTC−12)10質量部、東洋紡
社製飽和共重合ポリエステル樹脂(商品名バイロン)2
質量部を、N−メチル−2−ピロリドン3質量部に混
合、混和した後、3本ロールにより混練りして調製した
ぺースト状の導電性樹脂組成物を用いた。
【0035】〔実施例2〕平均粒子径3μmのタングス
テン粒子(東京タングステン社製5N−W)12質量
部、東洋紡社製飽和共重合ポリエステル樹脂(バイロ
ン)2質量部を、N−メチル−2−ピロリドン4質量部
に混合し、3本ロールにより混練りして調製したぺース
ト状の導電性樹脂組成物を用いた。
【0036】〔実施例3〕平均粒子径7μmの酸化イン
ジウム錫粒子(フルウチ化学社製InO3 ・SnO2
15質量部、東洋紡社製飽和共重合ポリエステル樹脂
(バイロン)4質量部を、N−メチル−2−ピロリドン
4質量部に混合し、3本ロールにより混練りして調製し
たぺースト状の組成物を用いた。
【0037】〔実施例4〕平均粒子径5μmの銀粒子
(徳力本店より入手のTC−12)10質量部、グラフ
ァイト粉末(ロンザ社製SFG−6)2質量部、東洋紡
社製飽和共重合ポリエステル樹脂(バイロン)2質量部
を、N−メチル−2−ピロリドン3質量部に混合、混和
した後、3本ロールにより混練りして調製したぺースト
状の組成物を用いた。
【0038】〔比較例〕藤倉化成社製導電性ぺーストD
−550(導電性微粒子として銀粒子を含有し、アクリ
ル系樹脂を結着材とする再剥離性樹脂組成物)を用い
た。
【0039】10μmのギャップのドクターブレードを
使用して、上記の各例の試料を表面の材質がガラス、シ
リコン、金及びステンレス鋼の試料板にそれぞれ塗布
し、150℃で30分乾燥してから、160℃で1時間
熱処理して皮膜を形成した後、次の各試験を行った。 (1)クロスカット試験(皮膜に1mm間隔で直交する
切れ目をつけて碁目状に形成した100個の小片に接着
テープを貼付後剥離することで皮膜の密着性を測った。
接着テープに付着して剥離することなく試料にすべての
小片が残存したものを◎、残存した小片が90〜99個
のものを○、残存した小片が50〜89個のものを△と
して評価した。) (2)イソプロピルアルコールによる耐溶剤試験(試料
を室温のイソプロピルアルコールに30分間浸漬して皮
膜の喪失を調べた。試料に100%の皮膜が残存したも
のを○、皮膜が少しでも失われて試料板の表面が露出し
たものを×として評価した。) (3)150℃での耐熱性試験(150℃において10
0g/cm2 の圧力印加で試料の皮膜にアクリル板を1
0分間押し当てた後にアクリル板側に移行した皮膜の量
を調べた。移行なしのものを○、移行ありのものを×と
して評価した。) (4)N−メチル−2−ピロリドンによる皮膜除去性確
認試験(試料を室温のN−メチル−2−ピロリドンに浸
漬し、超音波を作用させながら30分経過後に、試料か
ら除去された皮膜の量を調べた。試料から皮膜が完全に
除去されたものを◎、90%以上100%未満の皮膜が
除去されたものを○、除去された皮膜が50%以下のも
のを×として評価した。)
【0040】なお、実施例1〜4の導電性樹脂組成物か
ら皮膜を形成した金(これは電子装置や素子において電
極材料として使用されることがある導電性材料である)
の試料板について、皮膜除去性確認試験後に試料板の表
面を表面顕微鏡で調べたところ、0.05%程度の導電
性微粒子材料が観測されたが、これは導電性材料として
の金の特性に悪影響を及ぼすようなものではない。
【0041】これらの試験で得られた結果を表1に示
す。実施例の導電性樹脂組成物がいずれも良好な特性を
示すことが明らかである。また、表中の抵抗率は、ガラ
ス板上のそれを示している。
【0042】
【表1】
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子装置や素子類の製造工程において静電障害又は電磁
波障害の防止用に一時的に利用される間は高度な密着
性、耐熱性、及び耐溶媒性を保持しつつ、所定の工程終
了後に容易且つ確実に除去できる導電性皮膜を形成でき
る導電性樹脂組成物の利用が可能となる。
フロントページの続き (72)発明者 荻野 健 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 阿久津 智 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 伊藤 徹 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 4J002 AB021 BB001 BC031 BD031 BD101 BD121 BE021 BF021 BG021 BG061 BG101 BL011 BQ001 CB001 CF031 CF051 CG001 CH071 CL001 CN031 DA026 DA036 DA076 DA116 DE096 DE136 DE156 FD116 FD200 GQ02 5E321 AA21 BB32 BB60 CC11 GG01 GG05 5G301 DA02 DA03 DA05 DA06 DA14 DA18 DA19 DA23 DA42 DA43 DA46 DA47 DA51 DA53 DD06

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 静電障害と電磁波障害の少なくとも一方
    から保護しようとする被塗布物上に導電性の保護皮膜を
    形成可能な組成物であって、導電性微粒子と結着材であ
    る樹脂とからなり、導電性微粒子が金属、金属酸化物及
    び炭素系材料のうちから選ばれる1種以上の材料の微粒
    子であり、結着材の樹脂が、導電性保護皮膜の形成後、
    溶媒により溶解除去可能なものである導電性樹脂組成
    物。
  2. 【請求項2】 前記導電性微粒子が、金、銀、銅、タン
    グステン、チタン、タンタル、酸化錫、酸化チタン、酸
    化インジウム錫、酸化鉛、アセチレンブラック、ケッチ
    ェンブラック、グラファイト及びファーネスブラックの
    うちから選ばれた材料、又はそれらの複合材料の微粒子
    である、請求項1記載の導電性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 前記樹脂が、アクリル樹脂、メタクリル
    樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
    フッ化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコ
    ール、ボリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、
    ポリアクリロニトリル、ポリオレフィン、ポリスチレ
    ン、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキサイド、ポ
    リサルフォン、飽和ポリエステル、ポリアセタール、ポ
    リアミド、ポリブタジエン、酢酸セルロース、硝酸セル
    ロース、及びこれらの樹脂を構成する単量体の2種以上
    から生成された共重合体のうちから選ばれる、請求項1
    又は2記載の導電性樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 導電性微粒子と結着材である樹脂とから
    なる導電性樹脂組成物を用いて、静電障害と電磁波障害
    の少なくとも一方から保護しようとする被塗布物上に導
    電性の保護皮膜を形成し、この導電性保護皮膜が不要に
    なった段階でこれを溶解除去する保護方法。
  5. 【請求項5】 前記導電性微粒子が、金、銀、銅、タン
    グステン、チタン、タンタル、酸化錫、酸化チタン、酸
    化インジウム錫、酸化鉛、アセチレンブラック、ケッチ
    ェンブラック、グラファイト及びファーネスブラックの
    うちから選ばれた材料、又はそれらの複合材料の微粒子
    である、請求項4記載の方法。
  6. 【請求項6】 前記樹脂が、アクリル樹脂、メタクリル
    樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
    フッ化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコ
    ール、ボリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、
    ポリアクリロニトリル、ポリオレフィン、ポリスチレ
    ン、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキサイド、ポ
    リサルフォン、飽和ポリエステル、ポリアセタール、ポ
    リアミド、ポリブタジエン、酢酸セルロース、硝酸セル
    ロース、及びこれらの樹脂を構成する単量体の2種以上
    から生成された共重合体のうちから選ばれる、請求項4
    又は5記載の方法。
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