KR101753497B1 - 스크린 인쇄용 도전성 페이스트, 및 배선의 제조방법 및 전극의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 하나의 스크린 인쇄용 도전성 페이스트는, 도전성 금속분말, 바인더 수지 및 용제를 함유하는 도전성 페이스트로, 이 바인더 수지가, 중량평균분자량이 40000 이상, 100000 이하인 고분자량 성분 (A) 및 중량평균분자량이 5000 이상, 10000 이하인 저분자량 성분 (B)를 포함하고, 또한 상술의 고분자량 성분 (A) 및 상술의 저분자량 성분 (B)의 총량에 대한 상기 저분자량 성분 (B)의 중량분율 [100 × (B) / ｛(A) + (B)｝]이, 5% 이상, 70% 이하를 충족시킨다.

Description

스크린 인쇄용 도전성 페이스트, 및 배선의 제조방법 및 전극의 제조방법{CONDUCTIVE PASTE FOR SCREEN PRINTING, METHOD FOR PRODUCING WIRING LINE, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRODE}

본 발명은, 스크린 인쇄용 도전성 페이스트, 및 배선의 제조방법 및 전극의 제조방법에 관한 것이다.

배선이나 전극 등의 전자부품을 저비용으로 제조하는 방법으로써, 스크린 인쇄법이 널리 채택되고 있다. 그라비아 인쇄 등의 인쇄방법에서는, 1 내지 2 μm 정도 두께의 도전성 회로를 형성하는 것이 한계인 것에 비해, 수 μm 이상의 두께를 확보하는데에는, 스크린 인쇄법은 적합한 방법이다.

여기서 사용되는 도전성 페이스트는, 일반적으로 수지경화형, 폴리머형 도전성 페이스트라고 불리우고, 유기바인더 수지에 도전성 입자를 분산시킨 것을 가리킨다. 페이스트상이기 때문에, 전자부품의 소형경량화 또는 생산성의 향상, 저비용화를 기대할 수 있다. 또한, 기재 상에 인쇄 또는 도공하고, 건조시킴으로써, 용이하게 도전회로를 형성할 수 있다. 게다가, 이 건조, 경화공정에서는, 기재나 전자부품에 고온을 가하지 않고, 저온으로 수행하는 것이 가능하다 (일본공개특허 평06-68924호 공보참조).

최근, 터치패널은 조작이 직감적이고 사용하기 편리한 입력장치로서, 스마트폰이나 타블렛 단말로 대표되는 바와 같이 급격한 보급을 보이고 있다. 이와 같은 고기능화·고화질화가 진행되는 휴대단말의 터치패널에 있어서는, 손가락 또는 터치펜으로의 접촉위치를 고감도로 검출할 필요가 있기 때문에 터치패널 주변에 형성되는 배선이나 전극의 미세화가 필수적이다. 최근에는, 회로의 배선자체의 선폭 (line width)이나 배선간의 폭을 50 μm 이하로 하는 것이 요구되고 있다.

고정세(high-definition) 스크린 인쇄를 가능하게 하기 위해, 도전성 페이스트의 물성면에서의 개량이 여러가지 제안되고 있다. 그 대부분은 페이스트 점도를 보다 높게 하는 것이나, 더욱 틱소트로피성(thixotropic property)을 부여하는 것을 지향하는 것이었다.

예를 들어, 일반적으로 스크린 인쇄법에서 사용되는 도전성 페이스트의 점도는 종래 수 Pa·s 로부터 최대한 100 Pa·s 정도이다. 또한, 일본공개특허 2012-094772호 공보에는, 전단속도 500 s^-1 에서의 점도가 30.0 Pa·s 이하인 도전성 페이스트가 개시되어 있다.

한편, 정밀도가 높은 스크린 인쇄를 수행하기 위해서는, 스퀴지 등에 의해서 외력이 가해진 경우에는 저점도화되지만, 외력이 가해지지 않은 상태에서는 고점도를 유지하는, 소위 틱소트로피성을 가지는 도전성 페이스트가 필요하다고 여겨졌다.

스크린 인쇄용 페이스트의 인쇄시의 거동을 생각하면, 페이스트는 스퀴지에 의해서 롤링(rolling)이라 불리우는 회전 운동을 하면서 스크린 마스크판 상을 이동한다. 스크린에 설치된 소정의 패턴의 개구부에 충진되면, 개구부를 거쳐 기재 상에 공급되어 기재로의 전사가 완료된다. 지금까지, 고정세한 인쇄패턴을 형성하는 것이 가능한 페이스트이기 위해서는, 롤링이나 개구부로의 충진시에는, 보다 저점도를 나타내고, 기재에 전사되면 신속하게 고점도화하여, 기재 상에서 인쇄된 형상을 유지하는 것이 필요하다고 여겨져왔다.

일본공개특허 2010-47716호 공보에는, 25℃에서 측정한 점도가 5 rpm에서 10 Pa·s 내지 20 Pa·s이고, 2 rpm과 20 rpm 과의 비율 (TI 값)이 4.0 내지 10.0 인 스크린 인쇄용 도전성 페이스트가 개시되어 있다. 또한, 일본공개특허 2012-17411호 공보에는, 23℃에서 전단속도 0.6/sec 에서의 점도치를 점도치 A라고 하고, 전단속도 6/sec 에서의 점도치를 점도치 B라고 한 경우의 틱소트로피 지수 (점도치 A/점도치 B)가 1.2 내지 2.5이고, 점도치 B가 30 Pa·s 내지 75 Pa·s 인 도전성 페이스트가 개시되어 있다. 그러나, 틱소트로피성만을 부여한 도전성 페이스트를 사용하여도, 페이스트의 인쇄전사량은 충분히 제어할 수 없고, 고정세한 패턴의 인쇄는 곤란하다.

그러나, 배선패턴의 고정세화에 있어서, 예를 들어 수지경화형의 도전성 페이스트를 사용하면, 회로의 배선자체의 선폭이나 배선간의 폭이 100 μm 이하라는 고정세한 패턴을 형성하려고 해도, 실제로 인쇄하여 얻어지는 배선의 선폭은 목표로 하는 선폭보다도 커지는 것이 많다. 따라서, 수지경화형의 도전성 페이스트의 사용은, 전기적 단락이나 배선의 에지부가 번짐으로써 불균일한 형상이나 불명료한 경계로 이어지기 때문에, 양호한 도전회로를 형성할 수 없다는 문제가 현저해질 수 있다.

상술의 문제는, 주로, 기재 상에의 페이스트의 전사량이, 도전성 페이스트 인쇄시의 스크린 개구부로부터의 통과량에 크게 의존하는 것에 기인한다. 이 때문에, 도전성 페이스트 인쇄시에 이의 통과량이 많아지게 되면, 세선 부분의 번짐이나 굵어짐이 쉽게 발생되게 된다. 이 때, 페이스트의 유동성이 높은 편이 통과량은 많아지게 된다. 게다가, 도전성 페이스트는 일반적으로 비중이 무거운 도전성 입자를 대량으로 함유한다. 이 때문에, 인쇄에 의해 기재 상에 전사 후, 건조·고체화 또는 경화하는 동안에, 도전성 페이스트 자신의 중량 등에 의해서, 인쇄영역보다도 외측으로 비어져 나오듯이 흐르기 때문에 최종적인 도포영역이 인쇄하고자 하는 소정의 영역에 비해 넓어지기 쉽다.

게다가, 고정세한 회로패턴을 인쇄하기 위해서는, 미세한 스크린 메쉬(mesh)를 사용할 필요가 있다. 또한, 미세한 스크린 메쉬를 사용하기 위해서는, 되도록 입경이 작은 도전성 금속분말을 사용할 필요가 있다. 그러나, 입경이 작은 도전성 금속분말은, 입경이 큰 것에 비하여, 인쇄 후, 건조·고체화 중의 도전성 페이스트에 포함되는 용제나 바인더 수지의 움직임에 따라 쉽게 유동된다. 그 결과, 최종적인 도포영역이 인쇄영역보다 외측으로 비어져 나오거나, 선폭의 「굵어짐」현상이 보다 쉽게 발생한다. 또한, 도전성 금속분말 크기를 일정 이하로 작게 하면, 수지경화형의 도전성 페이스트의 경우, 입자 간의 접촉 부족으로 인해 도전성이 쉽게 저하된다. 이 때문에, 도전성을 높이는 방안 (도전성 분말 함유량의 증가, 부정형입자의 병용, 탄소분말의 첨가 등)이 별도로 필요하다. 그러나, 도전성 금속분말의 함유량의 증가나 부정형입자의 함유는, 페이스트의 점도 증대나 틱소트로피성 증대를 쉽게 일으키기 때문에, 상술한 인쇄결함의 발생이나 인쇄작업성의 저하가 한층 더 쉽게 일어나게 된다. 게다가, 상술의 각 분말 또는 각 입자의 입경이 작아지게 되면, 곡률효과에 의한 표면 에너지의 증대와 함께 미분말의 체적당 표면적이 증대된다. 그 결과, 상술의 각 분말의 2차 응집이 쉽게 발생하게 되고, 보존 중의 점도 증대 등 페이스트의 경시적 안정성에 결함이 쉽게 발생하는 문제가 있다.

그런데, 페이스트의 통과량을 억제하기 위해서는, 페이스트 점도를 높이는 것이 일반적으로는 바람직하다고 여겨지고 있다. 그래서, 페이스트의 점도를 증가시키기 위해서, 페이스트 중에 포함되는 고형분량을 증량하기, 도전성 금속분말의 함유량을 증가시키기, 또는 바인더 성분인 수지로 분자량이 큰 수지를 사용하기 등의 방법이 지금까지 사용되어 왔다.

그러나, 단순하게 페이스트 점도를 높이면, 번짐은 발생하기 어려워지지만, 스퀴지 등으로 눌러도 페이스트를 스크린판에 충분히 흡수시키는 것이 불가능하다. 그 결과, 스크린판의 개구부로부터 충분히 통과시키는 것이 곤란해지기 때문에, 회로나 전극에 결함이나 긁힘, 배선높이의 저하나 배선형상의 불균일이 발생함으로써, 도전성의 저하 (회로저항의 상승)나 단선불량이 발생할 수 있다. 또한, 페이스트의 점도가 높으면, 인쇄 마스크판상에서 페이스트가 균일하게 전개되지 않고, 인쇄 중에 페이스트가 스퀴지에 부착하며, 또는 균일하게 롤링하지 않는다는 문제가 발생한다. 게다가, 연속인쇄를 한 경우에는, 인쇄성이 경시적으로 변화하는 등의 인쇄작업상의 문제도 발생할 수 있다. 또한, 높은 전도속도에서의 점도를 낮추는 것만으로는, 전사 시의 번짐을 억제하는 것이 불가능하다.

게다가, 최근, 산업계로부터 요구되고 있는 100 mm/sec 정도의 소위 고속인쇄프로세스에 있어서는, 전단속도가 올라가면 그 점도는 저절로 저하하기 때문에, 「번짐」현상의 발생률이 증대한다. 따라서, 본 발명자들은, 종래 방법과 같은 페이스트 전체로서의 점도의 제어만으로는 고정세한 인쇄성을 실현하는 것은 불가능하고, 다면적인 접근이 필요하다고 생각하고 있다. 게다가, 상술한 종래 방법을 사용하여 페이스트 점도를 높게 한 경우, 기재와의 밀착성의 저하라고 하는 문제도 발생할 수 있다. 터치패널에서는 기재로써 수지필름이 사용되기 때문에, 조작 시에 기재의 변형이 반복되면 밀착성의 문제가 특히 쉽게 발생한다.

일반적으로, 유기바인더를 함유하는 도전성 페이스트는, 유동 (점성유동)과 동시에 탄성적인 성질 (탄성변형)을 겸비한 성질 (점탄성)을 가지고 있다. 이 때문에, 단순하게 정상류 (steady flow)에서 측정되는 점도 (정상점도)에 의해서, 분산계인 페이스트의 유동성과 그 결과로서의 인쇄성을 평가하는 것은 곤란하다. 단순한 정상점도나 틱소트로피성의 파악이나 이의 제어만으로는 불충분하다.

상술의 여러 문제는, 회로의 배선자체의 선폭이나 배선간의 폭이 100 μm 이하인 고정세한 패턴을 형성하는 경우에 특히 두드러진다. 따라서, 고정세화가 더욱 진행된, 50 μm 나 30 μm 의 배선폭이나 배선간격에 대응한 스크린 인쇄용으로 사용되는 수지경화형의 도전성 페이스트의 개발은 아직 이루어지지 않고 있다.

본 발명은, 상술한 바와 같은 여러 문제를 감안하여 판단한 것이고, 예를 들어, 터치패널 등의 휴대기기에 사용되는 50 μm 이하의 미세한 배선이나 전극형성에 사용되는 도전성 페이스트의 실현에 크게 공헌할 수 있다.

본 발명자들은, 도전성 페이스트가 분산계인 것에 착안하고, 상술의 각 선행기술문헌에 기재된 발명과는 다른 사고방식에 의거하여, 점성유동에 입각한 다면적인 설계를 시도해보는 것과 동시에 예의 분석과 검토를 거듭하였다. 지금까지, 페이스트의 점성유동과 탄성변형의 양방을, 보다 구체적으로는, 페이스트의 저장탄성률 (탄성성분)과 손실탄성률 (점성성분)의 양방을, 도전성 페이스트의 구성성분의 적정화로 독립적으로 제어하는 것에 대해서 분석된 예는 전무하다. 본 발명자들에 의한 시행착오가 거듭된 결과, 이의 실현된 일례로서, 고분자량 성분과 저분자량 성분이 어느 소정 범위의 중량비율로 혼합되는 것에 의해 바인더 수지가 형성됨으로써, 이와 같은 적정한 관계를 실현할 수 있다는 것이 발견되었다. 본 발명은, 이와 같은 시점에서 창출되었다.

즉, 본 발명의 하나의 도전성 페이스트는, 도전성 금속분말, 바인더 수지 및 용제를 함유하는 도전성 페이스트로, 이 바인더 수지가, 중량평균분자량이 40000 이상, 100000 이하인 고분자량 성분 (A) 및 중량평균분자량이 5000 이상, 10000 이하인 저분자량 성분 (B)를 포함하고, 또한 상술의 고분자량 성분 (A) 및 상술의 저분자량 성분 (B)의 총량에 대한 상기 저분자량 성분 (B)의 중량분율 [100 × (B) / ｛(A) + (B)｝]이, 5% 이상 70% 이하를 충족시킨다.

이 도전성 페이스트는, 인쇄작업성, 연속인쇄성이 우수하며, 고속으로, 예를 들어 50 μm 이하의 배선폭의 회로패턴의 형성을 가능하게 하고, 또한 양호한 도전성과 예를 들어 PET 필름 등의 기재에 대한 밀착성이 우수하다. 그 결과, 고정세성과 인쇄작업성이 양립하고, 더욱이 도전성 도막으로서 필요로 하는 성능을 달성할 수 있다.

또한, 본 발명의 또 하나의 도전성 페이스트는, 도전성 금속분말, 바인더 수지 및 용제를 함유하는 도전성 페이스트로, 회전점도측정법에 의한 25℃, 50 rpm 에서의 상기 도전성 페이스트의 점도가, 160 Pa·s 이상, 300 Pa·s 이하이고, 또한, 왜량(歪量, strain amount) 0.1%에서의 손실탄성률이, 7000 Pa 이상, 30000 Pa 이하이다.

이 도전성 페이스트는, 인쇄작업성, 연속인쇄성이 우수하며, 고속으로, 예를 들어 50 μm 이하의 배선폭의 회로패턴의 형성을 가능하게 하고, 또한 양호한 도전성과 예를 들어 PET 필름 등의 기재에 대한 밀착성이 우수하다. 그 결과, 고정세성과 인쇄작업성이 양립하고, 게다가 도전성 도막으로서 필요로 하는 성능을 달성할 수 있다.

본 발명에 의하면, 스크린 인쇄법에서의 고정세성과 인쇄작업성이 양립하고, 더욱이 도전성 도막으로서 필요로 하는 성능을 달성할 수 있다. 따라서, 특히 스마트폰이나 타블렛단말 등에 사용되는 터치패널의 배선이나 전극의 형성에 사용되는데에 적합한 도전성 페이스트를 실현할 수 있다.

본 발명의 실시형태를, 이하에 상세히 기술한다.

<제 1의 실시형태>

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 도전성 금속분말, 바인더 수지 및 용제를 포함하는 도전성 페이스트이다. 대표적인 예로서의 도전성 페이스트는, 회전점도측정법에 의한 25℃, 50 rpm에서의 점도가 160 Pa·s 이상, 300 Pa·s 이하이고, 또한 왜량 0.1%에서의 손실탄성률이 7000 Pa 이상, 30000 Pa 이하이다.

또한, 상술의 도전성 페이스트를, 대표적으로는 스크린 인쇄법에 의해, 기재 상에 도포하는 공정에 대해서도 이하에 설명한다.

(정상점도)

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 회전점도측정법에 의한 25℃, 50 rpm에서의 페이스트 점도 (이하, 간단히, 「정상점도」라고도 한다)에 의해 특정된다.

스크린 인쇄용 도전성 페이스트 (이하, 간단히, 「도전성 페이스트」또는 「페이스트」라고도 한다)는, 스퀴지에 의해서 롤링이라 불리우는 회전 운동을 하면서 스크린 마스크판 상을 이동한다. 본 실시형태에서의 회전점도측정법에 의한 25℃, 50 rpm이란, 일반적으로 수행되는 스크린 인쇄법에서 페이스트가 롤링되고 있는 상태에 해당한다. 이 도전성 페이스트는, 상술한 조건에서의 점도를 160 Pa·s 이상, 300 Pa·s 이하의 범위내, 보다 적합하게는, 180 Pa·s 이상, 280 Pa·s 이하를 충족시킴으로써, 스크린 인쇄가 가능해짐과 동시에, 예를 들어 50 μm 이하의 고정세 인쇄성이 가능하게 된다.

또한, 만약, 페이스트 점도가 160 Pa·s 보다도 작은 경우에는, 페이스트의 유동성이 지나치게 향상되기 때문에, 스크린 메쉬에 설치된 마스크판의 개구부에 과잉의 페이스트가 공급됨으로써, 인쇄전사된 페이스트 형상이 쉽게 불균일하게 된다. 한편, 페이스트 점도가 300 Pa·s 을 초과하면, 유동성이 불충분하게 되어 충분한 페이스트가 마스크판의 개구부에 공급되지 않기 때문에, 인쇄전사된 도전성 페이스트에 결함이나 단선이 발생하기 쉽다.

(손실탄성률)

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 더욱이 왜량 0.1%에서의 특정 범위의 손실탄성특성을 구비하고 있다.

구체적으로는, 왜량 0.1%에서의 손실탄성률이, 7000 Pa 이상, 30000 Pa 이하인 것이 바람직하고, 7000 Pa 이상, 28500 Pa 이하인 것이 보다 바람직하다. 왜량 0.1%는, 스크린 인쇄법에서의 스퀴징에 의한 페이스트의 유동화 개시시, 또는 개구부를 거쳐 기판 상에 인쇄전사된 페이스트의 정치 상태의 물성에 해당하는 것이다. 또한, 손실탄성률은, 페이스트 중의 점성성분의 기계적 특성을 특징화하는 것이다. 또한, 왜량 0.1 %에서 손실탄성률을 상술의 범위내로 함으로써, 고정세 인쇄의 실현과 인쇄작업성의 향상을 양립시킬 수 있다.

또한, 만약, 손실탄성률이 7000 Pa 보다도 작은 경우는, 인쇄전사 후에 번짐이 쉽게 발생하게 된다. 한편, 만약 손실탄성률이 30000 Pa 보다도 큰 경우는, 스퀴징에 의해 롤링하기 어렵다는 인쇄작업성의 문제가 발생할 수 있다. 게다가, 이와 같은 손실탄성률의 경우, 애초부터 마스크판 상에 페이스트를 인쇄주걱 등으로 전개하는 (펴바르다) 것이 어렵고, 마스크판에 도포되는 페이스트 양의 불균일이 발생할 수 있다. 그 결과, 특히 큰 마스크판에 인쇄하는 경우에, 국소적인 인쇄량의 불균일이 생기는 문제가 발생할 수 있다.

(저장탄성률 및 항복응력)

왜량 0.1 %에서의 저장탄성률 및/또는 항복응력을 적정한 범위내에 얻는 것은, 본 실시형태의 도전성 페이스트의 더욱 바람직한 하나의 양태이다.

본 실시형태의 도전성 페이스트에 있어서는, 왜량 0.1%에서의 저장탄성률이, 10000 Pa 이상, 80000 Pa 이하의 범위내인 것이 바람직하고, 15000 Pa 이상, 50000 Pa 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 저장탄성률은 페이스트 중의 탄성성분을 특징화하는 것이고, 왜량 0.1%에서의 저장탄성률을 상기의 범위내로 함으로써 스크린 인쇄가 가능하게 된다. 게다가, 이와 같은 범위를 충족시킴으로써, 고정세 인쇄를 실현할 수 있다. 또한, 만약 저장탄성률이 10000 Pa 보다도 작으면, 인쇄전사 후의 형상을 유지하기 어렵게 된다. 한편, 80000 Pa 을 초과하면, 페이스트는 유동화하기 어렵고, 즉 스퀴징에 의해 롤링하지 않는, 또는 스퀴지에 쉽게 부착되는 등의 문제를 발생시킨다.

본 실시형태의 도전성 페이스트에 있어서는, 항복응력이, 대표적으로는 10 Pa 이상, 45 Pa 이하의 범위내인 것이 바람직하고, 게다가 15 Pa 이상, 36 Pa 이하의 범위내에 있는 것이 보다 바람직하다.

항복응력은, 스크린 인쇄법에서의 스퀴징 개시 시의 페이스트의 변형유동화의 난이성, 인쇄전사 후의 정치상태에서의 자중 (self-weight)에 의한 전사형상의 변형의 난이성을 나타낸다. 페이스트의 항복응력이 상술의 범위를 충족시키면, 고정세 인쇄성과 인쇄작업성을 보다 높은 레벨로 양립시킬 수 있다. 또한, 만약 항복응력이 10 Pa 보다도 작으면, 페이스트는 쉽게 변형되므로, 인쇄 후에 변형되고 인쇄의 고정세성을 열화 (degradation)시킨다. 한편, 항복응력이 45 Pa 보다도 크면, 페이스트는 변형되기 어려워 스퀴징 개시 시에 변형되지 않고 롤링하지 않거나, 스퀴지에 부착해버리는 문제를 발생시킨다.

이들의 점탄성 특성은, 일반적인 점탄성측정장치 (레오메타, Rheometer)를 사용하여, 동적 점탄성 특성의 전단응력 의존성을 측정함으로써 평가할 수 있다. 또한, 상술의 저장탄성률과 항복응력은, 어느 하나만을 상술의 범위내로 얻은 것이어도 바람직한 양태이지만, 상술의 저장탄성률과 항복응력을, 상술의 범위내에 모두 얻는 것은, 더욱 적합한 하나의 양태가 된다.

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 이상의 특성을 구비한 것이지만, 이하, 이들의 특성을 부여하기 위한 바람직한 성분 및 조성에 대해서 더 설명한다.

(바인더 수지)

바인더 성분인 본 실시형태의 바인더 수지는, 도전성 분말과 함께 분산계라고 불리우는 페이스트상의 물질 형태를 형성하고, 도전성 분말과 더불어 스크린 인쇄법에 적합한 작업성이나 인쇄성을 실현한다.

본 실시형태에 사용하는 바인더 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 한편, 본 발명자들은, 중량평균분자량이 높은 수지 (고분자량 성분의 수지)와 중량평균분자량이 낮은 수지 (저분자량 성분의 수지)를 조합한 바인더 수지를 채택함으로써, 상술한 여러 특성이 보다 높은 정확도로 실현되는 것을 발견하였다.

구체적으로는, 저분자량 성분의 수지를, 바인더 수지 성분 중 (즉, 고분자량 성분의 수지와 저분자량 성분의 수지와의 총량 중)에 있어서 5 중량% 이상, 70 중량% 이하의 비율로 배합함으로써, 스크린 인쇄법에서의 페이스트의 마스크판 상으로의 전개를 용이하게 함과 동시에, 회로 패턴의 비개구부로 페이스트가 회전되어 들어가는 것을 용이하게 한다. 상술의 관점에서 본다면, 8 중량% 이상, 70 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 바꿔말하면, 상술의 고분자량 성분 및 상술의 저분자량 성분의 총량에 대한 상기 저분자량 성분의 중량분율 [100 × (B) / ｛(A) + (B)｝]이, 5% 이상, 70% 이하이고, 더욱 바람직하게는 8% 이상, 70% 이하를 충족시킨다.

상술의 작용은, 도전성 페이스트로서의 점성 성분에서의 탄성률을 저하시킴과 동시에, 도전성 페이스트의 정상 점도에 있어서, 종래의 것에 비해 극단적인 고점도이면서, 페이스트로서는 유연성을 가진 것이기 때문이라고 생각된다. 또한, 상술의 비율로 배합함으로써, 인쇄 시에 페이스트가 롤링하지 않거나, 스퀴지에 부착하거나 하는 문제를 회피할 수 있다. 게다가, 이 때, 페이스트 전체로서의 고점도는 유지됨으로써, 인쇄 후의 페이스트에 번짐으로 의한 배선폭의 굵어짐이나 고정세성의 열화를 방지할 수 있다.

상술한 바와 같이, 중량평균분자량이 높은 수지 (고분자량 성분의 수지)와 중량평균분자량이 낮은 수지 (저분자량 성분의 수지)를 조합함으로써, 고점도의 페이스트이면서도, 유연한 점성성분에 의한 우수한 인쇄작업성과 고정세성을 실현할 수 있다. 즉, 이 실현의 일례로서, 본 발명자들은, 고분자량 성분과 저분자량 성분이 상술한 범위내의 중량비율로 혼합되는 것이, 비록 고속 처리를 하더라도, 예를 들어 50 μm 이하 배선폭의 회로패턴의 형성을 가능하게 하고, 또한 양호한 도전성과 예를 들어 PET 필름 등의 기재에 대한 우수한 밀착성으로 이어지는 것을 알게 되었다.

상술의 각 관점에서 본다면, 본 실시형태의 고분자량 성분 (「고분자량 성분 (A)」라고도 한다)의 수지로서, 예를 들어, 중량평균분자량이, 40000 이상, 100000 이하의 페녹시 수지 (이하, 「페녹시 수지(A)」라고 한다)가 채택되는 것이 바람직하다. 게다가, 50000 이상, 80000 이하의 페녹시 수지(A)가 채택되는 것이 상술의 각 관점에서 더욱 바람직하다. 페녹시 수지는, 대표적으로는, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 테트라메틸비스페놀 A, 테트라메틸비스페놀 F, 테트라메틸비스페놀 AD, 테트라메틸비스페놀 S, 테트라브로모비스페놀 A, 테트라클로로비스페놀 A, 테트라플루오로비스페놀 A 등의 비스페놀류와, 에피클로로히드린을 사용함으로써 얻을 수 있다.

(우레탄계 수지)

또한, 본 실시형태의 고분자량 성분 (A)로서, 예를 들어, 우레탄 수지, 우레탄변성폴리에스테르 수지, 우레탄변성에폭시 수지를 채택할 수 있다. 필름 기재가 구부러지는 것과 같은 외력 또는 변형이 주어졌을 경우에도 우수한 밀착성을 발휘 내지 유지할 수 있다는 점에서, 이들의 우레탄계 고분자량 성분(A)를 채택하는 것은 적합한 하나의 양태이다.

여기서, 상술의 폴리우레탄 수지의 예는, 고분자 폴리올 및 폴리이소시아네이트, 그리고, 필요에 따라서 아민을 원료로 하는 폴리(우레아)우레탄 수지이다.

또한, 상기 고분자 폴리올의 예는, 폴리에스테르폴리올 (수산기말단 폴리에스테르 수지), 폴리카보네이트폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리옥시알킬렌폴리올 등이다.

또한, 상기 폴리에스테르폴리올의 원료는, 후술하는 폴리에스테르 수지의 그것과 동일하다.

또한, 상기 폴리이소시아네이트의 예는, 부탄-1,4-디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 사이클로헥산-1,4-디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디사이클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이트메틸)사이클로헥산, 1,5-나프틸렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4'-디페닐디메틸메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등이다.

또한, 상기 아민의 예는, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 이소포론디아민, 디사이클로헥실메탄-4,4'-디아민 등의 디아민이나, n-부틸아민, 모노-n-부틸아민, 디에탄올아민, 모노에탄올아민 등의 모노아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 알칸올아민 등이다.

게다가, 상기 폴리우레탄 수지는, 상술의 고분자폴리올 및 상술의 폴리이소시아네이트를 반응시켜 얻은 이소시아네이트기 말단 우레탄 프리폴리머(urethane prepolymer)를, 상술의 아민으로 사슬 연장(chain extension) 및/또는 사슬 정지(chain termination)시킨 것을 채택할 수 있다.

또한, 해당 폴리우레탄 수지의 중량평균분자량은 특별히 한정되지 않는다. 다만, 본 실시형태에서의 페이스트와 기재의 굽힘(bending) 시의 밀착성을 고려하면, 대표적인 중량평균분자량은, 30000 이상, 100000 이하, 바람직하게는 40000 이상, 80000 이하이다.

또한, 상술의 각 관점에서 본다면, 본 실시형태의 저분자량 성분 (「저분자량 성분 (B)」라고도 한다)의 수지로서, 중량평균분자량이 5000 이상, 10000 이하의 페녹시 수지 (이하, 「페녹시 수지(B)」라고 한다)가 채택되는 것이 바람직하다. 게다가, 6000 이상, 8000 이하의 페녹시 수지(B)가 채택되는 것이 상술의 각 관점에서 더욱 바람직하다. 따라서, 상술의 고분자량 성분(A)와 저분자량 성분(B)의 조합은, 바인더 수지, 나아가서는 도전성 페이스트로서 적합한 예이다.

또한, 만약 중량평균분자량이 5000보다도 작으면, 바인더의 유동성이 증가하여, 쉽게 번지고 선폭의 굵어짐 현상이 발생하기 쉽다. 한편, 만약 중량평균분자량이 10000보다도 크면, 바인더 수지의 점도가 높아져 페이스트의 유연성을 잃게 되어, 인쇄시에 롤링하기 어려워지는 등, 인쇄작업성을 저해할 가능성이 있다.

(폴리에스테르 수지)

또한, 저분자량 성분(B)의 수지인 페녹시 수지(B)의 전부 또는 일부를, 중량평균분자량이 5000~10000 이고, 산가 (acid value)가 10 내지 50의 범위내인 폴리에스테르 수지 (이하, 「폴리에스테르 수지 (C)」라고 한다)로 교환할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, 상술의 페녹시 수지(B)의 일부 또는 전부와 폴리에스테르 수지(C)를 조합함으로써, 배선이나 전극에 사용되는 도전성 페이스트에 있어서 사용되는 용제에의 용해성과 조막성(film formation)이 더욱 우수하고, 수지필름 기재에 형성시킨 경우의 기재와의 밀착성이나 기계적 강도, 건조·고체화/경화 후의 도전성에서 보다 우수한 배선 및/또는 전극을 얻을 수 있다.

폴리에스테르 수지의 예는, 산 성분과 글리콜 성분을 반응시킨 것이다.

또한, 산 성분의 예는,

테레프탈산, 이소프탈산, 오르소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 등의 방향족 디카르복실산; 또는,

숙신산, 아디프산, 아젤라산, 세바스산, 도데칸 디카르복실산 등의 지방족 디카르복실산; 또는,

1,4-사이클로헥산디카르복실산, 헥사히드로무수프탈산, 1,1'-비사이클로헥산-4,4'-디카르복실산, 2,6-데칼린디카르복실산 등의 지환족 디카르복실산; 또는,

무수트리멜릿산, 무수피로멜릿산 등의 3가 이상의 폴리카르복실산 등이다.

또한, 글리콜 성분의 예는,

에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 디프로필렌글리콜 등의 지방족계 디올; 또는,

1,4-사이클로헥산디메탄올, 1,2-사이클로헥산디메탄올, 1,3-사이클로헥산디메탄올, 수첨(수소첨가) 비스페놀 A, 수첨 비스페놀 F 등의 지환계 디올; 또는,

글리세린, 트리메틸올프로판, 트리메틸올에탄, 디글리세린, 트리글리세린, 1,2,6-헥산트리올, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨, 소르비톨, 만니톨 등의 3가 이상의 폴리올이다.

또한, 상기 폴리에스테르 수지의 물성은 특별히 한정되지 않지만, 대표적인 산가는 10 이상, 50 이하이다.

특히, 산가를 10 이상 50 이하의 범위내로 함으로써, 상술의 폴리에스테르 수지와 용제와의 상용성이 향상되고 페이스트에 적절한 유연성이 부여되기 때문에, 고점도 페이스트이면서도 적절한 인쇄작업성이 부여된다. 게다가, 수지 필름 등의 기재에 대한 충분한 밀착성을 얻을 수 있다는 점에서도, 산가를 10 이상, 50 이하로 하는 것은 보다 바람직하다. 또한, 만약 산가가 10 보다도 작으면 기재와의 밀착성이 충분하지 않다. 한편, 만약 산가가 50 보다도 크게 되면, 도전성 금속분말 표면에 반응물이 생성되고, 보존시에 점도가 상승하는 등 페이스트의 경시적 안정성에 문제가 발생한다. 본 실시형태에 사용되는 폴리에스테르 수지 (C)의 종류는, 상기의 분자량, 산가가 충족되어 있다면 특별히 제한되는 것은 아니기 때문에, 일반적으로 알려진 것을 사용할 수 있다.

(폴리비닐아세탈 수지)

폴리비닐아세탈 수지는, 폴리비닐알콜과 알데히드류를 아세탈화 반응시킴으로써 얻어진다. 상기 폴리비닐아세탈 수지의 예는, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐아세토아세탈 수지, 폴리비닐알킬아세탈 수지, 폴리비닐프로피오날 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐헥시랄 수지 등이다.

(변성에폭시 수지)

변성에폭시 수지의 예는, 각종 공지된 에폭시 수지 (상기 페녹시 수지를 포함한다)를 아민화합물로 변성시킨 것 (아민변성에폭시 수지), 상기 아민변성에폭시 수지를 다시 이소시아네이트 화합물로 변성시킨 것 (아민·우레탄변성에폭시 수지)이다.

상기 에폭시 수지의 예는, 각종 비스페놀류를 글리시딜화하여 생성되는 비스페놀형 에폭시 수지, 상기 비스페놀형 에폭시 수지의 수첨물, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지에 할로에폭시드(haloepoxide)를 반응시켜 얻어지는 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 등이다.

또한, 상기 비스페놀류의 예로는, 상술한 것을 들 수 있다.

또한, 상기 아민류의 예는, 톨루이딘류, 크실리딘류, 쿠미딘(이소프로필아닐린)류, 헥실아닐린류, 노닐아닐린류, 도데실아닐린류 등의 해당 방향족아민류; 또는,

사이클로펜틸아민류, 사이클로헥실아민류, 노르보닐아민류 등의 지환족 아민류; 또는,

메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 헥실아민, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 스테아릴아민, 에이코실아민, 2-에틸헥실아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헵틸아민 등의 지방족 아민류; 또는,

디에탄올아민, 디이소프로판올아민, 디-2-히드록시부틸아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-벤질에탄올아민 등의 알칸올아민류이다.

또한, 상기 폴리이소시아네이트의 예로는, 상술한 것을 들 수 있다.

(도전성 입자)

상술한 바와 같은 정상점도와 점탄성 거동을 나타내는 도전성 페이스트는, 특정한 도전성 금속분말, 또는 특정한 바인더 수지를 함유함으로써 얻을 수 있다.

도전성 금속분말은, 본 실시형태의 도전성 페이스트에 의해서 형성되는, 예를 들어 회로를 형성하는 배선이나 전극에 도전성을 부여하기 위한 성분이다.

분말에는, 1차 입자와 2차 입자가 혼재되어 있는 것이 통상적이다. 본 실시형태에서의 도전성 금속분말로는, 1차 입자의 평균 입자크기가 0.1 μm 이상, 2 μm 이하이고, 2차 입자의 최대 입자직경이 10 μm 이하인 것이 바람직하다. 스크린 인쇄법에 있어서, 도전성 페이스트는 스크린 마스크판에 설치된 개구부를 거쳐 기판 상에 인쇄된다.

메쉬 마스크를 사용한 일반적인 스크린 인쇄법에서는, 메쉬를 형성하는 스테인레스 선재에 의해 형성되는 사각형의 개구부는 마스크 강도를 유지하기 위해 35% 내지 50%의 면적률이다. 예를 들어, 50 μm 폭의 배선이나 전극을 형성하는 경우에는, 개구부의 최대 길이는 겨우 25 μm 정도로 된다. 상술한 범위의 입자 크기의 도전성 금속분말을 사용함으로써, 도전성 금속분말이 금속 등의 강체 (rigid body)에 있어서도 메쉬 개구부를 도전성 페이스트가 매끄럽게 통과하는 것 뿐만 아니라, 인쇄작업시에 메쉬의 막힘이 일어나지 않도록 할 수 있다. 또한, 상술한 범위의 입자 크기를 사용함으로써, 입자직경이 수 nm 내지 수십 nm 의 소위 나노입자 등의 극단적인 크기의 미립자를 사용함으로 인한 정상점도의 저하나 틱소트로피성의 저하를 막고, 상술의 정상점도와 저장탄성률을 발현시킬 수 있다.

게다가, 1차 입자 형상에서 부정형상을 나타내는 것이 도전성 금속분말 중의 중량분율로 60%를 초과하거나, 또는 1차 입자에서 구상(spherical form)을 나타내는 것이 도전성 금속분말 중의 중량분율로 50% 이하인 것이 바람직하다. 일정량의 부정형 입자를 사용함으로써, 건조·고체화/경화 시에 도전성 입자간의 접촉 확률과 접촉 면적을 높여, 배선이나 전극으로서 충분히 높은 도전성을 얻을 수 있다. 또한, 적당량의 구상 입자를 포함함으로써, 높은 도전성의 고형분량이면서, 정상점도나 저장탄성률의 증대를 방지할 수 있다. 게다가, 체적당 표면적이 부정형에 비해 작아짐에 따라, 손실탄성률의 증대를 억제하고, 페이스트의 마스크판 상으로의 전개성이나 인쇄시의 롤링성에 있어서, 양호한 인쇄작업성을 얻을 수 있다.

또한, 본 발명에서의 1차 입자란, SEM 관찰 하 (관찰배율 1000배부터 10000배까지의 조건)에서 단일의 입자로 확인되는 것을, 2차 입자란, 동일한 조건에서 복수의 입자가 응집하여 구성된 것으로 확인되는 것을 일컫는다. 부정형상이란, 상기와 동일한 관찰 조건에서, 명확하게 다각형상으로 확인되는 것이다. 또한, 1차 입자직경의 평균 입자크기란, 상기와 동일한 관찰조건에서 얻은 SEM 이미지를 화상해석 등을 행하여 원환산직경을 구한 것을 나타낸다. 2차 입자의 최대 입자직경이란, 상기와 동일한 관찰조건에서 적어도 10 시야 이상을 관찰하고, 거기서 확인된 응집체(2차 입자)의 최대 길이를 의미한다. 또한, 각 입자직경은, 예를 들어, 레이저 회절/산란식 입도분포 측정장치 (일례로서, Leeds&Northrup사 제, 마이크로트럭 FRA9220)등을 사용하여도 구할 수 있다.

본 실시형태에 채택될 수 있는 도전성 금속분말의 종류는, 예를 들어, 금, 은, 구리, 은도금 구리분, 은-구리 복합분, 은-구리 합금, 무정형 구리, 니켈, 크롬, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 인듐, 규소, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 백금 등의 금속분, 이들의 금속으로 피복된 무기물분체, 산화은, 산화인듐, 산화주석, 산화아연 및 산화루테늄 등의 금속산화물의 분말 등이다. 이들의 도전성 입자는, 상술의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상 조합할 수 있다. 이들의 도전성 입자 중에서도, 고도전성이고, 또한 표면산화에 의한 저항율의 상승이 적다는 점에서, 은, 은이 표면에 코팅된 구리 및 은이 표면에 코팅된 구리합금 (아연 및/또는 니켈을 포함한다)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 종을 채택하는 것이 바람직하다.

(틱소트로피제)

본 실시형태의 도전성 페이스트에는, 스크린 인쇄법에 적합한 틱소트로피성을 부여하기 위해 틱소트로피제를 첨가할 수 있다. 틱소트로피제의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 알루미나나 티타니아 등의 금속산화물, 유리, 탄소 (카본 블랙, 흑연 등을 포함한다) 등의 무기계 미분말, 아미드나 폴리에틸렌 등의 유기계 재료가 틱소트로피제로서 채택될 수 있다. 저장탄성률이나 점도가 증대되지 않도록 하기 위해서는, 틱소트로피제의 첨가량은 페이스트 전체량에 대해 중량분율로 1% 이상, 5% 이하, 보다 바람직하게는, 1.2% 이상, 4.5% 이하이다. 또한, 틱소트로피제가 절연성을 보이는 경우에는, 도전성을 저해하지 않도록 하는 관점에서도, 특히, 상기의 첨가량의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, 동일한 관점에서, 틱소트로피제의 첨가량은, 도전성 분말에 대해서 중량분율로 1% 이상, 6% 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 무기계 분말의 틱소트로피제를 사용하는 경우에는, 스크린 인쇄성 및 도전성, 기재로의 밀착성 등의 물성을 저해하지 않기 위해서, 이 입자크기를 1 μm 이하로 하는 것이 바람직하다.

(경화제)

바인더 수지의 경화를 촉진하고, 경화에 의한 고온고습 폭로 전후에서의 단자간 저항치의 상승을 억제하는 등의 관점에서, 본 실시형태의 도전성 페이스트에는 경화제를 첨가할 수 있다. 첨가할 수 있는 경화제의 예는, 이소시아네이트 화합물, 아민 화합물, 산무수물 화합물 등이다. 경화제로서 사용할 수 있는 이소시아네이트 화합물의 예는, 상술의 폴리우레탄 수지의 원료로 사용한 폴리이소시아네이트 (비블록화 이소시아네이트), 이들을 각종 밀봉제로 밀봉하여 생성된 블록화 이소시아네이트, 상기 폴리이소시아네이트의 이량체 내지 삼량체 등이다.

상술한 경화제 중 아민 화합물의 예는, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 디프로필렌디아민, 디에틸아미노프로필아민 등의 지방족 아민, N-아미노에틸피페라진, 멘테인디아민, 이소포론디아민, 수소첨가 m-크실렌디아민 등의 지환족 아민, m-크실렌디아민, m-페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등의 방향족 아민 등이다. 또한, 이들 아민을 변성시킨, 아민어덕트류, 케티민류나, 다이머산과 폴리아민의 축합에 의해 생성되는, 분자 중에 반응성의 1급 아민과 2급 아민을 가진 폴리아미드 수지 등도 채택할 수 있다.

상술의 경화제 중 산무수물 화합물의 예는, 무수프탈산, 무수트리멜릿산, 무수피로멜릿산, 무수벤조페논테트라카르복실산, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트, 무수말레산, 테트라히드로무수프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 엔도메틸렌테트라히드로무수프탈산, 메틸엔도메틸렌테트라히드로무수프탈산, 메틸부테닐테트라히드로무수프탈산, 도데세닐무수숙신산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 무수숙신산, 메틸사이클로헥센디카르복실산무수물, 알킬스티렌-무수말레산 공중합체, 클로렌드산무수물, 폴리아젤라산무수물, 무수메틸나딕산 등이다.

(용제)

본 실시형태의 도전성 페이스트에 사용되는 용제는, 특별히 한정되지 않는다. 사용하는 수지의 용해성이나 인쇄방법 등의 종류에 따라서, 적절히 선택할 수 있다. 본 실시형태의 용제의 예는, 에스테르계 용제, 케톤계 용제, 글리콜에테르계 용제, 지방족계 용제, 지환족계 용제, 방향족계 용제, 알콜계 용제, 물 등의 1 종 또는 2 종 이상을 혼합한 것이다.

또한, 에스테르계 용제의 예는, 아세트산 에틸, 아세트산 이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 아밀, 락트산 에틸, 탄산 디메틸 등을 들 수 있다. 케톤계 용제로는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤벤젠, 디이소부틸케톤, 디아세톤알콜, 이소포론, 사이클로헥사논 등을 들 수 있다. 글리콜에테르계 용제로는, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등, 이들 모노에테르류의 아세트산 에스테르,디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등이나, 이들 모노에테르류의 아세트산 에스테르 등이다.

한편, 지방족계 용제의 예는, n-헵탄, n-헥산, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산 등이다. 지환족계 용제의 예는, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산, 사이클로헥산 등이다. 방향족계 용제의 예는, 톨루엔, 크실렌, 테트랄린 등이다. 알콜계 용제 (상술의 글리콜에테르계 용제를 제외한다)의 예는, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등이다.

(그 외의 첨가물)

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 필요에 따라서, 분산제, 표면처리제, 내마찰(anti-friction) 향상제, 적외선흡수제, 자외선흡수제, 방향제, 산화방지제, 유기안료, 무기안료, 소포제, 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 가소제, 난연제, 보습제, 이온 포착제 등을 함유할 수 있다.

(구성성분의 혼합방법)

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 도전성 금속분말, 바인더 수지 및 용제, 그리고, 필요에 따라 상술의 틱소트로피제 등을 소정의 비율로 배합하고, 공지된 혼련기(kneader)나 디스퍼(disper)로 혼합시킴으로써 얻어진다. 또한, 필요에 따라서 3-롤밀 (3-roll mill) 등으로 혼합분산시켜 도전성 페이스트를 얻을 수 있다.

또한, 상술의 도전성 금속분말, 바인더 수지, 용제 및 틱소트로피제의 사용량은 특별히 한정되지 않는다. 다만, 본 실시형태의 도전성 페이스트의 점도, 손실탄성률 및 저장탄성률을, 상술한 범위로 쉽게 설정하기 위해, 대표적인 수치범위가 이하와 같이 설정된다.

도전성 금속분말 : 65 중량% 이상, 85 중량% 이하

바인더 수지 : 4 중량% 이상, 8 중량% 이하

용제 : 10 중량% 이상, 30 중량% 이하

틱소트로피제 : 1 중량% 이상, 6 중량% 이하

(페이스트의 인쇄방법)

본 실시형태의 도전성 페이스트를 사용하여, 각종 인쇄법에 의해 기재 상에 인쇄함으로써, 고정세한 배선이나 전극을 형성할 수 있다. 형성된 배선이나 전극의 형상은, 각종 배선패턴, 전극패턴 등에 적절히 대응할 수 있는 것이므로, 특별히 한정되지 않는다.

또한, 본 실시형태의 도전성 페이스트는, 특히 스크린 인쇄법에 적절하게 적용할 수 있지만, 종래 공지된 여러 가지 인쇄법에 적용할 수 있다. 스크린 인쇄법에서는, 50 μm 이하의 배선 폭이나 배선·전극간 거리의 고정세화에 대응하므로, 특히 바람직하게는 500 메쉬 이상의 미세한 메쉬의 스크린이고, 스크린 선경(wire diameter)은 가능한한 미세하고, 적어도 φ20 μm 이하의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 스크린 마스크판 상에는 유제 등에 의해서 임의의 배선이나 전극 패턴이 형성된다. 또한, 유제 등의 개구부와 메쉬 개구부에 의해서 형성되는 스크린 마스크 개구부를 거쳐, 도전성 페이스트는 기재 상에 인쇄된다. 또한, 이 스크린 마스크 개구부의 면적은 유제 등에 의해서 형성된 전사 패턴의 개구부 면적에 대해서 적어도 30 % 이상인 것이 바람직하다.

본 실시형태의 대표적인 스크린판의 종류는, 폴리에스테르 스크린, 콤비네이션 스크린, 메탈 스크린, 나일론 스크린 등이다. 특히, 지금까지보다도 비교적 고점도로 되는 본 실시형태의 도전성 페이스트를 인쇄하는 경우는, 고장력 스테인레스 선재를 사용하는 것이 바람직하다. 스크린 인쇄시에 사용하는 스퀴지는, 구형, 장방형, 정방형 중 어느 하나의 형상일 수 있고, 또한 어텍 각도 (인쇄 시의 판과 스퀴지의 각도)를 작게 하기 위해서, 연마 스퀴지도 사용할 수 있다. 그 외의 인쇄조건 등은, 종래 공지된 조건을 적절히 채택할 수 있다.

(인쇄 후의 건조, 고체화/경화방법)

본 실시형태의 도전성 페이스트는, 상술한 바와 같이 기판 등의 기재 상에 인쇄, 패턴 전사된 후에, 가열하여 건조·고체화, 및 경화제와 바인더 수지와의 반응에 의해 경화된다. 용제의 충분한 휘발 및 경화제와 바인더 수지와의 반응을 위해서, 가열 온도는, 예를 들어, 100℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하고, 가열 시간은, 예를 들어 5분 이상 120분 이하가 바람직하다.

(기재 필름)

본 실시형태의 도전성 페이스트가 인쇄되는 기재의 종류는, 특별히 한정되지 않고 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 대표적인 수지 필름 기재는, 폴리이미드 필름, 폴리파라페닐렌테레프탈아미드 필름, 폴리에테르니트릴 필름, 폴리에테르술폰 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리염화비닐 필름 등이다. 또한, 대표적인 기재 필름은, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트의 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 아크릴수지 등의 고분자 필름 상에 ITO 층을 스퍼터링(sputtering), 습식코팅 등으로 형성시킨 소위 ITO 필름, ITO 층을 유리 상에 형성시킨 ITO 유리 등이다. 또한, 세라믹, 유리 기재 등도, 본 실시형태의 도전성 페이스트가 인쇄되는 기재로서 사용할 수 있다.

또한, 특히 터치 패널에 있어서는, 폴리에스테르 필름 상에 ITO 층을 형성시킨 ITO 필름, 또는 유리 상에 ITO 층을 형성시킨 ITO 유리가 널리 사용된다. 또한, 필요에 따라, 기재에 앵커코트층을 만들고, 이 앵커코트층 상에 도전성 페이스트를 인쇄할 수 있다. 앵커코트층은, 기재와의 밀착성, 더욱이 도전성 페이스트의 밀착성이 양호하면, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 수지 비즈 등의 유기필러나 금속산화물 등의 무기필러도 필요에 따라 첨가할 수 있다. 앵커코트층을 만드는 방법도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 종래 공지된 도공방법을 사용하여 도포, 건조, 경화함으로써 앵커코트층을 얻을 수 있다.

(용도의 적합한 예)

본 실시형태에 관련된 도전성 페이스트는, 스마트폰이나 타블렛 단말 등에 사용되는 터치 패널의 배선 및 전극의 형성에 사용할 수 있다. 그러나, 이 용도는, 각종 산업에서 널리 사용될 수 있으므로, 특별히 한정되지 않는다.

[실시예]

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 실시형태에 대해서 보다 구체적으로 설명하나, 이하의 실시예는 본 실시형태의 예시만을 위한 것으로, 본 실시형태를 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시예 중, 「부」, 「%」는 각각 중량부, 중량%를 의미한다.

표 1에 나타내는 배합비율로 각 성분을 배합하고, 3-롤밀(3-roll mill)로 혼련하여 도전성 페이스트를 얻었다.

[표 1]

또한, 표 1 중의 약어·기호는 이하와 같다.

· 페녹시수지 1 : 미츠비시화학 (Mitsubishi Chemical) 제, 1256, 중량평균분자량 56000

· 페녹시수지 2 : 신닛테츠주금화학 (Nippon Steel & Sumitomo Metal) 제, YP-50, 중량평균분자량 70000

· 변성에폭시수지 : 아라카와화학 (Arakawa Chemical) 제, KA1433J, 중량평균분자량 90000

· 폴리비닐아세탈수지 a : 세키수이화학 (Sekisui Chemical) 제, 에스렉(S-LEC) BM-5, 중량평균분자량 53000

· 우레탄변성폴리에스테르수지 : 토요보 (Toyobo) 제, 바이론 (Vyron) UR-3200, 중량평균분자량 40000

· 우레탄수지 : 프레미놀 (Preminol)-4019 (아사히글래스(Asahi glass) 제)와 스미듈 (Sumidur) 44S (스미카 바이엘 우레탄 (Sumika Bayer Urethane) 제)와 용제 (카르비톨아세테이트계)를 혼합가열함으로써 제조, 중량평균분자량 56000

· 페녹시수지 3 : 미츠비시화학 제, 4010P, 중량평균분자량 6000

· 폴리에스테르수지 A : 유니티카 (Unitika) 제, XA0847, 중량평균분자량 8000, 산가 10 mgKOH/g

· 폴리에스테르수지 B : 유니티카 제, XA0653, 중량평균분자량 5000, 산가 20 mgKOH/g

· 폴리에스테르수지 C : 토요보 제, 바이론 200, 중량평균분자량 17000, 산가 ＜2 mgKOH/g

· 페녹시수지 4 : 미츠비시화학 제, YX6954, 중량평균분자량 38000

· 폴리비닐아세탈수지 b : 세키수이화학 제, 에스렉 KS-5, 중량평균분자량 130000

· AgC-251 (부정형, 은분) : 후쿠다 (Fukuda) 금속박분공업 제, AgC-251 (부정형, 은분), 평균 1차 입자직경 1.5 μm, 1차 입자의 최대 입자직경 6 μm

· AG-2-1C (구상, 은분) : DOWA 일렉트로닉스 제, AG-2-1C (구상, 은분), 평균 1차 입자직경 0.8 μm, 1차 입자의 최대 입자직경 3 μm

· AgC-201Z (플레이크상 은분) : 후쿠다금속박분공업 제, AgC-201Z (플레이크상 은분), 평균 1차 입자직경 4 μm, 1차 입자의 최대 입자직경 10 μm

· AO-SCX-1 (구상, 은코팅분) : DOWA 일렉트로닉스 제, AO-SCX-1 (구상 은코팅 구리아연분), 평균 1차 입자직경 2 μm, 1차 입자의 최대 입자직경 8 μm

· AO-SCX-3 (구상, 은코팅분) : DOWA 일렉트로닉스 제, AO-SCX-3 (구상, 은코팅 구리아연니켈분), 평균 1차 입자직경 2 μm, 1차 입자의 최대 입자직경 9 μm

· AgC-B (부정형, 은분) : 후쿠다금속박분공업 제, AgC-B (부정형, 은분), 평균 1차 입자직경 5 μm, 1차 입자의 최대 입자직경 20 μm

· 경화제 : 블록화 이소시아네이트 (아사히카세이케미칼 (Asahi Kasei Chemicals)사 제, 듀라네이트 (Duranate) SBN-70D)

·표면처리제 : 티타네이트계 커플링제 (아지노모토 파인테크노(Ajinomoto Fine-Techno) 제, 플랜악트(PLENACT) KR-TTS)

· 틱소트로피제 1 : 금속산화물 (닛폰에어로실 (Nippon Aerosil) 제, AEROSIL, R202)

· 틱소트로피제 2 : 무기계 미분말 (라이온 (Lion) 제, 카본 ECP600JD)

상술의 처리에 의해 얻어진 각 도전성 페이스트의 각종 특성에 대해서 평가하였다. 평가결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 구체적인 평가 방법은 이하와 같다.

(정상점도측정)

본 실시예에서는, 브룩필드 (Brookfield) 점도계 (모델, HBT)에 의해, 25℃에서 1, 10, 50, 100 rpm의 각 회전수에서의 페이스트 점도를 측정하였다.

(동적 점탄성 측정)

본 실시예에서는, Haake사 제품인 점탄성 측정장치 (모델, MARS)에 의해, 25℃에서의 동적 점탄성 측정을 수행하였다. 또한, 구체적인 측정방법은 이하의 (1) 내지 (3)에 기재한 바와 같다.

(1) 우선, 직경 35 mm의 티탄제 평행평판을 사용하여, 간격이 0.3 mm가 되도록 도전성 페이스트 (시료)를 끼워넣었다.

(2) 다음으로, 주파수 1 Hz 에서, 그 시료에 대해 0.01 내지 100 %의 전단변형을 스윕 (sweep)하면서 인가한다.

(3) (2)의 전단응력이 인가되었을 때의 동적 저장탄성률과 동적 손실탄성률 및 저장탄성률의 선형 변형영역에서부터 항복응력을 측정한다.

[표 2]

각 실시예 및 비교예에 표시된 각 도전성 페이스트의 인쇄는, 고정도 스크린 인쇄장치 (주식회사 미노그룹 (Mino Group) 제, 모델, 엑세스 (Access) ASII-S5565)를 사용하여 수행하였다. 보다 구체적으로는, 50 μm, 30 μm 및 25 μm의 라인·앤드·스페이스 (line and space) 형상의 미세배선패턴을 다수 가지고 있는 스크린 마스크판 (주식회사 무라카미 (Murakami) 제)을 사용하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 기판 상 (토레 (Toray) 주식회사 제, 모델, 루미러 (LUMIRROR) T60, 두께 125 μm)의 500 × 500 mm 영역에서, 연속 100 매의 인쇄를 수행하였다. 그 후, 130℃에서 30분간 건조시켰다. 스크린 인쇄 시의 조건은 하기와 같다.

(인쇄조건)

· 스크린 : 스테인레스 마스크 640 메쉬

· 스크린 프레임 : 950 × 950 mm

· 선경 : φ15 mm

· 유제 : IC-10000

· 메쉬 두께 : 21 μm

· 총 두께 : 33 μm, 공차(tolerance) ±2 μm

· 스퀴지 : 우레탄 연마스퀴지

· 스퀴지 각도 : 75 °

· 스퀴지 어택 각도 : 50 °

· 스퀴지 경도 : 80도

· 스퀴지 속도 : 50 내지 100 mm/초

· 스퀴지 프레싱량 (pressing amount) : 2.0 mm

· 클리어런스 : 3.0 mm

상기의 공정에 의해 얻어진 도전성 페이스트의 배선패턴 도포물에 대해서 각종 성능을 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 구체적인 평가 방법은 이하에 기재한다.

[표 3]

(인쇄성 평가)

스크린 인쇄한 배선부분의 형상 (배선의 직선성이나 번짐)을, 3차원 레이저 마이크로스코프 (3-dimensional laser microscope, 주식회사 키엔스 (Keyence)사 제, VK-X200)를 사용하여 관찰하고, 부속된 화상해석장치를 이용하여 인쇄 후의 세선 폭을 파악하였다. 구체적으로는, 5 매째의 인쇄물에 대해서, 각각 임의의 라인·앤드·스페이스 5 세트를 선택한 다음에, 1 세트 당 200 군데를 측정함으로써, 라인 폭과 스페이스 폭의 평균치를 얻었다.

(고정세 인쇄성)

외관형상, 평균 라인 폭, 평균 라인 높이를 평가하였다.

[외관형상]

라인 (배선) 부분의 미세배선부분에서의 외관형상의 평가기준 (○,△,×)은, 이하와 같다.

○ : 미세배선부분은, 사행 (meander)에 의한 굵기의 불균일, 번짐, 긁힘, 결함이 발생하지 않아, 미세배선부분의 경계선이 명료하고 양호하였다.

△ : 미세배선부분은, 사행에 의한 굵기의 불균일이 다소 보이지만, 번짐, 긁힘, 결함이 발생하지 않아, 실용상 지장이 없는 레벨이었다.

× : 미세배선부분은, 사행에 의한 굵기의 불균일이 나타나고, 번짐, 긁힘, 결함이 있어, 경계선이 뷸명료하였다.

[라인 폭]

인쇄된 라인·앤드·스페이스의 고정세성의 평가기준 (○,△,×)은, 이하와 같다.

○ : 스크린 마스크판의 라인 패턴 폭에 대해, 인쇄된 도전성 페이스트의 라인 폭의 차이가 10% 이내로 양호하였다.

△ : 스크린 마스크판의 라인 패턴 폭에 대해, 인쇄된 도전성 페이스트의 라인 폭의 차이가 10% 초과, 20% 이내로, 실용상 지장이 없는 레벨이었다.

× : 스크린 마스크판의 라인 패턴 폭에 대해, 인쇄된 도전성 페이스트의 라인 폭의 차이가 20%를 초과하여, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

[라인 높이]

인쇄된 라인·앤드·스페이스의 인쇄전사성의 평가기준 (○,△,×)은, 이하와 같다.

○ : 인쇄된 도전성 페이스트의 평균 라인 높이가 5 μm 이상으로, 양호하였다.

△ : 인쇄된 도전성 페이스트의 평균 라인 높이가 3 μm 이상, 5 μm 미만으로, 실용상 지장이 없는 레벨이었다.

× : 인쇄된 도전성 페이스트의 평균 라인 높이가 3 μm 미만으로 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

(기본성능 평가)

게다가, 본 실시형태의 도전성 페이스트의 도포물에 대해서, 그 기본성능이 되는 도전성과 밀착성을 평가하였다. 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 구체적인 평가 방법은 이하와 같다.

(인쇄작업성)

스크린 마스크판 상에서의 페이스트의 전개성, 인쇄시의 롤링성, 인쇄시의 스퀴지부착성을 외관 관찰에 의해 평가하였다. 평가기준 (○,×)은, 이하와 같다.

[페이스트 전개성]

○ : 페이스트를 마스크판 상에 전개할 때에 긁힘, 페이스트 양의 불균일이 발생하기 어렵고, 전개성이 양호하였다.

× : 페이스트를 마스크판 상에 전개할 때에 긁힘, 페이스트 양의 불균일이 쉽게 발생하여, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

[인쇄시의 롤링성]

○ : 인쇄시에 페이스트가 롤링하지 않거나, 또는 하기 어려운 상황이 발생하지 않아 양호하였다.

× : 인쇄시에 페이스트가 롤링하기 어려워, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

[인쇄시의 스퀴지부착성]

○ : 인쇄시에 페이스트의 스퀴지부착이 발생하지 않았다.

× : 인쇄시에 페이스트의 스퀴지부착이 쉽게 발생하여, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

(도전성 측정)

유리 기판 상에 0.5 cm × 10 cm 의 패턴을 형성하고, 130℃에서 30분간 가열처리를 수행한 후에, 4 탐침법으로 저항치를 측정하고, 시트 저항과 막 두께에 의거하여 비(比)저항치를 산출하고 도전율을 구하였다. 평가기준 (○,△,×)은 이하와 같다.

○ : 비저항치가 5.0 × 10^-5 Ωcm 미만으로 양호하였다.

△ : 비저항치가 5.0 × 10^-5 Ωcm 이상, 1.0 × 10^-4 Ωcm 미만으로, 실용상 지장이 없는 레벨이었다.

× : 비저항치가 1.0 × 10^-4 Ωcm 이상으로, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

(밀착성 평가)

폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (토레 주식회사 제, 모델, 루미러 T60, 두께 125 μm) 상에, 각 실시예 및 비교예에 나타낸 각 도전성 페이스트를, 건조 후의 막 두께가 대략 5 μm 내지 10 μm 로 되도록 스크린 인쇄하였다. 그 다음, 150℃에서 30분간 건조시키고, JIS (일본공업규격), K5600-5-6 (도막의 부착성 (크로스컷법))에 관한 시험방법에 근거하여, 크로스컷 셀로판 테이프 (등록상표) 박리시험을 수행하여 밀착성을 평가하였다. 또한, 평가기준 (◎,○,△,×)은 하기와 같다.

또한, 상기의 밀착성 평가에서 ○였던 시험편(試驗片)을, 다시 JIS (일본공업규격), K5600-5-1에 따라, 직경 20 mm 의 원통형 맨드릴(mandrel)에 둘러 감은 상태에서 180 °굽힘을 3회 수행한 후에, 균열 발생을 눈으로 확인하고, 도전성의 변화가 있는지 없는지 평가하였다. 이 시험에서 박리가 발생하지 않고, 또한 도전성의 변화도 없었던 것을 「◎」로 평가하였다.

○ : 박리가 없고, 밀착성 양호.

△ : 약간의 박리가 있고, 밀착성 약간 불량.

× : 전면 박리가 있고, 밀착성 불량.

◎ : 굽힘 시험 후에 눈으로 보아 박리가 없고, 도전성의 변화가 없음.

게다가, 실시예 1, 4, 9, 11, 13, 14, 비교예 1, 3, 6, 7 에 대해서 연속인쇄성과 고속인쇄성의 평가를 수행하였다. 평가 결과를 표 4에 나타내었다. 구체적인 평가 방법은 이하와 같다.

(연속인쇄성)

라인 폭의 변화율 ((100 매째의 평균 라인 폭 - 5 매째의 평균 라인 폭) ÷ 5 매째의 평균 라인 폭)과 라인 높이의 변화율 ((100 매째의 평균 라인 높이 - 5 매째의 평균 라인 높이) ÷ 5 매째의 평균 라인 높이)을 각각 구하였다. 평가기준 (○,△,×)은 이하와 같다.

○ : 변화율이 10% 이내로 양호하였다.

△ : 변화율이 10% 초과, 20% 이하로, 실용상 지장이 없는 레벨이었다.

× : 변화율이 20% 를 초과하여, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

(고속인쇄성)

라인·앤드·스페이스가 30 μm에서의 5 매째의 인쇄물에 있어서, 스퀴지 속도 50 mm/초에 대한 100 mm/초의 라인 폭의 변화율 ((100 mm/초에서의 평균 라인 폭 - 50 mm/초의 평균 라인 폭) ÷ 50 mm/초의 평균 라인 폭)과 상기 라인 높이의 변화율 ((100 mm/초에서의 평균 라인 높이 - 50 mm/초의 평균 라인 높이) ÷ 50 mm/초의 평균 라인 높이)를 각각 구하였다. 평가기준 (○,△,×)은 이하와 같다.

○ : 변화율이 10% 이내로 양호하였다.

△ : 변화율이 10% 초과, 20% 이하로, 실용상 지장이 없는 레벨이었다.

× : 변화율이 20% 를 초과하여, 실용상 문제가 되는 레벨이었다.

[표 4]

상술의 각 실시형태의 개시는, 이들의 실시형태의 설명을 위하여 기재한 것으로, 본 발명을 한정하기 위해 기재한 것은 아니다. 또한, 상술의 각 실시형태 및 각 실시예의 다른 조합을 포함하는 본 발명의 범위내에 존재하는 변형예도 또한, 특허청구의 범위에 포함되는 것이다.

산업상의 이용가능성

본 발명의 도전성 페이스트는, 각종의 산업에 널리 사용될 수 있다. 특히 적절하게는, 스마트폰이나 타블렛 단말 등에 사용되는 터치 패널의 배선이나 전극의 형성의 용도로서 이 도전성 페이스트는 사용되나, 그 용도는 특별히 한정되지 않는다.

Claims (22)

1. 도전성 금속분말, 바인더 수지 및 용제를 함유하는 도전성 페이스트로서,
   상기 바인더 수지가,
   중량평균분자량이 40000 이상, 100000 이하인 고분자량 성분 (A) 및 중량평균분자량이 5000 이상, 10000 이하인 저분자량 성분 (B)를 포함하고, 또한
   상기 고분자량 성분 (A) 및 상기 저분자량 성분 (B)의 총량에 대한 상기 저분자량 성분 (B)의 중량분율 [100 × (B) / ｛(A) + (B)｝]이, 5% 이상, 70% 이하를 충족시키는,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
2. 제1항에 있어서,
   회전점도측정법에 의한 25℃, 50 rpm에서의 상기 도전성 페이스트의 점도가, 160 Pa·s 이상, 300 Pa·s 이하이고, 또한 왜량 0.1%에서의 손실탄성률이, 7000 Pa 이상, 30000 Pa 이하인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   왜량 0.1%에서의 저장탄성률이, 10000 Pa 이상, 80000 Pa 이하인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   항복응력이 10 Pa 이상, 45 Pa 이하인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 바인더 수지가, 산가(acid value)가 10 이상, 50 이하인 폴리에스테르수지 (C)를 추가로 포함하는,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 도전성 금속분말에 포함되는 1차 입자의 평균 입자크기가, 0.1 μm 이상, 2 μm 이하이고,
   상기 도전성 금속분말에 대해서, 상기 1차 입자 중 부정형상을 나타내는 것의 중량분율이 60% 를 초과하고, 또한,
   상기 도전성 금속분말에 포함되는 2차 입자의 최대 입자직경이 10 μm 이하인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 도전성 금속분말에 포함되는 1차 입자의 평균 입자크기가 0.1 μm 이상, 2 μm 이하이고,
   상기 도전성 금속분말에 대해서, 상기 1차 입자 중 구상(spherical form)을 나타내는 것의 중량분율이 50% 이하이고, 또한,
   상기 도전성 금속분말에 포함되는 2차 입자의 최대 입자직경이 10 μm 이하인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   틱소트로피제를 추가로 함유하고,
   상기 도전성 페이스트의 전체에 대해서, 상기 틱소트로피제의 중량분율이 1% 이상, 5% 이하인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 도전성 금속분말이, 은, 은이 코팅된 구리 및 은이 코팅된 구리합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 종인,
   스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트가, 터치 패널의 배선 또는 전극용인,
    스크린 인쇄용 도전성 페이스트.
11. 스크린 인쇄법에 따라, 제1항 또는 제2항에 따른 도전성 페이스트를 기재 상에 도포하는 공정을 포함하는,
    배선의 제조 방법.
12. 스크린 인쇄법에 따라, 제1항 또는 제2항에 따른 도전성 페이스트를 기재 상에 도포하는 공정을 포함하는,
    전극의 제조 방법.
13. 제11항에 있어서,
    스크린 메쉬가 500 메쉬 이상의 고장력 스테인레스 선재에 의해 형성되어 있는,
    배선의 제조 방법.
14. 제12항에 있어서,
    스크린 메쉬가 500 메쉬 이상의 고장력 스테인레스 선재에 의해 형성되어 있는,
    전극의 제조 방법.
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