JP2001233873A - ３−シアノチオフェン誘導体の製造方法 - Google Patents
３−シアノチオフェン誘導体の製造方法Info
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- JP2001233873A JP2001233873A JP2000044221A JP2000044221A JP2001233873A JP 2001233873 A JP2001233873 A JP 2001233873A JP 2000044221 A JP2000044221 A JP 2000044221A JP 2000044221 A JP2000044221 A JP 2000044221A JP 2001233873 A JP2001233873 A JP 2001233873A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３−シアノチオフェン誘導体を、収率よく、
効率的に工業的に有利に製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素原子、ハロゲン原
子、アルコキシル基、アルキルチオ基または置換基を有
していてもよいアルキル基、アリール基もしくはアラル
キル基を表す。）で示される３−ホルミルチオフェン誘
導体を、非プロトン性極性溶媒中で、酸の存在下にヒド
ロキシルアミンと反応させることを特徴とする一般式
（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される３−シアノチオフェン誘導体の製造方
法。
効率的に工業的に有利に製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素原子、ハロゲン原
子、アルコキシル基、アルキルチオ基または置換基を有
していてもよいアルキル基、アリール基もしくはアラル
キル基を表す。）で示される３−ホルミルチオフェン誘
導体を、非プロトン性極性溶媒中で、酸の存在下にヒド
ロキシルアミンと反応させることを特徴とする一般式
（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される３−シアノチオフェン誘導体の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３−シアノチオフ
ェン誘導体の製造方法に関する。本発明により製造され
る３−シアノチオフェン誘導体は、医薬、農薬などの合
成原料として有用である。
ェン誘導体の製造方法に関する。本発明により製造され
る３−シアノチオフェン誘導体は、医薬、農薬などの合
成原料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】３−シアノチオフェン誘導体の製造方法
はこれまでに種々報告されており、以下のような方法が
知られている。 （１）チオフェンアルデヒドオキシムを五酸化リン、塩
化チオニル、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド
などの脱水剤によって脱水する方法［ジャーナルオブ
ジ アメリカン ケミカル ソサイエティー（Journal
of the American Chemical Society）、７２巻、３３７
９頁（１９５０年）参照］。 （２）チオフェンアミドを塩化チオニル、Ｎ，Ｎ−ジシ
クロヘキシルカルボジイミドなどの脱水剤によって脱水
する方法［ジャーナル オブ ザ ケミカル ソサイエ
ティー（Journal of the Chemical Society）、９１１
頁（１９３７年）参照］。 （３）ハロゲン化チオフェンを金属シアン化物と反応さ
せる方法［日本化学雑誌、８２巻、１４１１頁（１９６
１年）参照］。 （４）３−チオフェンカルボン酸をクロロスルホニルイ
ソシアネートと反応させる方法［ヘーミッシェ ベリヒ
テ（Chemische Berichte）、１００巻、２７１９頁（１
９６７年）参照］。 （５）３−アルキルチオフェンまたは３−ホルミルチオ
フェン誘導体をバナジウム含有酸化物の存在下にアンモ
酸化する方法（特開平９−４０６６６号公報参照）。
はこれまでに種々報告されており、以下のような方法が
知られている。 （１）チオフェンアルデヒドオキシムを五酸化リン、塩
化チオニル、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド
などの脱水剤によって脱水する方法［ジャーナルオブ
ジ アメリカン ケミカル ソサイエティー（Journal
of the American Chemical Society）、７２巻、３３７
９頁（１９５０年）参照］。 （２）チオフェンアミドを塩化チオニル、Ｎ，Ｎ−ジシ
クロヘキシルカルボジイミドなどの脱水剤によって脱水
する方法［ジャーナル オブ ザ ケミカル ソサイエ
ティー（Journal of the Chemical Society）、９１１
頁（１９３７年）参照］。 （３）ハロゲン化チオフェンを金属シアン化物と反応さ
せる方法［日本化学雑誌、８２巻、１４１１頁（１９６
１年）参照］。 （４）３−チオフェンカルボン酸をクロロスルホニルイ
ソシアネートと反応させる方法［ヘーミッシェ ベリヒ
テ（Chemische Berichte）、１００巻、２７１９頁（１
９６７年）参照］。 （５）３−アルキルチオフェンまたは３−ホルミルチオ
フェン誘導体をバナジウム含有酸化物の存在下にアンモ
酸化する方法（特開平９−４０６６６号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）の方法は、チオフェンアルデヒドオキシムを３−
ホルミルチオフェンとヒドロキシルアミンとの脱水反応
により合成し、このオキシム体を単離した後、酸触媒の
存在下で再度脱水反応させているため、決して効率的と
は言い難い。また、上記（１）および（２）の方法で脱
水剤として用いる五酸化二リン、塩化チオニル、Ｎ，Ｎ
−ジシクロヘキシルカルボジイミドなどは高価な上、有
害である。上記（３）の方法は、極めて有害な金属シア
ン化物を用いる必要があり、大量スケールでの合成には
多大な危険を伴う。上記（４）の方法は、原料として用
いる３−チオフェンカルボン酸誘導体が非常に高価であ
る。また、上記（５）の方法は、用いる金属酸化物が高
価な上、３−シアノチオフェン誘導体の収率が最高でも
４０％程度と低い。したがって、これらの方法はいずれ
も３−シアノチオフェン誘導体の工業的に有利な製造方
法とは言い難い。しかして、本発明の目的は、３−シア
ノチオフェン誘導体を、収率良く、効率的に工業的に有
利に製造し得る方法を提供することにある。
（１）の方法は、チオフェンアルデヒドオキシムを３−
ホルミルチオフェンとヒドロキシルアミンとの脱水反応
により合成し、このオキシム体を単離した後、酸触媒の
存在下で再度脱水反応させているため、決して効率的と
は言い難い。また、上記（１）および（２）の方法で脱
水剤として用いる五酸化二リン、塩化チオニル、Ｎ，Ｎ
−ジシクロヘキシルカルボジイミドなどは高価な上、有
害である。上記（３）の方法は、極めて有害な金属シア
ン化物を用いる必要があり、大量スケールでの合成には
多大な危険を伴う。上記（４）の方法は、原料として用
いる３−チオフェンカルボン酸誘導体が非常に高価であ
る。また、上記（５）の方法は、用いる金属酸化物が高
価な上、３−シアノチオフェン誘導体の収率が最高でも
４０％程度と低い。したがって、これらの方法はいずれ
も３−シアノチオフェン誘導体の工業的に有利な製造方
法とは言い難い。しかして、本発明の目的は、３−シア
ノチオフェン誘導体を、収率良く、効率的に工業的に有
利に製造し得る方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため鋭意検討した結果、３−ホルミルチオ
フェン誘導体を、非プロトン性極性溶媒中で酸の存在下
にヒドロキシルアミンと反応させることにより、上記し
た（１）の方法で原料として用いているチオフェンアル
デヒドオキシムを単離することなく、一段階で効率よく
３−シアノチオフェン誘導体に変換できることを見出
し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、一般式
（Ｉ）
的を達成するため鋭意検討した結果、３−ホルミルチオ
フェン誘導体を、非プロトン性極性溶媒中で酸の存在下
にヒドロキシルアミンと反応させることにより、上記し
た（１）の方法で原料として用いているチオフェンアル
デヒドオキシムを単離することなく、一段階で効率よく
３−シアノチオフェン誘導体に変換できることを見出
し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、一般式
（Ｉ）
【０００５】
【化３】
【０００６】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素原子、
ハロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチオ基または
置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基もし
くはアラルキル基を表す。）で示される３−ホルミルチ
オフェン誘導体（以下、３−ホルミルチオフェン誘導体
（Ｉ）と略称する）を、非プロトン性極性溶媒中で、酸
の存在下にヒドロキシルアミンと反応させることを特徴
とする一般式（ＩＩ）
ハロゲン原子、アルコキシル基、アルキルチオ基または
置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基もし
くはアラルキル基を表す。）で示される３−ホルミルチ
オフェン誘導体（以下、３−ホルミルチオフェン誘導体
（Ｉ）と略称する）を、非プロトン性極性溶媒中で、酸
の存在下にヒドロキシルアミンと反応させることを特徴
とする一般式（ＩＩ）
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義の
とおりである。）で示される３−シアノチオフェン誘導
体（以下、３−シアノチオフェン誘導体（ＩＩ）と略称
する）の製造方法である。
とおりである。）で示される３−シアノチオフェン誘導
体（以下、３−シアノチオフェン誘導体（ＩＩ）と略称
する）の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記一般式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ
3がそれぞれ表すアルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、
シクロプロピル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル
基などの直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が挙げ
られる。これらのアルキル基は置換基を有していてもよ
く、かかる置換基としては、例えば塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの
アルコキシル基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基など
の三置換シリルオキシ基；ニトロ基などが挙げられる。
3がそれぞれ表すアルキル基としては、例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、
シクロプロピル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル
基などの直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が挙げ
られる。これらのアルキル基は置換基を有していてもよ
く、かかる置換基としては、例えば塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの
アルコキシル基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基など
の三置換シリルオキシ基；ニトロ基などが挙げられる。
【００１０】Ｒ1、Ｒ2およびＲ3がそれぞれ表すアリー
ル基としては、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙
げられ、アラルキル基としては、例えばベンジル基、フ
ェネチル基などが挙げられる。これらのアリール基また
はアラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置
換基としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、フッ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などのアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシル基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などの
三置換シリルオキシ基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−メ
トキシフェニル基などのアリール基などが挙げられる。
ル基としては、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙
げられ、アラルキル基としては、例えばベンジル基、フ
ェネチル基などが挙げられる。これらのアリール基また
はアラルキル基は置換基を有していてもよく、かかる置
換基としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、フッ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などのアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシル基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などの
三置換シリルオキシ基；ニトロ基；フェニル基、ｐ−メ
トキシフェニル基などのアリール基などが挙げられる。
【００１１】Ｒ1、Ｒ2およびＲ3がそれぞれ表すハロゲ
ン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などが挙げられる。
ン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子などが挙げられる。
【００１２】Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が表すアルコキシル基
としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などが挙げられ、アルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブ
チルチオ基などが挙げられる。
としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などが挙げられ、アルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブ
チルチオ基などが挙げられる。
【００１３】酸としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、リ
ン酸などの無機酸；ｐ−トルエンスルホン酸、メタンス
ルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオ
ロ酢酸などの有機酸が挙げられる。酸の使用量は、ヒド
ロキシルアミンに対して１〜５モル倍の範囲であるのが
好ましい。
ン酸などの無機酸；ｐ−トルエンスルホン酸、メタンス
ルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオ
ロ酢酸などの有機酸が挙げられる。酸の使用量は、ヒド
ロキシルアミンに対して１〜５モル倍の範囲であるのが
好ましい。
【００１４】ヒドロキシルアミンの使用量は、３−ホル
ミルチオフェン誘導体（Ｉ）に対し、０．１〜１０モル
倍の範囲であるのが好ましく、反応を円滑に進行させる
観点からは１〜１．５モル倍の範囲であるのがより好ま
しい。
ミルチオフェン誘導体（Ｉ）に対し、０．１〜１０モル
倍の範囲であるのが好ましく、反応を円滑に進行させる
観点からは１〜１．５モル倍の範囲であるのがより好ま
しい。
【００１５】また、ヒドロキシルアミンは無機酸の塩ま
たは有機酸の塩の形態で用いることができる。このよう
なヒドロキシルアミン塩としては、例えばヒドロキシル
アミン塩酸塩（Ｈ2ＮＯＨ・ＨＣｌ）、ヒドロキシルア
ミン硫酸塩（（Ｈ2ＮＯＨ）2・Ｈ2ＳＯ4）、ヒドロキシ
ルアミン硝酸塩（Ｈ2ＮＯＨ・ＨＮＯ3）などの、ヒドロ
キシルアミンと上記した無機酸とからなる塩；ヒドロキ
シルアミン・ｐ−トルエンスルホン酸塩、ヒドロキシル
アミン・メタンスルホン酸塩、ヒドロキシルアミン・ト
リフルオロメタンスルホン酸塩、ヒドロキシルアミン・
トリフルオロ酢酸塩などの、ヒドロキシルアミンと上記
した有機酸とからなる塩が挙げられる。ヒドロキシルア
ミンをかかる塩の形態で用いる場合、その塩を構成する
成分として含まれている酸が本発明の方法において必要
な酸としての役割を果たすので、上記した酸のさらなる
添加は必須ではない。また、ヒドロキシルアミンは上記
した塩の形態で用いることが、工業的な入手容易性、取
り扱いの容易性の観点から特に好ましい。
たは有機酸の塩の形態で用いることができる。このよう
なヒドロキシルアミン塩としては、例えばヒドロキシル
アミン塩酸塩（Ｈ2ＮＯＨ・ＨＣｌ）、ヒドロキシルア
ミン硫酸塩（（Ｈ2ＮＯＨ）2・Ｈ2ＳＯ4）、ヒドロキシ
ルアミン硝酸塩（Ｈ2ＮＯＨ・ＨＮＯ3）などの、ヒドロ
キシルアミンと上記した無機酸とからなる塩；ヒドロキ
シルアミン・ｐ−トルエンスルホン酸塩、ヒドロキシル
アミン・メタンスルホン酸塩、ヒドロキシルアミン・ト
リフルオロメタンスルホン酸塩、ヒドロキシルアミン・
トリフルオロ酢酸塩などの、ヒドロキシルアミンと上記
した有機酸とからなる塩が挙げられる。ヒドロキシルア
ミンをかかる塩の形態で用いる場合、その塩を構成する
成分として含まれている酸が本発明の方法において必要
な酸としての役割を果たすので、上記した酸のさらなる
添加は必須ではない。また、ヒドロキシルアミンは上記
した塩の形態で用いることが、工業的な入手容易性、取
り扱いの容易性の観点から特に好ましい。
【００１６】本発明は、非プロトン性極性溶媒の存在下
に行う。非プロトン性極性溶媒としては、例えばＮ−メ
チルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ヘキサメチルリン酸トリアミドなどが挙げら
れ、これらの中でもＮ−メチルピロリドン、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンが好ましい。非プロトン
性極性溶媒の使用量に特に制限はないが、通常３−ホル
ミルチオフェン誘導体（Ｉ）に対して０．１〜２００重
量倍の範囲が好ましく、反応を円滑に進行させる観点か
ら、１〜２０重量倍の範囲がより好ましい。
に行う。非プロトン性極性溶媒としては、例えばＮ−メ
チルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ヘキサメチルリン酸トリアミドなどが挙げら
れ、これらの中でもＮ−メチルピロリドン、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノンが好ましい。非プロトン
性極性溶媒の使用量に特に制限はないが、通常３−ホル
ミルチオフェン誘導体（Ｉ）に対して０．１〜２００重
量倍の範囲が好ましく、反応を円滑に進行させる観点か
ら、１〜２０重量倍の範囲がより好ましい。
【００１７】反応温度は、２０℃から使用する溶媒の沸
点の範囲が好ましく、反応を円滑に進行させる観点から
は５０℃から使用する溶媒の沸点の範囲がより好まし
い。
点の範囲が好ましく、反応を円滑に進行させる観点から
は５０℃から使用する溶媒の沸点の範囲がより好まし
い。
【００１８】反応は、３−ホルミルチオフェン誘導体
（Ｉ）、ヒドロキシルアミン、酸および非プロトン性極
性溶媒を混合し、所定温度で攪拌して行うか、または３
−ホルミルチオフェン誘導体（Ｉ）、ヒドロキシルアミ
ンと酸からなる塩および非プロトン性極性溶媒を混合
し、所定温度で攪拌して行うのが好ましい。
（Ｉ）、ヒドロキシルアミン、酸および非プロトン性極
性溶媒を混合し、所定温度で攪拌して行うか、または３
−ホルミルチオフェン誘導体（Ｉ）、ヒドロキシルアミ
ンと酸からなる塩および非プロトン性極性溶媒を混合
し、所定温度で攪拌して行うのが好ましい。
【００１９】このようにして得られた３−シアノチオフ
ェン誘導体（ＩＩ）の単離・精製は、通常の有機化合物
の単離・精製において通常行われる操作と同様に行うこ
とができる。例えば、反応液に水を加え、酢酸エチル、
ジエチルエーテル、トルエンなどの有機溶媒で抽出し、
抽出液を濃縮して得られた粗生成物を蒸留、カラムクロ
マトグラフィーなどで精製する。また、反応液にトリエ
チルアミン、トリブチルアミン、アニリン、ピリジンな
どの塩基を加えて反応液中に存在する酸を中和し、この
反応液をそのまま蒸留することによって３−シアノチオ
フェン誘導体（ＩＩ）を分離することもできる。
ェン誘導体（ＩＩ）の単離・精製は、通常の有機化合物
の単離・精製において通常行われる操作と同様に行うこ
とができる。例えば、反応液に水を加え、酢酸エチル、
ジエチルエーテル、トルエンなどの有機溶媒で抽出し、
抽出液を濃縮して得られた粗生成物を蒸留、カラムクロ
マトグラフィーなどで精製する。また、反応液にトリエ
チルアミン、トリブチルアミン、アニリン、ピリジンな
どの塩基を加えて反応液中に存在する酸を中和し、この
反応液をそのまま蒸留することによって３−シアノチオ
フェン誘導体（ＩＩ）を分離することもできる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
【００２１】実施例１ 温度計、マグネチックスターラおよび滴下漏斗を装備し
た内容積５０ｍｌの３口フラスコに、３−ホルミルチオ
フェン５．６０ｇ（５０ｍｍｏｌ）とヒドロキシルアミ
ン塩酸塩３．８２ｇ（５５ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒とし
てＮ−メチルピロリドン２０ｍｌを加えた後、系内を窒
素置換し、１００℃に加熱して１時間攪拌した。反応液
の一部をとってガスクロマトグラフィー分析したとこ
ろ、３−ホルミルチオフェンは消失していた。反応液を
室温まで冷却し、これに酢酸エチル５０ｍｌと水５０ｍ
ｌを加えて抽出し、有機層と水層を分液した。水層を酢
酸エチル２０ｍｌを用いて３回抽出し、この抽出液を先
の有機層とあわせて水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナト
リウムにより乾燥後、減圧下に低沸成分を留去した。残
留物を蒸留操作により精製し、無色の液体として下記の
物性を有する３−シアノチオフェン４．９１ｇ（収率９
０％）を得た。
た内容積５０ｍｌの３口フラスコに、３−ホルミルチオ
フェン５．６０ｇ（５０ｍｍｏｌ）とヒドロキシルアミ
ン塩酸塩３．８２ｇ（５５ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒とし
てＮ−メチルピロリドン２０ｍｌを加えた後、系内を窒
素置換し、１００℃に加熱して１時間攪拌した。反応液
の一部をとってガスクロマトグラフィー分析したとこ
ろ、３−ホルミルチオフェンは消失していた。反応液を
室温まで冷却し、これに酢酸エチル５０ｍｌと水５０ｍ
ｌを加えて抽出し、有機層と水層を分液した。水層を酢
酸エチル２０ｍｌを用いて３回抽出し、この抽出液を先
の有機層とあわせて水５０ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナト
リウムにより乾燥後、減圧下に低沸成分を留去した。残
留物を蒸留操作により精製し、無色の液体として下記の
物性を有する３−シアノチオフェン４．９１ｇ（収率９
０％）を得た。
【００２２】沸点：８５−８６℃／２．６７ｋＰａ1 Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3，Ｔ
ＭＳ，ｐｐｍ）δ：７．９６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈ
ｚ），７．４３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０，５．８Ｈ
ｚ），７．３１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０，５．８Ｈｚ）
ＭＳ，ｐｐｍ）δ：７．９６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈ
ｚ），７．４３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０，５．８Ｈ
ｚ），７．３１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０，５．８Ｈｚ）
【００２３】実施例２ 実施例１において、溶媒としてＮ−メチルピロリドン２
０ｍｌの代わりに１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン２０ｍｌを用いた以外は実施例１と同様に反応を行
い、反応液の一部をとってガスクロマトグラフィー分析
したところ、９６％の反応収率で３−シアノチオフェン
が生成していた。反応液を室温まで冷却し、トリエチル
アミン６．０６ｇ（６０ｍｍｏｌ）を加えて室温で３０
分攪拌した後、この反応液を２．４〜２．７ｋＰａの減
圧下に蒸留し、８２〜８７℃の留分として３−シアノチ
オフェン５．０２ｇ（単離収率：９２％）を得た。
０ｍｌの代わりに１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノン２０ｍｌを用いた以外は実施例１と同様に反応を行
い、反応液の一部をとってガスクロマトグラフィー分析
したところ、９６％の反応収率で３−シアノチオフェン
が生成していた。反応液を室温まで冷却し、トリエチル
アミン６．０６ｇ（６０ｍｍｏｌ）を加えて室温で３０
分攪拌した後、この反応液を２．４〜２．７ｋＰａの減
圧下に蒸留し、８２〜８７℃の留分として３−シアノチ
オフェン５．０２ｇ（単離収率：９２％）を得た。
【００２４】実施例３ 実施例１において、ヒドロキシルアミン塩酸塩３．８２
ｇ（５５ｍｍｏｌ）の代わりにヒドロキシルアミン硫酸
塩４．３１ｇ（２６．３ｍｍｏｌ）を用い、反応時間を
１２時間に変更した以外は実施例１と同様に反応および
後処理を行い、３−ホルミルチオフェン４．６９ｇ（単
離収率：８６％）を得た。
ｇ（５５ｍｍｏｌ）の代わりにヒドロキシルアミン硫酸
塩４．３１ｇ（２６．３ｍｍｏｌ）を用い、反応時間を
１２時間に変更した以外は実施例１と同様に反応および
後処理を行い、３−ホルミルチオフェン４．６９ｇ（単
離収率：８６％）を得た。
【００２５】比較例１ 実施例１において、溶媒としてＮ−メチルピロリドン２
０ｍｌの代わりにピリジン２０ｍｌを用い、反応時間を
１２時間に変更した以外は実施例１と同様に反応・後処
理を行い、抽出液を濃縮して得られた残留物を酢酸エチ
ルから再結晶したところ、白色の３−ヒドロキシイミノ
チオフェン５．０８ｇ（単離収率：８０％）を得た。
０ｍｌの代わりにピリジン２０ｍｌを用い、反応時間を
１２時間に変更した以外は実施例１と同様に反応・後処
理を行い、抽出液を濃縮して得られた残留物を酢酸エチ
ルから再結晶したところ、白色の３−ヒドロキシイミノ
チオフェン５．０８ｇ（単離収率：８０％）を得た。
【００２６】
【発明の効果】医薬・農薬中間体として有用な３−シア
ノチオフェン誘導体を、収率よく、効率的に工業的に有
利に製造することができる。
ノチオフェン誘導体を、収率よく、効率的に工業的に有
利に製造することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素原子、ハロゲン原
子、アルコキシル基、アルキルチオ基または置換基を有
していてもよいアルキル基、アリール基もしくはアラル
キル基を表す。）で示される３−ホルミルチオフェン誘
導体を、非プロトン性極性溶媒中で、酸の存在下にヒド
ロキシルアミンと反応させることを特徴とする一般式
（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前記定義のとおりであ
る。）で示される３−シアノチオフェン誘導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044221A JP2001233873A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | ３−シアノチオフェン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000044221A JP2001233873A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | ３−シアノチオフェン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001233873A true JP2001233873A (ja) | 2001-08-28 |
Family
ID=18567021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000044221A Pending JP2001233873A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | ３−シアノチオフェン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001233873A (ja) |
-
2000
- 2000-02-22 JP JP2000044221A patent/JP2001233873A/ja active Pending
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