JP2001230311A - 静電チャック装置用接着剤組成物、該装置用シート及びそれを使用した静電チャック装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温長時間の熱履歴を受けた後でも十分な接
着力、吸着力を有し、さらに多数回のプラズマに対して
十分な耐久性を有する静電チャック装置用接着剤、静電
チャック装置及び静電チャック装置用シートを提供す
る。 【解決手段】 下記式（１）及び下記式（２）の構造単
位が配列したポリイミド樹脂とエポキシ樹脂を含有する
ことを特徴とする静電チャック装置用接着剤組成物。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、静電チャック装置
に用いる接着剤組成物、該装置用シート及びそれを使用
した静電チャック装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップを製造する産業では、チャッ
ク装置を用いて半導体ウエハーをエッチング装置に固定
し、真空中でエッチング加工を行いＩＣチップを製造す
る。該チャック装置の機構としては、機械式、真空式及
び静電式があり、中でも、静電チャック装置は、真空中
でも使用でき、ウエハーに多少の反りがあっても十分に
吸着でき、取り扱いが簡単である利点を有し、広く採用
されている。図１に静電チャック装置の一例の断面図を
示した。当該装置は金属基盤１とその上に積層された静
電チャック装置用シート２とからなり、該シートの上面
にウエハー３が載置される。そして当該静電チャック装
置用シート２は、吸着面を有する絶縁層４ａ、第１接着
剤層５ａ、電極層６、第２接着剤層５ｂ、中間絶縁層４
ｂ及び第３接着剤層５ｃから構成されている。なお、金
属基盤１内には恒温水等を通して温度調節するための調
温手段７が形成されている。

【０００３】このような静電チャック装置を構成する接
着剤層に使用される従来の接着剤組成物は、熱硬化型接
着剤、２液硬化型接着剤及び熱可塑性接着剤が使用され
ていた。例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリウレタン系樹脂及びアクリロニトリ
ル−ブタジエン共重合体等の樹脂を各々単独又は混合物
として用い、さらに熱伝導性を高めるために、アルミ
ナ、シリカ、窒化ホウ素等のフィラーを配合したものを
静電チャック装置用接着剤組成物として実用化されてい
た。一方、最近は半導体ウエハーの大型化及び生産効率
の向上にともないウエハー加工時のプラズマ処理温度が
高温化しているため、静電チャック装置用接着剤組成物
には従来よりもさらに高度な熱履歴後の接着力、絶縁破
壊電圧、加熱に起因するガス発生の防止、耐プラズマ性
等の品質要求が高まっている。このような背景にあっ
て、従来技術による前記静電チャック装置用接着剤組成
物はいずれも、当該品質要求を満足するものではなくそ
の改良を求められていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
み、従来技術による静電チャック装置用接着剤組成物が
有する問題を解決することを目的とし、特に熱履歴後の
接着力、絶縁破壊電圧、加熱に起因するガス発生の防
止、耐プラズマ性に優れた静電チャック装置用接着剤組
成物、該装置用シート及び静電チャック装置を提供する
ものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の静電チャック装
置用接着剤組成物は、下記式（１）及び下記式（２）の
構造単位が配列したポリイミド樹脂とエポキシ樹脂を含
有することを特徴とする。

【化４】 ［式中、Ｗは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン
基、−Ｏ−、−ＳＯ₂−、又は−ＣＯ−を表し、Ａｒは
芳香環を１〜４個有する２価の芳香族基を表し、Ｒ ¹及
びＲ⁶は炭素数１〜４のアルキレン基又は下記式（３）
で示される基を表し、

【化５】 （式中、Ａｌｋはケイ素原子に結合する炭素数１〜４の
アルキレン基を表す。）、Ｒ²〜Ｒ⁵は炭素数１〜４のア
ルキル基を表し、ｎは０〜３２の整数である。］

【０００６】本発明の第１の静電チャック装置用シート
は、吸着面を有する絶縁層、電極層及び請求項１〜５の
いずれかに記載の接着剤組成物からなる接着剤層が順次
積層されたことを特徴とする。本発明の第２の静電チャ
ック装置用シートは、吸着面を有する絶縁層、電極層、
第１接着剤層、中間絶縁層及び第２接着剤層が順次積層
されてなり、該第１及び第２接着剤層の少なくとも一方
が請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物からな
ることを特徴とする。本発明の第３の静電チャック装置
用シートは、吸着面を有する絶縁層、第１接着剤層、電
極層、第２接着剤層、中間絶縁層及び第３接着剤層が順
次積層されてなり、該第１、第２及び第３接着剤層の少
なくとも一方が請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤
組成物からなることを特徴とする。本発明の第１の静電
チャック装置は、金属基盤の上に、少なくとも吸着面を
有する絶縁層と電極層を含む静電チャック装置用シート
が積層されてなり、該金属基盤と電極層の層間及び電極
層と吸着面を有する絶縁層の層間のうちのいずれか一方
の層間に請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物
からなる接着剤層が設けられていることを特徴とする。
本発明の第２の静電チャック装置は、金属基盤の上に、
請求項６〜８いずれかに記載の静電チャック装置用シー
トが積層されてなることを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】まず、本発明の静電チャック装置
用接着剤組成物について説明する。該静電チャック装置
用接着剤組成物に使用する上記式（１）及び式（２）の
構造単位が配列したポリイミド樹脂は、例えば、下記式
（４）で示されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式
（５）で示される両末端にアミノ基を有するシロキサン
化合物と、下記式（６）で示されるジアミン化合物とを
重縮合させ、得られたポリアミック酸を閉環によりイミ
ド化することによって得ることができる。

【化６】 （式中、Ｗ、Ａｒ、Ｒ¹〜Ｒ⁶、ｎは前記したものと同一
のものを表す。） このようにして得られたポリイミド樹脂は、式（１）で
示される構造単位と式（２）で示される構造単位の割合
がモル比で１：９９〜９０：１０が好ましく、より好ま
しくは５：９５〜５０：５０である。

【０００８】次に原料として用いるテトラカルボン酸二
無水物と両末端にアミノ基を有するシロキサン化合物と
ジアミン化合物について説明する。前記式（４）で示さ
れるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、２，
３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、ビス（３、４−ジカルボキシフェニ
ル）メタン二無水物、ビス（３、４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物、ビス（３、４−ジカルボキシ
フェニル）スルホン二無水物、２，２−ビス（３、４−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、３，４，
３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−ビフタル酸二無水物等があげられる。

【０００９】前記式（５）で示される両末端にアミノ基
を有するシロキサン化合物としては、１，３−ビス（３
−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリ
ジメチルシロキサン（例えば、アミノプロピル末端のジ
メチルシロキサン４量体、８量体等）、１，３−ビス
（３−アミノフェノキシメチル）−１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノフ
ェノキシメチル）ポリジメチルシロキサン、１，３−ビ
ス（２−（３−アミノフェノキシ）エチル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（２
−（３−アミノフェノキシ）エチル）ポリジメチルシロ
キサン、１，３−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）
プロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、α，ω−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）プロ
ピル）ポリジメチルシロキサン等があげられる。上記の
シロキサン化合物において、ポリシロキサンの場合は平
均重合度が２〜３１、好ましくは２〜１６のものが使用
される。

【００１０】前記式（６）で示されるジアミン化合物
は、Ａｒ基に芳香環を１〜４個有するジアミン化合物
で、例えば、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、
３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノジフェニルメタン、１，３−ビス［１−（３−アミ
ノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−
ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチ
ル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（３−アミノフェニ
ル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１
−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼ
ン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，
３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテ
ル、３，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルエーテル、３，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）
ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，３’−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，３’−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２
−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス［３−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，
２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、
９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、９，
９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、３，３’
−ジアミノ−２，２’，４，４’−テトラメチルジフェ
ニルメタン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，４’
−テトラエチルジフェニルメタン、３，３’−ジアミノ
−２，２’，４，４’−テトラプロピルジフェニルメタ
ン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，４’−テトラ
イソプロピルジフェニルメタン、３，３’−ジアミノ−
２，２’，４，４’−テトラブチルジフェニルメタン、
３，４’−ジアミノ−２，３’，４，５’−テトラメチ
ルジフェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，３’，
４，５’−テトラエチルジフェニルメタン、３，４’−
ジアミノ−２，３’，４，５’−テトラプロピルジフェ
ニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，３’，４，５’
−テトライソプロピルジフェニルメタン、３，４’−ジ
アミノ−２，３’，４，５’−テトラブチルジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５，５’−テトラエチルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラプロ
ピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトライソプロピルジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
ブチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’−ジエチル−５，５’−ジメチルジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジ
フェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，
５’−テトラメトキシジフェニルメタン、４，４’−ジ
アミノ−３，３’，５，５’−テトラエトキシジフェニ
ルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−
テトラプロポキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミ
ノ−３，３’，５，５’−テトライソプロポキシジフェ
ニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’
−テトラブトキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミ
ノ−３，３’−ジメトキシジフェニルメタン、４，４’
−ジアミノ−３，３’−ジエトキシジフェニルメタン等
の後述するＡｒ¹で示されるジアミン化合物及び２，５
−ジヒドロキシ−ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−
ジヒドロキシ−４、４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，３’−ジヒドロキシ−３、４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３’−ジヒドロキシ−４、４’−
ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジヒドロキシ−
４、４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジヒ
ドロキシ−４、４’−ジアミノジフェニルスルホン、
４，４’−ジヒドロキシ−３、３’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、２、２’−ビス［３−ヒドロキシ−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス
［３−ヒドロキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］メタン、３，３’−ジカルボキシ−４、４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、４，３’−ジカルボキシ−
３、４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジ
カルボキシ−４、４’−ジアミノベンゾフェノン、３，
３’−ジカルボキシ−４、４’−ジアミノジフェニルメ
タン、３，３’−ジカルボキシ−４、４’−ジアミノジ
フェニルスルホン、４，４’−ジカルボキシ−３、３’
−ジアミノジフェニルスルホン、２、２’−ビス［３−
カルボキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］
プロパン、ビス［３−カルボキシ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］メタン等の後述するＡｒ²で示さ
れるジアミン化合物があげられる。これらのジアミン化
合物は２種以上を併用してもよい。

【００１１】なお、前記Ａｒ基に芳香環を１〜４個有す
るジアミン化合物の中でも、Ａｒ基が下記式（７）で示
される構造を有するジアミン化合物が好ましい。

【化７】 （式中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、同一でも異なって
いてもよく、それぞれ水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基又はアルコキシ基を示すが、これら全ての基が同時
に水素原子であることはない。）

【００１２】本発明に使用するポリイミド樹脂を得る方
法を詳述する。具体的には、上記テトラカルボン酸二無
水物と、両末端にアミノ基を有するシロキサン化合物
と、ジアミン化合物とを溶媒存在下で−２０〜１５０
℃、好ましくは０〜６０℃の温度で数十分間ないし数日
間反応させてポリアミック酸を生成させ、さらにイミド
化することにより製造することができる。溶媒として
は、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド系溶媒、ジ
メチルスルホキシド、ジメチルスルホン等の硫黄含有溶
媒、フェノール、クレゾール、キシレノール等のフェノ
ール系溶媒、アセトン、テトラヒドロフラン、ピリジ
ン、テトラメチル尿素等をあげることができる。

【００１３】前記ポリアミック酸をイミド化する方法と
しては、加熱により脱水閉環させる方法及び脱水閉環触
媒を用いて化学的に閉環させる方法がある。加熱により
脱水閉環させる場合、反応温度は１５０〜４００℃、好
ましくは１８０〜３５０℃であり、反応時間は数十分〜
数日間、好ましくは２時間〜１２時間である。化学的に
閉環させる場合の脱水閉環触媒としては、酢酸、プロピ
オン酸、酪酸、安息香酸等の酸無水物があり、閉環反応
を促進させるピリジン等を併用することが好ましい。該
触媒の使用量はジアミン総量の２００モル％以上、好ま
しくは３００〜１０００モル％である。このようにして
得られたポリイミド樹脂は、その数平均分子量が５，０
００〜５００，０００であることが好ましく、より好ま
しくは５，０００〜１００，０００である。数平均分子
量はゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）にて測定しポリスチレンを標準とした。

【００１４】また、前記式（２）で示される構造単位の
ポリイミドは、下記式（２−１）及び下記式（２−２）
で示される構造単位からなることが好ましい。すなわ
ち、本発明には前記式（１）で示される構造単位、下記
式（２−１）で示される構造単位及び下記式（２−２）
で示される構造単位が配列してなるポリイミドを用いる
ことで均一な可とう性を有する接着層が得られ、かつ耐
熱性も良好になるので好ましい。

【化８】 （式中、Ｗは前記と同じを示し、Ａｒ¹は芳香環を１〜
４個有する２価の芳香族基を表し、Ａｒ²は１個又は２
個の水酸基又はカルボキシル基を有する芳香環を１〜４
個有する２価の芳香族基を表わす。但し、Ａｒ¹とＡｒ²
とは異なるものである。） 中でも、Ａｒ¹としては下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で示
される２価の芳香族基が望ましい。

【化９】 （式中、Ｘは直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、
−Ｏ−、−ＳＯ₂−又は−ＣＯ−を意味する。Ｙは炭素
数１〜４のアルキレン基を意味する。Ｚ¹又はＺ²は、そ
れぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基又は炭素数１〜４のアルコキシ基を意味する。） 上記式（２−１）で示される構造単位は、前記式（４）
で示されるテトラカルボン酸二無水物及び下記式（６−
１）で示されるジアミン化合物を用いて、前記したポリ
イミドの合成方法と同様にして得ることができる。ま
た、上記式（２−２）で示される構造単位は、前記テト
ラカルボン酸二無水物及び下記式（６−２）で示される
ジアミン化合物を用いて、前記したポリイミドの合成方
法と同様にして得ることができる。

【化１０】 （式中、Ａｒ¹及びＡｒ²は前記と同じを示す。）

【００１５】また、本発明に使用する請求項３のポリイ
ミド樹脂は少なくとも２種のポリイミド樹脂からなり、
その一方のポリイミド樹脂は式（１）で示される構造単
位、式（２−１）で示される構造単位及び式（２−２）
で示される構造単位が配列してなる反応性ポリイミドで
あり、他方のポリイミド樹脂は式（１）で示される構造
単位及び式（２−１）で示される構造単位が配列してな
るポリイミド樹脂であることがより好ましい。このよう
に少なくとも２種のポリイミド樹脂からなる構成をとる
ことでさらに均一な可とう性を有する接着層が得られ、
かつ耐熱性も良好になる。この時、反応性ポリイミドと
他のポリイミド樹脂とはガラス転移温度（Ｔｇ）が異な
ることが好ましい。ガラス転移温度が２０℃以上異なる
場合は、接着温度を下げることができるのでより好まし
い。なお、ガラス転移温度はオリエンテック社のレオバ
イブロン（Ｍｏｄｅｌ：ＤＤＶ−０１／２５ＦＰ）によ
り測定した。測定条件はサンプル長×幅：５×０．２ｃ
ｍ、厚さ約５０μｍ、測定温度２５〜３００℃、昇温速
度３℃／分、で１１０Ｈｚの合成波を与えて測定し、ｔ
ａｎδの最大値とした。

【００１６】そして、前記反応性ポリイミドにおける式
（１）で示される構造単位と、式（２−１）及び式（２
−２）で示される構造単位との割合がモル比で５：９５
〜５０：５０の範囲であり、かつ式（２−１）で示され
る構造単位と式（２−２）で示される構造単位との割合
がモル比で１：９９〜９９：１の範囲であることが好ま
しく、５：９５〜９５：５であればより好ましい。

【００１７】前記ガラス転移温度の異なるポリイミド樹
脂の配合割合は、低Ｔｇのポリイミド樹脂１００重量部
に対して、他方（高Ｔｇ）のポリイミド樹脂が２５〜４
００重量部の範囲にあることが好ましい。また、上記反
応性ポリイミド樹脂は、全ポリイミド樹脂中に１０重量
％以上含有させることが好ましく、より好ましくは１５
〜８５重量％、さらに好ましくは２５〜７５重量％であ
る。

【００１８】本発明の接着剤組成物に使用できるエポキ
シ樹脂は、エポキシ基を分子中に１以上有する樹脂であ
れば使用できる。例えば、ビスフェノール型、フェノー
ルノボラック型、クレゾールノボラック型、グリシジル
エーテル型、グリシジルエステル型、グリシジルアミン
型、トリヒドロキシフェニルメタン型、テトラグリシジ
ルフェノールアルカン型、ナフタレン型、ジグリシジル
ジフェニルメタン型、ジグリシジルビフェニル型等の２
官能又は多官能エポキシ樹脂があげられるが、中でもビ
スフェノール型が好ましく、より好ましくはビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂である。なお、エポキシ樹脂は２
種以上を併用して用いることも好ましい態様である。該
エポキシ樹脂のエポキシ当量（ｇ／ｅｑ．）は１２０〜
２５００が好ましく、さらに好ましくは１５０〜１００
０である。

【００１９】本発明の接着剤組成物には、前記したポリ
イミド樹脂及びエポキシ樹脂のほかに、第３の樹脂成分
としてフェノール樹脂を使用することが好ましい。フェ
ノール樹脂を含有させることにより接着剤の耐熱性がさ
らに良好なものとなる。フェノール樹脂としては、アル
キルフェノール樹脂、ｐ−フェニルフェノール樹脂、ビ
スフェノールＡ型フェノール樹脂等のノボラックフェノ
ール樹脂及びレゾールフェノール樹脂、ポリフェニルパ
ラフェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂があげられ
る。特にノボラックフェノール樹脂が好ましく使用され
る。

【００２０】エポキシ樹脂の配合割合は、全ポリイミド
樹脂１００重量部に対して、エポキシ樹脂５〜３００重
量部が好ましく、より好ましくは１０〜１５０重量部、
さらに好ましくは２０〜１００重量部である。エポキシ
樹脂が５重量部未満では耐熱性が低く、３００重量部よ
り多いと硬化後の接着剤のフレキシビリティーがなくな
る。フェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂１００
重量部に対して５〜１５０重量部が好ましく、より好ま
しくは５〜１００重量部、さらに好ましくは１０〜１０
０重量部である。更に上記以外の成分として、マレイミ
ド化合物等の硬化成分を併用することもできる。

【００２１】本発明の静電チャック装置用接着剤組成物
には、所望により、エポキシ樹脂用の硬化剤及び硬化促
進剤を含有させることができる。例えば、イミダゾール
類、第３アミン類、フェノール類、ジシアンジアミド
類、芳香族ジアミン類、有機過酸化物等をあげることが
できる。また、該接着剤組成物には有機及び／又は無機
充填材を含有させてもよい。有機及び／又は無機充填材
については、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ
素等は、絶縁性及び熱伝導性付与の目的で、銀、銅、ニ
ッケル等の金属粉末は熱伝導性付与の目的で、また、酸
化チタン、炭酸カルシウム、シリカ、酸化亜鉛、酸化マ
グネシウム等は、誘電特性、熱膨張率、粘弾性、タック
性の調整の目的で含有させることができる。これらの好
ましい含有量は、接着剤樹脂全固型分の１〜７０重量％
の範囲であり、より好ましくは５〜５０重量％の範囲で
ある。上記した各成分を前記溶媒に溶解／分散して塗料
化することで本発明の接着剤組成物を得ることができ
る。

【００２２】次に本発明の静電チャック装置用シートに
ついて説明する。本発明の第１の静電チャック装置用シ
ートは、請求項６で特定するとおり、吸着面を有する絶
縁層、電極層及び接着剤層が順次積層された構成を有す
る。具体的には、例えば、吸着面を有する絶縁層にポリ
イミドフィルムを用い、該ポリイミドフィルムの片面に
蒸着、スパッタリング又はメッキ等の手段を用いて金属
薄膜を形成し、エッチング等の手段で所定の形状の電極
層を形成した後、接着剤層として本発明の請求項１〜５
いずれかに記載の接着剤組成物層を積層して、本発明の
静電チャック装置用シートが得られる。次いで、該シー
トの接着剤層と金属基盤とを貼り合わせて本発明の静電
チャック装置が得られる。

【００２３】本発明の第２の静電チャック装置用シート
は、請求項７で特定するとおり、吸着面を有する絶縁
層、電極層、第１接着剤層、中間絶縁層及び第２接着剤
層が順次積層された構成であり、該第１及び第２接着剤
層の少なくとも一方が請求項１〜５いずれかに記載の接
着剤組成物からなる。具体的には、例えば、前記第１の
静電チャック装置用シートの製法に準じて吸着面を有す
る絶縁層上に電極層を形成し、その上に第１接着剤層を
積層する。次に該第１の接着剤層面と、片面に第２接着
剤層を形成した中間絶縁層としてのポリイミドフィルム
のポリイミドフィルム面とを貼り合わせて本発明の静電
チャック装置用シートが得られる。次いで、該シートの
第２接着剤層と金属基盤とを貼り合わせて本発明の静電
チャック装置が得られる。

【００２４】本発明の第３の静電チャック装置用シート
は、請求項８で特定するとおり、吸着面を有する絶縁
層、第１接着剤層、電極層、第２接着剤層、中間絶縁層
及び第３接着剤層が順次積層された構成であり、該第
１、第２及び第３接着剤層の少なくとも一方が請求項１
〜５のいずれかに記載の接着剤組成物からなる。具体的
には、例えば、吸着面を有する絶縁層にポリイミドフィ
ルムを用い該ポリイミドフィルムの片面に第１接着剤層
を積層して銅箔を貼り合わせ、エッチング等の手段で所
定の形状の電極層を形成した後、該電極層と中間絶縁層
としてのポリイミドフィルムの片面に形成した第２接着
剤層と貼り合わせる。次いで、前記中間絶縁層としての
ポリイミドフィルムの他面（ポリイミドフィルム面）に
第３接着剤層を積層して本発明の静電チャック装置用シ
ートが得られる。次いで、該シートの第３接着剤層と金
属基盤とを貼り合わせて本発明の静電チャック装置が得
られる。上記のようにして、また、必要に応じて接着剤
層の硬化処理を行い本発明の静電チャック装置用シート
が得られる。

【００２５】次に、本発明の静電チャック装置について
説明する。本発明の静電チャック装置の第１のものは、
金属基盤の上に、少なくとも吸着面を有する絶縁層と電
極層を含む静電チャック装置用シートが積層されてな
り、該金属基盤と電極層の層間及び電極層と吸着面を有
する絶縁層の層間のうちのいずれか一方の層間に請求項
１〜５に記載の接着剤組成物からなる接着剤層が設けら
れていることを特徴とする。本発明の静電チャック装置
の第２のものは、金属基盤の上に、前記静電チャック装
置用シートが積層されてなることを特徴とする。以下、
本発明の静電チャック装置用シート及び静電チャック装
置を構成する材料について説明する。本発明の静電チャ
ック装置に用いる金属基盤は、プラズマに侵されない材
質であれば使用できる。例えば、アルミニウムを基材と
して、表面にセラミック溶射、アルマイト処理等の表面
処理を施したものが好ましく使用される。なお、該金属
基盤には恒温水などを通す調温手段、ウエハー冷却用ガ
スを通すガス孔及び電極に電圧を印加する手段等を必要
に応じて加工することが好ましい。電極層は電圧を印加
した際に吸着力を発生できる導電性の材質であれば使用
できる。導電性の材質として、金属の薄膜が好ましく、
具体的には、蒸着、メッキ又はスパッタリング等で形成
した金属薄膜、銅箔等の金属箔、導電性ペーストで形成
した薄層等である。これらに使用することが好ましい金
属材は、銅、アルミニウム、金、銀、白金、クロム、ニ
ッケル、タングステンなどがあげられる。特に、蒸着、
メッキ又はスパッタリング等で形成した金属薄膜、銅箔
等の金属箔は前述した静電チャック装置用シートの作製
に好適である。

【００２６】吸着面を有する絶縁層は、吸着物と電極間
の絶縁を維持できる材質であれば使用できる。該絶縁層
は薄いものが吸着力を強めることができるため好まし
い。また、吸着面は平坦で耐久性があるものが好まし
い。さらにまた、ガス孔等の加工が容易であることが好
ましい。これらの望ましい特性を満足するポリイミドフ
ィルム及び／又はセラミック薄板が絶縁層の好ましい材
質である。セラミック薄板は具体的にはアルミナ、窒化
ケイ素、炭化珪素又は窒化アルミ製が好ましい。絶縁層
の好ましい厚さはポリイミドフィルムでは１０〜１２５
μｍ、より好ましくは２０〜７５μｍである。セラミッ
ク薄板は０．０５〜１．０ｍｍ、より好ましくは０．１
〜０．５ｍｍである。この金属基盤と吸着面を有する絶
縁層との間に請求項１〜５に記載の接着剤組成物を用い
て静電チャック装置を作製する。具体的には、金属基盤
と電極層間又は電極層と吸着面を有する絶縁層間に用い
ることが好ましい。なお、静電チャック装置の作製にあ
たっては、必要に応じて接着剤層の硬化処理を行って該
装置を作製する。なお、前記静電チャック装置用シート
の金属基盤側と貼り合わせる面に接着剤層が露出する場
合は、必要に応じて接着剤層に保護フィルムを積層する
ことができる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に
説明する。 （合成例１）＜式（１）及び式（２−１）構造単位から
なるポリイミド樹脂Ａ＞ 攪拌機を備えたフラスコに、３，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル１０．３３ｇ（５２ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノフェノキシメチル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン１８．２３ｇ（４８ミリモ
ル）、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物３２．２２ｇ（１００ミリモル）および
Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３００ｍｌを氷
温下導入し、１時間攪拌を続けた。次いで、得られた溶
液を窒素雰囲気下、室温で３時間反応させてポリアミッ
ク酸を合成した。得られたポリアミック酸溶液に、トル
エン５０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸１．０ｇを加
え、１６０℃に加熱した。トルエンと共沸してきた水を
分離しながら３時間イミド化反応を行った。トルエンを
留去し、得られたポリイミドワニスをメタノール中に注
ぎ、得られた沈殿を分離し、粉砕、洗浄、乾燥させる工
程を経ることにより、ポリイミド５４．３ｇ（収率９５
％）を得た。このポリイミドについて、赤外吸収スペク
トルを測定したところ、１７１８及び１７８３ｃｍ^-1に
イミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラス
転移温度及び熱分解開始温度を測定し、表１に示した。

【００２８】（合成例２）＜式（１）、式（２−１）及
び式（２−２）構造単位からなる反応性ポリイミド樹脂
ａ＞ ２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン１６．１０ｇ（３９ミリモル）、３，３’
−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン
１．２５ｇ（５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノ
フェノキシメチル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン２１．２５ｇ（５６ミリモル）、３，４，
３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
３２．２２ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍ
ｌを用いて、合成例１と同様の方法で反応性ポリイミド
６２．５ｇ（収率９３％）を得た。このポリイミドにつ
いて、赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８
及び１７８３ｃｍ^-1にイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定し、表１に示した。

【００２９】（合成例３）＜式（１）及び式（２−１）
構造単位からなるポリイミド樹脂Ｂ＞ ２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３３．６５ｇ（８２ミリモル）、アミノプ
ロピル末端のジメチルシロキサン８量体１３．８４ｇ
（１８ミリモル）、２，３，３’，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で反応性ポリイミド６７．４ｇ（収率９２％）を得
た。このポリイミドについて、赤外吸収スペクトルを測
定したところ、１７１８及び１７８３ｃｍ^-1にイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
及び熱分解開始温度を測定し、表１に示した。

【００３０】（合成例４）＜式（１）、式（２−１）及
び式（２−２）構造単位からなる反応性ポリイミド樹脂
ｂ＞ ２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．３８ｇ（７４ミリモル）、３，３’
−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン
２．３５ｇ（８ミリモル）、アミノプロピル末端のジメ
チルシロキサン８量体１３．８４ｇ（１８ミリモル）、
２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物２９．４２ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で反応性ポリイミ
ド６７．８ｇ（収率９４％）を得た。このポリイミドに
ついて、赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１
８及び１７８３ｃｍ^-1にイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定し、表１に示した。

【００３１】（合成例５）＜式（１）、式（２−１）及
び式（２−２）構造単位からなる反応性ポリイミド樹脂
ｃ＞ ２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．３８ｇ（７４ミリモル）、３，３’
−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン
１．１２ｇ（４ミリモル）、アミノプロピル末端のジメ
チルシロキサン８量体１６．８５ｇ（２２ミリモル）、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍ
ｌを用いて、合成例１と同様の方法で反応性ポリイミド
７５．０ｇ（収率９３％）を得た。このポリイミドにつ
いて、赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８
及び１７８３ｃｍ^-1にイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定し、表１に示した。

【００３２】

【表１】

【００３３】実施例１ ポリイミド樹脂Ａ２５重量部、反応性ポリイミド樹脂ａ
２５重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェルエポキシ社製、商品名：エピコート１００１）２５
重量部、ｐ−ｔ−ブチル型フェノール樹脂（昭和高分子
社製、商品名：ＣＫＭ２４３２）２５重量部、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール０．１重量部をテトラヒド
ロフラン（以下、ＴＨＦと略す。）に溶解して樹脂固型
分４０重量％の本発明の静電チャック装置用接着剤組成
物を調製した。

【００３４】実施例２ ポリイミド樹脂Ａ２５重量部を４０重量部に、反応性ポ
リイミド樹脂ａ２５重量部を１０重量部に代えた以外
は、実施例１と同様にして本発明の静電チャック装置用
接着剤組成物を調製した。

【００３５】実施例３ 反応性ポリイミドａを反応性ポリイミドｂに代えた以外
は、実施例１と同様にして本発明の静電チャック装置用
接着剤組成物を調製した。

【００３６】実施例４ 反応性ポリイミド樹脂ａを反応性ポリイミド樹脂ｃに代
えた以外は、実施例１と同様にして本発明の静電チャッ
ク装置用接着剤組成物を調製した。

【００３７】実施例５ ポリイミド樹脂Ａ２５重量部、ポリイミド樹脂Ｂ１０重
量部、反応性ポリイミド樹脂ｂ１５重量部、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、商品
名：エピコート１００１）２５重量部、ｐ−ｔ−ブチル
型フェノール樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２
４３２）２５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール０．１重量部をＴＨＦに溶解して樹脂固型分４０重
量％の本発明の静電チャック装置用接着剤組成物を調製
した。

【００３８】実施例６ ポリイミド樹脂Ａ５０重量部、ビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、商品名：エピコー
ト１００１）１５重量部、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（日本化薬社製、商品名：ＥＯＣＮ−４４０
０）１０重量部、ｐ−ｔ−ブチル型フェノール樹脂（昭
和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４３２）２５重量部、
２−エチル−４−メチルイミダゾール０．１重量部をＴ
ＨＦに溶解して樹脂固型分４０重量％の本発明の静電チ
ャック装置用接着剤組成物を調製した。

【００３９】比較例１ ポリアミド樹脂（日本リルサン社製、商品名：プラタボ
ンダＭ−９９５）５０重量部、ビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、商品名：エピコー
ト１００１）２５重量部、ｐ−ｔ−ブチル型フェノール
樹脂（昭和高分子社製、商品名：ＣＫＭ２４３２）２５
重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール０．１重
量部をＴＨＦに溶解して樹脂固型分４０重量％の比較用
の接着剤組成物を調製した。

【００４０】比較例２ ポリアミド樹脂をカルボキシル基を有するアクリロニト
リル−ブタジエンゴム（日本合成ゴム社製、商品名：Ｐ
ＮＲ−１Ｈ）に代えた以外は比較例１と同様にして比較
用の接着剤組成物を調製した。

【００４１】（１）接着剤組成物の評価 （接着力）厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興
産社製、商品名：ユーピレックス２５Ｓ）の一面に実施
例１〜６及び比較例１、２で得られた接着剤組成物溶液
を、塗工、１３０℃で５分間乾燥して厚さ２０μｍの半
硬化状態の接着剤層を形成し、接着シートを得た。 ・アルミニウム板との接着力：上記で得られた接着シー
トを５ｍｍ幅にスリットした後アルミニウム板に貼着
し、１５０℃で６０分間加熱して硬化接着させ、放冷し
た。次いでアルミニウム板と接着剤層間の９０゜ピール
強度（接着力）を測定し、表２に示した。 ・セラミック板との接着力：アルミニウム板をアルミナ
セラミック板に代えた以外は上記と同様にして、アルミ
ナセラミック板と接着剤層間の９０゜ピール強度（接着
力）を測定し、表２に示した。 ・熱履歴後の接着力：上記接着テープが硬化接着したア
ルミニウム板及びセラミック板を真空乾燥機中に２００
℃で１０００時間放置し、放冷した後に９０゜ピール強
度（接着力）を測定し、表２に示した。

【００４２】

【表２】 表２から明らかなとおり本発明による実施例１〜６の接
着剤組成物は、アルミニウム板及びセラミック板との接
着力が良好であることが確認された。特に熱履歴を受け
た後における接着力の維持が顕著であった。それに対し
て比較例１及び２の接着剤組成物は熱履歴を受けた後で
は接着力が大きく低下した。

【００４３】（絶縁性）接着力の評価で作製した接着シ
ートをアルミニウム板に貼着した後、上記条件で硬化接
着させ、放冷した。該アルミニウム板と接着剤層を介し
て接着されたポリイミドフィルム間に電圧を印加し、絶
縁破壊を起こす電圧を測定し結果を表３に示した。

【００４４】（熱重量減少率）厚さ３８μｍのポリエチ
レンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略す。）フィルム
の剥離処理面に実施例及び比較例で得られた接着剤組成
物溶液を、塗工し、１５０℃で６０分間乾燥して厚さ２
０μｍの硬化状態の接着剤層を形成した。該ＰＥＴフィ
ルムを剥離し、硬化接着剤層を粉砕して試料を作製し
た。得られた試料を熱重量分析計（ＴＧＡ）にて窒素雰
囲気中で２０〜３００℃の熱重量減少率を測定し、結果
を表３に示した。なお、昇温速度は１０℃／分である。

【００４５】

【表３】 表３から明らかなとおり実施例１〜６の接着剤組成物は
絶縁破壊電圧が２３０ｋＶ／ｍｍ以上であるのに対し、
比較例１及び２の接着剤組成物の絶縁破壊電圧は１９０
ｋＶ／ｍｍ以下であり、本発明の接着剤組成物は絶縁性
に優れていることがわかる。また、３００℃までの熱重
量減少率は実施例１〜６の接着剤組成物が０．４重量％
以下であるのに対し、比較例１及び２の接着剤組成物は
１．９重量％以上であり、本発明の接着剤組成物は高温
での分解物が少ないことがわかる。

【００４６】（２）静電チャック装置の作製 （静電チャック用シートの作製）厚さ５０μｍのポリイ
ミドフィルム（東レデュポン社製、商品名：カプトン２
００Ｈ）からなる第１の絶縁層に、実施例１の組成の接
着剤組成物溶液を乾燥後の厚さが１０μｍになるように
塗布し、１５０℃で乾燥し、接着剤層を半硬化状態とし
た。次いで、電解銅箔（１／２ OＺ）を貼り合わせ、４
０〜１６０℃までのステップキュアー処理を２４時間行
い、ネガ型感光性フィルムを、銅箔側に貼り合わせた。
露光−現像−エッチング−洗浄−乾燥の手順により、電
極層を所定の形状に形成した。一方、厚さ２５μｍのポ
リイミドフィルム（宇部興産社製、商品名：ユーピレッ
クス２５Ｓ）の一面に、上記と同様にして実施例１の接
着剤組成物溶液を塗布し、半硬化状態とした。この接着
剤層を上記で形成された電極層上に向かい合うように貼
り合わせて積層シートを得た。得られた積層シート全体
の厚さは１３０μｍであった。この積層シートの厚さ２
５μｍのポリイミドフィルム面に実施例１の接着剤層を
乾燥後の厚さ４０μｍに形成し、保護フィルムを貼着し
た後、金属基盤の形状に合わせて成形加工を行い、本発
明の静電チャック装置用シート１Ａを作製した。 （静電チャック装置の作製）金属基盤上に、実施例１の
接着剤組成物層を積層し、上記静電チャック装置用用シ
ートの厚さ２５μｍのポリイミドフィルム側の保護フィ
ルムを剥がして貼り合わせ、接着剤層の硬化処理を行っ
て、図１に示す構造の本発明の静電チャック装置１Ｂ
（直径８インチ）を作製した。上記実施例１の接着剤組
成物溶液を実施例２〜６及び比較例１〜２に代えた以外
は上記と同様にして本発明の静電チャック装置用シート
２Ａ〜６Ａ、比較用の静電チャック装置用シート１ａ〜
２ａ、本発明の静電チャック装置２Ｂ〜６Ｂ及び比較用
の静電チャック装置１ｂ〜２ｂを作製した。

【００４７】（３）静電チャック装置の評価 （吸着力） ・熱履歴前の吸着力：上記で作製した本発明の静電チャ
ック装置１Ｂ〜６Ｂ及び比較用の静電チャック装置１ｂ
〜２ｂを真空チャンバー内に設置し、吸着面（厚さ５０
μｍのポリイミドフィルム面）にシリコンウエハーを載
置した後、所定の真空度とした。次いで電極に所定の電
圧（２ｋＶ）を印加してウエハーを吸着させ、一定流量
のＨｅガスを金属基盤のガス導入孔を通して吸着面とウ
エハー間に供給し、Ｈｅガスの供給圧力（バックプレッ
シャー）をモニターした。Ｈｅガス供給開始から２分後
の供給圧力を読みとり、表４に示した。 ・熱履歴後の吸着力：上記で作製した本発明の静電チャ
ック装置１Ｂ〜６Ｂ及び比較用の静電チャック装置１ｂ
〜２ｂを真空乾燥機中で２００℃で１０００時間放置
し、放冷した後に上記と同様にしてＨｅガスの供給圧力
を読みとり、表４に示した。

【００４８】（耐プラズマ性）本発明の静電チャック装
置１Ｂ〜６Ｂ及び比較用の静電チャック装置１ｂ〜２ｂ
を静電チャック装置を試験用プラズマエッチング装置に
設置し、吸着面にダミーウエハーを載置して１０Ｐａ以
下の高真空下で、Ａｒガス圧力１２Ｐａ、周波数１３．
５６ＭＨｚ、高周波出力８０Ｗでプラズマを発生させ、
プラズマの発生状態を１０分間保持した後に休止する操
作を行い、再度１０分間プラズマを発生させる操作を５
０回繰り返した。終了後に静電チャック装置用シート部
分の端面（接着部の外観状態）を目視観察した結果を表
４に示した。

【００４９】

【表４】

【００５０】表４から明らかなとおり実施例１〜６の静
電チャック装置は、熱履歴を受けた後でもＨｅガス供給
圧力がほとんど変化していないのに対し、比較例１及び
２の接着剤組成物はＨｅガス供給圧力が大きく低下し
た。すなわち、本発明の接着剤組成物は熱履歴を受けた
後でも十分な吸着力を示すことが確認された。また、プ
ラズマを５０回発生させた後の実施例１〜６の静電チャ
ック装置用シート部端面の外観は全く変化がなく良好で
あるのに対し、比較例１及び２の該シート部端面の外観
はポリイミドフィルムの一部が剥離していた。すなわ
ち、本発明の静電チャック装置及び静電チャック装置用
シートは耐プラズマ性に優れていることが確認された。

【００５１】

【発明の効果】上記結果から明らかなように、本発明の
静電チャック装置用接着剤組成物は高温長時間の熱履歴
を受けた後でも十分な接着力が維持でき、絶縁性に優
れ、熱重量減少率が極めて少ない、すなわち、ガスの発
生がほとんどないものである。また、本発明の静電チャ
ック装置用接着剤組成物を用いた静電チャック装置用シ
ート及び静電チャック装置は、高温長時間の熱履歴を受
けた後でも十分な吸着力を維持し、多数回のプラズマ発
生に対しても接着剤層と絶縁層間の剥離が発生しない耐
プラズマ性も有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の静電チャック装置の一例の断面図であ
る。

【符号の説明】

１…金属基盤、 ２…静電チャック装置用シート、３…
ウエハー、 ４ａ，４ｂ…絶縁層 ５ａ，５ｂ，５ｃ…接着剤層、 ６…電極層、７…調温
手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土田 雅之 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会社 巴川製紙所電子材料事業部内 Ｆターム(参考） 4F071 AA41A AA42A AA60A AB09B AF19A AF57A AH12 CA01 CB02 CD03 4J038 DA032 DB021 DB022 DB051 DB052 DB061 DB062 DB071 DB072 DB091 DB092 DJ021 DJ022 DL081 DL082 NA12 NA14 NA17 NA21 PB09 PC01 PC02 5F031 CA02 HA17

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記式（１）及び下記式（２）の構造単
   位が配列したポリイミド樹脂とエポキシ樹脂を含有する
   ことを特徴とする静電チャック装置用接着剤組成物。 【化１】 ［式中、Ｗは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン
   基、−Ｏ−、−ＳＯ₂−、又は−ＣＯ−を表し、Ａｒは
   芳香環を１〜４個有する２価の芳香族基を表し、Ｒ ¹及
   びＲ⁶は炭素数１〜４のアルキレン基又は下記式（３）
   で示される基を表し、 【化２】 （式中、Ａｌｋはケイ素原子に結合する炭素数１〜４の
   アルキレン基を表す。）、Ｒ²〜Ｒ⁵は炭素数１〜４のア
   ルキル基を表し、ｎは０〜３２の整数である。］
2. 【請求項２】 前記式（２）の構造単位は、下記式（２
   −１）及び下記式（２−２）からなることを特徴とする
   請求項１記載の静電チャック装置用接着剤組成物。 【化３】 （式中、Ｗは前記と同じを示し、Ａｒ¹は芳香環を１〜
   ４個有する２価の芳香族基を表し、Ａｒ²は１個又は２
   個の水酸基又はカルボキシル基を有する芳香環を１〜４
   個有する２価の芳香族基を表わす。但し、Ａｒ¹とＡｒ²
   とは異なるものである。）
3. 【請求項３】 前記ポリイミド樹脂は少なくとも２種の
   ポリイミド樹脂からなり、その一方のポリイミド樹脂は
   式（１）で示される構造単位、式（２−１）で示される
   構造単位及び式（２−２）で示される構造単位が配列し
   てなる反応性ポリイミドであり、他方のポリイミド樹脂
   は式（１）で示される構造単位及び式（２−１）で示さ
   れる構造単位が配列してなることを特徴とする請求項１
   記載の静電チャック装置用接着剤組成物。
4. 【請求項４】 前記反応性ポリイミドにおける式（１）
   で示される構造単位と、式（２−１）及び式（２−２）
   で示される構造単位との割合がモル比で５：９５〜５
   ０：５０の範囲であり、かつ式（２−１）で示される構
   造単位と式（２−２）で示される構造単位との割合がモ
   ル比で１：９９〜９９：１の範囲であることを特徴とす
   る請求項３記載の静電チャック装置用接着剤組成物。
5. 【請求項５】 前記式（１）及び前記式（２）の構造単
   位が配列したポリイミド樹脂とエポキシ樹脂に加えて、
   さらにフェノール樹脂を含有することを特徴とする請求
   項１記載の静電チャック装置用接着剤組成物。
6. 【請求項６】 吸着面を有する絶縁層、電極層及び請求
   項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物からなる接着
   剤層が順次積層されたことを特徴とする静電チャック装
   置用シート。
7. 【請求項７】 吸着面を有する絶縁層、電極層、第１接
   着剤層、中間絶縁層及び第２接着剤層が順次積層されて
   なり、該第１及び第２接着剤層の少なくとも一方が請求
   項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物からなること
   を特徴とする静電チャック装置用シート。
8. 【請求項８】 吸着面を有する絶縁層、第１接着剤層、
   電極層、第２接着剤層、中間絶縁層及び第３接着剤層が
   順次積層されてなり、該第１、第２及び第３接着剤層の
   少なくとも一方が請求項１〜５のいずれかに記載の接着
   剤組成物からなることを特徴とする静電チャック装置用
   シート。
9. 【請求項９】 金属基盤の上に、少なくとも吸着面を有
   する絶縁層と電極層を含む静電チャック装置用シートが
   積層されてなり、該金属基盤と電極層の層間及び電極層
   と吸着面を有する絶縁層の層間のうちのいずれか一方の
   層間に請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物か
   らなる接着剤層が設けられていることを特徴とする静電
   チャック装置。
10. 【請求項１０】 金属基盤の上に、請求項６〜８いずれ
    かに記載の静電チャック装置用シートが積層されてなる
    ことを特徴とする静電チャック装置。