JP2001210783A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱圧着による半導体チップ間の接合工程の効
率を改善し、製造ライン全体の効率を上げることができ
る半導体装置の製造工程を提供する。 【解決手段】 半導体チップ２６と半導体チップ３０と
を異方性導電接着剤２８を介して密着させ半導体ユニッ
ト５６とする。そしてこの半導体ユニット５６を加圧治
具３２にて挟み込んで締付力を与える。その後加圧治具
３２を加熱炉４４に投入し半導体ユニット５６への加熱
を行う。このように個々の半導体ユニット５６について
熱圧着を行うのではなく、複数の半導体ユニット５６に
対してバッチ処理を行うので、各工程の完了時間に差が
あっても、この時間差を吸収し、製造工程の効率向上を
図ることができる。
率を改善し、製造ライン全体の効率を上げることができ
る半導体装置の製造工程を提供する。 【解決手段】 半導体チップ２６と半導体チップ３０と
を異方性導電接着剤２８を介して密着させ半導体ユニッ
ト５６とする。そしてこの半導体ユニット５６を加圧治
具３２にて挟み込んで締付力を与える。その後加圧治具
３２を加熱炉４４に投入し半導体ユニット５６への加熱
を行う。このように個々の半導体ユニット５６について
熱圧着を行うのではなく、複数の半導体ユニット５６に
対してバッチ処理を行うので、各工程の完了時間に差が
あっても、この時間差を吸収し、製造工程の効率向上を
図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に複数の半導体チップから構成された半
導体装置の製造方法に関する。
方法に係り、特に複数の半導体チップから構成された半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
って１つのパッケージ内に複数の半導体チップを配置し
てマルチチップパッケージとすることにより、半導体装
置の高機能化と小型化とが図られている。そしてこのよ
うなマルチチップパッケージ（以下、ＭＣＰと称す）に
は、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものが知
られており、この形態では広い実装面積を必要としない
ことから（小型化に有利であることから）、開発が盛ん
に行われている。
って１つのパッケージ内に複数の半導体チップを配置し
てマルチチップパッケージとすることにより、半導体装
置の高機能化と小型化とが図られている。そしてこのよ
うなマルチチップパッケージ（以下、ＭＣＰと称す）に
は、複数の半導体チップを厚み方向に積層したものが知
られており、この形態では広い実装面積を必要としない
ことから（小型化に有利であることから）、開発が盛ん
に行われている。
【０００３】図４は、ＭＣＰ技術を用いた半導体装置の
製造方法を示す工程説明図である。同図に示すように半
導体装置１を構成する第１半導体チップ２は、製造ライ
ン上に配置された第１コンベア装置３によって図中左側
から右側へと搬送されるようになっている。ここで第１
半導体チップ２が、第１コンベア装置３の中央付近まで
移動するとディスペンサ４にて異方性導電接着剤５が塗
布される。そして異方性導電接着剤５が塗布された後、
今度は第１コンベア装置３の終端位置に第１半導体チッ
プ２が達するとマウンタ装置６によって第２半導体チッ
プ７が接続用端子８同士を付き合わされるように実装さ
れる。
製造方法を示す工程説明図である。同図に示すように半
導体装置１を構成する第１半導体チップ２は、製造ライ
ン上に配置された第１コンベア装置３によって図中左側
から右側へと搬送されるようになっている。ここで第１
半導体チップ２が、第１コンベア装置３の中央付近まで
移動するとディスペンサ４にて異方性導電接着剤５が塗
布される。そして異方性導電接着剤５が塗布された後、
今度は第１コンベア装置３の終端位置に第１半導体チッ
プ２が達するとマウンタ装置６によって第２半導体チッ
プ７が接続用端子８同士を付き合わされるように実装さ
れる。
【０００４】このように第１半導体チップ２に第２半導
体チップ７を異方性導電性接着剤５を介して密着させ
（仮圧着）、これを半導体ユニット９とした後は、当該
半導体ユニット９を加圧用プレート１０の表面に設置す
るとともに、前記加圧用プレート１０の上方から、その
内部にヒータ１１が設けられた加熱圧着治具１２を降下
させ、半導体ユニット９への加熱圧着をなす。
体チップ７を異方性導電性接着剤５を介して密着させ
（仮圧着）、これを半導体ユニット９とした後は、当該
半導体ユニット９を加圧用プレート１０の表面に設置す
るとともに、前記加圧用プレート１０の上方から、その
内部にヒータ１１が設けられた加熱圧着治具１２を降下
させ、半導体ユニット９への加熱圧着をなす。
【０００５】そして異方性導電接着剤５の硬化により半
導体装置１が形成された後は、当該半導体装置１を加圧
用プレート１０から第２コンベア装置１３へと移動さ
せ、後段の工程へと投入する。
導体装置１が形成された後は、当該半導体装置１を加圧
用プレート１０から第２コンベア装置１３へと移動さ
せ、後段の工程へと投入する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した半導体
装置の製造ラインでは、半導体チップへの異方性導電接
着剤の塗布工程、半導体チップの仮圧着工程、熱圧着に
よる半導体チップ間の接合工程は、一列に配置されてい
る。ところで熱圧着による半導体チップ間の接合工程で
は、接着剤が硬化するまで約２５秒程度有しており、他
の工程に比べ時間がかかっていた。このため他の工程が
終了しても熱圧着による半導体チップ間の接合工程が終
了しないため、製造ライン全体の効率が低下してしまう
という問題があった。
装置の製造ラインでは、半導体チップへの異方性導電接
着剤の塗布工程、半導体チップの仮圧着工程、熱圧着に
よる半導体チップ間の接合工程は、一列に配置されてい
る。ところで熱圧着による半導体チップ間の接合工程で
は、接着剤が硬化するまで約２５秒程度有しており、他
の工程に比べ時間がかかっていた。このため他の工程が
終了しても熱圧着による半導体チップ間の接合工程が終
了しないため、製造ライン全体の効率が低下してしまう
という問題があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点に着目し、熱圧
着による半導体チップ間の接合工程の効率を改善し、製
造ライン全体の効率を上げることができる半導体装置の
製造工程を提供することを目的とする。
着による半導体チップ間の接合工程の効率を改善し、製
造ライン全体の効率を上げることができる半導体装置の
製造工程を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱圧着による
半導体チップ間の接合工程をバッチによって処理すれ
ば、他工程の完了時間に時間差が生じても、その時間差
を吸収することができるという知見に基づいてなされた
ものである。
半導体チップ間の接合工程をバッチによって処理すれ
ば、他工程の完了時間に時間差が生じても、その時間差
を吸収することができるという知見に基づいてなされた
ものである。
【０００９】すなわち請求項１に記載の半導体装置の製
造方法は、半導体チップ同士を接着剤を介して密着させ
半導体ユニットとした後、この半導体ユニットへの熱圧
着により前記接着剤を硬化させ前記半導体チップ間の接
合をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チ
ップ間に前記接着剤を塗布し仮圧着状態である前記半導
体ユニットを形成した後、複数の前記半導体ユニットを
加圧治具に設置し、この加圧治具とともに前記半導体ユ
ニットを加熱手段へと投入し、前記接着剤の硬化をバッ
チ処理にて行うことを特徴としている。請求項１に記載
の半導体装置の製造方法によれば、仮圧着状態となる半
導体ユニットが任意の個数に達した後、これらをまとめ
て圧着するとともに、加熱手段へと投入すれば、複数個
の半導体ユニットの接着剤を一斉に硬化させることがで
きる。このように個々の半導体ユニットについて熱圧着
を行うのではなく、複数の半導体ユニットに対してバッ
チ処理を行うので、各工程の完了時間に差があっても、
この時間差を吸収し、製造工程の効率向上を図ることが
できる。
造方法は、半導体チップ同士を接着剤を介して密着させ
半導体ユニットとした後、この半導体ユニットへの熱圧
着により前記接着剤を硬化させ前記半導体チップ間の接
合をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導体チ
ップ間に前記接着剤を塗布し仮圧着状態である前記半導
体ユニットを形成した後、複数の前記半導体ユニットを
加圧治具に設置し、この加圧治具とともに前記半導体ユ
ニットを加熱手段へと投入し、前記接着剤の硬化をバッ
チ処理にて行うことを特徴としている。請求項１に記載
の半導体装置の製造方法によれば、仮圧着状態となる半
導体ユニットが任意の個数に達した後、これらをまとめ
て圧着するとともに、加熱手段へと投入すれば、複数個
の半導体ユニットの接着剤を一斉に硬化させることがで
きる。このように個々の半導体ユニットについて熱圧着
を行うのではなく、複数の半導体ユニットに対してバッ
チ処理を行うので、各工程の完了時間に差があっても、
この時間差を吸収し、製造工程の効率向上を図ることが
できる。
【００１０】また請求項２に記載の半導体装置の製造方
法は、前記接着剤は導電性接着剤であることを特徴とし
ている。請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれ
ば、導電性接着剤を用いたことで、半導体チップに形成
された接続用端子同士の突合せにも用いることができ、
このため半導体チップを積層方向に積み重ねる形態の半
導体装置にも適用することができる。
法は、前記接着剤は導電性接着剤であることを特徴とし
ている。請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれ
ば、導電性接着剤を用いたことで、半導体チップに形成
された接続用端子同士の突合せにも用いることができ、
このため半導体チップを積層方向に積み重ねる形態の半
導体装置にも適用することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る半導体装置の
製造方法に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。
製造方法に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳
細に説明する。
【００１２】図１および図２は、本実施の形態に係る半
導体装置の製造手順を示した工程説明図であり、図１は
同工程の前段部分そして図２は同工程の後段部分を示し
ている。
導体装置の製造手順を示した工程説明図であり、図１は
同工程の前段部分そして図２は同工程の後段部分を示し
ている。
【００１３】これらの図に示すように本実施の形態にか
かる半導体装置の製造方法を実施するための製造装置１
９では、その上流側に半導体チップの搬送をなすための
コンベア装置２０が配置されており、当該コンベア装置
２０における搬送経路の中央部分および終端部分の上方
にはディスペンサ２２およびマウンタ装置２４とが備え
られ、半導体チップ２６への異方性導電接着剤２８の塗
布や他の半導体チップ３０の突合せを行えるようにして
いる。
かる半導体装置の製造方法を実施するための製造装置１
９では、その上流側に半導体チップの搬送をなすための
コンベア装置２０が配置されており、当該コンベア装置
２０における搬送経路の中央部分および終端部分の上方
にはディスペンサ２２およびマウンタ装置２４とが備え
られ、半導体チップ２６への異方性導電接着剤２８の塗
布や他の半導体チップ３０の突合せを行えるようにして
いる。
【００１４】そしてコンベア装置２０の後段側には、加
圧治具３２が備えられている。当該加圧治具３２は、下
側加圧プレート３４と上側加圧プレート３６および締付
用ナット３８とで構成されており、これら下側加圧プレ
ート３４と上側加圧プレート３６とで付き合わされた半
導体チップ２６と半導体チップ３０とを挟み込み、これ
ら半導体チップへの加圧を可能にしている。すなわち下
側加圧プレート３４は四角形状の板材からなり、その表
面には多数の半導体チップが搭載できるだけの面積を有
している。なお本実施の形態では図示しないが、この下
側加圧プレート３４の表面に半導体チップ２６の外形に
該当するだけの窪みを複数形成しておき、この窪みに半
導体チップ２６を入れ込み、下側加圧プレート３４に対
する半導体チップ２６の位置決めを行うようにしてもよ
い。またコンベア装置２０から下側加圧プレート３４へ
の半導体チップの移動は、図示しないロボットハンドに
よって行われるようになっており、その把持方法は、機
械的な挟み込みや真空吸着など様々な方法を用いてもよ
い。
圧治具３２が備えられている。当該加圧治具３２は、下
側加圧プレート３４と上側加圧プレート３６および締付
用ナット３８とで構成されており、これら下側加圧プレ
ート３４と上側加圧プレート３６とで付き合わされた半
導体チップ２６と半導体チップ３０とを挟み込み、これ
ら半導体チップへの加圧を可能にしている。すなわち下
側加圧プレート３４は四角形状の板材からなり、その表
面には多数の半導体チップが搭載できるだけの面積を有
している。なお本実施の形態では図示しないが、この下
側加圧プレート３４の表面に半導体チップ２６の外形に
該当するだけの窪みを複数形成しておき、この窪みに半
導体チップ２６を入れ込み、下側加圧プレート３４に対
する半導体チップ２６の位置決めを行うようにしてもよ
い。またコンベア装置２０から下側加圧プレート３４へ
の半導体チップの移動は、図示しないロボットハンドに
よって行われるようになっており、その把持方法は、機
械的な挟み込みや真空吸着など様々な方法を用いてもよ
い。
【００１５】ところで下側加圧プレート３４の四隅から
は、当該下側加圧プレート３４の厚み方向に向かって締
付用ボルト４０が形成されており、前記締付用ナット３
８との螺合を可能にしている。そして上側加圧プレート
３６は、前記下側加圧プレート３４と同様の面積を有し
た四角形状の板材からなり、その四隅には締付用ボルト
４０が挿通するだけの径を有した貫通穴４２が形成され
ている。このため下側加圧プレート３４に半導体チップ
２６を設置した後、貫通穴４２に締付用ボルト４０が挿
通されるように、上方から上側加圧プレート３６を降下
させれば、半導体チップ２６と半導体チップ３０とを上
下のプレートで挟み込むことができる。そして締付用ボ
ルト４０に締付用ナット３８を螺合させれば、プレート
による半導体チップの挟み込み力を調整することができ
る。
は、当該下側加圧プレート３４の厚み方向に向かって締
付用ボルト４０が形成されており、前記締付用ナット３
８との螺合を可能にしている。そして上側加圧プレート
３６は、前記下側加圧プレート３４と同様の面積を有し
た四角形状の板材からなり、その四隅には締付用ボルト
４０が挿通するだけの径を有した貫通穴４２が形成され
ている。このため下側加圧プレート３４に半導体チップ
２６を設置した後、貫通穴４２に締付用ボルト４０が挿
通されるように、上方から上側加圧プレート３６を降下
させれば、半導体チップ２６と半導体チップ３０とを上
下のプレートで挟み込むことができる。そして締付用ボ
ルト４０に締付用ナット３８を螺合させれば、プレート
による半導体チップの挟み込み力を調整することができ
る。
【００１６】加圧治具３２が設置される後段には、加熱
手段となる加熱炉４４が設けられている。当該加熱炉４
４は、前述した加圧治具３２を取り込み可能にするだけ
の大きさを有しており、加圧治具３２ごと所定の温度ま
で加熱させることが可能になっている。なお本実施の形
態では、加熱炉４４の熱源となるヒータ４６を加熱炉４
４の上方にのみ配置することとしたが、この形態に限定
されることもなく、例えば加熱炉４４の上下にヒータ４
６を配置し、加圧治具３２の両面から加熱を行うように
してもよい。なお加熱炉４４内に配置されたヒータ４６
には、制御装置４８が接続され、当該制御装置４８によ
って加熱炉４４の内部の温度変化を制御できるようにな
っている。
手段となる加熱炉４４が設けられている。当該加熱炉４
４は、前述した加圧治具３２を取り込み可能にするだけ
の大きさを有しており、加圧治具３２ごと所定の温度ま
で加熱させることが可能になっている。なお本実施の形
態では、加熱炉４４の熱源となるヒータ４６を加熱炉４
４の上方にのみ配置することとしたが、この形態に限定
されることもなく、例えば加熱炉４４の上下にヒータ４
６を配置し、加圧治具３２の両面から加熱を行うように
してもよい。なお加熱炉４４内に配置されたヒータ４６
には、制御装置４８が接続され、当該制御装置４８によ
って加熱炉４４の内部の温度変化を制御できるようにな
っている。
【００１７】このように構成された加熱炉４４の後段に
は、当該加熱炉４４を通過した後の加圧治具３２を分解
する領域が設定され、異方性導電性接着剤２８が硬化し
た半導体装置５０の取り出しを行えるようにしている。
なお下側加圧プレート３４をトレイとして更に後段の工
程に、下側加圧プレート３４ごと投入するようにしても
よい。
は、当該加熱炉４４を通過した後の加圧治具３２を分解
する領域が設定され、異方性導電性接着剤２８が硬化し
た半導体装置５０の取り出しを行えるようにしている。
なお下側加圧プレート３４をトレイとして更に後段の工
程に、下側加圧プレート３４ごと投入するようにしても
よい。
【００１８】このように構成された製造装置１９を用い
て半導体装置５０を製造する手順を説明する。
て半導体装置５０を製造する手順を説明する。
【００１９】まず矢印５２の方向に搬送を行うコンベア
装置２０の始端側に半導体チップ２６を一定間隔で載せ
る。そしてコンベア装置２０の中央部分に半導体チップ
２６が達すると、コンベア装置２０が一旦停止するとと
もに、その上方からディスペンサ２２が下降し、半導体
チップ２６の接続用端子５４を覆うように異方性導電接
着剤２８を塗布する。そして当該異方性導電接着剤２８
が塗布された後は、ディスペンサ２２が上昇するととも
に、再びコンベア装置２０が稼働し、異方性導電接着剤
２８が塗布された半導体チップ２６はコンベア装置２０
の終端側に移動する。ここで半導体チップ２６がコンベ
ア装置２０の終端側に移動すると、再びコンベア装置２
０が停止するとともに、その上方からマウンタ装置２４
が下降し、半導体チップ２６の表面に半導体チップ３０
を搭載する。なお半導体チップ２６に半導体チップ３０
を搭載する際には、両チップに形成された接続用端子５
４同士を異方性導電接着剤２８を介して接続するように
し、実装後の形態を半導体ユニット５６と称す。またデ
ィスペンサ２２とマウンタ装置２４の下降タイミング
は、コンベア装置２０の停止に同期している。すなわち
コンベア装置２０が停止をするとディスペンサ２２とマ
ウンタ装置２４とが同時に下降し、コンベア装置２０上
に搭載された半導体チップ２６と後段の半導体チップ２
６とに同時に処理を施すようにしている。
装置２０の始端側に半導体チップ２６を一定間隔で載せ
る。そしてコンベア装置２０の中央部分に半導体チップ
２６が達すると、コンベア装置２０が一旦停止するとと
もに、その上方からディスペンサ２２が下降し、半導体
チップ２６の接続用端子５４を覆うように異方性導電接
着剤２８を塗布する。そして当該異方性導電接着剤２８
が塗布された後は、ディスペンサ２２が上昇するととも
に、再びコンベア装置２０が稼働し、異方性導電接着剤
２８が塗布された半導体チップ２６はコンベア装置２０
の終端側に移動する。ここで半導体チップ２６がコンベ
ア装置２０の終端側に移動すると、再びコンベア装置２
０が停止するとともに、その上方からマウンタ装置２４
が下降し、半導体チップ２６の表面に半導体チップ３０
を搭載する。なお半導体チップ２６に半導体チップ３０
を搭載する際には、両チップに形成された接続用端子５
４同士を異方性導電接着剤２８を介して接続するように
し、実装後の形態を半導体ユニット５６と称す。またデ
ィスペンサ２２とマウンタ装置２４の下降タイミング
は、コンベア装置２０の停止に同期している。すなわち
コンベア装置２０が停止をするとディスペンサ２２とマ
ウンタ装置２４とが同時に下降し、コンベア装置２０上
に搭載された半導体チップ２６と後段の半導体チップ２
６とに同時に処理を施すようにしている。
【００２０】このように半導体チップ２６と半導体チッ
プ３０とを異方性導電接着剤２８を介して突合せ、半導
体ユニット５６とした後は、図示しないロボットハンド
を用いて前記半導体ユニット５６を下側加圧プレート３
４の表面に配置していく。そして下側加圧プレート３４
に所定の数だけ半導体ユニット５６を搭載した後は、上
側加圧プレート３６を上方から締付用ボルト４０が貫通
穴４２を挿通するよう下降させるとともに、締付用ボル
ト４０に締付用ナット３８を螺合させ、上下のプレート
にで半導体ユニット５６を所定の圧力で挟み込む。
プ３０とを異方性導電接着剤２８を介して突合せ、半導
体ユニット５６とした後は、図示しないロボットハンド
を用いて前記半導体ユニット５６を下側加圧プレート３
４の表面に配置していく。そして下側加圧プレート３４
に所定の数だけ半導体ユニット５６を搭載した後は、上
側加圧プレート３６を上方から締付用ボルト４０が貫通
穴４２を挿通するよう下降させるとともに、締付用ボル
ト４０に締付用ナット３８を螺合させ、上下のプレート
にで半導体ユニット５６を所定の圧力で挟み込む。
【００２１】このように上下のプレートにで半導体ユニ
ット５６を挟み込んだ後は、加圧治具３２を、加熱炉４
４の内部に投入し、ヒータ４６を稼働させて加熱炉４４
を所定の温度まで上昇させる。
ット５６を挟み込んだ後は、加圧治具３２を、加熱炉４
４の内部に投入し、ヒータ４６を稼働させて加熱炉４４
を所定の温度まで上昇させる。
【００２２】図３は、加熱炉４４の温度プロファイル
と、加圧治具３２によって半導体ユニット５６に加わる
圧力とを示したグラフである。同図（２）に示すよう
に、半導体ユニット５６は加圧治具３２によって一定の
圧力が加わった状態にある。そしてこの状態にある半導
体ユニット５６を加熱炉に投入すると同図（１）に示す
ような加熱がなされる。すなわち加熱開始からｔ１まで
は予備加熱工程（１００〜１５０℃）であり、半導体ユ
ニット５６をいきなり高温に加熱するのを防止するよう
にしている（ヒートショックの防止）。そしてｔ１まで
時間が経過し、予備加熱工程が終了すると、本加熱工程
（２３０℃）を開始する。なお本実施の形態では加熱開
始から加熱終了までは２５秒としているが、これらの仕
様に限定されることもなく異方性導電接着剤２８の種類
や、半導体ユニット５６の大きさ、投入される数量等の
要因によって加熱時間、加熱温度を自由に調整すればよ
い。なおこれら温度プロファイルはヒータ４６に接続さ
れる制御手段４８にて設定がなされる。
と、加圧治具３２によって半導体ユニット５６に加わる
圧力とを示したグラフである。同図（２）に示すよう
に、半導体ユニット５６は加圧治具３２によって一定の
圧力が加わった状態にある。そしてこの状態にある半導
体ユニット５６を加熱炉に投入すると同図（１）に示す
ような加熱がなされる。すなわち加熱開始からｔ１まで
は予備加熱工程（１００〜１５０℃）であり、半導体ユ
ニット５６をいきなり高温に加熱するのを防止するよう
にしている（ヒートショックの防止）。そしてｔ１まで
時間が経過し、予備加熱工程が終了すると、本加熱工程
（２３０℃）を開始する。なお本実施の形態では加熱開
始から加熱終了までは２５秒としているが、これらの仕
様に限定されることもなく異方性導電接着剤２８の種類
や、半導体ユニット５６の大きさ、投入される数量等の
要因によって加熱時間、加熱温度を自由に調整すればよ
い。なおこれら温度プロファイルはヒータ４６に接続さ
れる制御手段４８にて設定がなされる。
【００２３】こうして加熱炉４４にて加熱を終了した半
導体ユニット５６は、異方性導電接着剤２８が硬化し、
半導体装置５０となる。そして加圧治具３２を加熱炉４
４の外部に出した後は、締付用ボルト３８を緩め、上側
加圧プレート３６を取り外し、半導体装置５０を取り出
し可能にすればよい。
導体ユニット５６は、異方性導電接着剤２８が硬化し、
半導体装置５０となる。そして加圧治具３２を加熱炉４
４の外部に出した後は、締付用ボルト３８を緩め、上側
加圧プレート３６を取り外し、半導体装置５０を取り出
し可能にすればよい。
【００２４】このように加圧治具３２を用いて加熱工程
をバッチ処理すれば、各工程の時間差を吸収することが
可能となり、製造工程の効率を向上させることが可能に
なる。
をバッチ処理すれば、各工程の時間差を吸収することが
可能となり、製造工程の効率を向上させることが可能に
なる。
【００２５】なお本実施の形態では、加圧治具３２の挟
み込みを締付用ボルト４０に対する締付用ナット３８の
螺合によって調整することとしたが、この形態に限定さ
れることもなく、例えば加圧治具３２の挟み込みをトグ
ル機構やスナップフィット機構を用いて行うようにして
もよい。
み込みを締付用ボルト４０に対する締付用ナット３８の
螺合によって調整することとしたが、この形態に限定さ
れることもなく、例えば加圧治具３２の挟み込みをトグ
ル機構やスナップフィット機構を用いて行うようにして
もよい。
【００２６】また上述した説明では、異方性導電接着剤
を用いて半導体チップ同士の電気的接続を行う手順を説
明したが、その他一般の接着剤を用いてチップ同士を接
続する場合にも適用できることはいうまでもない。
を用いて半導体チップ同士の電気的接続を行う手順を説
明したが、その他一般の接着剤を用いてチップ同士を接
続する場合にも適用できることはいうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体チップ同士を接着剤を介して密着させ半導体ユニッ
トとした後、この半導体ユニットへの熱圧着により前記
接着剤を硬化させ前記半導体チップ間の接合をなす半導
体装置の製造方法であって、前記半導体チップ間に前記
接着剤を塗布し仮圧着状態である前記半導体ユニットを
形成した後、複数の前記半導体ユニットを加圧治具に設
置し、この加圧治具とともに前記半導体ユニットを加熱
手段へと投入し、前記接着剤の硬化をバッチ処理にて行
うこととしたので、熱圧着による半導体チップ間の接合
工程の効率を向上させることが可能になり、このため生
産ライン全体の効率の向上を図ることができる。
導体チップ同士を接着剤を介して密着させ半導体ユニッ
トとした後、この半導体ユニットへの熱圧着により前記
接着剤を硬化させ前記半導体チップ間の接合をなす半導
体装置の製造方法であって、前記半導体チップ間に前記
接着剤を塗布し仮圧着状態である前記半導体ユニットを
形成した後、複数の前記半導体ユニットを加圧治具に設
置し、この加圧治具とともに前記半導体ユニットを加熱
手段へと投入し、前記接着剤の硬化をバッチ処理にて行
うこととしたので、熱圧着による半導体チップ間の接合
工程の効率を向上させることが可能になり、このため生
産ライン全体の効率の向上を図ることができる。
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の製造手順を示
した工程説明図である。
した工程説明図である。
【図２】本実施の形態に係る半導体装置の製造手順を示
した工程説明図である。
した工程説明図である。
【図３】加熱炉４４の温度プロファイルと、加圧治具３
２によって半導体ユニット５６に加わる圧力とを示した
グラフである。
２によって半導体ユニット５６に加わる圧力とを示した
グラフである。
【図４】ＭＣＰ技術を用いた半導体装置の製造方法を示
す工程説明図である。
す工程説明図である。
１ 半導体装置 ２ 第１半導体チップ ３ 第１コンベア装置 ４ ディスペンサ ５ 異方性導電性接着剤 ６ マウンタ装置 ７ 第２半導体チップ ８ 接続用端子 ９ 半導体ユニット １０ 加圧用プレート １１ ヒータ １２ 加熱圧着治具 １３ 第２コンベア装置 １９ 製造装置 ２０ コンベア装置 ２２ ディスペンサ ２４ マウンタ装置 ２６ 半導体チップ ２８ 異方性導電接着剤 ３０ 半導体チップ ３２ 加圧治具 ３４ 下側加圧プレート ３６ 上側加圧プレート ３８ 締付用ナット ４０ 締付用ボルト ４２ 貫通穴 ４４ 加熱炉 ４６ ヒータ ４８ 制御装置 ５０ 半導体装置 ５２ 矢印 ５４ 接続用端子 ５６ 半導体ユニット
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップ同士を接着剤を介して密着
させ半導体ユニットとした後、この半導体ユニットへの
熱圧着により前記接着剤を硬化させ前記半導体チップ間
の接合をなす半導体装置の製造方法であって、前記半導
体チップ間に前記接着剤を塗布し仮圧着状態である前記
半導体ユニットを形成した後、複数の前記半導体ユニッ
トを加圧治具に設置し、この加圧治具とともに前記半導
体ユニットを加熱手段へと投入し、前記接着剤の硬化を
バッチ処理にて行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記接着剤は導電性接着剤であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019117A JP2001210783A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019117A JP2001210783A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210783A true JP2001210783A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18545878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019117A Withdrawn JP2001210783A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081997A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Nikon Corporation | 半導体装置製造装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2005067046A1 (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Nikon Corporation | 積層装置及び集積回路素子の積層方法 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019117A patent/JP2001210783A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004081997A1 (ja) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Nikon Corporation | 半導体装置製造装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2005067046A1 (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Nikon Corporation | 積層装置及び集積回路素子の積層方法 |
| US7427517B2 (en) | 2004-01-07 | 2008-09-23 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| US8129201B2 (en) | 2004-01-07 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| US8440472B2 (en) | 2004-01-07 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Stacking apparatus and method for stacking integrated circuit elements |
| US8735180B2 (en) | 2004-01-07 | 2014-05-27 | Nikon Corporation | Multiple-points measurement |
| US9105675B2 (en) | 2004-01-07 | 2015-08-11 | Nikon Corporation | WH (wafer-holder) process |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070403 |