JP2001203129A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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- JP2001203129A JP2001203129A JP2000011598A JP2000011598A JP2001203129A JP 2001203129 A JP2001203129 A JP 2001203129A JP 2000011598 A JP2000011598 A JP 2000011598A JP 2000011598 A JP2000011598 A JP 2000011598A JP 2001203129 A JP2001203129 A JP 2001203129A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流の増大を招くことなく静電容量
の増大が可能な電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を
提供する。 【解決手段】 質量比ｐｐｍで、Ｓｉ：１０〜１００、
Ｆｅ：１０〜１００、Ｃｕ：８０〜１０００を含有し、
Ｍｏ：０．０１〜２、Ｗ：０．０１〜２、Ｔａ：０．０
１〜２、Ｎｂ：０．０１〜２の内１種または２種以上を
含有し、さらに所望によりＭｇ：１〜１０を含有し、残
部がＡｌと不可避不純物とからなるアルミニウム箔。 【効果】 粗面化処理に際し、粗面化率が向上して
コンデンサとして高い静電容量が得られる。酸化皮膜の
形成において、皮膜の絶縁性が向上し、コンデンサとし
て用いた際の漏れ電流が抑制される。
の増大が可能な電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を
提供する。 【解決手段】 質量比ｐｐｍで、Ｓｉ：１０〜１００、
Ｆｅ：１０〜１００、Ｃｕ：８０〜１０００を含有し、
Ｍｏ：０．０１〜２、Ｗ：０．０１〜２、Ｔａ：０．０
１〜２、Ｎｂ：０．０１〜２の内１種または２種以上を
含有し、さらに所望によりＭｇ：１〜１０を含有し、残
部がＡｌと不可避不純物とからなるアルミニウム箔。 【効果】 粗面化処理に際し、粗面化率が向上して
コンデンサとして高い静電容量が得られる。酸化皮膜の
形成において、皮膜の絶縁性が向上し、コンデンサとし
て用いた際の漏れ電流が抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔に関するものであり、特に化成電圧の低
い低電圧電解コンデンサ陽極用に好適のものである。
アルミニウム箔に関するものであり、特に化成電圧の低
い低電圧電解コンデンサ陽極用に好適のものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、化成電圧の低い低電圧電解コンデ
ンサ陽極用のアルミニウム箔としては、例えば特開平４
−６２８１９に開示されるように、Ｆｅ：５〜１０００
ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜１０００ｐｐｍ及びＣｕ：５〜１０
００ｐｐｍを含有する箔などが用いられている。アルミ
ニウム箔をコンデンサ電極材料に仕上げる過程では、表
面積を増大させて静電容量の向上を図るため粗面化処理
がなされるが、上記したＦｅ、Ｓｉ、Ｃｕは、この処理
で箔の粗面化率を上げ、結果的に静電容量を高める作用
がある。このため従来のアルミニウム箔では、これら成
分を適量添加している。特に、Ｃｕは、エッチングピッ
トを均一にして静電容量を顕著に増加させる作用があり
積極的な添加が行われており、５０ｐｐｍを越える含有
でその作用が顕著になる。
ンサ陽極用のアルミニウム箔としては、例えば特開平４
−６２８１９に開示されるように、Ｆｅ：５〜１０００
ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜１０００ｐｐｍ及びＣｕ：５〜１０
００ｐｐｍを含有する箔などが用いられている。アルミ
ニウム箔をコンデンサ電極材料に仕上げる過程では、表
面積を増大させて静電容量の向上を図るため粗面化処理
がなされるが、上記したＦｅ、Ｓｉ、Ｃｕは、この処理
で箔の粗面化率を上げ、結果的に静電容量を高める作用
がある。このため従来のアルミニウム箔では、これら成
分を適量添加している。特に、Ｃｕは、エッチングピッ
トを均一にして静電容量を顕著に増加させる作用があり
積極的な添加が行われており、５０ｐｐｍを越える含有
でその作用が顕著になる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、Ｃｕの
添加が静電容量の増加に効果があることはよく知られて
いる。しかし、本発明者等の研究によれば、Ｃｕ含有量
が増えると、電解エッチング後に形成される陽極酸化皮
膜の漏れ電流が増加して電解コンデンサとしての特性を
低下させるという問題があり、漏れ電流を考慮すればＣ
ｕを多く含有させることは困難になる。
添加が静電容量の増加に効果があることはよく知られて
いる。しかし、本発明者等の研究によれば、Ｃｕ含有量
が増えると、電解エッチング後に形成される陽極酸化皮
膜の漏れ電流が増加して電解コンデンサとしての特性を
低下させるという問題があり、漏れ電流を考慮すればＣ
ｕを多く含有させることは困難になる。
【０００４】本発明は、上記事情を背景としてなされた
ものであり、Ｃｕ含有により静電容量を大幅に増加させ
ることができるとともに、漏れ電流が少なくて電解コン
デンサとして優れた特性を導き出すことができる電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を提供することを目的と
する。
ものであり、Ｃｕ含有により静電容量を大幅に増加させ
ることができるとともに、漏れ電流が少なくて電解コン
デンサとして優れた特性を導き出すことができる電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のうち第
１の発明は、質量比で、Ｓｉ：１０ｐｐｍ以上１００ｐ
ｐｍ以下、Ｆｅ：１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃ
ｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下を含有し、さら
に、Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｗ：０．
０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｔａ：０．０１ｐｐｍ以
上２ｐｐｍ以下、Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以
下の内１種または２種以上を含有し、残部がＡｌと不可
避不純物とからなることを特徴とする。
本発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のうち第
１の発明は、質量比で、Ｓｉ：１０ｐｐｍ以上１００ｐ
ｐｍ以下、Ｆｅ：１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、Ｃ
ｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下を含有し、さら
に、Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｗ：０．
０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｔａ：０．０１ｐｐｍ以
上２ｐｐｍ以下、Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以
下の内１種または２種以上を含有し、残部がＡｌと不可
避不純物とからなることを特徴とする。
【０００６】また、第２の発明の電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔は、質量比で、Ｓｉ：１０ｐｐｍ以上１
００ｐｐｍ以下、Ｆｅ：１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以
下、Ｃｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下を含有
し、さらに、Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、
Ｗ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｔａ：０．０１
ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２
ｐｐｍ以下の内１種又は２種以上と、Ｍｇ：１ｐｐｍ以
上１０ｐｐｍ以下を含有し、残部がＡｌと不可避不純物
とからなることを特徴とする。
アルミニウム箔は、質量比で、Ｓｉ：１０ｐｐｍ以上１
００ｐｐｍ以下、Ｆｅ：１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以
下、Ｃｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下を含有
し、さらに、Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、
Ｗ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｔａ：０．０１
ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２
ｐｐｍ以下の内１種又は２種以上と、Ｍｇ：１ｐｐｍ以
上１０ｐｐｍ以下を含有し、残部がＡｌと不可避不純物
とからなることを特徴とする。
【０００７】上記したように本発明のアルミニウム箔
は、アルミニウムに微量成分を適量含有させることによ
り粗面化率を上げて静電容量の増大を図っているととも
に、さらに他の微量成分の添加によってコンデンサとし
て使用した際の漏れ電流の発生を抑制している。以下に
各成分の作用およびその含有量の限定理由について説明
する。なお、以下における含有量はいずれも質量比であ
る。
は、アルミニウムに微量成分を適量含有させることによ
り粗面化率を上げて静電容量の増大を図っているととも
に、さらに他の微量成分の添加によってコンデンサとし
て使用した際の漏れ電流の発生を抑制している。以下に
各成分の作用およびその含有量の限定理由について説明
する。なお、以下における含有量はいずれも質量比であ
る。
【０００８】Ｓｉ、Ｆｅ：各１０ｐｐｍ以上１００ｐｐ
ｍ以下 ＳｉおよびＦｅは、箔表面にＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間
化合物として分散してピットの起点となり、ピット密度
を増加させて粗面化処理において適度な溶解性を付与す
るので含有させる。ただし、いずれも１０ｐｐｍ未満で
は上記作用を得るのには不十分であり、一方、１００ｐ
ｐｍを越えるとピット密度が過度になって拡面化に寄与
しない表面溶解が増加して却って静電容量が低下するの
でＳｉ、Ｆｅの含有量を１０〜１００ｐｐｍの範囲内に
定める。なお、同様の理由でＳｉおよびＦｅ含有量の下
限をそれぞれ２０ｐｐｍ、上限を５０ｐｐｍとするのが
望ましい。
ｍ以下 ＳｉおよびＦｅは、箔表面にＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間
化合物として分散してピットの起点となり、ピット密度
を増加させて粗面化処理において適度な溶解性を付与す
るので含有させる。ただし、いずれも１０ｐｐｍ未満で
は上記作用を得るのには不十分であり、一方、１００ｐ
ｐｍを越えるとピット密度が過度になって拡面化に寄与
しない表面溶解が増加して却って静電容量が低下するの
でＳｉ、Ｆｅの含有量を１０〜１００ｐｐｍの範囲内に
定める。なお、同様の理由でＳｉおよびＦｅ含有量の下
限をそれぞれ２０ｐｐｍ、上限を５０ｐｐｍとするのが
望ましい。
【０００９】Ｃｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下 Ｃｕは、粗面化処理におけるエッチングの均一性を高
め、静電容量を増大させるのに重要な元素である。この
作用を十分に得るためにはできるだけ多くのＣｕを含有
させるのが望ましい。その一方で、Ｃｕの含有は前述す
るように漏れ電流を増大させるが、後述する成分の含有
によってこの悪影響を小さくすることができる。この観
点から、本発明では８０ｐｐｍ以上のＣｕ含有が可能に
なる。一方、後述する成分を含有させても１０００ｐｐ
ｍを越えてＣｕを含有させると、漏れ電流が大きくなっ
て陽極酸化皮膜の絶縁性が低下し、よってコンデンサと
しての特性が損なわれる。このため、Ｃｕの含有量を８
０〜１０００ｐｐｍの範囲内に定める。なお、同様の理
由で下限を１００ｐｐｍ、上限を５００ｐｐｍとするの
が望ましい。
め、静電容量を増大させるのに重要な元素である。この
作用を十分に得るためにはできるだけ多くのＣｕを含有
させるのが望ましい。その一方で、Ｃｕの含有は前述す
るように漏れ電流を増大させるが、後述する成分の含有
によってこの悪影響を小さくすることができる。この観
点から、本発明では８０ｐｐｍ以上のＣｕ含有が可能に
なる。一方、後述する成分を含有させても１０００ｐｐ
ｍを越えてＣｕを含有させると、漏れ電流が大きくなっ
て陽極酸化皮膜の絶縁性が低下し、よってコンデンサと
しての特性が損なわれる。このため、Ｃｕの含有量を８
０〜１０００ｐｐｍの範囲内に定める。なお、同様の理
由で下限を１００ｐｐｍ、上限を５００ｐｐｍとするの
が望ましい。
【００１０】Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下 Ｗ ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下 Ｔａ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下 Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の内一種または
二種以上 これら元素は、陽極酸化皮膜形成時に皮膜中に高濃度に
取り込まれ、よって陽極酸化皮膜の絶縁性を保持してＣ
ｕ含有による漏れ電流を小さくするので、その一種以上
を含有させる。ただし、各元素において、０．０１ｐｐ
ｍ未満では上記作用が不十分であり、一方、２ｐｐｍを
越えると拡面化に寄与しない表面溶解が増加して静電容
量が低下するので、それぞれ０．０１〜２ｐｐｍの範囲
内に限定する。なお、同様の理由でそれぞれ、下限を
０．１ｐｐｍ、上限を１ｐｐｍとするのが望ましい。
二種以上 これら元素は、陽極酸化皮膜形成時に皮膜中に高濃度に
取り込まれ、よって陽極酸化皮膜の絶縁性を保持してＣ
ｕ含有による漏れ電流を小さくするので、その一種以上
を含有させる。ただし、各元素において、０．０１ｐｐ
ｍ未満では上記作用が不十分であり、一方、２ｐｐｍを
越えると拡面化に寄与しない表面溶解が増加して静電容
量が低下するので、それぞれ０．０１〜２ｐｐｍの範囲
内に限定する。なお、同様の理由でそれぞれ、下限を
０．１ｐｐｍ、上限を１ｐｐｍとするのが望ましい。
【００１１】Ｍｇ：１ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下 Ｍｇは、上記したＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂが陽極酸化皮膜
中に拡散するのを促進してその効果をより一層高める作
用があるので、所望により含有させる。ただし、１ｐｐ
ｍ未満のＭｇ含有ではその作用が十分でなく、一方、１
０ｐｐｍを越えて含有させると拡面化に寄与しない表面
溶解が増加して静電容量が低下するので、Ｍｇ含有量は
１〜１０ｐｐｍの範囲内にとする。なお、同様の理由
で、下限を２ｐｐｍ、上限を５ｐｐｍとするのが望まし
い。
中に拡散するのを促進してその効果をより一層高める作
用があるので、所望により含有させる。ただし、１ｐｐ
ｍ未満のＭｇ含有ではその作用が十分でなく、一方、１
０ｐｐｍを越えて含有させると拡面化に寄与しない表面
溶解が増加して静電容量が低下するので、Ｍｇ含有量は
１〜１０ｐｐｍの範囲内にとする。なお、同様の理由
で、下限を２ｐｐｍ、上限を５ｐｐｍとするのが望まし
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のアルミニウム箔の製造に
際しては、上記した成分をその設定範囲内で含有させ溶
製したアルミニウム合金を用いることができる。該合金
は常法により溶製することができ、例えば溶解、鋳造、
均質化熱処理等を経て得ることができる。上記により得
られた合金は、インゴット形態で高温に加熱して熱間圧
延する。熱間圧延時条件は特に限定されるものではな
く、この熱間圧延によって数ｍｍ厚程度のシート材とす
る。このシート材に対し続いて冷間圧延を行い、数十μ
ｍから１００μｍ程度のアルミニウム合金箔を得る。な
お、冷間圧廷途中あるいは冷間圧廷終了後に適宜脱脂を
加えてもよい。また冷間圧廷の途中で適宜中間焼鈍を加
えても差し支えない。また、アルミニウム箔の製造に際
し、直接連続圧延によってアルミニウム薄板を得、これ
を冷間圧延して箔とするものであってもよい。
際しては、上記した成分をその設定範囲内で含有させ溶
製したアルミニウム合金を用いることができる。該合金
は常法により溶製することができ、例えば溶解、鋳造、
均質化熱処理等を経て得ることができる。上記により得
られた合金は、インゴット形態で高温に加熱して熱間圧
延する。熱間圧延時条件は特に限定されるものではな
く、この熱間圧延によって数ｍｍ厚程度のシート材とす
る。このシート材に対し続いて冷間圧延を行い、数十μ
ｍから１００μｍ程度のアルミニウム合金箔を得る。な
お、冷間圧廷途中あるいは冷間圧廷終了後に適宜脱脂を
加えてもよい。また冷間圧廷の途中で適宜中間焼鈍を加
えても差し支えない。また、アルミニウム箔の製造に際
し、直接連続圧延によってアルミニウム薄板を得、これ
を冷間圧延して箔とするものであってもよい。
【００１３】上記により得られたアルミニウム箔に対し
ては、その後、粗面化処理がなされる。粗面化処理は、
一般には塩酸を主体とする電解液を用いた電解エッチン
グ等によって行われるが、本発明としてはこの粗面化処
理の具体的条件等について特に限定されるものではな
く、例えば常法に従って行うことができる。粗面化処理
においては、上記成分の設定によって箔にピットが高密
度で形成され、高い粗面化率が得られる。特に、十分に
含有させたＣｕは、粗面化処理でのエッチングの均一性
を高め、静電容量を顕著に増大させる。
ては、その後、粗面化処理がなされる。粗面化処理は、
一般には塩酸を主体とする電解液を用いた電解エッチン
グ等によって行われるが、本発明としてはこの粗面化処
理の具体的条件等について特に限定されるものではな
く、例えば常法に従って行うことができる。粗面化処理
においては、上記成分の設定によって箔にピットが高密
度で形成され、高い粗面化率が得られる。特に、十分に
含有させたＣｕは、粗面化処理でのエッチングの均一性
を高め、静電容量を顕著に増大させる。
【００１４】さらに粗面化処理を施したアルミニウム箔
には耐電圧性の酸化皮膜を形成する。この酸化皮膜は、
通常は化成処理による陽極酸化皮膜として形成される。
この酸化皮膜の形成方法も本発明としては特に手法、条
件が限定されるものではなく、例えば常法により行うこ
とができる。なお、本発明のアルミニウム箔では、酸化
皮膜の形成に際し、箔に含有されている微量のＭｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの１種以上が酸化皮膜中に高濃度で取り
込まれ、酸化皮膜の絶縁性を顕著に高める。これによ
り、箔に多くの量のＣｕを含有していても、電極として
用いた際に酸化皮膜の漏れ電流が大きくなるのを有効に
防止することができる。この箔を常法により電解コンデ
ンサに電極として組み込むことにより静電容量が高く、
かつ漏れ電流の小さいコンデンサが得られる。本発明は
前述したように、化成電圧の低い低電圧電解コンデンサ
の陽極として使用するのが好適であるが、本発明として
はこれに限定されるものではなく、より化成電圧の高い
コンデンサ用としても使用することができ、また電解コ
ンデンサの陰極用の材料として使用することもできる。
には耐電圧性の酸化皮膜を形成する。この酸化皮膜は、
通常は化成処理による陽極酸化皮膜として形成される。
この酸化皮膜の形成方法も本発明としては特に手法、条
件が限定されるものではなく、例えば常法により行うこ
とができる。なお、本発明のアルミニウム箔では、酸化
皮膜の形成に際し、箔に含有されている微量のＭｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの１種以上が酸化皮膜中に高濃度で取り
込まれ、酸化皮膜の絶縁性を顕著に高める。これによ
り、箔に多くの量のＣｕを含有していても、電極として
用いた際に酸化皮膜の漏れ電流が大きくなるのを有効に
防止することができる。この箔を常法により電解コンデ
ンサに電極として組み込むことにより静電容量が高く、
かつ漏れ電流の小さいコンデンサが得られる。本発明は
前述したように、化成電圧の低い低電圧電解コンデンサ
の陽極として使用するのが好適であるが、本発明として
はこれに限定されるものではなく、より化成電圧の高い
コンデンサ用としても使用することができ、また電解コ
ンデンサの陰極用の材料として使用することもできる。
【００１５】
【実施例】表１に示す組成のアルミニウム箔を通常の鋳
造、面削、均質化処理、熱間圧延、冷間圧延により作製
した。工程の途中で適宜、中間焼鈍及び脱脂洗浄を行っ
た。得られたアルミニウム箔の厚さは９０μｍである。
この箔に、Ａｒ雰囲気中で３５０℃、６時間保持の条件
で最終焼鈍を施した。さらに、３５℃の５％塩酸＋０．
５％リン酸＋０．５％硝酸混合溶液中で周波数５０Ｈ
ｚ、電流密度５Ａ／ｄｍ２、電解時間３００秒の条件で
電解エッチングを行い、次いで８５℃の５％アジピン酸
アンモニウム中で２０Ｖで化成処理して陽極酸化皮膜を
形成し、２５℃の同溶液中で静電容量を測定した。ま
た、３０℃の０．５Ｍホウ酸＋０．０５Ｍ四ホウ酸ナト
リウム混合水溶液中で、５Ｖの電圧を印加して漏れ電流
を測定した。これらの結果を相対評価として表１に併記
した。
造、面削、均質化処理、熱間圧延、冷間圧延により作製
した。工程の途中で適宜、中間焼鈍及び脱脂洗浄を行っ
た。得られたアルミニウム箔の厚さは９０μｍである。
この箔に、Ａｒ雰囲気中で３５０℃、６時間保持の条件
で最終焼鈍を施した。さらに、３５℃の５％塩酸＋０．
５％リン酸＋０．５％硝酸混合溶液中で周波数５０Ｈ
ｚ、電流密度５Ａ／ｄｍ２、電解時間３００秒の条件で
電解エッチングを行い、次いで８５℃の５％アジピン酸
アンモニウム中で２０Ｖで化成処理して陽極酸化皮膜を
形成し、２５℃の同溶液中で静電容量を測定した。ま
た、３０℃の０．５Ｍホウ酸＋０．０５Ｍ四ホウ酸ナト
リウム混合水溶液中で、５Ｖの電圧を印加して漏れ電流
を測定した。これらの結果を相対評価として表１に併記
した。
【００１６】
【表１】
【００１７】上記表から明らかなように、本発明材は、
いずれの比較材に対しても高い静電容量を有しており、
しかも漏れ電流も小さなものになっている。これに対
し、比較材では、静電容量、漏れ電流のいずれかで劣っ
た結果が得られており、本発明材の成分選定によって初
めて高い静電容量と、抑制された漏れ電流が得られてい
ることが分かる。
いずれの比較材に対しても高い静電容量を有しており、
しかも漏れ電流も小さなものになっている。これに対
し、比較材では、静電容量、漏れ電流のいずれかで劣っ
た結果が得られており、本発明材の成分選定によって初
めて高い静電容量と、抑制された漏れ電流が得られてい
ることが分かる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔によれば、質量比で、Ｓ
ｉ：１０〜１００ｐｐｍ、Ｆｅ：１０〜１００ｐｐｍ、
Ｃｕ：８０〜１０００ｐｐｍを含有し、Ｍｏ：０．０１
〜２ｐｐｍ、Ｗ：０．０１〜２ｐｐｍ、Ｔａ：０．０１
〜２ｐｐｍ、Ｎｂ：０．０１〜２ｐｐｍの内１種または
２種以上を含有し、さらに所望によりＭｇ：１〜１０ｐ
ｐｍを含有し、残部がＡｌと不可避不純物とからなるの
で、その含有成分によって粗面化率が向上してコンデン
サとして高い静電容量が得られるとともに、漏れ電流の
発生が抑制されて良質のコンデンサが得られる。
デンサ電極用アルミニウム箔によれば、質量比で、Ｓ
ｉ：１０〜１００ｐｐｍ、Ｆｅ：１０〜１００ｐｐｍ、
Ｃｕ：８０〜１０００ｐｐｍを含有し、Ｍｏ：０．０１
〜２ｐｐｍ、Ｗ：０．０１〜２ｐｐｍ、Ｔａ：０．０１
〜２ｐｐｍ、Ｎｂ：０．０１〜２ｐｐｍの内１種または
２種以上を含有し、さらに所望によりＭｇ：１〜１０ｐ
ｐｍを含有し、残部がＡｌと不可避不純物とからなるの
で、その含有成分によって粗面化率が向上してコンデン
サとして高い静電容量が得られるとともに、漏れ電流の
発生が抑制されて良質のコンデンサが得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 質量比で、Ｓｉ：１０ｐｐｍ以上１００
ｐｐｍ以下、Ｆｅ：１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、
Ｃｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下を含有し、さ
らに、Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｗ：
０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｔａ：０．０１ｐｐ
ｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐ
ｍ以下の内１種または２種以上を含有し、残部がＡｌと
不可避不純物とからなることを特徴とする電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔 - 【請求項２】 質量比で、Ｓｉ：１０ｐｐｍ以上１００
ｐｐｍ以下、Ｆｅ：１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、
Ｃｕ：８０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下を含有し、さ
らに、Ｍｏ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｗ：
０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｔａ：０．０１ｐｐ
ｍ以上２ｐｐｍ以下、Ｎｂ：０．０１ｐｐｍ以上２ｐｐ
ｍ以下の内１種又は２種以上と、Ｍｇ：１ｐｐｍ以上１
０ｐｐｍ以下を含有し、残部がＡｌと不可避不純物とか
らなることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011598A JP2001203129A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011598A JP2001203129A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203129A true JP2001203129A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18539442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000011598A Pending JP2001203129A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001203129A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007277602A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Toyo Aluminium Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| CN101770871A (zh) * | 2010-03-04 | 2010-07-07 | 北京中拓机械有限责任公司 | 电容器阳极用铝箔及生产方法 |
-
2000
- 2000-01-20 JP JP2000011598A patent/JP2001203129A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2007277602A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Toyo Aluminium Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
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