JP2001196410A - 電気接続箱 - Google Patents
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板面積を大幅に縮小でき小型化を図ること
のできる電気接続箱を提供する。 【解決手段】 セラミック基板１５上に絶縁多層配線１
３を形成する領域を設け、絶縁多層配線に弱電部品１４
を高集積で実装し、他の領域ににパワー部品３０を搭載
すると共に、セラミック基板１５側とブスバー２８とが
ボンディングワイヤ３７でボンディングされ、且つセラ
ミック基板１５とケーシング部１２とで形成される凹部
３８にシリコンゲル３９を充填して封止している。この
ため、電子部品の実装面積を縮小でき、熱的悪影響を抑
制した電気接続箱１０を実現できる。
のできる電気接続箱を提供する。 【解決手段】 セラミック基板１５上に絶縁多層配線１
３を形成する領域を設け、絶縁多層配線に弱電部品１４
を高集積で実装し、他の領域ににパワー部品３０を搭載
すると共に、セラミック基板１５側とブスバー２８とが
ボンディングワイヤ３７でボンディングされ、且つセラ
ミック基板１５とケーシング部１２とで形成される凹部
３８にシリコンゲル３９を充填して封止している。この
ため、電子部品の実装面積を縮小でき、熱的悪影響を抑
制した電気接続箱１０を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電気接続箱に関
し、さらに詳しくは、セラミック製の絶縁多層配線を備
えた電気接続箱に関する。
し、さらに詳しくは、セラミック製の絶縁多層配線を備
えた電気接続箱に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気接続箱としては、図６に示す
構成のものがある。この電気接続箱においては、同図に
示すように、ハウジング１に各種電子部品が実装された
プリント配線基板２が収容され、ブスバー３を収容した
アンダーカバー４がハウジング１に装着されている。ま
た、ブスバー３に接続されるコネクタブロック５がアン
ダーカバー４に装着され、コネクタブロック５と接続さ
れる電線布線シート６に電線７が適宜配索され、アンダ
ーカバー４の上方を覆うようにメインカバー８が装着さ
れている。プリント配線基板２は、ガラス布エポキシ銅
張積層板でなる基板に、例えばマイコンチップ、ＩＣパ
ッケージ、ＬＳＩパッケージ、抵抗、コンデンサ、トラ
ンジスタ、リレーなどの電子部品９が搭載、実装されて
いる。さらに、プリント配線基板２には、多重通信、負
荷制御、ワーニングなどの機能を有する電子回路が構成
されている。
構成のものがある。この電気接続箱においては、同図に
示すように、ハウジング１に各種電子部品が実装された
プリント配線基板２が収容され、ブスバー３を収容した
アンダーカバー４がハウジング１に装着されている。ま
た、ブスバー３に接続されるコネクタブロック５がアン
ダーカバー４に装着され、コネクタブロック５と接続さ
れる電線布線シート６に電線７が適宜配索され、アンダ
ーカバー４の上方を覆うようにメインカバー８が装着さ
れている。プリント配線基板２は、ガラス布エポキシ銅
張積層板でなる基板に、例えばマイコンチップ、ＩＣパ
ッケージ、ＬＳＩパッケージ、抵抗、コンデンサ、トラ
ンジスタ、リレーなどの電子部品９が搭載、実装されて
いる。さらに、プリント配線基板２には、多重通信、負
荷制御、ワーニングなどの機能を有する電子回路が構成
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の電気接続箱では、プリント配線基板２に全て
の電子部品９が搭載されているため、プリント配線基板
２が大型化する傾向にあり、これに伴い電気接続箱が大
型化するという問題点があった。また、プリント配線基
板２に、発熱性の高いパワー部品と発熱性の比較的低い
弱電部品とを混在させて搭載するので、パワー部品の熱
的な悪影響を抑制するために実装密度の高いプリント配
線基板２の表面に放熱構造を設けるスペースを要すると
いう問題点があった。
うな従来の電気接続箱では、プリント配線基板２に全て
の電子部品９が搭載されているため、プリント配線基板
２が大型化する傾向にあり、これに伴い電気接続箱が大
型化するという問題点があった。また、プリント配線基
板２に、発熱性の高いパワー部品と発熱性の比較的低い
弱電部品とを混在させて搭載するので、パワー部品の熱
的な悪影響を抑制するために実装密度の高いプリント配
線基板２の表面に放熱構造を設けるスペースを要すると
いう問題点があった。
【０００４】また、従来の電気接続箱においては、プリ
ント配線基板２、電線布線シート６、ブスバー３が分離
されておりヒューズも設置する必要があるため、接続が
複雑であった。
ント配線基板２、電線布線シート６、ブスバー３が分離
されておりヒューズも設置する必要があるため、接続が
複雑であった。
【０００５】さらに、従来の電気接続箱では、過熱遮断
回路内蔵ＦＥＴをプリント配線基板２に対して分離した
状態で搭載しなければならず、プリント配線基板２の小
型化が図れないものであった。
回路内蔵ＦＥＴをプリント配線基板２に対して分離した
状態で搭載しなければならず、プリント配線基板２の小
型化が図れないものであった。
【０００６】ところで、プリント配線基板２に代えて低
温焼成セラミック多層配線基板を用いることも提案され
ているが、セラミックからなる低温焼成の多層配線基板
は熱伝導率が低く、この多層配線基板の一方の実装面に
パワー部品を搭載した場合には、パワー部品で発生した
熱を逃がすために、多層配線基板の厚さ方向に亙ってサ
ーモビアと称される複数の金属帯を埋め込む必要があ
り、製造工程の増加を招くという問題がある。
温焼成セラミック多層配線基板を用いることも提案され
ているが、セラミックからなる低温焼成の多層配線基板
は熱伝導率が低く、この多層配線基板の一方の実装面に
パワー部品を搭載した場合には、パワー部品で発生した
熱を逃がすために、多層配線基板の厚さ方向に亙ってサ
ーモビアと称される複数の金属帯を埋め込む必要があ
り、製造工程の増加を招くという問題がある。
【０００７】そこで、本発明は、基板面積を大幅に縮小
でき、小型化を図ることのできる電気接続箱を提供する
ことを目的としている。
でき、小型化を図ることのできる電気接続箱を提供する
ことを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
セラミック基板上の所定領域に発熱性部品が実装される
と共に、前記セラミック基板上の所定領域以外の領域に
積層、形成された多層配線上に弱電部品が実装され、前
記セラミック基板側とブスバーとがワイヤボンディング
されていることを特徴とするこのような構成の請求項１
記載の発明では、セラミック基板の所定領域に発熱性部
品が実装され、発熱性の低い弱電部品は領域を異にする
多層配線上に形成されているため、弱電部品が発熱性部
品から熱的な影響を受けることを抑制できる。なお、従
来のように弱電部品と発熱性部品を混在させる構成で
は、弱電部品と発熱性部品との距離を離す必要があった
が、請求項１記載の発明のように発熱性部品と弱電部品
とが異なる領域に実装することにより、複数の弱電部品
を多層配線上に高集積実装することができる。因に、従
来のプリント配線基板を用いた場合に比較して、５倍以
上の高集積化を図ることが可能となる。また、請求項１
記載の発明では、ブスバーとセラミック基板側とをワイ
ヤボンディングすることで接続するため、ブスバーの形
状を単純化することができると共に、ワイヤボンダーを
用いて容易且つ迅速に接続することが可能になる。
セラミック基板上の所定領域に発熱性部品が実装される
と共に、前記セラミック基板上の所定領域以外の領域に
積層、形成された多層配線上に弱電部品が実装され、前
記セラミック基板側とブスバーとがワイヤボンディング
されていることを特徴とするこのような構成の請求項１
記載の発明では、セラミック基板の所定領域に発熱性部
品が実装され、発熱性の低い弱電部品は領域を異にする
多層配線上に形成されているため、弱電部品が発熱性部
品から熱的な影響を受けることを抑制できる。なお、従
来のように弱電部品と発熱性部品を混在させる構成で
は、弱電部品と発熱性部品との距離を離す必要があった
が、請求項１記載の発明のように発熱性部品と弱電部品
とが異なる領域に実装することにより、複数の弱電部品
を多層配線上に高集積実装することができる。因に、従
来のプリント配線基板を用いた場合に比較して、５倍以
上の高集積化を図ることが可能となる。また、請求項１
記載の発明では、ブスバーとセラミック基板側とをワイ
ヤボンディングすることで接続するため、ブスバーの形
状を単純化することができると共に、ワイヤボンダーを
用いて容易且つ迅速に接続することが可能になる。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の電気接続箱であって、前記セラミック基板の実装面
側がシリコンゲルで封止されていることを特徴とする。
載の電気接続箱であって、前記セラミック基板の実装面
側がシリコンゲルで封止されていることを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明では、シリコンゲルが
弱電部品、発熱性部品及びボンディングワイヤ、配線パ
ターンなどを空気及び湿気から保護する作用がある。ま
た、シリコンゲルは、注入及び硬化させることが容易で
あるため、製造工程を簡略にすることができる。
弱電部品、発熱性部品及びボンディングワイヤ、配線パ
ターンなどを空気及び湿気から保護する作用がある。ま
た、シリコンゲルは、注入及び硬化させることが容易で
あるため、製造工程を簡略にすることができる。
【００１１】さらに、請求項３記載の発明は、請求項１
又は請求項２に記載の電気接続箱であって、前記セラミ
ック基板の裏面側に、ヒートシンク構造が設けられてい
ることを特徴とする。
又は請求項２に記載の電気接続箱であって、前記セラミ
ック基板の裏面側に、ヒートシンク構造が設けられてい
ることを特徴とする。
【００１２】したがって、請求項３記載の発明では、請
求項１及び請求項２に記載の発明の作用に加えて、発熱
性部品で発生した熱をセラミック基板の裏面側のヒート
シンク構造により逃がす作用を有し、電気接続箱全体と
しての温度上昇を抑制する作用がある。特に、請求項３
記載の発明では、低温焼成多層配線基板より熱伝導性の
高いセラミック基板を介してヒートシンク構造へ熱を伝
導させることができるため、発熱性部品で発生した熱を
効率よく逃がす作用がある。
求項１及び請求項２に記載の発明の作用に加えて、発熱
性部品で発生した熱をセラミック基板の裏面側のヒート
シンク構造により逃がす作用を有し、電気接続箱全体と
しての温度上昇を抑制する作用がある。特に、請求項３
記載の発明では、低温焼成多層配線基板より熱伝導性の
高いセラミック基板を介してヒートシンク構造へ熱を伝
導させることができるため、発熱性部品で発生した熱を
効率よく逃がす作用がある。
【００１３】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載の電気接続箱であって、前
記セラミック基板の周囲はリング状のケーシングで囲ま
れ、前記ケーシングの内壁面から内側へ向けて前記ブス
バーの端部が突出すると共に、前記セラミック基板と前
記ケーシングとで形成された凹部に前記シリコンゲルが
充填されていることを特徴とする。
至請求項３のいずれかに記載の電気接続箱であって、前
記セラミック基板の周囲はリング状のケーシングで囲ま
れ、前記ケーシングの内壁面から内側へ向けて前記ブス
バーの端部が突出すると共に、前記セラミック基板と前
記ケーシングとで形成された凹部に前記シリコンゲルが
充填されていることを特徴とする。
【００１４】したがって、請求項４記載の発明は、請求
項１〜請求項３に記載の発明の作用に加えて、セラミッ
ク基板とケーシングとにより凹部が形成されているた
め、シリコンゲルをその凹部へ注入し易く製造を容易に
することができる。また、セラミック基板とケーシング
とを共にシリコンゲルに浸漬させるディップ法により封
止を行う場合も、凹部が形成されているため、容易にシ
リコンゲルの充填が行える。また、電子部品を実装した
セラミック基板をリング状のケーシングに組み付けてワ
イヤボンディングすることで配線接続が完了するため、
製造工程数を削減することができる。
項１〜請求項３に記載の発明の作用に加えて、セラミッ
ク基板とケーシングとにより凹部が形成されているた
め、シリコンゲルをその凹部へ注入し易く製造を容易に
することができる。また、セラミック基板とケーシング
とを共にシリコンゲルに浸漬させるディップ法により封
止を行う場合も、凹部が形成されているため、容易にシ
リコンゲルの充填が行える。また、電子部品を実装した
セラミック基板をリング状のケーシングに組み付けてワ
イヤボンディングすることで配線接続が完了するため、
製造工程数を削減することができる。
【００１５】さらに、請求項５記載の発明は、請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載の電気接続箱であって、
前記弱電部品は、前記多層配線にベアチップ実装されて
いることを特徴とする。
乃至請求項４のいずれかに記載の電気接続箱であって、
前記弱電部品は、前記多層配線にベアチップ実装されて
いることを特徴とする。
【００１６】したがって、請求項５記載の発明では、請
求項１〜請求項４に記載の発明の作用に加えて、多層配
線の実装面に電子部品がベアチップの状態で実装されて
いるが、シリコンゲルがベアチップを保護する作用があ
る。また、ベアチップ実装としたことにより、電子部品
の小型化と高集積化を図ることができ、多層配線及びセ
ラミック基板の小型化を図ることができ、以て電気接続
箱の小型化を図ることができる。
求項１〜請求項４に記載の発明の作用に加えて、多層配
線の実装面に電子部品がベアチップの状態で実装されて
いるが、シリコンゲルがベアチップを保護する作用があ
る。また、ベアチップ実装としたことにより、電子部品
の小型化と高集積化を図ることができ、多層配線及びセ
ラミック基板の小型化を図ることができ、以て電気接続
箱の小型化を図ることができる。
【００１７】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の電気接続箱であって、前記ベアチップ実装は、ベア
チップと前記多層配線の前記一方の実装面に形成された
配線パターンとがフリップチップを介して接続されたフ
リップチップ実装であることを特徴とする。
載の電気接続箱であって、前記ベアチップ実装は、ベア
チップと前記多層配線の前記一方の実装面に形成された
配線パターンとがフリップチップを介して接続されたフ
リップチップ実装であることを特徴とする。
【００１８】したがって、請求項６記載の発明では、請
求項５記載の発明の作用に加えて、ベアチップをフェイ
スダウンの状態でフリップチップを介して例えばリフロ
ーなどを施すことで容易に接続を行うことができる。こ
のため、部品実装を簡略化することが可能となる。
求項５記載の発明の作用に加えて、ベアチップをフェイ
スダウンの状態でフリップチップを介して例えばリフロ
ーなどを施すことで容易に接続を行うことができる。こ
のため、部品実装を簡略化することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電気接続箱の
詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。図１は
本実施形態の電気接続箱の平面説明図、図２は図１のＡ
−Ａ断面説明図、図３は要部断面図、図４及び図５はコ
ネクタ部の正面図である。
詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。図１は
本実施形態の電気接続箱の平面説明図、図２は図１のＡ
−Ａ断面説明図、図３は要部断面図、図４及び図５はコ
ネクタ部の正面図である。
【００２０】本実施形態の電気接続箱１０は、図示する
ように、例えばアルミナ系セラミック、窒化アルミナ
（ＡＩＮ）、シリコンカーボネイト（ＳｉＣ）などのセ
ラミック材料から形成された矩形状のセラミック基板１
５と、このセラミック基板１５上に積層、形成された絶
縁多層配線１３と、セラミック基板１５を取り囲むケー
シング部１２とから大略構成されている。
ように、例えばアルミナ系セラミック、窒化アルミナ
（ＡＩＮ）、シリコンカーボネイト（ＳｉＣ）などのセ
ラミック材料から形成された矩形状のセラミック基板１
５と、このセラミック基板１５上に積層、形成された絶
縁多層配線１３と、セラミック基板１５を取り囲むケー
シング部１２とから大略構成されている。
【００２１】セラミック基板１５の表面の所定領域に
は、ガラス絶縁層を積層して適宜の多層配線が形成され
た絶縁多層配線１３が形成されている。この絶縁多層配
線１３の表面側には、例えばドライバＩＣ、温度センサ
ＩＣなどの比較的発熱量の小さい電子部品（以下、弱電
部品という）１４が搭載されている。一方、セラミック
基板１５の絶縁多層配線１３が形成された所定領域以外
の領域には、過熱遮断回路内蔵ＦＥＴなどの比較的発熱
量の大きい発熱性部品（以下、パワー部品という）３０
が搭載されている。なお、図中符号１４ａはドライバＩ
Ｃ、１４ｂは温度センサＩＣ、３０は過熱遮断回路内蔵
ＦＥＴを示している。
は、ガラス絶縁層を積層して適宜の多層配線が形成され
た絶縁多層配線１３が形成されている。この絶縁多層配
線１３の表面側には、例えばドライバＩＣ、温度センサ
ＩＣなどの比較的発熱量の小さい電子部品（以下、弱電
部品という）１４が搭載されている。一方、セラミック
基板１５の絶縁多層配線１３が形成された所定領域以外
の領域には、過熱遮断回路内蔵ＦＥＴなどの比較的発熱
量の大きい発熱性部品（以下、パワー部品という）３０
が搭載されている。なお、図中符号１４ａはドライバＩ
Ｃ、１４ｂは温度センサＩＣ、３０は過熱遮断回路内蔵
ＦＥＴを示している。
【００２２】ここで、絶縁多層配線１３の構成を説明す
る。絶縁多層配線１３は、ガラス粉末にアルミ粉末を混
ぜ、これに樹脂及び溶剤を加えたペーストを焼成した絶
縁層１６が積層され、これらセラミック基板１５、絶縁
層１６、１７、１８の層界面や表面には、所定の配線回
路パターン１９、２０、２１、２２がパターニングされ
ており、これら絶縁層のそれぞれには、ビアホールに導
電性材料が充填されてなる埋込みプラグ配線２４、２
５、２６が層上下に位置する各配線回路パターン間を接
続するように形成されている。
る。絶縁多層配線１３は、ガラス粉末にアルミ粉末を混
ぜ、これに樹脂及び溶剤を加えたペーストを焼成した絶
縁層１６が積層され、これらセラミック基板１５、絶縁
層１６、１７、１８の層界面や表面には、所定の配線回
路パターン１９、２０、２１、２２がパターニングされ
ており、これら絶縁層のそれぞれには、ビアホールに導
電性材料が充填されてなる埋込みプラグ配線２４、２
５、２６が層上下に位置する各配線回路パターン間を接
続するように形成されている。
【００２３】なお、絶縁層１６、１７、１８の具体的な
他の構成例としては、ガラス系材料からなるものや、結
晶化ガラスがある。
他の構成例としては、ガラス系材料からなるものや、結
晶化ガラスがある。
【００２４】また、セラミック基板１５の表面周縁部の
絶縁層１６上には、後述するブスバー２８の端部にワイ
ヤボンディングされるボンディングパッド２０ａが形成
されている。図３に示すように、接続パッド部２２ａに
は、弱電部品１４（１４ａ、１４ｂを含む）をベアチッ
プの状態でフェイスダウンでフリップチップ実装されて
いる。なお、本実施形態では、絶縁多層配線１３の表面
側の弱電部品１４の実装をベアチップの状態で実装（ベ
アチップ実装）したが、ベアチップに近い形態のＣＳＰ
（Chip Size Package）の状態で実装してもよい。
絶縁層１６上には、後述するブスバー２８の端部にワイ
ヤボンディングされるボンディングパッド２０ａが形成
されている。図３に示すように、接続パッド部２２ａに
は、弱電部品１４（１４ａ、１４ｂを含む）をベアチッ
プの状態でフェイスダウンでフリップチップ実装されて
いる。なお、本実施形態では、絶縁多層配線１３の表面
側の弱電部品１４の実装をベアチップの状態で実装（ベ
アチップ実装）したが、ベアチップに近い形態のＣＳＰ
（Chip Size Package）の状態で実装してもよい。
【００２５】一方、セラミック基板１５の上記絶縁多層
配線１３以外の領域には、発熱量の比較的大きいパワー
部品３０を搭載するための複数の接続パッド部１９ａが
形成されている。これらの接続パッド部１９ａには、図
３に示すようにパワー部品３０が実装されている。パワ
ー部品３０の実装形態は、パワー部品３０から導出され
た例えばアルミワイヤ１５ａが接続パッド部１９ａにワ
イヤボンディングされている。なお、セラミック基板１
５の裏面側には図示しないグランド用パッド部が形成さ
れており、これに図３に示すように放熱フィン２９が取
り付けられている。このようにセラミック基板１５に搭
載されたパワー部品３０で発生する熱は、放熱フィン２
９により効率的に放熱されるようになっている。
配線１３以外の領域には、発熱量の比較的大きいパワー
部品３０を搭載するための複数の接続パッド部１９ａが
形成されている。これらの接続パッド部１９ａには、図
３に示すようにパワー部品３０が実装されている。パワ
ー部品３０の実装形態は、パワー部品３０から導出され
た例えばアルミワイヤ１５ａが接続パッド部１９ａにワ
イヤボンディングされている。なお、セラミック基板１
５の裏面側には図示しないグランド用パッド部が形成さ
れており、これに図３に示すように放熱フィン２９が取
り付けられている。このようにセラミック基板１５に搭
載されたパワー部品３０で発生する熱は、放熱フィン２
９により効率的に放熱されるようになっている。
【００２６】また、セラミック基板１５には、接続パッ
ド部１９ａと接続して裏面側へ延在されたビア４２が形
成されており、裏面で絶縁多層配線１３と接続させるこ
とも可能である。
ド部１９ａと接続して裏面側へ延在されたビア４２が形
成されており、裏面で絶縁多層配線１３と接続させるこ
とも可能である。
【００２７】以上、セラミック１１の構成について説明
したが、次に、ケーシング部１２の構成について説明す
る。ケーシング部１２は、絶縁多層配線１３の周囲を密
に取り囲むような矩形のリング状となるように電気絶縁
性樹脂で形成されている。ケーシング部１２の内壁面上
部には、ケーシング部１２の下方から挿入されたセラミ
ック基板１５を受け止める段部１２Ａが形成されてい
る。また、この段部１２Ａには、ブスバー２８の端部が
内側へ向けて突出するように配置されている。
したが、次に、ケーシング部１２の構成について説明す
る。ケーシング部１２は、絶縁多層配線１３の周囲を密
に取り囲むような矩形のリング状となるように電気絶縁
性樹脂で形成されている。ケーシング部１２の内壁面上
部には、ケーシング部１２の下方から挿入されたセラミ
ック基板１５を受け止める段部１２Ａが形成されてい
る。また、この段部１２Ａには、ブスバー２８の端部が
内側へ向けて突出するように配置されている。
【００２８】なお、このブスバー２８は、図１〜図３に
示すように略コ字形状の金属板であり、内側周端縁のケ
ーシング部１２の内側に突出するように、大部分がケー
シング部１２内に埋設されている。このブスバー２８の
内側端部と絶縁層１６の表面周縁部に形成された接続パ
ッド部２０ａとは、ボンディングワイヤ３７で接続され
ている。また、ケーシング部１２の周囲には、ブスバー
２８に接続された各種のコネクタ部３１、３２、３３が
形成されている。
示すように略コ字形状の金属板であり、内側周端縁のケ
ーシング部１２の内側に突出するように、大部分がケー
シング部１２内に埋設されている。このブスバー２８の
内側端部と絶縁層１６の表面周縁部に形成された接続パ
ッド部２０ａとは、ボンディングワイヤ３７で接続され
ている。また、ケーシング部１２の周囲には、ブスバー
２８に接続された各種のコネクタ部３１、３２、３３が
形成されている。
【００２９】図４はコネクタ部３１の正面図であり、図
５はコネクタ部３２の正面図である。図４及び図５に示
すように、コネクタ部３１、３２内には、それぞれ接続
端子３４〜３４、３５〜３５が形成されており、この電
気接続箱１０により制御される他の電気機器などに接続
された図示しないワイヤハーネスに接続された他のコネ
クタ部と接続し得るようになっている。
５はコネクタ部３２の正面図である。図４及び図５に示
すように、コネクタ部３１、３２内には、それぞれ接続
端子３４〜３４、３５〜３５が形成されており、この電
気接続箱１０により制御される他の電気機器などに接続
された図示しないワイヤハーネスに接続された他のコネ
クタ部と接続し得るようになっている。
【００３０】また、コネクタ部３３もコネクタ部３１、
３２と略同様の構成である。また、ケーシング部１２の
一対の対向する周面には、電気接続箱１０の装着に供さ
れる取付部３６、３６が外側へ突出するように設けられ
ている。
３２と略同様の構成である。また、ケーシング部１２の
一対の対向する周面には、電気接続箱１０の装着に供さ
れる取付部３６、３６が外側へ突出するように設けられ
ている。
【００３１】次に、図２及び図３を用いて電気接続箱１
０の封止構造について説明する。ケーシング部１２にセ
ラミック基板１５が収容された状態では、ケーシング部
１２の上部とセラミック基板（絶縁多層配線１３も含
む）１１とで凹部３８が形成されており、この凹部３８
内に封止材としてのシリコンゲル３８が充填されてい
る。このシリコンゲル３９は、例えばポッティングによ
りこの凹部３６に注入された後、硬化されている。シリ
コンゲル３９は、弱電部品１４やボンディングワイヤ３
７を封止して外気や湿気から保護する作用を奏する。
０の封止構造について説明する。ケーシング部１２にセ
ラミック基板１５が収容された状態では、ケーシング部
１２の上部とセラミック基板（絶縁多層配線１３も含
む）１１とで凹部３８が形成されており、この凹部３８
内に封止材としてのシリコンゲル３８が充填されてい
る。このシリコンゲル３９は、例えばポッティングによ
りこの凹部３６に注入された後、硬化されている。シリ
コンゲル３９は、弱電部品１４やボンディングワイヤ３
７を封止して外気や湿気から保護する作用を奏する。
【００３２】また、本実施形態では、シリコンゲル３９
を用いたことにより、その硬化処理が容易であるため製
造作業を簡単にすることができる。また、ケーシング部
１２の上部開口は、蓋板４０で閉塞されておりシリコン
ゲル３９の封止作用と封止４０の封止作用との二重の封
止作用で弱電部品１４などを保護することができる。
を用いたことにより、その硬化処理が容易であるため製
造作業を簡単にすることができる。また、ケーシング部
１２の上部開口は、蓋板４０で閉塞されておりシリコン
ゲル３９の封止作用と封止４０の封止作用との二重の封
止作用で弱電部品１４などを保護することができる。
【００３３】このような構成の本実施形態の電気接続箱
１０では、弱電部品１４を実装する領域とパワー部品３
０を実装する領域とをセラミック基板１５上で分けてい
るため、弱電部品１４の高集積化を達成することができ
る。また、セラミック基板１５の裏面側にヒートシンク
構造が設けられているため、パワー部品３０で発生した
熱を絶縁多層配線１３を介在させることなく直ちに放熱
フィン２９で放熱させることができる。このため、電気
接続箱１０における熱的悪影響を大幅に抑制することが
できる。また、絶縁多層配線１３に実装する弱電部品１
４をベアチップ実装したことにより、実装工程が容易と
なると共に、実装密度を大幅に向上させることができ
る。因に、実装密度は従来のプリント配線基板を用いた
電気接続箱に対して５倍以上の実装密度を確保すること
ができる。すなわち、従来のプリント配線基板の五分の
一の面積で実装が可能となる。
１０では、弱電部品１４を実装する領域とパワー部品３
０を実装する領域とをセラミック基板１５上で分けてい
るため、弱電部品１４の高集積化を達成することができ
る。また、セラミック基板１５の裏面側にヒートシンク
構造が設けられているため、パワー部品３０で発生した
熱を絶縁多層配線１３を介在させることなく直ちに放熱
フィン２９で放熱させることができる。このため、電気
接続箱１０における熱的悪影響を大幅に抑制することが
できる。また、絶縁多層配線１３に実装する弱電部品１
４をベアチップ実装したことにより、実装工程が容易と
なると共に、実装密度を大幅に向上させることができ
る。因に、実装密度は従来のプリント配線基板を用いた
電気接続箱に対して５倍以上の実装密度を確保すること
ができる。すなわち、従来のプリント配線基板の五分の
一の面積で実装が可能となる。
【００３４】以上、実施形態について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１記載の発明によれば、セラミック基板の所定領域に発
熱性部品が実装され、発熱性の低い弱電部品は領域を異
にする多層配線上に形成されているため、弱電部品が発
熱性部品から熱的な影響を受けることを抑制する効果が
ある。また、発熱性部品と弱電部品とが異なる領域に実
装されているため、複数の弱電部品を多層配線上に高集
積実装することができる。因に、従来のプリント配線基
板を用いた場合に比較して、５倍以上の高集積化を達成
する効果がある。さらに、請求項１記載の発明によれ
ば、ブスバーとセラミック基板側とをワイヤボンディン
グすることで接続するため、ブスバーの形状を単純化す
ることができると共に、ワイヤボンダーを用いて容易且
つ迅速に接続することできる。
１記載の発明によれば、セラミック基板の所定領域に発
熱性部品が実装され、発熱性の低い弱電部品は領域を異
にする多層配線上に形成されているため、弱電部品が発
熱性部品から熱的な影響を受けることを抑制する効果が
ある。また、発熱性部品と弱電部品とが異なる領域に実
装されているため、複数の弱電部品を多層配線上に高集
積実装することができる。因に、従来のプリント配線基
板を用いた場合に比較して、５倍以上の高集積化を達成
する効果がある。さらに、請求項１記載の発明によれ
ば、ブスバーとセラミック基板側とをワイヤボンディン
グすることで接続するため、ブスバーの形状を単純化す
ることができると共に、ワイヤボンダーを用いて容易且
つ迅速に接続することできる。
【００３６】請求項２記載の発明によれば、シリコンゲ
ルが弱電部品、発熱性部品及びボンディングワイヤ、配
線パターンなどを空気及び湿気から保護するため、耐久
性の高い電気接続箱を実現することができる。また、シ
リコンゲルで封止を行うため、注入及び硬化させること
が容易であり製造工程を簡略にすることができる。
ルが弱電部品、発熱性部品及びボンディングワイヤ、配
線パターンなどを空気及び湿気から保護するため、耐久
性の高い電気接続箱を実現することができる。また、シ
リコンゲルで封止を行うため、注入及び硬化させること
が容易であり製造工程を簡略にすることができる。
【００３７】請求項３記載の発明によれば、請求項１及
び請求項２に記載の発明の効果に加えて、発熱性部品で
発生した熱をセラミック基板の裏面側のヒートシンク構
造により逃がす作用を有し、電気接続箱全体としての温
度上昇を抑制する効果がある。特に、請求項３記載の発
明によれば、多層配線より熱伝導性の高いセラミック基
板を介してヒートシンク構造へ熱を伝導させることがで
きるため、発熱性部品で発生した熱を効率よく逃がす効
果がある。
び請求項２に記載の発明の効果に加えて、発熱性部品で
発生した熱をセラミック基板の裏面側のヒートシンク構
造により逃がす作用を有し、電気接続箱全体としての温
度上昇を抑制する効果がある。特に、請求項３記載の発
明によれば、多層配線より熱伝導性の高いセラミック基
板を介してヒートシンク構造へ熱を伝導させることがで
きるため、発熱性部品で発生した熱を効率よく逃がす効
果がある。
【００３８】請求項４記載の発明によれば、請求項１〜
請求項３に記載の発明の効果に加えて、セラミック基板
とケーシングとにより凹部が形成されているため、シリ
コンゲルをその凹部へ注入し易く製造を容易にすること
ができる。
請求項３に記載の発明の効果に加えて、セラミック基板
とケーシングとにより凹部が形成されているため、シリ
コンゲルをその凹部へ注入し易く製造を容易にすること
ができる。
【００３９】請求項５記載の発明によれば、請求項１〜
請求項４に記載の発明の効果に加えて、シリコンゲルが
ベアチップを保護して弱電部品の耐久性を高める効果が
ある。また、ベアチップ実装としたことにより、電子部
品の小型化と高集積化を図ることができ、多層配線及び
セラミック基板の小型化を図ることができ、以て電気接
続箱の小型化を達成する効果がある。
請求項４に記載の発明の効果に加えて、シリコンゲルが
ベアチップを保護して弱電部品の耐久性を高める効果が
ある。また、ベアチップ実装としたことにより、電子部
品の小型化と高集積化を図ることができ、多層配線及び
セラミック基板の小型化を図ることができ、以て電気接
続箱の小型化を達成する効果がある。
【００４０】請求項６記載の発明によれば、請求項５記
載の発明の効果に加えて、ベアチップをフェイスダウン
の状態でフリップチップを介して例えばリフローなどを
施すことで容易に接続を行うことができる。このため、
部品実装を簡略化することが可能となる。
載の発明の効果に加えて、ベアチップをフェイスダウン
の状態でフリップチップを介して例えばリフローなどを
施すことで容易に接続を行うことができる。このため、
部品実装を簡略化することが可能となる。
【図１】本発明に係る電気接続箱の平面説明図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面説明図である。
【図３】本実施形態の要部断面図である。
【図４】本実施形態の電気接続箱のコネクタ部の正面図
である。
である。
【図５】本実施形態の電気接続箱のコネクタ部の正面図
である。
である。
【図６】従来の電気接続箱を示す分解斜視図である。
１０ 電気接続箱 １２ ケーシング部 １３ 絶縁多層配線 １４ 弱電部品 １５ セラミック基板 １６、１７、１８ 絶縁層 ２８ ブスバー ３７ ボンディングワイヤ ３８ 凹部 ３９ シリコンゲル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊東 宏明 静岡県湖西市鷲津2464−48 矢崎部品株式 会社内 (72)発明者 神谷 茂 静岡県榛原郡榛原町布引原206−１ 矢崎 部品株式会社内 (72)発明者 谷口 與市巳 京都府亀岡市北古世町２丁目15番１号 ニ チコン株式会社内 (72)発明者 山本 貴之 京都府亀岡市北古世町２丁目15番１号 ニ チコン株式会社内 (72)発明者 村山 修一 京都府亀岡市北古世町２丁目15番１号 ニ チコン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 AA04 AA10 AA12 JJ03
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック基板上の所定領域に発熱性部
品が実装されると共に、前記セラミック基板上の所定領
域以外の領域に積層、形成された多層配線上に弱電部品
が実装され、前記セラミック基板側とブスバーとがワイ
ヤボンディングされていることを特徴とする電気接続
箱。 - 【請求項２】 請求項１記載の電気接続箱であって、 前記セラミック基板の実装面側がシリコンゲルで封止さ
れていることを特徴とする電気接続箱。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の電気接続
箱であって、 前記セラミック基板の裏面側に、ヒートシンク構造が設
けられていることを特徴とする電気接続箱。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の電気接続箱であって、 前記セラミック基板の周囲はリング状のケーシングで囲
まれ、前記ケーシングの内壁面から内側へ向けて前記ブ
スバーの端部が突出すると共に、前記セラミック基板と
前記ケーシングとで形成された凹部に前記シリコンゲル
が充填されていることを特徴とする電気接続箱。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の電気接続箱であって、 前記弱電部品は、前記多層配線にベアチップ実装されて
いることを特徴とする電気接続箱。 - 【請求項６】 請求項５記載の電気接続箱であって、 前記ベアチップ実装は、ベアチップと前記多層配線の前
記一方の実装面に形成された配線パターンとがフリップ
チップを介して接続されたフリップチップ実装であるこ
とを特徴とする電気接続箱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000003866A JP3955704B2 (ja) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | 電気接続箱 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000003866A JP3955704B2 (ja) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | 電気接続箱 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196410A true JP2001196410A (ja) | 2001-07-19 |
| JP3955704B2 JP3955704B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=18532738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000003866A Expired - Fee Related JP3955704B2 (ja) | 2000-01-12 | 2000-01-12 | 電気接続箱 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3955704B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587191B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-06-08 | 주식회사 코미코 | 세라믹 정전척의 접합구조체 및 그 제조방법 |
-
2000
- 2000-01-12 JP JP2000003866A patent/JP3955704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587191B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-06-08 | 주식회사 코미코 | 세라믹 정전척의 접합구조체 및 그 제조방법 |
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|---|---|
| JP3955704B2 (ja) | 2007-08-08 |
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