JP2001196297A - Aligner - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンビームや電
子ビーム等の所謂荷電粒子ビームを使用した露光装置に
関するものであり、特にスループットの向上を考慮した
露光装置に関する技術である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus using a so-called charged particle beam such as an ion beam or an electron beam, and more particularly to an exposure apparatus in which an improvement in throughput is considered.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の露光装置は、ビームを照射する時
間もしくは照射しない時間を規定したブランキング信号
に基づいて対象物を露光していた。しかし、高精度なタ
イミング制御が必要なブランキング信号発生部ではノイ
ズの影響を受けやすいため、そのブランキング信号の状
態を管理することは重要であった。ブランキング信号を
制御する回路の故障を検出する技術については特開平1
1−219679号公報などに開示されている。2. Description of the Related Art A conventional exposure apparatus exposes an object on the basis of a blanking signal which defines a time for irradiating a beam or a time for not irradiating a beam. However, since a blanking signal generating unit that requires high-precision timing control is easily affected by noise, it is important to manage the state of the blanking signal. A technique for detecting a failure of a circuit for controlling a blanking signal is disclosed in
It is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-219679.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置においては、エラーが発生した場合のスループ
ットについては十分には考慮されていなかった。半導体
製造装置のような生産設備では、歩留まりだけでなく、
スループットも重要であり、装置の停止を極力なくし、
装置の稼働率を上げることも要求されている。However, in the conventional exposure apparatus, the throughput when an error occurs has not been sufficiently considered. In production equipment such as semiconductor manufacturing equipment, not only yield,
Throughput is also important, minimizing equipment downtime,
It is also required to increase the operation rate of the device.
【0004】本発明の目的は、エラーを検出した場合で
あっても露光装置の停止を極力なくして稼働率を向上さ
せることにある。An object of the present invention is to improve the operation rate by minimizing the stop of the exposure apparatus even when an error is detected.
【0005】[0005]
【課題を解決しようとする手段】本発明は、上記目的を
達成するために、電子ビームを発生する電子ビーム源
と、制御信号に基づいて該電子ビームの照射もしくは非
照射を行う照射手段と、該電子ビーム源から発生する電
子ビームを露光パターンに対応して偏向する偏向手段
と、該電子ビーム源から発生する電子ビームを露光物上
に集束する集束手段とを備えた露光装置において、該制
御信号の異常を監視する監視手段と、該制御信号が異常
である場合に該制御信号を該照射手段へ入力させないマ
スク手段とを備えたものである。To achieve the above object, the present invention provides an electron beam source for generating an electron beam, irradiation means for irradiating or not irradiating the electron beam based on a control signal, An exposure apparatus comprising: a deflecting unit that deflects an electron beam generated from the electron beam source in accordance with an exposure pattern; and a focusing unit that focuses the electron beam generated by the electron beam source on an exposure object. A monitoring means for monitoring a signal abnormality and a mask means for preventing the control signal from being input to the irradiation means when the control signal is abnormal.
【0006】また、前記制御信号の有する識別情報を検
出する検出手段と、該検出手段が検出した識別情報に基
づいて露光動作を再スタートさせる露光パターンを設定
する設定手段と、該設定手段により設定された露光パタ
ーンから露光動作を再スタートさせる手段とを備えたも
のである。Further, detecting means for detecting the identification information of the control signal, setting means for setting an exposure pattern for restarting the exposure operation based on the identification information detected by the detecting means, and setting by the setting means Means for restarting the exposure operation from the set exposure pattern.
【0007】また、前記識別情報に対応した露光パター
ン以前の露光パターンから露光動作を再スタートさせる
ものである。Further, the exposure operation is restarted from the exposure pattern before the exposure pattern corresponding to the identification information.
【0008】また、照射もしくは/および非照射時間を
規定したブランキング信号に基づいて被露光物を露光す
る露光装置において、ブランキング信号の異常を検出し
た場合に該ブランキング信号に基づいて被露光物を露光
しないように構成したものである。In an exposure apparatus for exposing an object to be exposed based on a blanking signal defining irradiation or non-irradiation time, when an abnormality of the blanking signal is detected, the exposure apparatus performs exposure based on the blanking signal. The object is configured not to be exposed.
【0009】また、異常の発生したブランキング信号の
有する識別情報を検出する検出手段と、該検出手段が検
出した識別情報に基づいて露光動作を再スタートさせる
手段とを備えたものである。Further, the apparatus further comprises a detecting means for detecting the identification information of the blanking signal in which the abnormality has occurred, and means for restarting the exposure operation based on the identification information detected by the detecting means.
【0010】また、前記識別情報に対応した露光パター
ン以前の露光パターンから露光動作を再スタートさせる
ものである。Further, the exposure operation is restarted from an exposure pattern before the exposure pattern corresponding to the identification information.
【0011】また、照射もしくは/および非照射時間を
規定したブランキング信号に基づいて被露光物を露光す
る露光装置において、ブランキング信号の異常を検出す
る検出手段と、該検出手段による検出結果を出力するも
のである。In an exposure apparatus for exposing an object to be exposed based on a blanking signal defining irradiation or non-irradiation time, a detecting means for detecting an abnormality in the blanking signal, and a detection result obtained by the detecting means. Output.
【0012】また、前記検出結果は、異常内容毎の発生
回数を含むものである。Further, the detection result includes the number of occurrences for each abnormality content.
【0013】また、前記検出手段が検出した回数が所定
回数を超えた場合に警告する警告手段とを備えたもので
ある。[0013] Further, there is provided a warning means for warning when the number of times detected by the detection means exceeds a predetermined number.
【0014】また、前記検出結果は、前記異常が発生し
た位置情報を含むものである。Further, the detection result includes information on a position where the abnormality has occurred.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図1か
ら図13により具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to FIGS.
【0016】図1は、本発明による露光装置の一構成例
を示す。図において、1は制御部全体の統括的制御と露
光パターンデータなどの制御データを生成、演算するた
めの制御用プロセッサ、2は制御用プロセッサと各制御
部との間のデータフォーマット変換やバッファ等で構成
される制御インターフェイス部、3は入出力インターフ
ェイス(以下、入出力I/Fと略記)、4はユーザイン
ターフェイス(以下、ユーザI/F)、5は主にハード
ディスク等の記憶装置、6は露光パターンデータを一時
的に保持するデータバッファメモリ、7は露光処理に関
するデータ処理及び動作順序などを制御するシーケンス
制御部、8は制御インターフェイス部を経由した露光パ
ターンデータに基づいて電子ビームの照射時間及び/も
しくは待ち時間とに関するデータを生成する露光パター
ン発生部、9は偏向器及びアパーチャの制御と微調整を
行うパターン補正部、10は前記露光パターン発生部8
から出力された電子ビームの照射時間及び/もしくは待
ち時間に従ったブランキングパルス波形(ブランキング
信号)を生成するブランキング制御部、11はブランキ
ング制御部で生成したブランキングパルス波形(ブラン
キング信号)が正常か否かを検出しその検出結果を出力
するエラー検出部、12はエラー検出部11からの信号
に基づいてブランキング制御部10から出力されるブラ
ンキングパルス波形(ブランキング信号)をマスクする
マスク回路である。これらでデータ制御系を構成する。FIG. 1 shows a configuration example of an exposure apparatus according to the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a control processor for generating and calculating control data such as overall control of the entire control unit and exposure pattern data, and 2 denotes a data format conversion and a buffer between the control processor and each control unit. 3 is an input / output interface (hereinafter abbreviated as input / output I / F), 4 is a user interface (hereinafter, user I / F), 5 is a storage device such as a hard disk, and 6 is a storage device. A data buffer memory for temporarily storing the exposure pattern data, 7 a sequence control unit for controlling data processing and operation sequence related to the exposure processing, and 8 an electron beam irradiation time based on the exposure pattern data via the control interface unit And / or an exposure pattern generator 9 for generating data relating to the waiting time. A pattern correction unit 10 for controlling and fine-tuning the aperture;
A blanking control unit 11 generates a blanking pulse waveform (blanking signal) in accordance with the irradiation time and / or the waiting time of the electron beam output from the control unit. Reference numeral 11 denotes a blanking pulse waveform (blanking) generated by the blanking control unit. And an error detection unit 12 for detecting whether the signal is normal or not and outputting the detection result. A blanking pulse waveform (blanking signal) 12 is output from the blanking control unit 10 based on a signal from the error detection unit 11. Is a mask circuit for masking. These constitute a data control system.
【0017】さらに、21はビームを照射する電子銃、
22はブランキングパルス波形(ブランキング信号)に
基づいて電子ビームのオン・オフ制御を行うブランキン
グプレート(オン・オフ制御用アパーチャ)、23はブ
ランキングのオン・オフ用偏向器、24は第一偏向器、
25は第二偏向器、26は被加工物27を載せかつ移動
可能なステージ、28は様々な露光したいパターン形状
が形成されているパターン形成用アパーチャ、29は精
度向上のためにビームを修正するビーム修正用アパーチ
ャ、30は第三偏向器である。これらで稼動系を構成す
る。ステージ26の制御は、制御用プロセッサ1からの
制御データを受けたシーケンス制御部7によりステージ
制御部13を介して行われる。同様に、偏向器24、2
5の制御についても、シーケンス制御部7からの制御デ
ータによりパターン補正部9を介して行われる。また、
露光パターン発生部8、パターン補正部9、ステージ制
御部13などはシーケンス制御部7によりそれぞれ矛盾
なく連動するように制御されている。また、ここで、第
一、第二、第三偏向器が電子ビームを露光パターンに対
応して偏向する手段となり、各種アパーチャが電子ビー
ムを露光物上に集束する手段となり、また、パターン形
成用アパーチャに形成されるパターンを組み合わせるこ
とで所望の露光パターンが形成される。Further, 21 is an electron gun for irradiating a beam,
22, a blanking plate (on / off control aperture) for performing on / off control of the electron beam based on a blanking pulse waveform (blanking signal); 23, a blanking on / off deflector; One deflector,
25 is a second deflector, 26 is a stage on which a workpiece 27 can be placed and movable, 28 is a pattern forming aperture on which various pattern shapes to be exposed are formed, and 29 is a beam correcting for improving accuracy. The beam correcting aperture 30 is a third deflector. These constitute the working system. The control of the stage 26 is performed via the stage control unit 13 by the sequence control unit 7 having received the control data from the control processor 1. Similarly, deflectors 24, 2
Control 5 is also performed via the pattern correction unit 9 by control data from the sequence control unit 7. Also,
The exposure pattern generation unit 8, the pattern correction unit 9, the stage control unit 13 and the like are controlled by the sequence control unit 7 so as to be linked without any contradiction. Here, the first, second, and third deflectors serve as means for deflecting the electron beam in accordance with the exposure pattern, and various apertures serve as means for focusing the electron beam on the exposure object. A desired exposure pattern is formed by combining the patterns formed on the aperture.
【0018】図1に示した電子ビーム露光装置の動作の
概略を説明する。The operation of the electron beam exposure apparatus shown in FIG. 1 will be briefly described.
【0019】まず、電子ビーム露光装置では、照射時間
及び/もしくは待ち時間を定義した露光パターンデータ
を制御用プロセッサ1から出力し、制御インタフェース
2及びデータバッファメモリ6を介して露光パターン発
生部8へ入力される。露光パターン発生部8では、この
露光パターンデータに基づいて電子ビームの照射時間及
び/もしくは待ち時間に関するデータ(例えば、偏向量
データやブランキングタイミングデータ)を生成し、そ
の生成したデータをブランキング制御部10とパターン
補正部9へ出力する。出力されたデータを受けたブラン
キング制御部10では、その受信データに基づいて図1
に記載するようなブランキングパルス波形(ブランキン
グ信号)を生成する。そして、電子ビーム露光装置で
は、このブランキングパルス波形(ブランキング信号)
に従って、オン・オフ用偏向器23を制御して電子銃2
1からのビーム照射のオン・オフを行う。なお、電子銃
21や偏向器23等の構成は図1に示す構成に制限され
るものでなく、単にブランキングパルス波形(ブランキ
ング信号)に基づいてビームの照射をオン・オフするよ
うに構成すれば良い。First, in the electron beam exposure apparatus, the exposure pattern data defining the irradiation time and / or the waiting time is output from the control processor 1 to the exposure pattern generator 8 via the control interface 2 and the data buffer memory 6. Is entered. The exposure pattern generation unit 8 generates data (for example, deflection amount data and blanking timing data) relating to the irradiation time and / or waiting time of the electron beam based on the exposure pattern data, and controls the generated data for blanking control. Output to the section 10 and the pattern correction section 9. Upon receiving the output data, the blanking control unit 10 performs the operation shown in FIG.
A blanking pulse waveform (blanking signal) as described in (1) is generated. In the electron beam exposure apparatus, the blanking pulse waveform (blanking signal)
, The on / off deflector 23 is controlled to control the electron gun 2
On / off of beam irradiation from 1 is performed. The configuration of the electron gun 21 and the deflector 23 is not limited to the configuration shown in FIG. 1, but is configured to simply turn on / off the beam irradiation based on a blanking pulse waveform (blanking signal). Just do it.
【0020】次に、エラー検出部11では、ブランキン
グ制御部10で生成したブランキングパルス波形(ブラ
ンキング信号)に異常がないか否かを検出可能に構成
し、異常の有無に応じて所定の信号をマスク回路12に
出力するように構成する。マスク回路12は、入力され
たブランキングパルス波形(ブランキング信号)をマス
クして偏向器23へ出力しないように、すなわち被加工
物に対してビームを照射しないように制御する。一方、
異常状態から正常状態に戻ったことをエラー検出部11
が検出した場合、エラー検出部11はマスク回路12の
マスク機能を解除してブランキングパルス波形(ブラン
キング信号)を偏向器23へ出力するように制御し、正
常時の動作に戻る。Next, the error detecting section 11 is configured to detect whether or not the blanking pulse waveform (blanking signal) generated by the blanking control section 10 has an abnormality. Is output to the mask circuit 12. The mask circuit 12 controls the masking of the input blanking pulse waveform (blanking signal) so as not to output the blanking pulse waveform to the deflector 23, that is, not to irradiate the workpiece with a beam. on the other hand,
Returning from the abnormal state to the normal state, the error detection unit 11
Is detected, the error detection unit 11 cancels the mask function of the mask circuit 12, controls to output a blanking pulse waveform (blanking signal) to the deflector 23, and returns to the normal operation.
【0021】図2は、図1に示す露光装置におけるブラ
ンキング制御部10、エラー検出部11、マスク回路1
2の出力波形を示す。なお、図中の理想出力とは、ブラ
ンキング制御部10からのエラーのない出力を意味す
る。FIG. 2 shows a blanking control unit 10, an error detection unit 11, and a mask circuit 1 in the exposure apparatus shown in FIG.
2 shows an output waveform. Note that the ideal output in the figure means an error-free output from the blanking control unit 10.
【0022】図から分かるように、ブランキング制御部
10からの出力にエラーが発生した期間、マスク回路1
2のマスク機能を動作させているのでマスク12からの
出力は理想出力となっている。As can be seen from the figure, during the period when an error occurs in the output from the blanking control unit 10, the mask circuit 1
Since the second mask function is operated, the output from the mask 12 is an ideal output.
【0023】以上のように、エラー検出部11およびマ
スク回路12を備えれば、ブランキングパルス波形(ブ
ランキング信号)にエラーが発生したとしても、エラー
波形に基づいて被加工物を露光することはなくなる。従
って、照射時間が実際よりも長くなるような異常が発生
した場合に本実施例の構成は好適である。特に、異常状
態が1周期(照射時間と待ち時間とを組み合わせた期
間)を超えずに発生する場合に極めて有効である。そし
て、ブランキングパルス波形(ブランキング信号)にエ
ラーがあったとしても、ステージ26等の動作は継続さ
せ、エラーが発生した間だけビームを照射しないように
制御しているので、装置のスループットを下げることな
い。As described above, if the error detection unit 11 and the mask circuit 12 are provided, even if an error occurs in the blanking pulse waveform (blank signal), the workpiece can be exposed based on the error waveform. Is gone. Therefore, the configuration of the present embodiment is suitable when an abnormality occurs that makes the irradiation time longer than the actual time. In particular, this is extremely effective when an abnormal state occurs without exceeding one cycle (a period in which the irradiation time and the waiting time are combined). Then, even if there is an error in the blanking pulse waveform (blanking signal), the operation of the stage 26 and the like is continued and the beam is controlled not to be irradiated only during the occurrence of the error. Do not lower.
【0024】次に、図1に示したブランキング制御部1
0とエラー検出部11との詳細な構成例を図3を用いて
説明する。図3においては、露光データ発生部8に生成
した偏向量データとブランキングタイミングデータとに
基づいてブランキングパターン波形(ブランキング信
号)を生成する例である。なお、ブランキングタイミン
グデータは照射時間に対応し、偏向量データは待ち時間
に対応する。Next, the blanking control unit 1 shown in FIG.
A detailed configuration example of 0 and the error detection unit 11 will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows an example in which a blanking pattern waveform (blanking signal) is generated based on the deflection amount data and blanking timing data generated by the exposure data generating unit 8. The blanking timing data corresponds to the irradiation time, and the deflection amount data corresponds to the waiting time.
【0025】そして、図3では、ブランキング制御部1
0は、偏向量データから待ち時間終了フラグを出力する
整定待ち時間生成部33と、その待ち時間終了フラグを
きっかけとしてブランキングタイミングデータからブラ
ンキングパルス波形(ブランキング信号)のパルス幅を
生成するブランキング信号生成部31とで構成される。In FIG. 3, the blanking control unit 1
0 indicates a settling wait time generation unit 33 that outputs a wait time end flag from the deflection amount data, and generates a pulse width of a blanking pulse waveform (blanking signal) from the blanking timing data using the wait time end flag as a trigger. And a blanking signal generator 31.
【0026】また、エラー検出部11は、ブランキング
信号生成部31の出力したブランキングパルス波形(ブ
ランキング信号)の有するパルスについてHiレベルか
Lowレベルかと言った状態を所定時間間隔で検出する
ことで、そのパルスに対応した照射時間もしくは/およ
び待ち時間に関するデータを出力するパルス検出回路3
4と、露光パターン発生部8の出力した照射時間もしく
は/および待ち時間に関するデータを保持するパターン
バッファメモリ36と、パルス検出回路34の出力とパ
ターンバッファメモリ36の出力とを比較し、比較結果
に基づいて所定の信号をマスク回路12に対して出力す
る比較回路35とで構成される。The error detecting section 11 detects, at a predetermined time interval, a state of a pulse having a blanking pulse waveform (blanking signal) output from the blanking signal generating section 31 such as a Hi level or a Low level. And a pulse detection circuit 3 for outputting data relating to the irradiation time and / or the waiting time corresponding to the pulse.
4 and a pattern buffer memory 36 for holding data on the irradiation time or / and the waiting time output from the exposure pattern generator 8, and comparing the output of the pulse detection circuit 34 with the output of the pattern buffer memory 36. A comparison circuit 35 outputs a predetermined signal to the mask circuit 12 based on the signal.
【0027】この詳細動作は以下の通りである。The detailed operation is as follows.
【0028】まず、ブランキング信号の生成するにあた
り、整定待ち時間生成部33は、偏向量データからDA
C(デジタル/アナログ変換器)の整定待ち時間を算出
して待ち時間をカウントする。待ち時間が終了すると、
待ち時間終了フラグがブランキング信号生成部31へ送
られる。ブランキング信号生成部31では、待ち時間終
了フラグを受けるとブランキングタイミングデータに基
づいて露光パルス幅をカウントしてブランキング信号を
送出する。一方、エラー検出部11では、パルス検出回
路34がブランキング信号(ブランキングパルス波形)
の有する露光パルス幅を検出し、比較回路35がその検
出結果とパターンバッファメモリ36から得られるブラ
ンキングタイミングデータに基づく照射時間とを比較す
る。比較結果は、ブランキング制御部のマスク回路12
に送られ、異常を検出したタイミングで即マスクし、ブ
ランキングを停止する。このマスク指示は、露光パター
ンデータで指示された照射時間を越えるような異常信号
が送出されることがないタイミングで行う。First, in generating the blanking signal, the settling wait time generation unit 33 uses the DA data from the deflection amount data.
The settling time of C (digital / analog converter) is calculated and the waiting time is counted. When the waiting time ends,
The waiting time end flag is sent to the blanking signal generator 31. Upon receiving the waiting time end flag, the blanking signal generator 31 counts the exposure pulse width based on the blanking timing data and sends out a blanking signal. On the other hand, in the error detection unit 11, the pulse detection circuit 34 outputs a blanking signal (a blanking pulse waveform).
The comparison circuit 35 compares the detection result with the irradiation time based on the blanking timing data obtained from the pattern buffer memory 36. The comparison result is obtained by the mask circuit 12 of the blanking control unit.
And immediately masks when the abnormality is detected, and stops blanking. This mask instruction is performed at a timing at which an abnormal signal that exceeds the irradiation time specified by the exposure pattern data is not transmitted.
【0029】以上の構成により、エラー検出部11は、
ブランキング信号生成部31で生成したブランキングパ
ルス波形(ブランキング信号)の異常を検出でき、その
エラー波形に基づいてマスク回路12を制御することが
可能となる。また、マスク回路12を用いることで、ブ
ランキング信号生成部31で生成したブランキングパル
ス波形(ブランキング信号)の状態を常に監視すること
が可能となる。なお、マスク回路12はブランキング制
御部10の中に含まれるように構成しても問題はない。With the above configuration, the error detection unit 11
An abnormality in the blanking pulse waveform (blanking signal) generated by the blanking signal generation unit 31 can be detected, and the mask circuit 12 can be controlled based on the error waveform. Further, by using the mask circuit 12, it is possible to always monitor the state of the blanking pulse waveform (blank signal) generated by the blanking signal generator 31. Note that there is no problem even if the mask circuit 12 is configured to be included in the blanking control unit 10.
【0030】次に、ブランキングパルス波形(ブランキ
ング信号)にエラー波形が発生した場合に、エラー発生
以前に戻って再スタートさせる電子ビーム露光装置につ
いて説明する。本実施例によれば、異常状態が1周期
(照射時間と待ち時間とを組み合わせた期間)を超えて
発生する場合に極めて有効である。Next, an electron beam exposure apparatus will be described in which, when an error waveform is generated in a blanking pulse waveform (blanking signal), the electron beam exposure apparatus returns to a position before the error occurrence and restarts. According to this embodiment, it is extremely effective when an abnormal state occurs for more than one cycle (a period in which the irradiation time and the waiting time are combined).
【0031】図4は、その電子ビーム露光装置の一構成
例を示す。なお、被加工物を露光する基本動作は図1に
示す構成例と同じであるので、両者の相違点について主
に説明する。FIG. 4 shows an example of the configuration of the electron beam exposure apparatus. Note that the basic operation of exposing the workpiece is the same as that of the configuration example shown in FIG. 1, and therefore the differences between the two will be mainly described.
【0032】まず、本実施例においては、エラー検出部
11がブランキングパルス波形(ブランキング信号)の
エラー状態を検出すると、マスク回路12を動作させて
ブランキング制御部10からの出力をマスクするととも
に、リカバリー制御部15に対して再度、エラー発生部
分を照射するように信号を出力する。そのリカバリ制御
部15は、エラーが発生したブランキングパターン波形
のパターン番号を検出できるように構成されており、ま
たそのパターン番号から再スタートもしくはそのパター
ン番号から所定数戻ったパターン番号から再スタートす
るように制御用プロセッサ1に対して信号を出力する。
そして、制御用プロセッサ1が、再スタートするための
信号を出力すると、シーケンス制御部7はステージ制御
部13を制御して再スタートするパターン番号に対応し
た位置へステージを移動させて露光動作を再開する。当
然のことながら、マスク回路12は再開前にマスク機能
を解除するように制御される。First, in this embodiment, when the error detector 11 detects an error state of the blanking pulse waveform (blank signal), the mask circuit 12 is operated to mask the output from the blanking controller 10. At the same time, a signal is output to the recovery control unit 15 so as to irradiate the error occurrence portion again. The recovery control unit 15 is configured to detect a pattern number of a blanking pattern waveform in which an error has occurred, and restarts from the pattern number or restarts from a pattern number returned by a predetermined number from the pattern number. Thus, a signal is output to the control processor 1.
When the control processor 1 outputs a signal for restarting, the sequence control unit 7 controls the stage control unit 13 to move the stage to a position corresponding to the pattern number to restart, and restart the exposure operation. I do. Naturally, the mask circuit 12 is controlled to release the mask function before resuming.
【0033】図5は、図4に示す露光装置におけるブラ
ンキング制御部10、エラー検出部11、マスク回路1
2、リカバリ制御部15の出力波形を示す。なお、図中
の理想出力とは、ブランキング制御部10からのエラー
のない出力を意味する。FIG. 5 shows a blanking control unit 10, an error detection unit 11, and a mask circuit 1 in the exposure apparatus shown in FIG.
2 shows an output waveform of the recovery control unit 15. Note that the ideal output in the figure means an error-free output from the blanking control unit 10.
【0034】図から分かるように、ブランキング制御部
10からの出力にエラーが発生すると、マスク回路12
のマスク機能を動作させるとともに、リカバリ制御部1
5からの停止命令に基づき露光動作を停止させる。そし
て、リカバリ制御部15からの再スタート命令により、
例えばエラーの発生したパルス以降のデータに基づいて
露光動作を再スタートする。As can be seen, when an error occurs in the output from the blanking control unit 10, the mask circuit 12
And the recovery control unit 1
The exposure operation is stopped based on a stop command from the control unit 5. Then, according to a restart command from the recovery control unit 15,
For example, the exposure operation is restarted based on the data after the pulse where the error occurred.
【0035】図6及び図7は、図5に示すブランキング
制御部10、エラー検出部11およびリカバリ制御部1
5の一構成例を示す。なお、比較回路35が、パルス検
出回路34とパターンバッファメモリ36との比較結果
により異常を検出し、その検出信号によりマスク回路1
2を動作させる点においては前述の実施例と同様なの
で、それ以降の動作について説明する。FIGS. 6 and 7 show the blanking control unit 10, the error detection unit 11, and the recovery control unit 1 shown in FIG.
5 shows a configuration example. The comparison circuit 35 detects an abnormality based on a comparison result between the pulse detection circuit 34 and the pattern buffer memory 36, and uses the detection signal to detect an abnormality.
2 is similar to that of the above-described embodiment, and subsequent operations will be described.
【0036】まず、比較回路35が比較結果によりエラ
ー状態を検出すると、検出信号(エラーフラグ)をエラ
ー内容とともにリカバリ制御部15に入力する。また、
パターンバッファメモリ36に保持されたパターンのパ
ターン番号、すなわち比較回路35で比較対象となった
パターン番号をリカバリ制御部15へ入力する。なお、
リカバリ制御部へ送られるエラー内容としては、ブラン
キングパルス波形(ブランキング信号)の有する照射時
間もしくは/および待ち時間がパターンバッファメモリ
36で保持されていた比較値より大きい(長い)のか、
小さい(短い)のか等がある。First, when the comparison circuit 35 detects an error state based on the comparison result, it inputs a detection signal (error flag) to the recovery control section 15 together with the error content. Also,
The pattern number of the pattern held in the pattern buffer memory 36, that is, the pattern number to be compared by the comparison circuit 35 is input to the recovery control unit 15. In addition,
The error content sent to the recovery control unit includes whether the irradiation time and / or the waiting time of the blanking pulse waveform (blanking signal) is larger (longer) than the comparison value held in the pattern buffer memory 36,
Is it small (short)?
【0037】リカバリ制御部15では、シーケンス制御
部7へ一時停止要求を送信し、制御部全体の矛盾がない
よう一時的に装置全体(または一部)を停止させるとと
もに、エラー検出部11から出力されるパターン番号を
パターンバッファメモリ43で保持する。なお、保持す
る対象はパターン番号でなくとも良く、エラー検出部1
1が有するパターンバッファメモリ36で保持した露光
パターンデータ自体を保持するように構成してもよい。
この場合、リカバリシーケンサ42が、その保持したデ
ータの有するパターン番号を検出するように構成してお
く。The recovery control unit 15 sends a temporary stop request to the sequence control unit 7 to temporarily stop the entire device (or a part thereof) so that there is no inconsistency in the entire control unit, and to output from the error detection unit 11. The pattern number to be performed is stored in the pattern buffer memory 43. Note that the object to be held may not be the pattern number, but the error detection unit 1
1 may be configured to hold the exposure pattern data itself held in the pattern buffer memory 36.
In this case, the recovery sequencer 42 is configured to detect the pattern number of the held data.
【0038】その後、保持されたパターン番号はリカバ
リシーケンサ42により検出され、リカバリパターンア
ドレス生成44へ出力される。リカバリパターンアドレ
ス生成44では、その検出結果から再スタートすべきパ
ターン番号を生成し、その生成したデータを制御インタ
ーフェース2を介して制御用プロセッサ1へ出力する。
制御用プロセッサ1は、この受信データに基づいて再ス
タートを実行するようにシーケンス制御部7などを制御
する。Thereafter, the held pattern number is detected by the recovery sequencer 42 and output to the recovery pattern address generator 44. The recovery pattern address generation 44 generates a pattern number to be restarted from the detection result, and outputs the generated data to the control processor 1 via the control interface 2.
The control processor 1 controls the sequence control unit 7 and the like to execute a restart based on the received data.
【0039】再スタートする場合、マスク回路12のマ
スク機能を解除する必要があるが、制御用プロセッサ1
により解除したり、再スタートすべきパターン番号のデ
ータに解除命令用のデータを付加し、露光パターン生成
部8が解除命令用のデータに基づいてマスク機能を解除
するように構成すれば良い。When restarting, it is necessary to release the mask function of the mask circuit 12.
Or by adding data for a release command to the data of the pattern number to be restarted or restarted, and the exposure pattern generator 8 may release the mask function based on the data for the release command.
【0040】また、リカバリ制御部15もしくは制御用
プロセッサ1は、エラー内容に基づいて再スタートする
か否かを決定するように構成されてもよい。例えば、所
定のエラー内容が連続した場合、もしくはエラー内容が
所定回数を超えた場合以外は、再スタートさせるように
構成してもよい。The recovery control unit 15 or the control processor 1 may be configured to determine whether to restart based on the content of the error. For example, a configuration may be adopted in which restart is performed unless predetermined error details continue or error details exceed a predetermined number of times.
【0041】また、露光装置における全ての露光動作を
停止させずに、マスク回路12を動作させてブランキン
グ制御部10からの出力をマスクするように構成するこ
ともできる。この場合、エラー検出部11が再スタート
までにエラー状態を複数回検出することが有りうるが、
この場合は、制御用プロセッサ1はその都度、再スター
ト動作を繰り返さないように制御しておくことが好まし
い。すなわち、最初のエラー状態検出信号を受信した
後、再スタートするまでの間に受信したエラー検出信号
は無視するように制御することが好ましい。また、所定
回数以上のエラー検出信号を受信した場合は、アラーム
などによりエラー信号を出力させることが使い勝手を向
上させる上では非常に有効である。エラー信号を発生さ
せる場合の受信回数を自由に設定できるようにすればさ
らに使い勝手は向上する。Further, it is also possible to operate the mask circuit 12 to mask the output from the blanking control unit 10 without stopping all the exposure operations in the exposure apparatus. In this case, the error detection unit 11 may detect the error state a plurality of times before restarting.
In this case, it is preferable that the control processor 1 performs control so as not to repeat the restart operation each time. That is, it is preferable to perform control such that the received error detection signal is ignored after the first error state detection signal is received and before the restart. When an error detection signal is received a predetermined number of times or more, outputting an error signal by an alarm or the like is very effective in improving usability. If the number of receptions when an error signal is generated can be freely set, usability will be further improved.
【0042】次にパターンバッファメモリ43に保持し
た露光パターンデータを保持させ、そのデータを用いて
再スタートするか否かを判断する実施例について説明す
る。Next, a description will be given of an embodiment in which the exposure pattern data held in the pattern buffer memory 43 is held and it is determined whether or not to restart using the data.
【0043】本実施例においては、前述の図7に示す構
成とほぼ同じ構成であるが、リカバリ制御部15は、異
常検出結果(露光パターンアドレス、露光内容、異常発
生までのパルス幅等)をエラーパターンバッファメモリ
43で保持する。同時に、リカバリ制御部15は、シー
ケンス制御部7へ一時停止要求を送信し、制御部全体の
矛盾がないよう一時的に装置全体(または一部)を停止
させる。リカバリ制御部15内のリカバリシーケンサ4
2は、エラーパターンバッファメモリ43に格納されて
いる異常が発生した露光パターンデータを露光パターン
制御部8へ送信する。この時、ブランキング信号の出力
部はマスクする。ブランキング制御部10では、その異
常が発生した露光パターンデータをもとにブランキング
信号を生成する。この信号をエラー検出部11が、前記
と同様に異常の有無を監視する。この結果、異常がなけ
れば、シーケンス制御部10もしくは制御用プロセッサ
1に異常が発生した露光パターン、または、それ以前の
パターンデータからの再開指示信号を送信する。露光を
再開する時、一つの露光パターンデータから作られたブ
ランキング信号の送出途中であった場合、その露光パタ
ーンデータにより再度ブランキング信号を生成するとと
もに、異常終了した時点まで、ブランキング信号をマス
クし、異常終了したところからマスクをはずし、電子ビ
ーム発生部へのブランキング信号の送信を再開する。整
定待ち時間の途中であった場合、再度指定した時間を経
過した後、ブランキングを再開する。一方、再度異常が
発生した場合、あらかじめ指定された回数まで前記リカ
バリ処理を繰り返すが、それでも正常にならなかった場
合、突発的な異常ではないと判断し、露光処理を終了す
る。In this embodiment, the configuration is almost the same as the configuration shown in FIG. 7 described above. However, the recovery control unit 15 outputs the abnormality detection result (exposure pattern address, exposure content, pulse width until abnormality occurs, etc.). It is held in the error pattern buffer memory 43. At the same time, the recovery control unit 15 transmits a temporary stop request to the sequence control unit 7, and temporarily stops the entire device (or a part thereof) so that there is no inconsistency in the entire control unit. Recovery sequencer 4 in recovery control unit 15
2 transmits, to the exposure pattern control unit 8, the exposure pattern data in which an abnormality has occurred, stored in the error pattern buffer memory 43. At this time, the output section of the blanking signal is masked. The blanking control unit 10 generates a blanking signal based on the exposure pattern data in which the abnormality has occurred. The error detector 11 monitors this signal for the presence or absence of an abnormality in the same manner as described above. As a result, if there is no abnormality, the sequence control unit 10 or the control processor 1 transmits an exposure pattern in which an abnormality has occurred, or a restart instruction signal from the previous pattern data. When the exposure is restarted, if a blanking signal generated from one piece of exposure pattern data is being transmitted, a blanking signal is generated again using the exposure pattern data, and the blanking signal is generated until abnormal termination. The mask is removed, and the mask is removed from the place where the abnormal termination has occurred, and the transmission of the blanking signal to the electron beam generator is restarted. If the settling time is halfway, blanking is restarted after the specified time has elapsed again. On the other hand, if an abnormality occurs again, the recovery processing is repeated up to the number of times specified in advance. If the recovery processing still does not become normal, it is determined that there is no sudden abnormality, and the exposure processing ends.
【0044】図8にこの場合のリカバリシーケンサの動
作モードを示す。リカバリシーケンサ42は、エラーフ
ラグを受けると、通常動作状態-Normal(45)からリ
カバリ処理状態―Recovery(46)に遷移する。リカバ
リ処理の結果、異常がなく、エラーフラグがなかった場
合、Normal状態(45)へ遷移する。しかし、ここでリ
カバリ不可であった場合、Stop状態(47)へ遷移し、
リカバリシーケンサ42は停止する。リカバリシーケン
サ42の停止により、シーケンス制御部7は、装置の停
止処理を開始する。FIG. 8 shows the operation mode of the recovery sequencer in this case. Upon receiving the error flag, the recovery sequencer 42 transitions from the normal operation state -Normal (45) to the recovery processing state -Recovery (46). As a result of the recovery processing, when there is no abnormality and there is no error flag, the state transits to the normal state (45). However, if recovery is not possible here, the state transits to the Stop state (47),
The recovery sequencer 42 stops. By stopping the recovery sequencer 42, the sequence control unit 7 starts the stop processing of the device.
【0045】図9にエラーパターンバッファメモリの一
例を示す。ある露光パターンデータに対応するブランキ
ング信号に異常が発生した場合、リカバリ制御部15
は、エラーパターンバッファメモリ43に保持される露
光パターンアドレスを元にリカバリ処理を行う。このと
き、異常が発生した露光パターンからの再開では、ステ
ージなどの稼動部の状態が異常発生時と異なることか
ら、エラー発生を再現できないことがあるため、異常が
発生した露光パターンより前のデータより再開すること
も考慮する。すなわち、図9では、エラーパターンバッ
ファメモリの構造をFIFO(First-in-First-Out)と
し、再開時の戻りパターン数分(n)の段数を設けている
ので、異常が発生した露光パターンより以前のデータに
基づいて再開することが可能となる。図9で説明したF
IFOはエラーパターンバッファメモリの一構造例であ
り、露光パターンアドレスを遡れる構造であれば、いか
なる構造でも構わない。FIG. 9 shows an example of the error pattern buffer memory. If an error occurs in a blanking signal corresponding to certain exposure pattern data, the recovery control unit 15
Performs a recovery process based on the exposure pattern address held in the error pattern buffer memory 43. At this time, when restarting from the exposure pattern where the error occurred, the error may not be able to be reproduced because the status of the operating part such as the stage is different from that at the time of the error. Consider restarting more. That is, in FIG. 9, the structure of the error pattern buffer memory is FIFO (First-in-First-Out), and the number of stages is equal to the number of return patterns (n) at the time of restart. It is possible to restart based on the previous data. F described in FIG.
The IFO is an example of the structure of the error pattern buffer memory, and any structure may be used as long as it can trace the exposure pattern address.
【0046】以上のように、異常が発生した露光パター
ンより以前のデータより再スタートできるようすること
で、何らかの原因でエラー状態がしばらくの間(例え
ば、複数の周期にまたがる程度の時間)続く場合に有効
である。As described above, by enabling the restart from the data before the exposure pattern in which the abnormality has occurred, the error state can be maintained for a while (for example, a time spanning a plurality of cycles) for some reason. It is effective for
【0047】次に、エラー原因の解析に好適な実施例に
ついて図10を用いて説明する。Next, an embodiment suitable for analyzing the cause of an error will be described with reference to FIG.
【0048】図10においては、エラー検出部11から
出力されるエラーフラグを異常時ログ採取部17を介し
てログメモリ16に記憶する。例えば、異常時ログ採取
部17は、ブランキング制御部のブランキング信号を生
成する回路の主要なフリップフロップ(F/F)の内容を
採取し、その結果をログメモリ16に格納する。すなわ
ち、フリップフロップ(F/F)を用いてエラー内容を判
別可能に構成しておく。エラー内容としては、所望の照
射時間もしくは待ち時間より短いもしくは長いと言った
ものが挙げられる。ログメモリ16は、異常発生時のF/
Fの内容をファーストログメモリ51に保持し続け、そ
れ以降は、シーケンス制御部7またはリカバリ制御部1
5からのログ停止信号を受けるまで、ログバッファ52
に採取し続ける。実装されたログメモリサイズを越えた
場合、古いデータから上書きする。なお、ログメモリの
サイズは、装置実装上の制約に合わせ決定する。また、
ログメモリ16は、露光装置自体が備えてなくとも、他
のデータベースなどに記憶させるようにしてもよい。In FIG. 10, the error flag output from the error detecting section 11 is stored in the log memory 16 via the abnormal log collecting section 17. For example, the abnormal log collection unit 17 collects the contents of the main flip-flop (F / F) of the circuit that generates the blanking signal of the blanking control unit, and stores the result in the log memory 16. That is, the configuration is such that the content of the error can be determined using a flip-flop (F / F). The error content may be shorter or longer than the desired irradiation time or waiting time. The log memory 16 stores F /
The content of F is kept in the first log memory 51, and thereafter, the sequence controller 7 or the recovery controller 1
5 until a log stop signal is received from the log buffer 52.
Continue to collect. If it exceeds the implemented log memory size, overwrite the oldest data. Note that the size of the log memory is determined according to the restrictions on mounting the device. Also,
The log memory 16 may be stored in another database or the like without being provided in the exposure apparatus itself.
【0049】次に、ログメモリ16に格納された情報を
用いて図11や図12に示す解析画面を生成する。Next, the analysis screen shown in FIGS. 11 and 12 is generated using the information stored in the log memory 16.
【0050】図11は、エラーの発生したタイプ別に個
数を出力表示させたものである。タイプとしては、1周
期内で発生したエラー、2周期続けて発生したエラー、
3周期続けて発生したエラーなど連続して発生した周期
(時間)に対応させて区別したり、所望のパルス波形よ
りも長いもしくは短い場合に区別したものが挙げられ
る。また、発生個数は、チップ内、ウエハ内などの所定
のエリアにおいてカウントできるように構成する。エリ
アを限定して発生個数をカウントする場合は、どのチッ
プのエラーなのかが分かるように、チップの識別情報を
含ませてログメモリ16に記憶するように構成する。ま
た、ユーザなどが指定した特定エリアで発生したエラー
の個数をカウントするには、エラーを検出した位置情報
をシーケンス制御部7もしくはステージ制御部13から
得るように構成すればよい。もしくは、エラーの発生し
たパターンのパターン番号からウエハ内の位置(アドレ
ス)を算出させ、その算出結果に基づいて特定エリアな
いで発生したエラーの個数をカウントするように構成す
る。FIG. 11 is a view showing the number of outputs for each type in which an error has occurred. The type of error occurred in one cycle, the error occurred in two cycles,
There is a method in which a discrimination is made in accordance with a cycle (time) that occurs continuously, such as an error that occurs in three cycles, or a case in which the pulse is longer or shorter than a desired pulse waveform. The number of occurrences is configured to be counted in a predetermined area such as in a chip or a wafer. When the number of occurrences is counted by limiting the area, the configuration is such that the identification information of the chip is included in the log memory 16 so as to know which chip has an error. Further, in order to count the number of errors that have occurred in a specific area designated by a user or the like, the configuration may be such that position information at which an error is detected is obtained from the sequence control unit 7 or the stage control unit 13. Alternatively, the position (address) in the wafer is calculated from the pattern number of the pattern in which the error has occurred, and the number of errors occurring in a specific area is counted based on the calculation result.
【0051】このように発生したエラーの数を区分けし
て出力するようにすれば、規則的に発生したエラーなの
か、突発的に発生したエラーなのかが判断でき、対策す
べきエラーなのか否かが判断できる。突発的なエラーの
場合は、再現性がないので対策する必要性は低いが、上
記のように区分けすることで再現性のあるエラーを把握
することが可能となるので、早期にかつ適切に露光装置
などを対策することが可能となる。If the number of generated errors is classified and output, it is possible to determine whether the error has occurred regularly or unexpectedly, and whether the error should be dealt with. Can be determined. In the case of a sudden error, there is no need to take countermeasures because there is no reproducibility.However, it is possible to grasp reproducible errors by classifying as described above, so that exposure can be performed early and appropriately. It becomes possible to take measures against devices and the like.
【0052】次に、図12は、エラーの発生した位置を
出力表示させたものであり、半導体ウエハーに形成され
たチップ内でエラーが発生した位置を表示している。チ
ップに付されている数字は、ウエハ内のチップアドレス
を示している。このようにエラーの発生した位置を表示
するには、エラーを検出した位置情報をシーケンス制御
部7もしくはステージ制御部13から得るように構成す
るか、エラーの発生したパターンのパターン番号からウ
エハ内の位置(アドレス)を算出させるように構成し、
その位置情報をログメモリ16に格納するように構成す
る。また、エラーを検出したチップのチップアドレスも
同時に記憶するように構成する。このように構成すれ
ば、解析したいチップが指定されると、上記の記憶情報
を用いて指定チップの有するエラーの位置情報を抽出で
き、その位置情報に基づいて表示することが可能とな
る。また、その位置情報を他の検査装置に送信可能に構
成しておけば、そのエラーの発生した位置に自動的に位
置合わせして詳細に検査することも可能となる。Next, FIG. 12 shows a display in which the position where an error has occurred is displayed, and the position where the error has occurred in a chip formed on a semiconductor wafer is displayed. The numbers attached to the chips indicate the chip addresses in the wafer. In order to display the position where the error has occurred, the position information at which the error is detected is obtained from the sequence control unit 7 or the stage control unit 13 or the position in the wafer is determined based on the pattern number of the pattern where the error has occurred. It is configured to calculate the position (address),
The position information is configured to be stored in the log memory 16. Further, the configuration is such that the chip address of the chip in which the error is detected is also stored at the same time. With this configuration, when a chip to be analyzed is specified, error position information of the specified chip can be extracted using the above-mentioned stored information, and it is possible to display based on the position information. Further, if the position information is configured to be transmitted to another inspection apparatus, it is possible to automatically align the position with the position where the error has occurred and to perform a detailed inspection.
【0053】例えば、完成したウエハに対して電気的特
性を試験し、そのウエハのフェイルビットマップを作成
することができるが、このフェイルビットの位置データ
と、図12に示すエラー発生した位置データとを用いて
照合すれば、照合した結果が一致したエラーは最終的に
不良ビットとなるものであるので、この一致する割合が
高いもしくは個数が多いと、ここでのエラーが歩留まり
に影響しやすいと判断できる。特に、前述のような、マ
スクしたことによる影響や、再スタートさせたことによ
る影響について検討することが可能となる。For example, it is possible to test the electrical characteristics of the completed wafer and create a fail bit map of the wafer. The fail bit position data and the error occurrence position data shown in FIG. If the matching is used, the error that matches the matching result is finally a bad bit.Therefore, if the matching ratio is high or the number is large, the error here tends to affect the yield. I can judge. In particular, it is possible to examine the effects of masking and the effects of restarting, as described above.
【0054】次に、ブランキング制御部と電子ビーム源
が別な筐体で構成され、その間に伝送線路が存在する場
合について図13を用いて説明する。Next, a case where the blanking control section and the electron beam source are formed in separate cases and a transmission line is present therebetween will be described with reference to FIG.
【0055】この場合、ブランキング信号がブランキン
グ用偏向器23へ届くまでの異常を検出するため、ブラ
ンキング信号伝送線43に冗長な別系統44を設け、こ
の信号を電子銃がある筐体内または近傍に設ける比較器
41で比較し、その比較結果が不一致になった場合、電
子銃へのブランキング信号をマスクする。この時のパル
ス幅を伝送線45により、ブランキングパルスモニタ1
1へ送信する。この結果をもとに前述したリカバリ処理
をリカバリ制御部15により行う。In this case, in order to detect an abnormality until the blanking signal reaches the blanking deflector 23, a redundant separate system 44 is provided on the blanking signal transmission line 43, and this signal is transmitted to the inside of the housing where the electron gun is located. Alternatively, a comparison is made by a comparator 41 provided in the vicinity, and when the comparison result does not match, a blanking signal to the electron gun is masked. The pulse width at this time is transmitted to the blanking pulse monitor 1 via the transmission line 45.
Send to 1. Based on this result, the recovery processing described above is performed by the recovery control unit 15.
【0056】以上説明したように、電子ビーム露光装置
のブランキング信号を監視し、故障発生時には、ブラン
キング信号をマスクする手段を設けたり、故障発生時の
露光パターンデータをもとにリカバリ処理を行う手段を
設けたりすることで、再現性の低い故障時の復旧時間を
短縮することが可能となる。すなわち、故障検出から復
旧までの時間を短縮し、スループットを向上させること
が可能となる。As described above, a means for monitoring the blanking signal of the electron beam exposure apparatus and masking the blanking signal when a failure occurs, or performing recovery processing based on the exposure pattern data at the time of the failure. Provision of a means for performing the above-described operation makes it possible to shorten the recovery time in the event of a failure with low reproducibility. That is, it is possible to shorten the time from failure detection to recovery and improve the throughput.
【0057】また、故障発生時の内部状態のロギング手
段を設けることで、故障原因の解析を容易にすることが
可能となる。By providing means for logging the internal state when a failure occurs, it is possible to easily analyze the cause of the failure.
【0058】[0058]
【発明の効果】本発明によれば、露光装置の停止を極力
なくして稼働率を向上させることが可能となる。According to the present invention, the operation rate can be improved by stopping the exposure apparatus as much as possible.
【図1】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one configuration example of the present invention.
【図2】本発明を構成する各ブロックのタイミングチャ
ートである。FIG. 2 is a timing chart of each block constituting the present invention.
【図3】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing one configuration example of the present invention.
【図4】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing one configuration example of the present invention.
【図5】本発明を構成する各ブロックのタイミングチャ
ートである。FIG. 5 is a timing chart of each block constituting the present invention.
【図6】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing one configuration example of the present invention.
【図7】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration example of the present invention.
【図8】リカバリシーケンサの動作モード図である。FIG. 8 is an operation mode diagram of the recovery sequencer.
【図9】エラーパターンメモリバッファの構成図であ
る。FIG. 9 is a configuration diagram of an error pattern memory buffer.
【図10】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram showing a configuration example of the present invention.
【図11】本発明の一解析画面を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an analysis screen of the present invention.
【図12】本発明の一解析画面を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing one analysis screen of the present invention.
【図13】本発明の一構成例を示すブロック図である。FIG. 13 is a block diagram showing one configuration example of the present invention.
1・・・制御用プロセッサ 2・・・制御インターフェイス部 3・・・入出力装置 4・・・記憶装置 5・・・ユーザインターフェイス 6・・・データバッファメモリ 7・・・シーケンス制御部 8・・・露光パターン発生部 9・・・パターン補正部 10・・・ブランキング制御部 11・・・ブランキングパルスモニタ部 12・・・リカバリ制御部 13・・・ステージ 14・・・ログ採取制御部 15・・・ログメモリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Control processor 2 ... Control interface unit 3 ... Input / output device 4 ... Storage device 5 ... User interface 6 ... Data buffer memory 7 ... Sequence control unit 8 ... Exposure pattern generation unit 9 Pattern correction unit 10 Blanking control unit 11 Blanking pulse monitoring unit 12 Recovery control unit 13 Stage 14 Log collection control unit 15 ... Log memory
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 公明 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グループ内 Fターム(参考) 2H097 AA03 CA16 LA10 5F056 BC10 CB05 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Kimiaki Ando 882 Ma, Hitachinaka-shi, Ibaraki F-term in Hitachi Measuring Instruments Group, Ltd. (Reference) 2H097 AA03 CA16 LA10 5F056 BC10 CB05
Claims (10)
御信号に基づいて該電子ビームの照射もしくは非照射を
行う照射手段と、該電子ビーム源から発生する電子ビー
ムを露光パターンに対応して偏向する偏向手段と、該電
子ビーム源から発生する電子ビームを露光物上に集束す
る集束手段とを備えた露光装置において、該制御信号の
異常を監視する監視手段と、該制御信号が異常である場
合に該制御信号を該照射手段へ入力させないマスク手段
とを備えたことを特徴とする露光装置。An electron beam source for generating an electron beam, irradiation means for irradiating or not irradiating the electron beam based on a control signal, and an electron beam generated from the electron beam source corresponding to an exposure pattern. An exposure apparatus comprising: a deflecting unit that deflects the light; and a converging unit that converges the electron beam generated from the electron beam source onto an exposure object. An exposure apparatus, comprising: mask means for preventing the control signal from being input to the irradiation means in some cases.
検出手段と、該検出手段が検出した識別情報に基づいて
露光動作を再スタートさせる露光パターンを設定する設
定手段と、該設定手段により設定された露光パターンか
ら露光動作を再スタートさせる手段とを備えたことを特
徴とする請求項1記載の露光装置。A detecting means for detecting identification information of the control signal; a setting means for setting an exposure pattern for restarting an exposure operation based on the identification information detected by the detecting means; 2. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: means for restarting the exposure operation from the exposure pattern.
の露光パターンから露光動作を再スタートさせることを
特徴とする請求項2記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein an exposure operation is restarted from an exposure pattern before an exposure pattern corresponding to the identification information.
たブランキング信号に基づいて被露光物を露光する露光
装置において、ブランキング信号の異常を検出した場合
に該ブランキング信号に基づいて被露光物を露光しない
ように構成したことを特徴とする露光装置。4. An exposure apparatus for exposing an object to be exposed on the basis of a blanking signal defining irradiation or non-irradiation time, when an abnormality of the blanking signal is detected, the exposure apparatus performs exposure on the basis of the blanking signal. An exposure apparatus characterized in that an object is not exposed.
識別情報を検出する検出手段と、該検出手段が検出した
識別情報に基づいて露光動作を再スタートさせる手段と
を備えたことを特徴とする請求項4記載の露光装置。5. A detecting means for detecting identification information of a blanking signal in which an abnormality has occurred, and means for restarting an exposure operation based on the identification information detected by the detecting means. An exposure apparatus according to claim 4.
の露光パターンから露光動作を再スタートさせることを
特徴とする請求項5記載の露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein an exposure operation is restarted from an exposure pattern before an exposure pattern corresponding to the identification information.
たブランキング信号に基づいて被露光物を露光する露光
装置において、ブランキング信号の異常を検出する検出
手段と、該検出手段による検出結果を出力することを特
徴とする露光装置。7. An exposure apparatus for exposing an object to be exposed on the basis of a blanking signal that defines irradiation or non-irradiation time, detecting means for detecting an abnormality in the blanking signal, and detecting a result of the detection by the detecting means. An exposure apparatus characterized by outputting.
含むことを特徴とする請求項7記載の露光装置。8. An exposure apparatus according to claim 7, wherein said detection result includes the number of occurrences of each abnormality content.
超えた場合に警告する警告手段とを備えたことを特徴と
する請求項7又は8記載の露光装置。9. An exposure apparatus according to claim 7, further comprising warning means for warning when the number of times detected by said detection means exceeds a predetermined number.
置情報を含むことを特徴とする請求項7記載の露光装
置。10. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the detection result includes information on a position where the abnormality has occurred.
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