JP2888999B2 - Inspection equipment for semiconductor integrated circuits - Google Patents

Inspection equipment for semiconductor integrated circuits

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JP2888999B2
JP2888999B2 JP1739091A JP1739091A JP2888999B2 JP 2888999 B2 JP2888999 B2 JP 2888999B2 JP 1739091 A JP1739091 A JP 1739091A JP 1739091 A JP1739091 A JP 1739091A JP 2888999 B2 JP2888999 B2 JP 2888999B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の検査
装置に関し、詳しくは、チップ上の動作波形を非接触で
測定する装置(例えばEBテスタ)と、チップ上のパタ
ーンを非接触で物理加工する装置(例えばFIB装置)
との連携性を意図した検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for inspecting a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to an apparatus for measuring an operation waveform on a chip in a non-contact manner (for example, an EB tester) and a method for physically measuring a pattern on a chip in a non-contact manner. Processing equipment (eg FIB equipment)
The present invention relates to an inspection device intended to cooperate with the inspection device.

【0002】一般に、設計工程でシミュレーションを完
了した回路は製造工程に渡され、この製造工程において
エンジニアリング・サンプルとしてのプロトタイプIC
が作られる。回路設計者はこのICを入手し、その機能
が正しいかどうかを試験・評価する(いわゆるプロトタ
イプ・テスト)。
In general, a circuit that has been simulated in a design process is passed to a manufacturing process, and in this manufacturing process, a prototype IC is used as an engineering sample.
Is made. The circuit designer obtains the IC and tests and evaluates whether the function is correct (so-called prototype test).

【0003】プロトタイプ・テストでは、ワークステー
ションの論理シミュレーションの入力ベクトルを被測定
IC(以下DUT:device undertest)に印加し、DU
Tを実際に動作させながら、DUTから得られた出力信
号ベクトルと出力期待値ベクトルとを比較して機能不良
DUTを判定する。
In the prototype test, an input vector of a logic simulation of a workstation is applied to an IC under test (DUT: device under test), and a DU is generated.
While actually operating T, a malfunction DUT is determined by comparing an output signal vector obtained from the DUT with an output expected value vector.

【0004】かかるプロトタイプ・テストにおいては外
部端子を使ったテストだけでなく、ウエーハやチップの
内部回路の電圧信号を観測するテストも重要である。故
障原因は、外部端子からのテストだけでは判定できない
場合が多いからである。
[0004] In such a prototype test, not only a test using external terminals but also a test for observing a voltage signal of an internal circuit of a wafer or a chip is important. This is because the cause of failure often cannot be determined only by a test from an external terminal.

【0005】この場合、DUTのウエーハあるいはチッ
プ上の所望ノードに金属プローブを当てて内部回路から
の出力ベクトルを取り出し、この出力ベクトルとワーク
ステーションでの論理シミュレーションの期待値ベクト
ルとを比較して、論理設計上の誤りや製造上における誤
動作などを見つけ出す。
In this case, a metal probe is applied to a desired node on the wafer or chip of the DUT to take out an output vector from the internal circuit, and this output vector is compared with an expected value vector of a logic simulation in a workstation. Find errors in logic design and malfunctions in manufacturing.

【0006】ところで、こうした金属プローブ方式で
は、ウエーハやチップ表面の絶縁被膜を溶液などによっ
て除去しなければならない。また、金属プローブの接触
抵抗を小さくするために強く押し当てる必要があり、プ
ローブ先端によってウエーハやチップ表面が傷つきやす
い、などDUTに対してダメージを与えやすい欠点があ
る。
In such a metal probe system, the insulating film on the wafer or chip surface must be removed by a solution or the like. Further, it is necessary to press strongly to reduce the contact resistance of the metal probe, and there is a disadvantage that the DUT is easily damaged such that the wafer or chip surface is easily damaged by the probe tip.

【0007】[0007]

【従来の技術】DUTに対してダメージを与えない測定
装置としては、例えば電子ビームテスタ(略してEBテ
スタ)が知られている。
2. Description of the Related Art As a measuring device which does not damage a DUT, for example, an electron beam tester (abbreviated as an EB tester) is known.

【0008】EBテスタは、DUTに対して電子ビーム
を照射し、DUTからの反射2次電子量に基づいてDU
Tの配線や電極などの電位を測定するもので、金属プロ
ーブ等を用いることなく、DUTの内部実動作波形を観
測できる。
[0008] The EB tester irradiates the DUT with an electron beam, and based on the amount of secondary electrons reflected from the DUT, the DU.
It measures the potential of the wiring and electrodes of T, and allows the actual operation waveform inside the DUT to be observed without using a metal probe or the like.

【0009】ところで、こうした波形観測の結果から、
例えば、DUTの特定部位の配線や電極等を切断した
り、または接続したり、あるいは絶縁膜に穴開けしたり
する加工処理が行われる。
By the way, from the results of such waveform observation,
For example, processing such as cutting or connecting wiring or electrodes at a specific portion of the DUT, or making a hole in an insulating film is performed.

【0010】かかる加工処理を非接触で実行する装置と
して、例えば収束イオンビーム装置(略してFIB装
置)が知られている。イオンビームの照射エネルギーを
利用し、特定部位に対する物理的な加工処理を実行す
る。
For example, a focused ion beam apparatus (FIB apparatus for short) is known as an apparatus for performing such processing in a non-contact manner. Using the irradiation energy of the ion beam, physical processing is performed on a specific portion.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体集積回路の検査装置にあっては、EBテス
タとFIB装置がそれぞれ独立して機能する構成となっ
ていたため、例えば、EBテスタによって特定した部分
を、FIB装置側で探索する場合、その作業が非常に面
倒であり、検査効率が極めて悪いといった問題点があっ
た。
However, in such a conventional semiconductor integrated circuit inspection apparatus, the EB tester and the FIB apparatus are configured to function independently of each other. When the part is searched on the FIB device side, there is a problem that the operation is very troublesome and the inspection efficiency is extremely low.

【0012】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、チップの内部電圧を測定する装置(例えば
EBテスタ)と当該チップに対して加工処理を施す装置
(例えばFIB装置)との間でデータの共有化を図り、
両装置間の連携性を向上することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and includes an apparatus for measuring an internal voltage of a chip (for example, an EB tester) and an apparatus for processing a chip (for example, an FIB apparatus). To share data between
The purpose is to improve the coordination between the two devices.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためその原理構成図を図1に示すように、チップ
上の配線や電極などの電位を測定する測定手段と、該測
定手段の測定結果に基づいて不良部位を特定すると共に
該不良部位に対する加工の内容を指定する特定手段と、
該不良部位の位置情報や加工指定情報を保持する第1保
持手段と、該位置情報に従って前記チップ上の位置を探
索すると共に該加工指定情報に従って当該位置の配線や
電極などに対する物理的加工を行う加工手段と、該加工
済みの位置情報および加工内容の情報を保持する第2保
持手段と、該加工済みの位置情報に従って前記チップ上
の特定部位を探索し該特定部位の電位を測定して加工に
伴うチップ動作を検証する検証手段と、を備えたことを
特徴とする。
According to the present invention, there is provided a measuring means for measuring a potential of a wiring or an electrode on a chip, as shown in FIG. Specifying means for specifying a defective portion based on the measurement result and specifying the content of processing for the defective portion;
First holding means for holding position information and processing designation information of the defective portion; searching for a position on the chip according to the position information; and performing physical processing on wiring, electrodes, and the like at the position according to the processing designation information. Processing means; second holding means for holding the processed position information and processing content information; searching for a specific part on the chip according to the processed position information, measuring the potential of the specific part, and processing And verification means for verifying the chip operation accompanying the above.

【0014】[0014]

【作用】本発明では、測定手段の測定結果に従って特定
手段がチップ上の不良位置とその位置に関する加工内容
を指定し、その指定情報が第1保持手段に保持される。
According to the present invention, the specifying means specifies the defective position on the chip and the processing content relating to the position in accordance with the measurement result of the measuring means, and the specified information is stored in the first storing means.

【0015】そして、加工手段によって該第1保持手段
の情報が参照され、上記チップ上の不良位置に対する加
工処理が実行される。
The information of the first holding means is referred to by the processing means, and the processing for the defective position on the chip is executed.

【0016】次いで、その加工結果の情報が第2保持手
段に保持された後、この情報に基づいて検証手段が加工
処理に伴うチップ動作を検証する。すなわち、測定手
段、特定手段および検証手段として機能する所定の装置
(例えばEBテスタ)と、加工手段として機能する所定
の装置(例えばFIB装置)との間が第1保持手段およ
び第2保持手段を介して情報連結され、従って、両装置
間の連携性が高められる。
Next, after the information of the processing result is held in the second holding means, the verification means verifies the chip operation accompanying the processing based on this information. That is, the first holding unit and the second holding unit are provided between a predetermined device (for example, an EB tester) that functions as a measuring unit, a specifying unit, and a verification unit and a predetermined device (for example, an FIB device) that functions as a processing unit. The information is linked via the link, so that the cooperation between the two devices is enhanced.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
2〜図4は本発明に係る半導体集積回路の検査装置の一
実施例を示す図であり、EBテスタおよびFIB装置に
適用した例である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 to FIG. 4 are views showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit inspection apparatus according to the present invention, which is an example applied to an EB tester and an FIB apparatus.

【0018】まず、構成を説明する。図2において、1
0は測定手段、特定手段および検証手段として機能する
EBテスタ、30は加工手段として機能するFIB装
置、60a、60bはデータ転送線、61は第1保持手
段および第2保持手段として機能する外部記憶装置(例
えば固定ディスク装置)である。
First, the configuration will be described. In FIG. 2, 1
0 denotes an EB tester that functions as a measuring unit, a specifying unit, and a verifying unit, 30 denotes an FIB device that functions as a processing unit, 60a and 60b denote data transfer lines, and 61 denotes an external storage that functions as a first holding unit and a second holding unit. Device (for example, a fixed disk device).

【0019】EBテスタ10は、鏡筒11の内部に、電
子銃12、ブランカ13、コンデンサレンズ14、走査
偏向器15、対物レンズ16、エネルギー分析器17お
よび2次電子検出器18などを順次に配列し、電子銃1
2からの電子ビーム19を、XYステージ20に載置し
たDUT(例えば半導体チップ)21上に導きつつ偏向
走査し、任意位置に照射する。
The EB tester 10 includes an electron gun 12, a blanker 13, a condenser lens 14, a scanning deflector 15, an objective lens 16, an energy analyzer 17, a secondary electron detector 18, and the like in a lens barrel 11 in order. Arrange and electron gun 1
The electron beam 19 from 2 is deflected and scanned while being guided onto a DUT (for example, a semiconductor chip) 21 mounted on an XY stage 20, and irradiated to an arbitrary position.

【0020】ここで、DUT21には、駆動回路22か
ら駆動信号が与えられており、この駆動信号は、DUT
21を実際に動作させ得る各種の信号(すなわち電源や
入出力信号など)を含む。
Here, a driving signal is given to the DUT 21 from the driving circuit 22, and this driving signal is
21 includes various signals (that is, power supply, input / output signals, and the like) that can actually operate the power supply 21.

【0021】EBテスタ制御装置23は、テスタ各部の
動作をコントロールすると共に、DUT21からの反射
電子量に基づく内部電圧測定処理を実行する。またEB
テスタ制御装置23は、測定電圧と期待電圧値とを比較
してDUT21の不良部位を決定すると共に、その不良
部位に対する加工内容(例えば不要な配線の切断、非接
続配線の接続、または絶縁膜の穴開けなど)を指定する
処理を実行し、その決定結果を外部記憶装置61に格納
する。
The EB tester controller 23 controls the operation of each part of the tester and executes an internal voltage measurement process based on the amount of electrons reflected from the DUT 21. Also EB
The tester control device 23 determines the defective portion of the DUT 21 by comparing the measured voltage and the expected voltage value, and processes the defective portion (for example, cutting unnecessary wiring, connecting non-connecting wiring, or forming an insulating film). A process for designating a hole or the like is executed, and the result of the determination is stored in the external storage device 61.

【0022】一方、FIB装置40は、鏡筒41の内部
に、イオン銃42、ブランカ43、コンデンサレンズ4
4、走査偏向器45、対物レンズ46および電子検出器
47などを順次に配列し、イオン銃41からの収束イオ
ンビーム48を、XYステージ49に載置したDUT
(上記EBテスタで用いたものと同一のもの)21上に
導き、DUT21の所定位置に対して物理的な加工処理
を実行する。
On the other hand, the FIB device 40 includes an ion gun 42, a blanker 43, and a condenser lens 4 inside a lens barrel 41.
4. DUT in which a scanning deflector 45, an objective lens 46, an electron detector 47 and the like are sequentially arranged, and a focused ion beam 48 from an ion gun 41 is mounted on an XY stage 49
(The same one used in the EB tester described above) is guided to a position on the DUT 21 and a physical processing is performed on a predetermined position of the DUT 21.

【0023】FIB制御装置50は、FIB装置各部の
動作をコントロールすると共に、外部記憶装置61の保
持情報に従って加工内容(例えば不要な配線の切断、非
接続配線の接続、または絶縁膜の穴開けなど)を決定し
て実行させる他、その加工処理の内容および加工の位置
情報を外部記憶装置61に格納する。
The FIB control device 50 controls the operation of each part of the FIB device and processes the contents (for example, cutting unnecessary wires, connecting non-connecting wires, or drilling holes in an insulating film) in accordance with the information held in the external storage device 61. ) Is determined and executed, and the contents of the processing and position information of the processing are stored in the external storage device 61.

【0024】図3は、外部記憶装置61内のデータ形式
を示す図であり、いわゆるカード型データベースを採用
している。1枚のカードは、複数の項目(#1〜#9)
に分けられており、各項目は、例えば以下の内容に割り
当てられている。
FIG. 3 is a diagram showing a data format in the external storage device 61, which employs a so-called card type database. One card contains multiple items (# 1 to # 9)
, And each item is assigned to, for example, the following contents.

【0025】#1:EBテスタによって指定された加工
内容情報(E$) E$=1:電圧波形測定配線 E$=2:配線の要切断 E$=3:配線の要接続 #2:FIB装置による加工情報(F$) F$=1:配線を切断加工 F$=2:配線を接続加工 F$=3:絶縁膜に穴開け加工 #3:切断、穴開け、または接続元の位置座標情報(P
1$) #4:切断、穴開け、または接続元のネット情報(N1
$) #5:切断、穴開け、または接続元の層番号情報(L1
$) #6:接続先の位置座標情報(P2$) #7:接続先のネット情報(N2$) #8:接続先の層番号情報(L2$) #9:コメント欄(C$) ここで、カード型データベースは、特定の項目を選択し
てその内容を指定すると、該当カードが検索されるもの
で、例えば、一般的には名前を検索語に指定して住所や
電話番号などを調べるのに利用されている。すなわち、
上記の例によると、例えば#1項目を選択してE$=2
(配線の要切断)を指定すると、これに該当するカード
の内容から、配線の切断位置などの情報(P1$、N1
$、L1$)を見つけ出すことができる。
# 1: Processing content information (E #) specified by the EB tester E # = 1: Voltage waveform measurement wiring E # = 2: Wiring required cutting E # = 3: Wiring required connection # 2: FIB Processing information by device (F に よ る) F $ = 1: Cutting wiring F = 2: Connecting wiring F $ = 3: Drilling in insulating film # 3: Cutting, drilling, or connection source position Coordinate information (P
1 $) # 4: Cutting, drilling, or connection source net information (N1
$) # 5: Cutting, drilling, or connection source layer number information (L1
$) # 6: Location coordinate information of connection destination (P2 $) # 7: Net information of connection destination (N2 $) # 8: Layer number information of connection destination (L2 $) # 9: Comment column (C $) Here In the card type database, when a specific item is selected and its contents are specified, the corresponding card is searched. For example, generally, a name is specified as a search word and an address or a telephone number is searched. It is used for That is,
According to the above example, for example, item # 1 is selected and E $ = 2
When (wiring required) is specified, information (P1 $, N1) such as a wiring cutting position is obtained from the contents of the corresponding card.
{, L1}) can be found out.

【0026】図4はシステムの動作フロー図である。こ
のフロー図では、まず、DUT21をEBテスタ10に
セットして駆動すると共に(ステップ70)、外部記憶
装置61からデータファイル(全カードのファイル)を
読み込み(ステップ71)、そのデータファイル中から
F$>0のカード(すなわちF$が1、2または3のカ
ード)を検索する(ステップ72)。
FIG. 4 is an operation flowchart of the system. In this flowchart, first, the DUT 21 is set on the EB tester 10 and driven (step 70), and a data file (files of all cards) is read from the external storage device 61 (step 71). A card whose $> 0 (that is, a card whose F $ is 1, 2 or 3) is searched (step 72).

【0027】YESの場合には後述の過程で何等かの加
工処理を施されたものと判断し、当該検索カード中の情
報(P1$、N1$、L1$、P2$、N2$、L2
$)を参照しながら位置やネットおよび層を特定して電
圧波形測定を実行し(ステップ73)、その加工処理に
伴う電圧波形の変化から回路内容を検証する(ステップ
74)。
In the case of YES, it is determined that some processing has been performed in the process described later, and the information (P1 #, N1 #, L1 #, P2 #, N2 #, L2) in the search card is determined.
A voltage waveform measurement is executed by specifying a position, a net, and a layer while referring to $) (Step 73), and the circuit contents are verified from a change in the voltage waveform accompanying the processing (Step 74).

【0028】一方、ステップ72がNOの場合、すなわ
ち加工処理が施されていない場合には、まず、DUT2
1の任意位置に対する電圧波形測定を実行し(ステップ
75)、その測定結果から不良箇所を特定する(ステッ
プ76)。次いで、不良の原因を推定して仮説をたてる
と共に(ステップ77)、その仮説の検証方法を検討す
る(ステップ78)。すなわち、電圧波形を不良にする
可能性のある原因を見つけ出し、その原因を検証するた
めの加工方法(配線の切断や接続など)を決定する(ス
テップ79)。
On the other hand, if step 72 is NO, that is, if no processing has been performed, first the DUT 2
The voltage waveform measurement is performed on the arbitrary position 1 (step 75), and a defective portion is specified from the measurement result (step 76). Next, the cause of the failure is estimated to form a hypothesis (step 77), and a method of verifying the hypothesis is examined (step 78). That is, a cause that may cause the voltage waveform to be defective is found, and a processing method (cutting or connection of wiring, etc.) for verifying the cause is determined (step 79).

【0029】決定された加工方法は、その加工位置のカ
ード(なければ新規カード)の#1項目に格納された
後、データファイルの全体が外部記憶装置61に書き戻
される(ステップ80)。
After the determined processing method is stored in the item # 1 of the card (or a new card if not) at the processing position, the entire data file is written back to the external storage device 61 (step 80).

【0030】以上の処理を完了すると、DUT21をE
Bテスタ10から取り外してFIB装置40にセットし
(ステップ81)、次いで、外部記憶装置61をアクセ
スしてデータファイルを読み込む(ステップ82)。こ
のデータファイルは、EBテスタ10側で生成もしくは
更新されたものであり、加工すべき内容とその加工位置
に関する情報が保持されている。
When the above processing is completed, the DUT 21 is
It is removed from the B tester 10 and set in the FIB device 40 (step 81), and then the external storage device 61 is accessed to read a data file (step 82). This data file is generated or updated on the EB tester 10 side, and holds information on contents to be processed and its processing position.

【0031】すなわち、データファイルの全カードにつ
いてE$の内容をチェックし、E$=2または3(すな
わち要加工処理)のカードを検索した後(ステップ8
3)、その加工内容(接続加工または切断加工)に従っ
て、FIBによる配線の接続処理(ステップ84)、ま
たは、FIBによる配線の切断処理(ステップ85)を
実行する。そして、加工内容別にF$に1または2をセ
ットし(ステップ86、87)、データファイルを外部
記憶装置61に書き戻した後、再びステップ70を実行
する。
That is, the contents of E $ are checked for all the cards in the data file, and after searching for a card with E $ = 2 or 3 (that is, processing required) (step 8)
3) According to the processing contents (connection processing or cutting processing), a wiring connection processing by FIB (step 84) or a wiring disconnection processing by FIB (step 85) is executed. Then, 1 or 2 is set to F # for each processing content (steps 86 and 87), the data file is written back to the external storage device 61, and then step 70 is executed again.

【0032】このように本実施例によれば、EBテスタ
10側で不良波形を検出すると、その位置や加工すべき
内容などの情報が外部記憶装置61に書き出されるの
で、この情報をFIB装置40側で利用することができ
る。従って、加工位置の探索作業を容易化することがで
きる。
As described above, according to the present embodiment, when a defective waveform is detected on the EB tester 10 side, information such as its position and contents to be processed is written to the external storage device 61. Can be used on the side. Therefore, the work of searching for the processing position can be facilitated.

【0033】また、FIB装置40側での加工処理内容
が外部記憶装置61に書き出されるので、この情報をE
Bテスタ10側で利用することができる。従って、電圧
波形の再測定に際して、その位置決めを容易化すること
ができる。
Further, since the processing contents of the FIB device 40 are written out to the external storage device 61, this information is
It can be used on the B tester 10 side. Therefore, when re-measuring the voltage waveform, the positioning can be facilitated.

【0034】すなわち、外部記憶装置61内のデータフ
ァイルをEBテスタ10とFIB装置40との間で共有
化でき、電子ビームまたはイオンビーム照射位置の探索
作業を簡単化して検査効率を向上することができる。
That is, the data file in the external storage device 61 can be shared between the EB tester 10 and the FIB device 40, and the search operation of the electron beam or ion beam irradiation position can be simplified to improve the inspection efficiency. it can.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、チップの内部電圧を測
定する装置(例えばEBテスタ)と当該チップに対して
加工処理を施す装置(例えばFIB装置)との間でデー
タの共有化を図ることができ、両装置間の連携性を向上
することができる。
According to the present invention, data is shared between a device for measuring the internal voltage of a chip (for example, an EB tester) and a device for processing the chip (for example, an FIB device). And the coordination between the two devices can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.

【図2】一実施例のシステム構成図である。FIG. 2 is a system configuration diagram of an embodiment.

【図3】一実施例のデータファイルの概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of a data file according to an embodiment.

【図4】一実施例の動作フロー図である。FIG. 4 is an operation flowchart of one embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:EBテスタ(測定手段、特定手段、検証手段) 23:DUT(チップ) 30:FIB装置(加工手段) 61:外部記憶装置(第1保持手段、第2保持手段) 10: EB tester (measuring means, specifying means, verification means) 23: DUT (chip) 30: FIB device (processing means) 61: external storage device (first holding means, second holding means)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】チップ上の配線や電極などの電位を測定す
る測定手段と、該測定手段の測定結果に基づいて不良部
位を特定すると共に該不良部位に対する加工の内容を指
定する特定手段と、該不良部位の位置情報や加工指定情
報を保持する第1保持手段と、該位置情報に従って前記
チップ上の位置を探索すると共に該加工指定情報に従っ
て当該位置の配線や電極などに対する物理的加工を行う
加工手段と、該加工済みの位置情報および加工内容の情
報を保持する第2保持手段と、該加工済みの位置情報に
従って前記チップ上の特定部位を探索し該特定部位の電
位を測定して加工に伴うチップ動作を検証する検証手段
と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路の検査装
置。
1. A measuring means for measuring a potential of a wiring or an electrode on a chip, a specifying means for specifying a defective part based on a measurement result of the measuring means and specifying contents of processing for the defective part, First holding means for holding position information and processing designation information of the defective portion; searching for a position on the chip according to the position information; and performing physical processing on wiring, electrodes, and the like at the position according to the processing designation information. Processing means; second holding means for holding the processed position information and processing content information; searching for a specific part on the chip according to the processed position information, measuring the potential of the specific part, and processing And a verification means for verifying a chip operation accompanying the inspection.
JP1739091A 1991-02-08 1991-02-08 Inspection equipment for semiconductor integrated circuits Expired - Lifetime JP2888999B2 (en)

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