JPH04256332A - Inspection apparatus of semiconductor integrated circuit - Google Patents

Inspection apparatus of semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH04256332A
JPH04256332A JP1739091A JP1739091A JPH04256332A JP H04256332 A JPH04256332 A JP H04256332A JP 1739091 A JP1739091 A JP 1739091A JP 1739091 A JP1739091 A JP 1739091A JP H04256332 A JPH04256332 A JP H04256332A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
information
chip
tester
dut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1739091A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2888999B2 (en
Inventor
Akio Ito
昭夫 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP1739091A priority Critical patent/JP2888999B2/en
Publication of JPH04256332A publication Critical patent/JPH04256332A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2888999B2 publication Critical patent/JP2888999B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To simplify the search operation of an electron-beam or ion-beam irradiation position and to enhance the inspection efficiency of the title apparatus by a method wherein a data is used in common between an apparatus which measures the internal voltage of a chip and an apparatus which performs a processing treatment to the chip. CONSTITUTION:An EB-tester control apparatus 23 executes an internal-voltage measuring treatment on the basis of a reflected electron amount from a DUT 21. The control apparatus 23 compares a measured voltage with an expected voltage value, decides the defective part of the DUT 21, decides a processing content regarding the defective part and stores these decided results in an external storage device 61. An FIB control apparatus 50 decides a processing content according to stored information in the external storage device 61 and executes it; after that, the content of a processing treatment and positional information on the processing treatment are stored in the external storage device 61. In addition, the information is utilized on the side of an EB tester 10 when a voltage waveform is measured again.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の検査
装置に関し、詳しくは、チップ上の動作波形を非接触で
測定する装置(例えばEBテスタ)と、チップ上のパタ
ーンを非接触で物理加工する装置(例えばFIB装置)
との連携性を意図した検査装置に関する。
[Field of Industrial Application] The present invention relates to a testing device for semiconductor integrated circuits, and more specifically, a device (for example, an EB tester) that measures operating waveforms on a chip in a non-contact manner, and a device that physically tests patterns on a chip in a non-contact manner. Processing equipment (e.g. FIB equipment)
This invention relates to an inspection device intended for collaboration with.

【0002】一般に、設計工程でシミュレーションを完
了した回路は製造工程に渡され、この製造工程において
エンジニアリング・サンプルとしてのプロトタイプIC
が作られる。回路設計者はこのICを入手し、その機能
が正しいかどうかを試験・評価する(いわゆるプロトタ
イプ・テスト)。
[0002] Generally, circuits that have been simulated in the design process are passed on to the manufacturing process, and in this manufacturing process prototype ICs are created as engineering samples.
is made. A circuit designer obtains this IC and tests and evaluates whether its functions are correct (so-called prototype testing).

【0003】プロトタイプ・テストでは、ワークステー
ションの論理シミュレーションの入力ベクトルを被測定
IC(以下DUT:device undertest
)に印加し、DUTを実際に動作させながら、DUTか
ら得られた出力信号ベクトルと出力期待値ベクトルとを
比較して機能不良DUTを判定する。
[0003] In prototype testing, the input vectors of the workstation's logic simulation are connected to the IC under test (hereinafter referred to as DUT).
), and while the DUT is actually operating, the output signal vector obtained from the DUT is compared with the output expected value vector to determine a malfunctioning DUT.

【0004】かかるプロトタイプ・テストにおいては外
部端子を使ったテストだけでなく、ウエーハやチップの
内部回路の電圧信号を観測するテストも重要である。故
障原因は、外部端子からのテストだけでは判定できない
場合が多いからである。
[0004] In such prototype tests, it is important not only to test using external terminals, but also to observe voltage signals of internal circuits of wafers and chips. This is because the cause of failure cannot often be determined by testing only from external terminals.

【0005】この場合、DUTのウエーハあるいはチッ
プ上の所望ノードに金属プローブを当てて内部回路から
の出力ベクトルを取り出し、この出力ベクトルとワーク
ステーションでの論理シミュレーションの期待値ベクト
ルとを比較して、論理設計上の誤りや製造上における誤
動作などを見つけ出す。
In this case, a metal probe is applied to a desired node on the wafer or chip of the DUT to extract an output vector from the internal circuit, and this output vector is compared with the expected value vector of logic simulation at the workstation. Find errors in logic design and malfunctions in manufacturing.

【0006】ところで、こうした金属プローブ方式では
、ウエーハやチップ表面の絶縁被膜を溶液などによって
除去しなければならない。また、金属プローブの接触抵
抗を小さくするために強く押し当てる必要があり、プロ
ーブ先端によってウエーハやチップ表面が傷つきやすい
、などDUTに対してダメージを与えやすい欠点がある
By the way, in such a metal probe method, the insulating coating on the surface of the wafer or chip must be removed using a solution or the like. In addition, it is necessary to press the metal probe strongly in order to reduce the contact resistance, and there is a drawback that the tip of the probe easily damages the wafer or chip surface, causing damage to the DUT.

【0007】[0007]

【従来の技術】DUTに対してダメージを与えない測定
装置としては、例えば電子ビームテスタ(略してEBテ
スタ)が知られている。
2. Description of the Related Art As a measuring device that does not cause damage to a DUT, for example, an electron beam tester (abbreviated as an EB tester) is known.

【0008】EBテスタは、DUTに対して電子ビーム
を照射し、DUTからの反射2次電子量に基づいてDU
Tの配線や電極などの電位を測定するもので、金属プロ
ーブ等を用いることなく、DUTの内部実動作波形を観
測できる。
The EB tester irradiates the DUT with an electron beam and detects the DU based on the amount of secondary electrons reflected from the DUT.
It measures the potential of T wiring, electrodes, etc., and allows the actual internal operation waveform of the DUT to be observed without using metal probes or the like.

【0009】ところで、こうした波形観測の結果から、
例えば、DUTの特定部位の配線や電極等を切断したり
、または接続したり、あるいは絶縁膜に穴開けしたりす
る加工処理が行われる。
By the way, from the results of these waveform observations,
For example, processing is performed to cut or connect wiring, electrodes, etc. at specific parts of the DUT, or to make holes in an insulating film.

【0010】かかる加工処理を非接触で実行する装置と
して、例えば収束イオンビーム装置(略してFIB装置
)が知られている。イオンビームの照射エネルギーを利
用し、特定部位に対する物理的な加工処理を実行する。
For example, a focused ion beam device (abbreviated as an FIB device) is known as a device that performs such processing in a non-contact manner. Performs physical processing on specific parts using ion beam irradiation energy.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体集積回路の検査装置にあっては、EBテス
タとFIB装置がそれぞれ独立して機能する構成となっ
ていたため、例えば、EBテスタによって特定した部分
を、FIB装置側で探索する場合、その作業が非常に面
倒であり、検査効率が極めて悪いといった問題点があっ
た。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in such conventional semiconductor integrated circuit testing equipment, the EB tester and the FIB equipment are configured to function independently. When a portion is searched by the FIB device, there are problems in that the work is very troublesome and the inspection efficiency is extremely low.

【0012】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、チップの内部電圧を測定する装置(例えば
EBテスタ)と当該チップに対して加工処理を施す装置
(例えばFIB装置)との間でデータの共有化を図り、
両装置間の連携性を向上することを目的としている。
The present invention has been made in view of these problems, and includes a device for measuring the internal voltage of a chip (for example, an EB tester) and a device for processing the chip (for example, an FIB device). We aim to share data between
The purpose is to improve coordination between both devices.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためその原理構成図を図1に示すように、チップ
上の配線や電極などの電位を測定する測定手段と、該測
定手段の測定結果に基づいて不良部位を特定すると共に
該不良部位に対する加工の内容を指定する特定手段と、
該不良部位の位置情報や加工指定情報を保持する第1保
持手段と、該位置情報に従って前記チップ上の位置を探
索すると共に該加工指定情報に従って当該位置の配線や
電極などに対する物理的加工を行う加工手段と、該加工
済みの位置情報および加工内容の情報を保持する第2保
持手段と、該加工済みの位置情報に従って前記チップ上
の特定部位を探索し該特定部位の電位を測定して加工に
伴うチップ動作を検証する検証手段と、を備えたことを
特徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides a measuring means for measuring the electric potential of wirings, electrodes, etc. on a chip, and a measuring means for measuring the electric potential of wirings, electrodes, etc. on a chip, as shown in FIG. identification means for identifying a defective part based on the measurement results of and specifying processing details for the defective part;
a first holding means for holding positional information and processing designation information of the defective part; and searching for a position on the chip according to the positional information, and performing physical processing on wiring, electrodes, etc. at the position according to the processing designation information. a processing means, a second holding means for holding information on the processed position and processing details, searching for a specific part on the chip according to the processed position information, measuring the electric potential of the specific part, and processing it; The present invention is characterized by comprising a verification means for verifying the chip operation associated with the chip operation.

【0014】[0014]

【作用】本発明では、測定手段の測定結果に従って特定
手段がチップ上の不良位置とその位置に関する加工内容
を指定し、その指定情報が第1保持手段に保持される。
According to the present invention, the specifying means specifies the defective position on the chip and the processing contents related to the position according to the measurement result of the measuring means, and the specified information is held in the first holding means.

【0015】そして、加工手段によって該第1保持手段
の情報が参照され、上記チップ上の不良位置に対する加
工処理が実行される。
[0015] Then, the processing means refers to the information in the first holding means and performs processing on the defective position on the chip.

【0016】次いで、その加工結果の情報が第2保持手
段に保持された後、この情報に基づいて検証手段が加工
処理に伴うチップ動作を検証する。すなわち、測定手段
、特定手段および検証手段として機能する所定の装置(
例えばEBテスタ)と、加工手段として機能する所定の
装置(例えばFIB装置)との間が第1保持手段および
第2保持手段を介して情報連結され、従って、両装置間
の連携性が高められる。
Next, after the information on the machining results is held in the second holding means, the verification means verifies the chip operation accompanying the machining process based on this information. That is, a predetermined device (
For example, an EB tester) and a predetermined device that functions as a processing means (for example, an FIB device) are information-linked via the first holding means and the second holding means, thus increasing the cooperation between the two devices. .

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
2〜図4は本発明に係る半導体集積回路の検査装置の一
実施例を示す図であり、EBテスタおよびFIB装置に
適用した例である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be explained below based on the drawings. 2 to 4 are diagrams showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit testing device according to the present invention, and are examples applied to an EB tester and an FIB device.

【0018】まず、構成を説明する。図2において、1
0は測定手段、特定手段および検証手段として機能する
EBテスタ、30は加工手段として機能するFIB装置
、60a、60bはデータ転送線、61は第1保持手段
および第2保持手段として機能する外部記憶装置(例え
ば固定ディスク装置)である。
First, the configuration will be explained. In Figure 2, 1
0 is an EB tester that functions as a measurement means, identification means, and verification means; 30 is an FIB device that functions as a processing means; 60a and 60b are data transfer lines; and 61 is an external memory that functions as a first holding means and a second holding means. device (eg, a fixed disk device).

【0019】EBテスタ10は、鏡筒11の内部に、電
子銃12、ブランカ13、コンデンサレンズ14、走査
偏向器15、対物レンズ16、エネルギー分析器17お
よび2次電子検出器18などを順次に配列し、電子銃1
2からの電子ビーム19を、XYステージ20に載置し
たDUT(例えば半導体チップ)21上に導きつつ偏向
走査し、任意位置に照射する。
The EB tester 10 sequentially includes an electron gun 12, a blanker 13, a condenser lens 14, a scanning deflector 15, an objective lens 16, an energy analyzer 17, a secondary electron detector 18, etc. inside a lens barrel 11. Arrange and electron gun 1
An electron beam 19 from 2 is deflected and scanned while being guided onto a DUT (for example, a semiconductor chip) 21 placed on an XY stage 20, and irradiated onto an arbitrary position.

【0020】ここで、DUT21には、駆動回路22か
ら駆動信号が与えられており、この駆動信号は、DUT
21を実際に動作させ得る各種の信号(すなわち電源や
入出力信号など)を含む。
Here, the DUT 21 is given a drive signal from the drive circuit 22, and this drive signal is applied to the DUT 21.
21 (ie, power supply, input/output signals, etc.).

【0021】EBテスタ制御装置23は、テスタ各部の
動作をコントロールすると共に、DUT21からの反射
電子量に基づく内部電圧測定処理を実行する。またEB
テスタ制御装置23は、測定電圧と期待電圧値とを比較
してDUT21の不良部位を決定すると共に、その不良
部位に対する加工内容(例えば不要な配線の切断、非接
続配線の接続、または絶縁膜の穴開けなど)を指定する
処理を実行し、その決定結果を外部記憶装置61に格納
する。
The EB tester control device 23 controls the operation of each part of the tester, and also executes internal voltage measurement processing based on the amount of reflected electrons from the DUT 21. Also EB
The tester control device 23 determines the defective part of the DUT 21 by comparing the measured voltage and the expected voltage value, and also determines the processing details for the defective part (for example, cutting unnecessary wiring, connecting unconnected wiring, or changing the insulation film). (drilling, etc.) and stores the determination result in the external storage device 61.

【0022】一方、FIB装置40は、鏡筒41の内部
に、イオン銃42、ブランカ43、コンデンサレンズ4
4、走査偏向器45、対物レンズ46および電子検出器
47などを順次に配列し、イオン銃41からの収束イオ
ンビーム48を、XYステージ49に載置したDUT(
上記EBテスタで用いたものと同一のもの)21上に導
き、DUT21の所定位置に対して物理的な加工処理を
実行する。
On the other hand, the FIB device 40 includes an ion gun 42, a blanker 43, and a condenser lens 4 inside a lens barrel 41.
4. A scanning deflector 45, an objective lens 46, an electron detector 47, etc. are arranged in sequence, and a focused ion beam 48 from an ion gun 41 is transmitted to a DUT (
(same as that used in the above-mentioned EB tester) 21 and performs physical processing on a predetermined position of the DUT 21.

【0023】FIB制御装置50は、FIB装置各部の
動作をコントロールすると共に、外部記憶装置61の保
持情報に従って加工内容(例えば不要な配線の切断、非
接続配線の接続、または絶縁膜の穴開けなど)を決定し
て実行させる他、その加工処理の内容および加工の位置
情報を外部記憶装置61に格納する。
The FIB control device 50 controls the operation of each part of the FIB device, and also controls processing details (for example, cutting unnecessary wiring, connecting unconnected wiring, or drilling holes in an insulating film) according to information held in an external storage device 61. ) is determined and executed, and the contents of the processing and processing position information are stored in the external storage device 61.

【0024】図3は、外部記憶装置61内のデータ形式
を示す図であり、いわゆるカード型データベースを採用
している。1枚のカードは、複数の項目(#1〜#9)
に分けられており、各項目は、例えば以下の内容に割り
当てられている。
FIG. 3 is a diagram showing the data format in the external storage device 61, which employs a so-called card type database. One card can contain multiple items (#1 to #9)
Each item is assigned to the following content, for example.

【0025】#1:EBテスタによって指定された加工
内容情報(E$) E$=1:電圧波形測定配線 E$=2:配線の要切断 E$=3:配線の要接続 #2:FIB装置による加工情報(F$)F$=1:配
線を切断加工 F$=2:配線を接続加工 F$=3:絶縁膜に穴開け加工 #3:切断、穴開け、または接続元の位置座標情報(P
1$) #4:切断、穴開け、または接続元のネット情報(N1
$) #5:切断、穴開け、または接続元の層番号情報(L1
$) #6:接続先の位置座標情報(P2$)#7:接続先の
ネット情報(N2$) #8:接続先の層番号情報(L2$) #9:コメント欄(C$) ここで、カード型データベースは、特定の項目を選択し
てその内容を指定すると、該当カードが検索されるもの
で、例えば、一般的には名前を検索語に指定して住所や
電話番号などを調べるのに利用されている。すなわち、
上記の例によると、例えば#1項目を選択してE$=2
(配線の要切断)を指定すると、これに該当するカード
の内容から、配線の切断位置などの情報(P1$、N1
$、L1$)を見つけ出すことができる。
#1: Processing content information specified by the EB tester (E$) E$=1: Voltage waveform measurement wiring E$=2: Wiring cutting required E$=3: Wiring connection required #2: FIB Processing information by equipment (F$) F$=1: Cutting the wire F$=2: Connecting the wire F$=3: Drilling a hole in the insulating film #3: Cutting, drilling, or location of connection source Coordinate information (P
1$) #4: Cutting, drilling, or connection source internet information (N1
$) #5: Cutting, drilling, or connection source layer number information (L1
$) #6: Location coordinate information of connection destination (P2$) #7: Net information of connection destination (N2$) #8: Layer number information of connection destination (L2$) #9: Comment field (C$) Here In a card-type database, you can select a specific item and specify its contents to search for the corresponding card.For example, you can generally specify a name as a search term and search for an address, phone number, etc. It is used for. That is,
According to the above example, select #1 item and get E$=2
If you specify (wire cutting required), information such as the wiring cutting position (P1$, N1
$, L1$) can be found.

【0026】図4はシステムの動作フロー図である。こ
のフロー図では、まず、DUT21をEBテスタ10に
セットして駆動すると共に(ステップ70)、外部記憶
装置61からデータファイル(全カードのファイル)を
読み込み(ステップ71)、そのデータファイル中から
F$>0のカード(すなわちF$が1、2または3のカ
ード)を検索する(ステップ72)。
FIG. 4 is an operational flow diagram of the system. In this flow diagram, first, the DUT 21 is set in the EB tester 10 and driven (step 70), and a data file (files of all cards) is read from the external storage device 61 (step 71). Search for cards with $>0 (ie, cards with F$ of 1, 2, or 3) (step 72).

【0027】YESの場合には後述の過程で何等かの加
工処理を施されたものと判断し、当該検索カード中の情
報(P1$、N1$、L1$、P2$、N2$、L2$
)を参照しながら位置やネットおよび層を特定して電圧
波形測定を実行し(ステップ73)、その加工処理に伴
う電圧波形の変化から回路内容を検証する(ステップ7
4)。
If YES, it is determined that some processing has been performed in the process described later, and the information in the search card (P1$, N1$, L1$, P2$, N2$, L2$
), identify the position, net, and layer, measure the voltage waveform (step 73), and verify the circuit contents from changes in the voltage waveform due to processing (step 7).
4).

【0028】一方、ステップ72がNOの場合、すなわ
ち加工処理が施されていない場合には、まず、DUT2
1の任意位置に対する電圧波形測定を実行し(ステップ
75)、その測定結果から不良箇所を特定する(ステッ
プ76)。次いで、不良の原因を推定して仮説をたてる
と共に(ステップ77)、その仮説の検証方法を検討す
る(ステップ78)。すなわち、電圧波形を不良にする
可能性のある原因を見つけ出し、その原因を検証するた
めの加工方法(配線の切断や接続など)を決定する(ス
テップ79)。
On the other hand, if step 72 is NO, that is, if no processing has been performed, first, the DUT2
A voltage waveform measurement is performed at an arbitrary position of 1 (step 75), and a defective location is identified from the measurement result (step 76). Next, the cause of the defect is estimated and a hypothesis is established (step 77), and a method for verifying the hypothesis is considered (step 78). That is, a cause that may cause the voltage waveform to be defective is found, and a processing method (such as cutting or connecting wiring) is determined to verify the cause (step 79).

【0029】決定された加工方法は、その加工位置のカ
ード(なければ新規カード)の#1項目に格納された後
、データファイルの全体が外部記憶装置61に書き戻さ
れる(ステップ80)。
The determined processing method is stored in the #1 item of the card at that processing position (or a new card if there is no card), and then the entire data file is written back to the external storage device 61 (step 80).

【0030】以上の処理を完了すると、DUT21をE
Bテスタ10から取り外してFIB装置40にセットし
(ステップ81)、次いで、外部記憶装置61をアクセ
スしてデータファイルを読み込む(ステップ82)。こ
のデータファイルは、EBテスタ10側で生成もしくは
更新されたものであり、加工すべき内容とその加工位置
に関する情報が保持されている。
[0030] When the above processing is completed, the DUT 21 is
It is removed from the B tester 10 and set in the FIB device 40 (step 81), and then the external storage device 61 is accessed to read the data file (step 82). This data file is generated or updated on the EB tester 10 side, and holds information regarding the content to be processed and its processing position.

【0031】すなわち、データファイルの全カードにつ
いてE$の内容をチェックし、E$=2または3(すな
わち要加工処理)のカードを検索した後(ステップ83
)、その加工内容(接続加工または切断加工)に従って
、FIBによる配線の接続処理(ステップ84)、また
は、FIBによる配線の切断処理(ステップ85)を実
行する。そして、加工内容別にF$に1または2をセッ
トし(ステップ86、87)、データファイルを外部記
憶装置61に書き戻した後、再びステップ70を実行す
る。
That is, after checking the E$ contents of all cards in the data file and searching for cards with E$=2 or 3 (that is, processing required) (step 83
), and according to the processing details (connection processing or cutting processing), the wiring connection processing by the FIB (step 84) or the wiring cutting processing by the FIB (step 85) is executed. Then, F$ is set to 1 or 2 for each processing content (steps 86, 87), and after writing the data file back to the external storage device 61, step 70 is executed again.

【0032】このように本実施例によれば、EBテスタ
10側で不良波形を検出すると、その位置や加工すべき
内容などの情報が外部記憶装置61に書き出されるので
、この情報をFIB装置40側で利用することができる
。従って、加工位置の探索作業を容易化することができ
る。
As described above, according to this embodiment, when a defective waveform is detected on the EB tester 10 side, information such as its position and the content to be processed is written to the external storage device 61, so this information is stored in the FIB device 40. Can be used on the side. Therefore, the work of searching for a processing position can be facilitated.

【0033】また、FIB装置40側での加工処理内容
が外部記憶装置61に書き出されるので、この情報をE
Bテスタ10側で利用することができる。従って、電圧
波形の再測定に際して、その位置決めを容易化すること
ができる。
[0033] Furthermore, since the processing contents on the FIB device 40 side are written to the external storage device 61, this information can be
It can be used on the B tester 10 side. Therefore, when remeasuring the voltage waveform, positioning can be facilitated.

【0034】すなわち、外部記憶装置61内のデータフ
ァイルをEBテスタ10とFIB装置40との間で共有
化でき、電子ビームまたはイオンビーム照射位置の探索
作業を簡単化して検査効率を向上することができる。
That is, the data file in the external storage device 61 can be shared between the EB tester 10 and the FIB device 40, simplifying the search work for the electron beam or ion beam irradiation position and improving the inspection efficiency. can.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、チップの内部電圧を測
定する装置(例えばEBテスタ)と当該チップに対して
加工処理を施す装置(例えばFIB装置)との間でデー
タの共有化を図ることができ、両装置間の連携性を向上
することができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, data can be shared between a device that measures the internal voltage of a chip (e.g., an EB tester) and a device that processes the chip (e.g., an FIB device). It is possible to improve the coordination between both devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention.

【図2】一実施例のシステム構成図である。FIG. 2 is a system configuration diagram of one embodiment.

【図3】一実施例のデータファイルの概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram of a data file in one embodiment.

【図4】一実施例の動作フロー図である。FIG. 4 is an operational flow diagram of one embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:EBテスタ(測定手段、特定手段、検証手段)2
3:DUT(チップ) 30:FIB装置(加工手段)
10: EB tester (measurement means, identification means, verification means) 2
3: DUT (chip) 30: FIB device (processing means)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】チップ上の配線や電極などの電位を測定す
る測定手段と、該測定手段の測定結果に基づいて不良部
位を特定すると共に該不良部位に対する加工の内容を指
定する特定手段と、該不良部位の位置情報や加工指定情
報を保持する第1保持手段と、該位置情報に従って前記
チップ上の位置を探索すると共に該加工指定情報に従っ
て当該位置の配線や電極などに対する物理的加工を行う
加工手段と、該加工済みの位置情報および加工内容の情
報を保持する第2保持手段と、該加工済みの位置情報に
従って前記チップ上の特定部位を探索し該特定部位の電
位を測定して加工に伴うチップ動作を検証する検証手段
と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路の検査装
置。
1. Measuring means for measuring the potential of wiring, electrodes, etc. on a chip; and specifying means for identifying a defective part based on the measurement results of the measuring means and specifying the contents of processing for the defective part; a first holding means for holding positional information and processing designation information of the defective part; and searching for a position on the chip according to the positional information, and performing physical processing on wiring, electrodes, etc. at the position according to the processing designation information. a processing means, a second holding means for holding information on the processed position and processing details, searching for a specific part on the chip according to the processed position information, measuring the electric potential of the specific part, and processing it; A testing device for a semiconductor integrated circuit, comprising: verification means for verifying chip operation associated with the chip operation.
JP1739091A 1991-02-08 1991-02-08 Inspection equipment for semiconductor integrated circuits Expired - Lifetime JP2888999B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1739091A JP2888999B2 (en) 1991-02-08 1991-02-08 Inspection equipment for semiconductor integrated circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1739091A JP2888999B2 (en) 1991-02-08 1991-02-08 Inspection equipment for semiconductor integrated circuits

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04256332A true JPH04256332A (en) 1992-09-11
JP2888999B2 JP2888999B2 (en) 1999-05-10

Family

ID=11942672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1739091A Expired - Lifetime JP2888999B2 (en) 1991-02-08 1991-02-08 Inspection equipment for semiconductor integrated circuits

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2888999B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2888999B2 (en) 1999-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6950771B1 (en) Correlation of electrical test data with physical defect data
US4761607A (en) Apparatus and method for inspecting semiconductor devices
US5568408A (en) Automatic repair data editing system associated with repairing system for semiconductor integrated circuit device
KR100430174B1 (en) Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing
WO2005008548A1 (en) Method of transmitting cad data to a wafer inspection system
US20020199142A1 (en) Semiconductor programming and testing method and apparatus
JPH0815172B2 (en) Electron beam test probe method and apparatus
US20070179731A1 (en) System and method for determining probing locations on ic
Satya Microelectronic test structures for rapid automated contactless inline defect inspection
CN110494965B (en) Inspection system, wafer map display method, and storage medium
US7020582B1 (en) Methods and apparatus for laser marking of integrated circuit faults
JP2004150840A (en) Defect analyzer for semiconductor integrated circuit, system, and detection method
WO2007113968A1 (en) Semiconductor integrated circuit testing method and information recording medium
US20090070055A1 (en) Intelligent inspection based on test chip probe failure maps
US7243039B1 (en) System and method for determining probing locations on IC
JPH0574909A (en) Wafer test method
JPS6117075A (en) Method of inspecting integrated circuit
US6785413B1 (en) Rapid defect analysis by placement of tester fail data
JP2888999B2 (en) Inspection equipment for semiconductor integrated circuits
US5999468A (en) Method and system for identifying a memory module configuration
US20060288324A1 (en) Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor
JPH0252446A (en) Testing apparatus for integrated circuit
US7254759B2 (en) Methods and systems for semiconductor defect detection
US6778933B2 (en) Processing semiconductor devices having some defective input-output pins
JPH01244384A (en) Fault diagnosis device of logic integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990202