JP2001188819A - ホールド違反改善方法、半導体集積回路、及びコンピュータ読み出し可能な記憶媒体 - Google Patents

ホールド違反改善方法、半導体集積回路、及びコンピュータ読み出し可能な記憶媒体

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JP2001188819A JP2000000099A JP2000000099A JP2001188819A JP 2001188819 A JP2001188819 A JP 2001188819A JP 2000000099 A JP2000000099 A JP 2000000099A JP 2000000099 A JP2000000099 A JP 2000000099A JP 2001188819 A JP2001188819 A JP 2001188819A
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Toshihiro Terasawa
敏弘 寺澤
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Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路において、セットアップ違反
に対する余裕分を減らすことなくホールド違反を改善す
ることができるホールド違反改善方法等を提供する。 【解決手段】 タイミング解析で順序回路に対してホー
ルド制約を満たす必要がある。ある集積回路内の順序回
路101から順序回路102へのパスの遅延値が小さ過
ぎ、ホールド違反を発生した場合、ホールド違反を改善
する方法として順序回路101から順序回路102への
パスに含まれているセルを順序回路101側から順にタ
イミング解析し、セルの入力ピンに対する最悪遅延値よ
り遅くならない程度に遅延用のセルを挿入することで順
序回路101から順序回路102へのパスのホールド違
反を改善する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路内
のパスのホールド違反を改善するホールド違反改善方法
等に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路において順序回路を利用してい
る場合に、所望する動作を実現するためにはタイミング
解析で順序回路に対してホールド制約を満たす必要があ
る。ある集積回路内の順序回路Aから順序回路Bへのパ
スの遅延値が小さ過ぎてホールド違反を発生した場合、
ホールド違反を改善する方法として、従来では、ホール
ド違反が発生したパスの終端の順序回路の前段に遅延セ
ルを挿入したり、その位置に遅延セルを挿入するとセッ
トアップ違反が発生する場合には、パスの終端から順に
遅延セルが挿入できる位置に挿入を実行する。
【0003】しかし、このアルゴリズムでは、セットア
ップ違反が生じない限り、限界までセットアップ違反に
対する余裕を減少させ、ホールド違反を改善することに
なる。この例を図7、図8及び図9を参照して説明す
る。
【0004】図7は、順序回路と組み合わせ回路で構成
される従来の集積回路の回路図である。
【0005】この集積回路は、順序回路101、10
2、103を有し、順序回路101と102との間には
組み合わせ回路104、105が接続され、さらに順序
回路103には組み合わせ回路105が接続されてい
る。
【0006】同図に示すように、順序回路101から順
序回路102のパスAと、順序回路103から順序回路
102のパスBが存在し、順序回路101から組み合わ
せ回路104、105を通って順序回路102に到達す
る遅延時間をT1とし、順序回路103から組み合わせ
回路105を通って順序回路102に到達する遅延時間
をT2とする。
【0007】遅延時間T1、T2とクロックCKの関係
が図8に示すような場合において、順序回路101、1
02、103のセットアップ時間T3、ホールド時間T
4を考慮すると、パスAはセットアップ時間に対して時
間T5の余裕があり、パスBはホールド時間に対して時
間T6の違反がある。
【0008】時間T6の違反を改善するために、従来の
アルゴリズムでは、図7に示すように順序回路102と
組み合わせ回路105との間に遅延セル110を挿入す
る。
【0009】この遅延セル110の挿入によりパスBへ
の遅延が増加し(図9のDL)、ホールド違反が解消さ
れる。
【0010】次に、図10に示す回路を含む集積回路を
対象として、従来のアルゴリズムに沿って改善する方法
について説明する。
【0011】この集積回路は、3入力1出力のセレクタ
201を有し、その入力ピンA、Bには組み合わせ回路
202、203が接続され、さらに入力ピンSには順序
回路204が接続されている。そして、出力ピンZには
順序回路205が接続されている。
【0012】ここで、組み合わせ回路202、セレクタ
201の入力ピンA及び出力ピンZを通過して順序回路
205に到達するパスをパスMと呼び、組み合わせ回路
203、セレクタ201の入力ピンB及び出力ピンZを
通過して順序回路205に到達するパスをパスNと呼
び、順序回路204が始点となり、セレクタ201の入
力ピンS及び出力ピンZを通過して順序回路205に到
達するパスをパスSと呼ぶ。そして、パスMの遅延時間
をT11とし、パスNの遅延時間をT12とし、パスS
の遅延時間をT13とする。
【0013】遅延時間T11、T12、T13とクロッ
クCKの関係が図11に示すような場合において、順序
回路205のセットアップ時間T3とホールド時間T4
を考慮すると、パスMはセットアップ時間に対して時間
T5の余裕があり、パスNはセットアップ時間に対して
時間T7の余裕があり、パスSは、ホールド時間に対し
て時間T6の違反がある。
【0014】時間T6の違反を改善するために、従来の
アルゴリズムでは、図10に示すようにセレクタ201
と順序回路205との間に遅延セル220を挿入する。
この遅延セル220の挿入により、パスSへの遅延が増
加し(図12のDL)、ホールド違反が解消される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホールド違反改善方法では、次のような問題点があっ
た。
【0016】(1)図7の回路においては、遅延セル1
10の挿入により、パスBへの遅延が増加し(図9のT
2’)、ホールド違反が解消される。しかし、パスAへ
の遅延も同様に増加するため(図9のT1’)、セット
アップ時間に対しての余裕分T5が減少する(図9のD
L)、という問題があった。セットアップ違反に対する
余裕分T5は、レイアウトを行った時に必要となる場合
があり、出来るだけ残しておくべきものである。
【0017】(2)図10の回路においても、遅延セル
220の挿入により、パスSへの遅延が増加し(図12
のT13’)、ホールド違反が解消される。しかし、パ
スM、Nへの遅延も同様に増加するため(図12のT1
1’、T12’)、セットアップ時間に対しての余裕分
T5、T7が減少してしまう。上記同様に、セットアッ
プ違反に対する余裕分T5、T7は、出来るだけ残して
おくべきものである。
【0018】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、半導体集積回
路において、セットアップ違反に対する余裕分を減らす
ことなくホールド違反を改善することができるホールド
違反改善方法等を提供することである。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明に係るホールド違反改善方法で
は、半導体集積回路内の第1の順序回路から第2の順序
回路へのパスの遅延値が小さくてホールド違反を発生し
た場合に、前記第1の順序回路から前記第2の順序回路
へのパスに含まれているセルを前記第1の順序回路側か
ら順にタイミング解析し、前記セルの入力ピンに対する
最悪遅延値より遅くならない遅延量で遅延用セルを挿入
することを特徴とする。
【0020】請求項2記載の発明に係るホールド違反改
善方法では、半導体集積回路においてパス解析を実行し
てホールド最悪パスを調べる処理と、前記ホールド最悪
パスがホールド違反しているか否かを判定する処理と、
前記ホールド最悪パスの始点に近いセルから順に解析対
象セルとして設定する処理と、前記解析対象セルのすべ
ての入力のパス解析を実行して最大遅延値を求めて、こ
の値を超えない範囲でホールド違反の改善のために遅延
用セルを挿入する処理とを実行することを特徴とする。
【0021】請求項3記載の発明に係るホールド違反改
善方法では、請求項2記載のホールド違反改善方法にお
いて、前記ホールド最悪パスのホールド違反が直るまで
ループする処理と、対象回路のホールド違反がすべて改
善されるまでループする処理とを実行することを特徴と
する請求項2記載のホールド違反改善方法。
【0022】請求項4記載の発明に係る半導体集積回路
では、請求項1乃至に請求項3記載のホールド違反改善
方法により挿入された遅延用セルを有することを特徴と
する。
【0023】請求項5記載の発明に係るコンピュータ読
み出し可能な記憶媒体では、請求項1乃至に請求項3記
載のホールド違反改善方法を実行するプログラムを格納
したことを特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
【0025】図1は、本発明の実施の一形態に係るホー
ルド違反改善方法を示すフロー図である。
【0026】このアルゴリズムは、まずステップS11
で、初期設定としてホールド違反改善のために挿入する
遅延セルの種類と優先順位を指定する。続くステップS
12では、対象としている回路をパス解析し、ホールド
違反が発生しているパスで最も違反しているパスを決定
する。以降、このパスをホールド最悪パスと呼ぶ。
【0027】そして、ステップS13では、ステップS
12のパス解析の結果、ホールド違反がなかった場合は
OKとなり、アルゴリズムは終了する。ホールド違反が
あった場合にはNGとなり、ステップS14の解析対象
セル設定処理に移る。
【0028】この解析対象セル設定処理では、ステップ
S13の条件判断処理(1)から遷移して来た場合に
は、解析対象セルはホールド最悪パスの始点の次にある
セルとなる。一方、後述するステップS17の条件判断
処理(2)から遷移して来た場合には、ステップS14
の解析対象セル設定処理で設定されていた対象セルの次
のセルが新しい解析対象セルとなる。
【0029】次いで、ステップS15へ進んで、解析対
象セルは順序回路であるか否かを判定する。順序回路で
ある場合には、ステップS16でセル挿入処理(1)を
実行する。このセル挿入処理(1)では、ステップS1
4の解析対象セル設定処理で設定されたセルのすべての
入力ピンに対してパス解析を実行する。パス解析の結
果、解析対象セルの出力ピンまでの遅延値で最大のもの
を最大遅延値と設定する。ホールド最悪パスで通過する
入力ピンの前段にホールド違反改善用の遅延セルを挿入
する。ここで、遅延セルを挿入することによりホールド
最悪パスの出力ピンまでの遅延値が増加するが、最大遅
延値を超えない範囲でホールド違反が改善されるまで遅
延セルの挿入を実行する。
【0030】したがって、このセル挿入処理から次の処
理に移行するための条件は、ホールド最悪パスのホール
ド違反が改善されたか、これ以上遅延セルを挿入すると
最大遅延値を超えてしまう状況になった場合である。上
記いずれかの場合には、このセル挿入処理を終了し、ス
テップS17の条件判断(2)に移る。ただし、ステッ
プS14の解析対象セル設定処理で設定されたセルがホ
ールド最悪パスの終端のセルであった場合は、最大遅延
値を無視してホールド違反が直るまで遅延セルの挿入を
実行する。
【0031】ステップS17の条件判断処理(2)で
は、ホールド最悪パスのタイミング解析を実行し、ホー
ルド違反が直っていればOKとなり、ステップS12の
パス解析処理に移る。ホールド違反が直っていなければ
NGとなり、ステップS14の解析対象セル設定処理に
移る。
【0032】また、前記ステップS15の判定処理で、
対象セルは順序回路ではないと判断された場合は、ステ
ップS18のセル挿入処理(2)へ進む。セル挿入処理
(2)では、順序回路の入力側にホールド違反がなくな
るまで遅延セルを挿入し、その後にステップS12のパ
ス解析処理に戻る。
【0033】次に、上述した本実施形態のアルゴリズム
を適用した例を以下に述べる。
【0034】[第1適用例]前述した図7の回路を含む
集積回路を対象として、本実施形態のホールド違反改善
方法を適用した場合について説明する。
【0035】図8において、クロックCKの周期を10
[ns]、パスAの順序回路102までの遅延値T1を
8[ns]、パスBの順序回路102までの遅延値T2
を0.3[ns]とする。また、順序回路102のセッ
トアップ時間T3を0.5[ns]、ホールド時間T4
を0.5[ns]とする。
【0036】これらの解析を条件とすると、順序回路1
02に対するセットアップは、10.0−8.0−0.
5=1.5となり、1.5[ns]の余裕分があるが、
ホールドは0.3−0.5=−0.2となり、0.2
[ns]のホールド違反が発生する。このホールド違反
を図1に示した本実施形態のアルゴリズムに沿って改善
する。
【0037】まず、初期設定処理(ステップS11)と
して遅延セルの指定を行う。次にパス解析処理(ステッ
プS12)で順序回路103が始点となり、組み合わせ
回路105を通過するパスBがホールド最悪パスとして
解析されたとする(順序回路102でホールド違反を起
こす)。
【0038】条件判断(1)の処理(ステップS13)
では、パス解析処理の結果、ホールド違反が発生してい
るので、ステップS14の解析対象セル設定処理に移行
する。ここで、ホールド最悪パスの始点は順序回路10
3であるので、その次のセルである組み合わせ回路10
5が解析対象セルとして設定される。
【0039】セル挿入処理において、組み合わせ回路1
05の入力ピンが解析される。パスA、パスBの解析結
果として、順序回路102に到達するまでの遅延値をそ
れぞれ、8[ns]、0.3[ns]と仮定しているの
で、最大遅延値は8[ns]となる。最大遅延値を超え
ない範囲で組み合わせ回路105のパスBで通過する入
力ピンの前段に遅延セル10を挿入する(図2参照)。
この遅延セル10の挿入によってホールド違反が解消さ
れる。
【0040】条件判断(2)処理(ステップS17)で
は、ホールド違反が直っているので、パス解析処理(ス
テップS12)に移行し、このパス以外にホールド違反
がなければ、プログラムは終了する。
【0041】かくして適用した結果は、図3に示すよう
に、遅延セル10の挿入によりパスBへの遅延が増加し
(図3のDL)、ホールド違反が解消される。また、パ
スAへの遅延は変化しないため(図3のT1)、セット
アップ時間に対しての余裕分T5は減少しない(図3の
GD)。
【0042】[第2適用例]前述した図10の回路を含
む集積回路を対象として、本実施形態のホールド違反改
善方法を説明する。
【0043】図11において、クロックCKの周期を1
0[ns]、パスMの順序回路205までの遅延値T1
1を8[ns]、パスNの順序回路205までの遅延値
T12を7[ns]、パスSの順序回路205までの遅
延値T13を0.3[ns]とする。また、順序回路2
05のセットアップ時間を0.5[ns]、ホールド時
間を0.5[ns]とする。
【0044】これらの解析を条件とすると、順序回路2
05に対するセットアップは、10.0−8.0−0.
5=1.5となり、1.5[ns]の余裕があるが、ホ
ールドは0.3−0.5=−0.2となり、0.2[n
s]のホールド違反が発生する。このホールド違反を図
1に示した本実施形態のアルゴリズムに沿って改善す
る。
【0045】まず、初期設定処理(ステップS11)と
して遅延セルの指定をする。次にパス解析処理(ステッ
プS12)で順序回路204が始点となり、セレクタ2
01のSピン及びZピンを通過するパスSがホールド最
悪パスとして解析されたとする(順序回路206でホー
ルド違反を起こす)。
【0046】条件判断(1)の処理(ステップS13)
では、パス解析処理の結果、ホールド違反が発生してい
るので、ステップS14の解析対象セル設定処理に移行
する。ここで、ホールド最悪パスの始点は順序回路20
4であるので、その次のセルのセレクタ201が解析対
象セルとして設定される。
【0047】セル挿入処理において、セレクタ201の
入力ピンA、B、Sが解析される。
【0048】パスM、パスN、パスSの解析結果とし
て、順序回路205に到達するまでの遅延値をそれぞ
れ、8[ns]、7[ns]、0.3[ns]と仮定し
ているので、最大遅延値は8[ns]となる。最大遅延
値を超えない範囲でセレクタ201のSピンの前段に遅
延セル20を挿入する(図4参照)。この遅延セル20
の挿入によってホールド違反が解消される。
【0049】条件判断(2)処理では、ホールド違反が
直っているので、パス解析処理(ステップS12)に移
行し、このパス以外にホールド違反がなければ、プログ
ラムは終了する。
【0050】かくして適用した結果は、図5に示すよう
に、遅延セル20の挿入により、パスSへの遅延が増加
し(図5のDL)、ホールド違反が解消される。また、
パスM、Nへの遅延は変化しないため(図5のT11、
T12)、セットアップ時間に対しての余裕分T5、T
7は減少しない(図5のGD)。
【0051】[第3適用例]図6は、本実施形態に係る
ホールド違反改善方法の第3適用例を示す集積回路の回
路図である。
【0052】この集積回路は、順序回路31、32と順
序回路33との間に2入力オアゲート34が配置され、
オアゲート34の一つの入力と順序回路31との間に組
み合わせ回路35が接続されている。さらに、オアゲー
ト34の他の入力と順序回路32との間には組み合わせ
回路36、37が接続されている。そして、組み合わせ
回路36、37間の接続点から分岐されて、セレクタ4
3と順序回路41とが順次接続されている。同様に、組
み合わせ回路37とオアゲート34との間の接続点から
分岐されて、セレクタ44と順序回路42とが順次接続
されている。
【0053】かかる回路構成において、順序回路32か
ら組み合わせ回路36、37とオアゲート34を介して
順序回路33に到達する第1の経路に、ホールド違反が
発生していた場合について説明する。
【0054】従来のホールド違反改善アルゴリズムで
は、順序回路31から組み合わせ回路35とオアゲート
34を介して順序回路33に到達する第2の経路のタイ
ミングを考慮しつつ、まずオアゲート34と順序回路3
3との間に遅延セル51を挿入する。これでホールド違
反が改善されない場合は、さらにオアゲート34の入力
側に遅延セル52を挿入する。
【0055】また、順序回路41に至る経路にもホール
ド違反が発生していた場合には、まずセレクタ43と順
序回路41との間に遅延セル53を挿入し、それでも改
善されない場合には、組み合わせ回路36とセレクタ4
3との間に遅延セル54を挿入する。同様に順序回路4
2に至る経路にもホールド違反が発生していた場合に
は、まずセレクタ44と順序回路42との間に遅延セル
55を挿入し、それでも改善されない場合には、組み合
わせ回路37とセレクタ44との間に遅延セル56を挿
入する。
【0056】これに対して、上述した経路にホールド違
反が発生している場合において、本実施形態のホールド
違反改善アルゴリズムを用いると、図6に示すように、
順序回路32と組み合わせ回路36との間にのみ遅延セ
ル50を挿入すれば済むことになる。
【0057】これにより、多数の遅延セル51、52、
53、54、55、56を本実施形態のアルゴリズムで
挿入した遅延セル50で代用することができるので、回
路面積を大幅に縮小することができると共に、低電力化
を図ることが可能である。また第2の経路に遅延セルを
挿入しないので、タイミングの余裕を保持することがで
きる。
【0058】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、半導体集積回路において、セットアップ違反に対す
る余裕分を減らすことなくホールド違反を改善すること
ができる。これにより、レイアウト処理について、セル
の配置やネットの配線に対してより緩い制約で実施する
ことができ、レイアウトの品質やレイアウトの再施行回
数を減少させ、設計時間を向上させることが可能にな
る。ホールド違反を引き起こす根元に対して改善を行う
ので、違反改善のための遅延セルの挿入数が少なくなる
結果、面積の縮小化及び低電力化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態に係るホールド違反改善
方法を示すフロー図である。
【図2】実施形態に係るホールド違反改善方法の第1適
用例を示す集積回路の回路図である。
【図3】実施形態に係るアルゴリズムの適用結果を示す
タイミングチャートである。
【図4】実施形態に係るホールド違反改善方法の第2適
用例を示す集積回路の回路図である。
【図5】実施形態に係るアルゴリズムの適用結果を示す
タイミングチャートである。
【図6】実施形態に係るホールド違反改善方法の第3適
用例を示す集積回路の回路図である。
【図7】順序回路と組み合わせ回路で構成される従来の
集積回路の回路図である。
【図8】図7の集積回路のタイミングチャートである。
【図9】従来のアルゴリズムの適用結果を示すタイミン
グチャートである。
【図10】順序回路と組み合わせ回路で構成される従来
の他の集積回路の回路図である。
【図11】図10の集積回路のタイミングチャートであ
る。
【図12】従来のアルゴリズムの適用結果を示すタイミ
ングチャートである。
【符号の説明】
101、102、103 順序回路 104、105 組み合わせ回路 201 セレクタ 202、203 組み合わせ回路 204、205 順序回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B046 AA08 BA03 JA01 5F038 CA17 CD06 CD09 DF06 EZ20 5F064 BB04 DD50 EE47 EE54 EE60 HH06 HH10

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体集積回路内の第1の順序回路から
    第2の順序回路へのパスの遅延値が小さくてホールド違
    反を発生した場合に、前記第1の順序回路から前記第2
    の順序回路へのパスに含まれているセルを前記第1の順
    序回路側から順にタイミング解析し、前記セルの入力ピ
    ンに対する最悪遅延値より遅くならない遅延量で遅延用
    セルを挿入することを特徴とするホールド違反改善方
    法。
  2. 【請求項2】 半導体集積回路においてパス解析を実行
    してホールド最悪パスを調べる処理と、 前記ホールド最悪パスがホールド違反しているか否かを
    判定する処理と、 前記ホールド最悪パスの始点に近いセルから順に解析対
    象セルとして設定する処理と、 前記解析対象セルのすべての入力のパス解析を実行して
    最大遅延値を求めて、この値を超えない範囲でホールド
    違反の改善のために遅延用セルを挿入する処理とを実行
    することを特徴とするホールド違反改善方法。
  3. 【請求項3】 前記ホールド最悪パスのホールド違反が
    直るまでループする処理と、 対象回路のホールド違反がすべて改善されるまでループ
    する処理とを実行することを特徴とする請求項2記載の
    ホールド違反改善方法。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至に請求項3記載のホールド
    違反改善方法により挿入された遅延用セルを有すること
    を特徴とする半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至に請求項3記載のホールド
    違反改善方法を実行するプログラムを格納したことを特
    徴とするコンピュータ読み出し可能な記憶媒体。
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