JP2001181088A - 単結晶育成装置 - Google Patents
単結晶育成装置Info
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- JP2001181088A JP2001181088A JP36641299A JP36641299A JP2001181088A JP 2001181088 A JP2001181088 A JP 2001181088A JP 36641299 A JP36641299 A JP 36641299A JP 36641299 A JP36641299 A JP 36641299A JP 2001181088 A JP2001181088 A JP 2001181088A
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- chamber
- crucible
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶育成における準備及び取り出し作業を
容易に行うことができる単結晶育成装置を提供する。 【解決手段】 支持台２上に載置され、上下動するチャ
ンバー３と、このチャンバー３内に融液７を収納するる
つぼ８と、るつぼ８の周囲に設けられた保温筒４と、こ
の保温筒４の外周囲に巻回され、るつぼ８を加熱する高
周波コイル５とを有し、融液７から単結晶９を引き上げ
る単結晶育成装置１において、高周波コイル５は、単結
晶９を育成する際に保温筒４を取り巻く加熱部５Ａと、
この加熱部５Ａに接続した配線部５Ｂとからなり、配線
部５Ｂの先端をチャンバー３内の上端部に取り付けて、
高周波コイル５をチャンバー３と共に一体化した。
容易に行うことができる単結晶育成装置を提供する。 【解決手段】 支持台２上に載置され、上下動するチャ
ンバー３と、このチャンバー３内に融液７を収納するる
つぼ８と、るつぼ８の周囲に設けられた保温筒４と、こ
の保温筒４の外周囲に巻回され、るつぼ８を加熱する高
周波コイル５とを有し、融液７から単結晶９を引き上げ
る単結晶育成装置１において、高周波コイル５は、単結
晶９を育成する際に保温筒４を取り巻く加熱部５Ａと、
この加熱部５Ａに接続した配線部５Ｂとからなり、配線
部５Ｂの先端をチャンバー３内の上端部に取り付けて、
高周波コイル５をチャンバー３と共に一体化した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶育成の準備
及び取り外し作業を容易にする単結晶育成装置に関す
る。
及び取り外し作業を容易にする単結晶育成装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】単結晶育成方法としてはチョクラルスキ
ー法、フラックス法、プリッジマン法、ベルヌーイ法等
がある。これらの中で、大型の単結晶育成が得られるこ
とや添加物の制御が容易であることからチョクラルスキ
ー法が最も一般的に用いられている。実際、Ｓｉ、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＰ等の半導体やＬＮ、ＬＴ、ＢＧＯ、ＹＡ
Ｇ、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物結晶はチョクラルスキー法によ
り作製されている。以下に、チョクラルスキー法を用い
た従来の単結晶育成装置について、図３を用いて説明す
る。
ー法、フラックス法、プリッジマン法、ベルヌーイ法等
がある。これらの中で、大型の単結晶育成が得られるこ
とや添加物の制御が容易であることからチョクラルスキ
ー法が最も一般的に用いられている。実際、Ｓｉ、Ｇａ
Ａｓ、ＧａＰ等の半導体やＬＮ、ＬＴ、ＢＧＯ、ＹＡ
Ｇ、Ａｌ2Ｏ3等の酸化物結晶はチョクラルスキー法によ
り作製されている。以下に、チョクラルスキー法を用い
た従来の単結晶育成装置について、図３を用いて説明す
る。
【０００３】図３は、従来の単結晶育成装置を示す断面
図である。従来の単結晶育成装置１１は、以下の構成を
有している。支持台２上には下蓋部３Ａが載置され、こ
の下蓋部３Ａ上に下蓋部３Ａと向き合う側に開口部を有
するチャンバー３が配置されている。このチャンバー３
は、図示しない駆動部によって上下動をさせることがで
きる。チャンバー３内の下蓋部３Ａ上には、下部保温部
４Ａ、凹部を有する中間保温部４Ｂ、前記凹部と向き合
い同一径の開口部Ｑを有する上部保温部４Ｃが順次積層
されてなる保温筒４が載置されている。
図である。従来の単結晶育成装置１１は、以下の構成を
有している。支持台２上には下蓋部３Ａが載置され、こ
の下蓋部３Ａ上に下蓋部３Ａと向き合う側に開口部を有
するチャンバー３が配置されている。このチャンバー３
は、図示しない駆動部によって上下動をさせることがで
きる。チャンバー３内の下蓋部３Ａ上には、下部保温部
４Ａ、凹部を有する中間保温部４Ｂ、前記凹部と向き合
い同一径の開口部Ｑを有する上部保温部４Ｃが順次積層
されてなる保温筒４が載置されている。
【０００４】更に、高周波コイル５は、加熱部５Ａとこ
れに接続した配線部５Ｂとからなり、この加熱部５Ａは
中間保温部４Ｂの外周囲を取り巻き、配線部５Ｂの先端
は、下蓋部３Ａに取り付けられたコイル支持台６Ｂに固
定されている。中間保温部４Ｂの凹部内には、融液７を
入れるイリジウム（Ｉｒ）製のるつぼ８が収納されてい
る。一定速度で回転しながらかつ、単結晶９を一定速度
で引き上げる引き上げ棒１０を上部保温筒４Ｃの開口部
Ｑから挿入されている。
れに接続した配線部５Ｂとからなり、この加熱部５Ａは
中間保温部４Ｂの外周囲を取り巻き、配線部５Ｂの先端
は、下蓋部３Ａに取り付けられたコイル支持台６Ｂに固
定されている。中間保温部４Ｂの凹部内には、融液７を
入れるイリジウム（Ｉｒ）製のるつぼ８が収納されてい
る。一定速度で回転しながらかつ、単結晶９を一定速度
で引き上げる引き上げ棒１０を上部保温筒４Ｃの開口部
Ｑから挿入されている。
【０００５】この単結晶育成装置１１を用いて単結晶９
は、以下のようにして作製される。まずは、複数の原料
物を単結晶９の化学量論組成比の近傍で混合した後、る
つぼ８中に入れ、加熱溶融して、融液７を作製する。そ
の後、保温筒４内に不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）
に酸素（Ｏ2）を混入させた混合ガスを導入する。更
に、先端に種結晶Ｃを装着した引き上げ棒１０を所定の
回転速度でゆっくり回転させながら、上方に引き上げて
単結晶９を育成する。
は、以下のようにして作製される。まずは、複数の原料
物を単結晶９の化学量論組成比の近傍で混合した後、る
つぼ８中に入れ、加熱溶融して、融液７を作製する。そ
の後、保温筒４内に不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）
に酸素（Ｏ2）を混入させた混合ガスを導入する。更
に、先端に種結晶Ｃを装着した引き上げ棒１０を所定の
回転速度でゆっくり回転させながら、上方に引き上げて
単結晶９を育成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
単結晶育成装置１１には以下の問題を生じていた。単結
晶育成後に単結晶９の取り出しの際には、チャンバー３
を上方に移動した後、コイル支持台６Ｂに固定されてい
る高周波コイル５の配線部５Ｂの先端を取り外して、保
温筒４を露出させる。更に、保温筒４の上部保温部４Ｃ
を取り外し、単結晶９を融液７中から取り出す。
単結晶育成装置１１には以下の問題を生じていた。単結
晶育成後に単結晶９の取り出しの際には、チャンバー３
を上方に移動した後、コイル支持台６Ｂに固定されてい
る高周波コイル５の配線部５Ｂの先端を取り外して、保
温筒４を露出させる。更に、保温筒４の上部保温部４Ｃ
を取り外し、単結晶９を融液７中から取り出す。
【０００７】また、単結晶育成の準備の際には、るつぼ
８の中に化学量論組成になるように原料物を入れ、この
るつぼ８を保温筒４の中間保温部４Ｂの凹部内に収納し
た後、上部保温部４Ｃを中間保温部４Ｂ上に載置する。
次に、引き上げ棒１０に種結晶Ｃを装着し、この引き上
げ棒１０を上部保温部４Ｃの開口部Ｑから挿入し、この
種結晶Ｃが融液７のわずか上方に位置するようにする。
８の中に化学量論組成になるように原料物を入れ、この
るつぼ８を保温筒４の中間保温部４Ｂの凹部内に収納し
た後、上部保温部４Ｃを中間保温部４Ｂ上に載置する。
次に、引き上げ棒１０に種結晶Ｃを装着し、この引き上
げ棒１０を上部保温部４Ｃの開口部Ｑから挿入し、この
種結晶Ｃが融液７のわずか上方に位置するようにする。
【０００８】更に、高周波コイル５の過熱部５Ａが中間
保温部４Ｂの外周囲を取り巻く位置になるようにし、配
線部５Ｂの先端をコイル支持台６Ｂに固定する。この
後、チャンパー３を下蓋部３Ａに接するまで下方に移動
して行う。このように、単結晶育成の準備や単結晶育成
後の単結晶の取り出し時毎に、高周波コイル５を装着し
たり、取り外したりする必要があるため、煩雑になり、
大幅な工数と時間を要していた。このことは、単結晶育
成装置の解体掃除及び組立て時も同様の問題を生じてい
た。
保温部４Ｂの外周囲を取り巻く位置になるようにし、配
線部５Ｂの先端をコイル支持台６Ｂに固定する。この
後、チャンパー３を下蓋部３Ａに接するまで下方に移動
して行う。このように、単結晶育成の準備や単結晶育成
後の単結晶の取り出し時毎に、高周波コイル５を装着し
たり、取り外したりする必要があるため、煩雑になり、
大幅な工数と時間を要していた。このことは、単結晶育
成装置の解体掃除及び組立て時も同様の問題を生じてい
た。
【０００９】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、単結晶育成における準
備及び取り出し作業を容易に行うことができる単結晶育
成装置を提供することを目的とする。
解消するためになされたもので、単結晶育成における準
備及び取り出し作業を容易に行うことができる単結晶育
成装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶育成装置
は、支持台上に載置され、上下動するチャンバーと、こ
のチャンバー内に融液を収納するるつぼと、前記るつぼ
の周囲に設けられた保温筒と、この保温筒の外周囲に巻
回され、前記るつぼを加熱する高周波コイルとを有し、
前記融液から単結晶を引き上げる単結晶育成装置におい
て、前記高周波コイルは、前記単結晶を育成する際に前
記保温筒を取り巻く加熱部と、この加熱部に接続した配
線部とからなり、前記配線部の先端を前記チャンバー内
の上端部に取り付けて、前記高周波コイルを前記チャン
バーと共に一体化したことを特徴とする。
は、支持台上に載置され、上下動するチャンバーと、こ
のチャンバー内に融液を収納するるつぼと、前記るつぼ
の周囲に設けられた保温筒と、この保温筒の外周囲に巻
回され、前記るつぼを加熱する高周波コイルとを有し、
前記融液から単結晶を引き上げる単結晶育成装置におい
て、前記高周波コイルは、前記単結晶を育成する際に前
記保温筒を取り巻く加熱部と、この加熱部に接続した配
線部とからなり、前記配線部の先端を前記チャンバー内
の上端部に取り付けて、前記高周波コイルを前記チャン
バーと共に一体化したことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態の
単結晶育成装置を示す断面図である。図２は、本発明の
実施形態の単結晶育成装置のチャンバーと共に高周波コ
イルが上昇した時の様子を示す断面図である。従来と同
一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。図１
に示すように、本発明の実施形態の単結晶育成装置１
は、従来の単結晶育成装置１１の代わりに、高周波コイ
ル５が単結晶を育成する際に保温筒４の中間保温部４Ｂ
を取り巻く加熱部５Ａと、この加熱部５Ａと接続した配
線部５Ｂとからなり、配線部５Ｂの先端をチャンバー３
内の上端に取り付けてこのチャンバー３と共に一体化し
たものである。
の一実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態の
単結晶育成装置を示す断面図である。図２は、本発明の
実施形態の単結晶育成装置のチャンバーと共に高周波コ
イルが上昇した時の様子を示す断面図である。従来と同
一構成には同一符号を付し、その説明を省略する。図１
に示すように、本発明の実施形態の単結晶育成装置１
は、従来の単結晶育成装置１１の代わりに、高周波コイ
ル５が単結晶を育成する際に保温筒４の中間保温部４Ｂ
を取り巻く加熱部５Ａと、この加熱部５Ａと接続した配
線部５Ｂとからなり、配線部５Ｂの先端をチャンバー３
内の上端に取り付けてこのチャンバー３と共に一体化し
たものである。
【００１２】単結晶育成後の単結晶９の取り出しは以下
のようにして行う。図２に示すように、チャンバー３を
高周波コイル５と共に上方に移動した後、保温筒４を露
出させる。この後、従来例と同様にして、保温筒４の上
部保温部４Ｃを取り外し、単結晶９を融液７中から取り
出す。
のようにして行う。図２に示すように、チャンバー３を
高周波コイル５と共に上方に移動した後、保温筒４を露
出させる。この後、従来例と同様にして、保温筒４の上
部保温部４Ｃを取り外し、単結晶９を融液７中から取り
出す。
【００１３】また、単結晶育成の準備は以下のように行
う。従来と同様にして、るつぼ８内に化学量論組成の原
料物を入れ、このるつぼ８を保温筒４の中間保温部４Ｂ
の凹部内に収納した後、上部保温部４Ｃを中間保温部４
Ｂ上に載置する。更に、引き上げ棒１０に種結晶Ｃを装
着し、この引き上げ棒１０を上部保温部４Ｃの開口部Ｑ
から挿入し、この種結晶Ｃが融液７のわずか上方に位置
するようにする。次に、高周波コイル５と共にチャンバ
ー３を下蓋部３Ａに接するまで下降させる。この際、チ
ャンバー３が下蓋部３Ａに接した時に、この高周波コイ
ル５の加熱部５Ａは、保温筒４の中間保温部４Ｂの外周
囲を取り巻く位置になる。また、単結晶育成装置１の解
体掃除及び組立てする時には、前記した単結晶育成の準
備及び取り出しと同様な作業を行って、各部分を解体及
び掃除した後、組立てる。
う。従来と同様にして、るつぼ８内に化学量論組成の原
料物を入れ、このるつぼ８を保温筒４の中間保温部４Ｂ
の凹部内に収納した後、上部保温部４Ｃを中間保温部４
Ｂ上に載置する。更に、引き上げ棒１０に種結晶Ｃを装
着し、この引き上げ棒１０を上部保温部４Ｃの開口部Ｑ
から挿入し、この種結晶Ｃが融液７のわずか上方に位置
するようにする。次に、高周波コイル５と共にチャンバ
ー３を下蓋部３Ａに接するまで下降させる。この際、チ
ャンバー３が下蓋部３Ａに接した時に、この高周波コイ
ル５の加熱部５Ａは、保温筒４の中間保温部４Ｂの外周
囲を取り巻く位置になる。また、単結晶育成装置１の解
体掃除及び組立てする時には、前記した単結晶育成の準
備及び取り出しと同様な作業を行って、各部分を解体及
び掃除した後、組立てる。
【００１４】以上のように、高周波コイル５が単結晶を
育成する際に保温筒４の中間保温部４Ｂを取り巻く加熱
部５Ａと、この加熱部５Ａと接続した配線部５Ｂとから
なり、配線部５Ｂの先端をチャンバー３内の上端に取り
付けて、このチャンバー３と共に一体化したので、従来
のように高周波コイル５を装着したり取り外したりする
工数が不用となり、単結晶育成における準備及び取り出
し作業を容易に行うことができる。また、単結晶育成装
置１の解体掃除及び組立てる際にも同様にして行うこと
ができるため、これらの作業を容易にすることができ
る。
育成する際に保温筒４の中間保温部４Ｂを取り巻く加熱
部５Ａと、この加熱部５Ａと接続した配線部５Ｂとから
なり、配線部５Ｂの先端をチャンバー３内の上端に取り
付けて、このチャンバー３と共に一体化したので、従来
のように高周波コイル５を装着したり取り外したりする
工数が不用となり、単結晶育成における準備及び取り出
し作業を容易に行うことができる。また、単結晶育成装
置１の解体掃除及び組立てる際にも同様にして行うこと
ができるため、これらの作業を容易にすることができ
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明の単結晶育成装置によれば、支持
台上に載置され、上下動するチャンバーと、このチャン
バー内に融液を収納するるつぼと、前記るつぼの周囲に
設けられた保温筒と、この保温筒の外周囲に巻回され、
前記るつぼを加熱する高周波コイルとを有し、前記融液
から単結晶を引き上げる単結晶育成装置において、前記
高周波コイルは、前記単結晶を育成する際に前記保温筒
を取り巻く加熱部と、この加熱部に接続した配線部とか
らなり、前記配線部の先端を前記チャンバー内の上端部
に取り付けて、前記高周波コイルを前記チャンバーと共
に一体化したので、従来のように前記高周波コイルを装
着したり取り外したりする工数が不用となり、単結晶育
成における準備及び取り出し作業を容易に行うことがで
きる。
台上に載置され、上下動するチャンバーと、このチャン
バー内に融液を収納するるつぼと、前記るつぼの周囲に
設けられた保温筒と、この保温筒の外周囲に巻回され、
前記るつぼを加熱する高周波コイルとを有し、前記融液
から単結晶を引き上げる単結晶育成装置において、前記
高周波コイルは、前記単結晶を育成する際に前記保温筒
を取り巻く加熱部と、この加熱部に接続した配線部とか
らなり、前記配線部の先端を前記チャンバー内の上端部
に取り付けて、前記高周波コイルを前記チャンバーと共
に一体化したので、従来のように前記高周波コイルを装
着したり取り外したりする工数が不用となり、単結晶育
成における準備及び取り出し作業を容易に行うことがで
きる。
【図１】本発明の実施形態の単結晶育成装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施形態の単結晶育成装置のチャンバ
ーと共に高周波コイルが上昇した時の様子を示す断面図
である。
ーと共に高周波コイルが上昇した時の様子を示す断面図
である。
【図３】従来の単結晶育成装置を示す断面図である。
１…単結晶育成装置、２…支持台、３…チャンバー、３
Ａ…下蓋部、４…保温筒、４Ａ…下部保温部、４Ｂ…中
間保温部、４Ｃ…上部保温部、５…高周波コイル、５Ａ
…加熱部、５Ｂ…配線部、６Ａ、６Ｂ…コイル支持台、
７…融液、８…るつぼ、９…単結晶、１０…引き上げ棒
Ａ…下蓋部、４…保温筒、４Ａ…下部保温部、４Ｂ…中
間保温部、４Ｃ…上部保温部、５…高周波コイル、５Ａ
…加熱部、５Ｂ…配線部、６Ａ、６Ｂ…コイル支持台、
７…融液、８…るつぼ、９…単結晶、１０…引き上げ棒
Claims (1)
- 【請求項１】支持台上に載置され、上下動するチャンバ
ーと、このチャンバー内に融液を収納するるつぼと、前
記るつぼの周囲に設けられた保温筒と、この保温筒の外
周囲に巻回され、前記るつぼを加熱する高周波コイルと
を有し、前記融液から単結晶を引き上げる単結晶育成装
置において、 前記高周波コイルは、前記単結晶を育成する際に前記保
温筒を取り巻く加熱部と、この加熱部に接続した配線部
とからなり、前記配線部の先端を前記チャンバー内の上
端部に取り付けて、前記高周波コイルを前記チャンバー
と共に一体化したことを特徴とする単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36641299A JP2001181088A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36641299A JP2001181088A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 単結晶育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001181088A true JP2001181088A (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=18486726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36641299A Pending JP2001181088A (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001181088A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008155138A2 (de) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur herstellung von kristallen aus elektrisch leitenden schmelzen |
-
1999
- 1999-12-24 JP JP36641299A patent/JP2001181088A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008155138A2 (de) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur herstellung von kristallen aus elektrisch leitenden schmelzen |
| WO2008155138A3 (de) * | 2007-06-18 | 2009-02-26 | Forschungsverbund Berlin Ev | Vorrichtung zur herstellung von kristallen aus elektrisch leitenden schmelzen |
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