JP2001176871A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 他の素子に影響を与えることなく、完成後の
拡散抵抗等の抵抗体の抵抗値を所定の値に容易に設定す
る。 【解決手段】 シリコン基板１１に、イオン注入で不純
物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリ
コン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成す
る。このとき、イオン注入と高温熱処理の条件は、拡散
抵抗１２が所定の抵抗値になるように設定されている
が、実際には完成後の拡散抵抗１２は所定の抵抗値から
ずれていることが多い。このずれ量を補正するために、
最終保護膜としてプラズマＣＶＤ法により形成される窒
化シリコン膜１６のＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流量比あるいは膜
厚条件を調節する。このように窒化シリコン膜１６の形
成条件を調節するという簡単な方法により拡散抵抗１２
を所定の抵抗値に制御できる。
拡散抵抗等の抵抗体の抵抗値を所定の値に容易に設定す
る。 【解決手段】 シリコン基板１１に、イオン注入で不純
物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリ
コン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成す
る。このとき、イオン注入と高温熱処理の条件は、拡散
抵抗１２が所定の抵抗値になるように設定されている
が、実際には完成後の拡散抵抗１２は所定の抵抗値から
ずれていることが多い。このずれ量を補正するために、
最終保護膜としてプラズマＣＶＤ法により形成される窒
化シリコン膜１６のＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流量比あるいは膜
厚条件を調節する。このように窒化シリコン膜１６の形
成条件を調節するという簡単な方法により拡散抵抗１２
を所定の抵抗値に制御できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の中には、半導体基板上
に形成された抵抗体によってその特性が決定されている
ものがある。この抵抗体は、絶縁膜上に形成された蒸着
膜や基板に形成された拡散層などから構成されており、
集積回路の所定の特性を得るために、最終的に設計通り
の抵抗値になるように高精度の製造工程が要求されるの
が普通である。
に形成された抵抗体によってその特性が決定されている
ものがある。この抵抗体は、絶縁膜上に形成された蒸着
膜や基板に形成された拡散層などから構成されており、
集積回路の所定の特性を得るために、最終的に設計通り
の抵抗値になるように高精度の製造工程が要求されるの
が普通である。
【０００３】図４は、上記のような拡散抵抗を有する半
導体装置の拡散抵抗付近を示す断面図である。１１はシ
リコン基板（半導体基板）、１２はシリコン基板１１に
形成された拡散層からなる拡散抵抗であって、通常イオ
ン注入により導電型（Ｐ型，Ｎ型）を決定する不純物を
シリコン基板１１に導入し、イオン注入後の各種熱処理
工程で８００℃〜１０００℃程度の高温熱処理して形成
する。１３は素子分離用酸化膜、１４は層間絶縁膜、１
５はメタル配線で、この場合拡散抵抗１２の電極となっ
ている。１６はプラズマＣＶＤ法により形成した窒化シ
リコン膜で、シリコン基板１１上に拡散抵抗１２等を含
む所定の回路（半導体集積回路）が形成された後、それ
らを覆っている最終保護膜である。１７は配線間層間絶
縁膜で、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコン膜からな
る。１８は窒化シリコン膜で、層間絶縁膜１４がＰＳＧ
やＢＰＳＧなどの時、高温熱処理で層間絶縁膜１４に含
まれるボロンやリンなどの不純物が拡散抵抗１２に拡散
し、抵抗値を変化させるのを防止する役目を果たしてい
る。１９は酸化シリコン膜である。
導体装置の拡散抵抗付近を示す断面図である。１１はシ
リコン基板（半導体基板）、１２はシリコン基板１１に
形成された拡散層からなる拡散抵抗であって、通常イオ
ン注入により導電型（Ｐ型，Ｎ型）を決定する不純物を
シリコン基板１１に導入し、イオン注入後の各種熱処理
工程で８００℃〜１０００℃程度の高温熱処理して形成
する。１３は素子分離用酸化膜、１４は層間絶縁膜、１
５はメタル配線で、この場合拡散抵抗１２の電極となっ
ている。１６はプラズマＣＶＤ法により形成した窒化シ
リコン膜で、シリコン基板１１上に拡散抵抗１２等を含
む所定の回路（半導体集積回路）が形成された後、それ
らを覆っている最終保護膜である。１７は配線間層間絶
縁膜で、プラズマＣＶＤ法による酸化シリコン膜からな
る。１８は窒化シリコン膜で、層間絶縁膜１４がＰＳＧ
やＢＰＳＧなどの時、高温熱処理で層間絶縁膜１４に含
まれるボロンやリンなどの不純物が拡散抵抗１２に拡散
し、抵抗値を変化させるのを防止する役目を果たしてい
る。１９は酸化シリコン膜である。
【０００４】拡散抵抗１２は、シリコン基板１１にイオ
ン注入で不純物を導入し、その後、窒化シリコン膜１
８、層間絶縁膜１４などの高温熱処理により形成され
る。この拡散抵抗１２が所定の抵抗値（設計値）になる
ように、上記の不純物のイオン注入量と高温熱処理条件
を設定していた。
ン注入で不純物を導入し、その後、窒化シリコン膜１
８、層間絶縁膜１４などの高温熱処理により形成され
る。この拡散抵抗１２が所定の抵抗値（設計値）になる
ように、上記の不純物のイオン注入量と高温熱処理条件
を設定していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】拡散抵抗１２の抵抗値
を決定する場合、原理的にはイオン注入条件（不純物注
入量、注入エネルギー）と高温熱処理条件（温度、処理
時間）で決定されるはずである。しかしながら実際に
は、予め実験により拡散抵抗形成条件を決めても、半導
体集積回路完成後に測定した抵抗値は所定の値（設計
値）からずれていることが多く、また、同一半導体基板
内でもその場所によって抵抗値に分布を有していた。こ
の抵抗値を所定の値に調節することは、イオン注入量、
熱処理条件を変更しても可能である。しかし、これらの
工程は、トランジスタのような半導体集積回路を構成す
る個別の素子の形成プロセスと兼ねていることが多く、
容易には変更できない。もし変更すれば、半導体集積回
路全体としての性能を損ねることになる。このようなこ
とは半導体集積回路としての製造歩留まりを低下させる
ものであり、製造コストの面からも問題であった。
を決定する場合、原理的にはイオン注入条件（不純物注
入量、注入エネルギー）と高温熱処理条件（温度、処理
時間）で決定されるはずである。しかしながら実際に
は、予め実験により拡散抵抗形成条件を決めても、半導
体集積回路完成後に測定した抵抗値は所定の値（設計
値）からずれていることが多く、また、同一半導体基板
内でもその場所によって抵抗値に分布を有していた。こ
の抵抗値を所定の値に調節することは、イオン注入量、
熱処理条件を変更しても可能である。しかし、これらの
工程は、トランジスタのような半導体集積回路を構成す
る個別の素子の形成プロセスと兼ねていることが多く、
容易には変更できない。もし変更すれば、半導体集積回
路全体としての性能を損ねることになる。このようなこ
とは半導体集積回路としての製造歩留まりを低下させる
ものであり、製造コストの面からも問題であった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題を解決し、他の
素子に影響を与えることなく、完成後の拡散抵抗等の抵
抗体の抵抗値を所定の値（目標値）に容易に設定できる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
素子に影響を与えることなく、完成後の拡散抵抗等の抵
抗体の抵抗値を所定の値（目標値）に容易に設定できる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、抵抗体を形成し、抵抗体の上層に、複
数の材料ガスを用いて気相成長法で絶縁膜を形成する半
導体装置の製造方法であって、複数の材料ガスのそれぞ
れの流量比および絶縁膜の膜厚のうち少なくとも一方を
調整して絶縁膜を形成することによって、抵抗体の抵抗
値を所定の値にすることを特徴とする。
置の製造方法は、抵抗体を形成し、抵抗体の上層に、複
数の材料ガスを用いて気相成長法で絶縁膜を形成する半
導体装置の製造方法であって、複数の材料ガスのそれぞ
れの流量比および絶縁膜の膜厚のうち少なくとも一方を
調整して絶縁膜を形成することによって、抵抗体の抵抗
値を所定の値にすることを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、絶縁膜
が窒化シリコン膜であり、複数の材料ガスがモノシラン
およびアンモニアであり、抵抗体が拡散抵抗であること
を特徴とする。
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、絶縁膜
が窒化シリコン膜であり、複数の材料ガスがモノシラン
およびアンモニアであり、抵抗体が拡散抵抗であること
を特徴とする。
【０００９】このような本発明の製造方法によれば、抵
抗体の上層の絶縁膜の形成前において、抵抗体の抵抗値
が所定の値からずれていたとしても、絶縁膜の形成条件
を調整することによって所定の値に調整することがで
き、また、他の素子への影響もない。このように、簡単
な方法によって完成後の抵抗体の抵抗値が所定の値にな
るように精密に設定することができる。本発明のこのよ
うな効果は、本発明者の実験結果によって見いだされた
ものであり、その具体的な内容は以下の説明で明らかに
する。
抗体の上層の絶縁膜の形成前において、抵抗体の抵抗値
が所定の値からずれていたとしても、絶縁膜の形成条件
を調整することによって所定の値に調整することがで
き、また、他の素子への影響もない。このように、簡単
な方法によって完成後の抵抗体の抵抗値が所定の値にな
るように精密に設定することができる。本発明のこのよ
うな効果は、本発明者の実験結果によって見いだされた
ものであり、その具体的な内容は以下の説明で明らかに
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明者は、半導体集積回路完成
後の拡散抵抗値の、各製造工程に対する依存性を実験に
より検討した結果、例えば図４に示された半導体装置に
おいて、最終保護膜１６であるプラズマＣＶＤ法による
窒化シリコン膜の形成条件が、シリコン基板１１に形成
された拡散抵抗１２の抵抗値に影響を与えることを見い
だした。本発明の半導体装置の製造方法は、この事実に
基づいたものである。
後の拡散抵抗値の、各製造工程に対する依存性を実験に
より検討した結果、例えば図４に示された半導体装置に
おいて、最終保護膜１６であるプラズマＣＶＤ法による
窒化シリコン膜の形成条件が、シリコン基板１１に形成
された拡散抵抗１２の抵抗値に影響を与えることを見い
だした。本発明の半導体装置の製造方法は、この事実に
基づいたものである。
【００１１】図４において、シリコン基板１１に、イオ
ン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１
４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１
２を形成する。このとき、イオン注入と高温熱処理の条
件は、拡散抵抗１２が所定の抵抗値になるように設定さ
れているが、実際には完成後の拡散抵抗１２は所定の抵
抗値からずれていることが多く、このずれ量を補正する
ために、本実施の形態では、最終保護膜としてプラズマ
ＣＶＤ法により形成される窒化シリコン膜１６の形成条
件を調整するようにしている。窒化シリコン膜１６は、
モノシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）を材料
ガスとするプラズマＣＶＤ法により形成する。
ン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１
４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１
２を形成する。このとき、イオン注入と高温熱処理の条
件は、拡散抵抗１２が所定の抵抗値になるように設定さ
れているが、実際には完成後の拡散抵抗１２は所定の抵
抗値からずれていることが多く、このずれ量を補正する
ために、本実施の形態では、最終保護膜としてプラズマ
ＣＶＤ法により形成される窒化シリコン膜１６の形成条
件を調整するようにしている。窒化シリコン膜１６は、
モノシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）を材料
ガスとするプラズマＣＶＤ法により形成する。
【００１２】図１は、図４における拡散抵抗１２の抵抗
値の、窒化シリコン膜１６の形成におけるモノシランと
アンモニアの流量比（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）に対する依存
性を示す実験結果である。流量比（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）
によって抵抗値が約１２０ｋΩ〜８０ｋΩまで変化し、
流量比が増加するつまりＮＨ3 流量に対するＳｉＨ4流
量が増すと抵抗値が減少することがわかる。特に流量比
が小さい領域で抵抗値の変化が大きいと言える。
値の、窒化シリコン膜１６の形成におけるモノシランと
アンモニアの流量比（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）に対する依存
性を示す実験結果である。流量比（ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ）
によって抵抗値が約１２０ｋΩ〜８０ｋΩまで変化し、
流量比が増加するつまりＮＨ3 流量に対するＳｉＨ4流
量が増すと抵抗値が減少することがわかる。特に流量比
が小さい領域で抵抗値の変化が大きいと言える。
【００１３】また、図２は、図４における拡散抵抗１２
の抵抗値の、窒化シリコン膜１６の膜厚に対する依存性
を示す実験結果である。この場合、抵抗値は、窒化シリ
コン膜１６の膜厚に対してほぼ線形的に、約１１０ｋΩ
〜８０ｋΩ程度まで変化し、膜厚を増加させると抵抗値
が減少することがわかる。
の抵抗値の、窒化シリコン膜１６の膜厚に対する依存性
を示す実験結果である。この場合、抵抗値は、窒化シリ
コン膜１６の膜厚に対してほぼ線形的に、約１１０ｋΩ
〜８０ｋΩ程度まで変化し、膜厚を増加させると抵抗値
が減少することがわかる。
【００１４】このように拡散抵抗１２の抵抗値は、図４
で示されるように拡散抵抗１２と窒化シリコン膜１６と
が離れているにもかかわらず、最終保護膜である窒化シ
リコン膜１６の形成条件によって影響を受けるが、この
理由は次のように考えられる。図３は、様々な条件で成
長させたプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜１６中
の水素含有量と拡散抵抗１２の抵抗値との関係を示す図
であり、窒化シリコン膜１６中の水素含有量が増加する
につれ、拡散抵抗１２の抵抗値が減少するという結果を
得た。すなわち、窒化シリコン膜１６の形成条件を変え
ると、膜中の水素含有量が変化し、この水素が拡散抵抗
１２付近まで移動して抵抗値に影響を与えると考えられ
る。
で示されるように拡散抵抗１２と窒化シリコン膜１６と
が離れているにもかかわらず、最終保護膜である窒化シ
リコン膜１６の形成条件によって影響を受けるが、この
理由は次のように考えられる。図３は、様々な条件で成
長させたプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜１６中
の水素含有量と拡散抵抗１２の抵抗値との関係を示す図
であり、窒化シリコン膜１６中の水素含有量が増加する
につれ、拡散抵抗１２の抵抗値が減少するという結果を
得た。すなわち、窒化シリコン膜１６の形成条件を変え
ると、膜中の水素含有量が変化し、この水素が拡散抵抗
１２付近まで移動して抵抗値に影響を与えると考えられ
る。
【００１５】本実施の形態における半導体装置の製造方
法は、以上の結果に基づいて、完成後に拡散抵抗１２を
所定の抵抗値とするために、プラズマＣＶＤ法による窒
化シリコン膜１６をその形成条件を選択して形成するも
のである。
法は、以上の結果に基づいて、完成後に拡散抵抗１２を
所定の抵抗値とするために、プラズマＣＶＤ法による窒
化シリコン膜１６をその形成条件を選択して形成するも
のである。
【００１６】まず、図４において、配線間層間絶縁膜１
７およびその上の配線（図示せず）まで形成し、半導体
集積回路として所定の回路を完成する。次にそのうちの
数枚の基板を抽出し、予め決定された標準的な形成条件
で窒化シリコン膜１６をテスト的に形成し、拡散抵抗１
２の抵抗値を測定する。その測定値が所定の設計値（目
標値）からずれている場合には、例えば図１や図２の結
果に基づいて、窒化シリコン膜１６の形成条件を変更補
正し、所定の抵抗値（目標値）になるようにするのであ
る。例えば、テストで測定された抵抗値が所定の値（目
標値）よりも高いときは、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流量比を増
加させるか、または窒化シリコン膜１６の膜厚を増加さ
せることによって低減させることができる。テストで測
定された抵抗値が所定の値よりも低い場合はその反対の
手続きをすればよいのである。
７およびその上の配線（図示せず）まで形成し、半導体
集積回路として所定の回路を完成する。次にそのうちの
数枚の基板を抽出し、予め決定された標準的な形成条件
で窒化シリコン膜１６をテスト的に形成し、拡散抵抗１
２の抵抗値を測定する。その測定値が所定の設計値（目
標値）からずれている場合には、例えば図１や図２の結
果に基づいて、窒化シリコン膜１６の形成条件を変更補
正し、所定の抵抗値（目標値）になるようにするのであ
る。例えば、テストで測定された抵抗値が所定の値（目
標値）よりも高いときは、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流量比を増
加させるか、または窒化シリコン膜１６の膜厚を増加さ
せることによって低減させることができる。テストで測
定された抵抗値が所定の値よりも低い場合はその反対の
手続きをすればよいのである。
【００１７】さらに、窒化シリコン膜１６の形成条件の
選択が少し複雑となるのであるが、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流
量比と膜厚との両方を補正することにより拡散抵抗１２
を所定の抵抗値にすることも可能である。この方法では
１つの形成条件を補正する場合よりも大幅に抵抗値を修
正できるという利点がある。
選択が少し複雑となるのであるが、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流
量比と膜厚との両方を補正することにより拡散抵抗１２
を所定の抵抗値にすることも可能である。この方法では
１つの形成条件を補正する場合よりも大幅に抵抗値を修
正できるという利点がある。
【００１８】このように拡散抵抗１２の抵抗値の最終的
な制御は、窒化シリコン膜１６の形成時のＳｉＨ4 ／Ｎ
Ｈ3 流量比を変更してもまた、窒化シリコン膜１６の膜
厚を変更しても可能であるが、抵抗値依存性が線形的に
なる膜厚の調整によって行う方が容易で精密となり、望
ましい。拡散抵抗１２は通常１００ｋΩ前後のものがよ
く用いられ、製造工程において抵抗値が所定の値からず
れるとしても数ｋΩ程度のものであるから、図１，図２
から明らかなように実際に変更される流量比および膜厚
はごくわずかなものである。したがって窒化シリコン膜
１６の形成条件の変更によって、最終保護膜である窒化
シリコン膜１６の耐水性、膜ストレス、外部汚染耐性、
下層のメタル配線１５等の信頼性等が大幅に劣化すると
いうことはない。また、こうした膜形成条件の変更で含
有する水素量も若干変化するが、このような変動もトラ
ンジスタなどの能動素子特性に影響を与えることはなか
った。
な制御は、窒化シリコン膜１６の形成時のＳｉＨ4 ／Ｎ
Ｈ3 流量比を変更してもまた、窒化シリコン膜１６の膜
厚を変更しても可能であるが、抵抗値依存性が線形的に
なる膜厚の調整によって行う方が容易で精密となり、望
ましい。拡散抵抗１２は通常１００ｋΩ前後のものがよ
く用いられ、製造工程において抵抗値が所定の値からず
れるとしても数ｋΩ程度のものであるから、図１，図２
から明らかなように実際に変更される流量比および膜厚
はごくわずかなものである。したがって窒化シリコン膜
１６の形成条件の変更によって、最終保護膜である窒化
シリコン膜１６の耐水性、膜ストレス、外部汚染耐性、
下層のメタル配線１５等の信頼性等が大幅に劣化すると
いうことはない。また、こうした膜形成条件の変更で含
有する水素量も若干変化するが、このような変動もトラ
ンジスタなどの能動素子特性に影響を与えることはなか
った。
【００１９】以上のように本実施の形態によれば、シリ
コン基板１１上に拡散抵抗１２を含む所定の回路を形成
し、最終保護膜である窒化シリコン膜１６が形成される
直前において、拡散抵抗１２の抵抗値が所定の値からず
れていたとしても、その後の窒化シリコン膜１６の形成
条件を変更するという簡単な方法によって、完成後の拡
散抵抗１２の抵抗値を所定の値に調整することができ
る。したがって、拡散抵抗１２を含む所定の回路の形成
条件を変更することなく、容易に拡散抵抗１２の抵抗値
の調整を行うことができ、また、前述したように窒化シ
リコン膜１６の形成条件の変更による他の素子への影響
もなく、半導体装置の歩留まりを改善し、製造コストを
下げることができる。
コン基板１１上に拡散抵抗１２を含む所定の回路を形成
し、最終保護膜である窒化シリコン膜１６が形成される
直前において、拡散抵抗１２の抵抗値が所定の値からず
れていたとしても、その後の窒化シリコン膜１６の形成
条件を変更するという簡単な方法によって、完成後の拡
散抵抗１２の抵抗値を所定の値に調整することができ
る。したがって、拡散抵抗１２を含む所定の回路の形成
条件を変更することなく、容易に拡散抵抗１２の抵抗値
の調整を行うことができ、また、前述したように窒化シ
リコン膜１６の形成条件の変更による他の素子への影響
もなく、半導体装置の歩留まりを改善し、製造コストを
下げることができる。
【００２０】なお、上記実施の形態では、シリコン基板
１１中に形成された拡散抵抗１２の例を示したが、基板
上の絶縁膜の上に形成された多結晶シリコン膜からなる
抵抗体等にも本発明の製造方法を適用することができ
る。
１１中に形成された拡散抵抗１２の例を示したが、基板
上の絶縁膜の上に形成された多結晶シリコン膜からなる
抵抗体等にも本発明の製造方法を適用することができ
る。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、抵
抗体の上層の絶縁膜の形成前において、抵抗体の抵抗値
が所定の値からずれていたとしても、絶縁膜の形成条件
を調整することによって所定の値に調整することがで
き、また、他の素子への影響もない。このように、簡単
な方法によって完成後の抵抗体の抵抗値が所定の値にな
るように精密に設定することができ、半導体装置の歩留
まりを改善し、製造コストを下げることができる効果を
有するものである。
抗体の上層の絶縁膜の形成前において、抵抗体の抵抗値
が所定の値からずれていたとしても、絶縁膜の形成条件
を調整することによって所定の値に調整することがで
き、また、他の素子への影響もない。このように、簡単
な方法によって完成後の抵抗体の抵抗値が所定の値にな
るように精密に設定することができ、半導体装置の歩留
まりを改善し、製造コストを下げることができる効果を
有するものである。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための拡散抵抗
の抵抗値のＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流量比依存性を示す図。
の抵抗値のＳｉＨ4 ／ＮＨ3 流量比依存性を示す図。
【図２】本発明の実施の形態を説明するための拡散抵抗
の抵抗値の窒化シリコン膜の膜厚依存性を示す図。
の抵抗値の窒化シリコン膜の膜厚依存性を示す図。
【図３】本発明の実施の形態を説明するための拡散抵抗
の抵抗値の窒化シリコン膜中水素含有量依存性を示す
図。
の抵抗値の窒化シリコン膜中水素含有量依存性を示す
図。
【図４】拡散抵抗を有する半導体装置の断面図。
１１ シリコン基板 １２ 拡散抵抗 １３ 素子分離用酸化膜 １４ 層間絶縁膜 １５ メタル配線 １６ 窒化シリコン膜 １７ 配線間層間絶縁膜 １８ 窒化シリコン膜 １９ 酸化シリコン膜
Claims (2)
- 【請求項１】 抵抗体を形成し、前記抵抗体の上層に、
複数の材料ガスを用いて気相成長法で絶縁膜を形成する
半導体装置の製造方法であって、 前記複数の材料ガスのそれぞれの流量比および前記絶縁
膜の膜厚のうち少なくとも一方を調整して前記絶縁膜を
形成することによって、前記抵抗体の抵抗値を所定の値
にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁膜が窒化シリコン膜であり、前
記複数の材料ガスがモノシランおよびアンモニアであ
り、前記抵抗体が拡散抵抗であることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36057199A JP2001176871A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36057199A JP2001176871A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176871A true JP2001176871A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18469985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36057199A Pending JP2001176871A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001176871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006080249A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子、及び半導体素子の製造方法 |
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1999
- 1999-12-20 JP JP36057199A patent/JP2001176871A/ja active Pending
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