JP2001176767A - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents

フォトレジスト塗布装置

Info

Publication number
JP2001176767A
JP2001176767A JP34908699A JP34908699A JP2001176767A JP 2001176767 A JP2001176767 A JP 2001176767A JP 34908699 A JP34908699 A JP 34908699A JP 34908699 A JP34908699 A JP 34908699A JP 2001176767 A JP2001176767 A JP 2001176767A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
organic solvent
photoresist
area
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP34908699A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunori Tanno
保典 丹能
Masami Fukuda
正美 福田
Hitoshi Fujiyama
等 藤山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LSI Corp
Original Assignee
LSI Logic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LSI Logic Corp filed Critical LSI Logic Corp
Priority to JP34908699A priority Critical patent/JP2001176767A/ja
Publication of JP2001176767A publication Critical patent/JP2001176767A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト回転塗布用カップにおいて発生す
る、微細なレジストミストやレジスト成分を含んだ溶剤
の蒸気からなる微粒子の排気エリア19の内壁への堆積
を抑制し、回転塗布用カップ内で発生する微粒子の再浮
遊によるウェハー上への付着を防止する。 【解決手段】 上カップ7と下カップ11とからなる塗
布用カップ内に、廃液エリア17と排気エリア19との
2つの空間に分割する整流板9を設け、排気エリア19
を画定する下カップ11及び整流板9の壁面を有機溶剤
で濡らし、有機溶剤層31を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程等
において使用されるフォトレジスト塗布装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】半導体産業において、半導体素子及び配
線形成の材料としてフォトレジストが広く使用されてい
る。フォトレジストは光露光に使われる感光膜で、光が
あたった部分が現像液に融けて除去されるポジ型と、光
の当たらない部分が現像液で除去されるネガ型とがあ
る。フォトレジスト溶液は合成樹脂・感光剤・有機溶剤
の混合されたものであり、高速で回転しているウェハー
上にフォトレジスト溶液がたらされて、薄く一様にウェ
ハー上にスピンコートされる。
【0003】図1に従来より使用されているフォトレジ
スト塗布装置の例を示す。この装置では、上カップ7と
下カップ11により画定された空間内に、回転軸5上の
スピンチャック3により固定されたシリコンウェハー1
が回転可能に配され、該ウェハー1の上方にはフォトレ
ジスト溶液をウェハーに滴下するためのノズル(図示せ
ず)が配されるようになっている。また、ウェハー1の
下方には整流板9が設けられ、この整流板9に形成され
た仕切板23と下カップ11に形成された仕切板21と
共に、上カップ7と下カップ11により画定された空間
を大きく2つの空間、即ち、廃液エリア17と排気エリ
ア19とに分割している。この整流板9の内部には液体
供給部27が設けられ、下カップ11の外部から該下カ
ップ11を貫通して液体供給部27まで垂直方向に伸び
るパイプ(図示せず)によりシンナー等の有機溶剤を液
体供給部27へ導入可能になっている。液体供給部27
中の有機溶剤は、整流板9中に水平方向に多数設けられ
た微小な供給孔25により、整流板9の上面に導入でき
るようになっている。さらに、下カップ11の下方に
は、該有機溶剤等の液体を排出するための廃液口13
と、有機溶剤等の使用中に発生する有機ガスを排気する
ための排気口15とが設けられている。
【0004】この装置を用いてフォトレジストの塗布を
行う場合には、回転軸5により回転されたウェハー1の
上方からノズルによりフォトレジスト溶液を塗布する
が、この際、ウェハー1からはみ出し不要となったフォ
トレジスト溶液等は整流板9上に落下し、整流板9の内
部の液体供給部27から供給孔25を通じて整流板9の
上面に導入されたシンナー等の有機溶剤と共に、点線の
矢印で示すように整流板9の表面を伝って廃液エリア1
7内を通り下カップ11の下方に設けられた廃液口13
により排出される。また、上カップ7の下面及び下カッ
プ11の上面に付着した溶液等も、上カップ7の側面の
導入孔(図示せず)から導入されたシンナー等の有機溶
剤と共に、点線の矢印で示すように上カップ7の下面及
び下カップ11の上面を伝って廃液エリア17内を通り
廃液口13により排出される。即ち、溶液等は廃液エリ
ア17を通って廃液口13からのみ排出され、仕切板2
1の存在により、溶液等が排気エリア19内にまで侵入
して排気口15から排出されることはない。一方、レジ
スト溶液や有機溶剤等の使用により発生する有機ガスの
排気のため、該ガスは実線の矢印で示すような経路で廃
液エリア17を通過後排気エリア19を通り、排気口1
5を介して排出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォト
レジスト溶液はシリコンウェハー1に回転塗布される際
に、上カップ7と下カップ11により形成される回転塗
布用カップ内において微細なレジストミストやレジスト
成分を含んだ溶剤の蒸気を発する。これらの成分は空気
中で乾燥し1〜10μm程度の微細な粒子となり、有機
排気により整流板9と下カップ11とで挟まれた排気エ
リア19を通過し、下カップ下部の排気口15を介して
排出される筈だが、一部の微粒子は排気エリア19の整
流板9の下面及び下カップ11の上面に衝突・堆積し、
この部分に、図2に示すように、橙色の粉状の堆積物を
形成する。この堆積物は、回転塗布用カップの上下動、
シリコンウェハー1の回転による乱流等で再び気中に舞
い上がり、排気方向とは逆流して回転塗布しているウェ
ハー1上に付着することがあった。このようなレジスト
成分が付着したウェハーにおいては素子・配線形成に深
刻な被害を与えるものとして大きな問題となっていた。
【0006】本発明は、前記課題に鑑みてなされたもの
であり、このようなレジスト回転塗布用カップにおいて
発生する、微細なレジストミストやレジスト成分を含ん
だ溶剤の蒸気からなる微粒子の排気エリア19の内壁へ
の堆積を抑制し、回転塗布用カップ内で発生する微粒子
の再浮遊によるウェハー上への付着を防止することを目
的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、排気エリアにおい
て上記の微細なレジストミストやレジスト成分を含んだ
溶剤の蒸気からなる微粒子を液状にして捕捉することに
より再浮上を阻止できることを見出し、本発明を完成さ
せた。
【0008】すなわち、本発明のフォトレジスト塗布装
置は、基体にフォトレジスト溶液を回転塗布するための
フォトレジスト塗布用カップと、該カップ内の空間を2
つの空間に分割する分割板とを有しており、前記2つの
空間は、回転塗布の際に前記塗布用カップの内壁と前記
分割板とを洗浄するための有機溶剤と不要レジスト溶液
とを排出するための廃液エリアと、前記有機溶剤及びレ
ジスト溶液より発生する有機ガスを最終的に排気するた
めの排気エリアとであって、該排気エリアを画定する塗
布用カップ及び分割板の壁面を有機溶剤で濡らすことを
特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明のフォトレジスト塗
布装置について更に詳しく説明する。図3に本発明のフ
ォトレジスト塗布装置の一例を示す。
【0010】この装置においては、上カップ7と下カッ
プ11により形成される回転塗布用カップ内に、回転軸
5上のスピンチャック3により固定されたシリコンウェ
ハー1が回転可能に配され、ウェハー1の下方に、回転
塗布用カップ内の空間を廃液エリア17と排気エリア1
9とに分割する整流板9が設けられ、この整流板9の内
部には液体供給部27と供給孔25とが設けられ、液体
供給部27から該整流板9の上面に有機溶剤等の液体を
導入可能になっている点は図1に示した装置と同様であ
る。また、下カップ11の下方には廃液口13と排気口
15とが設けられ、該ウェハー1の上方にはフォトレジ
スト溶液をウェハーに滴下するためのノズルが配される
ようになっている点も同様である。
【0011】しかしながら、この装置においては、整流
板9の内部に設けられた液体供給部27の下方に吐出孔
33が複数個設けられており、液体供給部27内の有機
溶剤等が整流板9の下面及び下カップ11の上面を濡ら
すことができるようになっている。この吐出孔33の個
数は5〜8とすることが望ましい。またこの吐出孔の直
径は0.8〜1.2mmの範囲に形成することが好まし
く、貫通孔25の直径に対して80〜120%の範囲と
することができる。また、整流板9の下面及び下カップ
11の上面における有機溶剤の流れを良くするために、
図1の装置でそれぞれ整流板9、下カップ11に形成さ
れている仕切板23、仕切板21は削除されている。
【0012】以下、この装置によりフォトレジストの塗
布を行う場合について説明する。回転軸5により回転さ
れたウェハー1の上方からノズルによりフォトレジスト
溶液を塗布する際、ウェハー1からはみ出して整流板9
上に落下したフォトレジスト溶液等は、整流板9の内部
の液体供給部27から供給孔25を通じて整流板9の上
面に導入されたシンナー等の有機溶剤と共に、整流板9
の外周方向に点線の矢印で示すように整流板9の表面を
伝って上方から下方に流れ、廃液エリア17を通って廃
液口13により排出される。また、上カップ7の下面及
び下カップ11の上面に付着した溶液等も、上カップ7
の側面の導入孔(図示せず)から導入されたシンナー等
の有機溶剤と共に、点線の矢印で示すように上カップ7
の下面及び下カップ11の上面を伝って廃液口13によ
り排出される。
【0013】更に、整流板9内部の液体供給部27中の
シンナー等の有機溶剤は、吐出孔33を経由して整流板
9の下面及び下カップ11の上面を濡らし、有機溶剤層
31が形成される。このため、フォトレジスト溶液から
微細なレジストミストやレジスト成分を含んだ溶剤の蒸
気が発生し、空気中で乾燥して微細な粒子となって、排
気エリア19における整流板9の下面及び下カップ11
の上面に堆積しても、有機溶剤層31の存在によりこれ
らの粒子を液状にして捕捉し、再浮上を阻止することが
できる。従って、回転塗布しているウェハー1上にレジ
スト成分が付着することがなく、素子・配線形成の際の
歩留まりの低下を防止することができる。
【0014】また、吐出孔33よりしみ出したシンナー
等の有機溶剤は、整流板9の下面及び下カップ11の上
面に広がり、有機溶剤層31を形成することによりレジ
ストミストを捕捉するが、徐々にこのレジストミストを
含んだ溶液は排気部15及び廃液部13に移動していく
ため、排気エリア19が自浄されることになる。
【0015】一方、有機溶剤等より発生する有機ガスの
排気のため、該有機ガスは実線の矢印で示すような経路
で排気エリア19を通って排気口15を介して排気され
るが、この際、有機溶剤層31を構成する有機溶剤及び
捕捉された微粒子も一緒に排気エリア19から排気口1
5を通って排出される。図示していないが、本装置で
は、排気口15を通過した溶液成分を含んだ排気ガスの
うち溶液成分を途中で除去した上で排気するようにされ
ている。
【0016】なお、本発明のフォトレジスト塗布装置に
おいて使用される有機溶剤としては、シンナー以外に、
エタノール、アセトン、エチルラクテート(EL)、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
(PGMEA)等を用いることができる。また、フォト
レジストに使用されている有機溶剤成分を用いることも
できる。有機溶剤の流量は100〜200ml/min
の範囲が好ましい。100以上としたのは、これ未満で
は微粒子の捕捉のために有効な有機溶剤層31が十分に
形成されないためであり、200以下としたのは、これ
を超えても微粒子捕捉効果はさほど変わらず、有機溶剤
の使用量が多大となり過ぎ好ましくないためである。
【0017】また、排気エリア19を画定する下カップ
11の上面及び整流板9の下面を有機溶剤で濡らす手段
としては、本装置では整流板9に吐出孔33を形成する
ことによって行ったが、排気エリア19に直接有機溶剤
を導入する方法によって行ってもよい。
【0018】
【実施例】以下、実施例により、本発明のフォトレジス
ト塗布装置の効果をさらに説明する。
【0019】図3に示すフォトレジスト塗布装置を用い
て、ウェハーにフォトレジスト溶液をスピンコートした
場合の排気エリアの状態を観察した。
【0020】実験条件としては、直径6インチのシリコ
ンウェハーの回転速度3000rpm、フォトレジスト
滴下速度1cc/sec、有機溶剤(シンナー)の流量
150cc/min、排気量10mmH2Oとし、1ウ
ェハー毎に1分間のスピンコーティングを約1ヶ月間行
った。なお、装置の寸法は、下カップ11の直径230
mm、整流板9の直径200mm、貫通孔25の内径
1.0mm、吐出孔33の内径1.2mmである。
【0021】図4に、実験後の排気エリアの整流板下面
と下カップ上面の状態を示す。これより、本発明の装置
を用いることにより、整流板及び下カップの排気エリア
での堆積物は生じていないことが分かった。なお、整流
板下面の排気エリアの外側の部分はレジスト廃液の固着
物及びレジストミスト等を含む溶剤の固着物である。
【0022】従って、本実施例の装置では、フォトレジ
スト塗布装置内の有機排気エリアに発生する微細なレジ
ストミストやレジスト成分を含んだ溶剤の蒸気からなる
微粒子を、排気エリアの内壁を有機溶剤で湿らせること
により液状にして捕捉し、再浮上を阻止したので、微粒
子の発生を抑制できることが確認された。
【0023】故に、本実施例の装置は、回転塗布用カッ
プ内に発生する微粒子を抑制し、微粒子が液状になって
自浄作用するために、清掃頻度を低減させ、装置稼働率
を向上させるものである。
【0024】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト塗布装置は、排
気エリアを画定する塗布用カップ及び分割板の壁面を有
機溶剤で濡らしたことを特徴とするので、カップ内にお
いて発生する微細なレジストミストやレジスト成分を含
んだ溶剤の蒸気からなる微粒子の排気エリアへの堆積を
抑制することができ、この結果、カップ内で発生する微
粒子の再浮遊によるウェハー上への付着を防止すること
ができる。
【0025】また、本発明のフォトレジスト塗布装置
は、排気エリアの自浄効果をも併せ持ち、カップの清掃
・交換頻度を延長させることが可能であり、装置稼働率
を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のフォトレジスト塗布装置の断面図であ
る。
【図2】従来のフォトレジスト塗布装置によりフォトレ
ジスト溶液をウェハーにスピンコーティングした後の、
整流板下面及び下カップ上面の状態を示した写真であ
る。
【図3】本発明のフォトレジスト塗布装置の断面図であ
る。
【図4】本発明のフォトレジスト塗布装置によりフォト
レジスト溶液をウェハーにスピンコーティングした後
の、整流板下面及び下カップ上面の状態を示した写真で
ある。
【符号の説明】
1 シリコンウェハー(基体) 7 上カップ 9 整流板(分割板) 11 下カップ 17 廃液エリア 19 排気エリア 31 有機溶剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 正美 茨城県つくば市北原10番地 株式会社 エ ルエスアイロジック ジャパン セミコン ダクター内 (72)発明者 藤山 等 茨城県つくば市北原10番地 株式会社 エ ルエスアイロジック ジャパン セミコン ダクター内 Fターム(参考) 2H025 AB16 EA05 4D075 AC64 AC84 AC86 AC95 CA47 DA08 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 CC03 CC04 CC07 EB23 5F046 JA05 JA06 JA08 JA09

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体にフォトレジスト溶液を回転塗布す
    るためのフォトレジスト塗布用カップと、該カップ内の
    空間を2つの空間に分割する分割板とを有しており、前
    記2つの空間は、回転塗布の際に前記塗布用カップの内
    壁と前記分割板とを洗浄するための有機溶剤と不要レジ
    スト溶液とを排出するための廃液エリアと、前記有機溶
    剤及びレジスト溶液より発生する有機ガスを最終的に排
    気するための排気エリアとであって、該排気エリアを画
    定する塗布用カップ及び分割板の壁面を有機溶剤で濡ら
    すことを特徴とするフォトレジスト塗布装置。
JP34908699A 1999-12-08 1999-12-08 フォトレジスト塗布装置 Withdrawn JP2001176767A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34908699A JP2001176767A (ja) 1999-12-08 1999-12-08 フォトレジスト塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34908699A JP2001176767A (ja) 1999-12-08 1999-12-08 フォトレジスト塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001176767A true JP2001176767A (ja) 2001-06-29

Family

ID=18401407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34908699A Withdrawn JP2001176767A (ja) 1999-12-08 1999-12-08 フォトレジスト塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001176767A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190024725A (ko) * 2017-08-29 2019-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 장치 및 도포액 포집 부재
KR20210113498A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11752516B2 (en) 2021-01-27 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for processing substrate

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190024725A (ko) * 2017-08-29 2019-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 장치 및 도포액 포집 부재
KR102195652B1 (ko) 2017-08-29 2020-12-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 장치 및 도포액 포집 부재
KR20210113498A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102386209B1 (ko) * 2020-03-06 2022-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11752516B2 (en) 2021-01-27 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for processing substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07132262A (ja) 浸漬式の液処理装置
WO2014123085A1 (ja) 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
US6261635B1 (en) Method for controlling air over a spinning microelectronic substrate
JP2001176767A (ja) フォトレジスト塗布装置
JP4484880B2 (ja) 溶剤を飽和させたチャンバ内でポリマー溶液を基板に塗布する方法及び装置
US6090534A (en) Device and method of decreasing circular defects and charge buildup integrated circuit fabrication
JP4108767B2 (ja) 化学薬品スピンコーテイングのための方法および装置
US6171980B1 (en) Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse
JPH07240360A (ja) 薬液塗布装置
KR20110127055A (ko) 레지스트막 형성 장치, 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법
JP2992206B2 (ja) 基板処理装置
JP2936505B2 (ja) 塗布装置
JPS61239625A (ja) レジスト塗布装置
JP2658710B2 (ja) レジスト塗布装置
JP3360052B2 (ja) 現像装置
JPS61207019A (ja) 回転塗布装置
JPS61206221A (ja) スピン塗布装置
JP3113167B2 (ja) スピン式洗浄装置
JPH0684785A (ja) 浸漬式の液処理装置
JPH0621040A (ja) 噴流式ウェットエッチング装置
US6395086B1 (en) Shield for wafer station
JPH03256321A (ja) レジスト膜形成装置
JPH11186123A (ja) ウエーハ上に形成された感光膜の現像方法
JP3191379B2 (ja) ウェハ乾燥装置と半導体装置の製造方法
JPH0441975Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061208

A072 Dismissal of procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073

Effective date: 20070412

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070501