JP2001176128A - 光記録再生媒体、その製造方法およびその光記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 近接場記録のような従来のプッシュプル法が
使えない微小光源に対応し、ランド／グルーブが存在し
ない状態で、高精度トラッキングができる光記録再生媒
体、その製造方法およびそれを用いた光記録再生方法の
提供。 【解決手段】 光学的に情報の記録再生を行う光記録再
生媒体において、該媒体の光学特性を調整する反射層２
０４は少なくとも２種類以上の元素の層１０２と１０３
で構成された積層構造体であって、その特定部分に膜厚
方向における構成元素の濃度分布が変化している領域を
設けたことを特徴とする光記録再生媒体、その製造方法
およびその光記録再生方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光により情報の記
録再生を行う光記録再生媒体、その製造方法およびそれ
を用いた光記録再生方法に関する。

【０００２】

【従来技術】相変化材料等を記録層に使った書き換え可
能な記録媒体では、トラッキングの方法としてプッシュ
プル法が採用されている。この方法は基板上に予めレー
ザービームを案内する溝（ランド／グルーブ）を形成し
ておき、その溝端部で生じる光の回折を利用してレーザ
ービームが溝の中央部に照射されるようにサーボをかけ
る方法である。

【０００３】レーザービームと案内溝との位置ズレ信号
（トラックエラー信号）はプッシュプル法等で検出す
る。すなわち、記録媒体からの反射光のファーフィール
ドパターンを２つの受光領域を有する２分割の光検出器
で検出し、両受光器で検出された光電流の差から案内溝
とレーザービームとの位置ズレを検出する。

【０００４】トラッキング精度を向上させるために、案
内溝の形状や深さの改良がなされている。その一例が特
開平５−４７０４３号（第０２６９３２８９号）、特開
平８−１５３３４０号公報に開示されている。現行の基
板形成プロセスを継承すると、トラックピッチの縮小限
界は０．３μｍ程度と予想される。この場合、ランドと
グルーブの比率を１：１とすると各幅は０．１〜０．２
μｍ程度である。

【０００５】次世代の高密度記録方式として、近接場光
学の応用が提案されている（Ｅ．Ｂｅｔｚｉｎｇ ｅ
ｔ．ａｌ．， Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１
（２），ｐｐ．１４２−１４４， １９９２ ）。以下
の説明では、近接場記録と記載する〔ＳＩＬ（Ｓｏｌｉ
ｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ；固侵レンズ）も含
む〕。近接場記録ではレーザービームの照射径を０．１
μｍ以下に絞ることが可能になる。ビームの照射径がラ
ンドもしくはグルーブ幅よりも小さいと、両端のエッヂ
を同時に検出できない。従って、前記トラッキング方式
では光源の左右のぶれが検出できなくなりトラッキング
精度が低下する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、近接
場記録のような従来のプッシュプル法が使えない微小光
源に対応し、ランド／グルーブが存在しない状態で、高
精度トラッキングができる光記録再生媒体、その製造方
法およびそれを用いた光記録再生方法を提供する点にあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第一は、光学的
に情報の記録再生を行う光記録再生媒体において、該媒
体の光学特性を調整する反射層は少なくても２種類以上
の元素の層で構成された積層構造体であって、その特定
部分に膜厚方向における構成元素の濃度分布が変化して
いる領域を設けたことを特徴とする光記録再生媒体に関
する。

【０００８】本発明の第二は、請求項１記載の光記録再
生媒体において、前記膜厚方向における構成元素の濃度
分布が変化している領域が、光入射方向から見て、光の
移動方向に対して平行なストライプ形状である光記録再
生媒体に関する。

【０００９】本発明の第三は、請求項１記載の光記録再
生媒体において、前記膜厚方向における構成元素の濃度
分布が変化している領域が、光入射方向から見て、光の
移動方向に対して平行に配置された連続もしくは不連続
の円形または長円形である光記録再生媒体に関する。

【００１０】本発明の第四は、請求項１、２、または３
記載の光記録再生媒体からの反射光強度の時間変化を検
出することにより記録再生の位置制御を行うことを特徴
とする光記録再生方法に関する。

【００１１】本発明の第五は、光記録再生媒体の光学特
性を調整する反射層が少なくても２種類以上の元素の層
で構成された積層構造体よりなる光記録再生媒体を用い
て、その反射層に構成元素の濃度分布変化領域を形成す
るに際し、記録再生を行う光の照射方向と対峙する方向
から光を照射することを特徴とする請求項１、２、また
は３記載の光記録再生媒体の製造方法に関する。

【００１２】本発明の第六は光記録再生媒体の光学特性
を調整する反射層が少なくても２種類以上の元素の層で
構成された積層構造体よりなる光記録再生媒体を用い
て、その反射層に構成元素の濃度分布変化領域を形成す
るに際し、記録再生を行う光の照射方向から、記録再生
を行う際に使用する光を照射することを特徴とする請求
項１、２、または３記載の光記録再生媒体の製造方法に
関する。

【００１３】レーザービームを用いて情報を記録再生す
る光メモリー（光記録再生媒体）は、レーザービームの
反射層もしくは放熱層となる金属系薄膜を含む積層膜で
構成される。本発明では、この反射層を特定の積層構成
にする点に特徴がある。この反射層は、第一の構成元素
よりなる層と第二の構成元素よりなる二層以上の積層構
造であってもよいし、反射層の膜厚方向において各構成
元素の混合比率が変化する形態で作成してもよい。前記
第一の構成元素は、Ａｌ、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕよりな
る群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、前記第
二の構成元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｂ、Ｔｉ、Ｇａ、ＡｓおよびＰｂよりなる群から選
ばれた少なくとも一種の元素である。例えば、反射層を
Ａｌ薄膜とＳｉ薄膜の２層構成とした場合、熱処理を行
いＡｌの軟化温度以上に加熱するとＡｌとＳｉの間に相
互拡散が起こり、最終的には積層順序が置換する現象を
利用するものである。反射層の表面がＡｌ薄膜である場
合とＳｉ薄膜で有る場合とでは、媒体の反射率が変化す
る。

【００１４】熱源として収束したレーザービームを用い
た場合、光記録再生媒体面内の所定の位置でＡｌ薄膜と
Ｓｉ薄膜の積層順序を入れ替えることが可能になる。ま
た、レーザービームのパルス幅や走査速度を調整するこ
とにより、所定の形状で入れ替え領域が形成できる。従
って、反射層にアドレス情報やトラッキングマークの情
報を反射率の差として形成することができる。

【００１５】本手法は、相変化材料を記録層とした書き
換え可能型の光記録再生媒体にも対応でき、有機系材料
を記録層とした追記型の光記録再生媒体にも対応でき、
ＲＯＭにも対応できる。

【００１６】本発明は、反射層に特徴を持つものであ
り、記録層や基板などの反射層以外の層には特徴をもつ
ものではないから、反射層以外のこれらの層について
は、格別の制限はない。

【００１７】以下の実施例では、Ａｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔ
ｅよりなる四元化合物を記録層とした書き換え型媒体を
例として説明するが、記録層は、特開平３−２３１８８
９号公報、特開昭６３−２５１２９０号公報あるいは特
願平１−１４３４７０号公報などに記載された記録材料
等を用いることができる。

【００１８】実施例１（請求項１に対応） 図１に光記録再生媒体の構成を示す。図中１０１はガラ
ス基板であり、表面は平坦である。１０２はＧｅ薄膜で
あり、１０３はＡｌ薄膜であり、この２層構成で反射層
２０４が形成されている。図１中の領域Ａでは、基板１
０１側の１０２に５０ｎｍ厚のＧｅ薄膜が、その上層に
５０ｎｍ厚のＡｌ薄膜が形成されて２層の反射層となっ
ている。以下の説明では、この積層順序をＡｌ／Ｇｅと
記載する。図１中の領域Ｂでは、積層順序が逆転しＧｅ
／Ａｌになっている。１０４は下部誘電体層であるＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ_２層である。その膜厚は２０ｎｍである。１
０５は記録層であるＡｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔｅ層であり、
膜厚は１５ｎｍである。１０６は上部誘電体層であるＺ
ｎＳ・ＳｉＯ_２層であり、膜厚は３０ｎｍである。各薄
膜はスパッタリング法により成膜される。１０７は記録
再生用のレンズ、１０８はレーザービーム、１０９は記
録ピットを示し、記録再生は基板を通さずに膜面に対し
て直接行う。１１０にレーザービームをＸ方向に走査し
た際の反射光強度変化を示す。ＡｌとＧｅでは、反射率
が大きく異なる。膜厚５０ｎｍのＡｌ薄膜の反射率を１
００％とすると、膜厚５０ｎｍのＧｅの反射率は５０％
である。この結果、光記録再生媒体全体としての反射率
は、反射層表面にＡｌが存在する場合と、Ｇｅが存在す
る場合とでは異なってくる。領域ＡのようにＡｌ／Ｇｅ
の場合は、領域ＢのＧｅ／Ａｌに対して、反射光強度が
強くなる。この反射率の変化を検出し、アドレス信号と
することにより、レーザービームの位置決めができる。

【００１９】従来例 図２に従来の光記録再生媒体を鳥観図で示す。２０１は
ポリカーボネート基板であり、２０２がグルーブで、２
０３がランドある。グルーブ幅は０．２μｍ、ランド幅
は０．３μｍであり、トラックピッチは０．５μｍであ
る。２０４は反射層を示す。反射層はＡｌ／Ｔｉよりな
る積層薄膜で、その厚みは１００ｎｍである。２０５は
ＺｎＳ・ＳｉＯ_２よりなる厚み２０ｎｍの誘電体層、２
０６はＡｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔｅよりなる厚さ１５ｎｍの
記録層、２０７はＺｎＳ・ＳｉＯ _２よりなる厚み３０ｎ
ｍの誘電体層である。２０８は記録再生のレーザービー
ムを示す。２０９はＸ−Ｘ′における媒体の反射光強度
の変化を示す。ランドのエッジ部分で反射光強度が高く
なる。この場合のトラッキングエラー信号は、２１０に
示すようになる。ランド／グルーブ記録の場合は図中２
１１の位置でサーボをかけ記録再生する。

【００２０】実施例２（請求項２に対応） 図３に本実施例の光記録再生媒体を示す。３０１はポリ
カーボネート基板であり、３０２がグルーブ、３０３が
ランドである。グルーブ幅は０．２μｍ、ランド幅は
０．３μｍであり、トラックピッチは０．５μｍであ
る。従来例と異なり反射層３０４１は２層構成になって
いる。３０４１のハッチをかけた部分は、Ｇｅ薄膜５０
ｎｍ厚が上層に位置し、Ａｌ薄膜５０ｎｍ厚が下層に位
置する。一方、３０４２の白抜き部分は、Ｇｅ薄膜５０
ｎｍ厚が下層に位置し、Ａｌ薄膜５０ｎｍ厚が上層に位
置する。図３に示すように、ランド上のＧｅ／Ａｌ領域
およびＡｌ／Ｇｅ領域は、ビーム３０８進行方向に対し
て平行に幅約０．１μｍのストライプ形状になってい
る。３０５はＺｎＳ・ＳｉＯ_２よりなる厚さ２０ｎｍの
誘電体層、３０６はＡｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔｅよりなる厚
さ１５ｎｍの記録層、３０７はＺｎＳ・ＳｉＯ_２よりな
る厚さ３０ｎｍの誘電体層である。３０８は、記録再生
のレーザービームを示す。図中３０９にはＸ−Ｘ′にお
ける媒体表面の反射光強度の変化を示す。反射光強度は
ランドのエッジ部分と、ランド中で反射層がＡｌ／Ｇｅ
になっているランド中心部（３０４２）で高くなる。ラ
ンドの両端（３０４１）およびグルーブ（３０２）領域
は、反射層表面がＧｅであるために反射光強度が下が
る。従って、トラッキングエラー信号は、３１０に示す
ようになる。図中３１１の個所への（図示の範囲では計
８カ所）トラッキングが可能である。

【００２１】従来例と本実施例２を比較する。従来例で
は反射光強度がランドエッジで変化する。この変化を検
知するにはランド幅（０．３μｍ）以上のビーム径が必
要である。本実施例２の媒体では、０．１μｍ周期で反
射光強度が変化することから、０．１μｍ程度のビーム
径にも対応できる。この結果、トラック方向の密度は、
ランド記録の場合は３倍、ランド／グルーブ記録の場合
は２倍になる。

【００２２】実施例３（請求項３に対応） 本実施例における光記録再生媒体の基本的積層構造は実
施例２と同一であるが、反射層に設ける構成元素の濃度
分布変化領域が円形または長円形のケースである。図４
の（Ａ）は光記録再生媒体の反射層表面の一部のみを図
示する上面図である。図４の（Ａ）中４０１はランド領
域、４０２はグルーブ領域であり、各領域の幅は実施例
２と同じである。４０４は記録再生用のレーザービーム
を示す。ビーム径は０．１μｍ程度である。ハッチをか
けた４０３１は反射層表面のＧｅの領域であり、４０３
２は反射層表面のＡｌの領域である。４０３１は長円形
のスポット形状であり、４０３２は円形である。各形状
がグルーブに沿って繰り返されている。図４の（Ｂ）は
ディスク全体の上面図である。図４の（Ｂ）に示すよう
に４０３１及び４０３２は、ディスク面内所定の領域に
形成し、トラッキング信号検出領域４０８１とする。情
報の記録は、その領域以外の反射層表面がＡｌの部分４
０８２に対して行う。

【００２３】実施例４（請求項４に対応） 図４を用いて実施例３の媒体について、一つのトラック
内に複数本の光記録再生を行う方法を説明する。図４の
（Ｂ）に示すように、トラッキング信号を検出する領域
４０８１と、情報の記録領域４０８２を分離する。図４
の（Ｂ）における矢印はレーザービームの移動方向を示
す。ここで、トラッキング信号は次の方法で検出する。
図４の（Ａ）に示すようにＸ−Ｘ′の反射率の変化は４
０５のようになり、トラッキングエラー信号４０６が得
られる。図４の（Ｂ）に示す領域４０８１でトラッキン
グ信号が検出されることから、ディスクの回転と信号検
出の同期をとることで、実施例２と同様に図４の（Ａ）
に示すようにランド４０１上に３カ所、グルーブ４０２
上に１カ所へのトラッキングが可能である。図４の
（Ｃ）は、ビーム４０４が図４の（Ａ）に示す方向に移
動した場合の反射光強度の時間変化を示す。Ｂはランド
の中心を移動した場合、ＡはＸ方向にズレて移動した場
合、ＣはＸ′方向にズレて移動した場合である。図４の
（Ａ）に示すように反射層上に形成したスポット形状
（４０３１、４０３２）がランドの中心に対して非対称
であるために、反射光の強度変化パターンはビームの通
過位置に対応して変化する〔４０７１及び４０７３はパ
ルス幅（変化時間）、４０７２は周期を示す〕。基準で
あるランド中心からオフセットをかける場合はこの変化
を利用する。まず、ランド中心へのトラッキングは前記
プッシュプル法で行い、基準となる反射光変化のパター
ンＢを得る。おおまかな移動方向（ＸもしくはＸ′方
向）は、基準パターンＢに対するパルス幅、もしくはパ
ルス周期の変化の度合いで判断する。Ｘ方向ではパルス
幅４０７１がパターンＢに対して長くなる。一方、Ｘ′
方向ではパルスの周期４０７２がパターンＢに対してが
短くなる。各方向での微動は、パルス幅（４０７１、４
０７３）の変化を検出することで行う。ビームがランド
のエッジ方向に向かうに従って、パターンの幅が拡が
る。反射光の時間変化を検出することにより、ランド内
の任意の位置にビームを移動することができる。以上の
方法により、ランド中心を基準として、そこからオフセ
ットをかけてランド内の複数の領域への記録再生するこ
とができる。

【００２４】実施例５（請求項５に対応） 図５は実施例１の製造方法を示す図である。図５の
（Ａ）は各層の成膜後の断面図である。成膜後の反射層
は基板側にＧｅ薄膜（１０２）、その上層にＡｌ薄膜
（１０３）が位置する。図５の（Ｂ）は反射層の加工工
程を示す。５１２１はレンズ、５１２２はレーザービー
ムを示す。レザービームは、基板１０１を通して照射す
る。図５の（Ｃ）はレーザーパワーの変化を示す。ビー
ムの走査と同期をとり、パルス状に照射する。ビームに
より加熱された位置５１２４では、Ｇｅ、Ａｌの相互拡
散がおきＧｅとＡｌの積層順序が入れ替わるので５１２
４で示す領域は積層順序がＧｅ／Ａｌであり、５１２５
で示す領域は初期状態のＡｌ／Ｇｅの積層順序である。
以上の方法で実施例１に記載した記録再生媒体を形成で
きる。

【００２５】実施例６（請求項５に対応） 図６は実施例２の製造方法を示す図である。図６の
（Ａ）は各層の成膜後の断面図を示す。この段階で反射
層２０４はＡｌ／Ｇｅの状態になっている。図６の
（Ｂ）は反射層の加工方法を示す。５２２１はレンズ、
５２２２はレーザービームを示す。実施例１と同様にレ
ーザービームは基板２０１側から照射する。この際、グ
ルーブ２０２に対してトラッキングをかけ、連続光を照
射する。ビームで加熱されたグルーブとランドの境界２
１２で反射層の積層順序が置き換わりＧｅ／Ａｌ（５２
２３）になる。ビーム照射の影響を受けないランド中心
部分は初期状態のＡｌ／Ｇｅ（５２２４）になってい
る。以上の方法により実施例２に示す光記録再生媒体が
形成できる。

【００２６】実施例７（請求項５に対応） 図７は実施例３の製造方法である。基本的な方法は実施
例２の光記録再生媒体と同様である。異なる点は実施例
２ではレーザービームが連続光であるのに対して、実施
例３はパルス光を使う点である。パルス光としては図７
の（Ａ）に５３１および５３２としてそのパターンを示
すように２種類の波形を使う。５３１の矩形波を用いる
と図４の（Ａ）における４０３２に示す円形のパターン
を形成し、５３２の三角波を用いると図４の（Ａ）にお
ける４０３１に示す長円形のパターンを形成する。三角
波を用いることにより、パワーが高い位置ではマークが
よりグルーブ方向に拡がり図４の（Ａ）における４０３
２のような円形のパターンが形成できる。図７の（Ｂ）
は光記録再生媒体表面におけるグルーブ、ランド、プリ
ピットの関係を示す図である。５３３１はグルーブ、５
３３２はランドである。グルーブ５３３１に対してトラ
ッキングをかけて反射層を加工する際に、図７の（Ａ）
に示す５３１と５３２のパルス光のパターンをディスク
半径方向において１トラック毎に切り替える。５３３３
は基板に予め形成したプリピットである。基板のグルー
ブには、内周方向５３３４から外周方向５３３５に向
い、直線上にプリピットを形成しておく。このプリピッ
トの位置は、図４の（Ｂ）に示したトラッキング信号検
出領域４０８１の開始位置にあたる。ディスク（光記録
再生媒体）を回転させる際に線速を固定（ＣＬＶ）し、
プリピットからの信号とディスク回転の同期をとり、図
７の（Ａ）に示す５３１と５３２のパルス光のパターン
を入れ替え反射層を加工する。その際、隣接するトラッ
ク間で５３２の三角波のピーク位置と、５３１のパルス
位置が一致し、図４の（Ａ）や（Ｂ）に示した形状にな
るような信号で加工する。以上の方法で実施例３の光記
録再生媒体を形成する。

【００２７】実施例８（請求項６） 前記の方法では、光記録再生用の光源とは異なる第二の
光源を用いる。しかし、光記録再生用の光源を用いても
反射層を加工することもできる。例えば図１の光記録再
生媒体を形成する場合、Ｇｅ層１０２とＡｌ層１０３よ
りなる反射層（２０４）成膜後に基板側からではなく反
射層表面側に直接レーザービーム（１０８）を照射し、
反射層の積層順序の反転領域を形成する。ここで用いる
レーザービームは、記録再生用と同一のものが使用でき
る。その後に下部誘電体層（１０４）、記録層（１０
５）、上部誘電体層（１０６）を成膜し、光記録再生媒
体を製造する。

【００２８】

【発明の作用効果】請求項１の効果；近接場記録のよう
な従来のプッシュプル法が使えない微小光源に対応し、
ランド／グルーブが存在しない状態で、高精度トラッキ
ングができる記録再生媒体を提供することができ、しか
もこの光記録再生媒体は記録再生のアドレス情報を持っ
たランド／グルーブのような凹凸がない平坦な光記録再
生媒体を提供することができた。 請求項２の効果；トラックピッチの縮小が可能となる。
現行ピッチのランド／グルーブ付の基板を元に、さらに
狭いピッチのトラッキングマークが形成できる。近接場
記録用の媒体とした場合、線密度のみならずトラック方
向の高密度化が実現できる。さらに、現行ピッチの基板
を元にしていることから、ＣＤやＤＶＤとの互換性が確
保できる。 請求項３および４の効果；特に、一トラック内に複数列
の記録が実現でき、請求項２の場合より、さらにトラッ
クピッチが縮小できる。 請求項５の効果；記録再生と対峙する方向から反射層を
加工するので、反射層の加工に際しレーザーは基板を通
過するが記録層は通過しないので、加工時における記録
層へのダメージが回避できる。また、現行のランド／グ
ルーブを持つ基板を元に製造するために、製造プロセス
の点でＣＤやＤＶＤと互換性が採れ、安価に製造でき
る。 請求項６の効果；光記録再生用の光源を用い、基板を介
さずに反射層を直接加工することで、記録マークと同一
ピッチでトラッキングマークが加工できる。反射層を加
工した後に記録層及び誘電体層を成膜する方法をとるこ
とにより、記録層へのダーメージが回避できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る本発明の光記録再生媒体の概略
断面図とそれに対応した反射光強度変化を示す。

【図２】従来例に係る光記録再生媒体の概略断面図とそ
れに対応した反射光強度変化およびトラッキング信号ト
ラッキング位置との関係を示す。

【図３】実施例２に係る本発明の光記録再生媒体の概略
断面図とそれに対応した反射光強度変化およびトラッキ
ング信号トラッキング位置との関係を示す。

【図４】（Ａ）は実施例３および４に係る本発明の光記
録再生媒体における反射層の一部拡大表面状態図とそれ
に対応した反射光強度変化およびトラッキング信号トラ
ッキング位置との関係を示す。（Ｂ）は実施例３および
４に係る本発明の光記録再生媒体における全反射層表面
に形成されたトラッキング信号形成領域と記録領域の存
在個所を示す。（Ｃ）は図４の（Ａ）におけるレーザー
ビームの移動に対応した反射光強度の時間変化を示す。

【図５】（Ａ）は実施例５に係る本発明における反射層
を加工する前の段階の光記録再生媒体の概略断面図であ
り、（Ｂ）は反射層を加工した後の段階の光記録再生媒
体の概略断面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の光記録再生媒
体の概略断面図に対応したレーザー照射強度変化を示
す。

【図６】（Ａ）は実施例６に係る本発明における反射層
を加工する前の段階の光記録再生媒体の概略断面図であ
り、（Ｂ）は反射層を加工した後の段階の光記録再生媒
体の概略断面図である。

【図７】（Ａ）は２種のレーザービームの照射波形パタ
ーンを示し、（Ｂ）は光記録再生媒体表面のグルーブ、
ランド、プリピットの関係を示す図である。

【符号の説明】

１０１ ガラス基板 １０２ Ｇｅ薄膜 １０３ Ａｌ薄膜 １０４ ＺｎＳ・ＳｉＯ_２誘電体層 １０５ Ａｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔｅ記録層 １０６ ＺｎＳ・ＳｉＯ_２誘電体層 １０７ レンズ １０８ レーザービーム １０９ 記録ピット １１０ 反射光強度変化 ２０１ ポリカーボネート基板 ２０２ グルーブ ２０３ ランド ２０４ 反射層 ２０５ ＺｎＳ・ＳｉＯ_２誘電体層 ２０６ Ａｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔｅ記録層 ２０７ ＺｎＳ・ＳｉＯ_２誘電体層 ２０８ 記録再生用レーザービーム ２０９ 反射光強度変化 ２１０ トラッキングエラー信号 ２１１ トラッキング位置 ２１２ グルーブとランドとの境界 ３０１ ポリカーボネート基板 ３０２ グルーブ ３０３ ランド ３０４１ Ｇｅ／Ａｌ ３０４２ Ａｌ／Ｇｅ ３０５ ＺｎＳ・ＳｉＯ_２誘電体層 ３０６ Ａｇ・Ｉｎ・Ｓｂ・Ｔｅ記録層 ３０７ ＺｎＳ・ＳｉＯ_２誘電体層 ３０８ 記録再生用レーザービーム ３０９ 反射光強度変化 ３１０ トラッキングエラー信号 ３１１ トラッキング位置 ４０１ ランド ４０２ グルーブ ４０３１ Ｇｅ／Ａｌの領域（長円形） ４０３２ Ｇｅ／Ａｌの領域（円形） ４０４ 記録再生用レーザービーム ４０５ 反射光強度変化 ４０６ トラッキングエラー信号 ４０７１ 位置Ａでのパルス幅（変化時間） ４０７２ 位置Ｃでのパルスの周期（変化のタイミン
グ） ４０７３ 位置Ｃでのパルス幅（変化時間） ４０８１ トラッキング信号形成領域（トラッキング信
号検出領域） ４０８２ 記録領域 ５１２１ 加工用のレンズ ５１２２ 加工用のレーザービーム ５１２４ Ｇｅ／Ａｌの領域 ５１２５ Ａｌ／Ｇｅの領域 ５２２１ 加工用のレンズ ５２２２ 加工用のレーザービーム ５２２３ Ｇｅ／Ａｌの領域 ５２２４ Ａｌ／Ｇｅの領域 ５３１ レーザービームの照射波形 ５３２ レーザービームの照射波形 ５３３１ グルーブ ５３３２ ランド ５３３３ プリピット ５３３４ 内周方向 ５３３５ 外周方向

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学的に情報の記録再生を行う光記録再
   生媒体において、該媒体の光学特性を調整する反射層は
   少なくとも２種類以上の元素の層で構成された積層構造
   体であって、その特定部分に膜厚方向における構成元素
   の濃度分布が変化している領域を設けたことを特徴とす
   る光記録再生媒体。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光記録再生媒体におい
   て、前記膜厚方向における構成元素の濃度分布が変化し
   ている領域が、光入射方向から見て、光の移動方向に対
   して平行なストライプ形状である光記録再生媒体。
3. 【請求項３】 請求項１記載の光記録再生媒体におい
   て、前記膜厚方向における構成元素の濃度分布が変化し
   ている領域が、光入射方向から見て、光の移動方向に対
   して平行に配置された連続もしくは不連続の円形または
   長円形である光記録再生媒体。
4. 【請求項４】 請求項１、２、または３記載の光記録再
   生媒体からの反射光強度の時間変化を検出することによ
   り記録再生の位置制御を行うことを特徴とする光記録再
   生方法。
5. 【請求項５】 光記録再生媒体の光学特性を調整する反
   射層が少なくても２種類以上の元素の層で構成された積
   層構造体よりなる光記録再生媒体を用いて、その反射層
   に構成元素の濃度分布変化領域を形成するに際し、記録
   再生を行う光の照射方向と対峙する方向から光を照射す
   ることを特徴とする請求項１、２、または３記載の光記
   録再生媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 光記録再生媒体の光学特性を調整する反
   射層が少なくても２種類以上の元素の層で構成された積
   層構造体よりなる光記録再生媒体を用いて、その反射層
   に構成元素の濃度分布変化領域を形成するに際し、記録
   再生を行う光の照射方向から、記録再生を行う際に使用
   する光を照射することを特徴とする請求項１、２、また
   は３記載の光記録再生媒体の製造方法。