JP2001168685A - フリップフロップ回路 - Google Patents

フリップフロップ回路

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JP2001168685A
JP2001168685A JP34633899A JP34633899A JP2001168685A JP 2001168685 A JP2001168685 A JP 2001168685A JP 34633899 A JP34633899 A JP 34633899A JP 34633899 A JP34633899 A JP 34633899A JP 2001168685 A JP2001168685 A JP 2001168685A
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Katsuji Ikeda
勝治 池田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 例えば、ロジック回路とDRAMセル回路が
混載される構成の半導体装置自体と比較して、工程数の
実質的な増加を引き起こさないで、アナログ容量素子を
付設する構成の半導体装置の提供。 【解決手段】 DRAMセル部に対して、付け加わるア
ナログ容量素子を、下部電極5はゲート電極4と、接続
孔の側壁絶縁膜9は容量絶縁膜10と、上部電極12は
ビット線と、それぞれ共通の材料・パターニングにより
作製する構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフリップフロップ回
路に関し、特にマスタースレーブ型フリップフロップ回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来用いられていたマスタースレーブ型
フリップフロップ回路の1例を図7に回路図で示す。こ
のフリップフロップで用いられる以下のトランスファゲ
ートはすべてPMOSトランジスタとNMOSトランジ
スタとのソース・ドレインを対としたトランスファゲー
トであり、これを単にトランスファゲートと称する。
【0003】図7のマスタースレーブ型フリップフロッ
プ回路では、データ入力端子701がマスターラッチ部
731のデータ入力に接続され、マスターラッチ部73
1の出力はスレーブラッチ部732のデータ入力に接続
され、スレーブラッチ部032の出力は出力端子703
に接続されている。
【0004】マスターラッチ部731の内部はデータ入
力701が第1のトランスファゲート711に接続さ
れ、第1のトランスファゲート711の反対側の出力は
第1の反転回路715の入力に接続し、第1の反転回路
715の出力がデータとしてスレーブラッチ部732に
出力されると共に次段の第2の反転回路716の入力に
接続し、第2の反転回路716の出力は第2のトランス
ファゲート712に接続し、第2のトランスファゲート
712の出力は前述の第1のトランスファゲート711
の出力と共通に第1の反転回路715の入力に接続され
る。
【0005】第1のトランスファゲート711のゲート
入力は後述のクロックc/クロックcbに接続され、P
MOS側がクロックc、NMOS側がクロックcbに接
続される。第2のトランスファゲート712のゲート入
力はPMOS側がクロックcb、NMOS側がクロック
cに接続される。
【0006】同様にスレーブラッチ部732の内部は、
第1の反転回路715からのデータ入力が第3のトラン
スファゲート713に接続され、第3のトランスファゲ
ート713の反対側の出力が第3の反転回路717の入
力に接続し、第3の反転回路717の出力が出力Dとし
て外部に出力されると共に次段の第4の反転回路718
の入力に接続し、第4の反転回路718の出力は第4の
トランスファゲート714に接続し、第4のトランスフ
ァゲート714の出力は前述の第3のトランスファゲー
ト713と共通に第3の反転回路717の入力に接続さ
れる。
【0007】第3のトランスファゲート713のゲート
入力はPMOS側がクロックcb、NMOS側がクロッ
クcに接続され、第4のトランスファゲート714のゲ
ート入力はPMOS側がクロックc、NMOS側がクロ
ックcbに接続される。
【0008】クロック入力端子702は第5の反転回路
723の入力端子に接続され、第5の反転回路723の
出力は第6の反転回路724の入力端子に接続される。
第5の反転回路723の出力をクロックcb、第6の反
転回路724の出力をクロックcとし、いずれもが上述
のようにマスターラッチ部731、スレーブラッチ部7
32にクロックとして接続される。
【0009】このように従来のフリップフロップ回路で
はクロック信号が動作する度に内部のクロックも動作し
ていた。CMOS集積回路でこのフリップフロップを使
用していた場合、最近の集積回路は高集積、高速になっ
ているため、フリップフロップのクロック信号だけでも
莫大な消費電力を消費する。従って、フリップフロップ
内の消費電力を削減する手段が必要となってきた。
【0010】図8は特願平9−232920号公報に開
示された低消費電力型のマスタースレーブ型フリップフ
ロップ回路の回路図である。このフリップフロップ回路
はクロック入力信号CKを入力するためのクロック入力
端子802と、データ入力信号Dを入力するためのデー
タ入力端子801と、出力信号Qを出力するための出力
端子803とを有する。
【0011】そして第1のpMOSトランスファゲート
811の一端と第2のpMOSトランスファゲート81
2の一端とを電源線805に接続し、第1および第2の
pMOSトランスファゲート811、812のゲート電
極を共通接続してクロック入力端子802に接続し、第
1のpMOSトランスファゲート811の他端を第3の
nMOSトランスファゲート813の一端と接続し、第
2のpMOSトランスファゲート812の他端を第4の
nMOSトランスファゲート814の一端と接続し、第
3のnMOSトランスファゲート813のゲート電極が
データ入力端子801に接続し、第5の反転回路827
の入力点がデータ入力端子801と接続し、第4のnM
OSトランスファゲート814のゲート電極が第5の反
転回路827の出力点と接続し、第3のnMOSトラン
スファゲート813の他端が第1の反転回路815の入
力点と接続し、第4のnMOSトランスファゲート81
4の他端が第1の反転回路815の出力点と接続し、第
1の反転回路815の出力点は第2の反転回路816の
入力点と接続し、第2の反転回路816の出力点は第1
の反転回路815の入力点と接続して、第1および第2
の反転回路815、816をマスターラッチ部831と
している。
【0012】また、第5のnMOSトランスファゲート
821の一端と第6のnMOSトランスファゲート82
2の一端とをグランド線806に接続し、第5および第
6のpMOSトランスファゲート821、822のゲー
ト電極を共通接続してクロック入力端子802に接続
し、第5のnMOSトランスファゲート821の他端を
第7のnMOSトランスファゲート823の一端と接続
し、第6のnMOSトランスファゲート822の他端を
第8のnMOSトランスファゲート824の一端と接続
し、第7のnMOSトランスファゲート823のゲート
電極をマスタラッチ部831を構成する第2の反転回路
816の出力点に接続し、第8のnMOSトランスファ
ゲート824のゲート電極をマスタラッチ部831を構
成する第1の反転回路815の出力点に接続し、第7の
nMOSトランスファゲート823の他端を第3の反転
回路825の入力点と接続し、第8のnMOSトランス
ファゲート824の他端を第4の反転回路826の入力
点と接続し、第3の反転回路825の出力点は第4の反
転回路826の入力点と接続し、第4の反転回路826
の出力点を第3の反転回路825の入力点と接続して、
第3および第4の反転回路825、826をスレーブラ
ッチ部832としている。そして第4の反転回路826
の出力点に第6の反転回路828の入力点を接続し、第
6の反転回路828の出力点を出力端子803に接続し
ている。
【0013】クロック入力信号CKにより直接、第1お
よび第2のpMOSトランスファゲート811、812
と、第5および第6のnMOSトランスファゲート82
1、822とを導通または非導通状態にしていることか
ら反転クロック入力信号および反転クロック信号生成用
反転回路が不要であり回路の消費電力を著しく削減で
き、動作速度も速くなる。
【0014】図9は特願平10−41789号公報に開
示された低消費電力型のマスタースレーブ型フリップフ
ロップ回路の回路図である。このフリップフロップ回路
はクロック入力信号CKを入力するためのクロック入力
端子902と、データ入力信号Dを入力するためのデー
タ入力端子901と、出力信号Qを出力するための出力
端子903とを有する。
【0015】データDを入力するためのデータ入力端子
901がマスターラッチ部931のデータ入力に接続さ
れ、マスターラッチ部931の出力はスレーブラッチ部
932のデータ入力に接続され、スレーブラッチ部93
2の出力は出力端子903に接続され出力Qとなる。ク
ロックCKはクロック入力端子902より入力する。
【0016】このフリップフロップで用いられる以下の
トランスファゲートはすべてPMOSトランジスタとN
MOSトランジスタとのソース・ドレインを対としたト
ランスファゲートであり、これを単にトランスファゲー
トと称する。
【0017】マスターラッチ部931の内部ではデータ
入力901が第1のトランスファゲート911に接続さ
れ、第1のトランスファゲート911の反対側の出力は
第1の反転回路915の入力に接続し、第1の反転回路
915の出力がデータとしてスレーブラッチ部932に
出力されると共に次段の第2の反転回路916の入力に
接続し、第2の反転回路916の出力は第2のトランス
ファゲート912に接続し、第2のトランスファゲート
912の出力は前述の第1のトランスファゲート911
の出力と共通に第1の反転回路915の入力に接続され
る。
【0018】第1のトランスファゲート911のゲート
入力は後述のクロックc/クロックcbに接続され、P
MOS側がクロックc、NMOS側がクロックcbに接
続される。第2のトランスファゲート912のゲート入
力はPMOS側がクロックcb、NMOS側がクロック
cに接続される。
【0019】同様にスレーブラッチ部932の内部は第
1の反転回路915からのデータ入力が第3のトランス
ファゲート913に接続され、第3のトランスファゲー
ト913の反対側の出力が第3の反転回路917の入力
に接続し、第3の反転回路917の出力が次段の第4の
反転回路918の入力に接続し、第4の反転回路918
の出力は第4のトランスファゲート914に接続し、第
4のトランスファゲート914の出力は前述の第3のト
ランスファゲート913と共通に第3の反転回路917
の入力に接続されるとともに外部に出力され第5の反転
回路919で反転されて出力端子903から出力Qとし
て出力される。
【0020】第3のトランスファゲート913のゲート
入力はPMOS側がクロックcb、NMOS側がクロッ
クcに接続され、第4のトランスファゲート914のゲ
ート入力はPMOS側がクロックc、NMOS側がクロ
ックcbに接続される。
【0021】マスターラッチ部931の出力Aとスレー
ブラッチ部932の第3のトランスファゲート913の
出力Bとは比較回路921で比較され出力904に出力
される。一方、NOR回路922の入力端子はクロック
入力端子902と出力904に接続され、出力905と
して出力される。その出力905は第6の反転回路92
3の入力に接続される。出力905をクロックcb、反
転回路923の出力をクロックcとし、いずれもが上述
のようにマスターラッチ部931、スレーブラッチ部9
32にクロックとして接続される。
【0022】入力データDが変化しない限り、クロック
回路の入力側に設けられた比較回路921の出力によ
り、システムクロックはクロック回路920で遮断さ
れ、ゲート信号cb、cは固定されている。入力データ
Dが変化しない限り、クロック回路はシステムクロック
により動作しないため、クロック回路で消費される電力
は低減される。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特願平9−2
32920号公報に開示された低消費電力型のマスター
スレーブ型フリップフロップ回路では、pMOSトラン
ジスタとnMOSトランジスタを別々にしかも直列に接
続している。一般にpMOSトランジスタはHのとき、
nMOSトランジスタはLのときソース・ドレイン間に
電圧降下(約0.7V)を生ずる。従ってそれを直列に
接続している場合には、安定動作をしないおそれがある
という問題点がある。
【0024】また、特願平10−41789号公報に開
示された低消費電力型のマスタースレーブ型フリップフ
ロップ回路では、クロック入力に反転回路を設けていな
いので、クロック信号CKがHの間に入力信号Aと出力
信号Bが違ってしまうとcb、cにノイズが発生してし
まい、誤動作を起こす可能性があるという問題点があ
る。
【0025】本発明の目的は、低消費電力型であると共
に誤動作を起こすおそれのないマスタースレーブ型のフ
リップフロップ回路を提供することにある。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明のフリップフロッ
プ回路は、データ入力端子とクロック入力端子と出力端
子、およびマスターラッチ部とスレーブラッチ部を有
し、そのマスターラッチ部の入力がそのデータ入力端子
と接続され、そのマスターラッチ部の出力がそのスレー
ブラッチ部の入力に接続され、そのスレーブラッチ部の
出力が出力端子に接続されているフリップフロップ回路
において、マスターラッチ部の入力とスレーブラッチ部
の出力とを比較する比較回路、クロック入力端子から入
力するクロック入力に接続される第6の反転回路、その
比較回路の出力とその第6の反転回路の出力とクロック
入力との論理積を行う第1のNAND回路、およびその
第1のNAND回路の出力と接続される第5の反転回路
とを有し、その第5の反転回路の出力とその第1のNA
ND回路の出力とはいずれもそのマスターラッチ部とそ
のスレーブラッチ部にそれぞれ第1の補助クロック信号
および第2の補助クロック信号として入力する。
【0027】フリップフロップ回路の入力の値と出力の
値とを比較してクロック信号を制御することにより、入
力の値と出力の値が同じ場合は内部のクロック信号を止
め、入力信号と出力信号が違う時のみ、クロック信号を
動作させることにより、フリップフロップ内の消費電力
を低減することができる。
【0028】このフリップフロップで用いられるトラン
スファゲートはすべてPMOSトランジスタとNMOS
トランジスタとのソース・ドレインを対としたトランス
ファゲートであるので、pMOSトランジスタとnMO
Sトランジスタを別々にしかも直列に接続していた従来
例のような安定動作をしないという問題点は発生しな
い。
【0029】さらに、クロック入力に反転回路が設けて
いるので、クロック信号がHの間に入力信号と出力信号
とが違ってしまっても第1の補助クロック信号、第2の
補助クロック信号にノイズが発生することがなく、クロ
ック入力に反転回路を設けていない従来例のような誤動
作を起こす可能性がない。
【0030】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施
の形態のマスタースレーブ型のフリップフロップ回路の
回路図である。本発明の第1の実施の形態のフリップフ
ロップ回路は、データDを入力するデータ入力端子10
1とクロックCKを入力するクロック入力端子102と
外部に出力Qを出力する出力端子103、およびマスタ
ーラッチ部131とスレーブラッチ部132とを有して
いる。マスターラッチ部131の入力はデータ入力端子
101と接続し、マスターラッチ部131の出力はスレ
ーブラッチ部132の入力に接続され、スレーブラッチ
132部の出力は出力端子103に接続されている。
【0031】さらに、このフリップフロップ回路はマス
ターラッチ部131の入力とスレーブラッチ部132の
出力とを比較する比較回路121と、クロック入力端子
102に接続される第6の反転回路124と、比較回路
121の出力と第6の反転回路124の出力およびクロ
ック入力端子102の出力との論理積を行うNAND回
路122と、NAND回路122の出力と接続する第5
の反転回路123とを有する。NAND回路122の出
力と第5の反転回路123の出力とはそれぞれマスター
ラッチ部131とスレーブラッチ部132とに補助クロ
ック入力cb、cとして接続されている。
【0032】このフリップフロップで用いられる以下の
トランスファゲートはすべてPMOSトランジスタとN
MOSトランジスタとのソース・ドレインを対としたト
ランスファゲートであり、これを単にトランスファゲー
トと称する。
【0033】マスターラッチ部131の内部ではデータ
入力101が第1のトランスファゲート111に接続さ
れ、第1のトランスファゲート111の反対側の出力は
第1の反転回路115の入力に接続し、第1の反転回路
115の出力はスレーブラッチ部132のデータ入力と
して出力されると共に次段の第2の反転回路116の入
力に接続し、第2の反転回路116の出力は第2のトラ
ンスファゲート112に接続し、第2のトランスファゲ
ート112の出力は前述の第1のトランスファゲート1
11の出力と共通に第1の反転回路115の入力に接続
される。
【0034】第1のトランスファゲート111のゲート
入力は後述のクロックc/クロックcbに接続され、P
MOS側がクロックc、NMOS側がクロックcbに接
続される。第2のトランスファゲート112のゲート入
力はPMOS側がクロックcb、NMOS側がクロック
cに接続される。
【0035】同様にスレーブラッチ部132の内部はデ
ータ入力が第3のトランスファゲート113に接続さ
れ、第3のトランスファゲート113の反対側の出力が
第3の反転回路117の入力に接続し、第3の反転回路
117の出力が次段の第4の反転回路118の入力に接
続するとともに出力端子103から出力Dとして出力さ
れ、第4の反転回路118の出力は第4のトランスファ
ゲート114に接続し、第4のトランスファゲート11
4の出力は前述の第3のトランスファゲート113と共
通に第3の反転回路117の入力に接続される。
【0036】第3のトランスファゲート113のゲート
入力はPMOS側がクロックcb、NMOS側がクロッ
クcに接続され、第4のトランスファゲート114のゲ
ート入力はPMOS側がクロックc、NMOS側がクロ
ックcbに接続される。
【0037】マスターラッチ部131の入力101とス
レーブラッチ部132の出力103とは比較回路121
で比較され出力104に出力される。一方、第6の反転
回路124の入力端子はクロック入力端子102に接続
され、出力105として出力される。その出力105、
比較回路121の出力104、およびクロック入力端子
102の出力をNAND回路122で論理積を取り反転
する。NAND回路122の出力は第5の反転回路12
3の入力に接続される。第5のNAND回路122の出
力をクロックcb、反転回路123の出力をクロックc
とし、それぞれが上述のようにマスターラッチ部13
1、スレーブラッチ部132に補助クロックとして接続
される。
【0038】以下、本発明の第1の実施の形態のフリッ
プフロップ回路の動作について図1の回路図と図2のタ
イミングチャートを使用して説明する。
【0039】データ入力端子101、クロック入力端子
102の信号はそのまま入力信号101、クロック信号
102として入力されたとする。クロック信号102が
Lの時はNAND回路122の出力cbはHになり、第
5の反転回路123の出力クロックcはLになる。第1
のトランスファゲート111のゲート入力のクロックc
/クロックcbがL/Hの時トランスファゲートのPM
OSトランジスタ/NMOSトランジスタがそれぞれO
N状態となるため、データ入力101と第1の反転回路
115の入力は導通状態となり、入力信号101は第1
の反転回路115にて反転される。同様に第2の反転回
路116により第1の反転回路115の出力は反転され
て出力されるが、第2のトランスファゲート112のゲ
ート入力はクロックc/クロックcbはL/Hとなるた
め、PMOSトランジスタ/NMOSトランジスタがそ
れぞれOFF状態となり、信号は遮断される。
【0040】この時、反対にスレーブラッチ部132の
出力信号103は、第3のトランスファゲート113の
ゲート入力のクロックc/クロックcbはL/Hでトラ
ンスファゲートのPMOSトランジスタ/NMOSトラ
ンジスタがそれぞれOFF状態となるため、マスターラ
ッチ部131の出力と第3の反転回路117の入力とは
遮断され、一方、第3の反転回路117の出力は第4の
反転回路118にて反転されて出力され、第4のトラン
スファゲート114のゲート入力はクロックc/クロッ
クcbはL/Hとなるため、PMOSトランジスタ/N
MOSトランジスタがそれぞれON状態となり、第4の
反転回路118の出力と第3の反転回路117の入力と
は導通状態となる。
【0041】出力信号103は第4の反転回路118で
反転され、第3の反転回路117で再び反転されるの
で、安定した信号が保持された状態で出力される。
【0042】ここで入力信号101と出力信号103が
違う場合にクロック信号102がLからHに変化した場
合を図2のタイミングチャートを使い説明する。
【0043】入力信号101と出力信号103の値が同
じ場合は比較回路121の出力104の値はLとなり、
入力信号101と出力信号103の値が違う場合は比較
回路121の出力104はHとなる。
【0044】一方、クロック信号102に接続されてい
る第6の反転回路124の出力は、クロック信号102
の反転信号が第6の反転回路124の遅延時間だけずれ
て反転クロック信号105として出力される。
【0045】入力信号101がLからHに変化すると、
入力信号101と出力信号103の値が異なるので比較
回路121の比較回路出力104は回路の遅延時間だけ
ずれてHとなる。比較回路121の出力104がHの
時、クロック信号102がLからHに変化すると、反転
回路124の遅延時間分だけずれてNAND回路122
の出力クロックcbはLになり、次段の反転回路123
の出力クロックcはHになる。
【0046】クロックcがLからHになりクロックcb
がHからLになることにより、マスターラッチ部131
の第1のトランスファゲート111は導通状態から遮断
状態になり、反対に第2のトランスファゲート112は
遮断状態から導通状態になる。第2のトランスファゲー
ト112が導通状態になることにより、第1の反転回路
115の出力と第2の反転回路116の出力は互いに信
号を反転することにより、第1の反転回路115の入力
信号は第1のトランスファゲート111が遮断する直前
の値の信号101のHが保持される。次にスレーブラッ
チ部132は第3のトランスファゲート113が遮断状
態から導通状態になり、第4のトランスファゲート11
4は導通状態から遮断状態になり、これまでLであった
出力信号103は第1の反転回路115の入力として保
持されている値のHが第1の反転回路115と第3の反
転回路117の2段を通すことにより、そのままHに変
化して出力される。
【0047】ここで、出力信号103が変化した直後は
入力信号101の値と出力信号103の値とが同じにな
るので、比較回路121の出力104はHからLに変化
する。従って、NAND回路122の出力クロックcb
はLからHへ、第5の反転回路123の出力クロックc
はHからLに変化する。
【0048】クロックc/クロックcbの値が元に戻る
ことにより、マスターラッチ部131とスレーブラッチ
部132の状態も最初に戻る。
【0049】入力信号101が出力信号103と同じ場
合は比較回路121の出力104はLの状態を継続する
ので、クロック信号102が変化しても、NAND回路
122の出力クロックcbはHのまま、第5の反転回路
124の出力クロックcはLのまま変化しないので、ス
レーブラッチ部132の第3のトランスファゲート11
3は遮断状態のままとなり出力信号103は変わらず、
次に入力信号101が変化するまで安定した動作を継続
する。
【0050】このように、入力信号101が変化しない
限りマスターラッチ部131とスレーブラッチ部132
のトランスファーゲートのクロック入力は変化しないの
で電力の消費が節減できる。
【0051】またこのフリップフロップで用いられるト
ランスファゲートはすべてPMOSトランジスタとNM
OSトランジスタとのソース・ドレインを対としたトラ
ンスファゲートであるので、pMOSトランジスタとn
MOSトランジスタを別々にしかも直列に接続していた
従来例のような安定動作をしないという問題点は発生し
ない。
【0052】さらに、クロック入力に反転回路が設けて
いるので、クロック信号CKがHの間に入力信号101
と出力信号103とが違ってしまってもcb、cにノイ
ズが発生することがなく、クロック入力に反転回路を設
けていない従来例のような誤動作を起こす可能性がな
い。
【0053】次に、本発明の第2の実施の形態について
図面を参照して説明する。図3は本発明の第2の実施の
形態のマスタースレーブ型のフリップフロップ回路の回
路図である。本発明第2の実施の形態のフリップフロッ
プ回路は、第1の実施の形態のフリップフロップ回路を
セット付きのフリップフロップ回路としたものであり、
外部からのセット信号241の入力が追加され、第2の
反転回路116が第2のNAND回路216に、第3の
反転回路117が第3のNAND回路217に変更さ
れ、第2のNAND回路216と第3のNAND回路2
17とにセット信号241が入力する以外は第1の実施
の形態と同じなので、第1の実施の形態と同じ回路には
同じ参照番号を付して説明する。
【0054】セット信号241がLの状態では、第2の
NAND回路216と第3のNAND回路217とはも
う一方の入力信号に係わらずHの状態となるので、マス
ターラッチ部131とスレーブラッチ部132は共に作
動せず強制的に出力103はHとしてセットされる。
【0055】セット信号241がHの状態となると、第
2のNAND回路216は第2の反転回路116と同様
に、第3のNAND回路217は第3の反転回路117
と同様に動作するので、フリップフロップ回路は上述の
第1の実施の形態と同じ動作を行う。動作の説明は省略
するが、入力信号101が変化しない限りマスターラッ
チ部131とスレーブラッチ部132のトランスファー
ゲートのクロック入力は変化しないので電力の消費が節
減できる。
【0056】次に、本発明の第3の実施の形態について
図面を参照して説明する。図4は本発明の第3の実施の
形態のマスタースレーブ型のフリップフロップ回路の回
路図である。本発明第3の実施の形態のフリップフロッ
プ回路は、第1の実施の形態のフリップフロップ回路を
リセット付きのフリップフロップ回路としたものであ
り、外部からのリセット信号342の入力が追加され、
第1の反転回路115が第2のNAND回路315に、
第4の反転回路118が第3のNAND回路318に変
更され、第2のNAND回路315と第3のNAND回
路318とにリセット信号342が入力する以外は第1
の実施の形態と同じなので、第1の実施の形態と同じ回
路には同じ参照番号を付して説明する。
【0057】リセット信号342がHの状態では、第2
のNAND回路315は第1の反転回路115と同様
に、第3のNAND回路318は第4の反転回路118
と同様に動作するので、フリップフロップ回路は上述の
第1の実施の形態と同じ動作を行う。動作の説明は省略
するが、入力信号101が変化しない限りマスターラッ
チ部131とスレーブラッチ部132のトランスファー
ゲートのクロック入力は変化しないので電力の消費が節
減できる。
【0058】セット信号241がLに変化すると、第2
のNAND回路315と第3のNAND回路318と
は、もう一方の入力信号に係わらずHの状態となるの
で、出力信号103は強制的にLとしてリセットされ
る。
【0059】次に、本発明の第4の実施の形態について
図面を参照して説明する。図5は本発明の第4の実施の
形態のマスタースレーブ型のフリップフロップ回路の回
路図である。本発明の第4の実施の形態のフリップフロ
ップ回路は、第1の実施の形態のフリップフロップ回路
をセットならびにリセット付きのフリップフロップ回路
としたものであり、外部からのセット信号441の入力
とリセット信号442との入力とが追加され、第1の反
転回路115が第2のNAND回路415に、第2の反
転回路116が第3のNAND回路416に、第3の反
転回路117が第4のNAND回路417に、第4の反
転回路118が第5のNAND回路418に変更され、
第3のNAND回路416と第4のNAND回路417
とにセット信号441が入力し、第2のNAND回路4
15と第5のNAND回路418とにリセット信号44
2が入力する以外は第1の実施の形態と同じなので、第
1の実施の形態と同じ回路には同じ参照番号を付して説
明する。
【0060】第4の実施の形態は第2の実施の形態のセ
ット回路と第3の実施の形態のリセット回路を組みあわ
せたものであり、動作は第2の実施の形態と第3の実施
の形態の組み合わせとなるので詳細の説明は省略する。
【0061】次に、本発明の第5の実施の形態について
図面を参照して説明する。図6は本発明の第5の実施の
形態のマスタースレーブ型のフリップフロップ回路の回
路図である。本発明の第5の実施の形態のフリップフロ
ップ回路は、第1の実施の形態のフリップフロップ回路
をスキャン付きのフリップフロップ回路としたものであ
り、入力信号101とスキャン制御信号541とが入力
する第1のAND回路551と、スキャン信号542と
補助スキャン制御信号543とが入力する第2のAND
回路552と、第1のAND回路551と第2のAND
回路552との出力が入力するNOR回路553とが設
けられ、NOR回路553の出力が第1のトランスファ
ーゲート111に入力する以外は第1の実施の形態と同
じなので、第1の実施の形態と同じ回路には同じ参照番
号を付して説明する。
【0062】スキャン制御信号541がHの場合は、補
助スキャン制御信号543はLとなり、入力信号101
を入力した上述の第1の実施の形態と同じ動作を行う。
【0063】スキャン制御信号541がLの場合は、補
助スキャン制御信号543はHとなり、スキャン入力信
号542を入力として、やはり上述の第1の実施の形態
と同じ動作を行う。
【0064】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、フリッ
プフロップ回路の入力の値と出力の値とを比較してクロ
ック信号を制御することにより、入力の値と出力の値と
が同じ場合は内部のクロック信号を止め、入力信号と出
力信号が違う時のみ、クロック信号を動作させることに
より、フリップフロップ内の消費電力を低減することが
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態のマスタースレーブ
型のフリップフロップ回路の回路図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態のマスタースレーブ
型のフリップフロップ回路のタイミングチャートであ
る。
【図3】本発明の第2の実施の形態のマスタースレーブ
型のフリップフロップ回路の回路図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態のマスタースレーブ
型のフリップフロップ回路の回路図である。
【図5】本発明の第4の実施の形態のマスタースレーブ
型のフリップフロップ回路の回路図である。
【図6】本発明の第5の実施の形態のマスタースレーブ
型のフリップフロップ回路の回路図である。
【図7】従来用いられていたマスタースレーブ型フリッ
プフロップ回路の回路図である。
【図8】特願平9−232920号公報に開示された低
消費電力型のマスタースレーブ型フリップフロップ回路
の回路図である。
【図9】特願平10−41789号公報に開示された低
消費電力型のマスタースレーブ型フリップフロップ回路
の回路図である。
【符号の説明】
101、701、801、901 データ入力端子 102、702、802、902 クロック入力端子 103、703、803、903 出力端子 104、105、904、905 出力 111、711、811、911 第1のトランスフ
ァゲート 112、712、812、912 第2のトランスフ
ァゲート 113、713、813、913 第3のトランスフ
ァゲート 114、714、814、914 第4のトランスフ
ァゲート 115、715、815、915 第1の反転回路 116、716、816、916 第2の反転回路 117、717、825、917 第3の反転回路 118、718、826、918 第4の反転回路 121、921 比較回路 122 第1のNAND回路 123、723、919 第5の反転回路 124、724、923 第6の反転回路 131、731、831 マスターラッチ部 132、732、832 スレーブラッチ部 216、315、415 第2のNAND回路 217、318、416 第3のNAND回路 241、441 セット信号端子 342、442 リセット信号端子 417 第4のNAND回路 418 第5のNAND回路 541 スキャン制御信号入力端子 542 スキャン信号入力端子 543 補助スキャン制御信号入力端子 551 第1のAND回路 552 第2のAND回路 553 NOR回路 805 電源線 806 グランド線 821 第5のトランスファゲート 822 第6のトランスファゲート 823 第7のトランスファゲート 824 第8のトランスファゲート 827 第5の反転回路 828 第6の反転回路 922 NOR回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データ入力端子とクロック入力端子と出
    力端子、およびマスターラッチ部とスレーブラッチ部を
    有し、該マスターラッチ部の入力が該データ入力端子と
    接続され、該マスターラッチ部の出力が該スレーブラッ
    チ部の入力に接続され、該スレーブラッチ部の出力が前
    記出力端子に接続されているフリップフロップ回路にお
    いて、 前記マスターラッチ部の入力と前記スレーブラッチ部の
    出力とを比較する比較回路、前記クロック入力端子から
    入力するクロック入力に接続される第6の反転回路、該
    比較回路の出力と該第6の反転回路の出力と前記クロッ
    ク入力との論理積を行う第1のNAND回路、および該
    第1のNAND回路の出力と接続される第5の反転回路
    とを有し、 該第5の反転回路の出力と該第1のNAND回路の出力
    とはいずれも該マスターラッチ部と該スレーブラッチ部
    にそれぞれ第1の補助クロック信号および第2の補助ク
    ロック信号として入力することを特徴とするフリップフ
    ロップ回路。
  2. 【請求項2】 前記マスターラッチ部は、第1のトラン
    スファゲートと、第2のトランスファゲートと、第1の
    反転回路と、第2の反転回路とを備え、第1のトランス
    ファゲートと第2のトランスファゲートはPMOSトラ
    ンジスタとNMOSトランジスタとのソース・ドレイン
    を対としたトランスファゲートであり、 データ入力が第1のトランスファゲートに接続され、第
    1のトランスファゲートの反対側の出力は第1の反転回
    路の入力に接続し、第1の反転回路の出力はスレーブラ
    ッチ部のデータ入力として出力されると共に次段の第2
    の反転回路の入力に接続し、第2の反転回路の出力は第
    2のトランスファゲートに接続し、第2のトランスファ
    ゲートの出力は第1のトランスファゲートの出力と共通
    に第1の反転回路の入力に接続され、 第1のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続され、
    第2のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NNOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、 前記スレーブラッチ部は、第3のトランスファゲート
    と、第4のトランスファゲートと、第3の反転回路と、
    第4の反転回路とを備え、第3のトランスファゲートと
    第4のトランスファゲートはPMOSトランジスタとN
    MOSトランジスタとのソース・ドレインを対としたト
    ランスファゲートであり、前記第1の反転回路の出力が
    第3のトランスファゲートに接続され、第3のトランス
    ファゲートの反対側の出力は第3の反転回路の入力に接
    続し、第3の反転回路の出力は外部へ出力されると共に
    次段の第4の反転回路の入力に接続し、第4の反転回路
    の出力は第4のトランスファゲートに接続し、第4のト
    ランスファゲートの出力は第3のトランスファゲートの
    出力と共通に第3の反転回路の入力に接続され、 第3のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、
    第4のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続されて
    いる、請求項1に記載のフリップフロップ回路。
  3. 【請求項3】 さらに、セット信号入力端子を有し、 前記マスターラッチ部は、第1のトランスファゲート
    と、第2のトランスファゲートと、第1の反転回路と第
    2のNAND回路とを備え、第1のトランスファゲート
    と第2のトランスファゲートはPMOSトランジスタと
    NMOSトランジスタとのソース・ドレインを対とした
    トランスファゲートであり、 データ入力が第1のトランスファゲートに接続され、第
    1のトランスファゲートの反対側の出力は第1の反転回
    路の入力に接続し、第1の反転回路の出力はスレーブラ
    ッチ部のデータ入力として出力されると共に次段の第2
    のNAND回路の入力に接続し、第2のNAND回路に
    はさらにセット信号が入力し、第2のNAND回路の出
    力は第2のトランスファゲートに接続し、第2のトラン
    スファゲートの出力は第1のトランスファゲートの出力
    と共通に第1の反転回路の入力に接続され、 第1のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続され、
    第2のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、 前記スレーブラッチ部は、第3のトランスファゲート
    と、第4のトランスファゲートと、第3のNAND回路
    と、第4の反転回路とを備え、第3のトランスファゲー
    トと第4のトランスファゲートはPMOSトランジスタ
    とNMOSトランジスタとのソース・ドレインを対とし
    たトランスファゲートであり、前記第1の反転回路の出
    力が第3のトランスファゲートに接続され、第3のトラ
    ンスファゲートの反対側の出力はセット信号とともに第
    3のNAND回路の入力に接続し、第3のNAND回路
    の出力は外部へ出力されると共に次段の第4の反転回路
    の入力に接続し、第4の反転回路の出力は第4のトラン
    スファゲートに接続し、第4のトランスファゲートの出
    力は第3のトランスファゲートの出力と共通に第3のN
    AND回路の入力に接続され、 第3のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、
    第4のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続されて
    いる、請求項1に記載のフリップフロップ回路。
  4. 【請求項4】 さらに、リセット信号入力端子を有し、 前記マスターラッチ部は、第1のトランスファゲート
    と、第2のトランスファゲートと、第2のNAND回路
    と、第2の反転回路とを備え、第1のトランスファゲー
    トと第2のトランスファゲートはPMOSトランジスタ
    とNMOSトランジスタとのソース・ドレインを対とし
    たトランスファゲートであり、 データ入力が第1のトランスファゲートに接続され、第
    1のトランスファゲートの反対側の出力がリセット信号
    と共に第2のNAND回路の入力に接続し、第2のNA
    ND回路の出力はスレーブラッチ部のデータ入力として
    出力されると共に次段の第2の反転回路の入力に接続
    し、第2の反転回路の出力は第2のトランスファゲート
    に接続し、第2のトランスファゲートの出力は第1のト
    ランスファゲートの出力と共通に第2のNAND回路の
    入力に接続され、 第1のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続され、
    第2のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、 前記スレーブラッチ部は、第3のトランスファゲート
    と、第4のトランスファゲートと、第3の反転回路と、
    第3のNAND回路とを備え、第3のトランスファゲー
    トと第4のトランスファゲートはPMOSトランジスタ
    とNMOSトランジスタとのソース・ドレインを対とし
    たトランスファゲートであり、前記第2のNAND回路
    の出力が第3のトランスファゲートに接続され、第3の
    トランスファゲートの反対側の出力は第3の反転回路の
    入力に接続し、第3の反転回路の出力は外部へ出力され
    ると共に次段の第3のNAND回路の入力に接続し、第
    3のNAND回路にはさらにリセット信号が入力し、第
    3のNAND回路の出力は第4のトランスファゲートに
    接続し、第4のトランスファゲートの出力は第3のトラ
    ンスファゲートの出力と共通に第3の反転回路の入力に
    接続され、 第3のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、
    第4のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続されて
    いる、請求項1に記載のフリップフロップ回路。
  5. 【請求項5】 さらにセット信号入力端子とリセット信
    号入力端子を有し、 前記マスターラッチ部は、第1のトランスファゲート
    と、第2のトランスファゲートと、第2のNAND回路
    と、第3のNAND回路とを備え、第1のトランスファ
    ゲートと第2のトランスファゲートはPMOSトランジ
    スタとNMOSトランジスタとのソース・ドレインを対
    としたトランスファゲートであり、 データ入力が第1のトランスファゲートに接続され、第
    1のトランスファゲートの反対側の出力は、リセット信
    号と共に第2のNAND回路の入力に接続し、第2のN
    AND回路の出力はスレーブラッチ部のデータ入力とし
    て出力されると共に次段の第3のNAND回路の入力に
    接続し、第3のNAND回路の入力にはさらにセット信
    号が入力し、第3のNAND回路の出力は第2のトラン
    スファゲートに接続し、第2のトランスファゲートの出
    力は第1のトランスファゲートの出力と共通に第2のN
    AND回路の入力に接続され、 第1のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続され、
    第2のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、 前記スレーブラッチ部は、第3のトランスファゲート
    と、第4のトランスファゲートと、第4のNAND回路
    と、第5のNAND回路とを備え、第3のトランスファ
    ゲートと第4のトランスファゲートはPMOSトランジ
    スタとNMOSトランジスタとのソース・ドレインを対
    としたトランスファゲートであり、前記第2のNAND
    回路の出力が第3のトランスファゲートに接続され、第
    3のトランスファゲートの反対側の出力はセット信号と
    共に第4のNAND回路の入力に接続し、第4のNAN
    D回路の出力は外部へ出力されると共に次段の第5のN
    AND回路の入力に接続し、第5のNAND回路の入力
    にはさらにリセット信号が接続され、第5のNAND回
    路の出力は第4のトランスファゲートに接続し、第4の
    トランスファゲートの出力は第3のトランスファゲート
    の出力と共通に第4のNAND回路の入力に接続され、 第3のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、
    第4のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続されて
    いる、請求項1に記載のフリップフロップ回路。
  6. 【請求項6】 さらに、スキャン制御信号入力端子と、
    スキャン信号入力端子と補助スキャン制御入力端子およ
    び第1のAND回路と第2のAND回路とNOR回路と
    を有し、 前記データ入力とスキャン制御信号とが第1のAND回
    路に入力し、スキャン信号と補助スキャン制御信号とが
    第2のAND回路に入力し、第1のAND回路の出力と
    第2のAND回路の出力とがNOR回路に入力し、NO
    R回路の出力がマスターラッチ部に入力し、 前記マスターラッチ部は、第1のトランスファゲート
    と、第2のトランスファゲートと、第1の反転回路と、
    第2の反転回路とを備え、第1のトランスファゲートと
    第2のトランスファゲートはPMOSトランジスタとN
    MOSトランジスタとのソース・ドレインを対としたト
    ランスファゲートであり、 前記NOR回路の出力が第1のトランスファゲートに接
    続され、第1のトランスファゲートの反対側の出力は第
    1の反転回路の入力に接続し、第1の反転回路の出力は
    スレーブラッチ部のデータ入力として出力されると共に
    次段の第2の反転回路の入力に接続し、第2の反転回路
    の出力は第2のトランスファゲートに接続し、第2のト
    ランスファゲートの出力は第1のトランスファゲートの
    出力と共通に第1の反転回路の入力に接続され、 第1のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続され、
    第2のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、 前記スレーブラッチ部は、第3のトランスファゲート
    と、第4のトランスファゲートと、第3の反転回路と、
    第4の反転回路とを備え、第3のトランスファゲートと
    第4のトランスファゲートはPMOSトランジスタとN
    MOSトランジスタとのソース・ドレインを対としたト
    ランスファゲートであり、前記第1の反転回路の出力が
    第3のトランスファゲートに接続され、第3のトランス
    ファゲートの反対側の出力は第3の反転回路の入力に接
    続し、第3の反転回路の出力は外部へ出力されると共に
    次段の第4の反転回路の入力に接続し、第4の反転回路
    の出力は第4のトランスファゲートに接続し、第4のト
    ランスファゲートの出力は第3のトランスファゲートの
    出力と共通に第3の反転回路の入力に接続され、 第3のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第2の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第1の補助クロック信号に接続され、
    第4のトランスファゲートのPMOS側のゲート入力は
    前記第1の補助クロック信号に接続され、NMOS側の
    ゲート入力は前記第2の補助クロック信号に接続されて
    いる、請求項1に記載のフリップフロップ回路。
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