JP2001168410A

JP2001168410A - 分極処理方法及びその装置

Info

Publication number: JP2001168410A
Application number: JP36361999A
Authority: JP
Inventors: Masahito Kawashima; 雅人川島; Nobuyuki Miyagawa; 展幸宮川; Makoto Nishimura; 真西村; Tomihiro Taniguchi; 富洋谷口; Toru Yoshida; 亨吉田
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1999-09-27
Filing date: 1999-12-22
Publication date: 2001-06-22
Anticipated expiration: 2019-12-22
Also published as: JP4110696B2

Abstract

(57)【要約】【課題】分極処理を確実におこなうとともに、選択し
た部分の分極をおこなうことができ、かつ、分極処理装
置を簡素化する。【解決手段】基板１を２枚の加熱プレート２ａ，２ｂ
で挟み込み保持し、基板１の両面に形成した電極３ａ，
３ｂにプローブ４ａ，４ｂを接触させ、加熱させるとと
もに電圧をかける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、分極処理装置及び
その装置に関し、詳しくは、焦電素子等の薄い基板の分
極処理を分極反転を生じさせることなく確実におこなう
とともに、分極処理装置を簡素化しようとする技術に係
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば、ＬｉＴａＯ₃の結晶を引
き上げたインゴットＡに電圧（例えば、５Ｖ／ｃｍ）を
加えて分極処理をおこない、このようなインゴットＡか
ら電界方向に分極軸を持つウエハＢを切り出すのである
［図３５（ａ）参照］。そのウエハＢにスライス加工を
おこなって所望の厚さ（例：数十μｍ）に研磨するので
ある［図３５（ｂ）参照］。その後、そのウエハに配線
・電極を蒸着して素子を得るものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
ては、初期の段階で分極処理をおこなうことから、以後
の工程中に分極反転が生じることがあり、又、電極を蒸
着した部分だけを選択的に分極することができない等と
いう問題があった。

【０００４】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、分極処理を分極反転を生じさせることなく
確実におこなうとともに、選択した部分の分極をおこな
うことができ、かつ、分極処理装置を簡素化することが
できる分極処理方法及びその装置を提供することを課題
とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１においては、基
板１を２枚の加熱プレート２ａ，２ｂで挟み込み保持
し、基板１の両面に形成した電極３ａ，３ｂにプローブ
４ａ，４ｂを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけ
ることにより分極をおこなうことを特徴とするものであ
る。このような構成によれば、２枚の加熱プレート２
ａ，２ｂによって薄い基板１であっても変形させること
なく保持することができ、基板１にプローブ４ａ，４ｂ
を安定的に当接させて電気的処理をおこなうことがで
き、かつ、上下の加熱プレート２ａ，２ｂによって基板
１を上下から均一に加熱することから、薄い基板１にお
いても割れを防止することができ、基板１内に温度差が
生じることがなく、均一な分極処理がおこなえる。

【０００６】請求項２においては、基板１を挟み込み保
持する２枚の加熱プレート２ａ，２ｂと、基板１の両面
に形成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，
４ｂと、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電源とを
備えていることを特徴とするものである。このような構
成によれば、請求項１と同様な作用を得ることができ
る。

【０００７】請求項３においては、加熱プレート２ａ，
２ｂが、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとから
構成されていることを特徴とするものである。このよう
な構成によれば、基板１の材料や分極処理条件によって
熱伝達板６ａ，６ｂの材質を選択することができ、基板
１の材料に応じた適正な分極処理がおこなえる。

【０００８】請求項４においては、下の熱伝達板６ｂの
下に１個の熱源盤５ｂを配し、下の熱伝達板６ｂより上
の熱伝達板６ａに熱伝達可能に構成していることを特徴
とするものである。このような構成によれば、１個の熱
源盤５ｂによって上下の熱伝達板６ａ，６ｂを加熱する
ことができ、装置を簡素化することができるとともに１
個の熱源盤５ｂによって基板１を均一に加熱することが
できる。

【０００９】請求項５においては、熱源盤５ａ，５ｂと
熱伝達板６ａ，６ｂとが分離可能に構成されていること
を特徴とするものである。このような構成によれば、熱
伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂを分離すること
で、基板１の冷却時間を短くできる。

【００１０】請求項６においては、熱源盤５ａ，５ｂと
熱伝達板６ａ，６ｂとの接合箇所に凹溝７及び凸条８を
備えた凹凸嵌合手段９を備えていることを特徴とするも
のである。このような構成によれば、凹溝７及び凸条８
を備えた凹凸嵌合手段９によって熱源盤５ａ，５ｂと熱
伝達板６ａ，６ｂとの位置決めを正確におこなうことが
できながら、凹凸嵌合手段９の嵌合により熱伝導性を高
めることができ、加熱時間を短縮することができ、か
つ、凹溝７及び凸条８が冷却フィンの働きをすることか
ら、冷却時間を短縮することができる。

【００１１】請求項７においては、加熱プレート２ａ，
２ｂに圧電材を使用することを特徴とするものである。
このような構成によれば、誘電体の基板１は帯電しやす
いが、加熱プレート２ａ，２ｂの圧電材によって電気的
な引力・反発力を生じさせることができ、静電気を帯び
た基板１の固定・剥離が容易になる。

【００１２】請求項８においては、加熱プレート２ａ，
２ｂに熱伝導率の大きい材料を使用することを特徴とす
るものである。このような構成によれば、加熱プレート
２ａ，２ｂを例えば、窒化アルミのように鉄に比べて熱
伝導の大きな材料にすることで、熱伝導性を高めること
ができて基板１を均一に加熱しやすくなり、均一な分極
が可能になり、更に、加熱時の基板１の割れを防止する
ことができる。

【００１３】請求項９においては、加熱プレート２ａ，
２ｂに基板１と同じ材料を使用することを特徴とするも
のである。このような構成によれば、基板１の加熱・冷
却時に、基板１と加熱プレート２ａ，２ｂとが共に同じ
量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制する
ことができる。

【００１４】請求項１０においては、加熱プレート２
ａ，２ｂに電気的な絶縁材料を使用することを特徴とす
るものである。このような構成によれば、例えば、基板
１に形成された電極部のみを選択的に分極することが可
能であり、更に、絶縁距離を長くとることができること
から、プローブ４ａ，４ｂに高電圧を印加することが可
能である。

【００１５】請求項１１においては、プローブ４ａ，４
ｂの位置を変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構
成していることを特徴とするものである。このような構
成によれば、基板１への接触圧を調整することにより、
基板１の変形量や電気的接触状態の調整が可能となる。

【００１６】請求項１２においては、下の加熱プレート
２ｂの上に導電性パッド１０を介して載置した基板１の
上に上の加熱プレート２ａを配し、基板１の上方からプ
ローブ４ａを接触させるとともに、導電性パッド１０に
プローブ４ｂを上方から接触させていることを特徴とす
るものである。このような構成によれば、一対のプロー
ブ４ａ，４ｂを共に上方から接触させることができて、
装置を簡素化することができる。

【００１７】請求項１３においては、導電性パッド１０
を基板１の重要部分１１を避けて形成していることを特
徴とするものである。このような構成によれば、基板１
の表裏に高電圧を印加させることができ、したがって、
分極処理が可能になる。

【００１８】請求項１４においては、基板１を挟む加熱
プレート２ａ，２ｂの挟み圧を調整する挟み圧調整手段
１２を備えていることを特徴とするものである。このよ
うな構成によれば、基板１の挟み圧を調整することによ
って、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレート２ａ，
２ｂによって挟むことができ、基板１を適正に挟み、プ
ローブ４ａ，４ｂを適正な接触力にて接触させることが
できる。

【００１９】請求項１５においては、挟み圧調整手段１
２は、ばね力の調整によることを特徴とするものであ
る。このような構成によれば、ばね力によって挟み圧を
容易に調整することができながら、例えば、コイルスプ
リング３１を使用する場合には、挟み圧調整手段１２を
加熱プレート２ａに対してコンパクトに一体化すること
ができる。

【００２０】請求項１６においては、ばね力による挟み
圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂ
の挟み治具２６の操作は、ワンタッチ操作にておこなえ
る構成にしてあることを特徴とするものである。このよ
うな構成によれば、挟み操作をワンタッチにておこなう
ことができ、操作性を高めることができる。

【００２１】請求項１７においては、加熱プレート２ａ
に通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりエアーを吹
出して基板１を加熱プレート２ａから剥離する剥離手段
１４を備えていることを特徴とするものである。このよ
うな構成によれば、加熱プレート２ａの通孔１３から吹
出すエアーによって基板１を加熱プレート２ａから容易
に剥離することができる。

【００２２】請求項１８においては、加熱プレート２ａ
に通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりイオン性の
ガスを含むエアーを吹付けて基板１を加熱プレート２ａ
から剥離する静電気中和型の剥離手段１５を形成してい
ることを特徴とするものである。このような構成によれ
ば、基板１が帯電しても加熱プレート２ａの通孔１３か
ら吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させる
ことができ、簡単に加熱プレート２ａから基板１を剥離
させることができる。

【００２３】請求項１９においては、通孔１３を形成し
た加熱プレート２ａに凹条１６を形成していることを特
徴とするものである。このような構成によれば、基板１
が帯電していても、加熱プレート２ａとの接触面積が凹
条１６によって小さくなるので、帯電による吸着面積が
小さくなるとともに、エアーが凹条１６を介して回り込
むことによって、基板１を簡単に剥離することができ
る。

【００２４】請求項２０においては、基板１の両面に形
成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂ
を基板１の両側に各複数本ずつ備えていることを特徴と
するものである。このような構成によれば、表裏に電極
３ａ，３ｂを形成した１枚の基板１に両面から複数本ず
つのプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、１本の
プローブ４ａ₁が電極３ａに接触していなくても、他の
プローブ４ａ₂が存在していることから、他のプローブ
４ａ₂が接触することができて電極３ａに対する接触の
信頼性を高める。

【００２５】請求項２１においては、基板１の両面に形
成した電極３ａ，３ｂに接触するプローブ４ａ，４ｂ対
毎に高電圧源３２を備えていることを特徴とするもので
ある。このような構成によれば、高電圧源３２によるプ
ローブ４ａ，４ｂ対毎の印加電圧を異ならせることがで
き、例えば、１枚の基板１内に形成した各分極エリアに
おいて印加電圧値の異なる素子を得ることができ、又、
例えば、加熱プレート２ａ，２ｂ内に複数個の基板１，
１をセットし、複数の基板１，１を異なった印加電圧値
で処理することができる。

【００２６】請求項２２においては、基板１の両面に形
成した電極３ａ，３ｂに接触するプローブ４ａ，４ｂ対
毎の高電圧源３２の極性を切換える手段を備えているこ
とを特徴とするものである。このような構成によれば、
プローブ４ａ，４ｂ対毎に電圧を印加する極性を切換え
ることで、分極の方向がエリアによって異なる素子を容
易に製造することができ、かつ、印加する電圧の極性を
切換えて複数回にわたって電圧印加をおこなうことがで
き、より分極率の高い基板１、または、素子をつくるこ
とができる。

【００２７】請求項２３においては、プローブ４ａ，４
ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置を検出する手段
３３を備えていることを特徴とするものである。このよ
うな構成によれば、プローブ４ａ，４ｂの基板１への接
触圧あるいは接触位置に起因して基板１の厚みを相対的
に検出することができ、個々の基板１，１の厚みが未知
であっても、基板１，１の厚みの違いに対して補正をお
こなうことで、特定の電圧条件で分極処理ができる。

【００２８】請求項２４においては、プローブ４ａ，４
ｂの基板１への接触圧を検出し、その検出値に応じて印
加する電圧値を補正する手段３４をプローブ４ａ，４ｂ
対に備えていることを特徴とするものである。このよう
な構成によれば、基板１の厚みの違いを検出し、厚みの
違いに応じて印加する電圧値を補正することにより、厚
みの異なる複数枚を同時に処理することができる。

【００２９】請求項２５においては、基板１を挟み込ん
だ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真
空槽３５内で電圧を印加する手段を備えていることを特
徴とするものである。このような構成によれば、例え
ば、数１０μｍのように薄い基板１に対向させた電極３
ａ，３ｂに高電圧を印加させても真空槽３５内であるこ
とから、放電が生じないため、放電による衝撃で基板１
に損傷が生じることがない。

【００３０】請求項２６においては、基板１を挟み込ん
だ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、真
空槽３５内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス
雰囲気中で電圧を印加する手段を備えていることを特徴
とするものである。このような構成によれば、高電圧を
印加させても真空槽３５内であるから放電が生じず、特
に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次的な放電
による基板１自身の絶縁破壊を防止することができる。

【００３１】請求項２７においては、プローブ４ａ，４
ｂに電圧を印加する電圧印加回路と並列に、基板１に構
成した電極３ａ，３ｂを短絡する回路を備えていること
を特徴とするものである。このような構成によれば、電
圧を印加し終えた後の基板１が、冷却時に基板１自身の
逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分極
率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印加
と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化でき
る。

【００３２】請求項２８においては、プローブ４ａ，４
ｂに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置３
６を備えていることを特徴とするものである。このよう
な構成によれば、電圧印加回路に流れる電流値を時間的
にモニタリングすることができ、電圧印加時の異常を発
見（不良判定）することができ、かつ、電圧印加時間を
制御することができる。

【００３３】請求項２９においては、熱源盤５ａ，５ｂ
と熱伝達板６ａ，６ｂとの間に冷却板３７を挿入自在に
構成していることを特徴とするものである。このような
構成によれば、冷却板３７の挿入によって、基板１の冷
却を、一層、短縮することができ、かつ、例えば、材
質、厚みを選定した特定の冷却板３７を使用すること
で、一定の温度勾配で基板１を冷却することができ、急
冷による基板１の割れを防ぐことができる。

【００３４】請求項３０においては、基板１を風冷する
ファン３８を備えていることを特徴とするものである。
このような構成によれば、基板１の冷却時間を、一層、
短縮し、かつ、ファン３８の回転数を調節することによ
り、冷却の温度勾配を変化させることができる。

【００３５】請求項３１においては、電極３ａ，３ｂが
パターン化された基板１上の電極パターンの縁に電極３
ａ，３ｂの抵抗値を測定することができる抵抗測定用プ
ローブ３９，３９を備えていることを特徴とするもので
ある。このような構成によれば、抵抗測定用プローブ３
９，３９によって電極３ａ，３ｂの抵抗を測定すること
ができ、電極３ａ，３ｂのパターン切れ、厚み不良を検
知することができ、かつ、基板１による電極３ａ，３ｂ
の抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電圧降下
分の補正をすることができ、しかも、処理前後（電圧印
加前後）に測定することで、処理中のパターン切れを検
知することができ、処理の良否判定をおこなうことがで
きる。

【００３６】請求項３２においては、抵抗測定用プロー
ブ３９，３９が電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂと兼ね
ていることを特徴とするものである。このような構成に
よれば、装置を簡略化できるとともに、対となる上下の
プローブ３９，３９をつなぐことで、基板１の絶縁性の
チェックができる。

【００３７】請求項３３においては、基板１の上下に複
数本ずつ設けたプローブ４ａ，４ｂを電気抵抗測定用プ
ローブ３９，３９として使用する際に、特定のプローブ
４ａ ₁に対して他の各プローブ４ａ₂間の抵抗を測定する
ための切替え制御手段４０を備えていることを特徴とす
るものである。このような構成によれば、各プローブ３
９，３９間の抵抗値が測定でき、特定エリアでの電極３
ａ，３ｂの異常を判定することができる。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１（ａ）は概略断面図、同図（ｂ）は基板の平
面図、同図（ｃ）は側面図、図２は概略断面図である。

【００３９】分極処理装置は、基板１を挟み込み保持す
る２枚の加熱プレート２ａ，２ｂと、基板１の両面に形
成した電極３ａ，３ｂに接触させるプローブ４ａ，４ｂ
と、プローブ４ａ，４ｂに電圧を印加する電源とを備え
ている。

【００４０】基板１は、例えば、ＬｉＴａＯ₃のインゴ
ットをスライスしたものであり、基板１の表裏に、例え
ば、蒸着やメッキによる金属膜を付設して電極３ａ，３
ｂを形成している。

【００４１】図２に示すように、２枚の加熱プレート２
ａ，２ｂには貫通孔１７，１７が形成されてプローブ４
ａ，４ｂを挿通することができるようにしている。例え
ば、端部に大径部１９ａを形成した支軸１９が治具１８
に昇降自在に保持され、支軸１９の他端にプローブ４ａ
が保持され、コイルスプリング２０によって支軸１９が
突出付勢され、大径部１９ａによって一定以上の突出を
阻止している。このように、プローブ４ａを下方に弾性
付勢するとともに伸縮自在に保持する構成は種々設計変
更することができきるものである。又、２枚の加熱プレ
ート２ａ，２ｂはボルト止めのような締付け手段２１に
よって固定することができるようにしている。

【００４２】しかして、２枚の加熱プレート２ａ，２ｂ
を締付け手段２１によって固定して加熱プレート２ａ，
２ｂ間に基板１を挟み込み保持するのであり、コイルス
プリング２０によって付勢されたプローブ４ａ，４ｂが
基板１の両面の電極３ａ，３ｂに接触するのであり、
又、交流電源より通電させて加熱プレート２ａ，２ｂに
よって加熱するとともにプローブ４ａ，４ｂに電圧をか
けることにより分極をおこなうのである。

【００４３】このように、２枚の加熱プレート２ａ，２
ｂによって薄い基板１であっても変形させることなく保
持することができるのであり、基板１にプローブ４ａ，
４ｂを安定的に当接させて電気的処理をおこなうことが
できるのであり、しかも、上下の加熱プレート２ａ，２
ｂによって基板１を上下から均一に加熱することから、
薄い基板１においても割れを防止することができ、基板
１内に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がお
こなえるのである。

【００４４】図３は他の実施の形態を示し、但し、本実
施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共
通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。

【００４５】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂと
から構成したものであり、基板１の材料や分極処理条件
によって熱伝達板６ａ，６ｂの材質を選択することがで
き、基板１の材料に応じた適正な分極処理がおこなえる
ものである。

【００４６】図４は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００４７】本実施の形態においては、下の熱伝達板６
ｂの下に１個の熱源盤５ｂを配し、下の熱伝達板６ｂの
両端部に伝熱起立部２２，２２を形成し、両伝熱起立部
２２，２２間に上の熱伝達板６ａを挿入して当接するこ
とで、下の熱伝達板６ｂより上の熱伝達板６ａに熱伝達
可能に構成したものである。

【００４８】本実施の形態においては、１個の熱源盤５
ｂによって上下の熱伝達板６ａ，６ｂを加熱することが
できるのであり、装置を簡素化することができるととも
に１個の熱源盤５ｂによって基板１を均一に加熱するこ
とができるものである。

【００４９】図５は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００５０】本実施の形態においては、熱源盤５ａ，５
ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとが分離可能に構成されてい
る。

【００５１】本実施の形態においては、熱伝達板６ａ，
６ｂから熱源盤５ａ，５ｂを分離することで、基板１の
冷却時間を短くできるものである。

【００５２】図６は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００５３】本実施の形態においては、熱源盤５ａ，５
ｂと熱伝達板６ａ，６ｂとの接合箇所に凹溝７及び凸条
８を備えた凹凸嵌合手段９を備えている。

【００５４】本実施の形態においては、凹溝７及び凸条
８を備えた凹凸嵌合手段９によって熱源盤５ａ，５ｂと
熱伝達板６ａ，６ｂとの位置決めを正確におこなうこと
ができながら、凹凸嵌合手段９の嵌合により熱伝導性を
高めることができ、加熱時間を短縮することができ、か
つ、凹溝７及び凸条８が冷却フィンの働きをすることか
ら、冷却時間を短縮することができるものである。

【００５５】図７は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００５６】本実施の形態においては、加熱プレート２
ｂに圧電材を使用するものである。圧電材としては、例
えば、ＰＺＴを用いる。加熱プレート２ｂの両側には例
えば、シリンダー（図示せず）を配して圧縮・引張り力
を付与するようにしている。

【００５７】本実施の形態においては、同図（ｂ）に示
すように、圧電材の加熱プレート２ｂに基板１の分極方
向イとは反発する斥力ロが生じるように引張り力ハを付
与して加熱プレート２ｂに図示するような電界の向きニ
を生じさせるものである。又、同図（ａ）に示すよう
に、圧電材の加熱プレート２ｂに基板１の分極方向イと
は引力ホが生じるように圧縮力トを付与して加熱プレー
ト２ｂに図示するような電界の向きチを生じさせるもの
である。

【００５８】本実施の形態においては、誘電体の基板１
は帯電しやすいが、加熱プレート２ｂの圧電材によって
電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静電気
を帯びた基板１の固定・剥離が容易になるものである。

【００５９】ところで、加熱プレート２ａ，２ｂに例え
ば、窒化アルミのように鉄に比べて熱伝導の大きな材料
のものを使用することで、熱伝導性を高めることができ
て基板１を均一に加熱しやすくなり、均一な分極が可能
になり、更に、加熱時の基板１の割れを防止することが
できるものである。

【００６０】更に、加熱プレート２ａ，２ｂに基板１と
同じ材料、例えば、ＬｉＴａＯ₃を使用したり、又、Ｐ
ＺＴを使用したりすることができる。

【００６１】このような実施の形態においては、基板１
の加熱・冷却時に、基板１と加熱プレート２ａ，２ｂと
が共に同じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生
を抑制することができるものである。

【００６２】図８は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００６３】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａ，２ｂに電気的な絶縁材料を使用するものである。具
体的には、加熱プレート２ａ，２ｂとして、窒化アルミ
のセラミック板等を使用するのであり、プローブ４ａ，
４ｂに高電圧源を接続して、高電圧をかけることが可能
となり、加熱プレート２ａ，２ｂが絶縁材なので、例え
ば、基板１に形成された電極部のみを選択的に分極する
ことが可能になるのであり、更に、絶縁距離を長くとる
ことができることから、プローブ４ａ，４ｂに、一層、
高電圧を印加することが可能になるのである。

【００６４】図９は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００６５】本実施の形態においては、図２の実施の形
態のように、端部に大径部１９ａを形成した支軸１９が
治具１８に昇降自在に保持され、支軸１９の他端にプロ
ーブ４ａが保持され、コイルスプリング２０によって支
軸１９が突出付勢され、大径部１９ａによって一定以上
の突出を阻止している。更に、治具１８が昇降機構（図
示せず）によって昇降可能に構成されていて、プローブ
４ａの上下位置を変更することで、加熱プレート２ａか
らの出代を調整して基板１への接触圧を変更することが
できるものである。つまり、治具１８を昇降させてプロ
ーブ４ａの位置を変更して加熱プレート２ａからの出代
を変更することで、加熱プレート２ａの加熱面に当接す
る基板１にプローブ４ａを弾接する際に、コイルスプリ
ング２０を圧縮する量を変更して、プローブ４ａが基板
１に接触する接触圧を変更するのである。

【００６６】本実施の形態においては、基板１への接触
圧を調整することにより、基板１の変形量や電気的接触
状態の調整が可能となるのである。

【００６７】図１０は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００６８】本実施の形態においては、下の加熱プレー
ト２ｂの上に蒸着やメッキによる金属膜の導電性パッド
１０を介して載置した基板１の上に加熱プレート２ａを
配し、基板１の上方からプローブ４ａを接触させるよう
にしたものである。下の加熱プレート２ｂは、絶縁材料
のもの、又は、導電性材料のものを用いる。

【００６９】本実施の形態においては、導電性パッド１
０にプローブ４ａ，４ｂを上方から接触させていること
から、一対のプローブ４ａ，４ｂを共に上方から接触さ
せることができて、装置を簡素化することができるもの
である。又、このような構成によれば、基板１の表裏に
高電圧を印加することができ、選択的に分極が可能にな
る。

【００７０】図１１は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００７１】本実施の形態においては、下の加熱プレー
ト２ｂに、例えば蒸着やメッキによる金属膜の導電性パ
ッド１０を基板１の重要部分１１（例えば、素子部）を
避けて形成したものである。

【００７２】このような構成によれば、基板１の上方か
らプローブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、導電性パ
ッド１０を基板１の重要部分１１（例えば、素子部）を
避けて形成していて、装置が簡素化でき、基板１の表裏
に高電圧を印加させることができ、したがって、分極処
理が可能になるものである。

【００７３】図１２は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００７４】本実施の形態においては、基板１を挟む加
熱プレート２ａ，２ｂの挟み圧を調整する挟み圧調整手
段１２を備えているものである。具体的には、下の加熱
プレート２ｂにねじ込んだ治具棒２３にカラー２４を挿
通し、カラー２４に、例えば、シリンダー（図示せず）
のような挟み圧調整具より加圧をおこなって基板１の挟
み圧を調整するようにしたものである。

【００７５】本実施の形態においては、基板１の挟み圧
を調整することによって、材料に応じた適正な挟み圧で
加熱プレート２ａ，２ｂによって挟むことができ、基板
１を適正に挟み、プローブ４ａ，４ｂを適正な接触力に
て接触させることができるものである。

【００７６】図１３は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００７７】本実施の形態においては、挟み圧調整手段
１２は、ばね力の調整によるようにしたものである。具
体的には、治具棒２３を下の加熱プレート２ｂにねじ込
み、治具棒２３にカラー２４及びコイルスプリング３１
を挿通し、治具棒２３にねじ込んだナット２５をねじ昇
降させることで、コイルスプリング３１の圧縮量を変更
することによって基板１の挟み圧を調整するようにした
ものである。

【００７８】本実施の形態においては、ばね力によって
挟み圧を容易に調整することができながら、例えば、コ
イルスプリング３１を使用することで、挟み圧調整手段
１２を加熱プレート２ａに対してコンパクトに一体化す
ることができるものである。

【００７９】図１４は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００８０】本実施の形態においては、ばね力による挟
み圧調整手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２
ｂの挟み治具２６の操作は、ワンタッチ操作にておこな
える構成にしたものである。具体的には、上の加熱プレ
ート２ａに丸形の貫通孔２７を、下の加熱プレート２ｂ
に長孔２８を形成し、貫通孔２７及び長孔２８に挿通さ
れる治具棒２３の下端に小判形の大径部２９を形成した
ものである。

【００８１】本実施の形態においては、小判形の大径部
２９を長孔２８に通過させた後、治具棒２３を回転させ
て同図（ｃ）に示すように、大径部２９によって抜止め
を図るのであり、このように、ばね力による挟み圧調整
手段１２を備えた上下の加熱プレート２ａ，２ｂの挟み
治具２６の操作をワンタッチ操作にておこなえるように
したものである。

【００８２】本実施の形態においては、上下の加熱プレ
ート２ａ，２ｂの挟み操作をワンタッチにておこなえ
て、操作性を高めることができるものである。

【００８３】図１５は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００８４】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりエアーを
吹出して基板１を加熱プレート２ａから剥離する剥離手
段１４を備えたものである。

【００８５】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａの通孔１３から吹出すエアーによって基板１を加熱プ
レート２ａから容易に剥離することができるものであ
る。

【００８６】図１６は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００８７】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａに通孔１３を形成し、基板１とは反対側よりイオン性
のガスを含むエアーを吹付けて基板１を加熱プレート２
ａから剥離する静電気中和型の剥離手段１５を形成した
ものである。具体的には、中空構造とした加熱プレート
２ａ内に密閉型のイオン発生装置３０を配設し、通孔１
３よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基板１の
静電気を中和して基板１を円滑に剥離するようにしたも
のである。

【００８８】本実施の形態においては、基板１が帯電し
ても加熱プレート２ａの通孔１３から吹出されるイオン
性のガスによって帯電を中和させることができ、簡単に
加熱プレート２ａから基板１を容易に剥離させることが
できるものである。

【００８９】図１７は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００９０】本実施の形態においては、通孔１３を形成
した加熱プレート２ａに多数本の凹条１６を形成したも
のである。

【００９１】本実施の形態においては、基板１が帯電し
ていても、加熱プレート２ａとの接触面積が多数本の凹
条１６によって小さくなるので、帯電による吸着面積が
小さくなるとともに、エアーが凹条１６を介して回り込
むことによって、基板１を簡単に剥離することができる
ものである。

【００９２】図１８は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００９３】本実施の形態においては、基板１の両面に
形成した電極３ａに接触させるプローブ４ａ，４ｂを基
板１の両側に各複数本ずつ備えているものである。

【００９４】本実施の形態においては、表裏に電極３ａ
を形成した１枚の基板１に両面から複数本ずつのプロー
ブ４ａ，４ｂを接触させるのであり、例えば１本のプロ
ーブ４ａ₁が電極３ａに接触していなくても、他のプロ
ーブ４ａ₂，４ａ₃，４ａ₄が存在していることから、他
のプローブ４ａ₂，４ａ₃，４ａ₄のうちの一つが接触し
ていればよくて電極３ａに対する接触の信頼性を高める
ことができるのである。

【００９５】しかして、図１８（ａ）に示すように、電
極３ａに切れ目４２やひび４３や割れが生じて電極パタ
ーンが切れている場合でも、プローブ４ａ₁，４ａ₂，４
ａ₃，４ａ₄…複数個あり、かつ、切れ目４２のつくる各
電極パターン領域に少なくとも１本のプローブ４ａ
₁（４ａ₂）接触していれば電圧は印加され、分極処理が
おこなえるのである。

【００９６】更に、図１８（ｂ）に示すように、電極３
ａとプローブ４ａ₁との間にごみ等の異物イが存在して
いる場合や、同図（ｃ）に示すように、電極３ａの厚み
の異常によって隙間ニが生じていて接触不良が生じてい
ても、表裏に少なくも１対ずつプローブ４ａ₂，４ｂが
電極３ａ，３ｂに接触していれば基板１には電圧が印加
されて分極処理がおこなえる。符号ロは素子の１個分を
示す。

【００９７】図１９（ａ）は更に他の実施の形態を示
し、本実施の形態においては、同一の加熱プレ−ト２ｂ
（上の加熱プレート２ａは図示していない）内に複数個
の基板１…を配して同時に処理するようにしたものであ
る。同図（ｂ）は更に他の実施の形態を示し、基板１に
形成する電極３ａ₁，３ａ₂，３ａ₃，３ａ₄が全てつなが
っていないように電極パターンを複数に分け、各エリア
で条件の異なる電極（材質、厚み）３ａ₁，３ａ₂，３ａ
₃，３ａ₄を形成することで同一の基板１より電極構成の
異なる素子を得ることができる。

【００９８】図２０は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【００９９】本実施の形態においては、基板１の両面に
形成した電極３ａに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎に
高電圧源３２…を備えたものである。

【０１００】本実施の形態においては、同図（ｂ）に示
すように、基板１に形成する電極３ａ₁，３ａ₂，３
ａ₃，３ａ₄が全てつながっていないように電極パターン
を複数に分けて分極エリアを形成し、各エリアに上下１
本ずつのプローブ４ａ，４ｂを接触させ、かつ、同図
（ａ）に示すように、各プローブ４ａ，４ｂ対を１個の
高電圧源３２につなぎ、各エリア毎に個別に印加する電
圧値を設定する。電圧印加後、基板１を複数個に分割
し、同一の基板１から印加電圧値の異なる素子を得る。

【０１０１】図２１は更に他の実施の形態を示し、本実
施の形態においては、同一の加熱プレ−ト２ｂ（上の加
熱プレート２ａは図示していない）内に複数個の基板１
…をセットし、各基板１に上下１本ずつプローブ４ａ，
４ｂを接触させ、各プローブ４ａ，４ｂ対につながって
いる高電圧源３２により基板１別に電圧値を設定して同
時に処理するようにしたものである。

【０１０２】図２２は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１０３】本実施の形態においては、基板１の両面に
形成した電極３ａに接触するプローブ４ａ，４ｂ対毎の
高電圧源３２の極性を切換える手段を備えているもので
ある。

【０１０４】本実施の形態においては、プローブ４ａ，
４ｂ対毎に電圧を印加する極性を切換えることで、同図
（ｃ）に示すように、分極の方向がエリアによって異な
る素子を容易に製造することができるのである。又、図
２３（ａ）乃至（ｃ）に示すように、印加する電圧の極
性を時間によって切換え、複数回にわたって電圧を印加
することができ、より分極率の高い基板１、または、素
子をつくることができる。

【０１０５】図２４は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１０６】本実施の形態においては、プローブ４ａ，
４ｂの基板１への接触圧あるいは接触位置を検出する手
段３３を備えているものである。

【０１０７】本実施の形態においては、図２に示す実施
の形態において、図２４（ａ）に示すように、コイルス
プリング２０にて付勢されている治具１８に接触圧を検
出する手段３３としての圧力センサー４４を設けてあっ
て、圧力センサー４４によって、プローブ４ａの基板１
への接触圧を検出し、この検出結果に基いて、基板１毎
の僅かな厚みの違い（基板１の厚みの１０％程度、例え
ば、数１０μｍ厚の基板１では数μｍのばらつき）を補
正するようにして、特定の電圧条件で分極処理ができる
ようにしたものである。

【０１０８】図２４（ｂ）は他の実施の形態を示し、接
触位置を検出する手段３３としてプローブ４ａの位置を
検出する位置センサー５９を設けてあって、プローブ４
ａの基板１への接触方向の位置を検出し、その検出結果
に基いて、基板１毎の僅かな厚みの違いを補正するよう
にして、特定の電圧条件で分極処理ができるようにした
ものである。

【０１０９】図２５は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１１０】本実施の形態においては、プローブ４ａ，
４ｂの基板１への接触圧を検出し、その検出値に応じて
印加する電圧値を補正する手段３４をプローブ４ａ，４
ｂ対に備えているものである。

【０１１１】具体的には、図２５（ａ）に示すように、
各プローブ４ａ，４ｂ毎に得られる圧力信号を入力する
とともに印加する電圧値を補正する手段３４としての制
御回路３４ａを設け、入力された圧力信号に基いて補正
する電圧値を決定し、高電圧源３２の出力をコントロー
ルして、厚みの異なる複数枚を同時に処理できるように
したものである。

【０１１２】ところで、同図（ｂ）に示すように、接触
位置を検出する手段３３としてプローブ４ａの位置を検
出する位置センサー５９を設け、プローブ４ａの基板１
への接触方向の位置を検出し、その検出結果を制御回路
３４ａに入力し、入力された位置信号に基いて補正する
電圧値を決定し、高電圧源３２の出力をコントロールし
て、厚みの異なる複数枚を同時に処理できるようにした
ものである。

【０１１３】図２６は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１１４】本実施の形態においては、基板１を挟み込
んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、
真空槽３５内で電圧を印加する手段を備えているもので
ある。

【０１１５】具体的には、例えば、油回転ポンプを真空
ポンプ４５として減圧される真空槽３５内に分極処理装
置を収納し、プローブ４ａ，４ｂからの導線を電流導入
端子４６を介して高電圧源３２につないだものである。

【０１１６】本実施の形態によれば、例えば、数１０μ
ｍのように薄い基板１に対向させた電極３ａ，３ｂに高
電圧を印加させても真空槽３５内であることから、放電
が生じないため、放電による衝撃で基板１に損傷が生じ
ることがないものである。

【０１１７】図２７は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１１８】本実施の形態においては、基板１を挟み込
んだ加熱プレート２ａ，２ｂを真空槽３５内に設置し、
真空槽３５内に電気的な絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガ
ス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えたものである。

【０１１９】具体的には、例えば、油回転ポンプを真空
ポンプ４５として減圧される真空槽３５内に分極処理装
置を収納し、プローブ４ａ，４ｂからの導線を電流導入
端子４６を介して高電圧源３２につなぎ、真空槽３５内
を数Ｐａ程度にまで減圧させる。減圧後、絶縁ガスボン
ベ６０から電気的な絶縁性ガス（例えば、六弗化硫黄、
六弗化硫黄と窒素の混合ガス）を数１００Ｐａ程度に導
入する。

【０１２０】本実施の形態によれば、高電圧を印加させ
ても真空槽３５内であるから放電が生じず、特に、絶縁
性ガスにて覆っていることから、二次的な放電による基
板１自身の絶縁破壊を防止することができる。

【０１２１】図２８は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１２２】本実施の形態においては、プローブ４ａ，
４ｂに電圧を印加する電圧印加回路と並列に、基板１に
形成した電極３ａ，３ｂを短絡する回路を備えているも
のである。

【０１２３】具体的には、高電圧源３２による電圧印加
が終了した後、例えばトグルスイッチやリレーなどを使
用する回路切換装置４７によって高電圧源３２を短絡す
るように切換えるようにしたものである。

【０１２４】本実施の形態によれば、電圧を印加し終え
た後の基板１が、冷却時に基板１自身の逆帯電によって
分極反転するのを防ぐことができ、分極率の低下を防ぐ
ことができ、更に、短絡手段を電圧印加と同一の装置に
組み込むことで装置全体が簡略化できるのである。

【０１２５】図２９は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１２６】本実施の形態においては、プローブ４ａ，
４ｂに電圧を印加する電圧印加回路に分極電流測定装置
３６を備えているものである。

【０１２７】具体的には、電圧印加回路に抵抗５２を直
列に挿入して、その抵抗５２にかかる電圧値を電圧印加
回路に流れる電流値として電流モニタリング装置４８に
よって、時間的にモニタリングするのであり、データ蓄
積装置４９、データ表示装置５０を介して電圧印加回路
に流れる電流値の良否判定を良否判定制御装置５１によ
っておこなうのであり、電流値が図２９（ｂ）に示すよ
うに、例えば、上限値を越えた場合、又、時間が経
過しても下限値に達しない場合には不良判定がなされて
印加電圧が停止される。更に、図２９（ｃ）に示すよう
に、電圧印加回路に流れる電流値を時間的にモニタリン
グして、データ蓄積装置４９、データ表示装置５０を介
して、収束基準値と対比して電流値収束判定がおこなわ
れ、判定結果にて印加電圧が停止されるのであり、電圧
印加時間を制御することができるものである。

【０１２８】図３０は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１２９】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂと
から構成し、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂと
の間に冷却板３７を挿入自在に構成したものである。

【０１３０】本実施の形態においては、冷却板３７の挿
入によって、基板１の冷却を、一層、短縮することがで
きるのであり、かつ、例えば、材質、厚みを選定した特
定の冷却板３７を使用することで、一定の温度勾配で基
板１を冷却することができ、急冷による基板１の割れを
防ぐことができるのである。

【０１３１】図３１は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１３２】本実施の形態においては、加熱プレート２
ａ，２ｂを、熱源盤５ａ，５ｂと熱伝達板６ａ，６ｂと
から構成し、熱電対５３によって基板１の温度をモニタ
リングして、その温度の検出結果が入力される制御回路
５４によって、基板１を風冷するファン３８の回転数を
調節して、熱伝達板６ａ，６ｂから熱源盤５ａ，５ｂが
離れたスペースに送風をおこなって温度低下する基板１
の温度勾配を調節するようにしたものである。

【０１３３】図３２は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１３４】本実施の形態においては、電極３ａがパタ
ーン化された基板１上の電極パターンの縁に抵抗測定用
電極パッド５５，５５を電極３ａに電気的に導通させて
設け、これら抵抗測定用電極パッド５５，５５に抵抗測
定用プローブ３９，３９を接触させて電極３ａの抵抗値
を測定するようにしたものである。電圧印加用のプロー
ブ４ａ，４ｂは抵抗測定用電極パッド５５，５５とは別
に設けている。

【０１３５】本実施の形態においては、抵抗測定用プロ
ーブ３９，３９によって各電極３ａ，３ｂの抵抗を測定
することができ、電極３ａ，３ｂのパターン切れ、厚み
不良を検知することができ、かつ、基板１による電極３
ａ，３ｂの抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での
電圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後
（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン
切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなう
ことができるものである。

【０１３６】図３３は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１３７】本実施の形態においては、抵抗測定用プロ
ーブ３９，３９が電圧印加用のプローブ４ａ，４ｂと兼
ねているものである。

【０１３８】具体的には、高電圧源３２と抵抗測定装置
５６とを切換えスイッチ５７による切換えによって、抵
抗測定用プローブ３９，３９とする状態と電圧印加用の
プローブ４ａ，４ｂとする状態とに切換えるものであ
る。

【０１３９】本実施の形態においては、装置を簡略化で
きるとともに、対となる上下のプローブ３９，３９をつ
ないで基板１の抵抗を測定することで、基板１の絶縁性
のチェックができるものである。つまり、図３３（ｃ）
に示すように、基板１に割れが生じていてこの箇所に電
極材料ホが回り込んだ場合、回路は短絡することにな
り、基板１の絶縁性のチェックができるのである。

【０１４０】図３４は更に他の実施の形態を示し、但
し、本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通で
あり、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略
する。

【０１４１】本実施の形態においては、基板１の上下に
複数本ずつ設けたプローブ４ａ₁，４ａ₂，４ａ₃，４
ａ₄，４ａ₅，４ａ₆，４ａ₇，４ａ₈；４ｂ₁，４ｂ₂，４
ｂ₃，４ｂ₄…を電気抵抗測定用プローブ３９，３９とし
て使用する際に、特定のプローブ４ａ₁に対して他の各
プローブ４ａ₂…の抵抗を測定するための切替え制御手
段４０を備えているものである。

【０１４２】本実施の形態においては、切換え制御手段
４０によって高電圧源３２である直流電源と抵抗測定装
置５８とを切換えて、プローブ４ａ₁と他のプローブ４
ａ₂，４ａ₃，４ａ₄…の選択された一つのプローブ４ａ₆
とを接続することで、接続されたプローブ４ａ₁，４ａ
₂間の抵抗値を測定するのであり、例えば、図３４
（ａ）に示すように、割れハが生じている場合には、プ
ローブ４ａ₆と他のプローブ４ａ₁…との抵抗値は無限大
となるのであり、特定エリアでの電極３ａの異常を判定
することができるのである。

【０１４３】

【発明の効果】請求項１においては、基板を２枚の加熱
プレートで挟み込み保持し、基板の両面に形成した電極
にプローブを接触させ、加熱させるとともに電圧をかけ
ることにより分極をおこなうから、２枚の加熱プレート
によって薄い基板であっても変形させることなく保持す
ることができ、基板にプローブを安定的に当接させて電
気的処理をおこなうことができ、かつ、上下の加熱プレ
ートによって基板を上下から均一に加熱することから、
薄い基板においても割れを防止することができ、基板内
に温度差が生じることがなく、均一な分極処理がおこな
えるという利点がある。

【０１４４】請求項２においては、基板を挟み込み保持
する２枚の加熱プレートと、基板の両面に形成した電極
に接触させるプローブと、プローブに電圧を印加する電
源とを備えているから、請求項１と同様な効果を得るこ
とができる。

【０１４５】請求項３においては、加熱プレートが、熱
源盤と熱伝達板とから構成されているから、請求項２の
効果に加えて、基板の材料や分極処理条件によって熱伝
達板の材質を選択することができ、基板の材料に応じた
適正な分極処理がおこなえるという利点がある。

【０１４６】請求項４においては、下の熱伝達板の下に
１個の熱源盤を配し、下の熱伝達板より上の熱伝達板に
熱伝達可能に構成しているから、請求項３の効果に加え
て、１個の熱源盤によって上下の熱伝達板を加熱するこ
とができ、装置を簡素化することができるとともに１個
の熱源盤によって基板を均一に加熱することができると
いう利点がある。

【０１４７】請求項５においては、熱源盤と熱伝達板と
が分離可能に構成されているから、請求項３の効果に加
えて、熱伝達板から熱源盤を分離することで、基板の冷
却時間を短くできるという利点がある。

【０１４８】請求項６においては、熱源盤と熱伝達板と
の接合箇所に凹溝及び凸条を備えた凹凸嵌合手段を備え
ているから、請求項５の効果に加えて、凹溝及び凸条を
備えた凹凸嵌合手段によって熱源盤と熱伝達板との位置
決めを正確におこなうことができながら、凹凸嵌合手段
の嵌合により熱伝導性を高めることができ、加熱時間を
短縮することができ、かつ、凹溝及び凸条が冷却フィン
の働きをすることから、冷却時間を短縮することができ
るという利点がある。

【０１４９】請求項７においては、加熱プレートに圧電
材を使用するから、請求項２記載の効果に加えて、誘電
体の基板は帯電しやすいが、加熱プレートの圧電材によ
って電気的な引力・反発力を生じさせることができ、静
電気を帯びた基板の固定・剥離が容易になるという利点
がある。

【０１５０】請求項８においては、加熱プレートに熱伝
導率の大きい材料を使用するから、請求項２の効果に加
えて、加熱プレートを例えば、窒化アルミのように鉄に
比べて熱伝導の大きな材料にすることで、熱伝導性を高
めることができて基板を均一に加熱しやすくなり、均一
な分極が可能になり、更に、加熱時の基板の割れを防止
することができるという利点がある。

【０１５１】請求項９においては、加熱プレートに基板
と同じ材料を使用するから、請求項２の効果に加えて、
基板の加熱・冷却時に、基板と加熱プレートとが共に同
じ量だけ膨張・収縮をするので、熱応力の発生を抑制す
ることができるという利点がある。

【０１５２】請求項１０においては、加熱プレートに電
気的な絶縁材料を使用するから、請求項２の効果に加え
て、例えば、基板に形成された電極部のみを選択的に分
極することが可能であり、更に、絶縁距離を長くとるこ
とができることから、プローブに高電圧を印加すること
が可能であるという利点がある。

【０１５３】請求項１１においては、プローブの位置を
変更可能に構成して、接触圧を変更可能に構成している
から、請求項２の効果に加えて、基板への接触圧を調整
することにより、基板の変形量や電気的接触状態の調整
が可能となるという利点がある。

【０１５４】請求項１２においては、下の加熱プレート
の上に導電性パッドを介して載置した基板の上に上の加
熱プレートを配し、基板の上方からプローブを接触させ
るとともに、導電性パッドにプローブを上方から接触さ
せているから、請求項２の効果に加えて、一対のプロー
ブを共に上方から接触させることができて、装置を簡素
化することができるという利点がある。

【０１５５】請求項１３においては、導電性パッドを基
板の重要部分を避けて形成しているから、請求項１２の
効果に加えて、基板の表裏に高電圧を印加させることが
でき、したがって、分極処理が可能になるという利点が
ある。

【０１５６】請求項１４においては、基板を挟む加熱プ
レートの挟み圧を調整する挟み圧調整手段を備えている
から、請求項２の効果に加えて、基板の挟み圧を調整す
ることによって、材料に応じた適正な挟み圧で加熱プレ
ートによって挟むことができ、基板を適正に挟み、プロ
ーブを適正な接触力にて接触させることができるという
利点がある。

【０１５７】請求項１５においては、挟み圧調整手段
は、ばね力の調整によるものであるから、請求項１４の
効果に加えて、ばね力によって挟み圧を容易に調整する
ことができながら、例えば、コイルスプリングを使用す
る場合には、挟み圧調整手段を加熱プレートに対してコ
ンパクトに一体化することができる等という利点があ
る。

【０１５８】請求項１６においては、ばね力による挟み
圧調整手段を備えた上下の加熱プレートの挟み治具の操
作は、ワンタッチ操作にておこなえる構成にしてあるか
ら、請求項１５の効果に加えて、上下の加熱プレートの
挟み操作をワンタッチにておこなうことができ、操作性
を高めることができるという利点がある。

【０１５９】請求項１７においては、加熱プレートに通
孔を形成し、基板とは反対側よりエアーを吹出して基板
を加熱プレートから剥離する剥離手段を備えているか
ら、請求項２の効果に加えて、加熱プレートの通孔から
吹出すエアーによって基板を加熱プレートから容易に剥
離することができるという利点がある。

【０１６０】請求項１８においては、加熱プレートに通
孔を形成し、基板とは反対側よりイオン性のガスを含む
エアーを吹付けて基板を加熱プレートから剥離する静電
気中和型の剥離手段を形成しているから、請求項２の効
果に加えて、基板が帯電しても加熱プレートの通孔から
吹出されるイオン性のガスによって帯電を中和させるこ
とができ、簡単に加熱プレートから基板を剥離させるこ
とができるという利点がある。

【０１６１】請求項１９においては、通孔を形成した加
熱プレートに凹条を形成しているから、請求項１７又は
１８の効果に加えて、基板が帯電していても、加熱プレ
ートとの接触面積が凹条によって小さくなるので、帯電
による吸着面積が小さくなるとともに、エアーが凹条を
介して回り込むことによって、基板を簡単に剥離するこ
とができるという利点がある。

【０１６２】請求項２０においては、基板の両面に形成
した電極に接触させるプローブを基板の両側に各複数本
ずつ備えているから、請求項２の効果に加えて、表裏に
電極を形成した１枚の基板に両面から複数本ずつのプロ
ーブを接触させるのであり、１本のプローブが電極に接
触していなくても、他のプローブが存在していることか
ら、他のプローブが接触することができて電極に対する
接触の信頼性を高めることができるという利点がある。

【０１６３】請求項２１においては、基板の両面に形成
した電極に接触するプローブ対毎に高電圧源を備えてい
るから、請求項２０の効果に加えて、高電圧源によるプ
ローブ対毎の印加電圧を異ならせることができ、例え
ば、１枚の基板内に形成した各分極エリアにおいて印加
電圧値の異なる素子を得ることができ、又、例えば、加
熱プレート内に複数個の基板をセットし、複数の基板を
異なった印加電圧値で処理することができるという利点
がある。

【０１６４】請求項２２においては、基板の両面に形成
した電極に接触するプローブ対毎の高電圧源の極性を切
換える手段を備えているから、請求項２１の効果に加え
て、プローブ対毎に電圧を印加する極性を切換えること
で、分極の方向がエリアによって異なる素子を容易に製
造することができ、かつ、印加する電圧の極性を切換え
て複数回にわたって電圧印加をおこなうことができ、よ
り分極率の高い基板、または、素子をつくることができ
るという利点がある。

【０１６５】請求項２３においては、プローブの基板へ
の接触圧を検出する手段を備えているから、請求項１１
の効果に加えて、プローブの基板への接触圧に起因して
基板の厚みを相対的に検出することができ、個々の基板
の厚みが未知であっても、基板の厚みの違いに対して補
正をおこなうことで、特定の電圧条件で分極処理ができ
るという利点がある。

【０１６６】請求項２４においては、プローブの基板へ
の接触圧あるいは接触位置を検出し、その検出値に応じ
て印加する電圧値を補正する手段をプローブ対に備えて
いるから、請求項２１又は２３の効果に加えて、基板の
厚みの違いを検出し、厚みの違いに応じて印加する電圧
値を補正することにより、厚みの異なる複数枚を同時に
処理することができるという利点がある。

【０１６７】請求項２５においては、基板を挟み込んだ
加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内で電圧を印
加する手段を備えているから、請求項２の効果に加え
て、例えば、数１０μｍのように薄い基板に対向させた
電極に高電圧を印加させても真空槽内であることから、
放電が生じないため、放電による衝撃で基板に損傷が生
じることがないという利点がある。

【０１６８】請求項２６においては、基板を挟み込んだ
加熱プレートを真空槽内に設置し、真空槽内に電気的な
絶縁性ガスを導入し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加
する手段を備えているから、請求項２５の効果に加え
て、高電圧を印加させても真空槽内であるから放電が生
じず、特に、絶縁性ガスにて覆っていることから、二次
的な放電による基板自身の絶縁破壊を防止することがで
きるという利点がある。

【０１６９】請求項２７においては、プローブに電圧を
印加する電圧印加回路と並列に、基板に設けて電極を短
絡する回路を備えているから、請求項２の効果に加え
て、電圧を印加し終えた後の基板が、冷却時に基板自身
の逆帯電によって分極反転するのを防ぐことができ、分
極率の低下を防ぐことができ、更に、短絡手段を電圧印
加と同一の装置に組み込むことで装置全体が簡略化でき
るという利点がある。

【０１７０】請求項２８においては、プローブに電圧を
印加する電圧印加回路に分極電流測定装置を備えている
から、請求項２の効果に加えて、電圧印加回路に流れる
電流値を時間的にモニタリングすることができ、電圧印
加時の異常を発見（不良判定）することができ、かつ、
電圧印加時間を制御することができるという利点があ
る。

【０１７１】請求項２９においては、熱源盤と熱伝達板
との間に冷却板を挿入自在に構成しているから、請求項
５の効果に加えて、冷却板の挿入によって、基板の冷却
を、一層、短縮することができ、かつ、例えば、材質、
厚みを選定した特定の冷却板を使用することで、一定の
温度勾配で基板を冷却することができ、急冷による基板
の割れを防ぐことができるという利点がある。

【０１７２】請求項３０においては、基板を風冷するフ
ァンを備えているから、請求項５の効果に加えて、基板
の冷却時間を、一層、短縮することができ、かつ、ファ
ンの回転数を調節することにより、冷却の温度勾配を変
化させることができるという利点がある。

【０１７３】請求項３１においては、電極がパターン化
された基板上の電極パターンの縁に電極の抵抗値を測定
することができる抵抗測定用プローブを備えているか
ら、請求項２の効果に加えて、抵抗測定用プローブによ
って電極の抵抗を測定することができ、電極のパターン
切れ、厚み不良を検知することができ、かつ、基板によ
る電極の抵抗値の違いにより、電圧印加時の抵抗での電
圧降下分の補正をすることができ、しかも、処理前後
（電圧印加前後）に測定することで、処理中のパターン
切れを検知することができ、処理の良否判定をおこなう
ことができるという利点がある。

【０１７４】請求項３２においては、抵抗測定用プロー
ブが電圧印加用のプローブと兼ねているから、請求項３
１の効果に加えて、装置を簡略化できるとともに、対と
なる上下のプローブをつなぐことで、基板の絶縁性のチ
ェックができるという利点がある。

【０１７５】請求項３３においては、基板の上下に複数
本ずつ設けたプローブを電気抵抗測定用プローブとして
使用する際に、特定のプローブに対して他の各プローブ
間の抵抗を測定するための切替え制御手段を備えている
から、請求項３２の効果に加えて、各プローブ間の抵抗
値が測定でき、特定エリアでの電極の異常を判定するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の実施の一形態の概略断面図、
（ｂ）は基板の平面図、（ｃ）は側面図である。

【図２】同上の概略断面図である。

【図３】同上の他の実施の形態の概略断面図である。

【図４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は概
略断面図、（ｂ）は概略平面図である。

【図５】同上の更に他の実施の形態の作用を示す概略分
解断面図である。

【図６】同上の更に他の実施の形態の作用を示す概略分
解断面図である。

【図７】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）は作用を示す説明図である。

【図８】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図で
ある。

【図９】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断面
図である。

【図１０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。

【図１１】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
概略断面図、（ｂ）は概略平面図である。

【図１２】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図
である。

【図１３】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図
である。

【図１４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
概略断面図、（ｂ）（ｃ）は概略底面図である。

【図１５】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断
面図である。

【図１６】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断
面図である。

【図１７】同上の更に他の実施の形態を示す部分概略断
面図である。

【図１８】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
斜視図、（ｂ）（ｃ）は説明図である。

【図１９】（ａ）（ｂ）は同上の更に他の実施の形態を
示す斜視図である。

【図２０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
概略断面図、（ｂ）は斜視図である。

【図２１】同上の他の例の斜視図である。

【図２２】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
概略断面図、（ｂ）（ｃ）は説明図である。

【図２３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上の説明図である。

【図２４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）は概略断面図である。

【図２５】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）は概略断面図である。

【図２６】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図
である。

【図２７】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図
である。

【図２８】同上の更に他の実施の形態を示す概略断面図
である。

【図２９】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）（ｃ）は説明図である。

【図３０】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）は概略断面図である。

【図３１】同上の更に他の実施の形態の概略断面図であ
る。

【図３２】同上の更に他の実施の形態の説明図である。

【図３３】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
説明図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は説明図である。

【図３４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）は
説明図、（ｂ）は概略断面図である。

【図３５】従来例を示し、（ａ）は作用を示す説明図、
（ｂ）は作用を示す説明図である。

【符号の説明】

１基板２ａ加熱プレート２ｂ加熱プレート３ａ電極３ｂ電極４ａプローブ４ｂプローブ５ａ熱源盤５ｂ熱源盤６ａ熱伝達板６ｂ熱伝達板７凹溝８凸条９凹凸嵌合手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西村真大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者谷口富洋大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者吉田亨大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を２枚の加熱プレートで挟み込み保
持し、基板の両面に形成した電極にプローブを接触さ
せ、加熱させるとともに電圧をかけることにより分極を
おこなうことを特徴とする分極処理方法。
【請求項２】基板を挟み込み保持する２枚の加熱プレ
ートと、基板の両面に形成した電極に接触させるプロー
ブと、プローブに電圧を印加する電源とを備えて成るこ
とを特徴とする分極処理装置。
【請求項３】加熱プレートが、熱源盤と熱伝達板とか
ら構成されて成ることを特徴とする請求項２記載の分極
処理装置。
【請求項４】下の熱伝達板の下に１個の熱源盤を配
し、下の熱伝達板より上の熱伝達板に熱伝達可能に構成
して成ることを特徴とする請求項３記載の分極処理装
置。
【請求項５】熱源盤と熱伝達板とが分離可能に構成さ
れて成ることを特徴とする請求項３記載の分極処理装
置。
【請求項６】熱源盤と熱伝達板との接合箇所に凹溝及
び凸条を備えた凹凸嵌合手段を備えて成ることを特徴と
する請求項５記載の分極処理装置。
【請求項７】加熱プレートに圧電材を使用することを
特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項８】加熱プレートに熱伝導率の大きい材料を
使用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装
置。
【請求項９】加熱プレートに基板と同じ材料を使用す
ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１０】加熱プレートに電気的な絶縁材料を使
用することを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１１】プローブの位置を変更可能に構成し
て、接触圧を変更可能に構成して成ることを特徴とする
請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１２】下の加熱プレートの上に導電性パッド
を介して載置した基板の上に上の加熱プレートを配し、
基板の上方からプローブを接触させるとともに、導電性
パッドにプローブを上方から接触させて成ることを特徴
とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項１３】導電性パッドを基板の重要部分を避け
て形成して成ることを特徴とする請求項１２記載の分極
処理装置。
【請求項１４】基板を挟む加熱プレートの挟み圧を調
整する挟み圧調整手段を備えて成ることを特徴とする請
求項２記載の分極処理装置。
【請求項１５】挟み圧調整手段は、ばね力の調整によ
るものであることを特徴とする請求項１４記載の分極処
理装置。
【請求項１６】ばね力による挟み圧調整手段を備えた
上下の加熱プレートの挟み治具の操作は、ワンタッチ操
作にておこなえる構成にして成ることを特徴とする請求
項１５記載の分極処理装置。
【請求項１７】加熱プレートに通孔を形成し、基板と
は反対側よりエアーを吹出して基板を加熱プレートから
剥離する剥離手段を備えて成ることを特徴とする請求項
２記載の分極処理装置。
【請求項１８】加熱プレートに通孔を形成し、基板と
は反対側よりイオン性のガスを含むエアーを吹付けて基
板を加熱プレートから剥離する静電気中和型の剥離手段
を形成して成ることを特徴とする請求項２記載の分極処
理装置。
【請求項１９】通孔を形成した加熱プレートに凹条を
形成して成ることを特徴とする請求項１７又は１８記載
の分極処理装置。
【請求項２０】基板の両面に形成した電極に接触させ
るプローブを基板の両側に各複数本ずつ備えて成ること
を特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２１】基板の両面に形成した電極に接触する
プローブ対毎に高電圧源を備えて成ることを特徴とする
請求項２０記載の分極処理装置。
【請求項２２】基板の両面に形成した電極に接触する
プローブ対毎の高電圧源の極性を切換える手段を備えて
成ることを特徴とする請求項２１記載の分極処理装置。
【請求項２３】プローブの基板への接触圧あるいは接
触位置を検出する手段を備えて成ることを特徴とする請
求項１１記載の分極処理装置。
【請求項２４】プローブの基板への接触圧を検出し、
その検出値に応じて印加する電圧値を補正する手段をプ
ローブ対に備えて成ることを特徴とする請求項２１又は
２３記載の分極処理装置。
【請求項２５】基板を挟み込んだ加熱プレートを真空
槽内に設置し、真空槽内で電圧を印加する手段を備えて
成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２６】基板を挟み込んだ加熱プレートを真空
槽内に設置し、真空槽内に電気的な絶縁性ガスを導入
し、絶縁性ガス雰囲気中で電圧を印加する手段を備えて
成ることを特徴とする請求項２５記載の分極処理装置。
【請求項２７】プローブに電圧を印加する電圧印加回
路と並列に、基板に設けた電極を短絡する回路を備えて
成ることを特徴とする請求項２記載の分極処理装置。
【請求項２８】プローブに電圧を印加する電圧印加回
路に分極電流測定装置を備えて成ることを特徴とする請
求項２記載の分極処理装置。
【請求項２９】熱源盤と熱伝達板との間に冷却板を挿
入自在に構成して成ることを特徴とする請求項５記載の
分極処理装置。
【請求項３０】基板を風冷するファンを備えて成るこ
とを特徴とする請求項５記載の分極処理装置。
【請求項３１】電極がパターン化された基板上の電極
パターンの縁に電極の抵抗値を測定することができる抵
抗測定用プローブを備えて成ることを特徴とする請求項
２記載の分極処理装置。
【請求項３２】抵抗測定用プローブが電圧印加用のプ
ローブと兼ねて成ることを特徴とする請求項３１記載の
分極処理装置。
【請求項３３】基板の上下に複数本ずつ設けたプロー
ブを電極の電気抵抗測定用プローブとして使用する際
に、特定のプローブに対して他の各プローブ間の抵抗を
測定するための切替え制御手段を備えて成ることを特徴
とする請求項３２記載の分極処理装置。