JP2001168095A - 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその半導体装置の製造方法Info
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- JP2001168095A JP2001168095A JP34723699A JP34723699A JP2001168095A JP 2001168095 A JP2001168095 A JP 2001168095A JP 34723699 A JP34723699 A JP 34723699A JP 34723699 A JP34723699 A JP 34723699A JP 2001168095 A JP2001168095 A JP 2001168095A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の配線の放熱を良好にすること
【構成】 半導体装置の配線の表面を凹凸形状にして放
熱特性を高めるとともに、更に、この配線の下に高伝導
率膜を形成して、半導体基板側への放熱も良好にする。
熱特性を高めるとともに、更に、この配線の下に高伝導
率膜を形成して、半導体基板側への放熱も良好にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱特性の良好な半導
体装置、及び、その半導体装置の製造方法に関する。
体装置、及び、その半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として、配線から放熱する構
造として、図９で示すようにエアブリッジメッキ構造が
ある。この従来の技術は、半導体基板表面に絶縁領域１
０２が形成され、その上に絶縁膜１０３が成膜されてい
る。そして、絶縁膜１０３上にに配線１０４が形成され
ている。この従来の技術は絶縁膜１０３配線１０４の間
に空隙１０５を形成し、配線１０４の表面積を広くし、
放熱面積を大ききしている。しかし、この構造の場合、
表面積を広くするためには、空隙距離１０６を長くしな
くてはならず、チップ面積が大きくなるという問題があ
る。さらに、空隙距離１０６を長くすると、配線１０４
が落下し、絶縁膜１０３が落ち、結果として配線表面積
を稼げなくなるという問題がある。
造として、図９で示すようにエアブリッジメッキ構造が
ある。この従来の技術は、半導体基板表面に絶縁領域１
０２が形成され、その上に絶縁膜１０３が成膜されてい
る。そして、絶縁膜１０３上にに配線１０４が形成され
ている。この従来の技術は絶縁膜１０３配線１０４の間
に空隙１０５を形成し、配線１０４の表面積を広くし、
放熱面積を大ききしている。しかし、この構造の場合、
表面積を広くするためには、空隙距離１０６を長くしな
くてはならず、チップ面積が大きくなるという問題があ
る。さらに、空隙距離１０６を長くすると、配線１０４
が落下し、絶縁膜１０３が落ち、結果として配線表面積
を稼げなくなるという問題がある。
【０００３】また、特許第２５５８６４３号明細書に
は、半導体基板裏面に櫛歯状の凹凸を設け、この凹凸面
に厚メッキ層を形成して、半導体基板ー厚メッキ層間の
熱抵抗を低減した半導体装置が記載されている。しかし
ながら、このものは、配線が発生する熱に対する対策に
ついてなにも言及していない。
は、半導体基板裏面に櫛歯状の凹凸を設け、この凹凸面
に厚メッキ層を形成して、半導体基板ー厚メッキ層間の
熱抵抗を低減した半導体装置が記載されている。しかし
ながら、このものは、配線が発生する熱に対する対策に
ついてなにも言及していない。
【０００４】更に、特開平１１−１９５７６０号公報に
は、金属配線層の上側表面に溝を形成させて表面形状を
凹凸形状とし、その全表面を反射防止膜により覆った半
導体デバイスの配線構造が記載されている。このもの
は、配線層が発生する熱の放出を向上させるともに、配
線層に設けられた反射防止膜によりエレクトロマイグレ
ーションを抑制するものである。しかしながら、この発
明は、熱の放出に関しては、単に、配線層の表面を凹凸
形状にしているにすぎない。しかも、エレクトロマイグ
レーションを抑制するために、配線層の全面を反射防止
膜により覆っているので、熱放出の効率に悪影響を及ぼ
すという問題がある。
は、金属配線層の上側表面に溝を形成させて表面形状を
凹凸形状とし、その全表面を反射防止膜により覆った半
導体デバイスの配線構造が記載されている。このもの
は、配線層が発生する熱の放出を向上させるともに、配
線層に設けられた反射防止膜によりエレクトロマイグレ
ーションを抑制するものである。しかしながら、この発
明は、熱の放出に関しては、単に、配線層の表面を凹凸
形状にしているにすぎない。しかも、エレクトロマイグ
レーションを抑制するために、配線層の全面を反射防止
膜により覆っているので、熱放出の効率に悪影響を及ぼ
すという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
技術における問題点に鑑み、半導体装置の配線が発生す
る熱を良好に放熱する半導体装置及びその装置の製造方
法を提供するものである。
技術における問題点に鑑み、半導体装置の配線が発生す
る熱を良好に放熱する半導体装置及びその装置の製造方
法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とする点
は、半導体装置において、その半導体基板上に形成され
た配線に凹凸を付け、もって、配線の表面積を広くし、
配線から空気中への優れた放熱性持たせた点、また、上
記の凹凸構造の配線下部には、高熱伝導率膜を形成する
ことで、基板裏面方向への放熱性を良好にした点にあ
り、この特徴とする点を次のとおりの事項により実現で
きる。 １．半導体基板の上に、その表面が凹凸状の配線を形成
した。 ２．半導体基板の上に形成された絶縁領域と、この絶縁
領域上に形成された表面が凹凸状の配線と、からなる。 ３．半導体基板の上に高熱伝導率膜を形成し、その上に
表面が凹凸状の配線を形成した。 ４．半導体基板上に形成された絶縁領域と、この絶縁領
域上に形成された高熱伝導率膜と、当該高熱伝導率膜上
に形成された表面が凹凸状の配線とからなる。 ５．半導体基板上に形成された絶縁領域と、この絶縁領
域の上に形成された表面が凹凸状の配線と、前記配線の
凸状の部分と前記絶縁領域の間に形成された高熱伝導率
膜とからなる。 ６．半導体基板上に形成された絶縁領域と、全面に形成
されその表面を平坦化された高熱伝導率膜と、この高熱
伝導率膜上に形成され、かつその表面が凹凸状に形成さ
れた配線とからなる。 ７．半導体基板上のトランジスタ形成領域に形成された
トランジスタと、前記トランジスタ形成領域以外の表面
に形成された絶縁領域と、当該絶縁領域上形成された表
面が凹凸状の配線と、からなる。 ８．半導体基板上のトランジスタ形成領域に形成された
トランジスタと、前記トランジスタ形成領域以外の表面
に形成された絶縁領域と、この絶縁領域上に形成された
高熱伝導率膜と、当該高熱伝導率膜上に形成され、表面
が凹凸状の配線と、からなる。 ９．前記トランジスタ上は、低誘電率膜により成膜され
ている。 １０．前記低誘電率膜の材料は、ＳｉＯ２である。 １１．前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮまたはＢＮで
ある。 １２．前記配線は、エミッタ配線である。 １３．前記配線は、コレクタ配線である。 １４．前記配線は、ベース配線である。
は、半導体装置において、その半導体基板上に形成され
た配線に凹凸を付け、もって、配線の表面積を広くし、
配線から空気中への優れた放熱性持たせた点、また、上
記の凹凸構造の配線下部には、高熱伝導率膜を形成する
ことで、基板裏面方向への放熱性を良好にした点にあ
り、この特徴とする点を次のとおりの事項により実現で
きる。 １．半導体基板の上に、その表面が凹凸状の配線を形成
した。 ２．半導体基板の上に形成された絶縁領域と、この絶縁
領域上に形成された表面が凹凸状の配線と、からなる。 ３．半導体基板の上に高熱伝導率膜を形成し、その上に
表面が凹凸状の配線を形成した。 ４．半導体基板上に形成された絶縁領域と、この絶縁領
域上に形成された高熱伝導率膜と、当該高熱伝導率膜上
に形成された表面が凹凸状の配線とからなる。 ５．半導体基板上に形成された絶縁領域と、この絶縁領
域の上に形成された表面が凹凸状の配線と、前記配線の
凸状の部分と前記絶縁領域の間に形成された高熱伝導率
膜とからなる。 ６．半導体基板上に形成された絶縁領域と、全面に形成
されその表面を平坦化された高熱伝導率膜と、この高熱
伝導率膜上に形成され、かつその表面が凹凸状に形成さ
れた配線とからなる。 ７．半導体基板上のトランジスタ形成領域に形成された
トランジスタと、前記トランジスタ形成領域以外の表面
に形成された絶縁領域と、当該絶縁領域上形成された表
面が凹凸状の配線と、からなる。 ８．半導体基板上のトランジスタ形成領域に形成された
トランジスタと、前記トランジスタ形成領域以外の表面
に形成された絶縁領域と、この絶縁領域上に形成された
高熱伝導率膜と、当該高熱伝導率膜上に形成され、表面
が凹凸状の配線と、からなる。 ９．前記トランジスタ上は、低誘電率膜により成膜され
ている。 １０．前記低誘電率膜の材料は、ＳｉＯ２である。 １１．前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮまたはＢＮで
ある。 １２．前記配線は、エミッタ配線である。 １３．前記配線は、コレクタ配線である。 １４．前記配線は、ベース配線である。
【０００７】また、本発明に係る上記半導体装置は、次
のとおりの製造方法で製造できる。 １５．半導体基板上に絶縁領域を形成する工程と、全面
に高熱伝導率膜を成膜する工程と、当該高熱伝導率膜上
に、表面が凹凸状の配線を形成する工程と、からなるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 １６．半導体基板上に絶縁領域を形成する工程と、全面
に高熱伝導率膜を成膜する工程と、前記高熱伝導率膜の
表面を平坦化する工程と、当該高熱伝導率膜の一部を除
去する工程と、当該高熱伝導率膜上に配線を形成する工
程とからなり、前記配線の表面を凹凸状にする。 １７．半導体基板上に絶縁領域を形成する工程と、全面
に高熱伝導率膜を成膜する工程と、前記高熱伝導率膜の
表面を平坦化する工程と、当該高熱伝導率膜上に配線を
形成する工程と、前記配線の表面を凹凸状に形成する工
程とからなる。 １８．前記絶縁領域は、イオン注入技術による絶縁化に
より形成する。 １９．前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮまたはＢＮで
ある。 ２０．前記高熱伝導率膜の一部分を除去する工程は、エ
ッチングにより除去する工程である。 ２１．半導体基板、サブコレクタ層、コレクタ層、ベー
ス層、エミッタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、エミッタ電極を形成後、ベース層と、サブコレ
クタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、コ
レクタ電極、ベース電極を形成する工程と。低誘電率膜
を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘電
率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する
工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、
凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記エミッタ
電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する工
程と、からなる。 ２２．半導体基板、サブエミッタ層、エミッタ層、ベー
ス層、コレクタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、エミッタ電極を形成後、ベース層と、サブエミ
ッタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、エ
ミッタ電極、ベース電極を形成する工程と。低誘電率膜
を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘電
率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する
工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、
凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記コレクタ
電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する工
程と、からなる。 ２３．半導体基板、サブコレクタ層、コレクタ層、ベー
ス層、エミッタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、ベース電極を形成後、エミッタ層と、サブコレ
クタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、コ
レクタ電極、エミッタ電極を形成する工程と。低誘電率
膜を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘
電率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜す
る工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程
と、凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記ベー
ス電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する
工程と、からなる。 ２４．半導体基板、サブエミッタ層、エミッタ層、ベー
ス層、コレクタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、ベース電極を形成後、コレクタ層と、サブエミ
ッタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、エ
ミッタ電極、コレクタ電極を形成する工程と。低誘電率
膜を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘
電率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜す
る工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程
と、凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記ベー
ス電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する
工程と、からなる。 ２５．前記除去する工程は、エッチングにより除去する
工程である。 ２６．前記絶縁領域は、イオン注入技術による絶縁化に
より形成される。 ２７．前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮまたはＢＮで
ある。
のとおりの製造方法で製造できる。 １５．半導体基板上に絶縁領域を形成する工程と、全面
に高熱伝導率膜を成膜する工程と、当該高熱伝導率膜上
に、表面が凹凸状の配線を形成する工程と、からなるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 １６．半導体基板上に絶縁領域を形成する工程と、全面
に高熱伝導率膜を成膜する工程と、前記高熱伝導率膜の
表面を平坦化する工程と、当該高熱伝導率膜の一部を除
去する工程と、当該高熱伝導率膜上に配線を形成する工
程とからなり、前記配線の表面を凹凸状にする。 １７．半導体基板上に絶縁領域を形成する工程と、全面
に高熱伝導率膜を成膜する工程と、前記高熱伝導率膜の
表面を平坦化する工程と、当該高熱伝導率膜上に配線を
形成する工程と、前記配線の表面を凹凸状に形成する工
程とからなる。 １８．前記絶縁領域は、イオン注入技術による絶縁化に
より形成する。 １９．前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮまたはＢＮで
ある。 ２０．前記高熱伝導率膜の一部分を除去する工程は、エ
ッチングにより除去する工程である。 ２１．半導体基板、サブコレクタ層、コレクタ層、ベー
ス層、エミッタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、エミッタ電極を形成後、ベース層と、サブコレ
クタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、コ
レクタ電極、ベース電極を形成する工程と。低誘電率膜
を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘電
率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する
工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、
凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記エミッタ
電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する工
程と、からなる。 ２２．半導体基板、サブエミッタ層、エミッタ層、ベー
ス層、コレクタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、エミッタ電極を形成後、ベース層と、サブエミ
ッタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、エ
ミッタ電極、ベース電極を形成する工程と。低誘電率膜
を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘電
率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する
工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、
凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記コレクタ
電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する工
程と、からなる。 ２３．半導体基板、サブコレクタ層、コレクタ層、ベー
ス層、エミッタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、ベース電極を形成後、エミッタ層と、サブコレ
クタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、コ
レクタ電極、エミッタ電極を形成する工程と。低誘電率
膜を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘
電率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜す
る工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程
と、凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記ベー
ス電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する
工程と、からなる。 ２４．半導体基板、サブエミッタ層、エミッタ層、ベー
ス層、コレクタ層で形成されたエピタキシャルウェハに
対して、ベース電極を形成後、コレクタ層と、サブエミ
ッタ層を露出させる工程と、絶縁領域を形成した後、エ
ミッタ電極、コレクタ電極を形成する工程と。低誘電率
膜を全面に成膜後、高熱伝導率膜を形成する部位の低誘
電率膜を除去する工程と、全面に高熱伝導率膜を成膜す
る工程と、当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程
と、凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、前記ベー
ス電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を形成する
工程と、からなる。 ２５．前記除去する工程は、エッチングにより除去する
工程である。 ２６．前記絶縁領域は、イオン注入技術による絶縁化に
より形成される。 ２７．前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮまたはＢＮで
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】（第１の実施例）図１に本発明に
係る第１の実施例を示す。半導体基板１の上に、絶縁領
域２を形成する。絶縁領域２は、例えば、イオン注入技
術による絶縁化により形成する。その後、全面に高熱伝
導率膜３、例えばＡｌＮやＢＮをスパッタで成膜後、そ
の一部分をエッチングにより除去し、配線４を凹凸上に
形成する。図１で示したように凹凸上に形成すること
で、配線の表面積が広くなり、空気中への放熱性が高く
なる。さらに配線下部に高熱伝導率膜を形成しているの
で、基板裏面方向への放熱性も高くなる。
係る第１の実施例を示す。半導体基板１の上に、絶縁領
域２を形成する。絶縁領域２は、例えば、イオン注入技
術による絶縁化により形成する。その後、全面に高熱伝
導率膜３、例えばＡｌＮやＢＮをスパッタで成膜後、そ
の一部分をエッチングにより除去し、配線４を凹凸上に
形成する。図１で示したように凹凸上に形成すること
で、配線の表面積が広くなり、空気中への放熱性が高く
なる。さらに配線下部に高熱伝導率膜を形成しているの
で、基板裏面方向への放熱性も高くなる。
【０００９】（第２の実施例）前記第１の実施例では、
配線構造のみ示したが、半導体デバイス部も含めた、例
えばバイポーラトランジスタも含めた構造有する本発明
に係る第２の実施例について説明する。図２〜７に本発
明に係る第２の実施例を示す、半導体基板１１、サブコ
レクタ層１５、コレクタ層１６、ベース層１７、エミッ
タ層１８で形成されたエピタキシャルウェハに対して、
図３で示すように、エミッタ電極２１を形成後、ベース
層１７と、サブコレクタ層１８をエッチングにより露出
させる。その後、図４で示すように、イオン注入技術を
用いて絶縁領域１２を形成し、コレクタ電極１９、ベー
ス電極２０を形成する。図５で示すように、低誘電率膜
２２例えばＳｉＯ２膜を全面に成膜後、高熱伝導率膜１
３を形成する部位の低誘電率膜２２をエッチングにより
除去する。その後、全面に高熱伝導率膜、例えばＡｌＮ
やＢＮを成膜後、平坦化技術により、図６の構造を形成
する。その後、図７で示すように凹凸上に高熱伝導率膜
をエッチングにより除去後、エミッタ電極上部の低誘電
率膜２２を除去し配線１４を形成する。また、ここでは
エミッタ配線に対して本発明を適用しているが、ベース
配線、コレクタ配線に適用してもよい。
配線構造のみ示したが、半導体デバイス部も含めた、例
えばバイポーラトランジスタも含めた構造有する本発明
に係る第２の実施例について説明する。図２〜７に本発
明に係る第２の実施例を示す、半導体基板１１、サブコ
レクタ層１５、コレクタ層１６、ベース層１７、エミッ
タ層１８で形成されたエピタキシャルウェハに対して、
図３で示すように、エミッタ電極２１を形成後、ベース
層１７と、サブコレクタ層１８をエッチングにより露出
させる。その後、図４で示すように、イオン注入技術を
用いて絶縁領域１２を形成し、コレクタ電極１９、ベー
ス電極２０を形成する。図５で示すように、低誘電率膜
２２例えばＳｉＯ２膜を全面に成膜後、高熱伝導率膜１
３を形成する部位の低誘電率膜２２をエッチングにより
除去する。その後、全面に高熱伝導率膜、例えばＡｌＮ
やＢＮを成膜後、平坦化技術により、図６の構造を形成
する。その後、図７で示すように凹凸上に高熱伝導率膜
をエッチングにより除去後、エミッタ電極上部の低誘電
率膜２２を除去し配線１４を形成する。また、ここでは
エミッタ配線に対して本発明を適用しているが、ベース
配線、コレクタ配線に適用してもよい。
【００１０】（第３の実施例）前記第１〜２の実施例で
は、凹凸構造の配線を、高熱伝導率膜に埋め込んだ形状
で形成したが、高熱伝導率膜上に凹凸状の配線を形成し
たしてもよい。図８に本発明に係る第３の実施例を示
す。半導体基板５１上に、絶縁領域５２を形成する。絶
縁領域５２は、例えば、イオン注入技術による絶縁化に
より形成する。その後、全面に高熱伝導率膜５３、例え
ばＡｌＮやＢＮをスパッタで成膜後、配線５４を凹凸状
に形成する。図８で示したように凹凸上に形成すること
で、配線の表面積が広くなり、空気中への放熱性が高く
なる。さらに配線下部に高熱伝導率膜を形成しているの
で、基板裏面方向への放熱性も高くなる。
は、凹凸構造の配線を、高熱伝導率膜に埋め込んだ形状
で形成したが、高熱伝導率膜上に凹凸状の配線を形成し
たしてもよい。図８に本発明に係る第３の実施例を示
す。半導体基板５１上に、絶縁領域５２を形成する。絶
縁領域５２は、例えば、イオン注入技術による絶縁化に
より形成する。その後、全面に高熱伝導率膜５３、例え
ばＡｌＮやＢＮをスパッタで成膜後、配線５４を凹凸状
に形成する。図８で示したように凹凸上に形成すること
で、配線の表面積が広くなり、空気中への放熱性が高く
なる。さらに配線下部に高熱伝導率膜を形成しているの
で、基板裏面方向への放熱性も高くなる。
【００１１】
【発明の効果】以上詳述したように、 本発明は、半導
体装置において、その半導体基板上に形成された配線に
凹凸を付けたので、配線の表面積を広くし、配線から空
気中への優れた放熱性が得られる。また、上記の凹凸構
造の配線下部には、高熱伝導率膜を形成したので、半導
体基板の裏面方向への放熱性を良好にできる。
体装置において、その半導体基板上に形成された配線に
凹凸を付けたので、配線の表面積を広くし、配線から空
気中への優れた放熱性が得られる。また、上記の凹凸構
造の配線下部には、高熱伝導率膜を形成したので、半導
体基板の裏面方向への放熱性を良好にできる。
【図１】本発明に係る第１の実施例の断面図
【図２】本発明に係る第２の実施例の製造方法の工程図
【図３】本発明に係る第２の実施例の製造方法の工程図
【図４】本発明に係る第２の実施例の製造方法の工程図
【図５】本発明に係る第２の実施例の製造方法の工程図
【図６】本発明に係る第２の実施例の製造方法の工程図
【図７】本発明に係る第２の実施例の断面図
【図８】本発明に係る第３の実施例の断面図
【図９】従来例の断面図
Claims (27)
- 【請求項１】 半導体基板の上に、その表面が凹凸状の
配線を形成した、ことを特徴とする半導体装置 - 【請求項２】 半導体基板の上に形成された絶縁領域
と、この絶縁領域上に形成された表面が凹凸状の配線
と、からなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体基板の上に高熱伝導率膜を形成
し、その上に表面が凹凸状の配線を形成した、ことを特
徴とする半導体装置 - 【請求項４】 半導体基板上に形成された絶縁領域と、
この絶縁領域上に形成された高熱伝導率膜と、当該高熱
伝導率膜上に形成された表面が凹凸状の配線と、からな
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 半導体基板上に形成された絶縁領域と、
この絶縁領域の上に形成された表面が凹凸状の配線と、
前記配線の凸状の部分と前記絶縁領域の間に形成された
高熱伝導率膜と、からなることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項６】 半導体基板上に形成された絶縁領域と、
全面に形成されその表面を平坦化された高熱伝導率膜
と、この高熱伝導率膜上に形成され、かつその表面が凹
凸状に形成された配線と、からなることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項７】 半導体基板上のトランジスタ形成領域に
形成されたトランジスタと、前記トランジスタ形成領域
以外の表面に形成された絶縁領域と、当該絶縁領域上形
成された表面が凹凸状の配線と、からなることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項８】 半導体基板上のトランジスタ形成領域に
形成されたトランジスタと、前記トランジスタ形成領域
以外の表面に形成された絶縁領域と、この絶縁領域上に
形成された高熱伝導率膜と、当該高熱伝導率膜上に形成
され、表面が凹凸状の配線と、からなることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項９】 前記トランジスタ上は、低誘電率膜によ
り成膜されている、ことを特徴とする請求項７〜８のい
ずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記低誘電率膜の材料は、ＳｉＯ２で
ある、ことを特徴とする請求項９記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮま
たはＢＮである、ことを特徴とする請求項２〜６および
８のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 前記配線は、エミッタ配線である、こ
とを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体
装置。 - 【請求項１３】 前記配線は、コレクタ配線である、こ
とを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体
装置。 - 【請求項１４】 前記配線は、ベース配線である、こと
を特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装
置。 - 【請求項１５】 半導体基板上に絶縁領域を形成する工
程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、当該高熱
伝導率膜上に、表面が凹凸状の配線を形成する工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 半導体基板上に絶縁領域を形成する工
程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、前記高熱
伝導率膜の表面を平坦化する工程と、当該高熱伝導率膜
の一部を除去する工程と、当該高熱伝導率膜上に配線を
形成する工程とからなり、前記配線の表面を凹凸状にす
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 半導体基板上に絶縁領域を形成する工
程と、全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、前記高熱
伝導率膜の表面を平坦化する工程と、当該高熱伝導率膜
上に配線を形成する工程と、前記配線の表面を凹凸状に
形成する工程と、からなることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１８】 前記絶縁領域は、イオン注入技術によ
る絶縁化により形成する、ことを特徴とする請求項１５
〜１７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮま
たはＢＮである、ことを特徴とする請求項１５〜１７の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記高熱伝導率膜の一部分を除去する
工程は、エッチングにより除去する工程である、ことを
特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２１】 半導体基板、サブコレクタ層、コレク
タ層、ベース層、エミッタ層で形成されたエピタキシャ
ルウェハに対して、エミッタ電極を形成後、ベース層
と、サブコレクタ層を露出させる工程と、 絶縁領域を形成した後、コレクタ電極、ベース電極を形
成する工程と。低誘電率膜を全面に成膜後、高熱伝導率
膜を形成する部位の低誘電率膜を除去する工程と、 全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、 当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、 凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、 前記エミッタ電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線
を形成する工程と、 からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２２】 半導体基板、サブエミッタ層、エミッ
タ層、ベース層、コレクタ層で形成されたエピタキシャ
ルウェハに対して、エミッタ電極を形成後、ベース層
と、サブエミッタ層を露出させる工程と、 絶縁領域を形成した後、エミッタ電極、ベース電極を形
成する工程と。低誘電率膜を全面に成膜後、高熱伝導率
膜を形成する部位の低誘電率膜を除去する工程と、 全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、 当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、 凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、 前記コレクタ電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線
を形成する工程と、 からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２３】 半導体基板、サブコレクタ層、コレク
タ層、ベース層、エミッタ層で形成されたエピタキシャ
ルウェハに対して、ベース電極を形成後、エミッタ層
と、サブコレクタ層を露出させる工程と、 絶縁領域を形成した後、コレクタ電極、エミッタ電極を
形成する工程と。低誘電率膜を全面に成膜後、高熱伝導
率膜を形成する部位の低誘電率膜を除去する工程と、 全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、 当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、 凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、 前記ベース電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を
形成する工程と、 からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２４】 半導体基板、サブエミッタ層、エミッ
タ層、ベース層、コレクタ層で形成されたエピタキシャ
ルウェハに対して、ベース電極を形成後、コレクタ層
と、サブエミッタ層を露出させる工程と、 絶縁領域を形成した後、エミッタ電極、コレクタ電極を
形成する工程と。低誘電率膜を全面に成膜後、高熱伝導
率膜を形成する部位の低誘電率膜を除去する工程と、 全面に高熱伝導率膜を成膜する工程と、 当該高熱伝導率膜の表面を平坦化する工程と、 凹凸上に高熱伝導率膜を除去する工程と、 前記ベース電極上部の低誘電率膜を除去した後、配線を
形成する工程と、 からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記除去する工程は、エッチングによ
り除去する工程である、ことを特徴とする請求項２１〜
２４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２６】 前記絶縁領域は、イオン注入技術によ
る絶縁化により形成される、ことを特徴とする請求項２
１〜２４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２７】 前記高熱伝導率膜の材料は、ＡｌＮま
たはＢＮである、ことを特徴とする請求項２１〜２４の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34723699A JP2001168095A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34723699A JP2001168095A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168095A true JP2001168095A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18388848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34723699A Withdrawn JP2001168095A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022025092A (ja) * | 2016-02-12 | 2022-02-09 | 東洋紡株式会社 | 衣服型電子機器 |
-
1999
- 1999-12-07 JP JP34723699A patent/JP2001168095A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022025092A (ja) * | 2016-02-12 | 2022-02-09 | 東洋紡株式会社 | 衣服型電子機器 |
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|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
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