JP2001168058A - シリサイドによる機能部を製造する方法 - Google Patents
シリサイドによる機能部を製造する方法Info
- Publication number
- JP2001168058A JP2001168058A JP2000323967A JP2000323967A JP2001168058A JP 2001168058 A JP2001168058 A JP 2001168058A JP 2000323967 A JP2000323967 A JP 2000323967A JP 2000323967 A JP2000323967 A JP 2000323967A JP 2001168058 A JP2001168058 A JP 2001168058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- silicide
- acetate
- layer
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 99
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 99
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 25
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 12
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 claims description 10
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 5
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CTUFHBVSYAEMLM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;platinum Chemical compound [Pt].CC(O)=O.CC(O)=O CTUFHBVSYAEMLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- VYZTZRKJVQZNIJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid tantalum Chemical compound [Ta].CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O VYZTZRKJVQZNIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000010201 Exanthema Diseases 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 201000005884 exanthem Diseases 0.000 description 1
- ZEAJXCPGHPJVNP-UHFFFAOYSA-N fenyramidol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)CNC1=CC=CC=N1 ZEAJXCPGHPJVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000555 fenyramidol Drugs 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 206010037844 rash Diseases 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/855—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for manufacture of nanostructure
- Y10S977/859—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for manufacture of nanostructure including substrate treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】集積回路の製造時に均一な超薄型のシリサイド
による機能部を製造する方法を提供する。 【解決手段】シリコン半導体基板の表面上に金属層１２
を付着する。加熱した金属チップ１５のアレイが金属層
と接触し、これにより、金属チップが接触した箇所の金
属層は金属シリサイド１８に変換され、金属チップが接
触しなかった箇所の金属層は反応しない。反応しなかっ
た金属層は除去し、均一な超薄型のシリサイドによる機
能部として金属シリサイドが残るようにする。
による機能部を製造する方法を提供する。 【解決手段】シリコン半導体基板の表面上に金属層１２
を付着する。加熱した金属チップ１５のアレイが金属層
と接触し、これにより、金属チップが接触した箇所の金
属層は金属シリサイド１８に変換され、金属チップが接
触しなかった箇所の金属層は反応しない。反応しなかっ
た金属層は除去し、均一な超薄型のシリサイドによる機
能部として金属シリサイドが残るようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路デバイス
の製造、より具体的には、集積回路を製造するとき、均
一な超薄型のシリサイドによる機能部を製造する方法に
関する。
の製造、より具体的には、集積回路を製造するとき、均
一な超薄型のシリサイドによる機能部を製造する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路を製造するとき、標準的なサリ
サイド（自己整合したシリサイド）方法を使用して、
０．１μｍ以下位の機能部の上に超薄型の均一な金属・
シリコン化合物（シリサイド）を製造することは、極め
て難しいと考えられる。重要な問題点は、シリサイドの
厚さが約１０００Å（オングストローム）から約３００
Å（オングストローム）まで薄くなるときの界面間の不
均一さである。超薄型のシリサイド膜が不均一であると
いうこの問題点は、主として、形成される低抵抗率の位
相を形成するのに必要とされる核形成事象の統計学的性
質、及び既存の急速熱焼鈍し（ＲＴＡ）方法の不均一さ
に関係している。
サイド（自己整合したシリサイド）方法を使用して、
０．１μｍ以下位の機能部の上に超薄型の均一な金属・
シリコン化合物（シリサイド）を製造することは、極め
て難しいと考えられる。重要な問題点は、シリサイドの
厚さが約１０００Å（オングストローム）から約３００
Å（オングストローム）まで薄くなるときの界面間の不
均一さである。超薄型のシリサイド膜が不均一であると
いうこの問題点は、主として、形成される低抵抗率の位
相を形成するのに必要とされる核形成事象の統計学的性
質、及び既存の急速熱焼鈍し（ＲＴＡ）方法の不均一さ
に関係している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ナカジマ（Ｎａｋａｊ
ｉｍａ）及びその他の者への米国特許第５，７１２，１
９１号では、シリコン層上に酢酸ニッケル溶液をスピン
被覆し、また、３００℃乃至５００℃にて熱処理し、ニ
ッケル・シリサイドを形成することを教示している。次
に、レーザ光線を照射して、ニッケル・シリサイドの領
域にて結晶の成長を促進する。しかしながら、レーザの
照射又は改質は、ミクロン以下よりも小さい機能部を製
造することを許容しない。レーザ照射は、任意の一時点
にて単一の局部的な改質のみを許容する。更に、レーザ
照射は、極めて短時間内の任意の一時点にて局部的なニ
ッケル酸化物内に大きい熱的衝撃力が生ずるため、亀裂
及び膜の剥離を生じさせることが経験的に観察されてい
る。カブレル（Ｃａｂｒａｌ）、ジュニア及びその他の
者への米国特許第５，５１０，２９５号は、コバルト層
をシリコン上に付着させることと、コバルト層をＮ2雰
囲気中にて９００℃乃至１０００℃にて焼鈍しすること
と、次に、チタン層をその上に付着することと、焼鈍し
して、チタン・シリサイドを形成することとを教示して
いる。ザール（Ｚｕｈｒ）及びその他の者への米国特許
第４，９０８，３３４号は、金属を４００℃乃至６００
℃にてシリコン上にイオンビーム付着させることにより
シリサイド膜を形成する。タング（Ｔｕｎｇ）への米国
特許第５，７２８，６２５号には、超高真空内にてコバ
ルト・シリサイドをシリコン上にて成長させることと、
次に、４５０℃乃至８００℃にて焼鈍し、コバルト・シ
リサイドを形成することとが開示されている。ツアイ
（Ｔｓａｉ）及びその他の者への米国特許第５，７０
２，９７２号は、チタンをシリサイド上に付着させて、
チタン・シリサイドを形成することと、次に、焼鈍しし
てチタン・シリサイドを位相Ｃ４９から位相Ｃ５４に変
換することとを教示している。イルダレム（Ｉｌｄｅｒ
ｅｍ）及びその他の者への米国特許第４，９５７，７７
７号は、シランを使用して、チタン・シリサイドをポリ
シリコン上に付着することを教示している。
ｉｍａ）及びその他の者への米国特許第５，７１２，１
９１号では、シリコン層上に酢酸ニッケル溶液をスピン
被覆し、また、３００℃乃至５００℃にて熱処理し、ニ
ッケル・シリサイドを形成することを教示している。次
に、レーザ光線を照射して、ニッケル・シリサイドの領
域にて結晶の成長を促進する。しかしながら、レーザの
照射又は改質は、ミクロン以下よりも小さい機能部を製
造することを許容しない。レーザ照射は、任意の一時点
にて単一の局部的な改質のみを許容する。更に、レーザ
照射は、極めて短時間内の任意の一時点にて局部的なニ
ッケル酸化物内に大きい熱的衝撃力が生ずるため、亀裂
及び膜の剥離を生じさせることが経験的に観察されてい
る。カブレル（Ｃａｂｒａｌ）、ジュニア及びその他の
者への米国特許第５，５１０，２９５号は、コバルト層
をシリコン上に付着させることと、コバルト層をＮ2雰
囲気中にて９００℃乃至１０００℃にて焼鈍しすること
と、次に、チタン層をその上に付着することと、焼鈍し
して、チタン・シリサイドを形成することとを教示して
いる。ザール（Ｚｕｈｒ）及びその他の者への米国特許
第４，９０８，３３４号は、金属を４００℃乃至６００
℃にてシリコン上にイオンビーム付着させることにより
シリサイド膜を形成する。タング（Ｔｕｎｇ）への米国
特許第５，７２８，６２５号には、超高真空内にてコバ
ルト・シリサイドをシリコン上にて成長させることと、
次に、４５０℃乃至８００℃にて焼鈍し、コバルト・シ
リサイドを形成することとが開示されている。ツアイ
（Ｔｓａｉ）及びその他の者への米国特許第５，７０
２，９７２号は、チタンをシリサイド上に付着させて、
チタン・シリサイドを形成することと、次に、焼鈍しし
てチタン・シリサイドを位相Ｃ４９から位相Ｃ５４に変
換することとを教示している。イルダレム（Ｉｌｄｅｒ
ｅｍ）及びその他の者への米国特許第４，９５７，７７
７号は、シランを使用して、チタン・シリサイドをポリ
シリコン上に付着することを教示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、集積回路を製造するとき、均一なシリサイド膜を製
造するための効果的で且つ極めて製造し易い方法を提供
することである。
は、集積回路を製造するとき、均一なシリサイド膜を製
造するための効果的で且つ極めて製造し易い方法を提供
することである。
【０００５】本発明の更なる目的は、集積回路を製造す
るとき、均一な超薄型のシリサイドによる機能部を製造
する方法を提供することである。更に別の目的は、０．
１μｍ以下の空間的幅を有する均一なシリサイドによる
機能部を形成する方法を提供することである。
るとき、均一な超薄型のシリサイドによる機能部を製造
する方法を提供することである。更に別の目的は、０．
１μｍ以下の空間的幅を有する均一なシリサイドによる
機能部を形成する方法を提供することである。
【０００６】更に別の目的は、シリサイドを局部的に且
つ均一に形成する方法を提供することである。本発明の
更に別の目的は、シリサイドを形成するため、コスト効
果のある前駆体を利用して、シリサイドを均一に形成す
る方法を提供することである。
つ均一に形成する方法を提供することである。本発明の
更に別の目的は、シリサイドを形成するため、コスト効
果のある前駆体を利用して、シリサイドを均一に形成す
る方法を提供することである。
【０００７】本発明の更に別の目的は、金属酸化物の酸
化が防止される、シリサイドを均一に形成する方法を提
供することである。
化が防止される、シリサイドを均一に形成する方法を提
供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的に従って、
集積回路を製造するとき、均一な超薄型のシリサイドに
よる機能部を製造する方法が実現される。金属層がシリ
コン半導体基板の表面上に付着される。加熱した金属チ
ップのアレイが金属層に接触し、これにより、金属チッ
プが接触した箇所の金属層は金属シリサイドに変換さ
れ、金属チップが接触しなかった金属層は反応しない。
この反応しない金属層を除去して、均一な超薄型のシリ
サイドによる機能部として金属シリサイドが残るように
する。
集積回路を製造するとき、均一な超薄型のシリサイドに
よる機能部を製造する方法が実現される。金属層がシリ
コン半導体基板の表面上に付着される。加熱した金属チ
ップのアレイが金属層に接触し、これにより、金属チッ
プが接触した箇所の金属層は金属シリサイドに変換さ
れ、金属チップが接触しなかった金属層は反応しない。
この反応しない金属層を除去して、均一な超薄型のシリ
サイドによる機能部として金属シリサイドが残るように
する。
【０００９】また、本発明の目的に従い、酢酸金属層が
シリコン半導体基板の表面上にスピン被覆される。加熱
した金属チップのアレイは、酢酸金属層に接触し、これ
により、金属チップが接触した箇所の酢酸金属層は金属
シリサイドに変換され、金属チップが接触しなかった酢
酸金属層は反応しない。この反応しなかった酢酸金属層
を除去して、均一な超薄型のシリサイドによる機能部と
して金属シリサイドが残るようにする。
シリコン半導体基板の表面上にスピン被覆される。加熱
した金属チップのアレイは、酢酸金属層に接触し、これ
により、金属チップが接触した箇所の酢酸金属層は金属
シリサイドに変換され、金属チップが接触しなかった酢
酸金属層は反応しない。この反応しなかった酢酸金属層
を除去して、均一な超薄型のシリサイドによる機能部と
して金属シリサイドが残るようにする。
【００１０】また、本発明の目的に従い、酢酸金属層が
シリコン半導体基板の表面上にスピン被覆される。加熱
した金属チップの列は、ポリシリコンゲート上にて酢酸
金属層及び拡散領域に接触し、これにより、金属チップ
が接触した箇所の酢酸金属層は金属シリサイドに変換さ
れ、金属チップが接触しなかった酢酸金属層は反応しな
い。この加熱は、金属表面の酸化を防止するため、高真
空の下、Ｈ2又はＮ2雰囲気中で行われる。この反応しな
かった酢酸金属層を除去して、均一な超薄型のシリサイ
ドによる機能部として金属シリサイドが残るようにす
る。
シリコン半導体基板の表面上にスピン被覆される。加熱
した金属チップの列は、ポリシリコンゲート上にて酢酸
金属層及び拡散領域に接触し、これにより、金属チップ
が接触した箇所の酢酸金属層は金属シリサイドに変換さ
れ、金属チップが接触しなかった酢酸金属層は反応しな
い。この加熱は、金属表面の酸化を防止するため、高真
空の下、Ｈ2又はＮ2雰囲気中で行われる。この反応しな
かった酢酸金属層を除去して、均一な超薄型のシリサイ
ドによる機能部として金属シリサイドが残るようにす
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、集積型回路を製造する
とき、均一な超薄型のシリサイドによる機能部を形成す
る３つの方法を具体化する。シリサイドによる機能部
は、チタン・シリサイド（チタンとシリコンとの化合
物）と、コバルト・シリサイド（コバルトとシリコンと
の化合物）と、白金・シリサイド（白金とシリコンとの
化合物）と、タンタル・シリサイド（タンタルとシリコ
ンとの化合物）と、ニッケル・シリサイド（ニッケルと
シリコンとの化合物）と、又はパラジウム・シリサイド
（パラジウムとシリコンとの化合物）とから成り、ま
た、１００ナノメートル（０．１μｍ）以下の空間的幅
を有することができる。また、チタン、コバルト、白
金、タンタル、ニッケル又はパラジウムの合金のシリサ
イドを使用することもできる。
とき、均一な超薄型のシリサイドによる機能部を形成す
る３つの方法を具体化する。シリサイドによる機能部
は、チタン・シリサイド（チタンとシリコンとの化合
物）と、コバルト・シリサイド（コバルトとシリコンと
の化合物）と、白金・シリサイド（白金とシリコンとの
化合物）と、タンタル・シリサイド（タンタルとシリコ
ンとの化合物）と、ニッケル・シリサイド（ニッケルと
シリコンとの化合物）と、又はパラジウム・シリサイド
（パラジウムとシリコンとの化合物）とから成り、ま
た、１００ナノメートル（０．１μｍ）以下の空間的幅
を有することができる。また、チタン、コバルト、白
金、タンタル、ニッケル又はパラジウムの合金のシリサ
イドを使用することもできる。
【００１２】図１乃至図３を参照しつつ、本発明の第一
の好ましい実施の形態に関して説明する。先ず、特に図
１を参照すると、部分的に完成した集積回路の一部分が
図示されている。半導体基板１０は（１００）結晶学的
方向を有するシリコンから成ることが好ましい。この基
板はｎ型又はｐ型シリコンとすることができる。
の好ましい実施の形態に関して説明する。先ず、特に図
１を参照すると、部分的に完成した集積回路の一部分が
図示されている。半導体基板１０は（１００）結晶学的
方向を有するシリコンから成ることが好ましい。この基
板はｎ型又はｐ型シリコンとすることができる。
【００１３】コバルト又は白金の超薄型の膜１２を約５
０Å（オングストローム）乃至２００Å（オングストロ
ーム）の範囲の厚さにて半導体基板の表面に堆積（付
着）させる。この膜は、従来の膜よりも薄い。これと代
替的に、ニッケル、タンタル又はチタンを堆積（付着）
させてもよい。
０Å（オングストローム）乃至２００Å（オングストロ
ーム）の範囲の厚さにて半導体基板の表面に堆積（付
着）させる。この膜は、従来の膜よりも薄い。これと代
替的に、ニッケル、タンタル又はチタンを堆積（付着）
させてもよい。
【００１４】次に、図２を参照すると、白金、タンタ
ル、チタン又は金属・窒化物から成る耐火金属チップ１
５のアレイが約５００乃至１２００℃の範囲の温度まで
加熱され且つ約１０秒乃至２０秒の範囲にてシリサイド
による機能部が形成される位置たる特定の位置にて薄い
膜１２と接触するように配置する。この薄い膜に接触し
た加熱した金属チップによってシリサイド１８は局部的
に形成される。金属チップを操作することにより線及び
機能部を形成することができる。金属チップは、所望の
配置に従って整合させ且つパターン化される。
ル、チタン又は金属・窒化物から成る耐火金属チップ１
５のアレイが約５００乃至１２００℃の範囲の温度まで
加熱され且つ約１０秒乃至２０秒の範囲にてシリサイド
による機能部が形成される位置たる特定の位置にて薄い
膜１２と接触するように配置する。この薄い膜に接触し
た加熱した金属チップによってシリサイド１８は局部的
に形成される。金属チップを操作することにより線及び
機能部を形成することができる。金属チップは、所望の
配置に従って整合させ且つパターン化される。
【００１５】金属チップの各々は、所望の温度まで漸進
的に上昇させ得るように抵抗加熱源に接続することがで
きる。このチップに使用される材料は、典型的に、必要
とされる温度よりも遥かに高い、すなわち、約２倍の融
点を有している。金属チップは、典型的に、約１００ナ
ノメートルの曲率半径を有する。かかるチップは、通
常、原子レベルにて使用され、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）又は走査トンネル型顕微鏡（ＳＴＭ）と称される技
術を使用して表面の組織を推定するために使用される。
的に上昇させ得るように抵抗加熱源に接続することがで
きる。このチップに使用される材料は、典型的に、必要
とされる温度よりも遥かに高い、すなわち、約２倍の融
点を有している。金属チップは、典型的に、約１００ナ
ノメートルの曲率半径を有する。かかるチップは、通
常、原子レベルにて使用され、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）又は走査トンネル型顕微鏡（ＳＴＭ）と称される技
術を使用して表面の組織を推定するために使用される。
【００１６】図２を再度、参照すると、反応しなかった
膜１２が除去されて、図３に図示するようにシリコン基
板上に金属シリサイドによる機能部１８が残るようにす
る。次に、図４及び図５を参照しつつ、本発明の第二実
施例の形態について説明する。先ず、図４を参照する
と、部分的に完成した集積回路の一部の図が図示されて
いる。該半導体基板１０は、（１００）結晶学的方向を
有するシリコンから成ることが好ましい。該基板はｎ型
又はｐ型シリコンとすることができる。
膜１２が除去されて、図３に図示するようにシリコン基
板上に金属シリサイドによる機能部１８が残るようにす
る。次に、図４及び図５を参照しつつ、本発明の第二実
施例の形態について説明する。先ず、図４を参照する
と、部分的に完成した集積回路の一部の図が図示されて
いる。該半導体基板１０は、（１００）結晶学的方向を
有するシリコンから成ることが好ましい。該基板はｎ型
又はｐ型シリコンとすることができる。
【００１７】酢酸コバルト（Ｃｏ（ＯＡC）2）の超薄型
の膜２０が、スピン被覆方法により、約５００Å乃至２
０００Åの範囲の厚さにて基板の表面上に付着される。
酢酸コバルトを図５に図示した位置２２にてコバルト１
４に変換するため第一実施例の形態の金属チップを使用
して、酢酸コバルトに対し熱処理を施す。
の膜２０が、スピン被覆方法により、約５００Å乃至２
０００Åの範囲の厚さにて基板の表面上に付着される。
酢酸コバルトを図５に図示した位置２２にてコバルト１
４に変換するため第一実施例の形態の金属チップを使用
して、酢酸コバルトに対し熱処理を施す。
【００１８】また、この熱処理は、高真空又は超高真空
であり、また約３００℃乃至５００℃で且つ約９００℃
以下の温度のＨ2又はＮ2雰囲気を備えている。例えば、
高真空は約１０-5トル乃至１０-7トルの範囲であり、超
高真空は約１０-10トル乃至１０-11トルの範囲にある。
熱処理は、金属表面を酸化させることなくシリコン基板
の上にコバルト・シリサイド線又は機能部２２を形成す
る。例えば、エタノール、メタノール、又はイソプロフ
ィアルコール（ＩＰＡ）のような有機系溶剤を使用し
て、反応しなかった酢酸コバルトを除去する。
であり、また約３００℃乃至５００℃で且つ約９００℃
以下の温度のＨ2又はＮ2雰囲気を備えている。例えば、
高真空は約１０-5トル乃至１０-7トルの範囲であり、超
高真空は約１０-10トル乃至１０-11トルの範囲にある。
熱処理は、金属表面を酸化させることなくシリコン基板
の上にコバルト・シリサイド線又は機能部２２を形成す
る。例えば、エタノール、メタノール、又はイソプロフ
ィアルコール（ＩＰＡ）のような有機系溶剤を使用し
て、反応しなかった酢酸コバルトを除去する。
【００１９】これとは代替的に、本発明の第二実施例の
形態において、酢酸コバルトに代えて、酢酸ニッケル、
酢酸白金又は酢酸パラジウムを使用してもよい。次に、
図６乃至図８を参照しつつ、本発明の第三実施例の形態
に関して説明する。先ず、図６を参照すると、部分的に
完成した集積回路の一部が図示されている。半導体基板
１０は、（１００の）結晶学的方向を有するシリコンか
ら成ることが好ましい。この基板はｎ型又はｐ型シリコ
ンとすることができる。
形態において、酢酸コバルトに代えて、酢酸ニッケル、
酢酸白金又は酢酸パラジウムを使用してもよい。次に、
図６乃至図８を参照しつつ、本発明の第三実施例の形態
に関して説明する。先ず、図６を参照すると、部分的に
完成した集積回路の一部が図示されている。半導体基板
１０は、（１００の）結晶学的方向を有するシリコンか
ら成ることが好ましい。この基板はｎ型又はｐ型シリコ
ンとすることができる。
【００２０】酢酸コバルト（Ｃｏ（ＯＡC）2）２６の超
薄型膜がスピン被覆方法により、約５００Å乃至２００
０Åの範囲の厚さにて基板の表面の上に付着される。白
金、タンタル、チタン又は金属・窒化物で形成された耐
火金属チップ１５のアレイを約５００℃乃至１２００℃
の範囲の温度に加熱し且つこのアレイをシリサイドによ
る機能部が形成される特定の位置にて薄い膜２６と接触
するように配置する。薄い膜と接触する加熱した金属チ
ップにより、図７に図示するように、コバルト・シリサ
イド３０が局部的に形成される。金属チップを操作する
ことにより線及び機能部を形成することができる。
薄型膜がスピン被覆方法により、約５００Å乃至２００
０Åの範囲の厚さにて基板の表面の上に付着される。白
金、タンタル、チタン又は金属・窒化物で形成された耐
火金属チップ１５のアレイを約５００℃乃至１２００℃
の範囲の温度に加熱し且つこのアレイをシリサイドによ
る機能部が形成される特定の位置にて薄い膜２６と接触
するように配置する。薄い膜と接触する加熱した金属チ
ップにより、図７に図示するように、コバルト・シリサ
イド３０が局部的に形成される。金属チップを操作する
ことにより線及び機能部を形成することができる。
【００２１】反応しなかった膜２６を除去し、図８に図
示するように、シリコン基板上に金属シリサイドによる
機能部３０が残るようにする。この実施の形態におい
て、酢酸コバルトに代えて、酢酸白金、酢酸タンタル又
は酢酸パラジウムを使用することができる。
示するように、シリコン基板上に金属シリサイドによる
機能部３０が残るようにする。この実施の形態におい
て、酢酸コバルトに代えて、酢酸白金、酢酸タンタル又
は酢酸パラジウムを使用することができる。
【００２２】このシリサイドによる機能部の形成は、典
型的なトランジスタ製造工程のフローに組み込むことが
できる。例えば、図９に図示するように、典型的なトラ
ンジスタ製造工程のフローは、浅いトレンチ分離部１４
と、ゲート１６と、側壁スペーサ２０と、ソース／ドレ
イン接合部２２とを形成することを含む。その後、酢酸
金属の薄い金属層をスピン被覆する。金属又は酢酸金属
は、本発明の３実施例の形態の１つにしたがって特定の
領域にて金属シリサイドに変換する。シリサイド３０
は、例えば、ゲート１６上及び、ソース／ドレイン領域
２２上に形成される。
型的なトランジスタ製造工程のフローに組み込むことが
できる。例えば、図９に図示するように、典型的なトラ
ンジスタ製造工程のフローは、浅いトレンチ分離部１４
と、ゲート１６と、側壁スペーサ２０と、ソース／ドレ
イン接合部２２とを形成することを含む。その後、酢酸
金属の薄い金属層をスピン被覆する。金属又は酢酸金属
は、本発明の３実施例の形態の１つにしたがって特定の
領域にて金属シリサイドに変換する。シリサイド３０
は、例えば、ゲート１６上及び、ソース／ドレイン領域
２２上に形成される。
【００２３】本発明の方法は、図９に図示するように、
シリコン−オン−絶縁体（ＳＯＩ）基板上に超薄型のシ
リサイド膜を製造するのに特に適しており、この場合、
シリコン１３は、絶縁層１２上に位置する状態で形成さ
れる。ＳＯＩの用途の主たる有利な点は、基板を加熱す
ることが不要であり、その結果、シリコン二酸化物層１
２の上方に位置するシリコン・チャンネル１３の上に生
じる追加的な熱応力を軽減することができる点である。
シリコン−オン−絶縁体（ＳＯＩ）基板上に超薄型のシ
リサイド膜を製造するのに特に適しており、この場合、
シリコン１３は、絶縁層１２上に位置する状態で形成さ
れる。ＳＯＩの用途の主たる有利な点は、基板を加熱す
ることが不要であり、その結果、シリコン二酸化物層１
２の上方に位置するシリコン・チャンネル１３の上に生
じる追加的な熱応力を軽減することができる点である。
【００２４】本発明の方法は、超薄型の均一なシリサイ
ドによる機能部を製造する効果的な方法を提供する。局
部的なシリサイドの形成は、金属層を金属チップと接触
させることにより又は熱処理により行われる。走査型熱
顕微鏡を使用してパラジウムを局部的にシリサイドに形
成することにより得られた実験結果から、形成されるシ
リサイドによる機能部は均一であることが確認された。
ドによる機能部を製造する効果的な方法を提供する。局
部的なシリサイドの形成は、金属層を金属チップと接触
させることにより又は熱処理により行われる。走査型熱
顕微鏡を使用してパラジウムを局部的にシリサイドに形
成することにより得られた実験結果から、形成されるシ
リサイドによる機能部は均一であることが確認された。
【００２５】本発明は具体的に図示し且つその好ましい
実施の形態に関して説明したが、本発明の精神及び範囲
から逸脱せずに、形態及び細部の点で色々な変更が具体
化可能であることが当業者により理解されよう。
実施の形態に関して説明したが、本発明の精神及び範囲
から逸脱せずに、形態及び細部の点で色々な変更が具体
化可能であることが当業者により理解されよう。
本明細書の重要な一部を形成する添付図面において、
【図１】本発明の第一の好ましい実施の形態を概略図的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図２】図１と同様の断面図である。
【図３】図１と同様の断面図である。
【図４】本発明の第二の好ましい実施の形態を概略図的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図５】図４と同様の断面図である。
【図６】本発明の第三の好ましい実施の形態を概略図的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図７】図６と同様の断面図である。
【図８】図６と同様の断面図である。
【図９】本発明の方法により製造された完成集積回路デ
バイスの一例を概略図的に示す断面図である。
バイスの一例を概略図的に示す断面図である。
１０ 半導体基板 １２ 超薄型の膜／絶縁層／シリコン二酸化物層 １３ シリコン（通路） １４ トレンチ分
離部 １５ 耐火性金属チップ １６ ゲート １８ シリサイド ２０ 超薄型の膜
／側壁スペーサ ２２ ソース／ドレイン接合部 ２６ 酢酸コバル
トの薄い膜 ３０ コバルト・シリサイド／金属シリサイドによる機
能部
離部 １５ 耐火性金属チップ １６ ゲート １８ シリサイド ２０ 超薄型の膜
／側壁スペーサ ２２ ソース／ドレイン接合部 ２６ 酢酸コバル
トの薄い膜 ３０ コバルト・シリサイド／金属シリサイドによる機
能部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラップ・チャン アメリカ合衆国カリフォルニア州94109, サンフランシスコ，ラーキン・ストリート 1631，ナンバー ３ (72)発明者 チョウ・シン・ホ シンガポール国 670422 シンガポール, ファジャー・ロード，ブロック 422，ナ ンバー 04−499 (72)発明者 フォン・ヨウ・サム・リ シンガポール国 597591 シンガポール, パイン・グローヴ，ナンバー 07−03 (72)発明者 ホウ・ティー・ング シンガポール国 531006 シンガポール, ロア−リュー・リャン，ブロック ６，ナ ンバー 05−120
Claims (23)
- 【請求項１】 集積回路デバイスの製造時にシリサイド
の機能部を製造する方法において、 シリコン半導体基板の表面上に金属層を付着し、 加熱した金属チップのアレイにより前記金属層に接触
し、これにより、前記金属チップが接触した箇所の前記
金属層が金属シリサイドに変換され、前記金属チップが
接触しなかった前記金属層は反応せず、 その後、前記集積回路デバイスの製造時に反応しなかっ
た前記金属層を除去して、前記シリサイドによる機能部
として前記金属シリサイドが残るようにする、方法。 - 【請求項２】 請求項１による方法において、前記金属
層が、コバルト、白金、チタン、タンタル及びニッケル
を含む群の１つから成り、約５０Å乃至２００Åの範囲
の厚さを有する、方法。 - 【請求項３】 請求項１による方法において、前記金属
チップが、白金、タンタル及びチタンを含む群の１つか
ら成る、方法。 - 【請求項４】 請求項１による方法において、前記金属
チップが耐火金属から成る、方法。 - 【請求項５】 請求項１による方法において、前記金属
チップが金属・窒化物から成る、方法。 - 【請求項６】 請求項１による方法において、前記金属
チップが、約５００℃乃至１２００℃の範囲の温度まで
加熱される、方法。 - 【請求項７】 請求項１による方法において、前記シリ
サイドによる機能部が、０．１ミクロン以下の空間的幅
を有する、方法。 - 【請求項８】 集積回路デバイスの製造時にシリサイド
の機能部を製造する方法において、 シリコン半導体基板の表面上に酢酸金属層をスピン被覆
し、 加熱した金属チップのアレイを、前記酢酸金属層に接触
し、これにより、前記金属チップが接触した箇所の前記
酢酸金属層が金属シリサイドに変換され、前記金属チッ
プが接触しなかった箇所の前記酢酸金属層は反応せず、 その後、前記集積回路装置の製造時に、反応しなかった
前記酢酸金属層を除去し、前記シリサイドによる機能部
として前記金属シリサイドが残るようにする、方法。 - 【請求項９】 請求項８による方法において、前記酢酸
金属層が、酢酸コバルトから成り、約５００Å乃至２０
００Åの範囲の厚さを有する、方法。 - 【請求項１０】 請求項８による方法において、前記酢
酸金属層が、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、酢酸白金、
酢酸タンタル及び酢酸パラジウムを含む群の１つから成
り、約５００Å乃至２０００Åの範囲の厚さを有する、
方法。 - 【請求項１１】 請求項８による方法において、前記金
属チップが、白金、タンタル及びチタンを含む群の１つ
から成る、方法。 - 【請求項１２】 請求項８による方法において、前記金
属チップが耐火性金属から成る、方法。 - 【請求項１３】 請求項８による方法において、前記金
属チップが金属・窒化物から成る、方法。 - 【請求項１４】 請求項８による方法において、前記金
属チップが、約５００℃乃至１２００℃の範囲の温度ま
で加熱される、方法。 - 【請求項１５】 請求項８による方法において、前記シ
リサイドによる機能部が０．１ミクロン以下の空間的幅
を有する、方法。 - 【請求項１６】 請求項８による方法において、約１０
-5トル乃至１０-7トルの範囲の高真空のＨ2又はＮ2雰囲
気中にて、約３００℃乃至５００℃の範囲で且つ約９０
０℃以下の温度で加熱にする、方法。 - 【請求項１７】 請求項８による方法において、約１０
-10トル乃至１０-11トルの範囲の超高真空のＨ2又はＮ2
雰囲気中にて加熱し、約３００℃乃至５００℃の範囲で
且つ約９００℃以下の温度にすることを更に備える、方
法。 - 【請求項１８】 集積回路デバイスの製造時にシリサイ
ドによる機能部を製造する方法において、 シリコン半導体基板の表面上に酢酸金属層をスピン被覆
し、 加熱した金属チップのアレイを、真空下にて前記酢酸金
属層に接触させ、これにより、前記金属チップが接触し
た箇所の前記酢酸金属層が金属シリサイドに変換され、
前記金属チップが接触しなかった前記酢酸金属層が反応
せず、これにより、前記酢酸金属が酸化されないように
し、 その後、前記集積回路デバイスの製造時に反応しなかっ
た前記酢酸金属層を除去し、前記シリサイドによる機能
部として前記金属シリサイドが残るようにすることとを
備える、方法。 - 【請求項１９】 請求項１８による方法において、前記
酢酸金属層が、酢酸コバルト、酢酸白金、酢酸ニッケ
ル、酢酸タンタル及び酢酸パラジウムを含む群の１つか
ら成り、約５００Å乃至２０００Åの範囲の厚さを有す
る、方法。 - 【請求項２０】 請求項１８による方法において、前記
真空が、約１０-5トル乃至１０-7トルの範囲の高真空で
あり、また、約３００℃乃至５００℃の範囲で且つ約９
００℃以下の温度のＨ2又はＮ2雰囲気を備える、方法。 - 【請求項２１】 請求項１８による方法において、前記
負圧が、約１０-10トル乃至１０-11トルの範囲の超高真
空であり、また、約３００℃乃至５００℃の範囲で且つ
約９００℃以下の温度のＨ2又はＮ2雰囲気を備える、方
法。 - 【請求項２２】 請求項１８による方法において、前記
金属チップが１つの配列にて整合される、方法。 - 【請求項２３】 請求項１８による方法において、前記
シリサイドによる機能部が０．１ミクロン以下の空間的
幅を有する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/425994 | 1999-10-25 | ||
| US09/425,994 US6281117B1 (en) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | Method to form uniform silicide features |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168058A true JP2001168058A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=23688851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000323967A Pending JP2001168058A (ja) | 1999-10-25 | 2000-10-24 | シリサイドによる機能部を製造する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6281117B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001168058A (ja) |
| SG (1) | SG87119A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527617A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-09-27 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 集積回路技術における超均一シリサイド |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846734B2 (en) * | 2002-11-20 | 2005-01-25 | International Business Machines Corporation | Method and process to make multiple-threshold metal gates CMOS technology |
| KR100555541B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 코발트 실리사이드막 형성방법 및 그 형성방법을 이용한반도체 장치의 제조방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4957777A (en) | 1988-07-28 | 1990-09-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films |
| US4908334A (en) | 1989-01-24 | 1990-03-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for forming metallic silicide films on silicon substrates by ion beam deposition |
| US5075243A (en) * | 1989-08-10 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of nanometer single crystal metallic CoSi2 structures on Si |
| US5510295A (en) | 1993-10-29 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Method for lowering the phase transformation temperature of a metal silicide |
| US5712191A (en) | 1994-09-16 | 1998-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US5728625A (en) | 1996-04-04 | 1998-03-17 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication in which a thin layer of cobalt silicide is formed |
| US5702972A (en) | 1997-01-27 | 1997-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of fabricating MOSFET devices |
| CA2197400C (en) * | 1997-02-12 | 2004-08-24 | Universite De Sherbrooke | Fabrication of sub-micron silicide structures on silicon using resistless electron beam lithography |
-
1999
- 1999-10-25 US US09/425,994 patent/US6281117B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-31 SG SG200002981A patent/SG87119A1/en unknown
- 2000-10-24 JP JP2000323967A patent/JP2001168058A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527617A (ja) * | 2003-07-07 | 2007-09-27 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 集積回路技術における超均一シリサイド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6281117B1 (en) | 2001-08-28 |
| SG87119A1 (en) | 2002-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2891092B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6562668B2 (en) | Method of fabricating thin film transistor using buffer layer and the thin film transistor | |
| KR20010104623A (ko) | 박막 실리콘-온-인슐레이터에의 낮은 저항 접촉을 위한자기 정렬된 실리사이드 제조 및 처리 방법 | |
| JP2008513977A (ja) | 半導体デバイス中の金属シリサイドの一方向拡散 | |
| JPH1187711A (ja) | トランジスタ製造方法 | |
| JP3798377B2 (ja) | ショットキー障壁トンネルトランジスタの製造方法 | |
| JP3654285B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW473871B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US6559041B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| JP2001168058A (ja) | シリサイドによる機能部を製造する方法 | |
| JPS59207623A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW439303B (en) | Manufacturing method of field emission device | |
| JP5449326B2 (ja) | ショットキー接合ｆｅｔの製造方法 | |
| EP1026730B1 (en) | A method to form uniform silicide features | |
| KR100443353B1 (ko) | 반도체 소자의 장벽금속막 형성 방법 | |
| JP2940492B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2002299282A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3334692B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI222141B (en) | Semiconductor devices having a metal silicide bi-layer and the method for fabricating the same | |
| US20080277737A1 (en) | Method of Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Obtained with Such a Method | |
| JPH04357828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100720471B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS60123026A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000299463A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3415739B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |