JP2001166496A

JP2001166496A - 露光方法および露光装置

Info

Publication number: JP2001166496A
Application number: JP34819799A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Hori; 和彦堀; Takahiro Horikoshi; 崇広堀越
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-12-07
Filing date: 1999-12-07
Publication date: 2001-06-22

Abstract

(57)【要約】【課題】後レイヤーのパターンをつなぎ合わせて露光
する際にも、前レイヤーの継ぎ精度に影響されることな
く良好な画面合成を行う。【解決手段】複数のパターンを基板Ｐのショット領域
につなぎ合わせて露光する露光方法において、基板Ｐの
第ｎ層（ｎは自然数）に第１パターンと第２パターンと
をつなぎ合わせて露光する際に、第１パターンの一部と
第２パターンの一部とを重複して露光し、基板Ｐの第ｎ
＋１層に第３パターンＰＳＤ１と第４パターンＰＳＤ２
とをつなぎ合わせて露光する際に、第３パターンＰＳＤ
１の一部と第４パターンＰＳＤ２の一部とを重複して露
光し、且つ第ｎ＋１層の重複露光部分ＡＹ２を第ｎ層の
重複露光部分とずらして設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶表示デバイス等の製造工程でマスクのパターンを基
板上に露光する露光方法および露光装置に関し、特に複
数の分割パターンの一部同士を基板上で互いにつなぎ合
わせることによって大面積のパターンを露光する、いわ
ゆる画面合成を行う露光方法および露光装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の露光装置では、露光対象
となる感光性基板の大型化に対応するために、感光性基
板の露光領域を複数の単位領域に分割し、各単位露光領
域に対する露光を複数回に亙って繰り返し、最終的に所
望の大面積を有するパターンを合成する手法、いわゆる
画面合成の手法が用いられている。画面合成を行う場
合、パターン投影用のレチクルの描画誤差、投影光学系
のディストーション、感光性基板を位置決めするステー
ジの位置決め誤差等に起因して、各単位露光領域の境界
位置においてパターンの切れ目が発生する事がある。そ
こで、パターンの切れ目の発生を防止するために、各単
位露光領域の境界を微少量だけ重ね合わせることによっ
て、すなわち、各単位露光領域を部分的に重複させるこ
とによって、画面合成のための露光を行っている。

【０００３】しかしながら、各単位露光領域を部分的に
重ね合わせると、重ね合わせた露光領域（以下、重複露
光領域と称する）の露光光量が重複露光領域以外の露光
領域の二倍（四重複露光領域では四倍）になり、感光剤
の特性およびパターン形状によってはパターンの継ぎ目
部分の線幅が大きく変化することになる。また、画面合
成を行うと、隣接する二つの単位露光領域の間の相対位
置ずれによってパターンの継ぎ目部分に段差が発生し、
製造デバイスの特性が損なわれることがある。さらに、
画面合成された単層のパターンを多層に重ね合わせる工
程において各層のパターン形成を異なる露光装置に分担
させた場合、各露光装置のレンズディストーションやス
テージの位置決め誤差の相違によって、各層における単
位露光領域の重ね合わせ誤差がパターンの継ぎ目部分で
不連続に変化することになる。この場合、特にアクティ
ブマトリックス液晶デバイスでは、パターン継ぎ目部分
でコントラストが不連続に変化して、デバイスの品質が
低下することになる。

【０００４】上記のような画面合成上の不都合を解決す
る露光装置としては、特開平６−２４４０７７号公報お
よび特開平６−３０２５０１号公報に開示されているも
のがある。これらの公報に記載された露光装置では、レ
チクルとほぼ共役な位置に配置されてレチクルの照明領
域を設定するためのレチクルブラインドに、露光量を制
御する機能を付加している。そして、この露光量制御機
能を用いて重複露光領域とそれ以外の露光領域とで露光
光量がほぼ等しくなるように光学像を形成することによ
り、継ぎ目部分が漸次変化し、継ぎ目の不連続な変化を
目立たなくしている。

【０００５】また、上述した特開平６−３０２５０１号
公報には、感光基板への露光中に、パターンを重複させ
るべき部分の範囲でレチクルブラインドを移動させるこ
とにより、継ぎ目部分での露光量がほぼ連続的に減光
し、よって、パターンの重複部分での露光量が他の部分
の露光量にほぼ等しくなるという技術が開示されてい
る。

【０００６】このように、つなぎ合わせ部の精度によっ
て段差が発生する虞がある場合は、基板上の異なる領域
に対してパターン像の一部がそれぞれ重複するように、
露光量制御可能なレチクルブラインドを用いて光学像を
形成することにより、パターン同士のつなぎ目を徐々に
変化させる、いわゆる露光量制御継ぎ露光を実施して段
差を目立たなくさせている。

【０００７】ところで、上記画面合成においては、継ぎ
ラインが見える可能性のある全レイヤーに上記露光量制
御継ぎ露光を行う必要があるが、該当するレイヤーの一
つ、例えばゲート層は１ｓｔレイヤーであることが多
い。通常の露光処理では、１ｓｔレイヤーで画面をつな
ぎ合わせる際に下地に基準がなく、機械精度やパターン
の製造精度に依存して露光が行われるため、継ぎ精度を
高精度に追い込むことが困難である。

【０００８】そこで、１ｓｔレイヤーでつなぎ合わせを
高精度に行うためには、基板につなぎ合わされる一方の
パターンの位置を検出するセンサを別途設け、検出され
たパターンの位置に基づいて他方のパターンを露光する
という方法も考えられるが、通常のパターン形状はレイ
ヤー毎に、例えばＸ方向またはＹ方向にのみに延在する
ことが多いため、上記一方のパターンの位置をＸ、Ｙの
両方向で検出することは困難である。

【０００９】これに対して２ｎｄレイヤー、例えばソー
ス・ドレイン層でつなぎ合わせ露光を行う際には、前レ
イヤーである１ｓｔレイヤーで露光されたアライメント
マークという基準が存在するため、このアライメントマ
ークをオフアクシス等のセンサで計測して、つなぎ合わ
されるソース・ドレイン層をそれぞれ１ｓｔレイヤーの
ゲート層と高精度に重ね合わせるように追い込むこと
で、結果として後レイヤーである２ｎｄレイヤーでのつ
なぎ合わせが高精度に行われる。この際、１ｓｔレイヤ
ーと２ｎｄレイヤーとにおける重複露光部分は、通常同
一位置にそれぞれ設定されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光方法および露光装置には、以下のよ
うな問題が存在する。後レイヤーにおいてつなぎ合わさ
れる各パターンの継ぎ精度は、これら各パターンと重ね
合わされる前レイヤーにおける各パターンの継ぎ精度に
依存している。そのため、必要な精度がそれほど厳しく
なく、位置決め精度がさほど高くないラフな前レイヤー
に対して後レイヤーのショットを重ね合わせる場合、い
くら後レイヤーを厳密な精度で前レイヤーに重ね合わせ
ても、前レイヤーのラフな位置決め精度が残存すること
になる。

【００１１】さらに、前レイヤーに必要とされる継ぎ精
度がラフな場合は、上記露光量制御継ぎ露光を行わずに
単に継ぎラインでつなぎ合わされる（通常露光と称す
る）が、この場合でも、高い継ぎ精度が要求される後レ
イヤーを、前レイヤーに高精度に重ね合わせることを行
っていた。

【００１２】露光量制御継ぎ露光は、つなぎ合わされる
ショット間の継ぎ精度がある程度確保されていないと、
露光によって形成された基板上のパターンにおいて露光
量制御継ぎ露光された部分と、他の通常露光部分との間
に境界線が確認されることがある。これは、ショット間
に継ぎ精度の差がある程度以上存在した状態で露光量制
御継ぎ露光により形成されるパターンと、一回の露光で
形成されたパターンの形状が異なることに起因するため
である。

【００１３】このように、継ぎ精度が十分確保されてい
ない状態で露光量制御継ぎ露光が施された前レイヤー
や、通常露光でつなぎ合わせた前レイヤーの継ぎ変化
は、継ぎ部分において急激になる。例えば、上記ゲート
層とソース・ドレイン層とで継ぎ精度に差がある状態で
重ね合わせると、図１２に示すように、ゲート線Ｇとソ
ース・ドレイン線ＳＤとの重なる面積が変動して画素間
で輝度変化が生じる。そして、この輝度変化が重複露光
部分に沿って存在することで、帯ムラとして認識される
虞がある。

【００１４】通常、装置の位置決め精度は比較的高いレ
ベルにあるため、機械精度に依存した継ぎ精度であれ
ば、露光量制御継ぎ露光を行っても帯ムラはほとんど気
にならない。ところが、従来のように前レイヤーと後レ
イヤーとで重複露光部分が一致する場合は、このような
前レイヤーに後レイヤーを露光量制御継ぎ露光して重ね
合わせると、前レイヤーにおける帯ムラと後レイヤーに
おける帯ムラとが重なって強調されることで人の目で認
識されてしまうという欠点があった。

【００１５】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、後レイヤーのパターンをつなぎ合わせて露
光する際にも、前レイヤーの継ぎ精度に影響されること
なく、良好な画面合成が行える露光方法および露光装置
を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１０に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の露光方
法は、複数のパターンを基板（Ｐ）のショット領域につ
なぎ合わせて露光する露光方法において、基板（Ｐ）の
第ｎ層（ｎは自然数）に第１パターン（ＰＧ１）と第２
パターン（ＰＧ２）とをつなぎ合わせて露光する際に、
第１パターン（ＰＧ１）の一部と第２パターン（ＰＧ
２）の一部とを重複して露光し、基板（Ｐ）の第ｎ＋１
層に第３パターン（ＰＳＤ１）と第４パターン（ＰＳＤ
２）とをつなぎ合わせて露光する際に、第３パターン
（ＰＳＤ１）の一部と第４パターン（ＰＳＤ２）の一部
とを重複して露光し、且つ第ｎ＋１層の重複露光部分
（ＡＹ２）を第ｎ層の重複露光部分（ＡＹ１）とずらし
て設定することを特徴とするものである。

【００１７】従って、本発明の露光方法では、前レイヤ
ーである第ｎ層に露光された第１パターン（ＰＧ１）と
第２パターン（ＰＧ２）との重複露光部分（ＡＹ１）
と、後レイヤーである第ｎ＋１層に露光された第３パタ
ーン（ＰＳＤ１）と第４パターン（ＰＳＤ２）との重複
露光部分（ＡＹ２）とがずれているので、後レイヤーの
重複露光部分（ＡＹ２）を前レイヤーにおいて重複露光
されていない第１パターン（ＰＧ１）または第２パター
ン（ＰＧ２）上に設定できる。そのため、各層で発生す
る帯ムラ同士が重ならず、帯ムラが強調されない。結果
として、前レイヤーの継ぎ精度に影響されることなく、
良好な画面合成を実施できる。

【００１８】また、本発明の露光装置は、照明領域設定
装置（１１）で設定された複数のパターンを基板（Ｐ）
のショット領域につなぎ合わせて露光する露光装置
（１）において、基板（Ｐ）の第ｎ層（ｎは自然数）に
第１パターン（ＰＧ１）と第２パターン（ＰＧ２）とを
つなぎ合わせて露光する際に、第１パターン（ＰＧ１）
の一部と第２パターン（ＰＧ２）の一部とを重複させる
とともに、基板（Ｐ）の第ｎ＋１層に第３パターン（Ｐ
ＳＤ１）と第４パターン（ＰＳＤ２）とをつなぎ合わせ
て露光する際に、第３パターン（ＰＳＤ１）の一部と第
４パターン（ＰＳＤ２）の一部とを重複させ、且つ第ｎ
＋１層の重複露光部分（ＡＹ２）を第ｎ層の重複露光部
分（ＡＹ１）とずらせるように照明領域設定装置（１
１）を制御する制御部（２０）を備えることを特徴とす
るものである。

【００１９】従って、本発明の露光装置では、前レイヤ
ーである第ｎ層に、照明領域設定装置（１１）で設定さ
れた照明領域に対応する第１パターン（ＰＧ１）と第２
パターン（ＰＧ２）との重複露光部分（ＡＹ１）と、後
レイヤーである第ｎ＋１層に設定された照明領域に対応
する第３パターン（ＰＳＤ１）と第４パターン（ＰＳＤ
２）との重複露光部分（ＡＹ２）とがずれているので、
後レイヤーの重複露光部分（ＡＹ２）を前レイヤーにお
いて重複露光されていない第１パターン（ＰＧ１）また
は第２パターン（ＰＧ２）上に設定できる。そのため、
各層で発生する帯ムラが同士が重ならず、帯ムラが強調
されない。結果として、前レイヤーの継ぎ精度に影響さ
れることなく、良好な画面合成を実施できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の露光方法および露
光装置の実施の形態を、図１ないし図１０を参照して説
明する。ここでは、ステッパ方式の露光装置により、液
晶ディスプレイデバイス製造用のガラス基板に複数のレ
チクルのパターンを正立等倍で画面合成する場合の例を
用いて説明する。これらの図において、従来例として示
した図１２と同一の構成要素には同一符号を付し、その
説明を省略する。

【００２１】図１は、露光装置１の光学系構成を示す概
略図である。露光装置１は、レチクル（マスク）Ｒに形
成されたパターン（例えば、液晶表示素子パターン）を
レジスト等が塗布された感光性のガラス基板（基板）Ｐ
上へ投影転写するものであって、光源２、照明光学系
３、投影光学系４、基板ステージ５、およびレチクルス
テージ（不図示）から概略構成されている。ここで、投
影光学系４の光軸に平行にＺ軸が、光軸に垂直な面内に
おいて、図１の紙面に平行にＸ軸が、光軸に垂直な面内
において図１の紙面に垂直にＹ軸がそれぞれ設定されて
いる。

【００２２】光源２は、露光光としてのビームＢを発す
るものであり、超高圧水銀ランプ等で構成されている。
この光源２には、回転楕円面からなる反射面を有し、光
源２が発する露光光を集光する楕円鏡２ａが付設されて
いる。そして、光源２は、楕円鏡２ａの第１焦点位置に
位置決めされている。したがって、光源２から射出され
た照明ビームＢは、反射ミラー６ａを介して楕円鏡２ａ
の第２焦点位置に光源像を形成する。

【００２３】照明光学系３は、反射ミラー６ａ、６ｂ、
コレクターレンズ７、波長選択フィルタ８、フライアイ
レンズ等のオプティカルインテグレータ９、第１リレー
レンズ１０、レチクルブラインド（照明領域設定装置）
１１およびブラインドリレー系１２、１３から概略構成
されている。そして、第２焦点位置に収けんした後に発
散したビームＢは、コレクターレンズ７によりほぼ平行
な光束に変換された後、所望の波長域の光束のみを透過
させる波長選択フィルタ８に入射する。波長選択フィル
タ８を介して選択された露光波長のビームＢ（例えば、
ｇ線またはｉ線等）は、オプティカルインテグレータ９
に入射する。

【００２４】オプティカルインテグレータ９は、多数の
正レンズエレメントをその中心軸線が光軸に沿って延び
るように縦横に配列することにより構成されている。し
たがって、フライアイインテグレータ９に入射したビー
ムＢは、多数のレンズエレメントにより波面分割され、
フライインテグレータ９の射出面近傍にレンズエレメン
トの数と同数の光源像からなる二次光源を形成する。す
なわち、フライアイインテグレータ９の射出側には、実
質的な面光源が形成される。

【００２５】二次光源からのビームＢは、第１リレーレ
ンズ１０に入射して集光され、レチクルブラインド１１
を照明する。レチクルブラインド１１は、光源２とレチ
クルＲとの間に配設されレチクルＲの照明領域を設定す
るものであって、レチクルＲと光学的にほぼ共役な位置
に配置されている。なお、レチクルブラインド１１の構
成および作用については後述する。

【００２６】投影光学系４は、レチクルＲの照明領域に
存在するパターンの像をガラス基板Ｐ上に倒立等倍で結
像させるものである。基板ステージ５は、ガラス基板Ｐ
を保持するものであって、互いに直交する方向（Ｘ方
向、Ｙ方向）へ二次元的に移動自在とされている。この
基板ステージ５上には、移動鏡１４が設けられている。
移動鏡１４には、レーザ干渉計（不図示）からレーザ光
Ｌが射出され、その反射光と入射光との干渉に基づいて
移動鏡１４とレーザ干渉計との間の距離、すなわち基板
ステージ５の位置（ひいてはガラス基板Ｐの位置）が検
出される構成になっている。

【００２７】したがって、レチクルＲを透過したビーム
Ｂは、投影光学系４を介してガラス基板Ｐに結像する。
そして、ガラス基板Ｐ上の露光領域には、レチクルＲの
照明領域にあるパターン像が形成される。そして、基板
ステージ５の位置を検出しつつ、基板ステージ５を介し
てガラス基板Ｐを二次元的に移動させながら順次露光を
行うことにより、感光基板Ｐの複数の露光領域にレチク
ルＲのパターンを逐次転写することができる。

【００２８】図２に示すように、レチクルブラインド１
１は、露光量制御用ブラインド１７ａ、１７ｂと通常露
光用ブラインド１８ａ、１８ｂとから構成されており、
各ブラインド１７ａと１７ｂ、および１８ａと１８ｂと
は、それぞれレチクルＲの共役面を挟んで、且つこの共
役面とほぼ平行に配置されている。ブラインド１７ａお
よび１８ａは、駆動系１９ａの駆動により、ビームＢの
光軸と直交するＹＺ平面内でそれぞれ独立して２次元移
動する構成になっており、またブラインド１７ｂおよび
１８ｂは駆動系１９ｂの駆動により、ビームＢの光軸と
直交するＹＺ平面内でそれぞれ独立して２次元移動する
構成になっている。そして、ブラインド１７ａ、１７ｂ
または１８ａ、１８ｂが対でビームＢの光路に位置する
ことで、露光量制御継ぎ露光時または通常露光時にレチ
クルＲの照明領域がそれぞれ設定される。なお、これら
駆動系１９ａ、１９ｂの駆動は、制御部２０によって制
御される。

【００２９】露光量制御用ブラインド１７ａ、１７ｂ
は、平面視矩形状に形成された透明なガラス板で構成さ
れている。また、各ブラインド１７ａ、１７ｂが対向す
る面には、ビームＢを１００％透過させる透光部２３
ａ、２３ｂと、ビームＢを完全に遮光する遮光部２４
ａ、２４ｂと、ビームＢに対する透過率が線形的に変化
することでビームＢを線形的に減光させる減光部２５
ａ、２５ｂとがそれぞれ設けられている。これら遮光部
２４ａ、２４ｂおよび減光部２５ａ、２５ｂは、ビーム
Ｂに対する反射率が１０％程度の低反射金属膜でそれぞ
れ形成されている。

【００３０】ブラインド１７ａでは、矩形状に形成され
た透光部２３ａに対して、遮光部２４ａが透光部２３ａ
の＋Ｚ側および＋Ｙ側に配置されたＬ字形状に形成され
ており、そして＋Ｚ側に位置する遮光部２４ａと透光部
２３ａとの間には、Ｙ方向に沿って延びる減光部２５ａ
が配置されている。この減光部２５ａにおけるビームＢ
の透過率は、透光部２３ａから遮光部２４ａへ＋Ｚ方向
に向かうに従って１００％から０％まで連続的に減少す
るように設定されている。また、透光部２３ａの＋Ｙ側
に位置する遮光部２４ａと透光部２３ａとの境界線は、
Ｚ方向に沿って延びるエッジパターン２６ａを構成して
いる。

【００３１】一方、ブラインド１７ｂは、ブラインド１
７ａと基本的に同じ構成を有するが、透光部２３ｂ、遮
光部２４ｂ、減光部２５ｂ、エッジパターン２６ｂがブ
ラインド１７ａの透光部２３ａ、遮光部２４ａ、減光部
２５ａ、エッジパターン２６ａと上下左右に対称な位置
関係で配置されている。そして、これらブラインド１７
ａ、１７ｂがビームＢの光路でＹＺ平面内で移動して、
透光部２３ａ、２３ｂおよび減光部２５ａ、２５ｂが組
み合わされることで、レチクルＲの照明領域の位置、大
きさが設定される構成になっている。

【００３２】この露光量制御用ブラインド１７ａ、１７
ｂを用いて露光する際には、露光中にブラインド１７
ａ、１７ｂがＹ方向に移動することにより、エッジパタ
ーン２６ａ、２６ｂが一定量動作し、この動作部分の照
明領域の露光量を制御することができる。また、Ｚ方向
に対しては減光部２５ａ、２５ｂ自体により、減光部２
５ａ、２５ｂに対応する照明領域の露光量を制御するこ
とができる。なお、重複露光により感光基板Ｐに画面合
成を行う具体的な方法は、特願平１０−１０３４３５号
と同様なため、以下の説明では簡略化する。

【００３３】通常露光用ブラインド１８ａ、１８ｂは、
ビームＢの透過をほぼ１００％遮る材料をＬ字形状にそ
れぞれ屈曲させ、ビームＢと直交させた状態で組み合わ
せることにより、矩形状の開口Ｓを形成するようになっ
ている。ここで、ブラインド１８ａは開口Ｓの＋Ｚ側お
よび＋Ｙ側を形成し、ブラインド１８ｂは開口Ｓの−Ｚ
側および−Ｙ側を形成している。そして、ブラインド１
８ａ、１８ｂがビームＢの光路でＹＺ平面内でそれぞれ
独立して移動することにより開口Ｓが可変可能となり、
この開口Ｓに応じてレチクルＲに対するビームＢの照明
領域の大きさ、位置を設定する構成になっている。な
お、通常露光用ブラインド１８ａ、１８ｂを用いても、
特開平６−３０２５０１号等に示されるように、露光量
制御継ぎ露光も可能であるが、ここでは、便宜上ブライ
ンド１８ａ、１８ｂを露光量制御継ぎを伴わない露光に
用いるものとしている。

【００３４】上記の構成の露光装置を用いてレチクルＲ
のパターンをガラス基板Ｐ上に露光して画面合成する方
法について以下に説明するにあたり、まず露光に使用さ
れるレチクルＲとガラス基板Ｐについて説明する。図３
に示すように、矩形のガラス基板Ｐ上に画面サイズが３
３７．８２ｍｍ（１３．３インチ）のＸＧＡ（画素数；
１０２４×７６８）液晶パネル用の回路パターン２９を
形成するものとする。各回路パターン２９は、図４に示
すように、複数の画素（ピクセル）に応じた複数の電極
が規則正しく配列されたパターンで構成される表示部２
７と、表示部２７を取り囲むように形成され、表示部２
７の各電極のパターンとこれら各電極を駆動するドライ
バ回路とをそれぞれ導通させる導通部を有する周辺部２
８とから構成されるものとする。

【００３５】また、表示部２７では、第１層（第ｎ層）
でゲート線Ｇが形成され、第２層（第ｎ＋１層）でソー
ス・ドレイン線ＳＤが形成され、各回路パターン２９の
中、第１層では、回路パターン２９をＸ方向に二等分す
る分割ラインＬＹ１および回路パターン２９をＹ方向に
二等分する分割ラインＬＸ１により分割パターンＰＧ１
〜ＰＧ４に略等分に４分割される。

【００３６】そして、これら分割パターンＰＧ１〜ＰＧ
４をガラス基板Ｐ上のショット領域に露光する際に用い
られるレチクルとしては、図５（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、各分割パターンＰＧ１〜ＰＧ４に対応する分割パ
ターンＧ１〜Ｇ４が形成されたレチクルＲＧ１〜ＲＧ４
がそれぞれ使用される。（ａ）に示すレチクルＲＧ１に
は、分割パターンＧ１の＋Ｙ側および−Ｘ側に隣接し
て、パターン領域外の露光光を遮光するＬ字形状の遮光
帯ＣＧ１が形成されている。同様に、（ｂ）に示すレチ
クルＲＧ２には分割パターンＧ２の＋Ｙ側および＋Ｘ側
に位置するＬ字形状の遮光帯ＣＧ２が形成され、（ｃ）
に示すレチクルＲＧ３には分割パターンＧ３の−Ｙ側お
よび＋Ｘ側に位置するＬ字形状の遮光帯ＣＧ３が形成さ
れ、（ｄ）に示すレチクルＲＧ４には分割パターンＧ４
の−Ｙ側および−Ｘ側に位置するＬ字形状の遮光帯ＣＧ
４が形成されている。

【００３７】一方、図６に示すように、ガラス基板Ｐに
形成される各回路パターン２９の中、第２層のソース・
ドレイン層では各回路パターン２９をＸ方向に三等分す
る分割ラインＬＹ２、ＬＹ３および回路パターン２９を
Ｙ方向に三等分する分割ラインＬＸ２、３により分割パ
ターンＰＳＤ１〜ＰＳＤ９に略等分に９分割される。そ
して、これら分割ＰＳＤ１〜ＰＳＤ９をガラス基板Ｐ上
のショット領域に露光する際に用いられるレチクルとし
ては、図７（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１層用の分
割パターンＧ１〜Ｇ４とほぼ同等の大きさを有する分割
パターンＳＤ１〜ＳＤ４が形成されたレチクルＲＳＤ１
〜ＲＳＤ４がそれぞれ使用される。これらレチクルＲＳ
Ｄ１〜ＲＳＤ４にも、レチクルＲＧ１〜ＲＧ４と同様の
配置でＬ字形状の遮光帯ＣＳＤ１〜ＣＳＤ４が形成され
ている。

【００３８】次に、上記のレチクルＲＧ１〜ＲＧ４、Ｒ
ＳＤ１〜ＲＳＤ４、ガラス基板Ｐ、レチクルブラインド
１１において、露光量制御継ぎ露光に係る寸法設定につ
いて説明する。ここでは、図３に示すように、第１層に
おいてガラス基板Ｐ上でＸ方向に隣り合う分割パターン
ＰＧ１とＰＧ２、およびＰＧ３とＰＧ４が重複する分割
ラインＬＹ１に沿った重複露光部分ＡＹ１の幅ＷＹ１
と、Ｙ方向に隣り合う分割パターンＰＧ１ＰとＰＧ４、
およびＰＧ２とＰＧ３が重複する分割ラインＬＸ１に沿
った重複露光部分ＡＸ１の幅ＷＸ１とを適正重複幅とし
てそれぞれ５ｍｍに設定する。同様に、図６に示すよう
に、第２層における分割ラインＬＹ２、ＬＹ３に沿った
重複露光部分ＡＹ２、ＡＹ３の幅ＷＹ２と、分割ライン
ＬＸ２、ＬＸ３に沿った重複露光部分ＡＸ２、ＡＸ３の
幅ＷＸ２とをそれぞれ５ｍｍに設定する。

【００３９】ここで、投影光学系４がレチクルのパター
ンをガラス基板Ｐ上に投影する倍率をｎとし、上記ガラ
ス基板Ｐ上での適正重複幅をＷとすると、レチクルおよ
びレチクルブラインド１１上での重複幅Ｗ’＝Ｗ／ｎと
なる。本実施の形態では、投影光学系４が等倍系（ｎ＝
１）であるので、レチクルおよびレチクルブラインド１
１上でも適正重複幅は５ｍｍとなる。したがって、重複
露光部分ＡＸ１〜ＡＸ３を形成する際に用いられる露光
量制御用ブラインド１７ａ、１７ｂの減光部２５ａ、２
５ｂの幅Ｗ２５も双方５ｍｍに設定する。また、露光量
制御継ぎ露光時にブラインド１７ａ、１７ｂが移動する
量も５ｍｍに設定する。

【００４０】一方、例えば図５（ａ）に示すレチクルＲ
Ｇ１において、ガラス基板Ｐ上の分割ラインＬＹ１に対
応するラインＲＹ１よりも＋Ｘ側のパターンは、ガラス
基板Ｐ上で隣り合うパターンと重複する部分で、露光量
制御継ぎ露光時に露光量制御用ブラインド１７ａ、１７
ｂが＋Ｘ方向に移動した際にビームＢに照明される領域
であり、ラインＲＹ１からパターン端縁ＲＥまでの長さ
ＷＧＸはＷ’／２＋α（α＞０） …（１）になる。α
は、ブラインド１７ａ、１７ｂの位置決め誤差等を考慮
して設定されるもので、デバイス条件等で決定される。
例えば、上記ＸＧＡの場合、表示部２７においては、図
４に示す画素ピッチｐｉは、０．２６４ｍｍとなる。

【００４１】通常、分割ラインは画素電極の品質悪化を
最小限に抑えるために、例えば図４に示すように、ゲー
ト線Ｇとソース・ドレイン線ＳＤとが交差する部分を避
けて設定されるため、パターン端縁ＲＥも同様の位置に
設定されることが好ましい。従って、本実施の形態で
は、パターン端縁ＲＥの位置が確実に交差部分を避ける
ように、ラインＲＹ１からパターン端縁ＲＥまでの長さ
ＷＧＸを画素ピッチの整数倍とする。そのため、（１）
式において、これらの条件を満たす長さＷＧＸの最小値
は２．６４ｍｍ（α＝０．１４ｍｍ）となる。

【００４２】この長さ２．６４ｍｍは、レチクルＲＧ２
〜ＲＧ４におけるラインＲＹ１とＸ方向直近のパターン
端縁ＲＥとの距離ＷＧＸや、ガラス基板Ｐ上の分割ライ
ンＬＸ１に対応するレチクルＲＧ１〜ＲＧ４のラインＲ
Ｘ１とＹ方向直近のパターン端縁ＲＦとの距離ＷＧＹに
も適用される。なお、ガラス基板Ｐ上の第２層の回路パ
ターン２９は、分割パターンＰＳＤ１〜ＰＳＤ９に９分
割されるが、レチクルＲＳＤ１〜ＲＳＤ４に形成された
分割パターンＳＤ１〜ＳＤ４は回路パターン２９を４分
割した大きさを有しているため、これら分割パターンＳ
Ｄ１〜ＳＤ４におけるパターン端縁はレチクルＲＧ１〜
ＲＧ４ほど厳密に設定する必要はないが、レチクルブラ
インド１１の照明領域が端部近傍に設定される可能性も
あるため、上記同様の長さに設定しておくことが好まし
い。

【００４３】次に、遮光帯ＣＧ１〜ＣＧ４、ＣＳＤ１〜
ＣＳＤ４の幅ＷＣの設定について説明する。ここで、ブ
ラインド１７ａ、１７ｂの移動時におけるレチクルのパ
ターン領域周辺で遮光すべき長さはＷ’になるが、これ
にブラインド１７ａ、１７ｂの開口の位置決め誤差βを
考慮して、ＷＣ＝Ｗ’＋β（β＞０）とする。上述した
ように、Ｗ’＝５ｍｍとし、また位置決め誤差β＝０．
４ｍｍとすると、遮光帯ＣＧ１〜ＣＧ４、ＣＳＤ１〜Ｃ
ＳＤ４の幅Ｗは５．４ｍｍに設定される。

【００４４】続いて、これらレチクルのパターンをガラ
ス基板Ｐ上に露光して画面合成する方法について説明す
る。まず、レチクルＲＧ１がレチクルステージ上にセッ
トされ、レチクルアライメント系３３でアライメントさ
れると、制御部２０が駆動系１９ａ、１９ｂを介して露
光量制御用ブラインド１７ａ、１７ｂを駆動させる。こ
れにより、レチクルＲＧ１には、ブラインド１７ａ、１
７ｂの透光部２３ａ、２３ｂおよび減光部２５ａに対応
して、図５（ａ）の二点鎖線で示すように、ガラス基板
Ｐ上の第１パターンとしての分割パターンＰＧ１に対応
する矩形状の照明領域ＳＡ１が設定される。

【００４５】このとき、照明領域ＳＡ１は、右辺（＋Ｘ
側の辺）がラインＲＹ１よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの
位置に設定され、左辺（−Ｘ側の辺）が分割パターンＧ
１の左辺ＧＬから−Ｘ方向に５ｍｍの遮光帯ＣＧ１内の
位置に設定される。また照明領域ＳＡ１の上辺（＋Ｙ側
の辺）は、遮光帯ＣＧ１内に設定され、下辺（−Ｙ側の
辺）はラインＲＸ１よりも−Ｙ方向に２．５ｍｍの位置
に設定される。ここで、この下辺は、ブラインド１７ａ
の減光部２５ａの中、ビームＢの透過率が０％になる位
置で設定される（従って、ラインＲＸ１は、遮光部２５
ａの中、ビームＢの透過率が５０％の位置になる）。

【００４６】照明領域ＳＡ１が設定され、ガラス基板Ｐ
のショット領域が所定位置になるように基板ステージ５
が移動すると、光源２からビームＢが射出される。射出
されたビームＢは、ブラインド１７ａ、１７ｂによって
レチクルＲＧ１への照明領域ＳＡ１が設定され、この照
明領域ＳＡ１に存在するパターンの像を投影光学系４を
介してガラス基板Ｐ上に結像する。この露光中に、制御
部２０の指示に基づき、ブラインド１７ａ、１７ｂが＋
Ｘ方向に５ｍｍ移動することで、照明領域ＳＡ１は、右
辺がラインＲＹ１を越えた２．５ｍｍの位置へ所定の速
度で５ｍｍ移動する。この移動によって、右辺で規定さ
れるガラス基板Ｐ上のショット領域では、露光エネルギ
量が１００〜０％へ一定の比率で漸次減少した状態で露
光される。

【００４７】なお、この後、レチクル交換に要する時間
よりも基板ステージ５の移動時間の方が通常短いため、
このレチクルＲＧ１を用いてガラス基板Ｐ上の−Ｙ側に
位置する回路パターン２９にも順次露光するが、以下に
おいては、便宜上この回路パターンに対する露光の説明
を省略する。

【００４８】続いて、レチクルＲＧ１をレチクルＲＧ２
に交換してアライメントを実施した後、ブラインド１７
ａ、１７ｂを駆動する。これにより、レチクルＲＧ２に
は、ブラインド１７ａ、１７ｂの透光部２３ａ、２３ｂ
および減光部２５ａに対応して、図５（ｂ）の二点鎖線
で示すように、ガラス基板Ｐ上の第２パターンとしての
分割パターンＰＧ２に対応する矩形状の照明領域ＳＡ２
が設定される。

【００４９】このとき、照明領域ＳＡ２は、右辺（＋Ｘ
側の辺）が遮光帯ＣＧ２の右辺ＣＲよりも−Ｘ方向に５
ｍｍ以上離れた遮光帯ＣＧ２内の位置に設定され、左辺
（−Ｘ側の辺）がラインＲＹ１よりも−Ｘ方向に２．５
ｍｍの位置に設定される。また、照明領域ＳＡ２の上辺
および下辺は、レチクルＲＧ１の照明領域ＳＡ１におけ
る上辺および下辺と同一のＹ位置に設定される。

【００５０】そして、照明領域ＳＡ２が設定され、ガラ
ス基板Ｐのショット領域が所定位置になるように基板ス
テージ５が移動すると、光源２からのビームＢにより、
ブラインド１７ａ、１７ｂで設定された照明領域ＳＡ２
に存在する分割パターンＧ２がガラス基板Ｐ上に露光さ
れる。この露光中に、制御部２０の指示に基づき、ブラ
インド１７ａ、１７ｂが＋Ｘ方向に５ｍｍ移動すること
で、照明領域ＳＡ２は、左辺がラインＲＹ１を越えた
２．５ｍｍの位置へ所定の速度で５ｍｍ移動する。この
移動によって、左辺で規定されるガラス基板Ｐ上のショ
ット領域では、露光エネルギ量が０〜１００％へ一定の
比率で漸次増加した状態で露光される。

【００５１】次に、レチクルＲＧ２をレチクルＲＧ３に
交換してアライメントを実施する。ここでは、ビームＢ
の光路上に次露光のショット領域を位置させる際に、基
板ステージ５の移動距離がより短い分割パターンとして
ＰＧ３を選択してある。そして、ブラインド１７ａ、１
７ｂを駆動することにより、レチクルＲＧ３には、ブラ
インド１７ａ、１７ｂの透光部２３ａ、２３ｂおよび減
光部２５ｂに対応して、図５（ｃ）の二点鎖線で示すよ
うに、ガラス基板Ｐ上の分割パターンＰＧ３に対応する
矩形状の照明領域ＳＡ３が設定される。照明領域ＳＡ３
の設定位置については、上記と同様であるので詳述はし
ないが、左辺をラインＲＹ１よりも−Ｘ方向に２．５ｍ
ｍの位置に、上辺をラインＲＸ１よりも＋Ｙ方向に２．
５ｍｍの位置にそれぞれ設定する。

【００５２】そして、ガラス基板Ｐのショット領域が所
定位置になるように基板ステージ５が移動した後に、ブ
ラインド１７ａ、１７ｂを＋Ｘ方向に５ｍｍ移動させな
がらビームＢにより露光することで、照明領域ＳＡ３に
存在する分割パターンＧ３がガラス基板Ｐ上に露光され
る。ブラインド１７ａ、１７ｂの移動により、照明領域
ＳＡ３の左辺で規定されるガラス基板Ｐ上のショット領
域では、露光エネルギ量が０〜１００％へ一定の比率で
漸次増加した状態で露光される。

【００５３】この後、レチクルＲＧ３をレチクルＲＧ４
に交換しアライメント後、ブラインド１７ａ、１７ｂに
より、図５（ｄ）に示すように、ガラス基板Ｐ上の分割
パターンＰＧ４に対応する照明領域ＳＡ４をレチクルＲ
Ｇ４に設定する。ここでも照明領域ＳＡ４の詳述は避け
るが、照明領域ＳＡ４の右辺をラインＲＹ１よりも−Ｘ
方向に２．５ｍｍの位置に、上辺をラインＲＸ１よりも
＋Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞれ設定する。

【００５４】そして、ガラス基板Ｐのショット領域が所
定位置になるように基板ステージ５が移動した後に、ブ
ラインド１７ａ、１７ｂを＋Ｘ方向に５ｍｍ移動させな
がらビームＢにより露光することで、照明領域ＳＡ４に
存在する分割パターンＧ４がガラス基板Ｐ上に露光され
る。ブラインド１７ａ、１７ｂの移動により、照明領域
ＳＡ４の右辺で規定されるガラス基板Ｐ上のショット領
域では、露光エネルギ量が１００〜０％へ一定の比率で
漸次減少した状態で露光される。

【００５５】以上４枚のレチクルＲＧ１〜ＲＧ４を用い
た露光により、ガラス基板Ｐ上の重複露光部分ＡＹ１に
おいては、レチクルＲＧ１、ＲＧ４使用時に＋Ｘ方向へ
向けて露光エネルギ量が１００〜０％へ一定の比率で漸
次減少し、レチクルＲＧ２、ＲＧ３使用時に＋Ｘ方向へ
向けて露光エネルギ量が０〜１００％へ一定の比率で漸
次増加することで合計の露光エネルギ量が非重複部分と
同じ１００％になる。同様に、重複露光部分ＡＸ１にお
いては、レチクルＲＧ１、ＲＧ２使用時に−Ｙ方向へ向
けて露光エネルギ量が１００〜０％へ一定の比率で漸次
減少し、レチクルＲＧ３、ＲＧ４使用時に−Ｙ方向へ向
けて露光エネルギ量が０〜１００％へ一定の比率で漸次
増加することで合計の露光エネルギ量が非重複部分と同
じ１００％になる。

【００５６】ただし、重複露光部分ＡＹ１、ＡＸ１が重
複する部分、即ち、レチクルＲＧ１〜ＲＧ４により４回
露光される部分がある。この４重露光部分の露光エネル
ギ量について簡単に検証する。図８に示すように、重複
露光部分ＡＹ１、ＡＸ１で囲まれた矩形領域の各コーナ
ーを図のようにＰ１〜Ｐ４とし、点Ｐ４を原点とするｘ
ｙ座標系を設定すると、分割パターンＰＧ１の露光時の
露光エネルギ量Ｄ１（％）は次式で求められる。Ｄ１（％）＝（１００×ｙ／ＷＸ１）×（１−ｘ／ＷＹ１） ……（２）また、分割パターンＰＧ２の露光時の露光エネルギ量Ｄ
２（％）は次式で求められる。Ｄ２（％）＝（１００×ｙ／ＷＸ１）×（ｘ／ＷＹ１） ……（３）さらに、分割パターンＰＧ３の露光時の露光エネルギ量
Ｄ３（％）は次式で求められる。Ｄ３（％）＝１００×（１−ｙ／ＷＸ１）×（ｘ／ＷＹ１） ……（４）また、分割パターンＰＧ４の露光時の露光エネルギ量Ｄ
４（％）は次式で求められる。Ｄ４（％）＝１００×（１−ｙ／ＷＸ１）×（１−ｘ／ＷＹ１）……（５）そして、４重露光部分における露光量Ｄは、上記式
（２）〜（５）で求められる露光エネルギ量Ｄ１〜Ｄ４
の総和になる。このように、４重露光部分においても露光エネルギ量が
１００％になり、ガラス基板Ｐの露光領域全面を一様の
露光量に設定することができる。

【００５７】これにより、図３に示すように、ガラス基
板Ｐ上には、隣り合う分割パターンと重複露光部分ＡＹ
１、ＡＸ１のいずれかにおいて互いに一部を重複させて
第１層の分割パターンＰＧ１〜ＰＧ４がつなぎ合わせて
露光される。

【００５８】このようにして第１層が露光されたガラス
基板Ｐに現像等の後処理を施した後に第２層を露光す
る。この第２層では４枚のレチクルＲＳＤ１〜ＲＳＤ４
により９箇所の分割パターンを露光するため、１枚のレ
チクルで複数の分割パターンを露光する必要が生じる。
ここでは、表示部２７や周辺部２８が複数の分割パター
ンＰＳＤ１〜ＰＳＤ９で部分的に共通しているというパ
ターン特性を利用して、レチクルＲＳＤ１により分割パ
ターンＰＳＤ１〜ＰＳＤ２、ＰＳＤ５〜ＰＳＤ６を露光
し、レチクルＲＳＤ２により分割パターンＰＳＤ３、Ｐ
ＳＤ４を露光し、レチクルＲＳＤ４により分割パターン
ＰＳＤ７、ＰＳＤ８を露光し、レチクルＲＳＤ３により
分割パターンＰＳＤ９を露光する。

【００５９】まず、レチクルＲＳＤ１をレチクルステー
ジ上にセットし、アライメントを実行した後に、ブライ
ンド１７ａ、１７ｂによりガラス基板Ｐ上の第３パター
ンである分割パターンＰＳＤ１に対応する照明領域を設
定する（なお、第２層用のレチクルＲＳＤ１〜ＲＳＤ４
においては、便宜上照明領域の図示を省略する、以下同
じ）。

【００６０】具体的には、まず、ガラス基板Ｐ上の分割
パターンＰＳＤ１にレチクルＲＳＤ１の分割パターンＳ
Ｄ１を対応させたときに、図７（ａ）に示すように、ガ
ラス基板Ｐ上の分割ラインＬＹ２に対応するラインＲＹ
２をレチクルＲＳＤ１上に設定する。同様に、ガラス基
板Ｐ上の分割ラインＬＸ２に対応するラインＲＸ２をレ
チクルＲＳＤ１上に設定する。そして、照明領域の右辺
をラインＲＹ２よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、
下辺をラインＲＸ２よりも−Ｙ方向に２．５ｍｍの位置
にそれぞれ設定する。また、照明領域の左辺をレチクル
ＲＧ１と同様に、分割パターンＳＤ１の左辺ＧＬよりも
−Ｘ方向に５ｍｍの遮光帯ＣＳＤ１内に設定し、上辺を
遮光帯ＣＳＤ１内に設定する。

【００６１】そして、照明領域が設定され、ガラス基板
Ｐのショット領域が所定位置になるように基板ステージ
５が移動すると、光源２からのビームＢにより、ブライ
ンド１７ａ、１７ｂで設定された照明領域に存在する分
割パターンＳＤ１がガラス基板Ｐ上に露光される。この
露光中に、制御部２０の指示に基づき、ブラインド１７
ａ、１７ｂが＋Ｘ方向に５ｍｍ移動することで、照明領
域は、右辺がラインＲＹ２を越えた２．５ｍｍの位置へ
所定の速度で５ｍｍ移動する。この移動によって、右辺
で規定されるガラス基板Ｐ上のショット領域では、露光
エネルギ量が１００〜０％へ一定の比率で漸次減少した
状態で露光される。

【００６２】以下、同様の手順でガラス基板Ｐ上の分割
パターンに対応する照明領域を設定し露光するが、露光
中のブラインド１７ａ、１７ｂの動作は上記と同様であ
るので、この後はブラインド１７ａ、１７ｂ移動前の照
明領域の設定についてのみ説明する。

【００６３】第４パターンである分割パターンＰＳＤ２
については、レチクルＲＳＤ１内の画素パターンが一致
するように、ガラス基板Ｐ上の分割ラインＬＹ２、ＬＹ
３に対応させてラインＲＹ３、ＲＹ４をそれぞれレチク
ルＲＳＤ１上に設定する。このとき、ラインＲＹ３、Ｒ
Ｙ４は、ラインＲＹ３よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍおよ
びラインＲＹ４よりも＋Ｘ方向に２．５ｍｍの範囲に画
素パターンが存在するように設定される。そして、照明
領域の右辺をラインＲＹ４よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍ
の位置に、左辺をラインＲＹ３よりも−Ｘ方向に２．５
ｍｍの位置にそれぞれ設定する。照明領域の上辺、下辺
は、分割パターンＰＳＤ１で設定した上辺、下辺と同じ
Ｙ位置に設定する。

【００６４】分割パターンＰＳＤ６については、レチク
ルＲＳＤ１内の画素パターンが一致するように、ガラス
基板Ｐ上の分割ラインＬＸ２、ＬＸ３に対応させてライ
ンＲＸ３、ＲＸ４をそれぞれレチクルＲＳＤ１上に設定
する。このとき、ラインＲＸ３、ＲＸ４は、ラインＲＸ
３よりも＋Ｙ方向に２．５ｍｍおよびラインＲＸ４より
も−Ｙ方向に２．５ｍｍの範囲に画素パターンが存在す
るように設定される。そして、照明領域の上辺をライン
ＲＸ３よりも＋Ｙ方向に２．５ｍｍの位置に、下辺をラ
インＲＸ４よりも−Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞ
れ設定する。照明領域の左辺、右辺は、分割パターンＰ
ＳＤ１で設定した左辺、右辺と同じＸ位置に設定する。

【００６５】分割パターンＰＳＤ５に対するレチクルＲ
ＳＤ１上の照明領域については、右辺を上記ラインＲＹ
４よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、左辺をライン
ＲＹ３よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、上辺をラ
インＲＸ３よりも＋Ｙ方向に２．５ｍｍの位置に、下辺
をラインＲＸ４よりも−Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそ
れぞれ設定する。

【００６６】分割パターンＰＳＤ３に対するレチクルＲ
ＳＤ２の照明領域については、ガラス基板Ｐ上の分割パ
ターンＰＳＤ３にレチクルＲＳＤ２の分割パターンＳＤ
２を対応させたときに、図７（ｂ）に示すように、ガラ
ス基板Ｐ上の分割ラインＬＹ３、ＬＸ２に対応するライ
ンＲＹ５、ＲＸ５をレチクルＲＳＤ２上にそれぞれ設定
する。そして、照明領域の左辺をラインＲＹ５よりも−
Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、下辺をラインＲＸ５より
も−Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞれ設定する。ま
た、照明領域の右辺を遮光帯ＣＳＤ２の右辺ＣＲよりも
−Ｘ方向に５ｍｍの遮光帯ＣＳＤ２内に設定し、上辺を
遮光帯ＣＳＤ２内に設定する。

【００６７】分割パターンＰＳＤ４に対するレチクルＲ
ＳＤ２の照明領域については、レチクルＲＳＤ２内の画
素パターンが一致するように、ガラス基板Ｐ上の分割ラ
インＬＸ２、ＬＸ３に対応させてラインＲＸ６、ＲＸ７
をそれぞれレチクルＲＳＤ２上に設定する。このとき、
ラインＲＸ６、ＲＸ７は、ラインＲＸ６よりも＋Ｙ方向
に２．５ｍｍおよびラインＲＸ７よりも−Ｙ方向に２．
５ｍｍの範囲に画素パターンが存在するように設定され
る。そして、照明領域の上辺をラインＲＸ６よりも＋Ｙ
方向に２．５ｍｍの位置に、下辺をラインＲＸ７よりも
−Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞれ設定する。照明
領域の左辺、右辺は、分割パターンＰＳＤ３で設定した
左辺、右辺と同じＸ位置に設定する。

【００６８】分割パターンＰＳＤ７に対するレチクルＲ
ＳＤ４の照明領域については、まず、ガラス基板Ｐ上の
分割パターンＰＳＤ７にレチクルＲＳＤ４の分割パター
ンＳＤ２を対応させたときに、図７（ｄ）に示すよう
に、ガラス基板Ｐ上の分割ラインＬＹ２、ＬＸ３に対応
するラインＲＹ６、ＲＸ８をレチクルＲＳＤ４上にそれ
ぞれ設定する。そして、照明領域の右辺をラインＲＹ６
よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、上辺をラインＲ
Ｘ８よりも＋Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞれ設定
する。また、照明領域の左辺を分割パターンＳＤ４の左
辺ＧＬよりも−Ｘ方向に５ｍｍの遮光帯ＣＳＤ４内に設
定し、下辺を遮光帯ＣＳＤ４内に設定する。

【００６９】分割パターンＰＳＤ８に対するレチクルＲ
ＳＤ４の照明領域については、まず、レチクルＲＳＤ４
内の画素パターンが一致するように、ガラス基板Ｐ上の
分割ラインＬＹ２、ＬＹ３に対応させてラインＲＹ７、
ＲＹ８をそれぞれレチクルＲＳＤ４上に設定する。この
とき、ラインＲＹ７、ＲＹ８は、ラインＲＹ７よりも−
Ｘ方向に２．５ｍｍおよびラインＲＹ８よりも＋Ｘ方向
に２．５ｍｍの範囲に画素パターンが存在するように設
定される。そして、照明領域の右辺をラインＲＹ８より
も−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、左辺をラインＲＹ７
よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞれ設定す
る。照明領域の上辺、下辺は、分割パターンＰＳＤ７で
設定した上辺、下辺と同じＹ位置に設定する。

【００７０】分割パターンＰＳＤ９に対するレチクルＲ
ＳＤ３の照明領域については、まず、ガラス基板Ｐ上の
分割パターンＰＳＤ９にレチクルＲＳＤ３の分割パター
ンＳＤ３を対応させたときに、図７（ｃ）に示すよう
に、ガラス基板Ｐ上の分割ラインＬＹ３、ＬＸ３に対応
するラインＲＹ９、ＲＸ９をレチクルＲＳＤ３上にそれ
ぞれ設定する。そして、照明領域の左辺をラインＲＹ９
よりも−Ｘ方向に２．５ｍｍの位置に、上辺をラインＲ
Ｘ９よりも＋Ｙ方向に２．５ｍｍの位置にそれぞれ設定
する。また、照明領域の右辺を遮光帯ＣＳＤ３の右辺Ｃ
Ｒよりも−Ｘ方向に５ｍｍの遮光帯ＣＳＤ３内に設定
し、下辺を遮光帯ＣＳＤ３内に設定する。

【００７１】このように設定された照明領域が露光中に
＋Ｘ方向に５ｍｍ移動することにより、図６に示すよう
に、ガラス基板Ｐ上には、第１層目における重複露光部
分ＡＹ１、ＡＸ２とはＸ、Ｙ方向毎にずれて、且つ重な
らない位置に設定された重複露光部分ＡＹ２〜ＡＹ３、
ＡＸ２〜ＡＸ３のいずれかにおいて、隣り合う分割パタ
ーンと互いに一部を重複させて第２層の分割パターンＰ
ＳＤ１〜ＰＳＤ９がつなぎ合わせて露光される。

【００７２】なお、レチクルＲＳＤ１〜ＲＳＤ４のアラ
イメントについては、第１層を露光した際に各分割パタ
ーンＰＧ１〜ＰＧ４近傍に複数のアライメントマークが
形成されている。従って、第２層の分割パターンＰＳＤ
１〜ＰＳＤ９を露光する際には、これらのアライメント
マークを検出して各種補正量を算出することで、各分割
パターン毎に投影光学系４の結像特性等を補正すること
ができる。

【００７３】このとき、分割パターンＰＳＤ１、ＰＳＤ
３、ＰＳＤ９、ＰＳＤ７については、第１層の分割パタ
ーンＰＧ１、ＰＧ２、ＰＧ３、ＰＧ４のそれぞれ近傍に
形成されたアライメントマークを用いる。また、分割パ
ターンＰＳＤ２については、第１層の分割パターンＰＧ
１、ＰＧ２の近傍に形成されたアライメントマークの
中、分割パターンＰＳＤ２のショット領域近傍にあるア
ライメントマークを使用する。これにより、第１層で分
割パターンＰＧ１、ＰＧ２の継ぎ精度が良好でなく、第
２層の分割パターンＰＳＤ１、ＰＳＤ３がこの継ぎ精度
に依存した状態で露光されても、分割パターンＰＳＤ２
はこの継ぎ精度を補正するように分割パターンＰＳＤ
１、ＰＳＤ３につなぎ合わされるので、分割パターンＰ
ＳＤ２における重ね合わせ精度が急激に変化することを
防止できる。

【００７４】同様に、分割パターンＰＳＤ４では、第１
層の分割パターンＰＧ２、ＰＧ３近傍のアライメントマ
ークを、分割パターンＰＳＤ８では第１層の分割パター
ンＰＧ３、ＰＧ４近傍のアライメントマークを、分割パ
ターンＰＳＤ６では第１層の分割パターンＰＧ１、ＰＧ
４近傍のアライメントマークを、ショット領域に応じて
選択して使用する。また、分割パターンＰＳＤ５につい
ては、例えば第１層の分割パターンＰＧ１〜ＰＧ４近傍
の全てのアライメントマークの中、分割パターンＰＳＤ
５のショット領域近傍のアライメントマークを使用すれ
ばよい。

【００７５】本実施の形態の露光方法および露光装置で
は、ガラス基板Ｐ上でゲート線Ｇが形成される第１層の
重複露光部分ＡＹ１、ＡＸ１と、ソース・ドレイン線Ｓ
Ｄが形成される第２層の重複露光部分ＡＹ２、ＡＹ３お
よびＡＸ２、ＡＸ３とをＸ、Ｙ方向毎にずらして設定し
ているので、第２層の分割パターンＰＳＤ１〜ＰＳＤ９
を重複してつなぎ合わせる場合でも、重複部分の下地が
単一の分割パターンで構成されることになる。従って、
前レイヤーである第１層の継ぎ精度に影響されず、また
重複露光部分に発生する帯ムラも強調されないので、良
好な画面合成を行うことができる。また、これにより、
図９に示すように、層間の重ね合わせ精度を徐々に変化
させることが可能になる。結果として、ガラス基板Ｐを
パネル化した際の分割ムラを発生させる可能性のある層
間の重ね合わせ精度差も見かけ上、零にすることがで
き、分割ムラの抑制および帯ムラの減少を実現できる。

【００７６】また、本実施の形態では、第１層の重複露
光部分と第２層の重複露光部分とを重ならないようにず
らして設定しているので、微小幅で帯ムラが強調される
ことがなく、より良好な画面合成を実施することができ
る。さらに、本実施の形態の露光方法および露光装置で
は、第１層の重複露光部分と第２層の重複露光部分とを
Ｘ方向およびＹ方向のそれぞれでずらしているため、両
方向とも帯ムラを強調させないことができるとともに、
層間の重ね合わせ精度が両方向ともデバイス特性に影響
を与えるような回路パターンでも、両方向で重ね合わせ
精度を徐々に変化させることができ、優れたデバイス特
性が得られることになる。

【００７７】一方、本実施の形態では、投影光学系４の
投影倍率に対応してブラインド１７ａ、１７ｂの移動
量、減光部２５ａ、２５ｂの幅Ｗ２５、レチクルＲＧ１
〜ＲＧ４、ＲＳＤ１〜ＲＳＤ４における遮光帯ＣＧ１〜
ＣＧ４、ＣＳＤ１〜ＣＳＤ４の幅ＷＣ、重複露光を行う
ために延長して形成される分割パターンＧ１〜Ｇ４、Ｓ
Ｄ１〜ＳＤ４の長さ等を設定しているので、各値をそれ
ぞれ必要最低限に抑えることが可能になり、例えば一枚
のレチクル内のパターン領域を最大限活用することがで
きる。

【００７８】そのため、レチクルの使用枚数が必要以上
に多くなることを防止してコストダウンが実現するとと
もに、レチクル交換の回数を減少させることでスループ
ットが向上する。また、投影倍率を考慮しない場合のよ
うに、ガラス基板Ｐ上での重複露光部分の幅が小さいと
露光エネルギ量の変化が急激になり、継ぎ目部分のコン
トラスト変化を十分に抑えきれなくなることでデバイス
の品質が低下してしまうという不都合を未然に回避する
ことも可能になる。

【００７９】なお、上記実施の形態では、投影光学系４
を等倍系としたが、例えば投影倍率ｎが１．２５倍の拡
大系であってもよい。この場合、レチクルおよびレチク
ルブラインド上での重複幅Ｗ’＝Ｗ／ｎ＝５／１．２５
＝４ｍｍとなる。従って、ブラインド１７ａ、１７ｂの
移動量および減光部２５ａ、２５ｂの幅Ｗ２５も双方４
ｍｍに設定する。また、１層目の露光に用いられるレチ
クルＲＧ１〜ＲＧ４におけるラインＲＹ１、ＲＸ１から
パターン端縁までの長さＷＧＸ、ＷＧＹは、上記（１）
式からＷ’／２＋αになるが、画素ピッチｐｉはレチク
ル上では０．２６４／１．２５＝０．２１１２ｍｍとな
る。従って、長さＷＧＸ、ＷＧＹを画素ピッチｐｉの整
数倍とするためには、ＷＧＸ（ＷＧＹ）＝２．１１２ｍ
ｍ（α＝０．１１２ｍｍ）とする。また、遮光帯ＣＧ１
〜ＣＧ４、ＣＳＤ１〜ＣＳＤ４の幅ＷＣもＷ’＋βで規
定されることから、Ｗ’＝４ｍｍ、β＝０．４ｍｍとす
ると、ＷＣ＝４．４ｍｍになる。このような適正寸法の
設定は、投影倍率が１．２５倍でない他の拡大系や縮小
系にも適用できる。

【００８０】なお、上記実施の形態において、第１層を
４分割、第２層を９分割で画面合成する構成としたが、
これは一例を示したものであり、各層間で重複露光部分
がずれていれば分割数に限定されるものではない。ま
た、層の順番も上記第１層、第２層に限定されるもので
はなく、露光量制御継ぎ露光が実施される層とこの前に
露光される層との重複露光部分がずれて設定されていれ
ばよい。さらに、上記実施の形態では、第１層と第２層
との分割数を異なる構成としたが、これに限定されるも
のではなく、一枚のレチクル内に分割パターンが納まれ
ば、例えば図１０に示すように、第２層の回路パターン
２９を分割パターンＰＳＤ１１〜ＰＳＤ１４でつなぎ合
わされる、等分割ではない４分割で画面合成してもよ
い。これは、第１層でも同様である。

【００８１】また、上記実施の形態では、各層で複数枚
のレチクルを使用する構成としたが、これに限定される
ものではなく、例えば一枚のレチクルに形成されたパタ
ーンの照明領域を変更することで、各層毎に一枚のレチ
クルを使用するような構成であってもよい。

【００８２】また、上記実施の形態では、露光量制御用
ブラインド１７ａ、１７ｂにより露光量制御継ぎ露光を
実施したが、上述したように、通常露光用ブラインド１
８ａ、１８ｂを露光中に移動させることでも、同様に実
施可能である（特願平１１−１６０２６７号等参照）。

【００８３】なお、本実施の形態の基板としては、液晶
ディスプレイデバイス用のガラス基板Ｐのみならず、半
導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）
等が適用される。

【００８４】露光装置１としては、レチクルＲ（ＲＧ１
〜ＲＧ４、ＲＳＤ１〜ＲＳＤ４）とガラス基板Ｐとを静
止した状態でガラス基板Ｐのパターンを露光し、ガラス
基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リ
ピート方式の投影露光装置（ステッパー）の他に、レチ
クルＲとガラス基板Ｐとを同期移動してレチクルＲのパ
ターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式
の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；USP5,4
73,410）にも適用することができる。

【００８５】露光装置１の種類としては、ガラス基板Ｐ
に液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に
限られず、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッ
ド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルＲなどを製造
するための露光装置などにも広く適用できる。

【００８６】また、光源２としては、超高圧水銀ランプ
から発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０
４．ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレ
ーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電
子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、
電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型の
ランタンヘキサボライト（ＬａＢ₆）、タンタル（Ｔ
ａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導
体レーザ等の高周波などを用いてもよい。

【００８７】投影光学系４の倍率は、上述したように、
等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよ
い。また、投影光学系４としては、エキシマレーザなど
の遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの
遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂レーザやＸ線を用
いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（レチ
クルＲも反射型タイプのものを用いる）、また電子線を
用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器か
らなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過
する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。ま
た、投影光学系４を用いることなく、レチクルＲとガラ
ス基板Ｐとを密接させてレチクルＲのパターンを露光す
るプロキシミティ露光装置にも適用可能である。

【００８８】基板ステージ５やレチクルＲを保持するレ
チクルステージにリニアモータ（USP5,623,853またはUS
P5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用
いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス
力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、
各ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよ
く、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよ
い。

【００８９】各ステージの駆動機構としては、二次元に
磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置
した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステー
ジを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁
石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステー
ジに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方を
ステージの移動面側に設ければよい。

【００９０】基板ステージ５の移動により発生する反力
は、投影光学系４に伝わらないように、特開平８−１６
６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているよう
に、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がし
てもよい。レチクルステージの移動により発生する反力
は、投影光学系４に伝わらないように、特開平８−３３
０２２４号公報（US S/N 08/416,558）に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に
逃がしてもよい。

【００９１】以上のように、本願実施形態の露光装置１
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。

【００９２】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデ
バイスは、図１１に示すように、液晶表示デバイス等の
機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステッ
プに基づいたレチクルＲ（マスク）を製作するステップ
２０２、石英等からガラス基板Ｐ、またはシリコン材料
からウエハを製作するステップ２０３、前述した実施の
形態の露光装置１によりレチクルＲのパターンをガラス
基板Ｐ（またはウエハ）に露光するステップ２０４、液
晶表示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハの場
合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工
程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造さ
れる。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る露
光方法は、基板の第ｎ＋１層に第３パターンと第４パタ
ーンとをつなぎ合わせて露光する際に、第３パターンの
一部と第４パターンの一部とを重複して露光し、且つ第
ｎ＋１層の重複露光部分を第ｎ層の重複露光部分とずら
して設定する手順となっている。これにより、この露光
方法では、前レイヤーである第ｎ層の継ぎ精度に影響さ
れず、また重複露光部分に発生する帯ムラも強調されな
いので、良好な画面合成を行うことができる。また、基
板をパネル化した際の分割ムラを発生させる可能性のあ
る層間の重ね合わせ精度差も見かけ上、零にすることが
でき、分割ムラの抑制および帯ムラの減少を実現できる
という効果が得られる。

【００９４】請求項２に係る露光方法は、第ｎ＋１層の
重複露光部分が第ｎ層の重複露光部分とは重ならない位
置に設定される構成となっている。これにより、この露
光方法では、微小幅でも帯ムラが強調されることがな
く、より良好な画面合成を実施できるという効果が得ら
れる。

【００９５】請求項３に係る露光方法は、第ｎ層の重複
露光部分と第ｎ＋１層の重複露光部分とを略直交する方
向のそれぞれでずらせる構成となっている。これによ
り、この露光方法では、両方向で帯ムラを強調させない
ことができるとともに、層間の重ね合わせ精度が両方向
ともデバイス特性に影響を与えるような回路パターンで
も、両方向で重ね合わせ精度を徐々に変化させることが
でき、優れたデバイス特性が得られるという効果が得ら
れる。

【００９６】請求項４に係る露光方法は、第１パターン
が第１のマスクに形成され、第２パターンが第１のマス
クとは異なる第２のマスクに形成される構成となってい
る。これにより、この露光方法では、複数のマスクを用
いて重複露光を行う場合でも、分割ムラの抑制および帯
ムラの減少を実現して良好な画面合成を実施できるとい
う効果が得られる。

【００９７】請求項５に係る露光方法は、第１パターン
の大きさと、第３パターンの大きさとが異なる構成とな
っている。これにより、この露光方法では、層間で重複
露光部分がずれることになり、分割ムラの抑制および帯
ムラの減少を実現して良好な画面合成を実施できるとい
う効果が得られる。

【００９８】請求項６に係る露光装置は、制御部が第３
パターンの一部と第４パターンの一部とを重複させ、且
つ第ｎ＋１層の重複露光部分を第ｎ層の重複露光部分と
ずらせるように前記領域設定装置を制御する構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、前レイヤーで
ある第ｎ層の継ぎ精度に影響されず、また重複露光部分
に発生する帯ムラも強調されないので、良好な画面合成
を行うことができる。また、基板をパネル化した際の分
割ムラを発生させる可能性のある層間の重ね合わせ精度
差も見かけ上、零にすることができ、分割ムラの抑制お
よび帯ムラの減少を実現できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、露
光装置の光学系構成を示す概略図である。

【図２】同露光装置を構成するレチクルブラインド
の要部の拡大斜視図である。

【図３】第１層が４個の分割パターンでつなぎ合わ
される回路パターンが配置されたガラス基板の平面図で
ある。

【図４】同回路パターンの表示部の部分拡大図であ
る。

【図５】（ａ）〜（ｄ）とも、第１層の露光に用い
られるレチクルの平面図である。

【図６】第２層が９個の分割パターンでつなぎ合わ
される回路パターンが配置されたガラス基板の平面図で
ある。

【図７】（ａ）〜（ｄ）とも、第２層の露光に用い
られるレチクルの平面図である。

【図８】４重露光部分の露光エネルギ量を説明する
ための説明図である。

【図９】露光量制御継ぎ露光部におけるポイントと
重ね精度との関係を示す関係図である。

【図１０】第２層が別の分割例でつなぎ合わされた
ガラス基板の平面図である。

【図１１】液晶表示（半導体）デバイスの製造工程
の一例を示すフローチャート図である。

【図１２】前レイヤーと後レイヤーとがずれて重ね
合わされた回路パターンの一例を示す部分拡大図であ
る。

【符号の説明】

ＡＸ１、ＡＸ２、ＡＹ１、ＡＹ２重複露光部分Ｐガラス基板（基板）ＰＧ１分割パターン（第１パターン）ＰＧ２分割パターン（第２パターン）ＰＳＤ１分割パターン（第３パターン）ＰＳＤ２分割パターン（第４パターン）Ｒ、ＲＧ１〜ＲＧ４、ＲＳＤ１〜ＲＳＤ４レチクル
（マスク）１露光装置１１レチクルブラインド（照明領域設定装置）２０制御部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のパターンを基板のショット領域
につなぎ合わせて露光する露光方法において、前記基板の第ｎ層（ｎは自然数）に第１パターンと第２
パターンとをつなぎ合わせて露光する際に、前記第１パ
ターンの一部と前記第２パターンの一部とを重複して露
光し、前記基板の第ｎ＋１層に第３パターンと第４パターンと
をつなぎ合わせて露光する際に、前記第３パターンの一
部と前記第４パターンの一部とを重複して露光し、且つ
前記第ｎ＋１層の前記重複露光部分を前記第ｎ層の前記
重複露光部分とずらして設定することを特徴とする露光
方法。
【請求項２】請求項１記載の露光方法において、前記第ｎ＋１層の前記重複露光部分は、前記第ｎ層の前
記重複露光部分とは重ならない位置に設定することを特
徴とする露光方法。
【請求項３】請求項１または２記載の露光方法にお
いて、前記第ｎ層および第ｎ＋１層における前記重複露光部分
を互いに略直交する方向にそれぞれ設定し、前記第ｎ層の重複露光部分と前記第ｎ＋１層の重複露光
部分とを前記略直交する方向のそれぞれでずらせること
を特徴とする露光方法。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の露
光方法において、前記第１パターンは第１のマスクに形成されており、前
記第２パターンは前記第１のマスクとは異なる第２のマ
スクに形成されていることを特徴とする露光方法。
【請求項５】請求項１から４のいずれかに記載の露
光方法において、前記第１パターンの大きさと、前記第３パターンの大き
さとは異なることを特徴とする露光方法。
【請求項６】照明領域設定装置で設定された複数の
パターンを基板のショット領域につなぎ合わせて露光す
る露光装置において、前記基板の第ｎ層（ｎは自然数）に第１パターンと第２
パターンとをつなぎ合わせて露光する際に、前記第１パ
ターンの一部と前記第２パターンの一部とを重複させる
とともに、前記基板の第ｎ＋１層に第３パターンと第４
パターンとをつなぎ合わせて露光する際に、前記第３パ
ターンの一部と前記第４パターンの一部とを重複させ、
且つ前記第ｎ＋１層の前記重複露光部分を前記第ｎ層の
前記重複露光部分とずらせるように前記照明領域設定装
置を制御する制御部を備えることを特徴とする露光装
置。