JP2000199973A - 露光方法および露光装置並びにマスク - Google Patents

露光方法および露光装置並びにマスク

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JP2000199973A
JP2000199973A JP16026799A JP16026799A JP2000199973A JP 2000199973 A JP2000199973 A JP 2000199973A JP 16026799 A JP16026799 A JP 16026799A JP 16026799 A JP16026799 A JP 16026799A JP 2000199973 A JP2000199973 A JP 2000199973A
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pattern
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mask
reticle
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Masahiro Iguchi
正浩 井口
Katsuya Machino
勝弥 町野
Kazuhiko Hori
和彦 堀
Manabu Toguchi
学 戸口
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画面合成を伴う露光処理を行う際にも少ない
枚数で露光する。 【解決手段】 パターン1aを有したマスクAを用いて
基板に第1パターンと第2パターンとをつなぎ合わせ露
光する。マスクAのパターンは、第1パターンと第2パ
ターンとの共通パターンKPと、共通パターンKPと連
続して形成され共通パターンKPとは異なる非共通パタ
ーンHP1,HP2とを有する。共通パターンKPと、
非共通パターンHP1,HP2の少なくとも一部とを選
択してつなぎ合わせ露光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、照明されたパター
ンが転写領域に転写されるマスクおよびこのマスクのパ
ターンを基板上の転写領域に転写する露光方法並びに露
光装置に関し、特に、基板上の転写領域でつなぎ合わせ
露光される際に用いて好適な露光方法および露光装置並
びにマスクに関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示素子等を製造する露光
装置としては、マスク上に形成されたパターンを感光基
板の所定露光領域に露光した後、感光基板を一定距離だ
けステッピングさせて、再びマスクのパターンを露光す
ることを繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピー
ト方式のもの(ステッパー)がある。
【0003】従来、例えば大面積の液晶表示素子用のL
CDパターンをステッパーで形成する際には、通常画面
合成法が用いられている。この画面合成法は、分割され
たLCDパターンのそれぞれに対応する複数のマスクを
用い、一枚のマスクに対応するガラス基板の露光領域に
該マスクのパターンを露光した後に、ガラス基板をステ
ップさせるとともにマスクを別のものに交換し、このマ
スクに対応する露光領域に該マスクのパターンを露光す
ることにより、ガラス基板に複数のパターンが合成され
たLCDパターンを形成するものである。
【0004】図38は、15インチの液晶ディスプレイ
デバイスを製造する際に用いられるガラス基板(基板)
Pの回路パターン1が複数(図では六つ)に分割された
パターン図である。
【0005】この回路パターン1は、略長方形状を有
し、表示部2と周辺部3とから構成されている。表示部
2は、複数の画素(ピクセル)に応じた複数の電極が規
則正しく配列されたパターンで構成されている。周辺部
3は、表示部2を取り囲むように形成され、表示部2の
各電極のパターンとこれら各電極を駆動するドライバ回
路(不図示)とをそれぞれ導通させる導通部を有してい
る。そして、回路パターン1は、これら表示部2および
周辺部3を含む分割パターンA〜Fにより合成される構
成になっている。
【0006】一方、図39は、これら分割パターンA〜
Fにそれぞれ対応するパターンが形成された、マスクR
A〜RFの平面図である。そして、これらマスクRA〜
RFを用いるステッパーでは、例えば、まずマスクRA
を装着し、ガラス基板Pを分割パターンAに対応する所
定位置まで移動させた後に露光して、分割パターンAを
ガラス基板Pに転写する。
【0007】次に、マスクRAをマスクRBに交換する
とともに、ガラス基板Pを分割パターンBに対応する所
定位置まで移動させた後に露光して、分割パターンBを
ガラス基板Pに転写する。そして、この動作を順次繰り
返すことにより、分割パターンA〜Fがガラス基板Pに
転写される。
【0008】また、図40は、21インチの液晶ディス
プレイデバイスを製造する際に用いられるガラス基板
(基板)Pの回路パターン4が複数(図では15)に分
割されたパターン図である。そして、上記と同様に回路
パターン4は、表示部2および周辺部3を含む分割パタ
ーンA〜F2により合成される構成になっている。この
例では、表示部2の1部が分割パターンA、B、Cの繰
り返しパターンになっているので、同じマスク(例え
ば、Aパターンを有したマスク)で複数のショットを露
光している。また、図41に、これらの分割パターンA
〜F2に対応するパターンが形成されたマスクRA〜R
Fを示す。この場合も、上記と同様に、マスクを順次交
換するとともに、ガラス基板Pを所定位置に移動させて
露光することにより、回路パターン4が画面合成され
る。
【0009】ところで、上記画面合成法を行う際には、
マスクのパターン描画誤差や投影光学系のレンズの収
差、ガラス基板をステップ移動させるステージの位置決
め誤差等に起因してパターンの継ぎ目部に段差が発生
し、デバイスの特性が損なわれたり、さらに、画面合成
された分割パターンを多層に重ね合わせた場合、各層の
露光領域の重ね誤差やパターンの線幅差がパターンの継
ぎ目部分で不連続に変化し、デバイスの品質が低下する
ことを回避するために、いわゆる、つなぎ合わせ露光が
行われている。
【0010】このつなぎ合わせ露光は、隣接する露光領
域でこの継ぎ目部分をつなぎ合わせ露光し、且つ各露光
領域で、例えば、露光時間を変化させることでこの継ぎ
目部分の露光量(露光エネルギ量)を境界へ向けて比例
的に減少させることによって、重ね合わせて露光した際
に、この部分の露光量を他の部分の露光量と略一致させ
るものであり、例えば、特開平6−244077号公報
や特開平7−235466号公報に開示されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光方法および露光装置並びにマスクに
は、以下のような問題が存在する。各マスクRA〜RF
に形成されたパターンの内、表示部2のパターンは、画
素に応じた複数の電極が規則正しく配列されたものであ
る。そのため、複数に分割された場合でも、各分割パタ
ーンA〜Fには、部分的に共通の配列パターンが存在し
ている。
【0012】ところが、分割パターンA〜Fは、分割さ
れた表示部2の位置に応じて、周辺部3の有無あるいは
周辺部3が接続する位置が異なっている。そのため、部
分的に共通のパターンを有していても、分割パターンA
〜Fに対応するマスクRA〜RFを用意しなければなら
ず、コスト面での負荷が多大なものとなっていた。ま
た、マスクの枚数が増大すると、マスク交換に要する時
間も増え、スループットの向上に支障を来すという問題
もあった。
【0013】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、デバイス製造で画面合成を伴う露光処理を
行う際にも少ない枚数で露光することでコストダウンお
よびスループットの向上を実現できるマスクおよびこの
マスクを用いた露光方法並びに露光装置を提供すること
を目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図37に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の露光方
法は、パターン(1a)を有したマスク(R、A、B、
C)を用いて基板(P)に第1パターン(A1、C1)
と第2パターン(A2、C2)とをつなぎ合わせ露光す
る露光方法において、マスク(A)のパターンは第1パ
ターン(A1)と第2パターン(A2)との共通パター
ン(KP)と共通パターン(KP)と連続して形成され
共通パターン(KP)とは異なる非共通パターン(HP
1,HP2)とを有しており、共通パターン(KP)と
非共通パターン(HP1,HP2)の少なくとも一部と
を選択してつなぎ合わせ露光することを特徴とするもの
である。
【0015】従って、本発明の露光方法では、基板
(P)に第1パターン(A1)を露光した後に、第2パ
ターン(A2)をつなぎ合わせ露光する際には、第1パ
ターン(A1)と共通の共通パターン(KP)およびこ
の共通パターン(KP)とは異なる非共通パターン(H
P)の少なくとも一部を選択して用いることができる。
そのため、第2パターン(A2)を露光する際に、第2
パターン(A2)を有するマスク(A)を別途用意する
必要がなくなる。
【0016】また、照明領域(SA1、SA2)に対応
する基板(P)上の露光領域をそれぞれ二辺が重複する
ように矩形配列した際には、照明領域(SA1、SA
2)の一辺に透過率が漸次変化する減光領域を形成し、
各露光領域に対応する照明領域(SA1、SA2)を露
光中に前記一辺(X方向)に沿ってそれぞれ移動させる
ことができる。これにより、減光領域に対応する基板
(P)上の露光領域は、漸次変化した露光エネルギ量で
露光される。そして、この露光領域と隣接する露光領域
においては、減光領域において重複させることで重複部
の露光エネルギ量を他の部分と同じにすることができ
る。
【0017】また、上記のように露光領域を矩形配列し
た際には、辺が重複する露光領域同士で対を構成し、各
対において露光領域に対応する照明領域(SA1、SA
2)を露光中に同一方向(対角方向)に沿ってそれぞれ
移動させることができる。これにより、矩形配列された
露光領域の交叉部(K1)においては、他の半分のエネ
ルギ量で露光することができる。そして、残りの対にお
いても照明領域(SB1、SB2)を露光中に同一方向
に移動させることで、交叉部(K1)を他の半分のエネ
ルギ量で露光することができ、これらを合わせた露光量
が他と同じになる。
【0018】また、本発明のマスクは、パターンを有し
たマスク(A)において、マスク(A)には、複数のパ
ターンに応じて該複数のパターンの共通パターン(K
P)と、共通パターン(KP)とは異なる非共通パター
ン(HP1,HP2)とが連続して形成されていること
を特徴とするものである。
【0019】従って、本発明のマスクでは、共通パター
ン(KP)と、この共通パターン(KP)とは異なる非
共通パターン(HP1,HP2)とを組み合わせること
により、一枚のマスク(A)で複数のパターンに対応す
ることができる。
【0020】そして、本発明の露光装置は、パターンを
有したマスク(R、A)を保持するマスクステージ(1
0)と、マスク(R、A)を照明する照明光学系(7)
とを備え、マスク(R、A)のパターンを基板(P)に
露光する露光装置(5)において、マスクステージ(1
0)には、請求項8または請求項9記載のマスク(A)
が保持されており、マスク(A)の照明領域を少なくと
も第1照明領域(SA1)と第2照明領域(SA2)と
に設定する照明領域設定装置(17)と、第1照明領域
(SA1)により基板(P)に露光される第1パターン
(A1)と第2照明領域(SA2)により基板(P)に
露光される第2パターン(A2)とをつなぎ合わせる制
御装置(11)とを備えたことを特徴とするものであ
る。
【0021】従って、本発明の露光装置では、マスクス
テージ(10)に保持されたマスク(A)の照明領域
を、照明領域設定装置(17)を用いて第1照明領域
(SA1)に設定することで、少なくとも共通パターン
(KP)を有する第1パターン(A1)を基板(P)に
露光することができる。次に、マスク(A)の照明領域
を、照明領域設定装置(17)を用いて第2照明領域
(SA2)に設定することで、少なくとも共通パターン
(KP)を有する第2パターン(A2)を基板(P)に
露光することができる。この際、基板(P)に露光され
た第1、第2パターン(A1、A2)は、制御装置(1
1)の制御によってつなぎ合わされる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の露光方法および露
光装置並びにマスクの第1の実施の形態を、図1ないし
図23を参照して説明する。ここでは、上記と同様に1
5インチの液晶ディスプレイデバイスを製造するための
ガラス基板の例を用いて説明する。これらの図におい
て、従来例として示した図38ないし図41と同一の構
成要素には同一符号を付し、その説明を簡略化する。
【0023】図3は、露光装置5の概略構成図である。
露光装置5は、レチクル(マスク)Rに形成されたパタ
ーン(例えば、液晶表示素子パターン)を角形のガラス
基板(基板)P上へ投影転写するものであって、水銀ラ
ンプ6、照明光学系7、投影光学系8、基板ステージ
9、レチクルステージ(マスクステージ)10、露光デ
ータ設定部21および駆動制御装置(制御装置)11か
ら概略構成されている。
【0024】水銀ランプ6は、照明光としてのビームB
を発するものである。この水銀ランプ6には、楕円鏡6
aが付設されている。楕円鏡6aは、水銀ランプ6が発
する照明光を集光するものである。
【0025】照明光学系7は、シャッタ12と、反射ミ
ラー13,14と、波長選択フィルタ15と、フライア
イインテグレータ16と、レチクルブラインド(照明領
域設定装置)17と、コンデンサレンズ18とから概略
構成されている。シャッタ12は、ビームBの光路を所
定時間開閉するものである。反射ミラー13は、楕円鏡
6aで集光されシャッタ12の開動作に応答して入射し
たビームBを波長選択フィルタ15へ向けて反射するも
のである。反射ミラー14は、レチクルブラインド17
を通過したビームBをコンデンサレンズ18へ向けて反
射するものである。
【0026】波長選択フィルタ15は、ビームBのうち
露光に必要な波長(g線やi線)のみを通過させるもの
である。フライアイインテグレータ16は、波長選択フ
ィルタ15を通過したビームBの照度分布を均一にする
ものである。コンデンサレンズ18は、レチクルブライ
ンド17の開口Sで設定された照明領域の像をレチクル
Rで結像させるものである。
【0027】レチクルブラインド17は、フライアイイ
ンテグレータ16およびハーフミラー13を通過したビ
ームBがレチクルRを照明する照明領域を設定するもの
であって、図4(a)に示すように、ビームBと直交す
る平面内で互いに直交する方向に移動し、レチクルRの
共役面を挟んで配置された矩形のガラス材で形成された
ブラインド板17a、17bとから構成されている。各
ブラインド板17a、17bには、クロムが蒸着されて
遮光された遮光部24と、ビームBが透過する矩形の透
過部25とが設けられている。そして、レチクルブライ
ンド17は、ブラインド板17a、17bが移動して各
透過部25が組み合わされることで、透過部25が重な
った範囲により開口Sが形成されるとともに、露光毎に
開口Sの大きさをそれぞれ切り替え可能、且つ、各方向
の開口幅を一定に維持しながらこの互いに直交する方向
にそれぞれ移動自在になっている。
【0028】また、レチクルブラインド17は、露光中
に一定の速度で移動することにより、開口Sの位置変化
に伴って露光量を変化させ、開口Sの位置変化部分に対
応するガラス基板P上の露光領域への露光量すなわち露
光エネルギ量を一定の比率で減少させる構成になってい
る。なお、このレチクルブラインド17には、サーボモ
ータとボールネジとを組み合わせた送り機構(いずれも
不図示)等により、レチクルブラインド17のブライン
ド板17a、17bをそれぞれ駆動させる駆動機構(移
動装置)20が付設されている。
【0029】投影光学系8は、レチクルRの照明領域に
存在するパターンの像をガラス基板P上に結像させるも
のである。レチクルステージ10は、レチクルRを保持
するものである。そして、レチクルステージ10には、
レチクルRを交換するレチクル交換装置(不図示)が付
設されている。
【0030】基板ステージ9は、ガラス基板Pを保持す
るものであって、互いに直交する方向へ移動自在とされ
ている。この基板ステージ9上には、移動鏡9aが設け
られている。移動鏡9aには、位置計測装置である不図
示のレーザ干渉計からレーザ光19が射出され、その反
射光と入射光との干渉に基づいて移動鏡9aとレーザ干
渉計との間の距離、すなわち基板ステージ9(ひいては
ガラス基板P)の位置が検出される構成になっている。
また、基板ステージ9には、リニアモータ等、基板ステ
ージ9を駆動させる駆動機構22が付設されている。
【0031】露光データ設定部21は、露光データとし
て、一つの露光領域を分割した分割領域のそれぞれの座
標位置、大きさ等の露光領域に関するデータと、隣接す
る分割領域の一部を重複して露光する、つなぎ合わせ露
光に関するデータを入力するものである。
【0032】駆動制御装置11は、露光データ設定部2
1で設定された露光データに基づいて、隣接する分割領
域がつなぎ合わさ露光されるように、駆動機構20を介
してレチクルブラインド17を駆動させるとともに、駆
動機構22を介して基板ステージ9を駆動させる構成に
なっている。
【0033】一方、図2に示すように、ガラス基板Pに
転写される回路パターン1は、表示部2と周辺部3とか
ら構成されている。表示部2は、複数の画素(ピクセ
ル)に応じた複数の電極が規則正しく配列されたパター
ンで構成されている。周辺部3は、表示部2を取り囲む
ように形成され、表示部2の各電極のパターンとこれら
各電極を駆動するドライバ回路とをそれぞれ導通させる
導通部を有している。この導通部は、表示部2のX方向
両端にそれぞれ一つずつ配置された台形のタブX1、X
2と、表示部2のY方向両端にそれぞれ等間隔で八つず
つ、それぞれ隣接するように配置された台形のタブY1
〜Y8、Y9〜Y16とから構成されている。
【0034】そして、回路パターン1は、X方向に所定
間隔をあけてY方向に延在する分割ラインV1〜V3お
よびX方向に延在する分割ラインH1によって分割され
た、表示部2および周辺部3を含む分割パターンA1〜
A4、B1〜B4により合成される構成になっている。
ここで、分割ラインV1はタブY3の中心を通るよう
に、分割ラインV3は、タブY6の中心を通るようにそ
れぞれ設定されている。また、分割ラインV2は、タブ
Y4とタブY5との間を通るように設定されている。
【0035】そして、この回路パターン1を転写するた
めのレチクルRは、図1(a)に示すレチクル(マス
ク)Aと図1(b)に示すレチクル(マスク)Bの二枚
を使用する構成になっている。レチクルAは、分割パタ
ーンA1〜A4を転写する際に用いられるものであっ
て、その表面には、表示部2a、周辺部3aからなる回
路パターン(パターン)1aとクロムが蒸着された遮光
帯23とがガラス基板Pとの間の所定の投影倍率をもっ
て形成されている。
【0036】周辺部3aは、表示部2aのX方向両端に
設けられたタブX11、X12と表示部2aの+Y方向
端部に設けられた三つのタブY21〜Y23とから構成
されている。タブX11、X12は、ガラス基板Pのタ
ブX1、X2が転写されるパターンのうち、分割ライン
H1よりも−Y方向を若干含む+Y方向の半分程度を有
している。同様に、タブY21〜Y23は、ガラス基板
PのタブY1〜Y8に転写するパターンをそれぞれ有し
ている。
【0037】表示部2aは、ガラス基板Pに転写される
表示部2のパターンを部分的に有するものである。表示
部2aの幅は、X方向がタブY21〜Y23の三つ分の
長さとされ、Y方向が上記タブX11、X12と同様
に、表示部2aが転写されるパターンのうち、分割ライ
ンH1よりも−Y方向を若干含む+Y方向の半分程度に
相当する長さを有している。
【0038】遮光帯23は、つなぎ合わせ露光する際に
ビームBを遮光するものであって、回路パターン1aの
−Y方向の辺を除く三方の周辺に形成されている。な
お、本実施の形態のつなぎ合わせ露光としては、隣接し
て露光されるパターン(露光領域)の一部を重複して露
光する方式を用いるものとする。
【0039】また、レチクルAにおいては、図1(a)
に示すように、左端に位置するタブY21の中心を通る
ように分割ラインV11が、また、右端に位置するタブ
Y23の中心を通るように分割ラインV14がそれぞれ
Y方向に延在するように仮想設定される。また、左端の
タブY21と中央のタブY22との間を通るように分割
ラインV12が、そして、右端のタブY23と中央のタ
ブY22との間を通るように分割ラインV13がそれぞ
れY方向に延在するように仮想設定される。同様に、分
割ラインH1に相当する位置に、分割ラインH11がX
方向に延在するように仮想設定される。
【0040】そして、レチクルAの回路パターン1a
は、隣接する2つの分割パターンに露光される際に、共
通パターンKPと、該共通パターンKPとは異なる非共
通パターンHP1、HP2とに分けられる。共通パター
ンKPは、これら両分割パターンに共通して転写される
ように設定される。非共通パターンHP1、HP2は、
共通パターンKPと連続して、且つ共通パターンKPを
挟んで形成されるように設定される。そして、各分割パ
ターンを露光する際には、共通パターンKPと、非共通
パターンHP1、HP2の少なくとも一部とを選択する
ように設定される。
【0041】レチクルBは、分割パターンB1〜B4を
転写する際に用いられるものであり、レチクルAと同様
の構成であるので簡単に説明すると、周辺部3aには表
示部2aのX方向両端に位置してタブX11、X12が
設けられ、表示部2aの−Y方向端部に位置して三つの
タブY24〜Y26が設けられている。タブX11、X
12は、ガラス基板PのタブX1、X2が転写されるパ
ターンのうち、分割ラインH1よりも+Y方向を若干含
む−Y方向の半分程度を有している。同様に、タブY2
4〜Y26は、ガラス基板PのタブY9〜Y16に転写
するパターンをそれぞれ有している。
【0042】表示部2aの幅は、X方向がタブY24〜
Y26の三つ分の長さとされ、Y方向が上記タブX1
1、X12と同様に、表示部2aが転写されるパターン
のうち、分割ラインH1よりも+Y方向を若干含む−Y
方向の半分程度に相当する長さを有している。遮光帯2
3は、回路パターン1aの+Y方向の辺を除く三方の周
辺に形成されている。
【0043】また、レチクルBにおいては、図1(b)
に示すように、左端に位置するタブY24の中心を通る
ように分割ラインV15が、また、右端に位置するタブ
Y26の中心を通るように分割ラインV18がそれぞれ
Y方向に延在するように仮想設定される。また、左端の
タブY24と中央のタブY25との間を通るように分割
ラインV16が、そして、右端のタブY26と中央のタ
ブY25との間を通るように分割ラインV17がそれぞ
れY方向に延在するように仮想設定される。同様に、分
割ラインH1に相当する位置に、分割ラインH12がX
方向に延在するように仮想設定される。
【0044】そして、レチクルBの回路パターン1a
は、隣接する2つの分割パターンに露光される際に、共
通パターンKPと、該共通パターンKPとは異なる非共
通パターンHP1、HP2とに分けられる。共通パター
ンKPは、これら両分割パターンに共通して転写される
ように設定される。非共通パターンHP1、HP2は、
共通パターンKPと連続して、且つ共通パターンKPを
挟んで形成されるように設定される。そして、各分割パ
ターンを露光する際には、共通パターンKPと、非共通
パターンHP1、HP2の少なくとも一部とを選択する
ように設定される。
【0045】上記の構成の露光装置およびマスクを用い
て、ガラス基板Pに回路パターン1を転写する手順を以
下に説明する。ここでは、分割パターンA1〜A4、B
1〜B4を順次転写するものとして説明する。なお、露
光データ設定部21には、予め分割パターンA1〜A
4、B1〜B4がそれぞれ分割されて露光される分割領
域の基準座標位置、大きさ等の露光領域データと、各分
割領域において重ね合わせ露光を行う辺が指定されたデ
ータとが入力されている。
【0046】まず、レチクルAが、不図示のレチクル交
換装置によってレチクルステージ10にアライメントさ
れてセットされると、駆動制御装置11が露光データ設
定部21のデータを読み込み、駆動機構20を介してレ
チクルブラインド17のブラインド板17a、17bを
駆動させる。これにより、レチクルAには、レチクルブ
ラインド17の開口Sに対応して、図5(a)に示すよ
うに、第1パターンとしての分割パターンA1に対応す
る矩形状の照明領域(第1照明領域)SA1が設定され
る。この分割パターンA1は、共通パターンKPと非共
通パターンHP1と非共通パターンHP2の一部分とか
ら構成される。
【0047】ここで、レチクルAの分割ラインV14
は、ガラス基板Pにおける分割ラインV1に仮想設定さ
れる。同時に分割ラインH11は、ガラス基板Pにおけ
る分割ラインH1に仮想設定される。
【0048】このとき、照明領域SA1の右辺(+X側
の辺)は、つなぎ合わせ露光の際の重複させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインV14に対して−X側
にオフセットして設定される。同様に、照明領域SA1
の下辺(−Y側の辺)は、重複露光させる幅に対応し
て、仮想設定された分割ラインH11に対して+Y側に
オフセットして設定される。また、照明領域SA1の左
辺(−X側の辺)および上辺(+Y側の辺)は、遮光帯
23が重複露光させる幅以上の幅をもって露出するよう
に設定される。
【0049】一方、駆動制御装置11は、レチクルブラ
インド17を駆動させると同時に、駆動機構22を介し
て基板ステージ9を駆動させる。これにより、基板ステ
ージ9は、レチクルブラインド17で設定された照明領
域SA1に対応する位置にガラス基板Pがセットされる
ように移動する。この基板ステージ9の移動の際には、
不図示のレーザ干渉計が、基板ステージ9上の移動鏡9
aに向けてレーザ光19を射出し、その反射光と入射光
との干渉に基づいて距離を測定し、基板ステージ9(す
なわち、ガラス基板P)の位置を正確に検出する。
【0050】レチクルブラインド17および基板ステー
ジ9が所定位置にセットされると、図3に示すように、
露光装置5では、水銀ランプ6からの照明光であるビー
ムBが楕円鏡6aで集光され、シャッタ12の開動作に
応答して反射ミラー13から波長選択フィルタ15に入
射する。波長選択フィルタ15で露光に必要な波長のみ
が通過したビームBは、フライアイインテグレータ16
で均一な照度分布に調整された後、レチクルブラインド
17に到達する。
【0051】レチクルブラインド17の開口Sを通過し
たビームBは、反射ミラー14で反射され、コンデンサ
レンズ18に入射する。このコンデンサレンズ18によ
りレチクルブラインド17の開口Sの像がレチクルAに
結像し、開口Sに対応するレチクルAの照明領域SA1
が照明される。レチクルAの照明領域SA1に存在する
パターンの像は、投影光学系8によりガラス基板P上の
露光領域に結像する。これにより、照明領域SA1に対
応するガラス基板P上の露光領域に分割パターンA1が
転写される。
【0052】この露光中に、駆動制御装置11の指示に
基づき、レチクルブラインド17のブラインド板17
a、17bが移動することで、図5(b)に示すよう
に、照明領域SA1は、右辺が分割ライン14を越える
ように+X方向側へ、且つ下辺が分割ラインH11を越
えるように−Y方向側へ(すなわち、図5中、左上から
右下へ)それぞれ所定の速度で重複露光させる幅分移動
する。この右辺および下辺の移動によって、ガラス基板
P上の露光領域では、露光される露光エネルギ量が一定
の比率で漸次減少した状態で露光される。
【0053】続いて、第2パターンとして分割パターン
A2を露光する。分割パターンA2は、共通パターンK
Pと非共通パターンHP1の一部とから構成される。上
記と同様に、駆動制御装置11の制御により、レチクル
ブラインド17のブラインド板17a、17bおよび基
板ステージ9が移動する。これにより、レチクルAに
は、レチクルブラインド17の開口Sに対応して、図6
(a)に示すように、第2パターンとしての分割パター
ンA2に対応する矩形状の照明領域(第2照明領域)S
A2が設定される。また、基板ステージ9は、レチクル
ブラインド17で設定された照明領域SA2に対応する
位置にガラス基板Pがセットされるように移動する。
【0054】ここで、レチクルAの分割ラインV13
は、ガラス基板Pにおける分割ラインV2に仮想設定さ
れる。また、レチクルAの分割ラインV11は、ガラス
基板Pにおける分割ラインV1に仮想設定される。同時
に分割ラインH11は、ガラス基板Pにおける分割ライ
ンH1に仮想設定される。
【0055】このとき、照明領域SA2の右辺は、重複
露光させる幅に対応して、仮想設定された分割ラインV
13に対して−X側にオフセットして設定される。同様
に、照明領域SA2の下辺は、重複露光させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインH11に対して+Y側
にオフセットして設定される。また、左辺は、図5
(a)に示す露光前の照明領域SA1で設定された右辺
の位置と合致するように、分割ラインV11を越えて設
定される。なお、照明領域SA2の上辺は、上記と同様
に、遮光帯23が重複露光させる幅以上の幅をもって露
出するように設定される。
【0056】この照明領域SA2の設定により、図1
(a)に示すように、レチクルAの回路パターン1aの
内、分割ラインV11、V13間のパターンが第1、第
2パターンである分割パターンA1、A2の共通パター
ンKPとして設定される。また、分割ラインV11より
も−X側のパターンおよび分割ラインV13、V14間
のパターンが、共通パターンKPを挟むように非共通パ
ターンHP、HPとして選択されることになる。
【0057】そして、上記と同様に露光処理が行われる
と、レチクルブラインド17の開口Sに対応するレチク
ルAの照明領域SA2が照明される。レチクルAの照明
領域SA2に存在するパターンの像は、投影光学系8に
よりガラス基板P上に結像する。これにより、照明領域
SA2に対応するガラス基板P上の露光領域に分割パタ
ーンA2が転写される。ここでも、露光処理の際、駆動
制御装置11の指示に基づき、レチクルブラインド17
のブラインド板17a、17bが移動することで、図6
(b)に示すように、照明領域SA2は、右辺が+X方
向側へ、且つ下辺が−Y方向側へ(すなわち、図6中、
左上から右下へ)それぞれ所定の速度で重複露光させる
幅分移動する。この結果、隣接する分割パターンA1、
A2間がつなぎ合わせ露光される。
【0058】この後、上記と同様の手順により、図7
(a)、(b)に示すように設定された分割パターンA
3および図8(a)、(b)に示すように設定された分
割パターンA4を、各分割パターンA3、A4に対応す
る照明領域SA3、SA4を+Y、−X側から−Y、+
X側へ(すなわち、図7、図8中、左上から右下へ)移
動させることで、各照明領域SA3、SA4に対応する
ガラス基板P上の露光領域に、隣接する分割パターン間
がつなぎ合わせ露光されるように順次転写する。
【0059】そして、分割パターンA1〜A4までの転
写が完了すると、レチクル交換装置によりレチクルステ
ージ10上のレチクルAを、図1(b)に示すレチクル
Bと交換する。このレチクルBは、レチクルAとY方向
に対称に形成されたものである。レチクルBに対しても
レチクルAと同様の手順により、分割パターンB1〜B
4をつなぎ合わせ露光しながら順次転写することで、ガ
ラス基板Pに回路パターン1が転写される。
【0060】具体的には、まず、レチクルBには、レチ
クルブラインド17のブラインド板17a、17bの開
口Sに対応して、図9(a)に示すように、分割パター
ンB1に対応する矩形状の照明領域SB1が設定され
る。この分割パターンB1は、共通パターンKPと非共
通パターンHP1と非共通パターンHP2の一部分とか
ら構成される。ここで、レチクルBの分割ラインV18
は、ガラス基板Pにおける分割ラインV1に仮想設定さ
れる。同時に分割ラインH12は、ガラス基板Pにおけ
る分割ラインH1に仮想設定される。
【0061】このとき、照明領域SB1の右辺(+X側
の辺)は、つなぎ合わせ露光の際の重複させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインV18に対して−X側
にオフセットして設定される。同様に、照明領域SB1
の上辺(+Y側の辺)は、重複露光させる幅に対応し
て、仮想設定された分割ラインH12に対して+Y側に
オフセットして設定される。また、照明領域SB1の左
辺(−X側の辺)および下辺(−Y側の辺)は、遮光帯
23が重複露光させる幅以上の幅をもって露出するよう
に設定される。
【0062】そして、ガラス基板Pが照明領域SB1に
対応する位置に基板ステージ9を移動させた後に、上記
と同様に露光処理が行われると照明領域SB1が照明さ
れる。レチクルBの照明領域SB1に存在するパターン
の像は、投影光学系8によりガラス基板P上に結像す
る。これにより、照明領域SB1に対応するガラス基板
P上の露光領域に分割パターンB1が転写される。ここ
でも、露光処理の際、駆動制御装置11の指示に基づ
き、レチクルブラインド17のブラインド板17a、1
7bが移動することで、図9(b)に示すように、照明
領域SB1は、右辺が+X方向側へ、且つ下辺が−Y方
向側へ(すなわち、図9中、左上から右下へ)それぞれ
所定の速度で重複露光させる幅分移動する。この結果、
隣接する分割パターンA1、B1間がつなぎ合わせ露光
される。
【0063】この後、上記と同様の手順により、図10
(a)、(b)に示すように設定された分割パターンB
2、図11(a)、(b)に示すように設定された分割
パターンB3、および図12(a)、(b)に示すよう
に設定された分割パターンB4を、各分割パターンB2
〜B4に対応する照明領域SB2〜SB4を+Y、−X
側から−Y、+X側へ(すなわち、図10〜図12中、
左上から右下へ)移動させることで、各照明領域SB2
〜SB4に対応するガラス基板P上の露光領域に、隣接
する分割パターン間がつなぎ合わせ露光されるように順
次転写する。
【0064】ここで、露光領域が一辺のみで重複するの
ではなく、例えば、分割パターンA1、A2、B1、B
2のように、それぞれ二辺以上で重複するように矩形に
配列された場合、図2に示すように、これら四つの露光
領域の交叉部K1は上記露光方法では照明領域の移動方
向によって三つ以上の露光領域により重複露光される。
上記のように照明領域を+Y、−X側から−Y、+X側
へ(すなわち、図2中、左上から右下へ)移動させた場
合の交叉部K1に露光されるエネルギ量について、図1
3から図18を用いて説明する。
【0065】図13に示すように、各照明領域SA1〜
SA2、SB1〜SB2が直線L1とL2との間、およ
び直線L3とL4との間でそれぞれ移動した場合、交叉
部K1は直線L1〜L4で囲まれた矩形領域になる。ま
た、直線L1とL3との交点をP1、直線L2とL4と
の交点をP2、直線L2とL3との交点をP3、直線L
1とL4との交点をP4とすると、分割パターンA1を
露光する際に照明領域SA1の端点は交点P1から交点
P2に、矩形配列された露光領域の対角方向へ移動す
る。このとき、一回の露光において重複していない領域
に照射される露光量を100%とすると、図14に示す
ように、交叉部K1は交点P1が100%の露光量とな
り、交点P2〜P4が0%の露光量となる四角錐状の露
光量分布を示す。
【0066】また、分割パターンA2を露光する際に照
明領域SA2の端点は、交点P1から交点P2に対角方
向へ移動するが、交点P1、P2、P4で囲まれた三角
形状の領域は露光されない。そのため、交叉部K1は、
図15に示すように、交点P3が100%の露光量とな
り、交点P1、P2が0%の露光量となる三角錐状の露
光量分布を示す。同様に、分割パターンB1を露光する
際に照明領域SB1の端点は交点P1から交点P2に対
角方向へ移動するが、交点P1、P2、P3で囲まれた
三角形状の領域は露光されない。そのため、交叉部K1
は図16に示すように、交点P4が100%の露光量と
なり、交点P1、P2が0%の露光量となる三角錐状の
露光量分布を示す。さらに、分割パターンB2を露光す
る際にも照明領域SB2の端点は交点P1から交点P2
に対角方向へ移動し、図17に示すように、交叉部K1
は交点P2が100%の露光量となり、交点P1、P
3、P4が0%の露光量となる四角錐状の露光量分布を
示す。
【0067】そして、上記四回の露光により、交叉部K
1に照射される露光量は、図18に示すように、全領域
が100%になり、他の露光領域と同一になる。他の交
叉部も交叉部K1と同様に照明領域を移動させているた
め、各交叉部においても100%の露光量で露光される
ことになる。
【0068】なお、交叉部における露光量を100%に
するためには、照明領域の端点を必ずしも交点P1から
交点P2に移動させる必要はなく、交叉部K1が二つの
四角錐状の露光量分布と二つの三角錐状の露光量分布を
示すように四回露光すればよい。換言すれば、それぞれ
二辺が重複するように矩形配列された四つの露光領域の
うち、一辺が重複する露光領域同士(隣接する露光領域
同士)で対を複数(本形態では二対)構成し、各対にお
いて各露光領域に対応する照明領域をそれぞれ同一方向
に沿って移動させれば、各対において交叉部K1は四角
錐状と三角錐状の露光量分布で露光されるため、二対合
わせた露光量分布が二つの四角錐状と二つの三角錐状に
なり、100%の露光量で露光される。
【0069】そのため、上記対角方向であれば対毎に照
明領域の移動方向が異なっていてもよく、例えば、分割
パターンA1、A2に対応する露光領域で対を構成し、
分割パターンB1、B2に対応する露光領域で対を構成
した場合、分割パターンA1、A2に対応する照明領域
SA1、SA2の端点をそれぞれ交点P1から交点P2
に移動させ、分割パターンB1、B2に対応する照明領
域SB1、SB2の端点をそれぞれ交点P3から交点P
4に向かう対角方向に移動させてもよい。
【0070】この場合、各対においては、各対角方向に
沿っていれば全く同一方向に移動する必要はなく、例え
ば照明領域SA1の端点を交点P1から交点P2に移動
させ、照明領域SA2の端点を交点P2から交点P1に
移動させてもよい。同様に、照明領域SB1の端点を交
点P3から交点P4に移動させ、照明領域SB2の端点
を交点P4から交点P3に移動させてもよい。また、対
の構成も上記に限られず、一辺が重複する露光領域であ
れば、分割パターンA1、B1に対応する露光領域で対
を構成し、分割パターンA2、B2に対応する露光領域
で対を構成してもよい。
【0071】上記のつなぎ合わせ露光は、遮光部24お
よび透過部25を有するブラインド板17a、17bに
より照明領域を移動させる構成としたが、以下に、図4
(b)に示すレチクルブラインド17を用いてつなぎ合
わせ露光する方法を説明する。この図に示すように、レ
チクルブラインド17は、レチクルRの共役面を挟んで
配置された矩形のガラス材で形成されたブラインド板1
7c、17dとから構成されている。各ブラインド板1
7c、17dには、遮光部24と透過部25とこれらの
間に設けられた減光部26とが設けられている。
【0072】減光部26には、クロムが露光装置5の解
像限界以下の大きさのドット状で蒸着されている。そし
て、このドット状のクロム膜の密度は、透過部25から
遮光部24へ向かうにしたがって漸次大きくなるように
設定されることにより、ビームBの透過率が漸次低くな
る(変化する)構成になっている。また、減光部26の
幅は、Y方向で隣接する露光領域の重複長さ、すなわち
直線L3とL4との間の距離と同一に設定される。この
減光部26は、ブラインド板17cでは透過部25の上
辺に設けられ、ブラインド板17dでは透過部25の下
辺に設けられている。そして、レチクルブラインド17
は、ブラインド板17c、17dが移動して各透過部2
5が組み合わされることで透過部25が重なった範囲に
より開口Sが形成されるとともに、開口Sで設定される
照明領域のうち、減光部26に対応する辺に減光領域を
形成するようになっている。
【0073】このブラインド板17c、17dを用いて
露光する際には、まず、レチクルAにおいて、レチクル
ブラインド17の開口Sに対応して、図20(a)に示
すように、分割パターンA1に対応する矩形状の照明領
域(第1照明領域)SA1が設定される。この分割パタ
ーンA1は、共通パターンKPと非共通パターンHP1
と非共通パターンHP2の一部分とから構成される。こ
こで、レチクルAの分割ラインV14は、ガラス基板P
における分割ラインV1に仮想設定される。同時に分割
ラインH11は、ガラス基板Pにおける分割ラインH1
に仮想設定される。
【0074】このとき、照明領域SA1の右辺(+X側
の辺)は、つなぎ合わせ露光の際の重複させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインV14に対して−X側
にオフセットして、ガラス基板Pにおける直線L1と一
致するように設定される。同様に、照明領域SA1の下
辺(−Y側の辺)は、重複露光させる幅に対応して、仮
想設定された分割ラインH11に対して−Y側にオフセ
ットして直線L4に一致するように設定される。このと
き、ブラインド板17dの減光部26は、照明領域SA
1の下辺側のうち、ガラス基板Pにおいて直線L3、L
1、L4で囲まれた露光領域に対応する照明領域を減光
領域として設定する。また、照明領域SA1の左辺(−
X側の辺)は、遮光帯23が重複露光させる幅以上の幅
をもって露出するように設定される。
【0075】そして、ガラス基板Pが照明領域SA1に
対応する位置に基板ステージ9を移動させた後に、上記
と同様に露光処理が行われると照明領域SA1が照明さ
れる。レチクルAの照明領域SA1に存在するパターン
の像は、投影光学系8によりガラス基板P上に結像す
る。これにより、照明領域SA1に対応するガラス基板
P上の露光領域に分割パターンA1が転写される。この
露光処理の際、駆動制御装置11の指示に基づき、レチ
クルブラインド17のブラインド板17c、17dが移
動することで、図20(b)に示すように、照明領域S
A1は、右辺がガラス基板Pにおける直線L2に一致す
るように、減光部26の長さ方向に沿って+X方向側へ
(すなわち、図20中、左から右へ)所定の速度で移動
する。
【0076】続いて、第2パターンとして分割パターン
A2を露光する。分割パターンA2は、共通パターンK
Pと非共通パターンHP1の一部とから構成される。上
記と同様に、駆動制御装置11の制御により、レチクル
ブラインド17のブラインド板17c、17dおよび基
板ステージ9が移動する。これにより、レチクルAに
は、レチクルブラインド17の開口Sに対応して、図2
1(a)に示すように、第2パターンとしての分割パタ
ーンA2に対応する矩形状の照明領域(第2照明領域)
SA2が設定される。また、基板ステージ9は、レチク
ルブラインド17で設定された照明領域SA2に対応す
る位置にガラス基板Pがセットされるように移動する。
ここで、レチクルAの分割ラインV13は、ガラス基板
Pにおける分割ラインV2に仮想設定される。また、レ
チクルAの分割ラインV11は、ガラス基板Pにおける
分割ラインV1に仮想設定される。同時に分割ラインH
11は、ガラス基板Pにおける分割ラインH1に仮想設
定される。
【0077】このとき、照明領域SA2の右辺は、重複
露光させる幅に対応して、仮想設定された分割ラインV
13に対して−X側にオフセットして設定される。同様
に、照明領域SA2の下辺は、重複露光させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインH11に対して−Y側
にオフセットして、ガラス基板Pにおける直線L4に一
致するように設定される。また、左辺は、図20(a)
に示す露光前の照明領域SA1で設定された右辺の位置
(すなわち、ガラス基板Pにおける直線L1)と一致す
るように、分割ラインV11を越えて設定される。この
とき、ブラインド板17dの減光部26は、照明領域S
A2下辺側のうち、ガラス基板Pにおいて直線L3、L
1、L4で囲まれた露光領域に対応する照明領域を減光
領域として設定する。なお、照明領域SA2の上辺は、
上記と同様に、遮光帯23が露出するように設定され
る。
【0078】そして、上記と同様に露光処理が行われる
と照明領域SA2が照明され、レチクルAの照明領域S
A2に存在するパターンの像は、投影光学系8によりガ
ラス基板P上に結像する。これにより、照明領域SA2
に対応するガラス基板P上の露光領域に分割パターンA
2が転写される。この露光処理の際、駆動制御装置11
の指示に基づき、レチクルブラインド17のブラインド
板17c、17dが移動することで、図21(b)に示
すように、照明領域SA2は、左辺がガラス基板Pにお
ける直線L2に一致するように、減光部26の長さ方向
に沿って+X方向側へ(すなわち、図21中、左から右
へ)所定の速度で移動する。この後、分割パターンA
1、A2と同様の手順により分割パターンA3、A4
を、各照明領域を+X方向側へ移動させながら順次ガラ
ス基板P上に転写する。
【0079】次に、レチクルAをレチクルBに交換し、
レチクルBにレチクルブラインド17の開口Sに対応し
て、図22(a)に示すように、分割パターンB1に対
応する矩形状の照明領域SB1を設定する。この分割パ
ターンB1は、共通パターンKPと非共通パターンHP
1と非共通パターンHP2の一部分とから構成される。
ここで、レチクルBの分割ラインV18は、ガラス基板
Pにおける分割ラインV1に仮想設定される。同時に分
割ラインH12は、ガラス基板Pにおける分割ラインH
1に仮想設定される。このとき、照明領域SB1の右辺
(+X側の辺)は、つなぎ合わせ露光の際の重複させる
幅に対応して、仮想設定された分割ラインV18に対し
て−X側にオフセットして、ガラス基板Pにおける直線
L1と合致するように設定される。同様に、照明領域S
B1の上辺(+Y側の辺)は、重複露光させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインH12に対して+Y側
にオフセットして直線L3に一致するように設定され
る。このとき、ブラインド板17cの減光部26は、照
明領域SB1の上辺側のうち、ガラス基板Pにおいて直
線L3、L1、L4で囲まれた露光領域に対応する照明
領域を減光領域として設定する。また、照明領域SB1
の左辺(−X側の辺)は、遮光帯23が重複露光させる
幅以上の幅をもって露出するように設定される。
【0080】そして、ガラス基板Pが照明領域SB1に
対応する位置に基板ステージ9を移動させた後に、上記
と同様に露光処理が行われると照明領域SB1が照明さ
れる。レチクルBの照明領域SB1に存在するパターン
の像は、投影光学系8によりガラス基板P上に結像す
る。これにより、照明領域SB1に対応するガラス基板
P上の露光領域に分割パターンB1が転写される。この
露光処理の際、駆動制御装置11の指示に基づき、レチ
クルブラインド17のブラインド板17c、17dが移
動することで、図22(b)に示すように、照明領域S
B1は、右辺がガラス基板Pにおける直線L2に一致す
るように、減光部26の長さ方向に沿って+X方向側へ
(すなわち、図22中、左から右へ)所定の速度で移動
する。
【0081】続いて、上記と同様に、駆動制御装置11
の制御により、レチクルブラインド17のブラインド板
17c、17dおよび基板ステージ9が移動する。これ
により、レチクルBには、レチクルブラインド17の開
口Sに対応して、図23(a)に示すように、分割パタ
ーンB2に対応する矩形状の照明領域SB2が設定され
る。また、基板ステージ9は、レチクルブラインド17
で設定された照明領域SB2に対応する位置にガラス基
板Pがセットされるように移動する。ここで、レチクル
Bの分割ラインV17は、ガラス基板Pにおける分割ラ
インV2に仮想設定される。また、レチクルBの分割ラ
インV15は、ガラス基板Pにおける分割ラインV1に
仮想設定される。同時に分割ラインH12は、ガラス基
板Pにおける分割ラインH1に仮想設定される。
【0082】このとき、照明領域SB2の右辺は、重複
露光させる幅に対応して、仮想設定された分割ラインV
17に対して−X側にオフセットして設定される。同様
に、照明領域SB2の上辺は、重複露光させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインH12に対して+Y側
にオフセットして、ガラス基板Pにおける直線L3に一
致するように設定される。また、左辺は、図22(a)
に示す露光前の照明領域SB1で設定された右辺の位置
(すなわち、ガラス基板Pにおける直線L1)と一致す
るように、分割ラインV15を越えて設定される。この
とき、ブラインド板17cの減光部26は、照明領域S
B2の上辺側うち、ガラス基板Pにおいて直線L3、L
1、L4で囲まれた露光領域に対応する照明領域を減光
領域として設定する。なお、照明領域SB2の下辺は、
上記と同様に、遮光帯23が露出するように設定され
る。
【0083】そして、上記と同様に露光処理が行われる
と照明領域SB2に対応するガラス基板P上の露光領域
に分割パターンB2が転写される。この露光処理の際、
駆動制御装置11の指示に基づき、レチクルブラインド
17のブラインド板17c、17dが移動することで、
図23(b)に示すように、照明領域SB2は、左辺が
ガラス基板Pにおける直線L2に一致するように、減光
部26の長さ方向に沿って+X方向側へ(すなわち、図
23中、左から右へ)所定の速度で移動する。この後、
分割パターンB1、B2と同様の手順により分割パター
ンB3、B4を、各照明領域を+X方向側へ移動させな
がら順次ガラス基板P上に転写する。
【0084】ここで、ガラス基板Pの露光領域のうち、
分割パターンA1〜A2、B1〜B2が矩形配列された
露光領域に着目すると、分割パターンA1、A2を転写
する際に重複する直線L3より+Y側の露光領域では、
分割パターンA1を転写する際に直線L1から直線L2
へ向かうにしたがって、100%から0%に漸次減少す
る露光量で露光され、分割パターンA2を転写する際に
直線L1から直線L2へ向かうにしたがって、0%から
100%に漸次増加する露光量で露光される。そのた
め、これらが重複する露光領域では重複露光されること
により、重複しない露光領域と同様に100%の露光量
で露光される。これは、分割パターンB1、B2を転写
する際に重複する直線L4より−Y側も同様である。
【0085】また、分割パターンA1、B1を転写する
際に重複する直線L1より−X側の露光領域では、分割
パターンA1を転写する際に直線L3から直線L4へ向
かうにしたがって、100%から0%に漸次減少する露
光量で露光され、分割パターンB1を転写する際に直線
L3から直線L4へ向かうにしたがって、0%から10
0%に漸次増加する露光量で露光される。そのため、こ
れらが重複する露光領域では重複露光されることによ
り、重複しない露光領域と同様に100%の露光量で露
光される。これは、分割パターンA2、B2を転写する
際に重複する直線L2より+X側も同様である。
【0086】一方、図19に示すように、これら分割パ
ターンA1〜A2、B1〜B2が転写される露光領域の
交叉部K1、すなわち直線L1〜L4で囲まれた矩形領
域では、上記と同様に直線L1とL3との交点をP1、
直線L2とL4との交点をP2、直線L2とL3との交
点をP3、直線L1とL4との交点をP4とし、直線L
1とL2との距離をS、直線L3とL4との距離をTと
し、交点P4を原点とするxy座標系を設定すると、分
割パターンA1の転写時の露光量D1(%)は次式で求
められる。 D1(%)=(100×y/T)×(1−x/S) ……(1) また、分割パターンA2の転写時の露光量D2(%)は
次式で求められる。 D2(%)=(100×y/T)×(x/S) ……(2) さらに、分割パターンB1の転写時の露光量D3(%)
は次式で求められる。 D3(%)=100×(1−y/T)×(1−x/S) ……(3) また、分割パターンB2の転写時の露光量D4(%)は
次式で求められる。 D4(%)=100×(1−y/T)×(x/S) ……(4) そして、交叉部K1における露光量Dは、上記式(1)
〜(4)で求められる露光量D1〜D4の総和になる。 D(%)=D1+D2+D3+D4=100 このように、交叉部K1においても露光量が100%に
なり、ガラス基板Pを同様の手順で露光することによ
り、ガラス基板Pの露光領域全面を一様の露光量に設定
することができる。なお、減光部26を有するレチクル
ブラインド17を用いる場合、減光部26を開口Sの上
辺および下辺ではなく、左辺および右辺に設け、図2に
示すガラス基板PにおいてY方向に延在する重複露光領
域を減光部26により形成される減光領域で設定し、照
明領域をY方向に移動させるようにしてもよい。
【0087】本実施の形態の露光方法および露光装置並
びにマスクでは、レチクルAに形成された回路パターン
1aが、露光時に、複数の分割パターンA1、A2で共
通して用いられる共通パターンKPと、この共通パター
ンKPとは異なる非共通パターンHPとに分けられるの
で、露光毎に照明領域を調節することで複数の分割パタ
ーンに応じて、非共通パターンHPの選択を異ならせる
ことで第1、第2パターンを種々任意に選択して設定す
ることができ、一枚のレチクルAで複数の分割領域A1
〜A4に転写することができるようになる。従来、つな
ぎ合わせ露光を行うパターンを一枚のレチクルに入れる
際は、遮光帯(例えば、1.5mm)を設けて個々のパ
ターンを独立に分離する必要があった。これに対して、
本実施の形態のように、隣接するパターンの一部を重複
して露光する場合は、遮光帯を設けることなく一枚のレ
チクル内のパターンを切り出すことができる。すなわ
ち、一枚のレチクル内の共通部分、非共通部分を目的の
パターンに合わせて繰り返し使用することができる。し
たがって、特に、液晶表示デバイスや半導体メモリのよ
うに同じパターンを繰り返し転写する場合は、この繰り
返しパターンを共通パターンとすることで上記効果が顕
著になる。
【0088】15インチの液晶ディスプレイデバイス用
ガラス基板Pを得るためには、図38に示した従来の分
割パターンA〜Fおよび図39に示した従来のマスクR
A〜RFに比較して、本実施の形態では、分割数が6か
ら8へ増えて露光時間が増加するものの、使用するレチ
クルが6枚から2枚に減少するので、レチクル交換に要
する時間を短縮することができ、結果的に、処理時間を
短縮することができ、スループットを向上させることが
できる。加えて、高価なレチクルの使用枚数を減少させ
ることもできるのでコストダウンも実現する。
【0089】また、本実施の形態では、非共通パターン
HPが共通パターンKPを挟んで形成されているので、
レチクルブラインド17を移動させて所定の照明領域を
設定する際にも、レチクルブラインド17を移動させる
距離を短くすることができ、照明領域設定に要する時間
が短くなり、一層のスループット向上を実現することが
できる。
【0090】さらに、本実施の形態では、上記複数の分
割パターンをガラス基板Pに露光する際に、駆動制御装
置11が隣接する分割パターン間でつなぎ合わせ露光す
るようにレチクルブラインド17および基板ステージ9
を駆動させるので、回路パターン1が分割された場合で
も、パターンのつなぎ目に段差が発生してデバイスの特
性が損なわれたり、つなぎ目が不連続に変化して、デバ
イスの品質が低下することも防止できる。
【0091】一方、本実施の形態では、レチクルブライ
ンド17が遮光部24、透過部25を有するブラインド
板17a、17bから構成されるときには、矩形配列さ
れた露光領域を辺が重複する露光領域同士で対を構成
し、各対において露光領域に対応する照明領域を対角方
向の同一方向に沿ってそれぞれ移動させることで露光領
域が交叉する領域においてもオーバー露光されることな
く、他の露光領域と同じ露光量で露光することができ
る。
【0092】また、レチクルブラインド17が遮光部2
4、透過部25および減光部26を有するブラインド板
17c、17dから構成されるときには、矩形配列され
た露光領域に対応する照明領域を、減光部26の長さ方
向に沿ってそれぞれ移動させることで露光領域が交叉す
る領域においてもオーバー露光されることなく、他の露
光領域と同じ露光量で露光することができる。また、こ
の場合、ブラインド板17c、17dの移動が一方向で
あるので、ブラインド板17c、17dを駆動させる駆
動機構20を簡単なものにできる。
【0093】図24ないし図37は、本発明の露光方法
および露光装置並びにマスクの第2の実施の形態を示す
図である。これらの図において、図1ないし図23に示
す第1の実施の形態の構成要素と同一の要素については
同一符号を付し、その説明を省略する。第2の実施の形
態と上記の第1の実施の形態とが異なる点は、ガラス基
板Pに転写される回路パターンである。
【0094】すなわち、図24に示すガラス基板Pは、
上記21インチの液晶ディスプレイデバイスを製造する
ためのものである。ガラス基板Pに転写される回路パタ
ーン4の内、周辺部3は、表示部2のX方向両端に一つ
ずつ配置された台形のタブX1、X2と、表示部2のY
方向両端にそれぞれ等間隔で10ヶ所ずつ配置された台
形のタブY1〜Y10、Y11〜Y20とから構成され
ている。
【0095】そして、回路パターン4は、X方向に所定
間隔をあけてY方向に延在する分割ラインV1〜V3、
およびY方向に所定間隔をあけてX方向に延在する分割
ラインH1、H2によって分割された、分割パターンA
1〜A2、B1〜B2およびC1〜C8によって合成さ
れる構成になっている。ここで、分割ラインV1はタブ
Y3の右端近傍を通るように、分割ラインV3は、タブ
Y8の左端近傍を通るようにそれぞれ設定されている。
また、分割ラインV2は、タブY5とタブY6との間を
通るように設定されている。
【0096】そして、この回路パターン4を転写するた
めのレチクルRは、図25(a)〜(c)に示すレチク
ルA、Bおよびレチクル(マスク)Cの三枚を使用する
構成になっている。レチクルAは、分割パターンA1、
A2を転写する際に用いられるものであって、その表面
には、表示部2a、周辺部3aからなる回路パターン
(パターン)4aと遮光帯23とがガラス基板Pとの間
の所定の投影倍率をもって形成されている。
【0097】周辺部3aは、表示部2aのX方向両端に
設けられたタブX11、X12と表示部2aの+Y方向
端部に設けられた三つのタブY21〜Y23とから構成
されている。タブX11、X12は、ガラス基板Pのタ
ブX1、X2が転写されるパターンのうち、分割ライン
H1よりも−Y方向を若干含む範囲を有している。同様
に、タブY21〜Y23は、ガラス基板PのタブY1〜
Y10に転写するパターンをそれぞれ有している。
【0098】表示部2aは、ガラス基板Pに転写される
表示部2のパターンを部分的に有するものである。表示
部2aの幅は、X方向がタブY21〜Y23の三つ分の
長さとされ、Y方向が上記タブX11、X12と同様
に、表示部2aが転写されるパターンのうち、分割ライ
ンH1よりも−Y方向を若干含む程度に相当する長さを
有している。
【0099】また、レチクルAにおいては、図25
(a)に示すように、タブY21の左端近傍を通るよう
に分割ラインV11が、また、タブY23の右端近傍を
通るように分割ラインV12がそれぞれY方向に延在す
るように仮想設定される。同様に、分割ラインH1に相
当する位置に、分割ラインH11がX方向に延在するよ
うに仮想設定される。
【0100】レチクルBは、分割パターンB1、B2を
転写する際に用いられるものであり、レチクルAと同様
の構成であるので簡単に説明すると、その表面には、表
示部2a、周辺部3aからなる回路パターン4aと遮光
帯23とがガラス基板Pとの間の所定の投影倍率をもっ
て形成されている。
【0101】周辺部3aは、表示部2aのX方向両端に
設けられたタブX11、X12と表示部2aの−Y方向
端部に設けられた三つのタブY24〜Y26とから構成
されている。タブX11、X12は、ガラス基板Pのタ
ブX1、X2が転写されるパターンのうち、分割ライン
H2よりも+Y方向を若干含む分割ラインH2よりも−
Y方向の範囲を有している。同様に、タブY24〜Y2
6は、ガラス基板PのタブY11〜Y20に転写するパ
ターンをそれぞれ有している。
【0102】表示部2aは、ガラス基板Pに転写される
表示部2のパターンを部分的に有するものである。表示
部2aの幅は、X方向がタブY24〜Y26の三つ分の
長さとされ、Y方向が上記タブX11、X12と同様
に、表示部2aが転写されるパターンのうち、分割ライ
ンH2よりも+Y方向を若干含む分割ラインH2よりも
−Y方向の長さを有している。
【0103】また、レチクルBにおいては、図25
(b)に示すように、タブY24の左端近傍を通るよう
に分割ラインV13が、また、タブY26の右端近傍を
通るように分割ラインV14がそれぞれY方向に延在す
るように仮想設定される。同様に、分割ラインH2に相
当する位置に、分割ラインH12がX方向に延在するよ
うに仮想設定される。
【0104】一方、レチクルCは、図25(c)に示す
ように、分割パターンC1〜C8を転写する際に用いら
れるものであって、その表面には、表示部2a、周辺部
3aからなる回路パターン4aと遮光帯23とがガラス
基板Pとの間の所定の投影倍率をもって形成されてい
る。
【0105】レチクルCの周辺部3aは、表示部2aの
X方向両端に設けられたタブX11、X12と表示部2
aのY方向両端に設けられたタブY31〜Y34、Y3
5〜Y38とから構成されている。タブX11、X12
は、ガラス基板PのタブX1、X2が転写されるパター
ンのうち、分割ラインH1よりも−Y方向を若干含む範
囲を有している。同様に、タブY31〜Y38は、ガラ
ス基板PのタブY1〜Y20に転写するパターンをそれ
ぞれ有している。
【0106】この内、タブY33は、レチクルAのタブ
Y23との間で重複露光が可能な長さのみを有してい
る。また、タブY34は、レチクルAのタブY21との
間でつなぎ合わせ露光が可能な長さのみを有している。
タブY37、Y38も同様である。表示部2aの幅は、
X方向がレチクルAの表示部2aと同一に、Y方向が分
割パターンC5〜C8のY方向の幅に対して重複露光が
可能な長さを付け足したものになっている。
【0107】また、レチクルCにおいては、レチクルA
のタブY23と分割ラインV12との位置関係に合致す
るように、タブY33を通る分割ラインV21がY方向
に延在するように仮想設定される。同様に、レチクルA
のタブY21と分割ラインV11との位置関係に合致す
るように、タブY34を通る分割ラインV22がY方向
に延在するように仮想設定される。また、タブY31、
Y33間を通る分割ラインV23がY方向に延在するよ
うに仮想設定される。そして、タブY32、Y34間に
は、分割ラインV24がY方向に延在するように仮想設
定される。
【0108】さらに、レチクルCでは、表示部2aの上
辺に対して−Y方向に微小寸法オフセットした位置にX
方向に延在する分割ラインH21が仮想設定される。ま
た、表示部2aの下辺に対して+Y方向に微小寸法オフ
セットした位置にX方向に延在する分割ラインH22が
仮想設定される。他の構成は、上記第1の実施の形態と
同様である。
【0109】上記のレチクルA、B、Cを用いてガラス
基板Pに回路パターン4を転写する手順について説明す
る。ここでは、図4(a)に示すブラインド板17a、
17bからなるレチクルブラインド17により照明領域
を設定するものとする。まず、レチクルAが、レチクル
ステージ10にセットされると、駆動制御装置11が露
光データ設定部21のデータを読み込み、駆動機構20
を介してレチクルブラインド17のブラインド板17
a、17bを駆動させる。これにより、レチクルAに
は、レチクルブラインド17の開口Sに対応して、図2
6(a)に示すように、分割パターンA1に対応する矩
形状の照明領域SA1が設定される。分割パターンA1
は、共通パターンKPと非共通パターンHP1とから構
成される。
【0110】ここで、図25(a)に示すレチクルAの
分割ラインV12は、図24に示すガラス基板Pにおけ
る分割ラインV1に仮想設定される。同時にレチクルA
の分割ラインH11は、ガラス基板Pにおける分割ライ
ンH1に仮想設定される。
【0111】このとき、照明領域SA1の右辺は、重複
露光される幅に対応して、仮想設定された分割ラインV
12に対して−X側にオフセットして設定される。同様
に、照明領域SA1の下辺は、仮想設定された分割ライ
ンH11に対して+Y側にオフセットして設定される。
また、照明領域SA1の左辺および上辺は、遮光帯23
が重複露光される幅以上の幅をもって露出するように設
定されている。
【0112】照明領域SA1の設定が完了する一方で、
駆動制御装置11の制御により基板ステージ9が、設定
された照明領域SA1に対応する位置に移動する。そし
て、この状態で露光処理が行われると、レチクルAの照
明領域SA1に存在するパターン、すなわち分割パター
ンA1がガラス基板P上に転写される。この露光処理の
際にも、レチクルブラインド17が+X方向側および−
Y方向側へ移動することにより、図26(b)に示すよ
うに、照明領域SA1が重複露光される幅分移動して、
この部分の露光エネルギ量を一定の比率で漸次減少させ
る。
【0113】続いて、上記と同様に、レチクルブライン
ド17を駆動させて、図27(a)に示すように、分割
パターンA2に対応する矩形状の照明領域SA2を設定
する。分割パターンA2は、共通パターンKPと非共通
パターンHP2とから構成される。ここでは、レチクル
Aの分割ラインV11は、ガラス基板Pにおける分割ラ
インV3に仮想設定される。同時にレチクルAの分割ラ
インH11は、ガラス基板Pにおける分割ラインH1に
仮想設定される。そして、基板ステージ9を移動させた
後に、レチクルブラインド17を移動させながら露光処
理を行うことにより、図27(b)に示すように、照明
領域SA2が移動し、重複露光部分を有する分割パター
ンA2がガラス基板P上に転写される。
【0114】この後、レチクル交換装置によりレチクル
AをレチクルBと交換し、レチクルAと同様の手順で、
分割パターンB1、B2を順次ガラス基板P上に転写す
る。具体的には、まず、レチクルBに、レチクルブライ
ンド17のブラインド板17a、17bの開口Sに対応
して、図28(a)に示すように、分割パターンB1に
対応する矩形状の照明領域SB1を設定する。この分割
パターンB1は、共通パターンKPと非共通パターンH
P1とから構成される。ここで、レチクルBの分割ライ
ンV14は、ガラス基板Pにおける分割ラインV1に仮
想設定される。同時に分割ラインH12は、ガラス基板
Pにおける分割ラインH2に仮想設定される。
【0115】このとき、照明領域SB1の右辺(+X側
の辺)は、つなぎ合わせ露光の際の重複させる幅に対応
して、仮想設定された分割ラインV14に対して−X側
にオフセットして設定される。同様に、照明領域SB1
の上辺(+Y側の辺)は、重複露光させる幅に対応し
て、仮想設定された分割ラインH12に対して+Y側に
オフセットして設定される。また、照明領域SB1の左
辺(−X側の辺)は、遮光帯23が重複露光させる幅以
上の幅をもって、下辺(−Y側の辺)は遮光帯23が露
出するようにそれぞれ設定される。
【0116】そして、ガラス基板Pが照明領域SB1に
対応する位置に基板ステージ9を移動させた後に、上記
と同様に露光処理が行われると照明領域SB1に存在す
るレチクルBのパターンの像は、照明領域SB1に対応
するガラス基板P上の露光領域に転写される。ここで
も、露光処理の際、駆動制御装置11の指示に基づき、
レチクルブラインド17のブラインド板17a、17b
が移動することで、図28(b)に示すように、照明領
域SB1は、右辺が+X方向側へ、且つ下辺が−Y方向
側へ(すなわち、図28中、左上から右下へ)それぞれ
所定の速度で重複露光させる幅分移動する。
【0117】この後、上記と同様の手順により、図29
(a)、(b)に示すように設定された分割パターンB
2を、分割パターンB2に対応する照明領域SB2を+
Y、−X側から−Y、+X側へ(すなわち、図29中、
左上から右下へ)移動させることで、照明領域SB2に
対応するガラス基板P上の露光領域に、隣接する分割パ
ターン間がつなぎ合わせ露光されるように順次転写す
る。レチクルBを使用した露光処理が完了すると、レチ
クルBをレチクルCに交換する。
【0118】レチクルCがセットされると、レチクルブ
ラインド17が駆動し、レチクルCには、レチクルブラ
インド17のブラインド板17a、17bの開口Sに対
応して、図30(a)に示すように、第1パターンであ
る分割パターンC1に対応する矩形状の照明領域SC1
(第1照明領域)が設定される。この分割パターンC1
は、共通パターンKPと非共通パターンHP1とから構
成される。ここで、レチクルCの分割ラインV21は、
ガラス基板Pにおける分割ラインV1に仮想設定され
る。また、レチクルCの分割ラインV24は、ガラス基
板Pにおける分割ラインV2に仮想設定される。同時
に、分割ラインH22は、ガラス基板Pにおける分割ラ
インH1に仮想設定される。
【0119】そして、基板ステージ9を移動させた後
に、レチクルブラインド17を移動させながら露光処理
を行うことにより、図30(b)に示すように、照明領
域SC1が移動し、重複露光部分を有する分割パターン
C1がガラス基板P上に転写される。これにより、上記
分割パターンA1と分割パターンC1とは、つなぎ合わ
せ露光される。
【0120】続いて、レチクルブラインド17を駆動さ
せて、図31(a)に示すように、第2パターンである
分割パターンC2に対応する矩形状の照明領域(第2照
明領域)SC2を設定する。この分割パターンC2は、
共通パターンKPと非共通パターンHP2とから構成さ
れる。ここで、レチクルCの分割ラインV22は、ガラ
ス基板Pにおける分割ラインV3に仮想設定される。ま
た、レチクルCの分割ラインV23は、ガラス基板Pに
おける分割ラインV2に仮想設定される。同時に、分割
ラインH22は、ガラス基板Pにおける分割ラインH1
に仮想設定される。
【0121】そして、基板ステージ9を移動させた後
に、レチクルブラインド17を移動させながら露光処理
を行うことにより、図31(b)に示すように、照明領
域SC2が移動し、重複露光部分を有する分割パターン
C2がガラス基板P上に転写される。これにより、上記
分割パターンC1と分割パターンC2、および上記分割
パターンA2と分割パターンC2とは、つなぎ合わせ露
光される。
【0122】以後、レチクルブラインド17を駆動させ
て、図32(a)〜図37(a)に示すように、分割パ
ターンC5〜C8、C3〜C4の分割ラインに対して、
該分割ラインよりも+Y、−X側(各図中、左上側)に
照明領域SC5〜SC8、SC3〜SC4を順次設定す
るとともに、基板ステージ9を移動させた後に、レチク
ルブラインド17を移動させて、図32(b)〜図37
(b)に示すように、照明領域SC5〜SC8、SC3
〜SC4を−Y、+X側(各図中、右下側)へ移動させ
ながら順次露光処理を行うことにより、各分割パターン
毎にレチクルCの共通パターンと非共通パターンとを用
いて、分割パターンC5〜C8、C3〜C4を順次ガラ
ス基板Pに転写させることができる。これにより、ガラ
ス基板P上に、つなぎ合わせ露光された回路パターン4
が転写される。
【0123】この露光においても、上記第1の実施の形
態と同様に、矩形配置された露光領域に対して、一辺が
重複する露光領域同士(隣接する露光領域同士)で対を
複数構成し、各対において各露光領域に対応する照明領
域をそれぞれ同一方向に沿って移動させれば、各対にお
いて交叉部は四角錐状と三角錐状の露光量分布で露光さ
れるため、二対合わせた露光量分布が二つの四角錐状と
二つの三角錐状になり、100%の露光量で露光するこ
とができる。
【0124】また、レチクルブラインド17として、図
4(b)に示すブラインド板17c、17dを用いた場
合は、図24に示すように、下辺側に重複露光領域が設
定される分割パターンA1〜A2、C1〜C2をそれぞ
れ転写する際に、開口Sの下辺にブラインド板17dの
減光部26を位置させ、且つ減光部26により形成され
る減光領域を直線L1、L2間の重複露光領域に位置さ
せて各照明領域SA1〜SA2、SC1〜SC2を設定
し、露光中に各照明領域SA1〜SA2、SC1〜SC
2を減光部26の長さ方向(X方向)に移動させる。ま
た、上辺側に重複露光領域が設定される分割パターンB
1〜B2、C3〜C4をそれぞれ転写する際に、開口S
の上辺にブラインド板17cの減光部26を位置させ、
且つ減光部26により形成される減光領域を直線L3、
L4間の重複露光領域に位置させて各照明領域SB1〜
SB2、SC3〜SC4を設定し、露光中に各照明領域
SB1〜SB2、SC3〜SC4を減光部26の長さ方
向(X方向)に移動させる。そして、上辺側、下辺側の
双方に重複露光領域が設定される分割パターンC5〜C
8をそれぞれ転写する際に、開口Sの上辺および下辺に
ブラインド板17c、17dの減光部26を位置させ、
且つ減光部26により形成される減光領域を直線L1、
L2間および直線L3、L4間の双方の重複露光領域に
位置させて各照明領域SC5〜SC8を設定し、露光中
に各照明領域SC5〜SC8を減光部26の長さ方向
(X方向)に移動させる。これにより、辺のみで重複す
る重複露光領域および矩形配列された露光領域が交叉す
る重複露光領域においても上記第1の実施の形態と同様
に、重複しない露光領域と同じ100%の露光量で露光
することができる。
【0125】なお、減光部26を有するレチクルブライ
ンド17を用いる場合、減光部26を開口Sの上辺およ
び下辺ではなく、左辺および右辺に設け、図24に示す
ガラス基板PにおいてY方向に延在する重複露光領域を
減光部26により形成される減光領域で設定し、照明領
域をY方向に移動させるようにしてもよい。
【0126】本実施の形態の露光方法および露光装置並
びにマスクでは、上記第1の実施の形態と同様の効果が
得られることに加えて、回路パターンが大きい程共通パ
ターンも多くなるので、レチクルの使用枚数減少に伴う
効果も大きくなる。すなわち、図40に示した従来の分
割パターンA〜F2、および図41に示した従来のマス
クRA〜RFの場合に比較して、本実施の形態では、分
割数が15から12へ減少して露光時間を短縮すること
ができる。また、使用するレチクルが6枚から3枚に減
少するので、レチクル交換に要する時間を短縮すること
もでき、大幅に処理時間を短縮することができてスルー
プットが向上する。
【0127】なお、上記実施の形態におけるレチクルの
枚数、ガラス基板Pの分割パターン数、大きさ等は、一
例を示したもので、これらに限定されるものではなく、
各種の枚数、大きさ等に適用することができる。
【0128】また、上記実施の形態において、レチクル
ブラインド17の構成をブラインド板17a、17bま
たはブラインド板17c、17dからなる構成とし、一
方のブラインド板の透過部25の直交する二辺と他方の
ブラインド板の透過部25の直交する二辺の組み合わせ
で開口Sを形成する構成としたが、ブラインド板を用い
ずに透過部25を構成する複数の辺を、それぞれ独立し
た辺構成体で構成し(矩形の透過部の場合、四つの辺構
成体で構成し)、各辺構成体をそれぞれ独立して移動さ
せる移動装置を設けるような構成であってもよい。
【0129】この場合、辺構成体をブラインド板17
a、17bと同様に移動させることで、ブラインド板1
7a、17bを用いた場合と同様の作用・効果を得るこ
とができる。また、辺構成体の少なくとも一つに減光部
を形成することにより、ブラインド板17c、17dを
用いた場合と同様の作用・効果を得ることができる。さ
らに、一つの辺構成体の一部に減光部を形成し、他の辺
構成体の位置に応じてこの減光部が露出、隠蔽されるよ
うにすれば、上記減光部を用いた露光処理、減光部を用
いない露光処理のいずれも適宜選択することができ、汎
用性の大きいつなぎ合わせ露光を実施することができ
る。
【0130】なお、基板としては、液晶ディスプレイデ
バイス用のガラス基板Pのみならず、半導体デバイス用
の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエ
ハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチク
ルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用され
る。
【0131】露光装置5としては、レチクルRとガラス
基板Pとを静止した状態でレチクルRのパターンを露光
し、ガラス基板Pを順次ステップ移動させるステップ・
アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパー)で
も、レチクルRと感光基板Pとを同期移動してレチクル
Rのパターンを露光するステップ・アンド・スキャン方
式の走査型投影露光装置(スキャニング・ステッパー)
にも適用することができる。
【0132】露光装置5の種類としては、上記液晶ディ
スプレイデバイス製造用のみならず、半導体製造用の露
光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるい
はレチクルRなどを製造するための露光装置などにも広
く適用できる。
【0133】また、照明光学系7の光源として、水銀ラ
ンプ6から発生する輝線(g線(436nm)、i線
(365nm))、KrFエキシマレーザ(248n
m)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レー
ザ(157nm)、X線などを用いることができる。ま
た、YAGレーザや半導体レーザ等の高周波などを用い
てもよい。
【0134】投影光学系8の倍率は、縮小系のみならず
等倍および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系
8としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場
合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材
料を用い、F2レーザを用いる場合は反射屈折系または
屈折系の光学系にする。
【0135】基板ステージ9やレチクルステージ10に
リニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いた
エア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を
用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ス
テージ9,10は、ガイドに沿って移動するタイプでも
よく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよ
い。
【0136】基板ステージ9の移動により発生する反力
は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がし
てもよい。レチクルステージ10の移動により発生する
反力は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃
がしてもよい。
【0137】複数の光学素子から構成される照明光学系
7および投影光学系8をそれぞれ露光装置本体に組み込
んでその光学調整をするとともに、多数の機械部品から
なるレチクルステージ10や基板ステージ9を露光装置
本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整
(電気調整、動作確認等)をすることにより本実施の形
態の露光装置5を製造することができる。なお、露光装
置5の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたク
リーンルームで行うことが望ましい。
【0138】液晶表示素子や半導体デバイス等のデバイ
スは、各デバイスの機能・性能設計を行うステップ、こ
の設計ステップに基づいたレチクルRを製作するステッ
プ、ガラス基板P、ウエハ等を製作するステップ、前述
した実施の形態の露光装置5によりレチクルRのパター
ンをガラス基板、ウエハに露光するステップ、各デバイ
スを組み立てるステップ、検査ステップ等を経て製造さ
れる。
【0139】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る露
光方法は、マスクが共通パターンと非共通パターンとを
有しており、この連続して形成された共通パターンと非
共通パターンの少なくとも一部とを選択して、基板に第
1パターンと第2パターンとをつなぎ合わせ露光する構
成となっている。これにより、この露光方法では、一枚
のマスクで複数の露光領域にマスクのパターンを、パタ
ーンが異なるように複数転写することができるようにな
るので、マスク交換に要する時間を短縮することができ
スループットを向上させるという効果が得られることに
加えて、高価なマスクの使用枚数を減少させることもで
きるのでコストダウンが実現するという効果も得られ
る。これは、特に、液晶表示デバイスや半導体メモリの
ように同じパターンを繰り返し転写する場合に顕著に現
れる。
【0140】請求項2に係る露光方法は、非共通パター
ンが共通パターンを挟んで形成される構成となってい
る。これにより、この露光方法では、第1、第2パター
ンを選択する際にかかる時間を短くすることができるの
で、一層のスループット向上を実現することができると
いう効果が得られる。
【0141】請求項3に係る露光方法は、非共通パター
ンの選択が第1パターンを露光するときと、第2パター
ンを露光するときとで異なる構成となっている。これに
より、この露光方法では、パターンが異なる第1、第2
パターンを一枚のマスクで転写することができるので、
マスク交換に要する時間を短縮することができスループ
ットを向上させるという効果が得られることに加えて、
高価なマスクの使用枚数を減少させることもできるので
コストダウンが実現するという効果も得られる。
【0142】請求項4に係る露光方法は、パターンの選
択をマスクの照明領域により設定し、この照明領域に対
応する基板上の露光領域を隣接する露光領域と重複させ
る構成となっている。これにより、この露光方法では、
照明領域を設定することにより、一枚マスクで複数の露
光領域に、パターンが異なるように複数転写できるとい
う効果が得られる。
【0143】請求項5に係る露光方法は、露光領域をそ
れぞれ二辺が重複するように複数矩形配列した際に、各
露光領域に対応する照明領域を減光領域が形成される一
辺に沿ってそれぞれ移動させる構成となっている。これ
により、この露光方法では、露光領域が交叉する領域に
おいてもオーバー露光されることなく、他の露光領域と
同じ露光量で露光できるという効果が得られる。また、
この場合、照明領域設定装置の移動が一方向であるの
で、照明領域設定装置を駆動させる駆動機構を簡単なも
のにできるという効果も得られる。
【0144】請求項6に係る露光方法は、露光領域をそ
れぞれ二辺が重複するように複数矩形配列した際に、辺
が重複する露光領域同士で対を複数構成し、各対におい
て露光領域に対応する照明領域を同一方向に沿ってそれ
ぞれ移動させる構成となっている。これにより、この露
光方法では、露光領域が交叉する領域においてもオーバ
ー露光されることなく、他の露光領域と同じ露光量で露
光できるという効果が得られる。
【0145】請求項7に係る露光方法は、照明領域を移
動させる同一方向を矩形配列の対角方向とする構成とな
っている。これにより、この露光方法では、直交する二
辺を隣接する露光領域と一度に重複露光する際にも、露
光領域が交叉する領域においてもオーバー露光されるこ
となく、他の露光領域と同じ露光量で露光できるという
効果が得られる。
【0146】請求項8に係るマスクは、複数のパターン
の共通パターンと、この共通パターンとは異なる非共通
パターンとが連続して形成される構成となっている。こ
れにより、このマスクでは、一枚のマスクで複数のパタ
ーンを設定することができるので、使用するマスク枚数
が減少してコストダウンが実現するという効果が得られ
る。
【0147】請求項9に係るマスクは、非共通パターン
が共通パターンを挟んで形成される構成となっている。
これにより、このマスクでは、共通パターンを含むパタ
ーンを設定する際にも、設定にかかる時間を短縮するこ
とができるという効果が得られる。
【0148】請求項10に係る露光装置は、マスクステ
ージに請求項8または請求項9記載のマスクが保持さ
れ、照明領域設定装置がマスクの照明領域を第1、第2
照明領域とに設定し、制御装置が第1、第2照明領域の
第1、第2パターンを基板につなぎ合わせる構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、照明領域設定
装置により照明領域を設定することで、一枚のマスクで
複数のパターンを設定することができるので、マスク交
換に要する時間を短縮することができスループットを向
上させるという効果が得られることに加えて、高価なマ
スクの使用枚数を減少させることもできるのでコストダ
ウンが実現するという効果も得られる。
【0149】請求項11に係る露光装置は、照明領域設
定装置がマスクの照明領域を、複数の辺で形成される透
過部の位置に応じて第1、第2照明領域とに設定し、制
御装置が第1、第2照明領域の第1、第2パターンを基
板につなぎ合わせるとともに、照明領域設定装置が複数
の辺構成体と、辺構成体をそれぞれ独立して移動させる
移動装置を備える構成となっている。これにより、この
露光装置では、状況に応じて大きさ、位置の異なる照明
領域を種々設定し、また、減光部の露出、隠蔽も容易に
行え、汎用性の大きいつなぎ合わせ露光を実施できると
いう効果が得られる。
【0150】請求項12に係る露光装置は、透過部の少
なくとも一辺に、透過率が漸次減少する減光部が設けら
れる構成となっている。これにより、この露光装置で
は、露光中に照明領域を減光部が設けられる一辺に沿っ
て移動させることで、露光領域が交叉する領域において
もオーバー露光されることなく、他の露光領域と同じ露
光量で露光できるという効果が得られる。また、この場
合、照明領域設定装置の移動が一方向であるので、照明
領域設定装置を駆動させる駆動機構を簡単なものにでき
るという効果も得られる。
【0151】請求項13に係る露光装置は、露光領域を
それぞれ二辺が重複するように複数矩形配列した際に、
辺が重複して対をなす露光領域に対応する照明領域を、
同一方向に沿ってそれぞれ移動させる移動装置が設けら
れる構成となっている。これにより、この露光装置で
は、露光領域が交叉する領域においてもオーバー露光さ
れることなく、他の露光領域と同じ露光量で露光できる
という効果が得られる。
【0152】請求項14に係る露光装置は、照明領域を
移動させる同一方向を矩形配列の対角方向とする構成と
なっている。これにより、この露光装置では、直交する
二辺を隣接する露光領域と一度に重複露光する際にも、
露光領域が交叉する領域においてもオーバー露光される
ことなく、他の露光領域と同じ露光量で露光できるとい
う効果が得られる。
【0153】請求項15に係る露光装置は、制御装置が
照明領域設定装置の設定に応じて基板ステージを駆動さ
せる構成となっている。これにより、この露光装置で
は、基板ステージが照明領域設定装置の設定に応じて駆
動することで、一枚のマスクで複数のパターンを基板に
転写することができ、マスク交換に要する時間を短縮す
ることができスループットを向上させるという効果が得
られることに加えて、高価なマスクの使用枚数を減少さ
せることもできるのでコストダウンが実現するという効
果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、共通パターンと非共通パターンとを有するレチクル
の平面図である。
【図2】 同レチクルによって転写される回路パターン
が複数に分割されたガラス基板のパターン図である。
【図3】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、レチクルブラインド、基板ステージに駆動制御装置
が接続された露光装置の概略構成図である。
【図4】 本発明の露光装置を構成するレチクルブライ
ンドの、(a)は遮光部、透過部から構成されるブライ
ンド板の平面図、(b)は遮光部、透過部および減光部
から構成されるブラインド板の平面図である。
【図5】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、第1照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面
図である。
【図6】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、第2照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面
図である。
【図7】 同他の照明領域にあるレチクルのパターンを
示す平面図である。
【図8】 同他の照明領域にあるレチクルのパターンを
示す平面図である。
【図9】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、別のレチクルの照明領域にあるパターンを示す平面
図である。
【図10】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図11】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図12】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図13】 露光領域が交叉する交叉部を説明するため
の図である。
【図14】 同交叉部における露光量の分布を示す露光
量分布図である。
【図15】 同交叉部における露光量の分布を示す露光
量分布図である。
【図16】 同交叉部における露光量の分布を示す露光
量分布図である。
【図17】 同交叉部における露光量の分布を示す露光
量分布図である。
【図18】 同交叉部における露光量の分布を示す露光
量分布図である。
【図19】 露光領域が交叉する交叉部を説明するため
の図である。
【図20】 減光部を有するブラインド板により設定さ
れた照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面図で
ある。
【図21】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図22】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図23】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図24】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、21インチの液晶ディスプレイデバイス用ガラス基
板のパターン図である。
【図25】 同ガラス基板を露光する際に用いられる三
枚のレチクルの平面図である。
【図26】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、第1照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面
図である。
【図27】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、他の照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面
図である。
【図28】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、別のレチクルの照明領域にあるパターンを示す平面
図である。
【図29】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図30】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、第2照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面
図である。
【図31】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、他の照明領域にあるレチクルのパターンを示す平面
図である。
【図32】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図33】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図34】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図35】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図36】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図37】 同他の照明領域にあるレチクルのパターン
を示す平面図である。
【図38】 分割された回路パターンを有するガラス基
板のパターン図である。
【図39】 従来技術によるマスクの一例を示す平面図
である。
【図40】 分割された回路パターンを有するガラス基
板のパターン図である。
【図41】 従来技術によるマスクの一例を示す平面図
である。
【符号の説明】
KP 共通パターン K1 交叉部 HP1,HP2 非共通パターン P ガラス基板(基板) R、A、B、C レチクル(マスク) A1、C1 第1パターン A2、C2 第2パターン SA1、SC1 照明領域(第1照明領域) SA2、SC2 照明領域(第2照明領域) 1a、4a 回路パターン(パターン) 5 露光装置 7 照明光学系 9 基板ステージ 10 レチクルステージ(マスクステージ) 11 駆動制御装置(制御装置) 17 レチクルブラインド(照明領域設定装置) 20 駆動機構(移動装置) 25 透過部 26 減光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 和彦 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 (72)発明者 戸口 学 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 Fターム(参考) 2H095 BA01 BB36 2H097 AA05 BB01 BB10 CA12 CA13 GB01 LA12 5F046 BA04 BA05 CA02 CB05 CB08 CB13 CB17 CB23 CC01 CC16 CC17 DA02 DA11

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターンを有したマスクを用いて基板に
    第1パターンと第2パターンとをつなぎ合わせ露光する
    露光方法において、 前記マスクのパターンは、前記第1パターンと第2パタ
    ーンとの共通パターンと、該共通パターンと連続して形
    成され該共通パターンとは異なる非共通パターンとを有
    しており、 前記共通パターンと、前記非共通パターンの少なくとも
    一部とを選択して前記つなぎ合わせ露光することを特徴
    とする露光方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の露光方法において、 前記非共通パターンは、前記共通パターンを挟んで形成
    されていることを特徴とする露光方法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の露光方法におい
    て、 前記非共通パターンの前記選択は、前記第1パターンを
    露光するときと前記第2パターンを露光するときとで異
    なっていることを特徴とする露光方法。
  4. 【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載の露光
    方法において、 前記パターンの選択を前記マスクの照明領域により設定
    し、 該照明領域に対応する前記基板上の露光領域を、隣接す
    る露光領域と重複させて前記つなぎ合わせを行うことを
    特徴とする露光方法。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の露光方法において、 前記照明領域の一辺に透過率が漸次変化する減光領域を
    形成し、 前記露光領域をそれぞれ二辺が重複するように複数矩形
    配列した際に、各露光領域に対応する前記照明領域を前
    記露光中に前記一辺に沿ってそれぞれ移動させることを
    特徴とする露光方法。
  6. 【請求項6】 請求項4記載の露光方法において、 前記露光領域をそれぞれ二辺が重複するように複数矩形
    配列した際に、該複数の露光領域のうち、前記辺が重複
    する露光領域同士で対を複数構成し、 各対において前記露光領域に対応する前記照明領域を前
    記露光中に同一方向に沿ってそれぞれ移動させることを
    特徴とする露光方法。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の露光方法において、 前記同一方向は、前記矩形配列の対角方向であることを
    特徴とする露光方法。
  8. 【請求項8】 パターンを有したマスクにおいて、 前記マスクには、複数のパターンに応じて該複数のパタ
    ーンの共通パターンと、 該共通パターンとは異なる非共通パターンとが連続して
    形成されていることを特徴とするマスク。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のマスクにおいて、 前記非共通パターンは、前記共通パターンを挟んで形成
    されていることを特徴とするマスク。
  10. 【請求項10】 パターンを有したマスクを保持するマ
    スクステージと、前記マスクを照明する照明光学系とを
    備え、前記マスクのパターンを基板に露光する露光装置
    において、 前記マスクステージには、請求項8または請求項9記載
    のマスクが保持されており、 前記マスクの照明領域を少なくとも第1照明領域と第2
    照明領域とに設定する照明領域設定装置と、 前記第1照明領域により前記基板に露光される第1パタ
    ーンと、前記第2照明領域により前記基板に露光される
    第2パターンとをつなぎ合わせる制御装置とを備えたこ
    とを特徴とする露光装置。
  11. 【請求項11】 パターンを有したマスクを保持するマ
    スクステージと、前記マスクを照明する照明光学系とを
    備え、前記マスクのパターンを基板に露光する露光装置
    において、 複数の辺で形成される透過部の位置に応じて前記マスク
    の照明領域を少なくとも第1照明領域と第2照明領域と
    に設定する照明領域設定装置と、 前記第1照明領域により前記基板に露光される第1パタ
    ーンと、前記第2照明領域により前記基板に露光される
    第2パターンとをつなぎ合わせる制御装置とを備え、 前記照明領域設定装置は、前記複数の辺をそれぞれ構成
    する複数の辺構成体と、該辺構成体をそれぞれ独立して
    移動させる移動装置とを有することを特徴とする露光装
    置。
  12. 【請求項12】 請求項10または11記載の露光装置
    において、 前記照明領域設定装置は、前記照明領域を設定する透過
    部を有し、該透過部の少なくとも一辺には、透過率が漸
    次変化する減光部が設けられていることを特徴とする露
    光装置。
  13. 【請求項13】 請求項10から12のいずれかに記載
    の露光装置において、 前記照明領域設定装置には、前記照明領域に対応する前
    記基板上の露光領域をそれぞれ二辺が重複するように複
    数矩形配列した際に、前記辺が重複して対をなす前記露
    光領域に対応する前記照明領域を、前記露光中に同一方
    向に沿ってそれぞれ移動させる移動装置が設けられてい
    ることを特徴とする露光装置。
  14. 【請求項14】 請求項13記載の露光装置において、 前記同一方向は、前記矩形配列の対角方向であることを
    特徴とする露光装置。
  15. 【請求項15】 請求項10から14のいずれかに記載
    の露光装置において、 前記基板を保持して移動する基板ステージを有し、 前記制御装置は、前記照明領域設定装置の設定に応じて
    前記基板ステージを駆動させることを特徴とする露光装
    置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319530A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置、及び露光方法
JP2007265853A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toray Ind Inc ディスプレイパネル用部材の製造方法
JP2008042194A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ方法およびパターニングデバイス
JP2010519595A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ステッチされるicチップ・レイアウトの方法、システム、およびプログラム製品
US7749691B2 (en) 2004-08-31 2010-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photoelectric conversion device using a plurality of reticles
WO2017199728A1 (ja) * 2016-05-18 2017-11-23 パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030087205A1 (en) * 2001-11-06 2003-05-08 Dennis Warner System and method for forming features on a semiconductor substrate
US6982135B2 (en) * 2003-03-28 2006-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pattern compensation for stitching
TWI266152B (en) * 2003-12-30 2006-11-11 Mosel Vitelic Inc Mask and method of using the same
JP2006072100A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Adtec Engineeng Co Ltd 投影露光装置
CN116841135B (zh) * 2023-08-31 2023-10-31 光科芯图(北京)科技有限公司 掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4878086A (en) 1985-04-01 1989-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display device and manufacturing of the same
JP2593440B2 (ja) 1985-12-19 1997-03-26 株式会社ニコン 投影型露光装置
US5486896A (en) * 1993-02-19 1996-01-23 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3284645B2 (ja) 1993-02-19 2002-05-20 株式会社ニコン 露光装置および露光方法
US6213607B1 (en) * 1994-02-14 2001-04-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and field stop thereof
JP3427132B2 (ja) 1994-02-22 2003-07-14 株式会社ニコン 露光装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319530A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置、及び露光方法
JP4548969B2 (ja) * 2001-04-20 2010-09-22 パナソニック株式会社 露光装置、及び露光方法
US7749691B2 (en) 2004-08-31 2010-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photoelectric conversion device using a plurality of reticles
US8105765B2 (en) 2004-08-31 2012-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device
JP2007265853A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toray Ind Inc ディスプレイパネル用部材の製造方法
JP2008042194A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ方法およびパターニングデバイス
US7879514B2 (en) 2006-08-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and patterning device
JP2010519595A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ステッチされるicチップ・レイアウトの方法、システム、およびプログラム製品
WO2017199728A1 (ja) * 2016-05-18 2017-11-23 パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPWO2017199728A1 (ja) * 2016-05-18 2019-03-14 パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10679948B2 (en) 2016-05-18 2020-06-09 Towerjazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2021064001A (ja) * 2016-05-18 2021-04-22 タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 半導体装置

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US6506544B1 (en) 2003-01-14

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