JP2001160580A

JP2001160580A - 処理装置

Info

Publication number: JP2001160580A
Application number: JP2000309328A
Authority: JP
Inventors: Masami Akumoto; 正巳飽本
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-10-10
Filing date: 2000-10-10
Publication date: 2001-06-12
Anticipated expiration: 2019-01-06
Also published as: JP3484658B2

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理体を除電しつつ、レジスト塗布現像装
置と露光装置との間で相互に被処理体を搬送することが
できる処理装置を提供すること。【解決手段】レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露光装
置６２との間で被処理体であるウエハＷを搬送する過程
でウエハＷと接触することになる受渡用搬送アーム４，
ウエハ受渡しステージ２のウエハ支持ピン８及びバッフ
ァ用ウエハカセット６の取出用ピン１７を接地導線１６
によって接地しておくことで、ウエハＷに蓄積された電
荷を導出させる。ウエハ支持ピン８及びピン１７の接地
導線１６の途中に、１０ＭΩ程度の抵抗値を有する抵抗
器７を設けることで、ウエハＷとウエハ支持ピン８、バ
ッファ用ウエハカセット６とカセット取出用ピン１７が
それぞれ接触した際に過大な電流が流れるのを防止し、
スパークの発生を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト塗布現
像装置と露光装置との間で相互に半導体ウエハ等の被処
理体を搬送する処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハにレジスト液を塗布し、例えば電
子ビーム露光によりレジストに回路パターン等を転写
し、これを現像処理する一連の処理が施される。

【０００３】このような処理を行う場合、例えば図１２
に示す処理システム６０が使用されている。この処理シ
ステム６０は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、
単にウエハという）Ｗに電子線感応レジスト液を塗布
し、露光処理後のウエハＷを現像処理するレジスト塗布
現像装置６１と、このレジスト塗布現像装置６１によっ
てレジスト膜が形成されたウエハＷに電子ビームを照射
して露光処理する電子ビーム露光装置（以下、ＥＢ露光
装置という）６２と、これらレジスト塗布現像装置６１
とＥＢ露光装置６２との間でウエハＷの受け渡しを行う
搬送装置６３とからなる。

【０００４】レジスト塗布現像装置６１は、ウエハＷを
搬入・搬出するローダ部６４、ウエハＷをブラシ洗浄す
るブラシ洗浄部６５、ウエハＷを高圧ジェット水で洗浄
するジェット水洗浄部６６、ウエハＷの表面を疎水化処
理するアドヒージョン部６７、ウエハＷの表面にレジス
ト液を塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部
の余分なレジストを除去する機能を備えたレジスト塗布
部６８、レジスト塗布の前後でウエハＷを加熱してプリ
ベーク並びにポストベークを行うベーク部６９、上記ア
ドヒージョン部６７の下段に配置されウエハＷを所定温
度に冷却する冷却部７０、ＥＢ露光装置６２で露光処理
されたウエハＷを現像処理しかつ現像後のレジストパタ
ーンをリンス処理する機能を備えた現像部７１などを集
合化して構成されている。

【０００５】このレジスト塗布現像装置６１の中央部に
は、２つに分割されたメイン搬送路７２，７３が配置さ
れると共に、それぞれにメイン搬送アーム７４，７５が
移動自在に設けられている。上記各処理部６５〜７１
は、メイン搬送路７２，７３の両側に配置されており、
メイン搬送路７２，７３間には、メイン搬送アーム７
４，７５間でウエハＷの受け渡しを行うための待機台７
６が設けられている。

【０００６】そして、レジスト塗布現像装置６１に隣接
し、ＥＢ露光装置６２との間でウエハＷの搬出搬入を行
うための搬送装置６３には、例えば、メイン搬送路７５
の端部に面して中間受け渡し台７７が昇降可能に設けら
れると共に、この中間受け渡し台７７の両側にバッファ
用キャリアカセット７８が設けられ、更に中間受け渡し
台７７の前に、図１３中、Ｘ，Ｙ（水平）、Ｚ（上下）
及びθ（回転）方向に移動可能なウエハ受渡用搬送機構
７９が設けられ、この搬送機構７９のＥＢ露光装置６２
側にウエハ受渡用載置台８０が配置されている。

【０００７】上述の処理システムでは、レジスト塗布現
像装置６１の未処理のウエハＷの入ったウエハカセット
８１から一方のメイン搬送アーム７４によってウエハＷ
が取り出され、一方のメイン搬送路７２の両側に設けら
れた各処理部６５〜７０へ順次搬送されてレジスト塗布
処理が施された後、待機台７６を介して他方のメイン搬
送アーム７５に受け渡されて搬送装置６３へ搬送され、
中間受け渡し台７７で必要に応じて冷却された後、ウエ
ハ受渡用搬送機構７９により搬送されてウエハ受渡用載
置台８０上に載置される。

【０００８】その後、ウエハＷはＥＢ露光装置６２内に
設けられた図示省略の搬送機構によってＥＢ露光装置６
２内へ搬入されて露光処理される。また、ＥＢ露光装置
６２からレジスト塗布現像装置６１内にウエハＷを搬入
するときは、ＥＢ露光装置６２の搬送機構によって露光
処理後のウエハＷがウエハ受渡用載置台８０上に載置さ
れ、そのウエハＷをウエハ受渡用搬送機構７９が受取
り、中間受け渡し台７７を介して上記他方のメイン搬送
アーム７５へ受け渡される。

【０００９】そして、ウエハＷは上記他方のメイン搬送
アーム７５によって現像処理部７１へ搬送されて現像処
理された後、待機台７６を介して上記一方のメイン搬送
アーム７２に受け渡され、ローダ部６４へ搬送されて処
理済ウエハ用のウエハカセット８２内に収納される。な
お、レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露光装置６２の双
方のウエハＷの搬入、搬出のタイミングが大きくずれる
場合などには、ウエハＷはバッファ用キャリアカセット
７８内に一時収容される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にＥＢ露光装置６２を含む処理システムでは、レジスト
を塗布したウエハＷに電子ビームを照射して露光処理が
なされるため、ウエハＷが帯電しやすい。ウエハＷが帯
電していると、上述した一連の処理及び搬送の過程にお
いて静電気の影響でウエハ表面にパーティクルが付着し
やすくなり、歩留まり低下の原因になる。また、上述し
た一連の処理を繰り返し行う場合などにおいては、帯電
したウエハＷがＥＢ露光処理に供されることになり、ウ
エハＷの周囲に形成される電場の影響で電子ビームが曲
げられてしまい、正確なパターン形状が得られなくな
る。また、ＥＢ露光装置以外の露光装置とレジスト塗布
現像装置とを有する処理システムにおいても、ウエハが
帯電し、上述と同様にウエハがダメージを受ける虞れが
ある。

【００１１】この発明はかかる事情の下に創案されたも
のであり、その目的は、被処理体を除電しつつ、レジス
ト塗布現像装置と露光装置との間で相互に被処理体を搬
送することができる処理装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体にレジストを塗布
しかつ露光処理された被処理体を現像処理するレジスト
塗布現像装置と、レジストが塗布された被処理体を露光
処理する露光装置との間で被処理体を相互に搬送するた
めの処理装置を前提とし、上記露光装置の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第１の受渡用載置部と、上記レジ
スト塗布現像装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた
第２の受渡用載置部と、第１の受渡用載置部を介して上
記露光装置内の被処理体搬送機構と相互に被処理体の受
け渡しを行うと共に第２の受渡用載置部を介して上記レ
ジスト塗布現像装置内の被処理体搬送機構と相互に被処
理体の受け渡しを行う受渡用搬送アームとを具備し、上
記第１の受渡用載置部及び上記受渡用搬送アームに、被
処理体に蓄積した電荷を除去するための除電手段が設け
られていることを特徴とする。

【００１３】この処理装置において、上記第１の受渡用
載置部と上記受渡用搬送アームとの間の被処理体の受け
渡しの際に一時被処理体を収容するためのバッファ用カ
セットを装備し、このバッファ用カセットにも被処理体
に蓄積した電荷を除去するための除電手段を設けておく
ことが望ましい。

【００１４】また、上記除電手段は、例えばバッファ用
カセット等を導電性材料で形成すると共にこれと接触す
る導電性の部材を接地しておくことで実現される。その
場合、接地される導電性の部材には１０ＭΩ程度の抵抗
を接続しておくことが望ましい。また、除電手段を、被
処理体の表面に蓄積した電荷と異なる極性のイオン化し
た気体を吹き付け、或いは紫外線を照射するものにて形
成することも可能である。

【００１５】また、この処理装置において、受渡用搬送
アームを２機装備し、例えば一方のアームで第１の受渡
用載置部から露光後の被処理体を受け取る動作と、他方
のアームで露光前の被処理体を搬送して第１の受渡用載
置部に載置する動作を並行して行うようにしてもよい。
その場合、両方のアームを例えば接地等により除電して
おくことが望ましい。また、被処理体を一時待機させる
ための一時載置部を第１の受渡用載置部の近傍２箇所に
設け、例えば露光装置より搬出され第１の受渡用載置部
に載置された露光後の被処理体を一方の一時載置部上に
一旦載置し、他方の一時載置部に待機させた露光前の被
処理体を第１の受渡用載置部に載置した後、上記一方の
一時載置部に待機させた露光後の被処理体をレジスト塗
布現像装置へ搬送するようにしてもよい。

【００１６】上記のように構成されるこの発明の処理装
置によれば、レジスト塗布現像装置によってレジストが
塗布された被処理体は、レジスト塗布現像装置内の被処
理体搬送機構によって第２の受渡用載置部に載置された
後、受渡用搬送アームによって搬送されて第１の受渡用
載置部に載置される。この受渡用搬送アームによる第２
の受渡用載置部から第１の受渡用載置部への搬送の過程
で、受渡用搬送アームに設けられた除電手段によって被
処理体は除電され、続いて、第１の受渡用載置部に設け
られた除電手段によって除電される。その後露光装置内
の被処理体搬送機構によって露光処理部に搬送されて露
光処理が施される。また、露光装置で露光処理された被
処理体は、露光装置内の被処理体搬送機構によって第１
の受渡用載置部に載置された後、受渡用搬送アームによ
って搬送されて第２の受渡用載置部に載置される。被処
理体は、この第１の受渡用載置部に設けられた除電手段
によって除電され、続いて、受渡用搬送アームによる第
１の受渡用載置部から第２の受渡用載置部への搬送の過
程で、受渡用搬送アームに設けられた除電手段によって
除電される。その後レジスト塗布現像装置内の被処理体
搬送機構によって現像処理部に搬送されて現像処理が施
される。

【００１７】このように、レジスト塗布現像装置から露
光装置へ被処理体を搬送する場合及び露光装置からレジ
スト塗布現像装置へ被処理体を搬送する場合のいずれの
場合にも被処理体が載置される第１の受渡用載置部及び
被処理体が載置ないし保持される受渡用搬送アームに除
電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレジス
ト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然に防
止できる。

【００１８】したがって、この発明の処理装置によれ
ば、レジスト塗布現像装置内での一連の処理及び搬送の
過程における静電気による被処理体へのパーティクルの
付着を防止でき、かつ例えばＥＢ露光装置によって被処
理体に電子ビームを照射する際における被処理体周囲の
電場の影響による電子ビームの曲り等の弊害を防止で
き、正確なパターン形状が得られると共に歩留まりが向
上する。

【００１９】また、この発明の処理装置において、第１
の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被処理体の
受け渡しの際に被処理体を一時収容するためのバッファ
用カセットを装備することで、レジスト塗布現像装置及
び露光装置の双方の搬入、搬出のタイミングが大きくず
れる場合などに被処理体を一時収容して搬送効率を向上
できる。そして、このバッファ用カセットに除電手段を
設けておくことで、被処理体を一時収容している間にも
除電が行われ、被処理体に蓄積された電荷をより確実に
除去できる。

【００２０】また、この発明の処理装置において、除電
手段を接地導線とする場合には、接地導線の途中に抵抗
器を設けるので、被処理体に蓄積されていた電荷が急激
に放電して過大な電流が流れるのを防止し、スパークの
発生による被処理体の破損を防ぐことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の処理装置の実施
形態を図面に基いて詳細に説明する。図１は、この発明
の処理装置の一実施形態を示す部分破断斜視図、図２
は、図１の平面図が示されている。なお、レジスト塗布
現像装置６１並びにＥＢ露光装置６２は図１３と同様の
ものとする。

【００２２】図１及び図２に示すように、この発明の処
理装置１は、ＥＢ露光装置６２の被処理体搬出入部近傍
に設けられた第１の受渡用載置部であるウエハ受渡しス
テージ２と、レジスト塗布現像装置６１の被処理体搬出
入部近傍に設けられた第２の受渡用載置部であるウエハ
受渡し台３と、ウエハ受渡しステージ２を介してＥＢ露
光装置６２内の図示省略の被処理体搬送機構と相互にウ
エハＷの受け渡しを行うと共にウエハ受渡し台３を介し
てレジスト塗布現像装置６１内の被処理体搬送機構のメ
イン搬送アーム７５と相互にウエハＷの受け渡しを行う
受渡用搬送アーム４を備えた受渡用搬送機構５と、ウエ
ハ受渡し台３と受渡用搬送アーム４との間のウエハＷの
受け渡しの際にウエハＷを一時収容するための複数のバ
ッファ用カセット（以下にバッファ用ウエハカセットと
いう）６とで概略構成されている。

【００２３】上記ウエハ受渡しステージ２には、そのウ
エハ載置面から突出させて３本のウエハ支持ピン８が設
けられている。これらウエハ支持ピン８は、図３に示す
ようにウエハＷの下面に接触してこれを３点支持するよ
うになっている。また、図８に示すように、ウエハ受渡
しステージ２の上方に除電手段であるイオナイザー２３
が設けられており、ウエハ受渡しステージ２上の帯電し
たウエハＷの表面に、イオナイザー２３で生成した異な
る極性のイオン化した気体を吹き付けることによりウエ
ハＷに帯電した電荷を打ち消すことができる。

【００２４】図８に示すイオン化した気体を吹き付けて
除電する方式を採用する場合、処理装置１のウエハ搬送
経路にバーコード等の記号を読み取る機構を設け、例え
ば図１０に示すようにバーコード１１等の識別記号を付
したウエハＷを処理に供することで、バーコード１１か
ら読み取ったそのウエハＷの予想帯電量と実測した帯電
量とを比較し、その結果に基づいてイオナイザー２３が
自動制御されるシステム構成を採用することにより、個
々のウエハＷの帯電量に応じた除電処理を行うことがで
きる。また、このようなシステム構成によれば、ウエハ
の異常帯電を判定・表示したり、異常帯電したウエハや
パイロット用ウエハ等を別途定められた場所例えばバッ
ファ用カセット６に搬送し収納することも可能になる。
したがって、異常帯電により破壊されたウエハＷの露光
処理を防止すると共に、正常なウエハＷのスループット
の低下を防止することができる。

【００２５】上記ウエハ受渡し台３は、昇降装置１９に
よって上下に移動できるようになっており、これを上昇
させた状態でメイン搬送アーム７５との間でウエハＷの
受け渡しができ、下降させた状態で受渡用搬送アーム４
との間でウエハＷの受け渡しができるようになってい
る。このウエハ受渡し台３のウエハ載置面には、メイン
搬送アーム７５及び受渡用搬送アーム４からウエハＷを
受け取る際にウエハＷを正確に位置決めするための３つ
の爪９が設けられている。

【００２６】上記受渡用搬送機構５は、Ｙ方向すなわち
前記メイン搬送路７３と直交する方向に延びる搬送路１
０に沿って移動自在に設けられており、昇降自在かつ回
転自在な搬送基台１３と、この搬送基台１３上に進退自
在に設けられたピンセット式の受渡用搬送アーム４とを
備えている。更に詳細には、Ｙ方向に移動する移動体１
１と、移動体１１に組み込まれた昇降機構によりＺ方向
（上下方向）に昇降される昇降台１２と、昇降台１２上
に上記搬送基台１３を支持してこれを回転させる（θ方
向に駆動する）ための回転軸１４とを具備しており、こ
れらによって受渡用搬送機構５が構成されている。そし
て、この受渡用搬送機構５は、上記ウエハ受渡し台３が
下降位置にあるときに昇降台１２を上昇位置に置いてウ
エハ受渡し台３との間でウエハＷの受け渡しを行い、ま
た、昇降台１２を下降位置に置いて上記ウエハ受渡しス
テージ２との間でウエハＷの受け渡しを行う。

【００２７】搬送基台１３には受渡用搬送アーム４が後
端位置まで後退したときに受渡用搬送アーム４に保持さ
れているウエハＷの後方側の周縁部に当接する当接片１
５が受渡用搬送アーム４を挟んで両側に固定して設けら
れており、これら２つの当接片１５と受渡用搬送アーム
４の先端に形成された段部４ａとにより、ウエハＷが受
渡用搬送アーム４上の適切な保持位置に位置決め（セン
タリング）されるようになっている。受渡用搬送アーム
４は導電性材料例えばステンレススチールで形成されて
おり、除電手段である接地導線１６により処理装置１の
本体フレーム等に電気的に接続されている。なお、受渡
用搬送アーム４が受渡用搬送機構５を介して本体フレー
ムに導通状態であれば、上記接地導線１６を省略しても
よい。

【００２８】上記バッファ用ウエハカセット６は、上記
ウエハ受渡し台３の両側に設けられたガイドフレーム１
８（図４参照）内に、単独に或いは数段に積み重ねて上
下に移動可能に収納されており、バッファ用ウエハカセ
ット６の下方には、カセット取出用ピン１７が設けられ
ている。このカセット取出用ピン１７は、図４に示すよ
うに、ガイドフレーム１８内のバッファ用ウエハカセッ
ト６を上方に押し上げるためのもので、処理装置１本体
の上板１ａを貫通して図示省略の昇降機構により昇降自
在に設けられている。この場合、バッファ用ウエハカセ
ット６とカセット取出用ピン１７は共に導電性材料例え
ばステンレススチールで形成されており、カセット取出
用ピン１７は、除電手段である接地導線１６によって処
理装置１の本体フレーム等に電気的に接続されている。
したがって、バッファ用ウエハカセット６は、カセット
取出用ピン１７との接触により接地される。この場合、
接地導線１６の途中には、１０ＭΩ程度の抵抗を有する
抵抗器７が設けられている。このように設置導線１６の
途中に抵抗器７を設けることにより、カセット取出用ピ
ン１７とウエハＷとが接触した際に急激に放電し過大な
電流が流れるのを防止し、スパークの発生によるウエハ
Ｗの破損を防ぐことができる。

【００２９】次に、上記のように構成されたこの実施形
態の処理装置１によるレジスト塗布現像装置６１とＥＢ
露光装置６２間におけるウエハＷの搬送動作について説
明する。

【００３０】レジスト塗布現像装置６１によってレジス
ト液例えば電子ビームに感応する電子線感応レジスト液
が塗布されたウエハＷは、メイン搬送アーム７５によっ
てウエハ受渡し台３に載置される。その後、ウエハ受渡
し台３が下降すると共に、受渡用搬送機構５が駆動して
受渡用搬送アーム４でウエハＷを受け取る。受渡用搬送
アーム４がウエハＷに接触した瞬間に、蓄積されていた
電荷が受渡用搬送アーム４に接続された接地導線１６を
通って導出され、ウエハＷの除電がなされる。その後、
受渡用搬送機構５は、昇降台１２を下降させた後、ウエ
ハ受渡しステージ２との受渡し位置に移動し、受渡用搬
送アーム４を駆動してウエハＷをウエハ受渡しステージ
２のウエハ支持ピン８上に載置する。受渡用搬送アーム
４との接触によるウエハＷの除電が十分でなかった場
合、このウエハ受渡しステージ２の上方に配設されたイ
オナイザー２３からウエハＷに向かってウエハＷに蓄積
された電荷と異なる極性のイオン化した気体が吹き付け
られることにより、再びウエハＷの除電がなされる。こ
の際、上述したように、処理装置１のウエハ搬送経路に
バーコード等の記号を読み取る機構を設け、図１０に示
すようにバーコード１１等の識別記号を付したウエハＷ
を処理に供することで、バーコード１１から読み取った
そのウエハＷの予想帯電量と実測した帯電量とを比較
し、その結果に基づいてイオナイザー２３が自動制御さ
れるシステム構成を採用することにより、個々のウエハ
Ｗの帯電量に応じた除電処理を行うことができる。ま
た、このようなシステム構成によれば、ウエハの異常帯
電を判定・表示したり、異常帯電したウエハやパイロッ
ト用ウエハ等を別途定められた場所例えばバッファ用カ
セット６に搬送し収納することも可能になる。したがっ
て、異常帯電により破壊されたウエハＷの露光処理を防
止すると共に、正常なウエハＷのスループットの低下を
防止することができる。このようにしてウエハＷの除電
を行なった後、ウエハ支持ピン８上のウエハＷがＥＢ露
光装置６２内の図示しないウエハ搬送機構によって露光
処理部に搬送されて露光処理が施される。

【００３１】また、ＥＢ露光装置６２で露光処理された
ウエハＷは、ＥＢ露光装置６２内のウエハ搬送機構によ
ってウエハ受渡しステージ２のウエハ支持ピン８上に載
置され、イオナイザー２３からのイオン化した気体が吹
き付けられることにより、電子ビーム照射によってウエ
ハＷに蓄積されていた電荷が打ち消され、ウエハＷの除
電がなされる。その後、受渡用搬送機構５はウエハ支持
ピン８上のウエハＷを受渡用搬送アーム４で把持して搬
送し、ウエハ受渡し台３に載置する。したがって、ウエ
ハ受渡しステージ２上でのウエハＷの除電が十分でなか
った場合、この受渡用搬送アーム４との接触により、再
びウエハＷの除電がなされる。その後、ウエハ受渡し台
３上のウエハＷがメイン搬送アーム７５によって現像処
理部７１に搬送されて現像処理が施される。

【００３２】また、レジスト塗布現像装置６１とＥＢ露
光装置６２との間でのウエハＷの搬入、搬出のタイミン
グが大きくずれる場合などには、ウエハＷは受渡用搬送
機構５によりバッファ用ウエハカセット６内に搬送され
て一時収容される。そして、カセット取出用ピン１７を
バッファ用ウエハカセット６に接触させることにより、
バッファ用ウエハカセット６内にウエハＷに帯電してい
た電荷がカセット取出用ピン１７に接続された接地導線
１６を通して導出され、ここでもウエハＷの除電がなさ
れる。この場合も接地導線１６の途中に１０ＭΩ程度の
抵抗器７が設けられているので、バッファ用ウエハカセ
ット６とカセット取出用ピン１７とが接触した際に過大
な電流が流れるのを防止し、スパークの発生を防ぐこと
ができる。なお、抵抗器７の抵抗値が１０ＭΩよりも小
さすぎるとスパークが発生し、大きすぎると放電時間を
多大に要することになる。

【００３３】この実施形態のように、ウエハ受渡しステ
ージ２、受渡用搬送アーム４及びバッファ用ウエハカセ
ット６の各々にウエハＷの除電手段を設けたことによ
り、帯電したウエハＷがレジスト塗布現像装置６１及び
ＥＢ露光装置６２へ搬入されるのを確実に防止できる。

【００３４】したがって、レジスト塗布現像装置６２内
での一連の処理及び搬送の過程における静電気によるウ
エハＷへのパーティクルの付着を防止し、かつＥＢ露光
装置６２によってウエハＷに電子ビームを照射する際に
おけるウエハＷの周囲の電場の影響による電子ビームの
曲りを防止し、正確なパターン形状が得られると共に歩
留まりを著しく向上できる。ただし、この実施形態のよ
うにウエハ受渡しステージ２、受渡用搬送アーム４及び
バッファ用ウエハカセット６の全てに除電手段を設ける
ことができない場合、少なくともウエハ受渡しステージ
２に除電手段を設けることで十分対応できる。

【００３５】上記実施形態におけるウエハ受渡しステー
ジ２と受渡用搬送アーム４との間でのウエハＷの搬送形
態はほんの一例であり、これ以外にも搬送効率の良い種
々の搬送形態が適用できる。

【００３６】例えば、図５に示すように、ウエハ受渡し
ステージ２の両隣に、ウエハＷを一時待機させるための
載置台２０、２１を設け、例えば、ウエハ受渡しステ
ージ２に載置された露光後のウエハＷ１を一方の載置台
２０上に一旦載置し、他方の載置台２１に待機させた
露光前のウエハＷ２をウエハ受渡しステージ２に載置し
た後、上記一方の載置台２０に待機させた露光後のウ
エハＷ１をレジスト塗布現像装置６１へ搬送するように
受渡用搬送アーム４を動作させることで搬送効率を向上
できる。

【００３７】また、図６に示すように、受渡用搬送アー
ム４を例えば上下に２機装備し、ウエハ受渡しステー
ジ２に載置された露光後のウエハＷ１を一方のアーム４
Ａで受け取る動作と、他方のアーム４Ｂで露光前のウ
エハＷ２をウエハ受渡しステージ２に載置する動作を並
行して行うようにしてもよい。この場合、両方のアーム
４Ａ，４Ｂを接地等して除電可能にしておくことが望ま
しい。

【００３８】なお、図７に示すように、処理装置１内の
ウエハＷを手動にて取り出すための可搬式ピンセット３
２に接地導線１６によって処理装置１の本体等に接地し
ておくことで、人体３３の帯電荷によりウエハＷが帯電
するのを防止できる。

【００３９】上記実施形態では、上記受渡し用搬送アー
ム４及びバッファ用ウエハカセット６は、ウエハＷと接
触する部材を導電性部材で形成しこれを接地することに
よってウエハＷの除電を行う方式の除電手段を具備する
場合について説明したが、この発明の処理装置にはその
他種々の方式による除電手段が適用できる。

【００４０】例えば、ウエハ受渡しステージ２の除電手
段と同様に、受渡し用搬送アーム４の移動領域の上方或
いはバッファ用ウエハカセット６の上方にイオナイザー
２３を設け、受渡し用搬送アーム４或いはバッファ用ウ
エハカセット６上の帯電したウエハＷの表面に、イオナ
イザー２３で生成した異なる極性のイオン化した気体を
吹き付けることによりウエハＷに帯電した電荷を打ち消
す方式や、図９に示すように、受渡し用搬送アーム４の
上方或いはバッファ用ウエハカセット６の上方に紫外線
光源２４を設け、受渡し用搬送アーム４或いはバッファ
用ウエハカセット６上の帯電したウエハＷの表面に、紫
外線光源２４からの紫外線を照射することで、ウエハＷ
に帯電している電荷を放出させる方式等が有効である。

【００４１】図８の方式を採用する場合、上述したよう
に、処理装置１のウエハ搬送経路にバーコード等の記号
を読み取る機構を設け、例えば図１０に示すようにバー
コード１１等の識別記号を付したウエハＷを処理に供す
ることで、バーコード１１から読み取ったそのウエハＷ
の予想帯電量と実測した帯電量とを比較し、その結果に
基づいてイオナイザー２３が自動制御されるシステム構
成を採用することにより、個々のウエハＷの帯電量に応
じた除電処理を行うことができる。また、このようなシ
ステム構成によれば、ウエハの異常帯電を判定・表示し
たり、異常帯電したウエハやパイロット用ウエハ等を別
途定められた場所に搬送し収納することも可能になる。

【００４２】なお、この発明の処理装置が適用される処
理システムにおいては、ＥＢ露光装置の電子ビーム照射
機能を有効に利用し、例えば、図１１に示すように、レ
ジスト３５が塗布されたウエハＷの周縁部に付着してい
る不要なレジスト３５ａを電子ビーム露光によって露光
し現像することにより除去することができる。その場
合、ウエハＷの周縁部の上面、側面及び下面に電子ビー
ムＥＢ１，ＥＢ２及びＥＢ３をそれぞれ照射しつつウエ
ハＷを回転させることにより、不要なレジスト３５ａを
全周に亙って有効に除去できる。また、ウエハＷの回転
を制御することにより、部分的に露光して不要なレジス
トを除去することも可能である。ウエハＷの周縁部の不
要なレジストを除去することにより、ウエハ搬送中にお
けるパーティクルの発生を防止できる。この種の処理を
行う際の露光方法としては、ガウシアンビームによる露
光、可変矩形ビームによる露光、ブロック露光など露光
方法を採用することができる。ＥＢ露光装置を利用して
不要なレジストの除去処理を行うことにより、レジスト
除去のための専用の露光装置が不要になる。

【００４３】上記実施形態では、被処理体が半導体ウエ
ハの場合について説明したが、被処理体は半導体ウエハ
に限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板をレジスト
塗布現像処理装置とＥＢ露光装置との間で相互に搬送す
るものについても適用できるものである。また、上記実
施形態では露光手段として電子ビームを用いる場合につ
いて説明したが、電子ビーム露光以外の半導体ウエハが
帯電し易い露光手段を用いる場合にも適用できるもので
ある。

【００４４】

【発明の効果】以上要するにこの発明の処理装置によれ
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。

【００４５】１）請求項１記載の処理装置によれば、レ
ジスト塗布現像装置から露光装置へ被処理体を搬送する
際及び露光装置からレジスト塗布現像装置へ被処理体を
搬送する際に被処理体が載置される第１の受渡用載置部
及び被処理体が載置ないし保持される受渡用搬送アーム
に除電手段を設けたことにより、帯電した被処理体がレ
ジスト塗布現像装置及び露光装置へ搬入されるのを未然
に防止できる。したがって、レジスト塗布現像装置内で
の一連の処理及び搬送の過程における静電気による被処
理体へのパーティクルの付着を防止でき、かつ被処理体
周囲の電場の影響による弊害を防止でき、正確なパター
ン形状が得られると共に歩留まりを向上できる。

【００４６】２）請求項２記載の処理装置によれば、第
２の受渡用載置部と受渡用搬送アームとの間の被処理体
の受け渡しの際に被処理体を一時収容するためのバッフ
ァ用カセットに、被処理体に蓄積した電荷を除去するた
めの除電手段を設けるので、被処理体の搬送効率の向上
が図れると共に、被処理体の一時待機中においても被処
理体に蓄積された電荷を確実に除去することができる。

【００４７】３）請求項３記載の処理装置によれば、接
地導線の途中に抵抗器を設けることにより、被処理体に
蓄積されていた電荷が急激に放電し過大な電流が流れる
のを防止し、スパークの発生による被処理体の破損を防
ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の処理装置を適用した処理システムの
実施形態の要部を示す部分破断斜視図である。

【図２】図１の実施形態を示す平面図である。

【図３】この発明の処理装置における第１の受渡用載置
部を示す部分断面図である。

【図４】この発明の処理装置におけるバッファ用カセッ
トの除電手段の一実施形態を示す部分断面図である。

【図５】この発明の処理装置における被処理体の別の搬
送動作を示す概略平面図である。

【図６】この発明の処理装置における被処理体の更に別
の搬送動作を示す概略平面図である。

【図７】この発明の処理装置の除電手段の変形実施形態
を示す概略側面図である。

【図８】この発明の処理装置における第１の受渡用載置
部の除電手段の一実施形態を示す部分側面図である。

【図９】この発明の処理装置の除電手段の変形実施形態
を示す部分側面図である。

【図１０】個別情報のバーコードマークを付与した半導
体ウエハの平面図である。

【図１１】電子ビーム露光装置を半導体ウエハの周縁部
のレジスト除去に使用する際の電子ビーム照射方法を示
す部分断面図である。

【図１２】従来の処理装置を用いた処理システムを示す
平面図である。

【符号の説明】

１処理装置２ウエハ受渡しステージ（第１の受渡用載置部）３ウエハ受渡第（第２の受渡用載置部）４受渡用搬送アーム６バッファ用ウエハカセット（バッファ用カセット）７抵抗器（除電手段）１６接地導線（除電手段）１７カセット取出用ピン（除電手段）２３イオナイザー（除電手段）２４紫外線光源（除電手段）６１レジスト塗布現像装置６２電子ビーム露光装置Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｊ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体にレジストを塗布しかつ露光処
理された被処理体を現像処理するレジスト塗布現像装置
と、レジストが塗布された被処理体を露光処理する露光
装置との間で被処理体を相互に搬送するための処理装置
において、上記露光装置の被処理体搬出入部近傍に設けられた第１
の受渡用載置部と、上記レジスト塗布現像装置の被処理
体搬出入部近傍に設けられた第２の受渡用載置部と、第
１の受渡用載置部を介して上記露光装置内の被処理体搬
送機構と相互に被処理体の受け渡しを行うと共に第２の
受渡用載置部を介して上記レジスト塗布現像装置内の被
処理体搬送機構と相互に被処理体の受け渡しを行う受渡
用搬送アームとを具備し、上記第１の受渡用載置部及び
上記受渡用搬送アームに、被処理体に蓄積した電荷を除
去するための除電手段が設けられていることを特徴とす
る処理装置。
【請求項２】上記第２の受渡用載置部と上記受渡用搬
送アームとの間の被処理体の受け渡しの際に被処理体を
一時収容するためのバッファ用カセットを具備し、この
バッファ用カセットに、被処理体に蓄積した電荷を除去
するための除電手段が設けられている請求項１記載の処
理装置。
【請求項３】上記除電手段は接地導線であり、接地導
線の途中に抵抗器を設けたことを特徴とする請求項１又
は２記載の処理装置。
【請求項４】上記除電手段が、被処理体に蓄積した電
荷と異なる極性のイオン化した気体を吹き付けるイオナ
イザーであることを特徴とする請求項１記載の処理装
置。
【請求項５】上記除電手段に紫外線光源を設け、上記
被処理体に紫外線を照射することで上記被処理体に蓄積
した電荷を放出することを特徴とする請求項１記載の処
理装置。