JP2001160206A - 磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、記録密度の増大に伴うアク
セス時間の増大，転送速度の低減を回避し、メディア転
送速度１５ＭＢ／ｓ以上を確保するための磁気記憶装置
に適合した高飽和磁束密度，高比抵抗を有する薄膜材料
を用いた記録用薄膜磁気ヘッドとその製造方法及びそれ
を用いた磁気記憶装置を提供することにある。 【解決手段】 ４０〜６０Ｎｉ−Ｆｅ及び更にこれにＣ
ｏ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｂ，Ｉｎ，Ｐｄ等を添加し、高飽和磁
束密度を１.５Ｔ 以上，比抵抗を４０μΩcm以上を有す
る磁性膜をフレームめっき法により製造することによ
り、高周波領域でも十分記録可能な記録ヘッドとなり、
メディア転送速度１５ＭＢ／ｓ以上，記録周波数４５MH
z以上，磁気ディスクを４０００rpm 以上で回転させる
高記録密度磁気記憶装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド用磁気コア
に関し、特に高記録密度用記録・再生分離型磁気ヘッド
の記録用ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の高記録密度化
に伴って、記録媒体の高保磁力化が進み、該高保磁力媒
体に十分記録し得る能力を有する薄膜磁気ヘッドが要求
されている。そのためには、磁気ヘッドのコア材料には
飽和磁束密度（Ｂ_S ）の高い材料を用いることが必要で
ある。これらの材料として、従来、膜厚が３μｍ程度の
Ｎｉ−Ｆｅ合金膜が用いられてきた。しかし、このＮｉ
−Ｆｅ合金膜は比抵抗が１６〜２０μΩｃｍと低いた
め、うず電流損失が大きく、このために高周波領域にお
ける記録磁界強度が低下し、記録周波数は高々３０ＭＨ
ｚ程度が限度である。また、これに替わる材料としてＣ
ｏ系非晶質材料，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系センダト合金薄膜
等が提案されているが前者は非晶質であるがゆえに熱的
に不安定であること、また、後者は５００℃程度の高い
温度での熱処理が必要であることなどから磁気ディスク
用の磁気コア材としては製造プロセス的に難点があり、
実用化に至っていない。また、最近では、薄膜磁気ヘッ
ド用磁気コア材料としてＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系材料が
提案されている（特開昭60−82638号，特開昭61−７６
６４２号，特開昭６４−8605号，特開平2−68906号，特
開平2−290995号）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】これらの３元系材料は
飽和磁束密度（Ｂ_S ）は１.５Ｔ 以上と高いが、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜同様比抵抗及び結晶粒径について全く考慮さ
れておらず、更にＮｉ−Ｆｅ合金膜同様高周波特性に難
点があった。

【０００４】一方、磁気ディスク装置の記憶容量は年々
確実に増大しており、現在製品化されている３.５ イン
チ装置の面記録密度、最大で３５０Ｍｂ／ｉｎ² まで高
められている。この場合のデータ記録周波数は２７ＭＨ
ｚ程度であり、従来のＮｉ−Ｆｅ合金膜あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅ合金膜では磁気ヘッドの性能限界に近づきつ
つある。

【０００５】また、高周波用として４０〜５５Ｎｉ−Ｆ
ｅにＮｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ等を添加したスパッタリン
グ法で形成する磁性膜として特開平3−68744号が提案さ
れているが、結晶磁気異方性が大きい材料ゆえ磁気特性
的にスパッタリング法による厚膜形成が困難である。

【０００６】本発明の目的は、高周波領域での高記録密
度用即ち、高速アクセス，高速転送対応の磁気ヘッド
と、及びこれを用いた磁気記憶装置を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した問題
に鑑み成されたもので、高速転送，高記録密度を達成さ
せるための磁気ディスク装置、即ち、磁気ディスク装置
が記録・再生時に磁気ディスクが４０００rpm 以上で回
転し、記録周波数が４５ＭＨｚ以上に設定されている磁
気記憶装置に搭載し、その性能を発揮させるための薄膜
磁気ヘッドとしては飽和磁束密度（Ｂ_S ）が大きく、困
難軸方向の保磁力が小さく、かつ、比抵抗が大きい材料
が要求される。従って、比抵抗も高く、飽和磁束密度も
高い組成領域はＮｉ：３８〜６０重量％の範囲である。
しかしながら、この組成領域は結晶磁気異方性が最も大
きい範囲であるために通常薄膜磁気ヘッド等に適用され
る２μｍ以上の厚膜の磁性膜をスパッタリング法等で作
製する場合、膜の結晶粒が大きくなってしまい、保磁力
が大きく、一軸異方性が付与されにくい。

【０００８】そこで、結晶粒を小さく抑えられるめっき
法を取上げ、３８〜６０重量％Ｎｉ−Ｆｅ２元系合金を
ベースにＣｏ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｂ，Ｉｎ等の第３元
素の添加を検討し、必要な記録磁界を得る膜厚２〜５μ
ｍを確保した上で飽和磁束密度（Ｂ_S )：１.５Ｔ以上，
保磁力（Ｈ_CH)：１.０Ｏｅ以下で、かつ比抵抗４０μΩ
cm以上を有する優れた薄膜の組成範囲と製造方法を見出
したものである。これらの材料を薄膜磁気ヘッドに用い
ることにより、面記録密度：５００Ｍｂ／ｉｎ² 以上，
記録周波数：４５ＭＨｚ以上，転送速度１５ＭＢ／ｓ以
上の高性能磁気記憶装置を提供出来る。

【０００９】本発明は、情報を記録する薄膜磁気ディス
クと，該薄膜磁気ディスクの回転手段と，浮動型スライ
ダに設けられ情報の書き込みと読み出しとを行う特にこ
れらを別個に行う薄膜磁気ヘッドと，前記浮動型スライ
ダを支持し薄膜磁気ディスクに対してアクセスする移動
手段とを具備した磁気記憶装置において、前記薄膜磁気
ヘッドの前記書き込み用磁気コアの上部磁気コア及び下
部磁気コアの少なくとも一方は平均結晶粒径が５００Å
以下，室温の比抵抗が４０μΩcm以上及び困難軸方向の
保磁力が１.０Ｏｅ 以下である金属磁性材よりなること
を特徴とする磁気記憶装置にある。

【００１０】更に、本発明は前記薄膜磁気ヘッドの前記
書き込み用磁気コアの上部磁気コア及び下部磁気コアの
少なくとも一方は重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ
４０〜６２重量％を有するＮｉ−Ｆｅ系合金の電気めっ
き薄膜よりなることを特徴とする。

【００１１】更に、本発明はメディア転送速度が１秒間
当たり１５メガバイト以上，記録データの面記録密度が
１平方インチ当たり５００メガビット以上及び情報の記
憶媒体が直径３.５ インチ以下の円盤状磁気ディスクを
具備した磁気記憶装置において、前記磁気ディスクが記
録・再生時に４０００rpm 以上で回転し、記録周波数が
４５ＭＨｚ以上であり、前記記録を行う薄膜磁気ヘッド
の少なくとも上部磁気コアは、重量でＮｉ３８〜６０重
量％及びＦｅ４０〜６２重量％を有するＮｉ−Ｆｅ系合
金からなり、その膜厚が１〜５μｍ，平均結晶粒径が５
００Å以下，比抵抗が４０〜６０μΩcm，困難軸方向の
保磁力が１.０Ｏｅ 以下及び、該記録用磁気ヘッドの記
録起磁力が０.５ アンペア・ターン以上であることを特
徴とする。

【００１２】本発明に係る前記磁気コアは重量でＣｏ１
５重量％以下及びＭｏ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｂ及びＩｎの１種
以上を総量で３重量％以下の少なくとも一方を含むこと
ができるものである。

【００１３】更に、本発明は、情報を記録する薄膜磁気
ディスクと，該薄膜磁気ディスクの回転手段と，浮動型
スライダに設けられ情報の書き込みと読み出しとを別々
の素子で行う記録再生分離型薄膜磁気ヘッドと，前記浮
動型スライダを支持し薄膜磁気ディスクに対してアクセ
スする移動手段とを具備した磁気記憶装置においても前
述の記録部の薄膜磁気ヘッドの磁性膜に前述と同様の特
性，組成のものを用いることを特徴とする。

【００１４】更に、本発明は、メディア転送速度が１秒
間当たり１５メガバイト以上，記録データの面記録密度
が１平方インチ当たり５００メガビット以上及び情報の
記憶媒体が直径３.５ インチ以下の円盤状磁気ディスク
を具備した磁気記憶装置において、前記磁気ディスクが
記録・再生時に４０００rpm 以上で回転し、記録周波数
が４５ＭＨｚ以上であり、前記記録再生とを別々の素子
で行う記録再生分離型薄膜磁気ヘッドを有し、前記記録
を行う薄膜磁気ヘッドの少なくとも上部磁気コアに同様
の特性，組成のものを用いることを特徴とする。

【００１５】本発明は、下部磁性膜と，該下部磁性膜上
に形成され一端が前記下部磁性膜の一端に接し、他端が
前記下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、
これによって下部磁性膜と共に一部に磁気ギャップを有
する磁気回路を形成する上部磁性膜と，両磁性膜間を通
り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成する導
体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下
部及び上部磁性膜の少なくとも一方が、めっき法で形成
され、重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ４０〜６２
重量％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、膜厚が１
〜５μｍ，平均結晶粒径が５００Å以下及び困難軸方向
の保磁力が１.０Ｏｅ 以下であることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドにある。

【００１６】本発明は、下部磁性膜と，該下部磁性膜上
に形成され一端が前記下部磁性膜の一端に接し、他端が
前記下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、
これによって下部磁性膜と共に一部に磁気ギャップを有
する磁気回路を形成する上部磁性膜と，両磁性膜間を通
り磁気回路と交差する所定巻回数のコイルを形成する導
体コイルとを具備した薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記下部及び上部磁性膜の少なくとも一方を、めっ
き浴が金属イオン濃度が１５〜２０ｇ／ｌのＮｉ++イオ
ン及び２.０〜２.７ｇ／ｌのＦｅ++イオンを含み、か
つ、Ｎｉ++イオンとＦｅ++イオンの比（Ｎｉ++／Ｆｅ+
+）が７〜８と、応力緩和剤及び界面活性剤とを含み、
ｐＨが２.５〜３.５であるＮｉ−Ｆｅ合金の電気めっき
浴を用い電気めっきによって形成することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法にある。

【００１７】特に、浴温度は２０〜３５℃に保持して５
〜３０ｍＡ／cm² の電流密度で磁界中フレームめっきに
より作製するのが好ましい。

【００１８】更に、本発明はＣｏイオンを０.４〜０.６
ｇ／ｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｂの各イオンを０.
１ｇ／ｌ 以下を添加したことを特徴とする。更に、本
発明は磁界中フレームによって電気めっきによって作製
するのが好ましい。

【００１９】本発明は、記録ヘッドの磁極磁性膜のうず
電流損失を考慮して膜厚，比抵抗，比透磁率を設計し、
記録周波数に伴う書きにじみ量、あるいはオーバーライ
ト値の変動を防止すること、ならびにデータの記録周波
数を高く設定し、かつ、上記ヘッドに適した磁気ディス
クを高速で回転させることにより解決される。

【００２０】（１）メディア転送速度が１秒間当たり１
５メガバイト以上，記録データの面記録密度が１平方イ
ンチ当たり５００メガビット以上となる手段を有するこ
とが好ましい。

【００２１】（２）情報の記憶を直径３.５ インチ以下
の円盤状の磁気ディスクに行うときは、記録再生時にこ
の磁気ディスクが４０００rpm 以上で回転し、記録周波
数が４５ＭＨｚ以上に設定されることが好ましい。

【００２２】（３）保磁力２ｋＯｅ以上の金属磁性膜を
用いた磁気ディスクを有することが好ましい。

【００２３】（４）記録電流の立上り時間が５ナノ秒
（ｎｓ）以下に設定されることが好ましい。

【００２４】（５）磁気ディスク媒体に情報の記録を行
う誘導型磁気ヘッドの記録用コイルは、薄膜プロセスを
利用して形成されており、端子数は３で、各端子間のイ
ンダクタンスは１マイクロヘンリー（μＨ）以下である
ことが好ましい。

【００２５】（６）磁気ディスク媒体に情報の記録を行
う誘導型磁気ヘッドの記録用コイルは２層構造であり、
１層目コイルと２層目コイルの巻線数は等しく、かつ巻
線方向は互いに逆向きであることが好ましい。

【００２６】（７）磁気ディスク媒体に情報の記録を行
う誘導型磁気ヘッドの記録用コイルは１層構造であり、
コイル始点（ａ）から終点（ｂ）間の巻線数の半分に相
当する位置（ｃ）に別の端子が接続されており、(ｃ)−
(ａ）間、および（ｃ)−(ｂ）間に流れる電流は互いに
逆位相であることが好ましい。

【００２７】（８）データの記録、あるいは記録再生に
用いる磁気ヘッドの記録磁極を構成する磁性膜の膜厚を
ｄ（μｍ），比抵抗をρ（μΩcm），低周波領域におけ
る比透磁率をμとしたとき、それぞれのパラメータがμ
ｄ²／ρ≦５００ なる関係を満足する手段を有すること
が好ましい。

【００２８】（９）データの記録、あるいは記録再生に
用いる磁気ヘッドの記録磁極の少なくとも一部は、磁性
層と絶縁層とが交互に積層された多層構造となってお
り、その膜厚は２.７μｍ 以下であることが好ましい。

【００２９】（１０）データの記録、あるいは記録再生
に用いる磁気ヘッドの記録用磁性材の少なくとも上部磁
性材に前述のＦｅ−Ｎｉ系合金、下部にはＣｏ系非晶質
合金、あるいはＦｅ系非晶質合金が用いることが好まし
い。

【００３０】（１１）磁気ヘッドの記録磁極材料内には
Ｚｒ，Ｙ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ、あるいはＳｉの内の少な
くとも一種を含むことが好ましい。

【００３１】（１２）データの記録、あるいは記録再生
に用いる磁気ヘッドの記録起磁力、すなわち記録電流と
コイル巻線数との積が０.５アンペア・ターン(ＡＴ）以
上に設定されていることが好ましい。

【００３２】（１３）データの記録、あるいは記録再生
に用いる磁気ヘッドの記録磁極の少なくとも一部の比抵
抗は４０μΩcm以上、比透磁率は５００以上であること
が好ましい。

【００３３】（１４）磁気ディスク媒体に情報の記録を
行う誘導型磁気ヘッドの記録用コイルは１層構造であ
り、コイル始点（ａ）から終点（ｂ）間の巻線数の半分
に相当する位置（ｃ）に別の端子が接続されており、
(ｃ)−(ａ）間、および（ｃ)−(ｂ)間に流れる電流は互
いに逆位相であること、再生ヘッドとしてスピンバルブ
型素子，巨大磁気抵抗効果型素子を用いた記録再生分離
型ヘッドを用いることが好ましい。

【００３４】記録周波数４５ＭＨｚ以上の高周波領域で
は磁気ヘッドのヘッド効率（磁束を誘導する効率）はう
ず電流損が支配的になる。従って、うず電流損を軽減す
るためには磁気コアの膜厚を薄くするのが最も効果的で
あるが、膜厚を薄くすると記録磁界が不足し記録不可能
となる。保磁力：２０００Ｏｅ以上、特に２３００Ｏｅ
以上の高保磁力媒体に十分記録するためには飽和磁束密
度が高いことは勿論のこと膜厚は２μｍ以上が必要とな
る。通常、多層膜化するのはこのうず電流損を低減させ
るためであるが、高記録密度対応のヘッドプロセスでは
寸法精度的に困難である。そのため磁気コアの比抵抗を
大きくしてうず電流損を低減させ、磁気コアの透磁率
（μ）の周波数特性を高周波側まで伸ばすことが必要で
ある。

【００３５】Ｎｉ−Ｆｅ２元系磁性膜（膜厚：３μｍ）
ではＮｉ３８〜６０重量％の範囲で飽和磁束密度
（Ｂ_S ）が１.５Ｔ 以上を示すと共に、比抵抗（ρ）が
４０〜５０μΩcmを示す。即ち、Ｎｉが３８重量％より
少なくなると比抵抗（ρ）は高いが、飽和磁束密度（Ｂ
_S ）が１.５Ｔ を下まわる。また、Ｎｉが６０重量％を
越えるとやはり飽和磁束密度（Ｂ_S ）が１.５Ｔ を下ま
わるので好ましくない。特に、４０〜５０重量％が好ま
しい。このような組成の膜を作製する場合はめっき法が
良い。即ち、電気めっき法により結晶粒径を非常に微細
にするために結晶磁気異方性の大きい本組成でも保磁力
を小さくできることと、結晶の配向性を極力なくすこと
ができるためである。例えば、結晶の配向比を（１１
１)／(２００）＜５.０ 以下にすることが望ましい。そ
のような膜を作製するためのめっき浴組成のＮｉ及びＦ
ｅイオン濃度はＮｉ++：１５〜２０ｇ／ｌ，Ｆｅ++：
２.０〜２.７ｇ／ｌで、イオン比（Ｎｉ++／Ｆｅ++）は
７〜８であった。また、この時のめっき電流密度は１０
〜２０ｍＡ／cm²、ｐＨは３.０、浴温度は３０℃であ
る。

【００３６】一方、Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｂ，Ｉｎ及びＰ
ｄの少なくとも１種の元素を添加する場合、Ｃｏは１５
重量％以下、Ｍｏは３重量％以下が飽和磁束密度
（Ｂ_S ）を１.５Ｔ以上に保ち、比抵抗(ρ）を４０μΩ
cm以上を確保する上で望ましい。浴組成でＣｏの場合Ｃ
ｏＳＯ₄・６Ｈ₂Ｏを１００ｇ／ｌ(Ｃｏイオンで２１ｇ
／ｌ)まで、Ｍｏの場合Ｎａ₂ＭｏＯ₄・２Ｈ₂Ｏを４.８
ｇ／ｌ(Ｍｏイオンで１.９ｇ／ｌ）までの添加が望まし
い。例えば、Ｍｏの替わりにＣｒ〔Ｃｒ₂(ＳＯ₄)₃・１８
Ｈ₂Ｏ〕 を添加した場合もほぼ同様の結果を示した。
Ｂ，Ｉｎ等は比抵抗（ρ）の増大は１０％程度でそれ程
大きな効果はなかった。一方、Ｃｏの添加は膜の比抵抗
（ρ）は若干低下するが飽和磁束密度（Ｂ_S ）は約１０
％増大するので、Ｍｏとの共用が望ましい。また、Ｃｏ
は膜の異方性磁界（Ｈ_K ）を増加させるので磁気特性の
安定化には好ましい。

【００３７】尚、Ｃｏは１５重量％以上になると膜の飽
和磁束密度（Ｂ_S ）は増大するが比抵抗（ρ）が小さく
なり過ぎて、Ｍｏ，Ｃｒの添加量を多くしないと膜の比
抵抗（ρ）を所望の値まで大きくできない。そのため膜
の保磁力が大きくなり好ましくない。また、Ｍｏ，Ｃｒ
等はやはり膜の保磁力を大きくしないで比抵抗（ρ）を
所望の値まで大きくするためには３重量％以下とする。

【００３８】また、Ｂ，Ｉｎ，Ｐｄ等の添加量も同様で
ある。これらの場合のめっき条件は上述のＮｉ−Ｆｅ２
元系の場合とまったく同様でよい。

【００３９】磁性膜の高周波損失(tanδ）が、うず電流
損失のみによるものと仮定すると tanδ＝μ″／μ′ ＝Ｒ／ωＬ ＝μ₀μπｄ²ｆ／Ｃρ …（１） と表せる。ここで、μ′およびμ″はそれぞれ複素透磁
率の実数部分と虚数部分である。また、Ｃは膜形状によ
り決まる定数、μ₀ は真空の透磁率である。上式（１）
より、磁性膜固有の比透磁率μ，膜厚ｄ，比抵抗ρがわ
かれば、周波数ｆに対するうず電流損失tanδ を見積も
ることができる。なお、周波数に対するヘッド効率（磁
束を誘導する効率）の変化は、複素透磁率の実数部分の
変化に比例すると考えられるので、（１）式からδを算
出し、このcos 成分をとることにより、ヘッド効率の周
波数依存性を求めることができる。すなわち、各周波数
におけるヘッド効率ηは次式で表わせる。

【００４０】 η＝cos［arctan(μ₀μπｄ²ｆ／Ｃρ)］ …（２） （２）式より、磁性膜固有の比透磁率μ，膜厚ｄ、およ
び比抵抗ρにより求まる値であるμｄ²／ρ の値を規定
することで、任意の周波数ｆにおけるヘッド効率ηを外
挿することができる。

【００４１】上記ヘッドと高周波記録時の書きにじみ、
オーバーライト変動の小さな保磁力２ｋＯｅ以上の金属
磁性膜を用いた磁気ディスクと組み合わせることによ
り、面記録密度が５００Ｍｂ／ｉｎ² 以上，記録周波数
４５ＭＨｚ以上，メディア転送速度１５ＭＢ／ｓ以上の
高性能磁気ディスク装置が得られる。

【００４２】Ｉ／Ｏインターフェースにデータ・バスが
２バイド幅のFast and Wide SCSI（Samll Computer Sys
tem Interface)を用いた場合、入出力装置の価格と入出
力装置を構成する磁気ディスク装置１台当たりの転送速
度との関係から、データ・バスが２バイド幅のFast and
Wide ＳＣＳＩインターフェースを用いると最大２０Ｍ
Ｂ／ｓまでのデータ転送が可能となる。この場合、磁気
ディスク装置１台当たりの転送速度は１５ＭＢ／ｓ以上
であれば、入出力装置の価格低減が可能となることがわ
かる。

【００４３】また磁気ディスク装置１台当たりの容量は
５５０ＭＢあればWindows， Workplace等のＯＳ
（Operation Software）を取り扱うことが可能となる。
この容量は３.５ インチの磁気ディスク１枚で実現する
には、データの記録可能な面記録密度は５００Ｍｂ／ｉ
ｎ² 以上である必要がある。

【００４４】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１，図２に本発明
の一例である磁気ディスク装置の全体図、及び平面図を
示す。本磁気ディスク装置の構成は、情報を記録するた
めの磁気ディスク１，これを回転する手段のＤＣモータ
（図面省略），情報を書き込み，読み取りするための磁
気ヘッド２，これを支持して磁気ディスクに対して位置
を変える手段の位置決め装置、即ち、アクチュエータ４
とボイスコイルモータ５、及び装置内部を清浄に保つた
めのエアフィルタ６などからなる。アクチュエータは、
キャリッジ７とレール８，軸受９から成り、ボイスコイ
ルモータはボイスコイル１０，マグネット１１からな
る。これらの図では、同一の回転軸に８枚の磁気ディス
クを取付け、合計の記憶容量を大きくした例を示してい
る。

【００４５】図３は本発明に係る磁気記録再生装置の正
面図、図４は同じくその平面図である。図において、１
は磁気ディスク、２は磁気ヘッド、３はジンバル系支持
装置、４は位置決め装置（アクチュエータ）である。磁
気ディスク１は回転駆動機構により、矢印ａの方向に回
転駆動される。磁気ヘッド２は支持装置３によって支持
され、位置決め装置４により、回転直径Ｏ₁ 上で、矢印
ｂ₁ またはｂ₂ の方向に駆動されて位置決めされ、それ
によって所定のシリンダＴ₁ 〜Ｔ_n において、磁気記
録，再生が行われる。

【００４６】磁気ディスク１は表面粗さＲ_MAX が１００
Å以下、望ましくは５０Å以下の表面性の良好な媒体と
する。磁気ディスク１は、剛性基体の表面に真空成膜法
によって磁気記録層を形成してある。磁気記録層はγ−
Ｆｅ₂Ｏ₃またはＣｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性薄膜と
して形成する。真空成膜法によって形成される磁気記録
層の膜厚は０.５μｍ 以下であるので、剛性基体の表面
性がそのまま記録層の表面性として反映される。従っ
て、剛性基体は、表面粗さＲ_MAX が１００Å以下のもの
を使用する。そのような剛性基体としては、ガラス，化
学強化されたソーダアルミノ珪酸ガラスまたはセラミッ
クを主成分とする剛性基体が適している。

【００４７】磁気記録層は、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃等の磁性酸化
鉄や磁性窒化物で構成することができる。また、磁性層
が金属や合金などの場合には、表面に酸化物層，窒化物
層を設けるか、表面を酸化皮膜とするのが望ましい。ま
た、炭素保護膜の使用等も望ましい。こうすることによ
り、磁気記録層の耐久性が向上し、極く低浮上量で記録
再生する場合や、コンタクト，スタート，ストップ時に
おいても、磁気ディスク１の損傷を防止できる。酸化物
層及び窒化物層は、反応性スパッタ，反応性蒸着等によ
って形成できる。また、酸化皮膜は、Ｃｏ−Ｎｉまたは
Ｃｏ−Ｃｒ等のように、鉄，コバルト，ニッケルのう
ち、少なくとも１種を含む金属または合金でなる磁気記
録層の表面を、反応性プラズマ処理等により、意図的に
酸化して形成できる。磁気ディスク１は、磁気記録層の
記録残留磁化が膜面に対して垂直方向の成分を主成分と
する垂直記録，膜面内成分を主成分とする面内記録のい
ずれであってもよい。図示は省略したが、磁気記録層の
表面に潤滑剤を塗布してもよい。

【００４８】図５及び図６は磁気ヘッド２とジンバル系
支持装置３の組立構造を示す図である。磁気ヘッド２
は、セラミック構造体でなるスライダ２５の空気流出端
部側に読み書き素子２２を付着させ、位置決め装置４に
よって駆動される支持装置３により、浮上面２３とは反
対側の面２４に荷重を加えてピッチ運動及びロール運動
を許容するように支持する。読み書き素子４２はＩＣ製
造テクノロジと同様のプロセスにしたがって形成された
薄膜素子である。

【００４９】支持装置３は位置決め装置４に取付けられ
る剛性アーム部５１に、弾性金属薄膜でなる支持体３７
の一端を、結合具１１，１２によって取付け固定すると
共に、支持体３７の長手方向の一端にある自由端に、同
じく金属薄板である可撓体３６を取付け、この可撓体３
６の下面に、磁気ヘッド２を取付けた構造となっている
（図３及び図４参照）。支持体３７は剛性アーム部５１
に取付けられる部分が弾性バネ部２１となっていて、こ
の弾性バネ部４１に接続して剛性ビーム部４２を形成し
てある。剛性ビーム部４２は両側に折曲げ形成したフラ
ンジ４２ａ，４２ｂを有している。可撓体３６は支持体
３７の長手方向軸線と略平行して伸びる２つの外側可撓
性枠部３１，３２と、支持体３７から離れた端において
外側可撓性枠部３１，３２を連結する横枠３３と、横枠
３３の略中央部から外側可撓性枠部３１，３２に略平行
するように伸びていて先端を自由端とした中央舌状部３
４とを有して構成され、横枠３３のある方向とは反対側
の一端を、支持体３７の自由端付近に溶接等の手段によ
って取付けてある。

【００５０】可撓体３６の中央舌状部３４の上面には、
例えば半球状等の荷重用突起３５が設けられていて、こ
の荷重用突起３５により、支持体３７の自由端から中央
舌状部３４へ荷重を伝えるようにしてある。中央舌状部
３４の下面には磁気ヘッド２の面２４を接着等の手段に
よって固着してある。

【００５１】本実施例においては、上述の表面粗さＲ
_MAX を有する磁気ディスク１を使用し、磁気ヘッド２の
浮上開始浮上量を０.０１μｍ〜０.０４μｍの範囲に設
定する。そして、磁気ディスク１に設けられる読み書き
シリンダＴ₁ 〜Ｔ_n のうち、最内周シリンダＴ_nにおけ
る磁気ヘッド２の浮上量ｇを、浮上開始浮上量０.０１
μｍ〜０.０４μｍ から、その数倍の値の間に設定して
駆動する。磁気ヘッド２を構成するスライダ２１の形
状，支持装置３から磁気ヘッド２に加わる荷重，磁気デ
ィスク１の回転数等は、上述のような浮上量が得られる
ように設定する。

【００５２】図７は負圧スライダの斜視図である。

【００５３】負荷スライダ７０は、空気導入面７１と浮
揚力を発生する２つの正圧発生面７２，７２とに囲まれ
た負圧発生面７３を有し、さらに空気導入面７１並びに
２つの正圧発生面７２，７２と負圧発生面７３との境界
において負圧発生面７３より段差の大きい溝７４とから
構成される。なお、空気流出端７５には磁気ディスクに
情報の記録再生を行う薄膜磁気ヘッドエレメント７６を
有する。

【００５４】負圧スライダ７０の浮上時においては、空
気導入面７１から導入された空気は負圧発生面７３で膨
張されるが、その際に溝７４に向かう空気の流れも作ら
れるため、溝７４の内部にも空気導入面７１から空気流
出端７５に向かう空気の流れが存在する。したがって、
負圧スライダ７０の浮上時に空気中に浮遊する塵芥が空
気導入面７１から導入されたとしても溝７４の内部へ導
入され、溝７４内部の空気の流れによって押し流され、
空気流出端７８より負圧スライダ７０の外へ排出される
ことになる。また負圧スライダ７０の浮上時には溝４内
部には常に空気の流れが存在し澱み等がないため、塵芥
が凝集することもない。

【００５５】図８は記録用ヘッドを形成した、記録再生
分離型ヘッドの概念図である。記録再生分離型ヘッド
は、本発明の素子を用いたインダクティブ型の記録ヘッ
ド，再生ヘッドと、及び、漏れ磁界による再生ヘッドの
混乱を防止するためのシールド部からなる。ここでは水
平磁気記録用の記録ヘッドとの搭載を示したが、本発明
の磁気抵抗効果素子を垂直磁気記録用のヘッドと組合わ
せ、垂直記録に用いても良い。ヘッドは、基体８０上に
下部シールド膜８２，磁気抵抗効果膜８６及び電極８
５，上部シールド膜８１からなる再生ヘッドと，下部磁
性膜８４，コイル８７，上部磁性膜８３からなる記録ヘ
ッドとを形成してなる。このヘッドによって、記録媒体
上に信号を書き込み、また記録媒体から信号を読み取る
のである。

【００５６】再生ヘッドの感知部分と，記録ヘッドの磁
気ギャップはこのように同一スライダ上に重ねた位置に
形成することで、同一トラックに同時に位置決めができ
る。このヘッドをスライダに加工し、磁気記録再生装置
に搭載した。

【００５７】本実施例では、インダクティブ型の記録ヘ
ッドの上部及び下部磁性膜を以下の製法によって形成し
た。

【００５８】Ｎｉ++量：１６.７ｇ／ｌ，Ｆｅ++量：２.
４ｇ／ｌを含み、その他通常の応力緩和剤，界面活性剤
を含んだめっき浴において、ｐＨ：３.０ ，めっき電流
密度：１５ｍＡ／cm² の条件でフレームめっきした上・
下部磁気コアを有する誘導型の薄膜磁気ヘッドを作製し
た。トラック幅は４.０μｍ、ギャップ長は０.４μｍで
ある。この磁性膜の組成は４２.４Ｎｉ−Ｆｅ(重量％）
であり、磁気特性は飽和磁束密度（Ｂ_S ）が１.６４
Ｔ，困難軸保磁力（Ｈ_CH）が０.５Ｏｅで比抵抗（ρ）
は４８.１μΩcm であった。上部磁気コア８３，上部シ
ールド層を兼ねた下部磁気コア８４，コイル８７であ
る。再生のための磁気抵抗効果型素子８６，磁気抵抗効
果型素子にセンス電流を流すための電極８５，下部シー
ルド層８２，スライダ８０の構成を有する。

【００５９】このような構成で評価した本発明による記
録ヘッドの性能（オーバーライト特性）を図９に示す。
４０ＭＨｚ以上の高周波領域でも−５０ｄＢ程度の優れ
た記録性能が得られた。

【００６０】図１０は本実施例によって得られためっき
法とスパッタリング法によって得られた磁性膜の困難軸
保磁力と平均結晶粒径との関係を示すもので、結晶粒径
を５００Å以下にすると１.０Ｏｅ 以下の低い保磁力が
得られることが分る。

【００６１】更に、下部磁性膜には上述と同様に電気め
っきによってＮｉ７０〜８０重量％，残部Ｆｅからなる
Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜又はこの合金薄膜を合金ターゲット
を用いスパッタリングによって形成することもできる。

【００６２】図１１は本発明のインダクティブ型の記録
ヘッドの断面図及び図１２はその平面図であるが、この
薄膜ヘッドは上部シールド膜８１と、その上に付着され
た前述の磁性膜からなる下部磁性膜８３及び上部磁性膜
８４からなる。図１１は図１２のＡ−Ａ断面図である。
非磁性絶縁体８９が層８３，８４の間に付着されてい
る。絶縁体の一部が磁気ギャップ８８を規定し、これは
例えば周知技術によりエア・ベアリング関係に置かれた
磁性媒体と変換関係で相互作用する。支持体８０はエア
・ベアリング表面（ＡＢＳ）を有するスライダの形にな
っており、これはディスク・ファイル動作中に回転する
ディスクの媒体に近接し浮上関係にある。

【００６３】薄膜磁気ヘッドは上部８３，下部磁性膜８
４により出来るバック・ギャップ９０を有する。バック
・ギャップ９０は介在するコイル８７により磁気ギャッ
プから隔てられている。

【００６４】連続しているコイル８７は例えばめっきに
より下部磁性層８４の上に作った層になっており、これ
らを電磁結合する。コイル８７は絶縁体８９で埋められ
てあるコイルの中央には電気接点９１があり、同じくコ
イルの外端部終止点には電気接点９２として更に大きな
区域がある。接点は外部電線及び読み取り書き込み信号
処理ヘッド回路（図示略）に接続されている。

【００６５】本発明においては、単一の層で作られたコ
イル８７が、やや歪んだ楕円形をしており、その断面積
の小さい部分が磁気ギャップに最も近く配置され、磁気
ギャップからの距離が大きくなるにつれ、断面積が徐々
に大きくなる。

【００６６】バック・ギャップ９０は磁気ギャップのＡ
ＢＳに相対的に近く位置している。

【００６７】しかし楕円形コイルはバック・ギャップ９
０と磁気ギャップ８８との間で比較的密に多数本入って
おり、コイルの幅乃至断面直径はこの区域では小さい。
更に、磁気ギャップから最も遠い部分での大きな断面直
径は電気抵抗の減少をもたらす。更に、楕円（長円）形
コイルは角や鋭い隅や端部を持たず、電流への抵抗が少
ない。又、楕円形状は矩形や円形（環状）コイルに比べ
導電体の全長が少なくて済む。これらの利点の結果、コ
イルの全抵抗は比較的少なく、発熱は少なく、適度の放
熱性が得られる。熱を相当量減らすので、薄膜層の層崩
れ，伸長，膨張は防止され、ＡＢＳでのボール・チップ
突出の原因が除かれる。

【００６８】幅の変化がほぼ均一に進む楕円形コイル形
状は、スパッタリングや蒸着等より安価な従来のめっき
技術で付着できる。他の形状特に角のある形のコイルで
はめっき付着が不均一な幅の構造になり易い。角や鋭い
端縁部の除去は出来上ったコイルにより少ない機械的ス
トレスしか与えない。

【００６９】本実施例では多数巻回したコイルがほぼ楕
円形状で磁気コア間に形成され、コイル断面径は磁気ギ
ャップからバック・ギャップに向けて徐々に拡がってお
り、信号出力は増加し、発熱が減少される。

【００７０】図１３は前述のインダクティブヘッドの下
部に形成した本発明の磁気抵抗効果素子の基体面上の構
成を表す概念図である。磁気抵抗効果膜１１０は基体１
５０上に、記録媒体に対抗する面１６３に沿って素子の
幅１４３の長い短冊に形成される。この形状の規定は磁
気抵抗効果膜１１０に感知すべき磁界のかかる方向１６
０に対して垂直な方向に適度の形状異方性を与える効果
がある。磁気抵抗効果膜１１０には電気的に接触してな
る電極１４０によって電流を通じ、記録媒体１９１表面
に平行な方向の幅１４１及び垂直な方向の幅１４２の大
きさを有する磁界感知部分にかかる磁界によって生じる
抵抗変化を出力として得る。

【００７１】本概念図では磁気抵抗効果素子の端部が記
録媒体との対抗面に露出した形状となっているが、記録
媒体からの磁界を導くヨーク状軟磁性体を対抗面から配
置して、内側に設置した磁気抵抗効果素子に磁気的に結
合させると素子の機械的耐久性が増す。特に、素子のＭ
Ｒ高さを小さくすることでヨークの磁路抵抗を減少さ
せ、感度を向上することが出来る。

【００７２】本発明の磁気抵抗効果素子は例えば図１４
のような構成を有する。基体１５０上に、磁気抵抗効果
膜１１０、すなわちバイアス膜１３２，磁性膜１１１，
非磁性導電膜１２０，磁性膜１１２，非磁性導電膜層１
２０，磁性膜層１１１，バイアス膜１３１を積層し、か
つ電極１４０を電気的に接合してなる。図１２の素子構
成は電極１４０がバイアス膜１３１の下に設置されてい
るが、これは例えば上部バイアス膜に酸化ニッケルのよ
うな絶縁体を用いたときに有効な構造の一例となってい
る。

【００７３】電極は他の構造、例えばバイアス膜を一部
にだけ形成してその上から電極140を形成しても構わな
い。あるいは導電性バイアス膜、例えばＦｅＭｎ，Ｃｏ
Ｐｔ膜などを用いて直接これに密着して電極を形成する
方法もある。

【００７４】本素子は、バイアス膜に依って強い異方性
を印加した磁性膜と，前記の異方性に比べて弱い異方性
を一軸異方性，形状異方性、あるいはソフト膜バイアス
などで印加した磁性膜とを、電流は通じるが互いに磁気
的な結合を生じないように非磁性導電膜を介して交互に
積層したことである。特にその異方性の印加方向を以下
に述べる。

【００７５】図１５は本発明の磁気抵抗効果素子の異方
性制御の例を示す概念図で、図１４においてＡ−Ａ′で
示した素子部分の斜視図である。バイアス膜１３１及び
132は、図中矢印１７１及び１７２の方向に交換結合に
よる異方性を印加する。図中矢印１６０は感知すべき磁
界の方向、矢印１６１は磁性膜１１１に誘導した一方向
異方性の方向を示す。非磁性導電膜１２０に挟まれた磁
性膜１１２の容易磁化方向は図中矢印１６２の方向に一
軸異方性の誘導によって印加する。これは磁性膜の成長
中に所定の方向に磁界を印加することで達成される。本
図の実施例は異方性の印加をバイアス膜と誘導磁気異方
性で実現した例である。この結果矢印１６１と１６２は
共に膜面内で、互いに直交する。感知すべき磁界の大き
さに比較して、磁性膜１１１の異方性を大きく磁性膜１
１２の異方性を小さくすることで、磁性膜１１１の磁化
を外部磁界に対してほぼ固定し、磁性膜１１２の磁化の
みが外部磁界に対して大きく反応するようになる。さら
に矢印１６０の方向にかかる感知すべき磁界に対して、
磁性膜１１１の磁化は異方性１６１によって磁化と外部
磁界が平行な容易軸励磁の状態に、逆に磁性膜１１２の
異方性に依って磁化と外部磁界が垂直な困難軸励磁の状
態になっている。この効果によって上記の応答をさらに
顕著なものにできるとともに、外部磁界に対して磁性膜
１１２の磁化が、矢印１６２の方向を起点に、回転によ
る困難軸励磁で素子が駆動される状態が実現し、磁壁移
動による励磁に伴うノイズを防止し、高周波での動作を
可能にすることができる。

【００７６】本実施例の磁気抵抗効果素子の別の実施例
として、異方性の印加を２種類の異なるバイアス膜、つ
まり反強磁性膜との硬磁性膜で実現した例である。基体
１５０上に、反強磁性膜１３２，磁性膜１１１，非磁性
膜１２０，磁性膜１１２，硬磁性膜１３３を積層して、
電極を接続してなる。反強磁性膜１３２，硬磁性膜１３
３を各々が非磁性膜で分離された２層の磁性膜１１１，
１１２に密着しており、感知すべき磁界の方向１６０に
対して平行および直行した方向１７２および１７３に磁
界中熱処理あるいは磁化処理をして磁性膜１１１，１１
２の磁化をそれぞれ矢印１６１，１６２の方向に誘導す
る。反強磁性膜は例えば酸化ニッケル，硬磁性膜はコバ
ルト白金合金などが用いられる。硬磁性膜と反強磁性膜
の位置が逆か、それぞれの磁化の誘導方向が逆であって
も同等の効果がある。

【００７７】本実施例の磁気抵抗効果素子を構成する膜
は高周波マグネトロンスパッタリング装置により以下の
ように作製した。アルゴン３ミリトールの雰囲気中に
て、厚さ１mm，直径３インチのセラミックス基板および
Ｓｉ単結晶基板上に以下の材料を順に積層して作製し
た。スパッタリングターゲットとして酸化ニッケル，コ
バルト，ニッケル−２０ａｔ％鉄合金，銅のターゲット
を用いた。ニッケル−鉄中へのコバルトの添加にはニッ
ケル−２０ａｔ％鉄合金ターゲット上にコバルトのチッ
プを配置した。またコバルト中へのニッケル，鉄の添加
にはコバルトターゲット上にニッケルおよび鉄のチップ
を配置した。積層膜は、各ターゲットを配置したカソー
ドに各々高周波電力を印加して装置内にプラズマを発生
させておき、各カソードごとに配置されたシャッターを
一つずつ開閉して順次各層を形成した。膜形成時には基
板面内で直交する二対の電磁石を用いて基板に平行にお
よそ５０エルステッドの磁界を印加して、一軸異方性を
もたせるとともに、酸化ニッケル膜の交換結合バイアス
の方向をそれぞれの方向に誘導した。

【００７８】異方性の誘導は、基板近傍に取付けた二対
の電磁石によって、各磁性膜の形成時に誘導すべき方向
に磁界を加えて行った。あるいは、多層膜形成後に反強
磁性膜のネール温度近傍で磁界中熱処理を行い、反強磁
性バイアスの方向を磁界の方向に誘導した。

【００７９】磁気抵抗効果素子の性能の評価は膜を短冊
形状にパターニングし、電極を形成して行った。この
時、磁性膜の一軸異方性の方向と素子の電流方向が平行
となるようにした。電気抵抗は電極端子間に一定の電流
を通じ、素子の面内に電流方向に垂直な方向に磁界を印
加して、素子の電気抵抗を電極端子間の電圧として測定
し、磁気抵抗変化率として感知した。

【００８０】表１では素子の特性を抵抗変化率と飽和磁
界で表した。素子としての再生出力はこの抵抗変化率の
大きさに、感度は飽和磁界の小ささに、それぞれ対応す
る。

【００８１】表１の結果から明らかなように特に磁気抵
抗素子Ｎo.１〜５は４％以上の抵抗変化率と良好な磁気
特性を有するものであり、Ｎo.６，７に比べ、抵抗変化
率において優れている。特に、試料Ｎo.１，２，４は飽
和磁界１０エルステッド程度の良好な磁界感度と抵抗変
化率６から７％の高い出力を示している。

【００８２】

【表１】

【００８３】本実施例における磁気記憶装置において、
一対の電極８５に挟まれた領域が再生トラック幅となる
が、これは２μｍとした。記録時には、ターン数が２０
のコイル８７に１５ｍＡopの電流を流して任意の情報を
媒体磁性層に記録し、一方再生時にはリード線に８ｍＡ
の直流電流を印加して媒体磁性層からの漏洩磁界を検出
した。

【００８４】この磁気ヘッドを、記録ビット方向の保磁
力が２１００エルステッド，保磁力配向比が１.２ のＣ
ｏＣｒＴａ（Ｃｒの添加量は１６アトミック％）を記録
層とする３.５ インチの磁気ディスクと組み合わせて磁
気記憶装置を構成した。なお、ここで使用した磁気ディ
スク記録層の残留磁束密度と膜厚との積Ｂｒ・δは１０
０ガウス・μｍである。本実施例により構成した磁気記
憶装置の仕様を表２に示す。

【００８５】

【表２】

【００８６】（実施例２）図６はめっき浴の金属イオン
濃度即ち、Ｎｉ++量及びＦｅ++量を種々変えてめっきし
た磁性膜の組成と磁気特性及び比抵抗（ρ）の関係を示
したものである。

【００８７】Ｎｉ++はＮｉＣｌ₂・６Ｈ₂ＯをＦｅ++はＦ
ｅＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏを使用し、その他通常の応力緩和剤，
界面活性剤を添加した。ｐＨ：３.０ ，浴温度：３０
℃，めっき電流密度：１５ｍＡ／cm²の条件でめっきし
た。膜厚は３.０μｍである。

【００８８】膜のＮｉ含有量が３８〜６０重量％の範囲
で飽和磁束密度(Ｂ_S ）が１.５Ｔ以上，比抵抗（ρ）が
４０μΩcm以上と従来良く知られている８０Ｎｉ−Ｆｅ
パーマロイ膜に比較し飽和磁束密度(Ｂ_S ）で１.５以
上，比抵抗（ρ）で２倍以上と優れた特性を示すことが
わかる。また、困難軸保磁力（Ｈ_CH）は８０Ｎｉ−Ｆｅ
パーマロイ膜とほぼ同様に１Ｏｅ以下と小さい。バルク
材の値に比べ飽和磁束密度（Ｂ_S ）及び比抵抗（ρ）の
傾向はほぼ同じであるが、Ｎｉ含有量が多くなるにつれ
て低下する量が小さい。これはバルク材に比べ結晶粒径
が４０〜８０Åと著しく小さいためである。

【００８９】このような特性はｐＨを２.５〜３.５程度
まで、また、めっき電流密度を５〜３０ｍＡ／cm² の範
囲に変えても大きな変化はなかった。浴温度についても
２５〜３５℃の範囲に変えたが、温度が高くなるほどＮ
ｉ含有量が若干多くなる程度で、特性そのものに影響す
るものではなかった。

【００９０】本実施例における磁性膜はインダクティブ
型薄膜磁気ヘッドの上部磁気コア，下部にＮｉ７０〜８
０重量％を含むＦｅ−Ｎｉ系合金を用いた組み合わせに
好適であるが、上下磁気コアの両者にも用いることがで
きる。

【００９１】特に、図１６に示すようにＮｉ４０〜５０
重量％でＢ_S で１.６Ｔ と最も高い値を示し、膜の（Ｎ
ｉ／Ｆｅ）比が０.６６７〜１.００のＮｉとＦｅとの組
み合わせを有するものが好ましい。尚、Ｎｉ３８〜６０
重量％における膜の（Ｎｉ／Ｆｅ）比は０.６１３〜１.
５０である。

【００９２】（実施例３）図１７は（Ｎｉ４４重量％−
Ｆｅ）系合金にＭｏを含有させた磁性膜の磁気特性と比
抵抗（ρ）についての検討結果である。

【００９３】即ち、Ｎｉ++量：１６.７ｇ／ｌ，Ｆｅ++
量：２.２ｇ／ｌを含むめっき浴に比抵抗（ρ）を増大
せしめる元素としてＭｏを添加した場合の磁性膜の磁気
特性と比抵抗（ρ）を示したものである。ＭｏはＮａ₂
ＭｏＯ₄・４Ｈ₂Ｏ を用い最大５ｇ／ｌ添加した。Ｍｏ
を添加することによって磁性膜の比抵抗（ρ）は添加量
に比例して増大することがわかる。例えば、Ｍｏ：２重
量％添加で磁性膜の比抵抗（ρ）はおよそ６０μΩcm以
上と８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ膜の３倍以上の値を示
す。その時、飽和磁束密度(Ｂ_S ）はおよそ１.５０Ｔと
５％程度の低下に止まり８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ膜の
１.５ 倍以上の値を維持している。但し、添加量が３重
量％以上（ＭｏはＮａ₂ＭｏＯ₄・４Ｈ₂Ｏ で５ｇ／ｌ以
上）になると保磁力（Ｈ_CH）が１Ｏｅ以上になること
と、飽和磁束密度（Ｂ_S ）が１.５Ｔ 以下となり好まし
くない。

【００９４】Ｍｏの替わりにＣｒについても検討したが
効果はＭｏとほぼ同様であった。

【００９５】本実施例における磁性膜も前述の実施例と
同様に用いることができる。

【００９６】（実施例４）図１８は（Ｎｉ４４重量％−
Ｆｅ）−Ｃｏ１５重量％−Ｍｏ磁性膜の磁気特性を損な
わずに飽和磁束密度（Ｂ_S ）と比抵抗（ρ）を更に増大
させるためにＣｏとＭｏを同じに添加した場合の検討結
果である。Ｃｏの添加にはＣｏＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏを用い、
Ｍｏの添加は実施例３同様Ｎａ₂ＭｏＯ₄・４Ｈ₂Ｏを用
いた。Ｃｏの添加量は１３重量％（ＣｏＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ
で１００ｇ／ｌ）一定とした場合の例で、これに対して
Ｍｏは４重量％まで添加した。その結果、Ｃｏを１３重
量％添加することで磁性膜の飽和磁束密度（Ｂ_S ）は
１.７８Ｔ とおよそ１０％増大するが、比抵抗（ρ）は
３５μΩcmとおよそ３０％も低減してしまう。従って、
Ｍｏを添加することによって比抵抗（ρ）は回復し、
２.５ 重量％添加で比抵抗（ρ）はおよそ５５μΩcmと
なり、逆に約２０％の増大を示す。その時、飽和磁束密
度（Ｂ_S ）は１.５５Ｔ とＣｏなしの膜に比べ高い値を
示す。また、Ｃｏの添加は膜の異方性磁界を増大させる
ので磁気特性的にも安定な方向にある。

【００９７】本実施例における磁性膜も前述と同様に適
用できる。

【００９８】（実施例５）図１９は実施例２〜４に示し
た製造方法によって作製した代表的な磁性膜の透磁率
（μ）の周波数特性を測定し、それぞれの１ＭＨｚのμ
の値で規格化した結果である。比較試料として８０Ｎｉ
−Ｆｅパーマロイについても測定した。膜厚はすべて３
μｍである。本実施例における比抵抗の４８〜６０μΩ
cmのものは透磁率（μ）の周波数（ｆ）に対する低下を
２５％（即ち、初期値の７５％）とした場合の周波数
（ｆ）は４０ＭＨｚ〜７０ＭＨｚとパーマロイの１５Ｍ
Ｈｚに比べおよそ３〜５倍に伸びており、周波数特性が
向上していることがわかる。

【００９９】（実施例６）図２０及び図２１は本発明に
係る磁性膜として実施例１と同様に上部及び下部磁性膜
に用いた２段巻きコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッド
の断面図である。

【０１００】図に示すように、この薄膜磁気ヘッド２１
０は、例えばパーマロイなどの磁性材料の２枚の層２１
２及び２１４から形成された下部及び上部磁性膜を含
む。層２１２及び２１４は、夫々整形層２１１及び２１
３を含む２段階で付着される。

【０１０１】これらの層２１２及び２１４は、物理的に
接触している後部ギャップ領域２１８と，磁気ギャップ
２２１を形成するため非磁性材料の薄膜２２０で隔てら
れている先端領域２１９とを除き、絶縁層２１５，１２
６及び２１７によって隔てられている。磁性体の層２１
２及び２１４間のスペースには、平坦な導電コイル222
が設けられる。コイル２２２は、絶縁材料の層２１５，
２１６及び２１７間に楕円形パターンで付着された２枚
の層中の複数巻２２３ａ乃至２２３ｎを有している。変
換用ギャップ２２１の端部は、上記の層を付着させてい
る非磁性体の基板２２４上に形成されたエア・ベアリン
グ面（ＡＢＳ）と一致する。変換用ギャップ２２１は、
回転する磁気ディスクなどの磁気記録媒体（図示せず）
とエア・ベアリング関係で相互作用する。ディスクが回
転するとき、そのヘッドはディスク記録面の非常に近く
でそのエア・ベアリング面（ＡＢＳ）を飛行する。

【０１０２】この薄膜磁気ヘッドを製造するには、磁極
片先端領域２１９の薄い付着層を与えるため、適当なマ
スクを用いて基板２２４上に磁性層２１２及び整形層２
１１を付着する。それから非磁性層２２０が、後部ギャ
ップ領域２１８の部分を除いて層２１１及び２１２上に
付着される。そして第１の絶縁層２１５が、磁気ギャッ
プ２２１のところを除き、層２２０の上方に付着され
る。連続的で平坦な導体の第１の層の楕円渦巻状の巻線
２２３ａ乃至２２３ｎが、例えば電気めっきにより絶縁
層２１５上に付着される。絶縁層２１６がコイルの第１
の層の上方に付着され、コイルの第２の層の巻線が付着
され、そのコイルの上方に絶縁層２１７が付着される。
それから、前述のとおり、磁性層２１２と物理的に接触
する後部ギャップ領域２１８のところを除き、磁性層２
１４が、絶縁されたコイルの上方に付着される。

【０１０３】磁極片の先端２１９は予め選択したほぼ一
定の幅Ｗを有する。この幅Ｗは、対応する回転可能な磁
気媒体上のトラックの幅とほぼ同じか少し狭い。磁極片
先端の選択した幅Ｗは磁極片先端を切取ることにより得
られ、その磁極片先端を切取るステップは、第２の磁性
層２１４のための整形層２１３を付着するステップの前
に行われる。このように工程を変えると、従来の工程よ
りもはるかに高い精度で磁極片先端の切取りが可能とな
る。

【０１０４】磁性層２１４を付着した後で且つ整形層２
１３を付着する前に、薄膜ヘッド・アセンブリをフォト
レジスト・マスク２３０で覆う。それからそのヘッドの
磁極片先端領域２１９のいずれかの側で、フォトレジス
ト・マスク中にウィンドウ（窓）２３２が形成される。
そのマスクされたヘッドは、イオン・ミリンダ工程を受
ける。その工程中、ヘツドのマスクしていない部分が食
刻され、磁極片先端を、図５に示すような所望の幅に切
取る。

【０１０５】イオン・ミリンダ工程は、その加工される
面に通常とほぼ同じ影響を及ぼし、これがフォトレジス
トのマスクとともに、マスクしていないヘッド構造をも
食刻させるようにする。これはまたヘッドから食刻され
た物質を、そのマスクの残りの部分上と、その前に食刻
されたヘッド構造とに再付着させる。この理由から、イ
オン・ミリング工程は２段階で実行される。第１のステ
ップでは、マスクしていないヘッド構造が磁性層１４，
非磁性ギャップ層２２０及び磁性層２１２を経て基板２
２４まで食刻される。この材料を完全に除去するため、
その第１のステップは、基板２２４中へ少し食刻し過ぎ
てしまう程度まで実行されるのが好ましい。このイオン
・ミリング工程中の第２のステップは、全ての再付着物
質を取除くために設けられ、例えば垂直に対し７５度〜
８０度といった大きな角度で実行される。イオン・ミリ
ング・ステップの好適な実施例では、一立方センチ当た
り約２ワットの電力密度で毎分約５５０Åというパーマ
ロイ磁性材料のための食刻速度が得られる。フォトレジ
ストが除去され、整形磁性層２１３が付着されて、薄膜
磁気ヘッドが完成される。

【０１０６】このフォトレジスト・マスクはイオン・ミ
リング工程中に食刻され、このヘッドの上部のレジスト
の厚さは、磁性層２１４の外形により、磁極片領域の上
方のフォトレジストの厚さよりも薄くなる。

【０１０７】本発明により製造される薄膜磁気ヘッド
は、一端に変換（トランスデューサ）用磁気ギャップと
他端に後部ギャップ領域とを有するヨーク構造であっ
て、そのヨーク構造の磁気ギャップと後部ギャップ領域
との間に付着された、磁気ヨークを付勢するための導電
コイルを有する上記ヨーク構造を２枚の磁性材料の層で
形成させた構成である。

【０１０８】本実施例で作製した薄膜磁気ヘッドを用い
て構成した磁気記憶装置について述べる。本実施例によ
る磁気ディスク装置は前述のように外径が約３.５ イン
チの磁気ディスク，ディスクを回転させるためのスピン
ドル，磁気ヘッドの位置決め機構，ハウジングを有す
る。磁気ヘッドは記録再生用に誘導型素子を用いた自己
記録再生型ヘッドで、トラック幅は５.０μｍ である。
ヘッドの上部及び下部磁性膜には飽和磁束密度が１.３
テスラで比抵抗ρ＝６０μΩcm，比透磁率μ＝１００
０，膜厚ｄ＝３μｍの(Ｎｉ４４重量％−Ｆｅ)−２重量
％Ｍｏ合金薄膜を用い、ギャップ長は０.４μｍ であ
る。なお、ヘッドの磁極には飽和磁束密度が１.６Ｔ の
同様のＮｉ−Ｆｅ系合金のめっき薄膜、あるいはＦｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ／Ａｌ₂Ｏ₃／Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ多層膜，Ｎｉ
−Ｆｅ薄膜中に粒径が２ｎｍ〜３ｎｍのＺｒＯ₂，Ｙ₂Ｏ
₃，ＴｉＯ₂，ＨｆＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃、あるいはＳｉＯ₂を含
む薄膜等を用いても同等の効果を得ることができる。な
お、磁性膜中の酸化物を混入させる場合、この粒径は
０.５ｎｍ〜５ｎｍ の間が望ましい。これは、この粒径
の範囲内において飽和磁束密度、あるいは軟磁気特性の
著しい低下を伴わずに磁性膜の比抵抗のみを高めること
ができるためである。なお、Ｆｅ−Ｎｉ合金薄膜に前述
のような酸化物を含有させることにより比抵抗は約６０
μΩcmまで増大するとともに、比透磁率は１０００前後
と良好な軟磁気特性を示す。一方、酸化物を含まないＮ
ｉＦｅ薄膜等をヘッドの記録磁極に適用する場合には、
比透磁率を５００以下にまで下げることで高周波特性を
改善することができる。ただし、この場合、ヘッドの記
録起磁力は０.５ＡＴ 以上に設定する必要がある。

【０１０９】磁気ディスク（１１）の記録層には、記録
ビット方向の保磁力が２１００エルステッド，保磁力配
向比が１.２ のＣｏＣｒＴａ（Ｃｒの添加量は１６ａｔ
％）が用いられている。この磁気ディスクにおける残留
磁束密度と膜厚との積Ｂｒ・δは３００ガウス・μｍで
ある。この記録媒体を用いることにより、線記録密度特
性の向上、および高線記録密度領域における媒体雑音を
大幅に低減することが可能となる。なお、媒体保磁力が
２００エルステッド以下であると、ビットエラーレート
が低減してしまい装置動作が不可能となる。

【０１１０】記録再生時におけるスピンドルの回転数は
４４９１rpm に設定されており、この時の磁気ディスク
上のデータ記憶領域最外周におけるヘッドの浮上量は0.
05μｍである。記録周波数は、データ記憶領域の最内周
から最外周にかけて各トラック上での線記録密度が等し
くなるように設定されており、最外周においては６７.
５ＭＨｚ に設定されている。

【０１１１】本実施例における磁気ディスク装置では、
各トラック上におけるデータの線記録密度は１４４ｋＢ
ＰＩ(kiro Bit Per Inch)、トラック密度は５ｋＴＰＩ
(kiloTrack Per Inch）に設定されており、面記録密度
は１平方インチ当たり７２０メガビットである。本実施
例では磁気ディスクを４枚用いており、装置のフォーマ
ット容量は２.８ ギガバイト、データの転送速度は１秒
間に１５メガバイトである。なお、本実施例では８／９
変換を用いてデータの記録を行っているが、従来の１−
７方式を用いてデータの記録を行っても、本実施例と同
等の性能を有する装置を構成することができる。ただ
し、この場合の記録周波数は４５ＭＨｚとなる。

【０１１２】本実施例により構成した磁気記憶装置の仕
様を表３に示す。

【０１１３】

【表３】

【０１１４】（実施例７）次に、ディスク径が２.５イ
ンチ，１.８インチ、および１.３ インチの磁気ディス
クを、本発明による磁気ヘッドと組み合わせて磁気記憶
装置を構成した結果について述べる。なお、本実施例で
用いた磁気ヘッド、および磁気ディスクは、実施例６で
用いたものと同じであり、各トラック上におけるデータ
の線記録密度は１４４ｋＢＰＩ、トラック密度は５ｋＴ
ＰＩに設定されている。なおスピンドルの回転数は、そ
れぞれのディスク径において転送速度が１５ＭＢ／sec
となるように設定している。また、実施例６で述べてい
るように、従来の１−７方式を用いてデータの記録を行
っても、本実施例と同等の性能を有する各装置を構成す
ることができる。ただし、この場合の記録周波数は４５
ＭＨｚとなる。各装置の仕様を表４〜表６に記す。

【０１１５】

【表４】

【０１１６】

【表５】

【０１１７】

【表６】

【０１１８】（実施例８）比抵抗ρ，膜厚ｄおよび比透
磁率μの異なる磁極を用いた２種類の誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを作製し、それぞれの記録磁界強度の周波数依存性
を電子線トモグラフィー法を用いて測定した。試作した
各ヘッドの磁極材料，磁極厚みｄ，比抵抗ρ、および１
ＭＨｚ以下の低周波領域における比透磁率μは表７に示
す通りである。

【０１１９】ヘッドＡは、磁極に膜厚３μｍの実施例１
に記載の組成を有するＮｉ−Ｆｅ合金単層膜を用いてい
る。ヘッドＢは実施例４と同様に膜厚２.２μｍ のＦｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ膜を、膜厚０.１μｍのＡｌ₂Ｏ₃ 中
間層を介して積層した磁極を用いている。よって、この
ヘッドの総磁極膜厚は４.５μｍ である。なお、ここで
用いたＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ／Ａｌ₂Ｏ₃／Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｍｏ多層膜は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ膜一層
の厚みが２.７μｍ 以上になると、記録周波数４５ＭＨ
ｚにおける磁界強度の減衰量が１０％以上に達し、記録
周波数に伴う書きにじみ量、オーバーライト膜の変動原
因となり望ましくない。本実施例では、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ膜一層の厚みを２.２μｍ に設定した。一方、ヘッド
Ｃは、磁極の下部磁性膜に膜厚が３μｍで比抵抗が９０
μΩcmのＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ非晶質単層膜を用いている。

【０１２０】

【表７】

【０１２１】規格化した記録磁界強度の周波数依存性の
測定結果から、ヘッド効率ηを算出した。Ｎｉ−Ｆｅ単
層膜を磁極とするヘッドＡは、１０ＭＨｚを超えたあた
りから記録磁界強度が低下していき、１００ＭＨｚにお
ける強度は、低周波領域における強度の６０％以下にま
で減衰している。一方、ヘッドＢは、透磁率および比抵
抗がヘッドＡに用いているＮｉＦｅ膜と同等のＦｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｍｏ膜を使用しているが、Ａｌ₂Ｏ₃絶縁層を
介して多層化しているため渦電流損失が大幅に緩和され
ている。このヘッドの場合、１００ＭＨｚにおける磁界
強度の減衰量は２０％程度と周波数特性が改善されてい
る。またヘッドＣは、１００ＭＨｚにおいても磁界強度
の減衰量はほぼ０と、優れた周波数特性が得られてい
る。

【０１２２】（実施例９）本実施例では、上部及び下部
磁性膜を以下の製法によって形成した。

【０１２３】Ｎｉ++量：１６.７ｇ／ｌ，Ｆｅ++量：２.
４ｇ／ｌを含み、その他通常の応力緩和剤，界面活性剤
を含んだめっき浴において、ｐＨ：３.０ ，めっき電流
密度：１５ｍＡ／cm² の条件でフレームめっきした上・
下部磁気コアを有する誘導型の薄膜磁気ヘッドを作製し
た。トラック幅は４.０μｍ、ギャップ長は０.４μｍで
ある。この磁性膜の組成は４２.４Ｎｉ−Ｆｅ(重量％）
であり、磁気特性は飽和磁束密度（Ｂ_S ）が１.６４
Ｔ，困難軸保磁力（Ｈ_CH）が０.５Ｏｅで比抵抗（ρ）
は４８.１μΩcm であった。

【０１２４】図２２は記録・再生分離型薄膜磁気ヘッド
の斜視図及び図２３は記録ヘッドの平面図である。上部
磁気コア３２０，上部シールド層を兼ねた下部磁気コア
321,コイル３２５を有し、この３つで記録ヘッドを構成
している。再生のための磁気抵抗効果型素子３２３，磁
気抵抗効果型素子３２３にセンス電流を流すための電極
３２４，下部シールド層３２２を有し、スライダ３２６
の構成を有する。

【０１２５】この誘導型の薄膜磁気ヘッドを実施例１に
示す磁気ディスク装置に搭載し、記録性能を評価した。
媒体は外径が３.５ インチ，保磁力が２５００Ｏｅであ
る。

【０１２６】このような構成で評価した本発明による記
録ヘッドの性能（オーバーライト特性）は４０ＭＨｚ以
上の高周波領域でも−５０ｄＢ程度の優れた記録性能が
得られた。

【０１２７】（実施例１０）本実施例における磁気記憶
装置は、図２２に示す記録には誘導型の記録ヘッドを用
い、再生に磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）を用いた記
録再生分離ヘッドを用いたものである。インダクティブ
型ヘッドの記録磁極の上部磁性膜を前述のように形成す
るとともに、もう一方の記録磁極を兼ねた上部シールド
層８１にはＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ膜一層の厚みを２.２μｍ
としたＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ／Ａｌ₂Ｏ₃／Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ
多層膜を用いている。なお、Ａｌ₂Ｏ₃ 中間層の厚みは
０.１μｍ、記録磁極のトラック幅は３μｍとした。下
部シールド層８２には厚みが１μｍのＮｉ−Ｆｅ合金を
用いた。磁気抵抗効果型素子８６には厚みが１５ｎｍの
Ｎｉ−Ｆｅ合金を用いており、これをソフトフィルムバ
イアス方式を利用して駆動している。なお、磁気抵抗効
果型素子８６にはＮｉ−Ｆｅ合金のかわりにＮｉ−Ｆｅ
層，Ｃｕ層，Ｃｏ層、およびＮｉ−Ｏ系，Ｆｅ−Ｍｎ
系、あるいはＣｒ−Ｍｎ系の反強磁性膜からなるスピン
バルブ型素子、あるいはＣｏ−Ａｇ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｎｉ
Ｆｅ−Ａｇ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｆｅ−Ａｇなどの合金系巨大
磁気抵抗効果素子、あるいはＣｏ／Ｃｒ，Ｆｅ／Ｃｒ，
Ｃｏ／Ｃｕ，ＮｉＦｅ／Ｃｕ系の多層膜系巨大磁気抵抗
効果素子を用いることもできる。

【０１２８】本実施例により構成した磁気記憶装置は前
述の表２と同様の仕様が達成できるものである。

【０１２９】

【発明の効果】本発明によれば、特定の組成で、低コス
トなフレームめっき法により、高保磁力媒体に対して
も、かつ、高周波領域でも十分記録可能な記録ヘッドメ
ディア転送速度１５ＭＢ／ｓ以上を確保し、記録周波数
４５ＭＨｚ以上，磁気ディスクを４０００rpm 以上の高
速で回転させることによりデータの高速転送，アクセス
時間の短縮，記憶容量の増大が可能となる高記録密度磁
気記憶装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録装置の斜視図。

【図２】磁気記録装置の断面図。

【図３】磁気記録装置の正面図。

【図４】磁気記録装置の平面図。

【図５】磁気ヘッドと支持装置の組立図。

【図６】磁気ヘッドと支持装置の組立図。

【図７】薄膜磁気ヘッドが設けられたスライダの斜視
図。

【図８】記録再生分離型薄膜磁気ヘッドの斜視図。

【図９】周波数とオーバーライトとの関係を示す線図。

【図１０】結晶粒径と困難軸方向での保磁力との関係を
示す線図。

【図１１】誘導型薄膜磁気ヘッドの断面図。

【図１２】誘導型薄膜磁気ヘッドの平面図。

【図１３】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの膜構成を示
す平面図。

【図１４】磁気抵抗効果型ヘッドの膜構成を示す図。

【図１５】磁気抵抗効果型ヘッドの膜構成を示す図。

【図１６】Ｎｉ量又は（Ｎｉ／Ｆｅ）比とＢ_S ，ρ及び
Ｈ_CHとの関係を示す線図。

【図１７】Ｍｏ量とＢ_S ，ρ及びＨ_CHとの関係を示す線
図。

【図１８】Ｍｏ量とＢ_S ，ρ及びＨ_CHとの関係を示す線
図。

【図１９】周波数と（μｆ／μ１ＭＨｚ）との関係を示
す線図。

【図２０】薄膜磁気ヘッドの平面図。

【図２１】薄膜磁気ヘッドの断面図。

【図２２】記録再生分離型薄膜磁気ヘッドの斜視図。

【図２３】誘導型薄膜磁気ヘッドの平面図。

【符号の説明】

１…磁気ディスク、２…薄膜磁気ヘッド、３…ジンバル
系支持装置、４…位置決め装置、２５…スライダ、８０
…基体（スライダ）、８１，３２１…上部シールド膜、
８２，３２２…下部シールド膜、８３，３２０…上部磁
性膜、８４…下部磁性膜、８５，３２４…電極、８６，
１１０，３２３…磁気抵抗効果膜、８７，２２２，３２
５…コイル、８８，２２１…磁気ギャップ、８９…絶縁
体、９０…バック・ギャップ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳴海 俊一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 川辺 隆 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 ▲高▼野 公史 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山本 久乃 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 益田 賢三 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】情報を記録する薄膜磁気ディスクと，該薄
   膜磁気ディスクの回転手段と，浮動型スライダに設けら
   れ情報の書き込みと読み出しとを行う薄膜磁気ヘッド
   と，前記浮動型スライダを支持し薄膜磁気ディスクに対
   してアクセスする移動手段とを具備した磁気記憶装置に
   おいて、前記薄膜磁気ヘッドの前記書き込み用磁気コア
   の上部磁気コア及び下部磁気コアの少なくとも一方は平
   均結晶粒径が５００Å以下，室温の比抵抗が４０μΩcm
   以上及び困難軸方向の保磁力が１.０Ｏｅ 以下である金
   属磁性材よりなることを特徴とする磁気記憶装置。
2. 【請求項２】情報を記録する薄膜磁気ディスクと，該薄
   膜磁気ディスクの回転手段と，浮動型スライダに設けら
   れ情報の書き込みと読み出しとを行う薄膜磁気ヘッド
   と，前記浮動型スライダを支持し薄膜磁気ディスクに対
   してアクセスする移動手段とを具備した磁気記憶装置に
   おいて、前記薄膜磁気ヘッドの前記書き込み用磁気コア
   の上部磁気コア及び下部磁気コアの少なくとも一方は重
   量でＮｉ３８〜６０重量％、Ｆｅ４０〜６２重量％、Ｃ
   ｏ１５重量％以下及びＭｏ，Ｃｒ，Ｐｄ，ＢあるいはＩ
   ｎの１種以上を総量で３重量％以下を含む合金薄膜より
   なることを特徴とする磁気記憶装置。
3. 【請求項３】メディア転送速度が１秒間当たり１５メガ
   バイト以上，記録データの面記録密度が１平方インチ当
   たり５００メガビット以上及び情報の記憶媒体が直径
   ３.５インチ以下の円盤状磁気ディスクを具備した磁気
   記憶装置において、前記磁気ディスクが記録・再生時に
   ４０００rpm 以上で回転し、記録周波数が４５ＭＨｚ以
   上であり、前記記録を行う薄膜磁気ヘッドの少なくとも
   上部磁気コアは、重量でＮｉ３８〜６０重量％及びＦｅ
   ４０〜６２重量％を有するＮｉ−Ｆｅ系合金からなるこ
   とを特徴とする磁気記憶装置。
4. 【請求項４】前記磁気コアは、その膜厚が１〜５μｍ，
   平均結晶粒径が５００Å以下，比抵抗が４０〜６０μΩ
   cm，困難軸方向の保磁力が１.０Ｏｅ 以下及び、該記録
   用磁気ヘッドの記録起磁力が０.５ アンペア・ターン以
   上であることを特徴とする請求項２または３記載の磁気
   記憶装置。
5. 【請求項５】前記磁気コアは、重量でＣｏ１５重量％以
   下及びＭｏ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｂ及びＩｎの１種以上を総量
   で３重量％以下の少なくとも一方を含むことを特徴とす
   る請求項１または３記載の磁気記憶装置。