JP2001157438A - 昇圧回路およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
昇圧回路およびそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一つの回路構成及びレイアウトで、高い電源
電圧では低消費電力と高信頼性を実現し、低い電源電圧
でも所望の昇圧電圧を発生可能な昇圧回路を提供する。 【解決手段】 供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路１１と、ポンプ回路に供給され
る電源電圧を検知する電源電圧検知回路１５と、電源電
圧検知回路による検知結果に応じて、ポンプ回路の段数
を切り替える段数切替回路１６とを備えた。
電圧では低消費電力と高信頼性を実現し、低い電源電圧
でも所望の昇圧電圧を発生可能な昇圧回路を提供する。 【解決手段】 供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路１１と、ポンプ回路に供給され
る電源電圧を検知する電源電圧検知回路１５と、電源電
圧検知回路による検知結果に応じて、ポンプ回路の段数
を切り替える段数切替回路１６とを備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に適用
すると有効な昇圧回路に関する。
すると有効な昇圧回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（ａ）は、従来の昇圧回路の構成を
示す回路図である。図５（ａ）において、５１はポンプ
（ＰＵＭＰ）回路、５２は電圧をポンプアップするのに
必要な複数のクロックを発生するクロック発生回路、５
３は容量、５４は昇圧した電圧を所望の電圧レベルにク
ランプするクランプダイオード、５６１、５６２、５６
３、５６４はＮチャンネルトランジスタを示している。
図５（ｂ）は、クロック発生回路５２から出力されるク
ロックＦ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４のタイミングチャートで
ある。
示す回路図である。図５（ａ）において、５１はポンプ
（ＰＵＭＰ）回路、５２は電圧をポンプアップするのに
必要な複数のクロックを発生するクロック発生回路、５
３は容量、５４は昇圧した電圧を所望の電圧レベルにク
ランプするクランプダイオード、５６１、５６２、５６
３、５６４はＮチャンネルトランジスタを示している。
図５（ｂ）は、クロック発生回路５２から出力されるク
ロックＦ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４のタイミングチャートで
ある。
【０００３】次に、上記構成を有する昇圧回路におい
て、昇圧電圧を生成する動作について説明する。
て、昇圧電圧を生成する動作について説明する。
【０００４】クロック発生回路５２から出力されるクロ
ックＦ４を立ち下げることで、Ｎチャンネルトランジス
タ５６１をオフ状態にする。次に、クロックＦ１を立ち
上げることで、Ｎチャンネルトランジスタ５６４のゲー
ト電圧を立ち上げて、Ｎチャンネルトランジスタ５６１
のゲートに電荷を供給する。次に、クロックＦ３を立ち
下げることで、Ｎチャンネルトランジスタ５６２をオフ
状態にし、その後クロックＦ２を立ち上げることで、Ｎ
チャンネルトランジスタ５６３のゲート電圧を立ち上げ
る。
ックＦ４を立ち下げることで、Ｎチャンネルトランジス
タ５６１をオフ状態にする。次に、クロックＦ１を立ち
上げることで、Ｎチャンネルトランジスタ５６４のゲー
ト電圧を立ち上げて、Ｎチャンネルトランジスタ５６１
のゲートに電荷を供給する。次に、クロックＦ３を立ち
下げることで、Ｎチャンネルトランジスタ５６２をオフ
状態にし、その後クロックＦ２を立ち上げることで、Ｎ
チャンネルトランジスタ５６３のゲート電圧を立ち上げ
る。
【０００５】この時、クロックＦ３が立ち下がっている
ため、Ｎチャンネルトランジスタ５６２からの電荷の逆
流はない。次に、クロックＦ２を立ち下げ、Ｎチャンネ
ルトランジスタ５６３をオフ状態にした後、クロックＦ
３を立ち上げると電源電圧ＶＤＤが昇圧される。
ため、Ｎチャンネルトランジスタ５６２からの電荷の逆
流はない。次に、クロックＦ２を立ち下げ、Ｎチャンネ
ルトランジスタ５６３をオフ状態にした後、クロックＦ
３を立ち上げると電源電圧ＶＤＤが昇圧される。
【０００６】更に、クロックＦ１を立ち下げてＮチャン
ネルトランジスタ５６４をオフ状態にした後にクロック
Ｆ４を立ち上げると、Ｎチャンネルトランジスタ５６１
が前記昇圧電圧によってオン状態になり、この昇圧電圧
が次段へ伝えられる。
ネルトランジスタ５６４をオフ状態にした後にクロック
Ｆ４を立ち上げると、Ｎチャンネルトランジスタ５６１
が前記昇圧電圧によってオン状態になり、この昇圧電圧
が次段へ伝えられる。
【０００７】以上の動作が繰り返されることで、最終段
において所望の昇圧電圧が生成される。
において所望の昇圧電圧が生成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記昇圧電圧の大きさ
は、ＰＵＭＰ回路５１の段数に比例することになる。例
えば、ｎ段から構成されるＰＵＭＰ回路５１の昇圧電圧
は、電源電圧をＶＤＤ、Ｎチャンネルトランジスタの閾
値電圧をＶｔとすると、（ＶＤＤ−Ｖｔ）×ｎで表され
る。従って、電源電圧が低い場合は、所望の昇圧電圧を
得るために、ＰＵＭＰ回路５１の段数を多くする必要が
ある。また、ＰＵＭＰ回路５１の昇圧効率をアップする
には、クロック発生回路５２のクロック周波数を高くす
る必要がある。
は、ＰＵＭＰ回路５１の段数に比例することになる。例
えば、ｎ段から構成されるＰＵＭＰ回路５１の昇圧電圧
は、電源電圧をＶＤＤ、Ｎチャンネルトランジスタの閾
値電圧をＶｔとすると、（ＶＤＤ−Ｖｔ）×ｎで表され
る。従って、電源電圧が低い場合は、所望の昇圧電圧を
得るために、ＰＵＭＰ回路５１の段数を多くする必要が
ある。また、ＰＵＭＰ回路５１の昇圧効率をアップする
には、クロック発生回路５２のクロック周波数を高くす
る必要がある。
【０００９】しかしながら、電源電圧が高い場合は、Ｐ
ＵＭＰ回路５１の段数が多いと、所望の電圧レベル以上
にまで昇圧され、無駄な電圧が発生してしまう。
ＵＭＰ回路５１の段数が多いと、所望の電圧レベル以上
にまで昇圧され、無駄な電圧が発生してしまう。
【００１０】また、電源電圧が高く、クロック発生回路
５２の周波数が高いと、ＰＵＭＰ回路５１は無駄な電流
供給能力を持ってしまう。こうなると、消費電力の浪費
も多くなってしまう。
５２の周波数が高いと、ＰＵＭＰ回路５１は無駄な電流
供給能力を持ってしまう。こうなると、消費電力の浪費
も多くなってしまう。
【００１１】更に、ＰＵＭＰ回路５１が無駄な高電圧や
電流供給能力を持つと、昇圧電圧を所望の電圧レベルに
クランプするためにＰＵＭＰ回路５１の最終段に設けら
れるクランプダイオードに流す電流が増大し、クランプ
ダイオードの信頼性にも悪影響を及ぼしてしまう。
電流供給能力を持つと、昇圧電圧を所望の電圧レベルに
クランプするためにＰＵＭＰ回路５１の最終段に設けら
れるクランプダイオードに流す電流が増大し、クランプ
ダイオードの信頼性にも悪影響を及ぼしてしまう。
【００１２】よって、本発明の目的は、一つの回路構成
及びレイアウトで、高い電源電圧では低消費電力を実現
し低い電源電圧でも所望の昇圧電圧を発生可能な、つま
り広範囲の電源電圧で使用できると共に、低消費電力と
高信頼性を実現した昇圧回路を提供することにある。
及びレイアウトで、高い電源電圧では低消費電力を実現
し低い電源電圧でも所望の昇圧電圧を発生可能な、つま
り広範囲の電源電圧で使用できると共に、低消費電力と
高信頼性を実現した昇圧回路を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明の第１の昇圧回路は、供給される電源電圧を
それ以上の電圧にまで昇圧するポンプ回路と、前記ポン
プ回路に供給される電源電圧を検知する電源電圧検知回
路と、前記電源電圧検知回路による検知結果に応じて、
前記ポンプ回路の段数を切り替える段数切替回路とを備
えたことを特徴とする。
め、本発明の第１の昇圧回路は、供給される電源電圧を
それ以上の電圧にまで昇圧するポンプ回路と、前記ポン
プ回路に供給される電源電圧を検知する電源電圧検知回
路と、前記電源電圧検知回路による検知結果に応じて、
前記ポンプ回路の段数を切り替える段数切替回路とを備
えたことを特徴とする。
【００１４】前記第１の昇圧回路は、クロック信号を発
生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回路を備
え、前記クロック発生回路は、前記電源電圧検知回路に
よる検知結果に応じて、前記ポンプ回路の所定段へのク
ロック信号の供給を停止することが好ましい。
生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回路を備
え、前記クロック発生回路は、前記電源電圧検知回路に
よる検知結果に応じて、前記ポンプ回路の所定段へのク
ロック信号の供給を停止することが好ましい。
【００１５】前記第１の昇圧回路によれば、電源電圧が
高い場合には、段数切替回路によりポンプ回路の有効な
段数が少なくなるように切替えると共に、クロック発生
回路によりポンプ回路に供給するクロック信号数が少な
くなるように切替えて、所定の段数分だけポンプ回路の
動作を停止することで、ポンプ回路が無駄な昇圧電圧を
発生するのを防止することができ、これにより消費電力
を低減することが可能になる。
高い場合には、段数切替回路によりポンプ回路の有効な
段数が少なくなるように切替えると共に、クロック発生
回路によりポンプ回路に供給するクロック信号数が少な
くなるように切替えて、所定の段数分だけポンプ回路の
動作を停止することで、ポンプ回路が無駄な昇圧電圧を
発生するのを防止することができ、これにより消費電力
を低減することが可能になる。
【００１６】また、電源電圧が低い場合には、段数切替
回路によりポンプ回路の有効な段数が多くなるように切
替えると共に、クロック発生回路によりポンプ回路に供
給するクロック信号数が多くなるように切替えて、ポン
プ回路の動作段数を増大させることで、一つの回路構成
及びレイアウトで所望の昇圧電圧を生成することができ
る。
回路によりポンプ回路の有効な段数が多くなるように切
替えると共に、クロック発生回路によりポンプ回路に供
給するクロック信号数が多くなるように切替えて、ポン
プ回路の動作段数を増大させることで、一つの回路構成
及びレイアウトで所望の昇圧電圧を生成することができ
る。
【００１７】前記の目的を達成するため、本発明の第２
の昇圧回路は、供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路に供給され
る電源電圧を検知する電源電圧検知回路と、クロック信
号を発生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回
路と、前記電源電圧検知回路による検知結果に応じて、
前記クロック信号の周波数を切り替える周波数切替回路
とを備えたことを特徴とする。
の昇圧回路は、供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路に供給され
る電源電圧を検知する電源電圧検知回路と、クロック信
号を発生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回
路と、前記電源電圧検知回路による検知結果に応じて、
前記クロック信号の周波数を切り替える周波数切替回路
とを備えたことを特徴とする。
【００１８】前記第２の昇圧回路によれば、電源電圧が
高い場合には、クロック発生回路によりポンプ回路に供
給するクロック信号の周波数が低くなるように切替える
ことで、ポンプ回路が無駄な電流を供給するのを防止す
ることができ、これにより消費電力を低減することが可
能になる。
高い場合には、クロック発生回路によりポンプ回路に供
給するクロック信号の周波数が低くなるように切替える
ことで、ポンプ回路が無駄な電流を供給するのを防止す
ることができ、これにより消費電力を低減することが可
能になる。
【００１９】また、電源電圧が低い場合には、クロック
発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号の周
波数が高くなるように切替えることで、一つの回路構成
及びレイアウトで所望の電流供給能力を確保することが
できる。
発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号の周
波数が高くなるように切替えることで、一つの回路構成
及びレイアウトで所望の電流供給能力を確保することが
できる。
【００２０】前記の目的を達成するため、本発明の第３
の昇圧回路は、供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路の出力電圧
を一定の電圧レベルにクランプするクランプダイオード
と、前記クランプダイオードに流れる電流を検知する電
流検知回路と、前記電流検知回路による検知結果に応じ
て、前記ポンプ回路の段数を切り替える段数切替回路と
を備えたことを特徴とする。
の昇圧回路は、供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路の出力電圧
を一定の電圧レベルにクランプするクランプダイオード
と、前記クランプダイオードに流れる電流を検知する電
流検知回路と、前記電流検知回路による検知結果に応じ
て、前記ポンプ回路の段数を切り替える段数切替回路と
を備えたことを特徴とする。
【００２１】前記第３の昇圧回路は、クロック信号を発
生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回路を備
え、前記クロック発生回路は、前記電流検知回路による
検知結果に応じて、前記ポンプ回路の所定段へのクロッ
ク信号の供給を停止することが好ましい。
生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回路を備
え、前記クロック発生回路は、前記電流検知回路による
検知結果に応じて、前記ポンプ回路の所定段へのクロッ
ク信号の供給を停止することが好ましい。
【００２２】前記第３の昇圧回路によれば、必要以上の
電流がクランプダイオードに流れた場合には、段数切替
回路によりポンプ回路の有効な段数が少なくなるように
切替えると共に、クロック発生回路によりポンプ回路に
供給するクロック信号数が少なくなるように切替えて、
所定の段数分だけポンプ回路の動作を停止することで、
ポンプ回路が無駄な昇圧電圧を発生するのを防止すると
共に、ポンプ回路が無駄な電流を供給するのを防止する
ことができ、これにより消費電力を低減することが可能
になると共に、クランプダイオードに流す電流も抑える
ことができるため、信頼性が向上する。
電流がクランプダイオードに流れた場合には、段数切替
回路によりポンプ回路の有効な段数が少なくなるように
切替えると共に、クロック発生回路によりポンプ回路に
供給するクロック信号数が少なくなるように切替えて、
所定の段数分だけポンプ回路の動作を停止することで、
ポンプ回路が無駄な昇圧電圧を発生するのを防止すると
共に、ポンプ回路が無駄な電流を供給するのを防止する
ことができ、これにより消費電力を低減することが可能
になると共に、クランプダイオードに流す電流も抑える
ことができるため、信頼性が向上する。
【００２３】前記の目的を達成するため、本発明の第４
の昇圧回路は、供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、クロック信号を発生して前
記ポンプ回路に供給するクロック発生回路と、前記ポン
プ回路の出力電圧を一定の電圧レベルにクランプするク
ランプダイオードと、前記クランプダイオードに流れる
電流を検知する電流検知回路と、前記電流検知回路によ
る検知結果に応じて、前記クロック信号の周波数を切り
替える周波数切替回路とを備えたことを特徴とする。
の昇圧回路は、供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、クロック信号を発生して前
記ポンプ回路に供給するクロック発生回路と、前記ポン
プ回路の出力電圧を一定の電圧レベルにクランプするク
ランプダイオードと、前記クランプダイオードに流れる
電流を検知する電流検知回路と、前記電流検知回路によ
る検知結果に応じて、前記クロック信号の周波数を切り
替える周波数切替回路とを備えたことを特徴とする。
【００２４】前記第４の昇圧回路によれば、必要以上の
電流がクランプダイオードに流れた場合には、クロック
発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号の周
波数が低くなるように切替えることで、ポンプ回路が無
駄な電流を供給するのを防止することができ、これによ
り消費電力を低減することが可能になると共に、クラン
プダイオードに流す電流も抑えることができるため、信
頼性が向上する。
電流がクランプダイオードに流れた場合には、クロック
発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号の周
波数が低くなるように切替えることで、ポンプ回路が無
駄な電流を供給するのを防止することができ、これによ
り消費電力を低減することが可能になると共に、クラン
プダイオードに流す電流も抑えることができるため、信
頼性が向上する。
【００２５】前記の目的を達成するため、本発明の半導
体装置は、前記第１から第４の昇圧回路を備えたことを
特徴とする。
体装置は、前記第１から第４の昇圧回路を備えたことを
特徴とする。
【００２６】この半導体装置によれば、前記第１から第
４の昇圧回路の作用効果に加えて、特に第３および第４
の昇圧回路を備えた半導体メモリ装置において、例え
ば、スタンバイモード時や消去禁止（Erase Inhibit）
モード時といったようなポンプ回路を動作させながらポ
ンプ回路の出力電圧を他の回路に供給しない場合に、従
来のように、ポンプ回路によって生成された電流が全て
クランプダイオードに流れてしまうのではなく、電流検
知回路を備えることで、クランプダイオードに流れる電
流を削減することができるため、半導体装置の信頼性を
向上させることが可能になる。
４の昇圧回路の作用効果に加えて、特に第３および第４
の昇圧回路を備えた半導体メモリ装置において、例え
ば、スタンバイモード時や消去禁止（Erase Inhibit）
モード時といったようなポンプ回路を動作させながらポ
ンプ回路の出力電圧を他の回路に供給しない場合に、従
来のように、ポンプ回路によって生成された電流が全て
クランプダイオードに流れてしまうのではなく、電流検
知回路を備えることで、クランプダイオードに流れる電
流を削減することができるため、半導体装置の信頼性を
向上させることが可能になる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００２８】［実施の形態１］図１は、本発明の実施の
形態１による昇圧回路の構成を示す回路図である。図１
において、１１はポンプ（ＰＵＭＰ）回路、１２１、１
２２は電源電圧ＶＤＤをポンプアップするためのクロッ
ク信号を発生するクロック発生回路、１３は容量、１４
は昇圧した電圧を所望の電圧レベルにクランプするクラ
ンプダイオード、１５は電源電圧を検知する電源電圧検
知回路、１６はＰＵＭＰ回路の段数を切り替えるＮチャ
ンネルトランジスタ（段数切替回路）である。
形態１による昇圧回路の構成を示す回路図である。図１
において、１１はポンプ（ＰＵＭＰ）回路、１２１、１
２２は電源電圧ＶＤＤをポンプアップするためのクロッ
ク信号を発生するクロック発生回路、１３は容量、１４
は昇圧した電圧を所望の電圧レベルにクランプするクラ
ンプダイオード、１５は電源電圧を検知する電源電圧検
知回路、１６はＰＵＭＰ回路の段数を切り替えるＮチャ
ンネルトランジスタ（段数切替回路）である。
【００２９】使用する電源電圧ＶＤＤが、例えば、５Ｖ
といったような高い電圧である場合、電源電圧検知回路
１５が電源電圧を検知することによって、電源電圧検知
回路１５のＮチャンネルトランジスタ１６のゲートへの
出力は論理「Ｈ」となり、Ｎチャンネルトランジスタ１
６はオン状態になって、電源電圧がＮチャンネルトラン
ジスタ１６を介してＮチャンネルトランジスタ１７１に
供給される。これにより、ＰＵＭＰ回路１１のＮチャン
ネルトランジスタ１７１以降の後段のみがポンプアップ
動作を行い、Ｎチャンネルトランジスタ１６が接続され
たＰＵＭＰ回路１１の前段はポンプアップ動作から切り
離される。
といったような高い電圧である場合、電源電圧検知回路
１５が電源電圧を検知することによって、電源電圧検知
回路１５のＮチャンネルトランジスタ１６のゲートへの
出力は論理「Ｈ」となり、Ｎチャンネルトランジスタ１
６はオン状態になって、電源電圧がＮチャンネルトラン
ジスタ１６を介してＮチャンネルトランジスタ１７１に
供給される。これにより、ＰＵＭＰ回路１１のＮチャン
ネルトランジスタ１７１以降の後段のみがポンプアップ
動作を行い、Ｎチャンネルトランジスタ１６が接続され
たＰＵＭＰ回路１１の前段はポンプアップ動作から切り
離される。
【００３０】それと同時に、電源電圧検知回路１５がク
ロック発生回路Ａ１２１への出力を論理「Ｌ」にするこ
とで、クロック発生回路Ａ１２１から、切り離したＰＵ
ＭＰ回路１１の前段へのクロック信号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ
３、Ｆ４の供給が停止される。ここで、電源電圧検知回
路１５はクロック発生回路Ｂ１２２への出力を論理
「Ｈ」状態に保ち、クロック発生回路Ｂ１２２からは、
従来例のように、クロック信号Ｆ１Ａ、Ｆ２Ａ、Ｆ３
Ａ、Ｆ４ＡがＰＵＭＰ回路１１に供給される。
ロック発生回路Ａ１２１への出力を論理「Ｌ」にするこ
とで、クロック発生回路Ａ１２１から、切り離したＰＵ
ＭＰ回路１１の前段へのクロック信号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ
３、Ｆ４の供給が停止される。ここで、電源電圧検知回
路１５はクロック発生回路Ｂ１２２への出力を論理
「Ｈ」状態に保ち、クロック発生回路Ｂ１２２からは、
従来例のように、クロック信号Ｆ１Ａ、Ｆ２Ａ、Ｆ３
Ａ、Ｆ４ＡがＰＵＭＰ回路１１に供給される。
【００３１】このように、電源電圧が５Ｖと高い場合、
ＰＵＭＰ回路１１の有効な段数を減少させることがで
き、無駄な昇圧電圧が発生するのを防止すると共に、ク
ランプダイオード１４に無駄な電流が流れるのを防止す
ることが出来る。
ＰＵＭＰ回路１１の有効な段数を減少させることがで
き、無駄な昇圧電圧が発生するのを防止すると共に、ク
ランプダイオード１４に無駄な電流が流れるのを防止す
ることが出来る。
【００３２】一方、使用する電源電圧ＶＤＤが、例え
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
源電圧検知回路１５のＮチャンネルトランジスタ１６の
ゲートへの出力は論理「Ｌ」となり、Ｎチャンネルトラ
ンジスタ１６はオフ状態になる。これにより、ＰＵＭＰ
回路１１の段数は従来例のようになり、Ｎチャンネルト
ランジスタ１６が接続されたＰＵＭＰ回路１１の前段と
後段の両方がポンプアップ動作を行い、ＰＵＭＰ回路１
１は所望の昇圧電圧を生成することになる。
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
源電圧検知回路１５のＮチャンネルトランジスタ１６の
ゲートへの出力は論理「Ｌ」となり、Ｎチャンネルトラ
ンジスタ１６はオフ状態になる。これにより、ＰＵＭＰ
回路１１の段数は従来例のようになり、Ｎチャンネルト
ランジスタ１６が接続されたＰＵＭＰ回路１１の前段と
後段の両方がポンプアップ動作を行い、ＰＵＭＰ回路１
１は所望の昇圧電圧を生成することになる。
【００３３】このように、本実施の形態によれば、電源
電圧が高い場合にはＰＵＭＰ回路１１の有効な段数を減
らすことができるため、低消費電力を実現すると共にク
ランプダイオード１４の高信頼性も確保することができ
る。また、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇
圧電圧を確保することができる。つまり、一つの回路構
成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消費電力及び
高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使用できる昇
圧回路を提供することができる。
電圧が高い場合にはＰＵＭＰ回路１１の有効な段数を減
らすことができるため、低消費電力を実現すると共にク
ランプダイオード１４の高信頼性も確保することができ
る。また、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇
圧電圧を確保することができる。つまり、一つの回路構
成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消費電力及び
高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使用できる昇
圧回路を提供することができる。
【００３４】［実施の形態２］図２は、本発明の実施の
形態２による昇圧回路の構成を示す回路図である。図２
において、２１はＰＵＭＰ回路、２２は電源電圧ＶＤＤ
をポンプアップするためのクロック信号を発生すると共
に、クロック信号の周波数を切替えるクロック発生回路
（周波数切替回路）、２３は容量、２４は昇圧した電圧
を所望の電圧レベルにクランプするクランプダイオー
ド、２５は電源電圧を検知する電源電圧検知回路であ
る。
形態２による昇圧回路の構成を示す回路図である。図２
において、２１はＰＵＭＰ回路、２２は電源電圧ＶＤＤ
をポンプアップするためのクロック信号を発生すると共
に、クロック信号の周波数を切替えるクロック発生回路
（周波数切替回路）、２３は容量、２４は昇圧した電圧
を所望の電圧レベルにクランプするクランプダイオー
ド、２５は電源電圧を検知する電源電圧検知回路であ
る。
【００３５】使用する電源電圧ＶＤＤが、例えば、５Ｖ
といったような高い電圧である場合、電源電圧検知回路
２５が電源電圧を検知することによって、電源電圧検知
回路２５のクロック発生回路２２への出力が論理「Ｈ」
となり、クロック発生回路２２の周波数を、例えば１／
２に落とすことで、クランプダイオード２４に流れる無
駄な電流を抑えることができる。
といったような高い電圧である場合、電源電圧検知回路
２５が電源電圧を検知することによって、電源電圧検知
回路２５のクロック発生回路２２への出力が論理「Ｈ」
となり、クロック発生回路２２の周波数を、例えば１／
２に落とすことで、クランプダイオード２４に流れる無
駄な電流を抑えることができる。
【００３６】一方、使用する電源電圧ＶＤＤが、例え
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
源電圧検知回路２５のクロック発生回路２２への出力が
論理「Ｌ」になるため、クロック発生回路２２の周波数
は元に戻り、ＰＵＭＰ回路２１は必要な電流供給能力を
確保することができる。
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
源電圧検知回路２５のクロック発生回路２２への出力が
論理「Ｌ」になるため、クロック発生回路２２の周波数
は元に戻り、ＰＵＭＰ回路２１は必要な電流供給能力を
確保することができる。
【００３７】このように、本実施の形態によれば、電源
電圧が高い場合には、クロック発生回路２２の周波数を
低くすることができるため、低消費電力を実現すると共
にクランプダイオード２４の高信頼性も確保できる。ま
た、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇圧電圧
及び電流供給能力を確保することができる。つまり、一
つの回路構成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消
費電力及び高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使
用できる昇圧回路を提供することができる。
電圧が高い場合には、クロック発生回路２２の周波数を
低くすることができるため、低消費電力を実現すると共
にクランプダイオード２４の高信頼性も確保できる。ま
た、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇圧電圧
及び電流供給能力を確保することができる。つまり、一
つの回路構成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消
費電力及び高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使
用できる昇圧回路を提供することができる。
【００３８】［実施の形態３］図３は、本発明の実施の
形態３による昇圧回路の構成を示す回路図である。図３
において、３１はＰＵＭＰ回路、３２１、３２２は電源
電圧ＶＤＤをポンプアップするためのクロック信号を発
生するクロック発生回路、３３は容量、３４は昇圧した
電圧を所望の電圧レベルにクランプするクランプダイオ
ード、３５はクランプダイオード３４に流れる電流を検
知する電流検知回路、３６はＰＵＭＰ回路３１の段数を
切り替えるＮチャンネルトランジスタ（段数切替回路）
である。
形態３による昇圧回路の構成を示す回路図である。図３
において、３１はＰＵＭＰ回路、３２１、３２２は電源
電圧ＶＤＤをポンプアップするためのクロック信号を発
生するクロック発生回路、３３は容量、３４は昇圧した
電圧を所望の電圧レベルにクランプするクランプダイオ
ード、３５はクランプダイオード３４に流れる電流を検
知する電流検知回路、３６はＰＵＭＰ回路３１の段数を
切り替えるＮチャンネルトランジスタ（段数切替回路）
である。
【００３９】使用する電源電圧ＶＤＤが、例えば、５Ｖ
といったような高い電圧である場合、クランプダイオー
ド３４に流れる電流量は必要な電流能力以上になってし
まう。そこで、必要な電流量以上にクランプダイオード
３４に電流が流れるのを電流検知回路３５が検知して、
論理「Ｈ」をＮチャンネルトランジスタ３６のゲートに
供給することにより、Ｎチャンネルトランジスタ３６が
オン状態になって、電源電圧ＶＤＤがＮチャンネルトラ
ンジスタ３６を介してＮチャンネルトランジスタ３７１
に供給される。これにより、ＰＵＭＰ回路３１のＮチャ
ンネルトランジスタ３７１以降の後段のみがポンプアッ
プ動作を行い、Ｎチャンネルトランジスタ３６が接続さ
れたＰＵＭＰ回路３１の前段はポンプアップ動作から切
り離される。
といったような高い電圧である場合、クランプダイオー
ド３４に流れる電流量は必要な電流能力以上になってし
まう。そこで、必要な電流量以上にクランプダイオード
３４に電流が流れるのを電流検知回路３５が検知して、
論理「Ｈ」をＮチャンネルトランジスタ３６のゲートに
供給することにより、Ｎチャンネルトランジスタ３６が
オン状態になって、電源電圧ＶＤＤがＮチャンネルトラ
ンジスタ３６を介してＮチャンネルトランジスタ３７１
に供給される。これにより、ＰＵＭＰ回路３１のＮチャ
ンネルトランジスタ３７１以降の後段のみがポンプアッ
プ動作を行い、Ｎチャンネルトランジスタ３６が接続さ
れたＰＵＭＰ回路３１の前段はポンプアップ動作から切
り離される。
【００４０】それと同時に、電流検知回路３５がクロッ
ク発生回路Ａ３２１への出力を論理「Ｌ」にすること
で、クロック発生回路Ａ３２１から、切り離したＰＵＭ
Ｐ回路３１の前段へのクロック信号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、
Ｆ４の供給が停止される。ここで、電流検知回路３５は
クロック発生回路Ｂ３２２への出力を論理「Ｈ」状態に
保ち、クロック発生回路Ｂ３２２からは、従来例のよう
に、クロック信号Ｆ１Ａ、Ｆ２Ａ、Ｆ３Ａ、Ｆ４ＡがＰ
ＵＭＰ回路３１に供給される。
ク発生回路Ａ３２１への出力を論理「Ｌ」にすること
で、クロック発生回路Ａ３２１から、切り離したＰＵＭ
Ｐ回路３１の前段へのクロック信号Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、
Ｆ４の供給が停止される。ここで、電流検知回路３５は
クロック発生回路Ｂ３２２への出力を論理「Ｈ」状態に
保ち、クロック発生回路Ｂ３２２からは、従来例のよう
に、クロック信号Ｆ１Ａ、Ｆ２Ａ、Ｆ３Ａ、Ｆ４ＡがＰ
ＵＭＰ回路３１に供給される。
【００４１】一方、使用する電源電圧ＶＤＤが、例え
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
流検知回路３５のＮチャンネルトランジスタ１６のゲー
トへの出力は論理「Ｌ」となり、Ｎチャンネルトランジ
スタ３６はオフ状態になる。これにより、ＰＵＭＰ回路
３１の段数は従来例のようになり、Ｎチャンネルトラン
ジスタ３６が接続されたＰＵＭＰ回路３１の前段と後段
の両方がポンプアップ動作を行い、ＰＵＭＰ回路３１は
所望の昇圧電圧を生成することになる。
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
流検知回路３５のＮチャンネルトランジスタ１６のゲー
トへの出力は論理「Ｌ」となり、Ｎチャンネルトランジ
スタ３６はオフ状態になる。これにより、ＰＵＭＰ回路
３１の段数は従来例のようになり、Ｎチャンネルトラン
ジスタ３６が接続されたＰＵＭＰ回路３１の前段と後段
の両方がポンプアップ動作を行い、ＰＵＭＰ回路３１は
所望の昇圧電圧を生成することになる。
【００４２】このように、本実施の形態によれば、電源
電圧が高い場合にはＰＵＭＰ回路３１の有効な段数を減
らすことができるため、低消費電力を実現すると共にク
ランプダイオード３４の高信頼性も確保することができ
る。また、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇
圧電圧を確保することができる。つまり、一つの回路構
成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消費電力及び
高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使用できる昇
圧回路を提供することができる。
電圧が高い場合にはＰＵＭＰ回路３１の有効な段数を減
らすことができるため、低消費電力を実現すると共にク
ランプダイオード３４の高信頼性も確保することができ
る。また、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇
圧電圧を確保することができる。つまり、一つの回路構
成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消費電力及び
高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使用できる昇
圧回路を提供することができる。
【００４３】更に、本実施の形態による昇圧回路を備え
た半導体メモリ装置において、例えば、スタンバイモー
ド時や消去禁止（Erase Inhibit）モード時といったよ
うなＰＵＭＰ回路３１を動作させながらＰＵＭＰ回路３
１の出力電圧を他の回路に供給しない場合に、従来のよ
うに、ＰＵＭＰ回路３１によって生成された電流が全て
クランプダイオードに流れてしまうのではなく、電流検
知回路３５によりクランプダイオード３４に流れる電流
を検知することで、クランプダイオード３４に流れる電
流を削減することができるため、半導体メモリ装置の信
頼性を向上させることが可能になる。
た半導体メモリ装置において、例えば、スタンバイモー
ド時や消去禁止（Erase Inhibit）モード時といったよ
うなＰＵＭＰ回路３１を動作させながらＰＵＭＰ回路３
１の出力電圧を他の回路に供給しない場合に、従来のよ
うに、ＰＵＭＰ回路３１によって生成された電流が全て
クランプダイオードに流れてしまうのではなく、電流検
知回路３５によりクランプダイオード３４に流れる電流
を検知することで、クランプダイオード３４に流れる電
流を削減することができるため、半導体メモリ装置の信
頼性を向上させることが可能になる。
【００４４】［実施の形態４］図４は、本発明の実施の
形態４による昇圧回路の構成を示す回路図である。図４
において、４１はＰＵＭＰ回路、４２は、電源電圧ＶＤ
Ｄをポンプアップするためのクロック信号を発生すると
共に、クロック信号の周波数を切替えるクロック発生回
路（周波数切替回路）、４３は容量、４４は昇圧した電
圧を所望の電圧レベルにクランプするクランプダイオー
ド、４５はクランプダイオードに流れる電流を検知する
電流検知回路である。
形態４による昇圧回路の構成を示す回路図である。図４
において、４１はＰＵＭＰ回路、４２は、電源電圧ＶＤ
Ｄをポンプアップするためのクロック信号を発生すると
共に、クロック信号の周波数を切替えるクロック発生回
路（周波数切替回路）、４３は容量、４４は昇圧した電
圧を所望の電圧レベルにクランプするクランプダイオー
ド、４５はクランプダイオードに流れる電流を検知する
電流検知回路である。
【００４５】使用する電源電圧ＶＤＤが、例えば、５Ｖ
といったような高い電圧である場合、クランプダイオー
ド４４に流れる電流量は必要な電流能力以上になってし
まう。そこで、必要な電流量以上にクランプダイオード
４４に電流が流れるのを電流検知回路４５が検知するこ
とにより、電流検知回路４５のクロック発生回路４２へ
の出力が論理「Ｈ」となり、クロック発生回路４２の周
波数を、例えば１／２に落とすことで、クランプダイオ
ード４４に流れる無駄な電流を抑えることができる。
といったような高い電圧である場合、クランプダイオー
ド４４に流れる電流量は必要な電流能力以上になってし
まう。そこで、必要な電流量以上にクランプダイオード
４４に電流が流れるのを電流検知回路４５が検知するこ
とにより、電流検知回路４５のクロック発生回路４２へ
の出力が論理「Ｈ」となり、クロック発生回路４２の周
波数を、例えば１／２に落とすことで、クランプダイオ
ード４４に流れる無駄な電流を抑えることができる。
【００４６】一方、使用する電源電圧ＶＤＤが、例え
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
流検知回路４５のクロック発生回路４２への出力が論理
「Ｌ」になるため、クロック発生回路４２の周波数は元
に戻り、ＰＵＭＰ回路４１は必要な電流供給能力を確保
することができる。
ば、２．５Ｖといったような低い電圧である場合は、電
流検知回路４５のクロック発生回路４２への出力が論理
「Ｌ」になるため、クロック発生回路４２の周波数は元
に戻り、ＰＵＭＰ回路４１は必要な電流供給能力を確保
することができる。
【００４７】このように、本実施の形態によれば、電源
電圧が高い場合には、クロック発生回路４２の周波数を
低くすることができるため、低消費電力を実現すると共
にクランプダイオード４４の高信頼性も確保できる。ま
た、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇圧電圧
及び電流供給能力を確保することができる。つまり、一
つの回路構成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消
費電力及び高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使
用できる昇圧回路を提供することができる。
電圧が高い場合には、クロック発生回路４２の周波数を
低くすることができるため、低消費電力を実現すると共
にクランプダイオード４４の高信頼性も確保できる。ま
た、電源電圧が低い場合には、従来例のような昇圧電圧
及び電流供給能力を確保することができる。つまり、一
つの回路構成及びレイアウトで、高い電源電圧では低消
費電力及び高信頼性を確保しつつ、低い電源電圧でも使
用できる昇圧回路を提供することができる。
【００４８】更に、本実施の形態による昇圧回路を備え
た半導体メモリ装置において、例えば、スタンバイモー
ド時や消去禁止（Erase Inhibit）モード時といったよ
うなＰＵＭＰ回路４１を動作させながらＰＵＭＰ回路４
１の出力電圧を他の回路に供給しない場合に、従来のよ
うに、ＰＵＭＰ回路４１によって生成された電流が全て
クランプダイオードに流れてしまうのではなく、電流検
知回路４５によりクランプダイオード４４に流れる電流
を検知することで、クランプダイオード４４に流れる電
流を削減することができるため、半導体メモリ装置の信
頼性を向上させることが可能になる。
た半導体メモリ装置において、例えば、スタンバイモー
ド時や消去禁止（Erase Inhibit）モード時といったよ
うなＰＵＭＰ回路４１を動作させながらＰＵＭＰ回路４
１の出力電圧を他の回路に供給しない場合に、従来のよ
うに、ＰＵＭＰ回路４１によって生成された電流が全て
クランプダイオードに流れてしまうのではなく、電流検
知回路４５によりクランプダイオード４４に流れる電流
を検知することで、クランプダイオード４４に流れる電
流を削減することができるため、半導体メモリ装置の信
頼性を向上させることが可能になる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電源電圧が高い場合には、段数切替回路によりポンプ回
路の有効な段数が少なくなるように切替えると共に、ク
ロック発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信
号数が少なくなるように切替えて、所定の段数分だけポ
ンプ回路の動作を停止することで、ポンプ回路が無駄な
昇圧電圧を発生するのを防止することができ、これによ
り消費電力を低減することが可能になる。一方、電源電
圧が低い場合には、段数切替回路によりポンプ回路の有
効な段数が多くなるように切替えると共に、クロック発
生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号数が多
くなるように切替えて、ポンプ回路の動作段数を増大さ
せることで、一つの回路構成及びレイアウトで所望の昇
圧電圧を生成することができる。
電源電圧が高い場合には、段数切替回路によりポンプ回
路の有効な段数が少なくなるように切替えると共に、ク
ロック発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信
号数が少なくなるように切替えて、所定の段数分だけポ
ンプ回路の動作を停止することで、ポンプ回路が無駄な
昇圧電圧を発生するのを防止することができ、これによ
り消費電力を低減することが可能になる。一方、電源電
圧が低い場合には、段数切替回路によりポンプ回路の有
効な段数が多くなるように切替えると共に、クロック発
生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号数が多
くなるように切替えて、ポンプ回路の動作段数を増大さ
せることで、一つの回路構成及びレイアウトで所望の昇
圧電圧を生成することができる。
【００５０】また、電源電圧が高い場合には、クロック
発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号の周
波数が低くなるように切替えることで、ポンプ回路が無
駄な電流を供給するのを防止することができ、これによ
り消費電力を低減することが可能になる。一方、電源電
圧が低い場合には、クロック発生回路によりポンプ回路
に供給するクロック信号の周波数が高くなるように切替
えることで、一つの回路構成及びレイアウトで所望の電
流供給能力を確保することができる。
発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号の周
波数が低くなるように切替えることで、ポンプ回路が無
駄な電流を供給するのを防止することができ、これによ
り消費電力を低減することが可能になる。一方、電源電
圧が低い場合には、クロック発生回路によりポンプ回路
に供給するクロック信号の周波数が高くなるように切替
えることで、一つの回路構成及びレイアウトで所望の電
流供給能力を確保することができる。
【００５１】また、必要以上の電流がクランプダイオー
ドに流れた場合には、段数切替回路によりポンプ回路の
有効な段数が少なくなるように切替えると共に、クロッ
ク発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号数
が少なくなるように切替えて、所定の段数分だけポンプ
回路の動作を停止することで、ポンプ回路が無駄な昇圧
電圧を発生するのを防止すると共に、ポンプ回路が無駄
な電流を供給するのを防止することができ、これにより
消費電力を低減することが可能になると共に、クランプ
ダイオードに流す電流も抑えることができるため、信頼
性が向上する。
ドに流れた場合には、段数切替回路によりポンプ回路の
有効な段数が少なくなるように切替えると共に、クロッ
ク発生回路によりポンプ回路に供給するクロック信号数
が少なくなるように切替えて、所定の段数分だけポンプ
回路の動作を停止することで、ポンプ回路が無駄な昇圧
電圧を発生するのを防止すると共に、ポンプ回路が無駄
な電流を供給するのを防止することができ、これにより
消費電力を低減することが可能になると共に、クランプ
ダイオードに流す電流も抑えることができるため、信頼
性が向上する。
【００５２】また、必要以上の電流がクランプダイオー
ドに流れた場合には、クロック発生回路によりポンプ回
路に供給するクロック信号の周波数が低くなるように切
替えることで、ポンプ回路が無駄な電流を供給するのを
防止することができ、これにより消費電力を低減するこ
とが可能になると共に、クランプダイオードに流す電流
も抑えることができるため、信頼性が向上する。
ドに流れた場合には、クロック発生回路によりポンプ回
路に供給するクロック信号の周波数が低くなるように切
替えることで、ポンプ回路が無駄な電流を供給するのを
防止することができ、これにより消費電力を低減するこ
とが可能になると共に、クランプダイオードに流す電流
も抑えることができるため、信頼性が向上する。
【００５３】さらに、本発明による昇圧回路を備えた半
導体メモリ装置において、例えば、スタンバイモード時
や消去禁止（Erase Inhibit）モード時といったような
ポンプ回路を動作させながらポンプ回路の出力電圧を他
の回路に供給しない場合に、従来のように、ポンプ回路
によって生成された電流が全てクランプダイオードに流
れてしまうのではなく、電流検知回路によりクランプダ
イオードに流れる電流を検知することで、クランプダイ
オードに流れる電流を削減することができるため、半導
体装置の信頼性を向上させることが可能になる。
導体メモリ装置において、例えば、スタンバイモード時
や消去禁止（Erase Inhibit）モード時といったような
ポンプ回路を動作させながらポンプ回路の出力電圧を他
の回路に供給しない場合に、従来のように、ポンプ回路
によって生成された電流が全てクランプダイオードに流
れてしまうのではなく、電流検知回路によりクランプダ
イオードに流れる電流を検知することで、クランプダイ
オードに流れる電流を削減することができるため、半導
体装置の信頼性を向上させることが可能になる。
【図１】 本発明の実施の形態１による昇圧回路の構成
を示す回路図
を示す回路図
【図２】 本発明の実施の形態２による昇圧回路の構成
を示す回路図
を示す回路図
【図３】 本発明の実施の形態３による昇圧回路の構成
を示す回路図
を示す回路図
【図４】 本発明の実施の形態４による昇圧回路の構成
を示す回路図
を示す回路図
【図５】 従来の昇圧回路の構成を示す回路図
１１、２１、３１、４１、５１ ポンプ（ＰＵＭＰ）回
路 １２１、１２２、３２１、３２２、５２ クロック発生
回路 １３、２３、３３、４３、５３ 容量 １４、２４、３４、４４、５４ クランプダイオード １５、２５ 電源電圧検知回路 １６、３６ Ｎチャンネルトランジスタ（段数切替回
路） １７１、３７１ Ｎチャンネルトランジスタ ２２、４２ クロック発生回路（周波数切替回路） ３５、４５ 電流検知回路 ５６１、５６２、５６３、５６４ ｎチャンネルトラン
ジスタ
路 １２１、１２２、３２１、３２２、５２ クロック発生
回路 １３、２３、３３、４３、５３ 容量 １４、２４、３４、４４、５４ クランプダイオード １５、２５ 電源電圧検知回路 １６、３６ Ｎチャンネルトランジスタ（段数切替回
路） １７１、３７１ Ｎチャンネルトランジスタ ２２、４２ クロック発生回路（周波数切替回路） ３５、４５ 電流検知回路 ５６１、５６２、５６３、５６４ ｎチャンネルトラン
ジスタ
Claims (7)
- 【請求項１】 供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路に供給され
る電源電圧を検知する電源電圧検知回路と、前記電源電
圧検知回路による検知結果に応じて、前記ポンプ回路の
段数を切り替える段数切替回路とを備えたことを特徴と
する昇圧回路。 - 【請求項２】 前記昇圧回路は、クロック信号を発生し
て前記ポンプ回路に供給するクロック発生回路を備え、
前記クロック発生回路は、前記電源電圧検知回路による
検知結果に応じて、前記ポンプ回路の所定段へのクロッ
ク信号の供給を停止する請求項１記載の昇圧回路。 - 【請求項３】 供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路に供給され
る電源電圧を検知する電源電圧検知回路と、クロック信
号を発生して前記ポンプ回路に供給するクロック発生回
路と、前記電源電圧検知回路による検知結果に応じて、
前記クロック信号の周波数を切り替える周波数切替回路
とを備えたことを特徴とする昇圧回路。 - 【請求項４】 供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、前記ポンプ回路の出力電圧
を一定の電圧レベルにクランプするクランプダイオード
と、前記クランプダイオードに流れる電流を検知する電
流検知回路と、 前記電流検知回路による検知結果に応じて、前記ポンプ
回路の段数を切り替える段数切替回路とを備えたことを
特徴とする昇圧回路。 - 【請求項５】 前記昇圧回路は、クロック信号を発生し
て前記ポンプ回路に供給するクロック発生回路を備え、
前記クロック発生回路は、前記電流検知回路による検知
結果に応じて、前記ポンプ回路の所定段へのクロック信
号の供給を停止する請求項４記載の昇圧回路。 - 【請求項６】 供給される電源電圧をそれ以上の電圧に
まで昇圧するポンプ回路と、クロック信号を発生して前
記ポンプ回路に供給するクロック発生回路と、前記ポン
プ回路の出力電圧を一定の電圧レベルにクランプするク
ランプダイオードと、前記クランプダイオードに流れる
電流を検知する電流検知回路と、 前記電流検知回路による検知結果に応じて、前記クロッ
ク信号の周波数を切り替える周波数切替回路とを備えた
ことを特徴とする昇圧回路。 - 【請求項７】 請求項１から４のいずれか一項記載の昇
圧回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33485899A JP2001157438A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 昇圧回路およびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33485899A JP2001157438A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 昇圧回路およびそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001157438A true JP2001157438A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18282017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33485899A Pending JP2001157438A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 昇圧回路およびそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001157438A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009278737A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Renesas Technology Corp | チャージポンプ |
| US7847488B2 (en) | 2005-02-08 | 2010-12-07 | Rohm Co., Ltd. | Power supply circuit and portable device |
| JP2017514444A (ja) * | 2014-04-24 | 2017-06-01 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 可変利得と可変周波数とを有する電荷ポンプ |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33485899A patent/JP2001157438A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847488B2 (en) | 2005-02-08 | 2010-12-07 | Rohm Co., Ltd. | Power supply circuit and portable device |
| JP2009278737A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Renesas Technology Corp | チャージポンプ |
| JP2017514444A (ja) * | 2014-04-24 | 2017-06-01 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 可変利得と可変周波数とを有する電荷ポンプ |
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