JP2001156221A - Ｌｓｉデバイスの実装板及びその製造方法 - Google Patents
Ｌｓｉデバイスの実装板及びその製造方法Info
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】表面実装型のＬＳＩデバイスを表面実装基板に
実装する場合に、実装工程を削減し、実装信頼性を向上
する。 【解決手段】ＬＳＩデバイスの接続端子群に対応して配
置された格子状の低融点金属及び樹脂を有する実装板
を、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間に配置して熱工
程を加え、ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する。
本発明によれば、従来必要であったボール仮付け工程を
省略することができると共に、ボール仮付けのための専
用マスク類等の治具が不要になり、実装工程を簡略化す
ることができる。また、低融点金属相互間が樹脂により
絶縁されるので、低融点金属が短絡される恐れがない。
更に、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接合が樹脂によ
り補強されるので、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接
合の機械的強度を向上させることができる。
実装する場合に、実装工程を削減し、実装信頼性を向上
する。 【解決手段】ＬＳＩデバイスの接続端子群に対応して配
置された格子状の低融点金属及び樹脂を有する実装板
を、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間に配置して熱工
程を加え、ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する。
本発明によれば、従来必要であったボール仮付け工程を
省略することができると共に、ボール仮付けのための専
用マスク類等の治具が不要になり、実装工程を簡略化す
ることができる。また、低融点金属相互間が樹脂により
絶縁されるので、低融点金属が短絡される恐れがない。
更に、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接合が樹脂によ
り補強されるので、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接
合の機械的強度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型のＬＳ
Ｉデバイスを表面実装基板に実装する場合に使用する実
装板及びその製造方法に関する。
Ｉデバイスを表面実装基板に実装する場合に使用する実
装板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＬＳＩデバイスは実装基板に実装
され、他のＬＳＩデバイス等と組み合わされて所定の機
能を持つシステムが構成される。ＬＳＩデバイスの実装
形態には、リード挿入型であるＤＩＰ（Dual In-line P
ackage）型や多ピン化に対応したＰＧＡ（Pin Grid Arr
ay）型などがあるが、現在では実装効率の観点から表面
実装型であるＢＧＡ（Ball Grid Array ）型が主流にな
っている。
され、他のＬＳＩデバイス等と組み合わされて所定の機
能を持つシステムが構成される。ＬＳＩデバイスの実装
形態には、リード挿入型であるＤＩＰ（Dual In-line P
ackage）型や多ピン化に対応したＰＧＡ（Pin Grid Arr
ay）型などがあるが、現在では実装効率の観点から表面
実装型であるＢＧＡ（Ball Grid Array ）型が主流にな
っている。
【０００３】ＢＧＡ型は、ＬＳＩデバイスの格子状の接
続端子に半田等の低融点金属のボールを接合させたもの
で、そのＬＳＩデバイスを表面実装基板の上に載せて加
熱すると、低融点金属のボールがＬＳＩデバイスの接続
端子と表面実装基板の接続端子を接合するものである。
続端子に半田等の低融点金属のボールを接合させたもの
で、そのＬＳＩデバイスを表面実装基板の上に載せて加
熱すると、低融点金属のボールがＬＳＩデバイスの接続
端子と表面実装基板の接続端子を接合するものである。
【０００４】図１４は、従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイ
スの実装工程の説明図で、図１４（１）は実装前の断面
図であり、図１４（２）は実装後の断面図である。図１
４（１）に示すように、ＬＳＩデバイス１７は、キャッ
プ１４内にチップ１５を有し、チップ１５の接続端子２
１は、多層基板１６内の配線２２により多層基板１６の
下面に設けられた接続端子１８に接続される。
スの実装工程の説明図で、図１４（１）は実装前の断面
図であり、図１４（２）は実装後の断面図である。図１
４（１）に示すように、ＬＳＩデバイス１７は、キャッ
プ１４内にチップ１５を有し、チップ１５の接続端子２
１は、多層基板１６内の配線２２により多層基板１６の
下面に設けられた接続端子１８に接続される。
【０００５】接続端子１８には、半田等の低融点金属の
ボール６１が接合されており、それぞれのボール６１
は、表面実装基板２０の接続端子１９の上に載るように
位置合わせされる。この状態で、半田等の低融点金属の
融点以上の温度に加熱する。
ボール６１が接合されており、それぞれのボール６１
は、表面実装基板２０の接続端子１９の上に載るように
位置合わせされる。この状態で、半田等の低融点金属の
融点以上の温度に加熱する。
【０００６】図１４（２）は、半田等の低融点金属のボ
ール６１が加熱されて溶融し、ＬＳＩデバイス１７の接
続端子１８と表面実装基板２０の接続端子１９を接合し
た状態を示す。このように従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバ
イス１７は、低融点金属の接続部６２が、ＬＳＩデバイ
ス１７と表面実装基板２０を電気的に接続する同時に機
械的に接合する。
ール６１が加熱されて溶融し、ＬＳＩデバイス１７の接
続端子１８と表面実装基板２０の接続端子１９を接合し
た状態を示す。このように従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバ
イス１７は、低融点金属の接続部６２が、ＬＳＩデバイ
ス１７と表面実装基板２０を電気的に接続する同時に機
械的に接合する。
【０００７】図１５は、従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイ
ス１７のボール付け工程と実装工程の概略のフローチャ
ートである。ＬＳＩデバイス１７のボール付け工程で
は、まず、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８にフラッ
クスを塗布し（Ｓ１）、そのフラックスを塗布した位置
にボール６１を仮載せする（Ｓ２）。この場合、フラッ
クスを塗布する工程（Ｓ１）及びボール６１を仮載せす
る工程（Ｓ２）の両者において、接続端子１８と同じ配
列のマスク等の治具が必要である。
ス１７のボール付け工程と実装工程の概略のフローチャ
ートである。ＬＳＩデバイス１７のボール付け工程で
は、まず、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８にフラッ
クスを塗布し（Ｓ１）、そのフラックスを塗布した位置
にボール６１を仮載せする（Ｓ２）。この場合、フラッ
クスを塗布する工程（Ｓ１）及びボール６１を仮載せす
る工程（Ｓ２）の両者において、接続端子１８と同じ配
列のマスク等の治具が必要である。
【０００８】次に、ボール６１を接続端子１８に仮載せ
した状態で、半田等の低融点金属の融点以上の温度に加
熱し、ボール６１を接続端子１８に接合する（Ｓ３）。
その後、ボール６１と接続端子１８を洗浄して（Ｓ４）
ボール付け工程を終了する。
した状態で、半田等の低融点金属の融点以上の温度に加
熱し、ボール６１を接続端子１８に接合する（Ｓ３）。
その後、ボール６１と接続端子１８を洗浄して（Ｓ４）
ボール付け工程を終了する。
【０００９】ＬＳＩデバイス１７の実装工程は、まず、
表面実装基板２０の接続端子１９に半田等の低融点金属
を塗布し（Ｓ５）、ＬＳＩデバイス１７を表面実装基板
２０の上に搭載し（Ｓ６）、ボール６１と接続端子１９
の位置を合わせる。そして、半田等の低融点金属の融点
以上の温度に加熱し、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１
８を表面実装基板２０の接続端子１９に接合する（Ｓ
７）。
表面実装基板２０の接続端子１９に半田等の低融点金属
を塗布し（Ｓ５）、ＬＳＩデバイス１７を表面実装基板
２０の上に搭載し（Ｓ６）、ボール６１と接続端子１９
の位置を合わせる。そして、半田等の低融点金属の融点
以上の温度に加熱し、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１
８を表面実装基板２０の接続端子１９に接合する（Ｓ
７）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ＢＧＡ型のＬＳＩデバ
イス１７は、実装効率が高く多ピン化への対応も可能で
あるが、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８に半田等の
低融点金属のボール６１を接合するのに多数の工程を要
し、接続端子１８にフラックスを塗布しボール６１を仮
載せするのに専用マスク等の治具が必要である。
イス１７は、実装効率が高く多ピン化への対応も可能で
あるが、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８に半田等の
低融点金属のボール６１を接合するのに多数の工程を要
し、接続端子１８にフラックスを塗布しボール６１を仮
載せするのに専用マスク等の治具が必要である。
【００１１】また、半田等の低融点金属の接続部６２
は、接続端子１８、１９を電気的に接続する同時に、Ｌ
ＳＩデバイス１７と表面実装基板２０を機械的に接合す
る役目を果たすが、半田等の低融点金属は機械的強度が
低く、実装後の信頼性が低いという課題がある。
は、接続端子１８、１９を電気的に接続する同時に、Ｌ
ＳＩデバイス１７と表面実装基板２０を機械的に接合す
る役目を果たすが、半田等の低融点金属は機械的強度が
低く、実装後の信頼性が低いという課題がある。
【００１２】また、従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイス１
７は、半田等の低融点金属の接続部６２の間隔が極めて
小さいので、半田ブリッジや微小なゴミにより接続部６
２が短絡する恐れがある。更に、接続部６２において信
号配線の特性インピーダンスにミスマッチが生じ、ＬＳ
Ｉデバイス１７と表面実装基板２０の間の接合部６２で
インピーダンス整合がとれず、高速のＬＳＩデバイス１
７を表面実装基板２０に搭載した場合に誤動作が生じる
恐れがある。
７は、半田等の低融点金属の接続部６２の間隔が極めて
小さいので、半田ブリッジや微小なゴミにより接続部６
２が短絡する恐れがある。更に、接続部６２において信
号配線の特性インピーダンスにミスマッチが生じ、ＬＳ
Ｉデバイス１７と表面実装基板２０の間の接合部６２で
インピーダンス整合がとれず、高速のＬＳＩデバイス１
７を表面実装基板２０に搭載した場合に誤動作が生じる
恐れがある。
【００１３】そこで、本発明の目的は、表面実装型のＬ
ＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、実装工
程を削減することができるＬＳＩデバイスの実装板及び
その製造方法を提供することにある。
ＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、実装工
程を削減することができるＬＳＩデバイスの実装板及び
その製造方法を提供することにある。
【００１４】また、本発明の他の目的は、表面実装型の
ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、実装
信頼性を向上することができるＬＳＩデバイスの実装板
及びその製造方法を提供することにある。
ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、実装
信頼性を向上することができるＬＳＩデバイスの実装板
及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】更に、本発明の他の目的は、表面実装型の
ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、イン
ピーダンス整合が可能なＬＳＩデバイスの実装板及びそ
の製造方法を提供することにある。
ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、イン
ピーダンス整合が可能なＬＳＩデバイスの実装板及びそ
の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一つの側面は、ＬＳＩデバイスの接続端
子群に対応して配置された格子状の低融点金属及び樹脂
を有する実装板を、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間
に配置して熱工程を加え、ＬＳＩデバイスを表面実装基
板に実装することを特徴とする。
めに、本発明の一つの側面は、ＬＳＩデバイスの接続端
子群に対応して配置された格子状の低融点金属及び樹脂
を有する実装板を、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間
に配置して熱工程を加え、ＬＳＩデバイスを表面実装基
板に実装することを特徴とする。
【００１７】本発明によれば、従来必要であったボール
仮付け工程を省略することができると共に、ボール仮付
けのための専用マスク類等の治具が不要になり、実装工
程を簡略化することができる。また、低融点金属相互間
が樹脂により絶縁されるので、低融点金属が短絡される
恐れがない。更に、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接
合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバイスと表面
実装基板の接合の機械的強度を向上させることができ
る。
仮付け工程を省略することができると共に、ボール仮付
けのための専用マスク類等の治具が不要になり、実装工
程を簡略化することができる。また、低融点金属相互間
が樹脂により絶縁されるので、低融点金属が短絡される
恐れがない。更に、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接
合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバイスと表面
実装基板の接合の機械的強度を向上させることができ
る。
【００１８】上記の目的を達成するために、本発明の別
の側面は、格子状の第１の接続端子群を有する表面実装
型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続さ
れる格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板に
実装する実装板において、前記第１と第２の接続端子群
に対応して配置された格子状の低融点金属と、前記格子
状の低融点金属と一体に形成され、前記低融点金属のそ
れぞれを絶縁する樹脂とを有することを特徴とする。
の側面は、格子状の第１の接続端子群を有する表面実装
型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続さ
れる格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板に
実装する実装板において、前記第１と第２の接続端子群
に対応して配置された格子状の低融点金属と、前記格子
状の低融点金属と一体に形成され、前記低融点金属のそ
れぞれを絶縁する樹脂とを有することを特徴とする。
【００１９】本発明によれば、ＬＳＩデバイスを表面実
装基板に実装する場合において、単一の熱工程により、
低融点金属による接合と樹脂による接合を同時に行うこ
とができ、実装工程を簡略化することができる。また、
低融点金属による接合が樹脂による接合で補強されるの
で、実装の機械的強度を向上させることができる。更
に、低融点金属の間に樹脂が存在するので、低融点金属
が短絡する恐れがなく、信頼性の高い接続を行うことが
できる。
装基板に実装する場合において、単一の熱工程により、
低融点金属による接合と樹脂による接合を同時に行うこ
とができ、実装工程を簡略化することができる。また、
低融点金属による接合が樹脂による接合で補強されるの
で、実装の機械的強度を向上させることができる。更
に、低融点金属の間に樹脂が存在するので、低融点金属
が短絡する恐れがなく、信頼性の高い接続を行うことが
できる。
【００２０】また、上記の発明において、その好ましい
態様は、前記格子状の低融点金属の間に、接地用の導電
部材が設けられることを特徴とする。
態様は、前記格子状の低融点金属の間に、接地用の導電
部材が設けられることを特徴とする。
【００２１】本発明によれば、格子状の低融点金属の中
間に接地用の導電部材が設けられるので、ＬＳＩデバイ
スと表面実装基板をストリップライン構造又は同軸構造
に近いシールド構造で接続することができる。従って、
ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間の接続端子において
もインピーダンスを整合させることができると共に、低
融点金属相互間の干渉がなくなり、外部からのノイズの
侵入を防止することができる。
間に接地用の導電部材が設けられるので、ＬＳＩデバイ
スと表面実装基板をストリップライン構造又は同軸構造
に近いシールド構造で接続することができる。従って、
ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間の接続端子において
もインピーダンスを整合させることができると共に、低
融点金属相互間の干渉がなくなり、外部からのノイズの
侵入を防止することができる。
【００２２】また、上記の発明において、その好ましい
態様は、前記格子状の低融点金属の間に、スリット又は
前記樹脂と熱膨張係数が異なる部材が設けられることを
特徴とする。
態様は、前記格子状の低融点金属の間に、スリット又は
前記樹脂と熱膨張係数が異なる部材が設けられることを
特徴とする。
【００２３】本発明によれば、格子状の低融点金属の中
間にスリット又は熱膨張係数が異なる部材が設けられる
ので、実装するＬＳＩデバイスの熱膨張による変形を吸
収することができる。従って、ＬＳＩデバイス及び表面
実装基板に無理な力が加わることを防止し、実装の機械
的強度を向上させることができる。
間にスリット又は熱膨張係数が異なる部材が設けられる
ので、実装するＬＳＩデバイスの熱膨張による変形を吸
収することができる。従って、ＬＳＩデバイス及び表面
実装基板に無理な力が加わることを防止し、実装の機械
的強度を向上させることができる。
【００２４】更に、上記の発明において、その好ましい
態様は、前記ＬＳＩデバイスが接合される面に、前記Ｌ
ＳＩデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けられることを
特徴とする。
態様は、前記ＬＳＩデバイスが接合される面に、前記Ｌ
ＳＩデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けられることを
特徴とする。
【００２５】本発明によれば、ＬＳＩデバイスが接合さ
れる面にＬＳＩデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けら
れるので、ＬＳＩデバイスと実装板の位置合わせが容易
になり、実装工程を簡略化することができる。更に、実
装板の周辺部の樹脂がＬＳＩデバイスの側面を表面実装
基板に接合するので、ＬＳＩデバイスの実装強度を向上
させることができる。
れる面にＬＳＩデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けら
れるので、ＬＳＩデバイスと実装板の位置合わせが容易
になり、実装工程を簡略化することができる。更に、実
装板の周辺部の樹脂がＬＳＩデバイスの側面を表面実装
基板に接合するので、ＬＳＩデバイスの実装強度を向上
させることができる。
【００２６】また、上記の目的を達成するために、本発
明の別の側面は、格子状の第１の接続端子群を有する表
面実装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に
接続される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装
基板に実装する実装板の製造方法において、棒状の低融
点金属と棒状の樹脂とを、前記棒状の低融点金属及び棒
状の前記樹脂の長手方向に垂直な方向に、かつ、前記低
融点金属が前記第１と第２の接続端子群に対応するよう
に交互に重ね合わせて直方体を形成し、前記直方体を、
前記樹脂の硬化温度より低い温度で加熱して一体化し、
一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属及び前
記棒状の樹脂の長手方向に垂直な方向に所定の厚さに切
断することを特徴とする。
明の別の側面は、格子状の第１の接続端子群を有する表
面実装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に
接続される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装
基板に実装する実装板の製造方法において、棒状の低融
点金属と棒状の樹脂とを、前記棒状の低融点金属及び棒
状の前記樹脂の長手方向に垂直な方向に、かつ、前記低
融点金属が前記第１と第２の接続端子群に対応するよう
に交互に重ね合わせて直方体を形成し、前記直方体を、
前記樹脂の硬化温度より低い温度で加熱して一体化し、
一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属及び前
記棒状の樹脂の長手方向に垂直な方向に所定の厚さに切
断することを特徴とする。
【００２７】本発明によれば、棒状の低融点金属と棒状
の樹脂を重ね合わせて実装板を形成するので、多種多様
なＬＳＩデバイスの接続端子の配列に対して、低融点金
属の棒の配列を容易に対応させることができる。
の樹脂を重ね合わせて実装板を形成するので、多種多様
なＬＳＩデバイスの接続端子の配列に対して、低融点金
属の棒の配列を容易に対応させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を説明する。しかしながら、かかる実施の形
態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
施の形態例を説明する。しかしながら、かかる実施の形
態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２９】図１は、本発明の実施の形態の実装板の構
成図である。本実施の形態の実装板１３は、図１（１）
に示すように、例えば０．５〜０．６ｍｍ程度の厚さｔ
を有し、実装するＬＳＩデバイスと表面実装基板の接続
端子に対応して格子状に配置された半田等の低融点金属
１２と、低融点金属１２と一体に形成され、低融点金属
１２のそれぞれを絶縁する硬化前のエポキシ等の樹脂１
１とを有する。
成図である。本実施の形態の実装板１３は、図１（１）
に示すように、例えば０．５〜０．６ｍｍ程度の厚さｔ
を有し、実装するＬＳＩデバイスと表面実装基板の接続
端子に対応して格子状に配置された半田等の低融点金属
１２と、低融点金属１２と一体に形成され、低融点金属
１２のそれぞれを絶縁する硬化前のエポキシ等の樹脂１
１とを有する。
【００３０】図１（２）は、本実施の形態の実装板１３
をＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の間に配置し
た接合前の断面図である。即ち、実装板１３の低融点金
属１２は、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８と表面実
装基板２０の接続端子１９に対応する位置に位置決めさ
れ、低融点金属１２の融点以上の温度に加熱されて接続
端子１８と接続端子１９を接合する。なお、樹脂１１
は、低融点金属１２の融点より低い硬化温度を有する。
をＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の間に配置し
た接合前の断面図である。即ち、実装板１３の低融点金
属１２は、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８と表面実
装基板２０の接続端子１９に対応する位置に位置決めさ
れ、低融点金属１２の融点以上の温度に加熱されて接続
端子１８と接続端子１９を接合する。なお、樹脂１１
は、低融点金属１２の融点より低い硬化温度を有する。
【００３１】図１（３）は、実装板１３が低融点金属１
２の融点以上の温度に加熱され、ＬＳＩデバイス１７が
表面実装基板２０に実装された場合の部分拡大図であ
る。図１（３）に示すように、低融点金属１２は、溶融
後に硬化し、多層基板１６の接続端子１８と表面実装基
板２０の接続端子１９を接合する。一方、樹脂１１は、
低融点金属１２の溶融後に硬化し、多層基板１６と表面
実装基板２０の対向面の接続端子１８、１９以外の部分
を接合する。
２の融点以上の温度に加熱され、ＬＳＩデバイス１７が
表面実装基板２０に実装された場合の部分拡大図であ
る。図１（３）に示すように、低融点金属１２は、溶融
後に硬化し、多層基板１６の接続端子１８と表面実装基
板２０の接続端子１９を接合する。一方、樹脂１１は、
低融点金属１２の溶融後に硬化し、多層基板１６と表面
実装基板２０の対向面の接続端子１８、１９以外の部分
を接合する。
【００３２】このように本実施の形態の実装板１３を使
用すれば、ボール付け工程が不要になり実装工程が簡略
化されると共に、リフロー等の熱工程により、低融点金
属１２による接合と樹脂１１による接合を同時に行うこ
とができる。
用すれば、ボール付け工程が不要になり実装工程が簡略
化されると共に、リフロー等の熱工程により、低融点金
属１２による接合と樹脂１１による接合を同時に行うこ
とができる。
【００３３】従って、表面実装型のＬＳＩデバイス１７
を表面実装基板２０に実装する場合に、低融点金属１２
による接合が樹脂１１による接合で補強されるので、実
装の機械的強度を向上させることができる。また、低融
点金属１２の間には絶縁物である樹脂１１が存在するの
で、低融点金属１２が短絡する恐れがなく、信頼性の高
い接続を行うことができる。
を表面実装基板２０に実装する場合に、低融点金属１２
による接合が樹脂１１による接合で補強されるので、実
装の機械的強度を向上させることができる。また、低融
点金属１２の間には絶縁物である樹脂１１が存在するの
で、低融点金属１２が短絡する恐れがなく、信頼性の高
い接続を行うことができる。
【００３４】図２は、本実施の形態の加熱工程の温度変
化の例である。図２では、低融点金属１２として融点が
１８３℃の半田を用い、樹脂１１の硬化温度が約１５０
℃の場合について説明する。
化の例である。図２では、低融点金属１２として融点が
１８３℃の半田を用い、樹脂１１の硬化温度が約１５０
℃の場合について説明する。
【００３５】図１（２）のように、実装板１３をＬＳＩ
デバイス１７と表面実装基板２０の間に挿入した状態
で、時間ｔ1 から時間ｔ２まで温度を約１５０℃に保持
する。この期間は、例えば約５〜６分であり、樹脂１１
が溶融しながら徐々に硬化し、フラックスが活性化して
半田の接合が容易になる。
デバイス１７と表面実装基板２０の間に挿入した状態
で、時間ｔ1 から時間ｔ２まで温度を約１５０℃に保持
する。この期間は、例えば約５〜６分であり、樹脂１１
が溶融しながら徐々に硬化し、フラックスが活性化して
半田の接合が容易になる。
【００３６】次に、樹脂１１の硬化が完了する前に、時
間ｔ２から時間ｔ３までの例えば約１０〜２０秒間、１
８３℃以上の温度に加熱する。この期間に半田が溶融
し、表面実装基板２０の接続端子１９と多層基板１６の
接続端子１８との間で、実装板１３が微妙に動き、正し
い位置に自動的に位置合わせされる。時間ｔ３以降は温
度を降下させて半田を硬化させ、実装工程を終了する。
間ｔ２から時間ｔ３までの例えば約１０〜２０秒間、１
８３℃以上の温度に加熱する。この期間に半田が溶融
し、表面実装基板２０の接続端子１９と多層基板１６の
接続端子１８との間で、実装板１３が微妙に動き、正し
い位置に自動的に位置合わせされる。時間ｔ３以降は温
度を降下させて半田を硬化させ、実装工程を終了する。
【００３７】このように本実施の形態の実装板１３は、
溶融した半田と硬化前の樹脂１１により正しい位置に自
動的に位置合わせされるので、多層基板１６と表面実装
基板２０の接続端子１８、１９の多少のずれを吸収し、
機械的強度の高い接合を行うことができる。
溶融した半田と硬化前の樹脂１１により正しい位置に自
動的に位置合わせされるので、多層基板１６と表面実装
基板２０の接続端子１８、１９の多少のずれを吸収し、
機械的強度の高い接合を行うことができる。
【００３８】図３は、本発明の実施の形態の実装板１３
の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３
を製造するには、まず、図３（１）に示す所定の長さの
半田等の低融点金属の棒２５と、図３（２）に示す硬化
前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね合わせ、図
３（３）に示すように、半田等の低融点金属の棒２５が
実装するＬＳＩデバイス１７の接続端子１８の配列と同
じになるような直方体２７を形成する。
の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３
を製造するには、まず、図３（１）に示す所定の長さの
半田等の低融点金属の棒２５と、図３（２）に示す硬化
前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね合わせ、図
３（３）に示すように、半田等の低融点金属の棒２５が
実装するＬＳＩデバイス１７の接続端子１８の配列と同
じになるような直方体２７を形成する。
【００３９】次に、この直方体２７を樹脂硬化温度より
も低い温度で加熱し、低融点金属の棒２５と樹脂の棒２
６を接合させて一体化する。そして、一体化した直方体
２７を、図１（１）のように所定の厚さｔに切り出して
実装板１３を形成する。
も低い温度で加熱し、低融点金属の棒２５と樹脂の棒２
６を接合させて一体化する。そして、一体化した直方体
２７を、図１（１）のように所定の厚さｔに切り出して
実装板１３を形成する。
【００４０】このように本実施の形態の実装板１３は、
低融点金属の棒２５と樹脂の棒２６を重ね合わせて形成
するので、多種多様なＬＳＩデバイス１７の接続端子１
８の配列に対して、低融点金属の棒２５の配列を容易に
対応させることができる。
低融点金属の棒２５と樹脂の棒２６を重ね合わせて形成
するので、多種多様なＬＳＩデバイス１７の接続端子１
８の配列に対して、低融点金属の棒２５の配列を容易に
対応させることができる。
【００４１】図４は、本発明の他の実施の形態の実装板
１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板
１３は、図３の場合と同様に、半田等の低融点金属の棒
２５と硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね
合わせ、図４（３）に示すような直方体２７を形成す
る。
１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板
１３は、図３の場合と同様に、半田等の低融点金属の棒
２５と硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね
合わせ、図４（３）に示すような直方体２７を形成す
る。
【００４２】ただし本実施の形態では、図４（２）に示
すように、樹脂の棒２６が低融点金属の棒２５の周囲を
囲むように構成されるので、以下に示すように、低融点
金属の棒２５を任意の形状にすることができる。
すように、樹脂の棒２６が低融点金属の棒２５の周囲を
囲むように構成されるので、以下に示すように、低融点
金属の棒２５を任意の形状にすることができる。
【００４３】図５は、本発明の他の実施の形態の実装板
１３の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、図
４に示したように、樹脂の棒２６が低融点金属の棒２５
の周囲を囲むように構成されるので、低融点金属１２の
断面形状を、ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０
の接続端子１８、１９の形状に合わせて任意の形状にす
ることができる。
１３の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、図
４に示したように、樹脂の棒２６が低融点金属の棒２５
の周囲を囲むように構成されるので、低融点金属１２の
断面形状を、ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０
の接続端子１８、１９の形状に合わせて任意の形状にす
ることができる。
【００４４】即ち、図５（１）は低融点金属１２の断面
が円の場合であり、図５（２）は菱形の場合であり、図
５（３）は楕円の場合である。本実施の形態の実装板１
３によれば、低融点金属１２の断面形状をＬＳＩデバイ
ス１７及び表面実装基板２０の接続端子１８、１９の形
状に合わせることができ、実装の機械的強度を向上させ
ることができる。
が円の場合であり、図５（２）は菱形の場合であり、図
５（３）は楕円の場合である。本実施の形態の実装板１
３によれば、低融点金属１２の断面形状をＬＳＩデバイ
ス１７及び表面実装基板２０の接続端子１８、１９の形
状に合わせることができ、実装の機械的強度を向上させ
ることができる。
【００４５】図６は、本発明の他の実施の形態の実装板
１３の断面図である。本実施の形態の実装板１３は、図
４の場合とほぼ同様の構成であるが、低融点金属１２を
囲む一組の樹脂１１と他の一組の樹脂１１の間に、例え
ば、金属板、金属箔又は金属網等の導電部材３１を一方
向に挿入する。そして、それぞれの導電部材３１は、接
続線３２により表面実装基板２０の接地端子に接続され
る。
１３の断面図である。本実施の形態の実装板１３は、図
４の場合とほぼ同様の構成であるが、低融点金属１２を
囲む一組の樹脂１１と他の一組の樹脂１１の間に、例え
ば、金属板、金属箔又は金属網等の導電部材３１を一方
向に挿入する。そして、それぞれの導電部材３１は、接
続線３２により表面実装基板２０の接地端子に接続され
る。
【００４６】本実施の形態の実装板１３によれば、ＬＳ
Ｉデバイス１７及び表面実装基板２０の間をストリップ
ライン構造で接続することができ、実装板１３の部分に
おいても信号線のインピーダンスを整合させることがで
きる。
Ｉデバイス１７及び表面実装基板２０の間をストリップ
ライン構造で接続することができ、実装板１３の部分に
おいても信号線のインピーダンスを整合させることがで
きる。
【００４７】図７は、本発明の他の実施の形態の実装板
１３の断面図である。本実施の形態の実装板１３は、図
６の場合とほぼ同様の構成であるが、低融点金属１２を
囲む一組の樹脂１１と他の一組の樹脂１１の間に導電部
材３１を縦・横両方向に挿入する。そして、それぞれの
導電部材３１は、接続線３２により表面実装基板２０の
接地端子に接続される。
１３の断面図である。本実施の形態の実装板１３は、図
６の場合とほぼ同様の構成であるが、低融点金属１２を
囲む一組の樹脂１１と他の一組の樹脂１１の間に導電部
材３１を縦・横両方向に挿入する。そして、それぞれの
導電部材３１は、接続線３２により表面実装基板２０の
接地端子に接続される。
【００４８】本実施の形態の実装板１３によれば、ＬＳ
Ｉデバイス１７及び表面実装基板２０を同軸構造に近い
シールド構造で接続することができ、低融点金属１２相
互間の干渉がなくなり、また、外部からのノイズの侵入
を防止することができる。
Ｉデバイス１７及び表面実装基板２０を同軸構造に近い
シールド構造で接続することができ、低融点金属１２相
互間の干渉がなくなり、また、外部からのノイズの侵入
を防止することができる。
【００４９】図８は、本発明の他の実施の形態の実装板
１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板
１３は、図４の場合と同様に、半田等の低融点金属の棒
２５と硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね
合わせ、図８（３）に示すような直方体２７を形成す
る。ただし、本実施の形態の樹脂の棒２６は、図８
（２）に示すような切り欠き３５が設けられる。
１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板
１３は、図４の場合と同様に、半田等の低融点金属の棒
２５と硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね
合わせ、図８（３）に示すような直方体２７を形成す
る。ただし、本実施の形態の樹脂の棒２６は、図８
（２）に示すような切り欠き３５が設けられる。
【００５０】この直方体２７を加熱して一体化し、所定
の厚さｔに切り出して実装板１３が形成されるが、本実
施の形態の実装板１３は、樹脂１１の中に、図８（３）
に示すスリット３６が形成される。従って、スリット３
６がＬＳＩデバイス１７の熱膨張による変形を吸収し、
ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０に無理な力が
加わることを防止し、実装の機械的強度を向上させるこ
とができる。
の厚さｔに切り出して実装板１３が形成されるが、本実
施の形態の実装板１３は、樹脂１１の中に、図８（３）
に示すスリット３６が形成される。従って、スリット３
６がＬＳＩデバイス１７の熱膨張による変形を吸収し、
ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０に無理な力が
加わることを防止し、実装の機械的強度を向上させるこ
とができる。
【００５１】図９は、本発明の他の実施の形態の実装板
１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板
１３は、図８に示した構造とほぼ同様であるが、図９
（１）に示す半田等の低融点金属の棒２５と、図９（２
ａ）に示す硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６と、図９
（２ｂ）に示す熱膨張係数が異なる部材の棒４１を交互
に重ね合わせ、図９（３）に示すような直方体２７を形
成する。この場合に、樹脂の棒２６は、熱膨張係数が異
なる部材の棒４１が嵌め込まれる切り欠き３５が設けら
れる。
１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板
１３は、図８に示した構造とほぼ同様であるが、図９
（１）に示す半田等の低融点金属の棒２５と、図９（２
ａ）に示す硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６と、図９
（２ｂ）に示す熱膨張係数が異なる部材の棒４１を交互
に重ね合わせ、図９（３）に示すような直方体２７を形
成する。この場合に、樹脂の棒２６は、熱膨張係数が異
なる部材の棒４１が嵌め込まれる切り欠き３５が設けら
れる。
【００５２】この直方体２７を加熱して一体化し、所定
の厚さｔに切り出して実装板１３が形成されるが、本実
施の形態の実装板１３は、樹脂１１の中に、図９（３）
に示す熱膨張係数が異なる部材の棒４１が組み込まれ
る。
の厚さｔに切り出して実装板１３が形成されるが、本実
施の形態の実装板１３は、樹脂１１の中に、図９（３）
に示す熱膨張係数が異なる部材の棒４１が組み込まれ
る。
【００５３】従って、熱膨張係数が異なる部材４１によ
り、実装するＬＳＩデバイス１７の熱膨張による変形を
補償できるので、表面実装基板２０及びＬＳＩデバイス
１７に無理な力が加わることを防止し、実装の信頼性を
向上させることができる。
り、実装するＬＳＩデバイス１７の熱膨張による変形を
補償できるので、表面実装基板２０及びＬＳＩデバイス
１７に無理な力が加わることを防止し、実装の信頼性を
向上させることができる。
【００５４】図１０は、本発明の他の実施の形態の実装
板１３の構成図である。本実施の形態の実装板１３は、
図１０（１）に示すように、半田等の低融点金属１２と
硬化前のエポキシ等の樹脂１１が一体に形成され、ＬＳ
Ｉデバイス１７が実装される面に、ＬＳＩデバイス１７
が嵌め込まれる窪み４５が設けられる。また、窪み４５
には、ＬＳＩデバイス１７の嵌め込み方向を規定するイ
ンデックス４６が設けられる。
板１３の構成図である。本実施の形態の実装板１３は、
図１０（１）に示すように、半田等の低融点金属１２と
硬化前のエポキシ等の樹脂１１が一体に形成され、ＬＳ
Ｉデバイス１７が実装される面に、ＬＳＩデバイス１７
が嵌め込まれる窪み４５が設けられる。また、窪み４５
には、ＬＳＩデバイス１７の嵌め込み方向を規定するイ
ンデックス４６が設けられる。
【００５５】図１０（２）は、実装板１３をＬＳＩデバ
イス１７と表面実装基板２０の間に配置した加熱前の断
面図である。即ち、本実施の形態では、ＬＳＩデバイス
１７は、実装板１３の窪み４５に嵌め込まれ、表面実装
基板２０と位置合わせが行われる。このため、本実施の
形態の実装板１３では、ＬＳＩデバイス１７の接続端子
１８と実装板１３の位置合わせが省略でき、実装工程を
簡略化することができる。
イス１７と表面実装基板２０の間に配置した加熱前の断
面図である。即ち、本実施の形態では、ＬＳＩデバイス
１７は、実装板１３の窪み４５に嵌め込まれ、表面実装
基板２０と位置合わせが行われる。このため、本実施の
形態の実装板１３では、ＬＳＩデバイス１７の接続端子
１８と実装板１３の位置合わせが省略でき、実装工程を
簡略化することができる。
【００５６】図１０（３）は、実装板１３が低融点金属
１２の融点以上の温度に加熱され、ＬＳＩデバイス１７
が表面実装基板２０に実装された場合の部分拡大図であ
る。図１０（３）に示すように、低融点金属１２は、溶
融後に硬化して多層基板１６に設けられた接続端子１８
と、表面実装基板２０の接続端子１９を接合する。一
方、樹脂１１は、溶融後に硬化して、多層基板１６と表
面実装基板２０の対向面の接続端子１８、１９以外の部
分を接合する。更に、本実施の形態の実装板１３は、周
辺部の樹脂１１がＬＳＩデバイス１７の側面を表面実装
基板２０に接合するので、ＬＳＩデバイス１７の実装強
度を向上させることができる。
１２の融点以上の温度に加熱され、ＬＳＩデバイス１７
が表面実装基板２０に実装された場合の部分拡大図であ
る。図１０（３）に示すように、低融点金属１２は、溶
融後に硬化して多層基板１６に設けられた接続端子１８
と、表面実装基板２０の接続端子１９を接合する。一
方、樹脂１１は、溶融後に硬化して、多層基板１６と表
面実装基板２０の対向面の接続端子１８、１９以外の部
分を接合する。更に、本実施の形態の実装板１３は、周
辺部の樹脂１１がＬＳＩデバイス１７の側面を表面実装
基板２０に接合するので、ＬＳＩデバイス１７の実装強
度を向上させることができる。
【００５７】図１１は、本発明の実施の形態の実装板１
３の製造方法の説明図である。本実施の形態の実装板１
３の製造方法は、型５１の中にＬＳＩデバイス１７の接
続端子１８に対応するように低融点金属の棒２５を立て
て配列し、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流
し込む。その後、樹脂を冷却し、樹脂と低融点金属の棒
２５が一体化した直方体を形成する。一体化した直方体
を、低融点金属の棒２５の長手方向に垂直な方向に所定
の厚さｔに切断して実装板１３を形成することは上述の
実施の形態と同様である。
３の製造方法の説明図である。本実施の形態の実装板１
３の製造方法は、型５１の中にＬＳＩデバイス１７の接
続端子１８に対応するように低融点金属の棒２５を立て
て配列し、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流
し込む。その後、樹脂を冷却し、樹脂と低融点金属の棒
２５が一体化した直方体を形成する。一体化した直方体
を、低融点金属の棒２５の長手方向に垂直な方向に所定
の厚さｔに切断して実装板１３を形成することは上述の
実施の形態と同様である。
【００５８】本実施の形態の実装板１３の製造方法によ
れば、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込
むので、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方体
を容易に形成することができる。
れば、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込
むので、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方体
を容易に形成することができる。
【００５９】図１２は、本発明の他の実施の形態の実装
板１３の製造方法の説明図である。本実施の形態の実装
板１３の製造方法は、型５１の中にＬＳＩデバイス１７
の接続端子１８に対応するように低融点金属の棒２５を
横に並べて配列し、型５１の中に溶融させた熱可塑性の
樹脂を流し込む。その後に実装板１３を形成する工程
は、上述の実施の形態と同様である。
板１３の製造方法の説明図である。本実施の形態の実装
板１３の製造方法は、型５１の中にＬＳＩデバイス１７
の接続端子１８に対応するように低融点金属の棒２５を
横に並べて配列し、型５１の中に溶融させた熱可塑性の
樹脂を流し込む。その後に実装板１３を形成する工程
は、上述の実施の形態と同様である。
【００６０】本実施の形態の実装板１３の製造方法にお
いても、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し
込むので、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方
体を容易に形成することができる。
いても、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し
込むので、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方
体を容易に形成することができる。
【００６１】図１３は、本発明の他の実施の形態の実装
板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装
板１３は、金属板等の導電部材５５に、エッチング又は
機械加工により大口径の孔５６と小口径の孔５７を設
け、その孔５６、５７の中に、小口径の孔５７とほぼ同
じ口径の低融点金属の棒２５を挿入する。
板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装
板１３は、金属板等の導電部材５５に、エッチング又は
機械加工により大口径の孔５６と小口径の孔５７を設
け、その孔５６、５７の中に、小口径の孔５７とほぼ同
じ口径の低融点金属の棒２５を挿入する。
【００６２】次に、大口径の孔５６と低融点金属の棒２
５の間に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込み、樹脂と
低融点金属の棒２５及び導電部材５５が一体になった直
方体２７を形成する。
５の間に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込み、樹脂と
低融点金属の棒２５及び導電部材５５が一体になった直
方体２７を形成する。
【００６３】次に、一体化した直方体２７を使用する厚
さに切断し、実装板１３を形成することは上述の実施の
形態と同様である。本実施の形態の実装板１３によれ
ば、低融点金属１２が樹脂により絶縁されるので、低融
点金属１２が短絡する恐れがない。また、ＬＳＩデバイ
ス１７と表面実装基板２０の接合が樹脂により補強され
るので、ＬＳＩデバイス１７の実装信頼性を向上させる
ことができる。
さに切断し、実装板１３を形成することは上述の実施の
形態と同様である。本実施の形態の実装板１３によれ
ば、低融点金属１２が樹脂により絶縁されるので、低融
点金属１２が短絡する恐れがない。また、ＬＳＩデバイ
ス１７と表面実装基板２０の接合が樹脂により補強され
るので、ＬＳＩデバイス１７の実装信頼性を向上させる
ことができる。
【００６４】また、小口径の孔５７に挿入した低融点金
属１２を接地すれば、導電部材５５は接地電位になる。
従って、本実施の形態の実装板１３は、同軸構造に近い
シールド構造をとることができ、高速のＬＳＩデバイス
を実装した場合の誤動作を減少させることができる。
属１２を接地すれば、導電部材５５は接地電位になる。
従って、本実施の形態の実装板１３は、同軸構造に近い
シールド構造をとることができ、高速のＬＳＩデバイス
を実装した場合の誤動作を減少させることができる。
【００６５】本発明の保護範囲は、上記の実施の形態に
限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均
等物に及ぶものである。
限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均
等物に及ぶものである。
【００６６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、従来必要であっ
たボール仮付け工程を省略することができると共に、ボ
ール仮付けのための専用マスク類等の治具が不要にな
り、実装工程を簡略化することができる。また、低融点
金属相互間が樹脂により絶縁されるので、低融点金属が
短絡される恐れがない。更に、ＬＳＩデバイスと表面実
装基板の接合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバ
イスと表面実装基板の接合の機械的強度を向上させるこ
とができる。
たボール仮付け工程を省略することができると共に、ボ
ール仮付けのための専用マスク類等の治具が不要にな
り、実装工程を簡略化することができる。また、低融点
金属相互間が樹脂により絶縁されるので、低融点金属が
短絡される恐れがない。更に、ＬＳＩデバイスと表面実
装基板の接合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバ
イスと表面実装基板の接合の機械的強度を向上させるこ
とができる。
【００６７】また、本発明によれば、格子状の低融点金
属の中間に接地用の導電部材が設けられるので、ＬＳＩ
デバイスと表面実装基板をストリップライン構造又は同
軸構造に近いシールド構造で接続することができる。従
って、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間の実装板にお
いてもインピーダンスを整合させることができると共
に、低融点金属相互間の干渉がなくなり、外部からのノ
イズの侵入を防止することができる。
属の中間に接地用の導電部材が設けられるので、ＬＳＩ
デバイスと表面実装基板をストリップライン構造又は同
軸構造に近いシールド構造で接続することができる。従
って、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間の実装板にお
いてもインピーダンスを整合させることができると共
に、低融点金属相互間の干渉がなくなり、外部からのノ
イズの侵入を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態の実装板の構成図である。
【図２】加熱工程の温度変化の例である。
【図３】本発明の実施の形態の実装板の製造工程の説明
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明の実施の形態の実装板の導体部の形状例
である。
である。
【図６】一方向に導電部材を挿入した実装板の断面図で
ある。
ある。
【図７】縦・横両方向に導電部材を挿入した実装板の断
面図である。
面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の
説明図である。
説明図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態の実装板の構成図で
ある。
ある。
【図１１】低融点金属を立てて配列し、溶融させた樹脂
を流し込む製造方法の説明図である。
を流し込む製造方法の説明図である。
【図１２】低融点金属を横に配列し、溶融させた樹脂を
流し込む製造方法の説明図である。
流し込む製造方法の説明図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程
の説明図である。
の説明図である。
【図１４】従来のＬＳＩデバイスの実装工程の説明図で
ある。
ある。
【図１５】従来のボール付け工程と実装工程のフローチ
ャートである。
ャートである。
１１ 樹脂 １２ 低融点金属 １３ 実装板 １７ ＬＳＩデバイス １８、１９ 接続端子 ２０ 表面実装基板 ２５ 低融点金属の棒 ２６ 樹脂の棒 ２７ 直方体 ３１、５５ 導電部材 ３６ スリット ４１ 熱膨張係数の異なる部材の棒 ４５ 窪み ５１ 型 ５６、５７ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 敦 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井原 匠 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 山邉 泰史 福島県会津若松市門田町工業団地４番地 株式会社富士通東北エレクトロニクス内
Claims (9)
- 【請求項１】格子状の第１の接続端子群を有する表面実
装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続
される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板
に実装する実装板において、 前記第１と第２の接続端子群に対応して配置された格子
状の低融点金属と、 前記格子状の低融点金属と一体に形成され、前記低融点
金属のそれぞれを絶縁する樹脂とを有することを特徴と
する実装板。 - 【請求項２】請求項１において、 更に、前記格子状の低融点金属の間に、接地用の導電部
材が設けられることを特徴とする実装板。 - 【請求項３】請求項１において、 更に、前記格子状の低融点金属の間に、スリット又は前
記樹脂と熱膨張係数が異なる部材が設けられることを特
徴とする実装板。 - 【請求項４】請求項１において、 更に、前記ＬＳＩデバイスが接合される面に、前記ＬＳ
Ｉデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けられることを特
徴とする実装板。 - 【請求項５】格子状の第１の接続端子群を有する表面実
装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続
される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板
に実装する実装板において、 前記第１と第２の接続端子群に対応する格子状の孔が設
けられた接地用の導電部材と、 前記孔の中に充填された樹脂と、 前記樹脂の中に、前記第１と第２の接続端子群に対応し
て配置された低融点金属とを有することを特徴とする実
装板。 - 【請求項６】格子状の第１の接続端子群を有する表面実
装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続
される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板
に実装する実装板の製造方法において、 棒状の低融点金属と棒状の樹脂とを、前記棒状の低融点
金属及び棒状の前記樹脂の長手方向に垂直な方向に、か
つ、前記低融点金属が前記第１と第２の接続端子群に対
応するように交互に重ね合わせて直方体を形成し、 前記直方体を、前記樹脂の硬化温度より低い温度で加熱
して一体化し、 一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属及び前
記棒状の樹脂の長手方向に垂直な方向に所定の厚さに切
断することを特徴とする実装板の製造方法。 - 【請求項７】格子状の第１の接続端子群を有する表面実
装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続
される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板
に実装する実装板の製造方法において、 型の中に、前記第１と第２の接続端子群に対応させて棒
状の低融点金属を配列し、 前記型の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込み、 前記樹脂を冷却し、前記樹脂と前記低融点金属を一体化
させて直方体を形成し、 一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属の長手
方向に垂直な方向に所定の厚さに切断することを特徴と
する実装板の製造方法。 - 【請求項８】格子状の第１の接続端子群を有する表面実
装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続
される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板
に実装する実装板の製造方法において、 導電部材に、前記第１と第２の接続端子群に対応する格
子状の孔を開け、 前記格子状の孔の中に、棒状の低融点金属を配置し、 前記棒状の低融点金属が配置された前記格子状の孔の中
に、溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込み、 前記樹脂を冷却し、前記樹脂と前記低融点金属及び前記
導電部材を一体化させて直方体を形成し、 一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属の長手
方向に垂直な方向に所定の厚さに切断することを特徴と
する実装板の製造方法。 - 【請求項９】格子状の第１の接続端子群を有する表面実
装型のＬＳＩデバイスと、 前記第１の接続端子群に接続される格子状の第２の接続
端子群を有する表面実装基板と、 前記第１と第２の接続端子群に対応して配置された格子
状の低融点金属と、前記格子状の低融点金属と一体に形
成され、前記低融点金属のそれぞれを絶縁する樹脂とを
有する実装板とから構成され前記第１と第２の接続端子
群が、前記低融点金属により接合され、前記ＬＳＩデバ
イスと前記表面実装基板の対向面が、前記樹脂により接
合されることを特徴とするＬＳＩデバイス実装構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33613499A JP4124544B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Ｌｓｉデバイスの実装板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33613499A JP4124544B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Ｌｓｉデバイスの実装板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156221A true JP2001156221A (ja) | 2001-06-08 |
| JP4124544B2 JP4124544B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=18296056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33613499A Expired - Fee Related JP4124544B2 (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Ｌｓｉデバイスの実装板及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4124544B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045913A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Nippon Joint Kk | 導電接続用基体 |
| US10251294B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-04-02 | Fujitsu Limited | Power supply structure |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33613499A patent/JP4124544B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045913A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Nippon Joint Kk | 導電接続用基体 |
| US10251294B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-04-02 | Fujitsu Limited | Power supply structure |
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| JP4124544B2 (ja) | 2008-07-23 |
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