JP2001156100A - アルミニウム線用超音波接合治具 - Google Patents
アルミニウム線用超音波接合治具Info
- Publication number
- JP2001156100A JP2001156100A JP33987899A JP33987899A JP2001156100A JP 2001156100 A JP2001156100 A JP 2001156100A JP 33987899 A JP33987899 A JP 33987899A JP 33987899 A JP33987899 A JP 33987899A JP 2001156100 A JP2001156100 A JP 2001156100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum wire
- jig
- ultrasonic bonding
- aluminum
- ultrasonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
- H01L2224/78314—Shape
- H01L2224/78315—Shape of the pressing surface, e.g. tip or head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
- H01L2224/78314—Shape
- H01L2224/78317—Shape of other portions
- H01L2224/78318—Shape of other portions inside the capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01037—Rubidium [Rb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01088—Radium [Ra]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
ミニウム線による結線構造を形成することのできるアル
ミニウム線超音波接合治具を提供する。 【解決手段】アルミニウム線2を押圧平面部3によって
押圧しながら超音波を付与して、アルミニウム線2の先
端を電極パッドに接合するためのアルミニウム線用超音
波接合治具1において、押圧平面部3のアルミニウム線
2供給側の後端角部3bに、40μm以上且つ前記押圧
平面部3の長さ以上の曲率半径を有するR面を形成す
る。
Description
れた半導体素子の電極と基板の電極とをアルミニウム線
によって超音波接合するのに用いられる超音波接合治具
に関するもので、特に、自動車のエンジンルーム等の熱
的、振動等の機械的および腐食等の化学的に厳しい環境
で使用される場合に好適なものである。
体素子と回路基板のそれぞれの電極パッドとを接続する
のに金属線が用いられ、特に線材そのもののコスト低減
と予熱が不要であり実装のコスト低減が図られることか
ら、アルミニウム線が一般に用いられている。
法として、通常、超音波接合が用いられる。具体的に
は、超音波発振器の共鳴ホーンの先端に取り付けられた
アルミニウム線用超音波接合治具を通じてアルミニウム
線に伝達され、接合治具と共に振動するアルミニウム線
の表面に存在する酸化物や汚れが、振動に伴う電極パッ
ド表面との摩擦によって排除され、アルミニウム線内部
の清浄度の高い金属部分が電極パッドの金属と金属結合
により、または金属間の拡散、合金化乃至はアンカー効
果によって接合される。
線用超音波接合治具の構造としては、図2に示すように
タングステンカーバイド等の超硬合金からなる接合治具
11の先端には、アルミニウム線12を電極パッドに押
圧するための押圧平面部13とアルミニウム線供給装置
(不図示)から供給されるアルミニウム線を押圧平面部
13に送るためのガイド部14とを具備する。
部13aおよび後端角部13bには、通常、R面取りが
施されている(特開昭54−142066号)。
が0.001インチ(25.4μm)であり、カタログ
値として一般的には0.0015(38.1μm)から
0.040インチ(101.6μm)まであり、アルミ
ニウム線径や保証すべき接合強度により選択されてい
る。
3bのR面の曲率半径は通常、25.4μmに固定され
ている。また、この接合治具を用いて形成されたアルミ
ニウム線による接合構造の接合信頼性を向上するため
に、角部後面R部に20°のカットしてC面を追加して
ワイヤ形状に工夫がなされることも提案されている(特
開平11−16934号)。
の電極をアルミニウム線によって接続するには、図3に
示すように、第1の電極パッド15に、押圧平面部13
によってアルミニウム線12を押圧しながら超音波を付
与して第1の電極パッド15にアルミニウム線12の先
端を接合した後、治具をアルミニウム線12とともに第
2の電極パッド16に移動し、アルミニウム線12を第
2の電極パッド16に対して超音波によって接合した
後、アルミニウム線12は、接合治具が第2の電極パッ
ド16から離れることによって自然に切断されて、第1
の電極パッド15と第2の接続端子16は、折れ曲がり
部17を有するアルミニウム線2によって接続される。
接合治具を用いると、結線したアルミニウム線の折れ曲
がり部17で大規模な塑性変形を生じ、また超音波の繰
り返し振動による疲労が重畳されるため浅い裂け目が生
じることが多い。一般民生部品においてはこの裂け目は
信頼性に影響を与えないが、自動車のエンジンルーム等
の熱的、振動等の機械的および腐食等の化学的に厳しい
環境で使用される場合、この浅い裂け目を起点としてき
裂が発生して断線に至り、電子デバイスの機能が満足さ
れない場合があった。
接合信頼性を有するアルミニウム線による結線構造を形
成することのできるアルミニウム線超音波接合治具を提
供することを目的とするものである。
解決するために鋭意検討した結果、前記アルミニウム線
による折れ曲がり部の浅い裂け目の発生が、接合治具の
押圧平面部に後端角部の曲率半径に関係していることを
突き止め、特にこの曲率半径を特定の範囲に制御するこ
とによって、上記の目的が達成できることを見いだし
た。
面部によって押圧しながら超音波を付与して、前記アル
ミニウム線の先端を電極パッドに接合するためのアルミ
ニウム線用超音波接合治具において、前記押圧平面部の
アルミニウム線供給側の後端角部に、40μm以上且つ
前記押圧平面部の長さ以上の曲率半径を有するR面を形
成したことを特徴とするものである。なお、このアルミ
ニウム線用超音波接合治具は、特に線径が25〜50μ
mのアルミニウム線を接合するのに好適に用いられる。
ド間をアルミニウム線で接続すると、アルミニウム線の
折れ曲がり部で塑性変形が生じ、また超音波の繰り返し
振動による疲労が重畳されるものの、従来のような浅い
裂け目(クラック)の発生を効果的に抑制することがで
きる結果、自動車のエンジンルームのように熱的、振動
等の機械的および腐食等の化学的に厳しい環境で使用さ
れる場合であっても、き裂が進展せず、高い接合信頼性
を付与することができる。
超音波接合治具の1例の概略側面図を示す図1を参照し
ながら詳細に説明する。図1のアルミニウム線超音波接
合治具1は、タングステンカーバイド等の超硬合金、セ
ラミックスなどの材料からなるものであって、その先端
構造としては、接合時にアルミニウム線2を押圧するた
めの押圧平面部3が形成されている。また、この押圧平
面部3の後部には、この押圧平面部3にアルミニウム線
供給装置(不図示)から供給されるアルミニウム線2を
供給するためのガイド部4が形成されている。
置の先端に取付けられており、アルミニウム線2への接
合エネルギーは、接合治具1の本体からアルミニウム線
2を押圧する押圧平面部3から伝達される。
端角部3bはいずれもR面取りが施されている。
部3bの曲率半径rbは、通常25.4μmに固定され
ているが、本発明によれば、この後端角部3bにおける
R面の曲率半径rbが40μm以上且つ前記押圧平面部
3の長さ以上の大きさで加工されていることであること
が重要である。例えば、押圧平面部3の長さが0.02
0インチ(50.8μm)以上であれば、それと同等以
上の長さのR面取りを施することが必要である。
ンチ(50.5μm)以下の場合は、後端角部3bのR
面の曲率半径rbは40μm以上であることが後述する
実施例からも明らかである。
角部3aのR面の曲率半径raは、アルミニウム線の負
担を与えない範囲で20乃至30μmであることが適当
である。
m、長さ50mmの超音波接合治具を用意し、その先端
に、図1のように、アルミニウム線への押圧平面部と、
アルミニウム線供給装置から供給されるアルミニウム線
のガイド部とを加工形成した。なお、押圧平面部の長さ
が38.1μmと63.5μmの2種類の超音波接合治
具を用意し、それぞれ前端角部に曲率半径が25μmの
R面を、後端角部に表1に示すような種々の曲率半径の
R面を形成して超音波接合治具を得た。
して、タングステンメタライズ部を形成しその表面に、
無電解Niメッキを施し、さらにその上に無電解Auメ
ッキを施した。クリーンルーム内において、ベアチップ
を実装するパッド部に銀ペーストを印刷し、3mm角の
大きさを持つベアチップを所定の部位に実装した後、オ
ーブン中でキュアした。
ミナ多層基板上の電極パッド間を、直径30μmまたは
50μmのアルミニウム線を用いて超音波接合により接
合した。
の状態を走査型電子顕微鏡写真にて観察してクラックの
発生の有無を確認した。また、アルミニウム線によるプ
ル強度を測定した。このプル強度は、プルテスターを用
いて湾曲したアルミニウム線の頂部を引っ張り、アルミ
ニウム線の少なくとも一方が電極パッドから外れた時の
引っ張り強度を測定した。
板上の電極パッドとを接合するアルミニウム線の接合の
接続信頼性を評価するため、温度範囲−40℃〜125
℃各30分保持の気槽温度サイクル試験を1000サイ
クル行い、試験後のアルミニウム線の状態およびプル強
度を測定した。
合治具の押圧平面部の後端角部のR面取りの曲率半径が
押圧平面部の長さ以上または40μmのいずれか大きい
方の大きさで加工されている場合においては、初期状態
では、アルミニウム線の曲り部に裂け目は認められてお
らず、また、温度サイクル試験後においても、十分な接
合強度が保たれ、接合信頼性に優れていることが判っ
た。
が本発明の範囲を逸脱する試料No.2〜4、6、7、
9、12〜14、16、17、19では、初期状態でア
ルミニウム線にクラックの発生が多く認められたり、初
期でクラックが発生していないものもサイクル試験後に
はクラックの発生が認められ、プル強度が低下し、接合
が保証できないことが確認された。
ニウム線の折れ曲がり部で塑性変形が生じ、また超音波
の繰り返し振動による疲労が重畳されるものの、浅い裂
け目の発生が抑制される。その結果、自動車のエンジン
ルームのように熱的、振動等の機械的および腐食等の化
学的に厳しい環境で使用される場合であっても、き裂が
発生せず、高信頼性をもって稼動する。
図である。
る。
めの図である。
Claims (2)
- 【請求項1】アルミニウム線を押圧平面部によって押圧
しながら超音波を付与して、前記アルミニウム線の先端
を電極パッドに接合するためのアルミニウム線用超音波
接合治具において、 前記押圧平面部のアルミニウム線供給側の後端角部に、
40μm以上且つ前記押圧平面部の長さ以上の曲率半径
を有するR面を形成したことを特徴とするアルミニウム
線用超音波接合治具。 - 【請求項2】線径が25〜50μmのアルミニウム線を
接合するのに用いる請求項1記載のアルミニウム線用超
音波接合治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33987899A JP4683683B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | アルミニウム線用超音波接合治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33987899A JP4683683B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | アルミニウム線用超音波接合治具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001156100A true JP2001156100A (ja) | 2001-06-08 |
JP4683683B2 JP4683683B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=18331683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33987899A Expired - Fee Related JP4683683B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | アルミニウム線用超音波接合治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4683683B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009530872A (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 細いアルミニウムワイヤのためのアルミニウムバンプボンディング |
JP7370055B2 (ja) | 2020-02-12 | 2023-10-27 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57154852A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Wire bonder |
JPS61214531A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | ウエツジおよびそれを用いたワイヤボンダ |
JPH05251494A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置製造用キャピラリー |
JPH08340026A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Nec Kansai Ltd | ワイヤボンディング装置 |
JPH10242198A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Nec Corp | ワイヤボンディング装置 |
-
1999
- 1999-11-30 JP JP33987899A patent/JP4683683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57154852A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Wire bonder |
JPS61214531A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | ウエツジおよびそれを用いたワイヤボンダ |
JPH05251494A (ja) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置製造用キャピラリー |
JPH08340026A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Nec Kansai Ltd | ワイヤボンディング装置 |
JPH10242198A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Nec Corp | ワイヤボンディング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009530872A (ja) * | 2006-03-20 | 2009-08-27 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | 細いアルミニウムワイヤのためのアルミニウムバンプボンディング |
JP7370055B2 (ja) | 2020-02-12 | 2023-10-27 | 株式会社新川 | 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4683683B2 (ja) | 2011-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4168114B2 (ja) | 金属−セラミックス接合体 | |
EP1711040A1 (en) | Circuit device and manufacturing method thereof | |
WO2015034078A1 (ja) | 電子部品搭載基板およびその製造方法 | |
JP2013135008A (ja) | ワイヤボンディング用のウェッジツール、ボンディング装置、ワイヤボンディング方法、および半導体装置の製造方法 | |
US7597231B2 (en) | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps | |
JP2001156100A (ja) | アルミニウム線用超音波接合治具 | |
Mantese et al. | Platinum wire wedge bonding: A new IC and microsensor interconnect | |
JP4867042B2 (ja) | 金属と金属またはセラミックスとの接合方法 | |
EP2167269A1 (en) | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps | |
JP6020496B2 (ja) | 接合構造体およびその製造方法 | |
WO2011046036A1 (ja) | 回路装置及びその製造方法 | |
JP3631633B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2777036B2 (ja) | プリント配線板への端子の接続方法 | |
JP2013254873A (ja) | パワーモジュールおよびその製造方法 | |
JP2002009190A (ja) | セラミック基板及びその製造方法 | |
JP3972517B2 (ja) | 電子部品の接続方法 | |
US20190356098A1 (en) | Method for Bonding an Electrically Conductive Element to a Bonding Partner | |
JP4041045B2 (ja) | 超音波フリップチップ接合方法 | |
JP2001135674A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
JP2899197B2 (ja) | セラミックヒータのリード端子接続装置 | |
TW503616B (en) | Wire bonding method, surface acoustic wave apparatus and method for producing surface acoustic wave apparatus | |
JPH0722726A (ja) | アモルファス繊維とプリント配線板との接合構造及び接合方法 | |
JP2009267157A (ja) | プリント配線板、このプリント配線板を用いた半導体装置の製造方法、半導体装置並びに音響変換装置 | |
JP2001133529A (ja) | 磁気インピーダンスセンサの感磁アモルファス体支持構造 | |
KR100950156B1 (ko) | 연선배선용 소켓 핀 접합방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |