JP2001154056A

JP2001154056A - 光ファイバの加熱処理方法

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Publication number: JP2001154056A
Application number: JP33614199A
Authority: JP
Inventors: Shinji Ishikawa; 真二石川; Motonori Nakamura; 元宣中村; Tomoki Sano; 知己佐野
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1999-11-26
Filing date: 1999-11-26
Publication date: 2001-06-08

Abstract

(57)【要約】【課題】加熱処理による光学特性の調整が行われた後
の光ファイバの加熱部分での機械的強度を向上させる光
ファイバの加熱処理方法を提供する。【解決手段】ＳｉＯ₂系ガラスからなる光ファイバの
光学特性を調整するための加熱処理において、被覆光フ
ァイバ１のガラス露出部分１０で露出された光ファイバ
のガラス部１１をガスパージ箱２０内に設置し、加熱処
理の対象となる光ファイバ１１の部分に対して、加熱処
理の前処理としてガス供給管２１からハロゲンガスまた
はハロゲン化ケイ素などのガスを吹き付けてハロゲン化
処理を行う。このとき、光ファイバ１１のガラス表面上
のＯＨ基がハロゲン元素に置換されるので、加熱処理時
にＯＨ基が発生及び拡散されることによる欠陥の発生を
低減して、光ファイバの機械的強度の低下を抑制するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバのモー
ドフィールド径などの光学特性を調整するための加熱処
理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバの融着接続などの工程におい
て、光ファイバのモードフィールド径（ＭＦＤ）や様々
な光学特性を変化させるために加熱処理を行う場合があ
る。光ファイバを加熱するとコアのドーパントが拡散さ
れるので、これによって、モードフィールド径を拡大ま
たは調整することができる。

【０００３】例えば、モードフィールド径の異なる光フ
ァイバ同士を接続する際に、融着接続後に融着接続部近
傍の光ファイバのガラス部に対してバーナや電気炉など
を用いて加熱を行い、接続部でのモードフィールド径を
互いに拡大させることが行われる（例えば、特許第２８
０４３５５号公報参照）。このとき、モードフィールド
径が融着接続部近傍で連続的に変化するようになるな
ど、モードフィールド同士の接続状態が改善されて、光
伝送における融着接続部での接続損失を低減させること
ができる。

【０００４】特に、近年ＷＤＭ伝送容量の増大に伴っ
て、光ファイバに対して、（１）信号光パワーの強い信
号光が伝送される光ファイバ部分でのモードフィールド
径増大などによる非線形効果の低減、（２）波長多重数
の増大のための波長分散スロープの低減、及び（３）光
ファイバの全分散の低減、の３点が求められているが、
これらの特性を単一の光ファイバによってすべて満足す
ることは困難である。これに対して、モードフィールド
径などの構造及び特性が異なる複数の光ファイバを縦列
に接続することによって、上記した各条件を満たす光伝
送路を構成する試みがなされている。このような場合、
上記した加熱処理でのモードフィールド拡大による接続
損失の低減が伝送路の損失低減のため重要となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光ファイバの融着接続
の際に接続部に対して上記のような加熱処理を行った場
合、加熱された部位での光ファイバの強度低下が問題と
なる。すなわち、露出された光ファイバのガラス部に対
して加熱処理を行うことによって、光ファイバのガラス
表面に外傷や化学的な結合状態の変化などによる欠陥を
生じてしまうという問題を生じる。この欠陥の発生は、
接続後の光ファイバの機械的強度を低下させ、光ファイ
バが破断される原因ともなる。

【０００６】このとき、接続部での光ファイバの破断強
度は例えば数１００ＭＰａ程度（ファイバ径１２５μｍ
で数１００ｇ程度）まで低下してしまう。これに対し
て、ファイバ部を完全に固定化するファイバコネクタな
どの光部品を用いる場合や、補強部材によって固定する
場合においては、それらの固定方法によって、加熱処理
で低下した破断強度を補うことが可能である。

【０００７】しかしながら、伝送線路としてファイバケ
ーブル内に光ファイバ接続部を形成する場合には、光フ
ァイバの機械的強度を充分に補うことができない。その
ため、ケーブルに印加される張力に対する長期信頼性を
確保するには、光ファイバの接続部自体の破断強度を向
上させることが必要となる。このことは、融着接続後の
モードフィールド径を拡大する加工工程以外に行われる
光ファイバの加熱による光学特性の調整においても同様
である。

【０００８】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、加熱処理による光学特性の調整が行われた
後の光ファイバの加熱部分での機械的強度を向上させる
光ファイバの加熱処理方法を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光ファイバの加熱処理方法は、
ＳｉＯ₂系ガラスからなる光ファイバに対して加熱処理
を行って光学特性を調整する加熱処理方法であって、光
ファイバのガラス表面をあらかじめハロゲン化処理した
後に加熱処理を行うことを特徴とする。

【００１０】本願発明者は、加熱処理による上述した光
ファイバの機械的強度低下について、光ファイバのガラ
ス表面上に存在するＯＨ基（水酸基）に着目した。すな
わち、光ファイバのガラス表面における欠陥発生の原因
として、周辺に存在する水分やゴミなどが付着したガラ
ス表面上において、加熱処理時にＳｉ−Ｏ−Ｓｉの結合
がＨ₂Ｏ分子との反応などによってＳｉ−ＯＨとなって
ＯＨ基を生じ、さらに生じたＯＨ基が加熱によってガラ
ス中に拡散していくことが考えられる。

【００１１】これに対して、上記した加熱処理方法にお
いては、光ファイバに対して加熱処理を行う前処理とし
て光ファイバのガラス表面にハロゲン化処理を施して、
ＯＨ基をハロゲン元素で置換することとしている。これ
によって、加熱処理時のＯＨ基の発生及び拡散が抑制さ
れて、ガラス表面での欠陥発生による光ファイバの機械
的強度の低下を防止することができる。

【００１２】また、加熱処理を抵抗加熱または誘導加熱
によって行うことを特徴とする。抵抗加熱を利用する電
気抵抗炉や誘導加熱を利用する電気誘導炉の場合、電気
炉内における雰囲気などの処理条件の調整が容易である
ため、ハロゲン化処理の効果を充分に保持することが可
能である。

【００１３】あるいは、加熱処理を波長５μｍ以上の光
を出力する加熱用光源を用いて行うことを特徴とする。
レーザなどの加熱用光源を用いた場合も、同様に処理条
件の調整を行うことができる。また、波長５μｍ以上の
光はＳｉＯ₂系ガラスからなる光ファイバでの吸収効率
が高く、効果的に光ファイバを加熱することが可能であ
る。そのような加熱用光源としては、例えばＣＯレーザ
（波長５．１μｍ）またはＣＯ₂レーザ（波長１０．６
μｍ）を用いることが好ましい。なお、バーナによる火
炎など他の手段を用いて加熱処理を行う場合において
も、同様にハロゲン化処理を適用することによって光フ
ァイバの強度低下を抑制することが可能である。

【００１４】ハロゲン化処理に用いるハロゲン元素は、
ＦまたはＣｌであることが好ましい。これらのハロゲン
元素は、他のＢｒ、Ｉのハロゲン元素に比べ、特にＯＨ
基と比較して化学結合強度が強く、ＯＨ基に対する置
換、及び置換後の拡散の抑制をより確実に行うことがで
きる。

【００１５】さらに、ハロゲン化処理におけるハロゲン
置換にハロゲン化ケイ素を用いることが好ましい。これ
によって、ハロゲン元素がハロゲン化ケイ素となる過程
を省略できるので、ハロゲン化処理が数倍効率よく行え
る。また、置換されるハロゲン元素を増やすことがで
き、また、光ファイバのガラス表面への浸食を生じるこ
となくハロゲン化処理を行うことができる。

【００１６】また、加熱処理の雰囲気は、Ｎ₂、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅのうち少なくとも１種類のガスを含む不活性
ガス雰囲気であることを特徴とする。さらに、不活性ガ
ス雰囲気は、ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスを
含むことが好ましい。不活性ガスを雰囲気とすることに
よって、置換されたハロゲン元素の加熱処理時における
反応が抑制され、また、ハロゲンガスや、ハロゲン化ケ
イ素などのハロゲン化合物を雰囲気に含ませることによ
って、ハロゲン元素の熱脱離などを抑制することができ
る。これによって、ハロゲン化処理による欠陥発生低減
の効果が向上される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
光ファイバの加熱処理方法の好適な実施形態について詳
細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図
面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していな
い。

【００１８】最初に、光ファイバへの加熱の前処理とし
て行われるハロゲン化処理について説明する。図１は、
本発明による光ファイバの加熱処理方法の一実施形態に
おけるハロゲン化処理について概略的に示す正面断面図
である。なお、以下においてハロゲン化処理及び加熱処
理に関して示す各断面図は、いずれも処理対象となる光
ファイバの中心線または中心位置を含む平面による断面
である。

【００１９】図１においてハロゲン化処理の対象として
図示されている光ファイバは、合成樹脂等による被覆１
２が光ファイバのガラス部１１（以下、単に光ファイバ
１１という）の外周に形成された被覆光ファイバ１であ
る。後述する加熱処理が行われる部分は、被覆１２が除
去されて光ファイバ１１が露出されたガラス露出部分１
０とされている。

【００２０】このような状態の光ファイバは、例えば２
本の光ファイバの融着接続時に得られる。光ファイバの
融着接続においては、それぞれの光ファイバの接続させ
る先端部分について所定の長さにわたって被覆を除去し
た後、光ファイバのガラス部が露出された先端部分の接
続面同士をアーク放電などによって融着接続する。光フ
ァイバの接続においては、この融着接続後であって再被
覆を行う前の光ファイバの状態が、図１に示されたガラ
ス露出部分１０を有する被覆光ファイバ１に相当する。

【００２１】被覆光ファイバ１は、ガスパージ箱２０内
の所定の位置に加熱処理を行うガラス露出部分１０の光
ファイバ１１が配置されるように、ガスパージ箱２０に
対して固定される。ガスパージ箱２０には、ハロゲン化
処理を行うためのガスを供給するノズル状のガス供給管
２１が設けられており、また、このガス供給管２１は所
定の１方向、図１においては図中の左右方向、に可動な
ようにガスパージ箱２０に対して設置されている。

【００２２】このガス供給管２１に対して、被覆光ファ
イバ１は、そのガラス露出部分１０の光ファイバ１１表
面がガス供給管２１のガスパージ箱２０内側の先端部分
であるガス供給口２１ａに面するとともに、光ファイバ
１１の伸びる方向がガス供給管２１の上記した移動方向
と一致されるように配置される。また、ガス供給管２１
からガスパージ箱２０内に供給されたガスは、排気口２
２から排気される。

【００２３】ガス供給管２１からは、ハロゲン化処理を
行うための所定のガスが供給される。ハロゲン化処理に
用いるガスに含まれる成分としては、Ｆ₂やＣｌ₂などの
ハロゲンガスや、ＳｉＦ₄やＳｉＣｌ₄などのハロゲン化
ケイ素を用いることが好ましい。また、それ以外のハロ
ゲン化合物ガスを用いることも可能である。ハロゲン元
素Ｆ、Ｃｌ等を含むこれらのガスをガラス露出部分１０
において露出された光ファイバ１１に対して吹き付ける
ことによって、ガラス露出部分１０でのガラス表面をハ
ロゲン置換するハロゲン化処理が行われる。

【００２４】ハロゲン化処理中においては、処理が行わ
れる光ファイバ１１を数１００℃程度の温度に保つこと
が好ましい。光ファイバ１１を加温した状態でガスを吹
き付けることによって、ハロゲン置換反応を促進してハ
ロゲン化処理の効率を向上させることができる。光ファ
イバ１１を加温する方法としては、ガスパージ箱２０の
全体を加温する方法や、ガス供給管２１から供給される
ガスをあらかじめ加温しておく方法などがある。ただ
し、このハロゲン化処理は常温で行っても良い。

【００２５】なお、上記したハロゲン化処理は、ガラス
露出部分１０の全体の光ファイバ１１に対して行っても
良いし、または、ガラス露出部分１０のうち後述する加
熱処理が行われる光ファイバ１１の部分のみについて行
っても良い。

【００２６】次に、上記したハロゲン化処理に続いて行
われる光ファイバに対する加熱処理について説明する。
図２は、本実施形態における加熱処理について概略的に
示す図であり、図２（ａ）は正面断面図、図２（ｂ）は
側面断面図を示す。

【００２７】図２に示した光ファイバの加熱処理方法に
おいては、電気抵抗炉による抵抗加熱を用いて光ファイ
バを加熱している。本実施形態における電気抵抗炉は、
ガスパージ箱３０の内部に設置された炉心管３１及びヒ
ータ３２を備えて構成されている。

【００２８】炉心管３１は、中心軸が所定の方向に伸び
る略円筒状に形成されており、その側面の一方側が、図
２（ｂ）に示すように光ファイバの挿入・設置等を行う
ための管の長手方向に沿った開口部３１ａとされてい
る。炉心管３１の外周面上には、外周面の所定部分に接
触するようにヒータ３２が設置されている。図２におい
ては、ヒータ３２は炉心管３１の円筒部分に対して、そ
の外周面の両端を除く部分に接触するように設置されて
いる。また、炉心管３１及びヒータ３２の周囲には、そ
れらを覆う断熱材３３が設けられている。

【００２９】図１に示した方法によって光ファイバ１１
に対してハロゲン化処理が行われた被覆光ファイバ１
は、その軸方向が円筒状の炉心管３１の中心軸と略一致
された状態で、ガラス露出部分１０において露出された
光ファイバ１１のうち加熱処理の対象となる部分が炉心
管３１内に位置するように配置される。例えば、光ファ
イバの融着接続後におけるモードフィールド径の調整の
ための加熱処理においては、融着接続部を含む所定の範
囲に対して加熱処理を行う。

【００３０】炉心管３１の外周面に接触されたヒータ３
２に電源ケーブル３２ａを介して電力が供給されると、
抵抗加熱によって高温となったヒータ３２によって炉心
管３１が加熱され、このヒータ３２及び炉心管３１から
の熱によってガラス露出部分１０の光ファイバ１１が加
熱処理される。加熱処理の条件については、調整しよう
とする光学特性や光ファイバの構造等によって異なる
が、例えば加熱温度は１２００℃〜１５００℃程度、ま
た、加熱時間は１分〜２０分程度である。

【００３１】このとき、ガスパージ箱３０内の加熱処理
雰囲気としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅなどの希ガスやＮ₂
など、不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。また、
このような不活性ガス雰囲気にハロゲンガスやハロゲン
化合物ガスなどを含ませた雰囲気を用いても良い。これ
らのガス雰囲気は、ガスパージ箱３０に設けられたガス
供給口３４から供給されて排気口３５から排気されるよ
うに構成されており、これによってガスパージ箱３０内
で一定の加熱処理雰囲気が保持される。

【００３２】なお、図１に示したハロゲン化処理及び図
２に示した加熱処理は、それぞれガスパージ箱２０及び
３０内において行われるが、これらの処理工程について
は、同一のガスパージ箱内にそれぞれの処理装置を設置
して行っても良いし、それぞれ別のガスパージ箱内に処
理装置を設置して行っても良い。

【００３３】ハロゲン化処理後に加熱処理を行う上記し
た光ファイバの加熱処理方法の効果について説明する。

【００３４】上記した実施形態においては加熱処理を行
う前処理として、光ファイバ１１に対してハロゲン化処
理を行っている。すなわち、光ファイバ１１のガラス表
面に存在するＯＨ基に対して、ハロゲンガスやハロゲン
化ケイ素などのガスを吹き付けることによってハロゲン
置換を行う。ハロゲン元素が拡散する速度はＯＨ基に比
べて非常に遅い。したがって、前処理としてガラス表面
にハロゲン化処理を行うことによって、加熱処理時にお
けるＯＨ基の発生及び拡散による欠陥の成長が抑制され
て、光ファイバの破断強度の低下が防止される。

【００３５】ハロゲン化処理に用いるハロゲン元素を含
むガスとしては、上記したようにＦ ₂やＣｌ₂などのハロ
ゲンガスや、ＳｉＦ₄やＳｉＣｌ₄などのハロゲン化ケイ
素などがある。ハロゲン元素としてはＯＨ基と比較して
化学結合強度が強いＦまたはＣｌを用いることが、ハロ
ゲン置換を確実に行うとともに置換後の拡散を抑制する
上で好ましい。また、置換用の化学種としてハロゲン化
ケイ素を用いた場合には、より高濃度での置換が可能に
なるとともに、光ファイバのガラス表面への浸食を防ぐ
ことができる。

【００３６】また、ハロゲン化処理後の加熱処理におい
ては、ガスパージ箱などの雰囲気の調整が可能な容器を
用いて所定の雰囲気内で加熱処理を行うことが好まし
い。さらに、ガスパージ箱内の加熱処理雰囲気としてＨ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅなどの希ガスやＮ₂など、不活性ガスを
用いることが好ましい。加熱処理開始時の光ファイバ１
１はハロゲン化処理によってガラス表面がハロゲン置換
された状態にあるが、加熱処理の温度及び時間や加熱方
法などの条件によっては、ガラス表面のハロゲン元素が
反応を起こして再びＯＨ基が発生してしまうなど、ハロ
ゲン化処理による一定の効果はあるものの、ハロゲン化
処理の効果がそがれる場合がある。

【００３７】これに対して、加熱処理雰囲気を不活性ガ
スとすることによって、ハロゲン元素が反応を起こすの
を防止して、加熱処理終了までハロゲン化処理の効果を
充分に保持することが可能となり、破断強度低下を抑制
する効果を向上させることができる。また、この不活性
ガス雰囲気に、ハロゲンガスやハロゲン化合物ガスなど
を含ませておくと、ハロゲン元素の熱脱離などをさらに
抑制することができる。ハロゲン化合物ガスとしては、
ハロゲン化ケイ素など様々な化合物ガスを用いることが
できる。なお、ガスの種類によっては、排気されるガス
の処理に対する注意が必要である。

【００３８】図３は、加熱処理後の光ファイバの破断強
度について示すグラフである。ここで、横軸は光ファイ
バの破断強度（ＧＰａ）、縦軸は累積破断確率（％）を
示しており、測定による各データ点は、その破断強度に
おいて何％の光ファイバが破断するかを示している。ま
た、データ測定は、各条件に対してそれぞれ１０本の光
ファイバを用いて行った。

【００３９】各データのうち、黒丸で示されている破断
データＡは、加熱処理を行っていない初期状態での光フ
ァイバの破断強度を示している。一方、白丸で示されて
いる破断データＢ、Ｃは、加熱処理を行った後の破断強
度を示している。なお、破断データＢ、Ｃでは、加熱処
理の温度及び時間については、図２に示した加熱処理に
関して上述した加熱条件を適用し、同一の加熱条件によ
って加熱処理を行っている。

【００４０】破断データＢは、ハロゲン化処理を行わな
い従来の加熱処理方法によるものであり、また、大気雰
囲気中において加熱処理を行っている。一方、破断デー
タＣは、上述した実施形態の加熱処理方法を用いた本発
明の実施例によるものである。この破断データＣでは、
ハロゲン化処理については、ＳｉＦ₄ガスを用いて温度
１５０℃で１０分程度の処理を行い、また、加熱処理に
ついては、不活性ガスであるＡｒガス雰囲気中で行って
いる。

【００４１】このとき、初期ファイバの破断データＡで
は、約５ＧＰａの破断強度が得られているのに対して、
加熱処理後においては、ハロゲン化処理を行わない従来
例の破断データＢでは、破断強度は１ＧＰａを大きく下
回っている。一方、本発明の実施例による破断データＣ
では、初期ファイバに比べれば破断強度が低下している
が、加熱処理前にハロゲン化処理を行うことによって、
破断強度は１ＧＰａ以上に保たれ、加熱処理による光フ
ァイバの機械的強度の低下が大きく抑制されていること
がわかる。破断データＢ、Ｃでの５０％破断強度は、破
断データＢで約０．３ＧＰａ、本発明による破断データ
Ｃで約１．７ＧＰａである。

【００４２】ここで、光ファイバの融着接続時にも光フ
ァイバが加熱されるが、融着接続における加熱はモード
フィールド径などの光学特性の調整のための加熱処理と
比較して充分に短時間である。したがって、光ファイバ
に傷をつけない取り扱い方法や放電加熱条件の調整によ
って、平均破断強度を２〜３ＧＰａ程度（ファイバ径１
２５μｍで３ｋｇ程度）まで向上させることが可能であ
る。これに対して、光学特性調整のための加熱の場合、
加熱処理時間が比較的長時間となるので、上述したよう
なハロゲン化処理が強度低下を抑制するために効果的で
ある。なお、融着接続時に塩素−水素火炎を用いてＯＨ
基による破断強度低下を抑制することについて、文献 E
lec. Lett. Vol.17 (1981) pp.812-813 に記載がある。

【００４３】本発明による光ファイバの加熱処理方法
は、上記した実施形態に限られるものではなく、用いる
処理装置の構成や処理条件等について様々な変形及び変
更が可能である。図４は、光ファイバの加熱処理方法の
他の実施形態における加熱処理について概略的に示す正
面断面図である。

【００４４】本実施形態においては、光ファイバの加熱
処理に加熱用光源であるレーザ４１を用いている。レー
ザ４１から出力された光は集光レンズ４２を介して集光
されつつガスパージ箱３０内に入射され、ガラス露出部
分１０の光ファイバ１１に照射されて光ファイバ１１の
加熱が光学的に行われる。

【００４５】このような光学的手段による加熱の場合、
光ファイバ１１の加熱処理に用いられる光としては波長
５μｍ以上の光を用いることが好ましい。波長５μｍ以
上の光はＳｉＯ₂系ガラスによる吸収効率が非常に高
く、したがって、ＳｉＯ₂系ガラスからなる光ファイバ
を効率的に加熱することができる。そのような加熱用光
源としては、例えば波長１０．６μｍの光を出力するも
のなどのＣＯ₂レーザ、あるいは波長５．１μｍなどの
ＣＯレーザなどを用いることができる。

【００４６】なお、加熱処理に関しては、図２に示した
抵抗加熱を利用した電気抵抗炉や、図４に示したレーザ
などの加熱用光源に限らず、誘導加熱を利用した電気誘
導炉などを用いても良い。これらの電気炉や加熱用光源
を用いた加熱方法においては、加熱処理時における光フ
ァイバ１１の雰囲気などの加熱条件の調整が容易であ
り、機械的強度低下の抑制を好適に実現することができ
る。ただし、バーナの火炎による加熱方法などを用いた
場合においても、上記のようにハロゲン化処理を行うこ
とによって加熱処理による強度低下の抑制を実現するこ
とが可能である。

【００４７】

【発明の効果】本発明による光ファイバの加熱処理方法
は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得
る。すなわち、ＳｉＯ₂系ガラスからなる光ファイバの
光学特性を調整するための加熱処理において、加熱処理
を行う前処理としてあらかじめ光ファイバのガラス表面
をハロゲン置換するハロゲン化処理を行う。これによっ
て、加熱処理時において発生される欠陥の原因となるＯ
Ｈ基の発生及びガラス内部への拡散を低減することがで
き、したがって、加熱処理による光ファイバの機械的強
度の低下が抑制される。

【００４８】加熱処理による光ファイバの光学特性調整
としては、例えばモードフィールド径の異なる光ファイ
バの融着接続後に行われるモードフィールド径の調整が
ある。近年、光伝送路に求められるいくつかの特性条件
を満たす伝送路を構成するためにそのような光ファイバ
接続の必要性は高まっている。これに対して、上記した
加熱処理方法を適用することによって、接続部における
接続損失が低減されると同時にケーブル化後における破
断強度が向上された光ファイバ伝送路が実現される。

【００４９】また、光ファイバの接続以外の加工工程に
おいても、同様に加熱によるモードフィールド径などの
光学特性調整が必要となることが考えられ、それらの工
程においても上記した加熱処理方法を適用することによ
って、加熱処理後の光ファイバ伝送路または光ファイバ
部品の機械的強度を高めることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】光ファイバの加熱処理方法の一実施形態におけ
るハロゲン化処理について概略的に示す正面断面図であ
る。

【図２】光ファイバの加熱処理方法の一実施形態におけ
る加熱処理について概略的に示す（ａ）正面断面図、及
び（ｂ）側面断面図である。

【図３】加熱処理後の光ファイバの破断強度について示
すグラフである。

【図４】光ファイバの加熱処理方法の他の実施形態にお
ける加熱処理について概略的に示す正面断面図である。

【符号の説明】

１…被覆光ファイバ、１０…ガラス露出部分、１１…光
ファイバのガラス部、１２…被覆、２０…ガスパージ
箱、２１…ガス供給管、２１ａ…ガス供給口、２２…排
気口、３０…ガスパージ箱、３１…炉心管、３１ａ…開
口部、３２…ヒータ、３２ａ…電源ケーブル、３３…断
熱材、３４…ガス供給口、３５…排気口、４１…レー
ザ、４２…集光レンズ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐野知己神奈川県横浜市栄区田谷町１番地住友電気工業株式会社横浜製作所内Ｆターム(参考） 2H036 KA02 MA12 MA14 MA16 2H038 CA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＳｉＯ₂系ガラスからなる光ファイバに
対して加熱処理を行って光学特性を調整する加熱処理方
法であって、前記光ファイバのガラス表面をあらかじめハロゲン化処
理した後に前記加熱処理を行うことを特徴とする光ファ
イバの加熱処理方法。
【請求項２】前記ハロゲン化処理に用いるハロゲン元
素は、ＦまたはＣｌであることを特徴とする請求項１記
載の光ファイバの加熱処理方法。
【請求項３】前記ハロゲン化処理におけるハロゲン置
換にハロゲン化ケイ素を用いることを特徴とする請求項
１記載の光ファイバの加熱処理方法。
【請求項４】前記加熱処理の雰囲気は、Ｎ₂、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅのうち少なくとも１種類のガスを含む不活性
ガス雰囲気であることを特徴とする請求項１記載の光フ
ァイバの加熱処理方法。
【請求項５】前記不活性ガス雰囲気は、ハロゲンガス
またはハロゲン化合物ガスを含むことを特徴とする請求
項４記載の光ファイバの加熱処理方法。