JP2001144510A - マイクロ波回路の特性調整回路および特性調整方法 - Google Patents
マイクロ波回路の特性調整回路および特性調整方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マイクロ波集積回路装置等のマイクロ波回路の
特性調整が容易な特性調整回路を提供する。 【解決手段】誘電体基板６のマイクロ波回路のストリッ
プ線路１と直交する方向に所定の間隔で第１のスタブ７
ａ，７ｂを複数設けるとともに、ストリップ線路１と第
１のスタブ７ａ間および第１のスタブ７ａ，７ｂ間に一
端部が第１のスタブ７ａ，７ｂに接続され、その他端部
が第１のスタブ７ａおよびストリップ線路１の表面から
浮き上がり空間的に分離したスタブ空間部２を有する第
２のスタブを配置してマイクロ波回路の特性調整回路を
構成した。このスタブ空間部２を押しつぶしてストリッ
プ線路１および第１のスタブ７ａに圧着してストリップ
線路１に接続されるスタブ全体の長さを調整し、ストリ
ップ線路１のインピーダンスを調整する。
特性調整が容易な特性調整回路を提供する。 【解決手段】誘電体基板６のマイクロ波回路のストリッ
プ線路１と直交する方向に所定の間隔で第１のスタブ７
ａ，７ｂを複数設けるとともに、ストリップ線路１と第
１のスタブ７ａ間および第１のスタブ７ａ，７ｂ間に一
端部が第１のスタブ７ａ，７ｂに接続され、その他端部
が第１のスタブ７ａおよびストリップ線路１の表面から
浮き上がり空間的に分離したスタブ空間部２を有する第
２のスタブを配置してマイクロ波回路の特性調整回路を
構成した。このスタブ空間部２を押しつぶしてストリッ
プ線路１および第１のスタブ７ａに圧着してストリップ
線路１に接続されるスタブ全体の長さを調整し、ストリ
ップ線路１のインピーダンスを調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波集積回路
装置等に使用されるマイクロ波回路の特性調整回路およ
びその特性調整方法に関し、特に、マイクロストリップ
線路を用いたマイクロ波回路のインピーダンスの特性調
整回路とその調整方法に関するものである。
装置等に使用されるマイクロ波回路の特性調整回路およ
びその特性調整方法に関し、特に、マイクロストリップ
線路を用いたマイクロ波回路のインピーダンスの特性調
整回路とその調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波伝送線路として用いられるス
トリップ線路は接地導体とストリップ導体とで構成され
た平面構造をしており、従来の導波管を用いた立体回路
に比べて小形化が可能であると共に自由に回路を構成で
き、信号伝送損失も少なく、広帯域な周波数特性が得ら
れるためにマイクロ波集積回路装置に広く使用されてい
る。
トリップ線路は接地導体とストリップ導体とで構成され
た平面構造をしており、従来の導波管を用いた立体回路
に比べて小形化が可能であると共に自由に回路を構成で
き、信号伝送損失も少なく、広帯域な周波数特性が得ら
れるためにマイクロ波集積回路装置に広く使用されてい
る。
【０００３】マイクロ波で駆動するＭＭＩＣ（モノシリ
ックマイクロ波ＩＣ）などでは、それらの実装方法によ
りマイクロ波回路の特性が大きく変化し、デバイスの完
成後、細かな特性調整が必要になることが多々ある。こ
の際、スタブを用いた線路のインピーダンス調整がよく
おこなわれる。
ックマイクロ波ＩＣ）などでは、それらの実装方法によ
りマイクロ波回路の特性が大きく変化し、デバイスの完
成後、細かな特性調整が必要になることが多々ある。こ
の際、スタブを用いた線路のインピーダンス調整がよく
おこなわれる。
【０００４】マイクロ波集積回路装置のインピーダンス
調整の方法としては、ストリップ線路にスタブを付加す
る方法が知られている。この方法について、図６を参照
して説明する。
調整の方法としては、ストリップ線路にスタブを付加す
る方法が知られている。この方法について、図６を参照
して説明する。
【０００５】図６に示すように、ストリップ線路１０の
脇に特性調整用電極１２を縦横に間隔をあけて配置して
おき、特性を確認したのち、所望の特性が得られるよう
に金等のボンディングワイヤー１１を使用してストリッ
プ線路１０と特性調整用電極１２の部分をボンディング
等により電気的に接続して回路を変更し、インピーダン
スの調整が行われている。
脇に特性調整用電極１２を縦横に間隔をあけて配置して
おき、特性を確認したのち、所望の特性が得られるよう
に金等のボンディングワイヤー１１を使用してストリッ
プ線路１０と特性調整用電極１２の部分をボンディング
等により電気的に接続して回路を変更し、インピーダン
スの調整が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術ではボンディングワイヤー１１によりストリッ
プ線路１０と特性調整用電極１２を接続するので、アル
ミナのようなワイヤーボンディングが確実にできる材料
の誘電体基板を用いなければならないという問題があっ
た。
従来技術ではボンディングワイヤー１１によりストリッ
プ線路１０と特性調整用電極１２を接続するので、アル
ミナのようなワイヤーボンディングが確実にできる材料
の誘電体基板を用いなければならないという問題があっ
た。
【０００７】また、ボンディングワイヤー１１自身の長
さや本数、ボンディングの位置等も特性に影響するた
め、再現性の良いワイヤーボンディング技術が必要とさ
れ、さらに、特性調整用電極１２とボンディングワイヤ
ー１１を組み合わせた特性が不明であるため、この特性
の確認と、ボンディングによる回路の変更作業が繰り返
し行われる。この技術では、特性評価とボンディングの
作業が同時に行えないために特性調整作業に非常に時間
がかかる問題があった。
さや本数、ボンディングの位置等も特性に影響するた
め、再現性の良いワイヤーボンディング技術が必要とさ
れ、さらに、特性調整用電極１２とボンディングワイヤ
ー１１を組み合わせた特性が不明であるため、この特性
の確認と、ボンディングによる回路の変更作業が繰り返
し行われる。この技術では、特性評価とボンディングの
作業が同時に行えないために特性調整作業に非常に時間
がかかる問題があった。
【０００８】上記の従来技術における問題点を解決する
方法として予めストリップ線路に複数のスタブを接続し
ておき、これらのいくつかをデバイス完成後切り離し、
ストリップ線路のインピーダンス特性を調整する技術
が、特開平４―２７６９０５号公報や特開平８―４６４
１１号公報等に開示されている。
方法として予めストリップ線路に複数のスタブを接続し
ておき、これらのいくつかをデバイス完成後切り離し、
ストリップ線路のインピーダンス特性を調整する技術
が、特開平４―２７６９０５号公報や特開平８―４６４
１１号公報等に開示されている。
【０００９】図７は、特開平８―４６４１１号公報に開
示されたマイクロ波集積回路装置のインピーダンス調整
方法を説明するための平面図である。この技術では、図
７のように、予め通電により切断される狭小幅高周波線
路１４に広幅の特性調整用高周波線路１５を隣接して接
続して構成したスタブ２０を主線路１３に接続してお
き、デバイス完成後、通電して狭小幅高周波線路１４の
部分を溶断してインピーダンス調整をおこなっている。
図７の符号１６は切断された狭小幅高周波線路を示す。
この方法でも、線路に通電するため、特性評価と溶断作
業を同時に行えないために非常に時間がかかる作業とな
る。また、マイクロ波のデバイスでは特性調整用高周波
線路１５の幅が狭くなるために、電流供給端子の特性調
整用高周波線路１５への接触が難しく、通電が困難にな
る問題もあった。
示されたマイクロ波集積回路装置のインピーダンス調整
方法を説明するための平面図である。この技術では、図
７のように、予め通電により切断される狭小幅高周波線
路１４に広幅の特性調整用高周波線路１５を隣接して接
続して構成したスタブ２０を主線路１３に接続してお
き、デバイス完成後、通電して狭小幅高周波線路１４の
部分を溶断してインピーダンス調整をおこなっている。
図７の符号１６は切断された狭小幅高周波線路を示す。
この方法でも、線路に通電するため、特性評価と溶断作
業を同時に行えないために非常に時間がかかる作業とな
る。また、マイクロ波のデバイスでは特性調整用高周波
線路１５の幅が狭くなるために、電流供給端子の特性調
整用高周波線路１５への接触が難しく、通電が困難にな
る問題もあった。
【００１０】本発明の目的は、上記の従来技術の問題点
を解決し、ワイヤーボンディング技術を用いることな
く、マイクロ波回路を所望の特性になるように容易に調
整することができるマイクロ波回路の特性調整回路およ
びその特性調整方法を提供することにある。
を解決し、ワイヤーボンディング技術を用いることな
く、マイクロ波回路を所望の特性になるように容易に調
整することができるマイクロ波回路の特性調整回路およ
びその特性調整方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波回路
の特性調整回路の第１の構成は、誘電体基板のマイクロ
波回路のストリップ線路と直交する方向に所定の間隔で
複数設けられた第１のスタブと、前記ストリップ線路と
前記第1のスタブ間および前記第1のスタブ間の全てに配
置された第２のスタブから構成されたマイクロ波回路の
特性調整回路において、前記第２のスタブの一端部が前
記第１のスタブに接続されるとともに、その他端部がそ
れが対向する前記第１のスタブおよび前記ストリップ線
路の表面から浮き上がり空間的に分離されていることを
特徴とする。
の特性調整回路の第１の構成は、誘電体基板のマイクロ
波回路のストリップ線路と直交する方向に所定の間隔で
複数設けられた第１のスタブと、前記ストリップ線路と
前記第1のスタブ間および前記第1のスタブ間の全てに配
置された第２のスタブから構成されたマイクロ波回路の
特性調整回路において、前記第２のスタブの一端部が前
記第１のスタブに接続されるとともに、その他端部がそ
れが対向する前記第１のスタブおよび前記ストリップ線
路の表面から浮き上がり空間的に分離されていることを
特徴とする。
【００１２】上記の第１の構成において、第１のスタブ
および前記第２のスタブから構成される前記特性調整回
路は前記ストリップ線路と同じ方向に複数列形成するこ
ともできる。
および前記第２のスタブから構成される前記特性調整回
路は前記ストリップ線路と同じ方向に複数列形成するこ
ともできる。
【００１３】本発明のマイクロ波回路の特性調整回路の
第２の構成は、誘電体基板のマイクロ波回路のストリッ
プ線路と直交する第１の方向に前記誘電体基板上に所定
の間隔で複数設けられた第１のスタブと、前記ストリッ
プ線路と前記第1のスタブ間および前記第1のスタブ間の
全てに配置された第２のスタブと、前記第１のスタブの
少なくとも一つの少なくとも片側に前記第１の方向と直
交する方向に複数設けられた第３のスタブと、前記第１
のスタブと前記第３のスタブ間および前記第３のスタブ
間の全てに設けられた第４のスタブから構成されたマイ
クロ波回路の特性調整回路において、前記第２のスタブ
の一端部が前記第１のスタブに接続されるとともに、そ
の他端部がそれが対向する前記第１のスタブおよび前記
ストリップ線路の表面から浮き上がり空間的に分離さ
れ、前記第４のスタブの一端部が前記第１または第３の
スタブに接続されるとともに、その他端部がそれが対向
する前記第１のスタブまたは前記第３のスタブの表面か
ら浮き上がり空間的に分離されていることを特徴とす
る。
第２の構成は、誘電体基板のマイクロ波回路のストリッ
プ線路と直交する第１の方向に前記誘電体基板上に所定
の間隔で複数設けられた第１のスタブと、前記ストリッ
プ線路と前記第1のスタブ間および前記第1のスタブ間の
全てに配置された第２のスタブと、前記第１のスタブの
少なくとも一つの少なくとも片側に前記第１の方向と直
交する方向に複数設けられた第３のスタブと、前記第１
のスタブと前記第３のスタブ間および前記第３のスタブ
間の全てに設けられた第４のスタブから構成されたマイ
クロ波回路の特性調整回路において、前記第２のスタブ
の一端部が前記第１のスタブに接続されるとともに、そ
の他端部がそれが対向する前記第１のスタブおよび前記
ストリップ線路の表面から浮き上がり空間的に分離さ
れ、前記第４のスタブの一端部が前記第１または第３の
スタブに接続されるとともに、その他端部がそれが対向
する前記第１のスタブまたは前記第３のスタブの表面か
ら浮き上がり空間的に分離されていることを特徴とす
る。
【００１４】上記の本発明におけるマイクロ波回路の特
性調整回路においては、前記第１のスタブ，前記第３の
スタブおよび前記ストリップ線路の材料としては、Ｔｉ
にＡｕをパターンめっきしたものやＣｕ，ＣｕにＡｕを
パターンめっきまたはＣｕに順次ＮｉおよびＡｕをパタ
ーンめっきしたもの等を使用できる。また、前記第２お
よび前記第４のスタブの材料としては上方からの押力に
より容易に変形して前記ストリップ線路、第１のスタブ
や第３のスタブに圧着ができる延性に優れためっき金を
使用できる。
性調整回路においては、前記第１のスタブ，前記第３の
スタブおよび前記ストリップ線路の材料としては、Ｔｉ
にＡｕをパターンめっきしたものやＣｕ，ＣｕにＡｕを
パターンめっきまたはＣｕに順次ＮｉおよびＡｕをパタ
ーンめっきしたもの等を使用できる。また、前記第２お
よび前記第４のスタブの材料としては上方からの押力に
より容易に変形して前記ストリップ線路、第１のスタブ
や第３のスタブに圧着ができる延性に優れためっき金を
使用できる。
【００１５】本発明の上記の第１の構成のマイクロ波回
路の特性調整回路を使用したマイクロ波回路の特性調整
方法としては、前記第２のスタブの前記他端部に上方か
ら外力を与えて前記他端部を変形して前記ストリップ線
路および前記第１のスタブに前記他端部を圧着して前記
ストリップ線路に電気的に接続される誘導スタブを形成
することにより前記ストリップ線路のインピーダンスを
調整することができる。
路の特性調整回路を使用したマイクロ波回路の特性調整
方法としては、前記第２のスタブの前記他端部に上方か
ら外力を与えて前記他端部を変形して前記ストリップ線
路および前記第１のスタブに前記他端部を圧着して前記
ストリップ線路に電気的に接続される誘導スタブを形成
することにより前記ストリップ線路のインピーダンスを
調整することができる。
【００１６】また、本発明の上記の第２の構成のマイク
ロ波回路の特性調整回路を使用したマイクロ波回路の特
性調整方法としては、前記第２のスタブおよび前記第４
のスタブの前記他端部に上方から外力を与えて前記第２
のスタブおよび前記第４のスタブの該他端部を変形して
前記ストリップ線路，前記第１のスタブおよび前記第３
のスタブに前記他端部を圧着して前記ストリップ線路に
電気的に接続される誘導スタブおよび容量スタブを形成
することにより前記ストリップ線路のインピーダンスを
調整することができる。
ロ波回路の特性調整回路を使用したマイクロ波回路の特
性調整方法としては、前記第２のスタブおよび前記第４
のスタブの前記他端部に上方から外力を与えて前記第２
のスタブおよび前記第４のスタブの該他端部を変形して
前記ストリップ線路，前記第１のスタブおよび前記第３
のスタブに前記他端部を圧着して前記ストリップ線路に
電気的に接続される誘導スタブおよび容量スタブを形成
することにより前記ストリップ線路のインピーダンスを
調整することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の第１の実施の形態のマイク
ロ波回路の特性調整回路の構造を説明する図で、（ａ）
はストリップ線路にスタブを付加した状態を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線に沿った断面図であ
る。
ロ波回路の特性調整回路の構造を説明する図で、（ａ）
はストリップ線路にスタブを付加した状態を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ―Ａ’線に沿った断面図であ
る。
【００１９】本実施の形態のマイクロ波回路の特性調整
回路は誘電体基板６上に形成されたストリップ線路１
（マイクロ波回路）から直交する方向に所定の間隔で設
けられた矩形形状の第１のスタブ７ａ，７ｂ（ベースス
タブとなる）と、第１のスタブ７ａ，７ｂ間およびスト
リップ線路１と該線路に一番近接した第１のスタブ７ａ
間にその一端部が第１のスタブ７ａ，７ｂに接続されそ
の他端部がストリップ線路１および第１のスタブ７ａの
表面から浮き上がり空間的にストリップ線路１および第
１のスタブ７ａから分離され中空部を有する第２のスタ
ブ３ａ，３ｂ（接合用スタブとなる）から構成されてい
る。図１では中空部２を有するスタブを２つしか示して
いないが、スタブの中空部２、スタブ３ｂ、スタブ７ｂ
の３つの部位をひとまとまりとして、繰り返し配置する
ことで、インピーダンスの変化量を大きくすることがで
きる。また、図１では第１のスタブは一列設けている
が、複数列設けることもできる。なお、図１（ｂ）の符
号８は誘電体基板のストリップ線路１と反対面に形成さ
れたグランドを示す。
回路は誘電体基板６上に形成されたストリップ線路１
（マイクロ波回路）から直交する方向に所定の間隔で設
けられた矩形形状の第１のスタブ７ａ，７ｂ（ベースス
タブとなる）と、第１のスタブ７ａ，７ｂ間およびスト
リップ線路１と該線路に一番近接した第１のスタブ７ａ
間にその一端部が第１のスタブ７ａ，７ｂに接続されそ
の他端部がストリップ線路１および第１のスタブ７ａの
表面から浮き上がり空間的にストリップ線路１および第
１のスタブ７ａから分離され中空部を有する第２のスタ
ブ３ａ，３ｂ（接合用スタブとなる）から構成されてい
る。図１では中空部２を有するスタブを２つしか示して
いないが、スタブの中空部２、スタブ３ｂ、スタブ７ｂ
の３つの部位をひとまとまりとして、繰り返し配置する
ことで、インピーダンスの変化量を大きくすることがで
きる。また、図１では第１のスタブは一列設けている
が、複数列設けることもできる。なお、図１（ｂ）の符
号８は誘電体基板のストリップ線路１と反対面に形成さ
れたグランドを示す。
【００２０】また、スタブを用いたＭＭＩＣなどでも図
１のマイクロ波回路の特性調整回路の構成を用いること
が可能で、ＭＭＩＣ完成後に特性を確認しながら、イン
ピーダンスの変換・調整することで特性向上が可能にな
る。
１のマイクロ波回路の特性調整回路の構成を用いること
が可能で、ＭＭＩＣ完成後に特性を確認しながら、イン
ピーダンスの変換・調整することで特性向上が可能にな
る。
【００２１】図１において、誘電体基板６としては、セ
ラミックス基板、シリコン基板に絶縁膜を形成した半導
体基板，ＧａＡｓ基板，ポリテトラフルオロエチレン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が使用される。ス
トリップ線路１および第１のスタブ７ａ，７ｂとしては
銅箔や銅箔に金をパターンめっきまたは銅箔にニッケル
と金をパターンめっきした材料が使用されるが、その他
Ｔｉに金をパターンめっきしたものも使用される。ニッ
ケルめっきとしては電気ニッケルめっきまたは無電解ニ
ッケルめっきが使用され、また、ストリップ線路１およ
び第１のスタブ７ａ，７ｂの金めっきには電気金めっき
または無電解金めっきが使用される。
ラミックス基板、シリコン基板に絶縁膜を形成した半導
体基板，ＧａＡｓ基板，ポリテトラフルオロエチレン樹
脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が使用される。ス
トリップ線路１および第１のスタブ７ａ，７ｂとしては
銅箔や銅箔に金をパターンめっきまたは銅箔にニッケル
と金をパターンめっきした材料が使用されるが、その他
Ｔｉに金をパターンめっきしたものも使用される。ニッ
ケルめっきとしては電気ニッケルめっきまたは無電解ニ
ッケルめっきが使用され、また、ストリップ線路１およ
び第１のスタブ７ａ，７ｂの金めっきには電気金めっき
または無電解金めっきが使用される。
【００２２】第２のスタブの材料としては、展性の大き
な金属である電気めっき金が使用される。中空を有する
第２のスタブ３ａ，３ｂは、中空部になる部分と誘電体
基板上に配線される部分をパターンめっき法で別々に形
成してエアーブリッジ構造として形成される。
な金属である電気めっき金が使用される。中空を有する
第２のスタブ３ａ，３ｂは、中空部になる部分と誘電体
基板上に配線される部分をパターンめっき法で別々に形
成してエアーブリッジ構造として形成される。
【００２３】次に、本発明の実施の形態の動作について
図１を参照して説明する。第２のスタブ３ａの周囲に設
けた接合部を中空状態で空間的に分離したままにしてお
いた場合、ストリップ線路１と第２のスタブ３ａの間に
は静電容量の非常に小さな大気しか存在しないため、ス
トリップ線路１と第２のスタブ３ａの間の電気的接合が
ほとんど無い。また中空部の距離を電磁的な接合の影響
を受けない距離にまで離しておく。この状態ではストリ
ップ線路１のインピーダンスは変化することがないが、
第２のスタブ３ａの接合部を上部から外力を加えて変形
して、ストリップ線路１と第２のスタブ３ａを接触させ
ることで、第２のスタブ３ａおよび第１のスタブ７ａ部
分の対地容量とインダクタンスによってストリップ線路
１が電気的な影響を受け、ストリップ線路１のインピー
ダンスが変化する。スタブ部分の面積を広くするように
スタブ周囲の接合部を接続すると、容量性スタブにな
り、スタブの幅を抑えてスタブの長さを伸長するよう接
合することで誘導性スタブにすることが可能になる。
図１を参照して説明する。第２のスタブ３ａの周囲に設
けた接合部を中空状態で空間的に分離したままにしてお
いた場合、ストリップ線路１と第２のスタブ３ａの間に
は静電容量の非常に小さな大気しか存在しないため、ス
トリップ線路１と第２のスタブ３ａの間の電気的接合が
ほとんど無い。また中空部の距離を電磁的な接合の影響
を受けない距離にまで離しておく。この状態ではストリ
ップ線路１のインピーダンスは変化することがないが、
第２のスタブ３ａの接合部を上部から外力を加えて変形
して、ストリップ線路１と第２のスタブ３ａを接触させ
ることで、第２のスタブ３ａおよび第１のスタブ７ａ部
分の対地容量とインダクタンスによってストリップ線路
１が電気的な影響を受け、ストリップ線路１のインピー
ダンスが変化する。スタブ部分の面積を広くするように
スタブ周囲の接合部を接続すると、容量性スタブにな
り、スタブの幅を抑えてスタブの長さを伸長するよう接
合することで誘導性スタブにすることが可能になる。
【００２４】図２は図１のマイクロ波回路の特性調整回
路を使用してその特性を調整する方法を説明する回路要
部の図であり、（ａ）は特性調整後の平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ―Ａ’線に沿った断面図である。まず、デバ
イス実装後、マイクロ波回路のストリップ線路１のイン
ピーダンスを適当な測定器で測定し、所定の値にならな
い場合には、ストリップ線路１に一番近い第２のスタブ
３ａのスタブ中空部２を上面から外力を加えて押しつぶ
し、第２のスタブ３ａとストリップ線路１を接触させ
る。この結果ストリップ線路１、第２のスタブ３ａ、第
１のスタブ７ａが電気的に接続され、ストリップ線路１
のインピーダンスが変化する。インピーダンスが所定の
値にならない場合には、同様な操作により、第２のスタ
ブ３ｂのスタブ中空部２を押しつぶして、第２のスタブ
３ｂを第１のスタブ７ａに圧着し、ストリップ線路１か
ら第１のスタブ７ｂまでが電気的に接続され、全体がオ
ープンスタブとして作用する。この結果、ストリップ線
路１に接続されるスタブ全体の長さが長くなるために、
ストリップ線路のインピーダンスが変化することにな
る。このようにしてストリップ線路のインピーダンスを
所定の値に調整する。なお、図２（ｂ）における符号４
は圧着接合部、符号５は第２のスタブ３ｂと第１のスタ
ブ７ａの未接続部、符号８は誘電体基板１の反対面に形
成されたグランドを示す。
路を使用してその特性を調整する方法を説明する回路要
部の図であり、（ａ）は特性調整後の平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ―Ａ’線に沿った断面図である。まず、デバ
イス実装後、マイクロ波回路のストリップ線路１のイン
ピーダンスを適当な測定器で測定し、所定の値にならな
い場合には、ストリップ線路１に一番近い第２のスタブ
３ａのスタブ中空部２を上面から外力を加えて押しつぶ
し、第２のスタブ３ａとストリップ線路１を接触させ
る。この結果ストリップ線路１、第２のスタブ３ａ、第
１のスタブ７ａが電気的に接続され、ストリップ線路１
のインピーダンスが変化する。インピーダンスが所定の
値にならない場合には、同様な操作により、第２のスタ
ブ３ｂのスタブ中空部２を押しつぶして、第２のスタブ
３ｂを第１のスタブ７ａに圧着し、ストリップ線路１か
ら第１のスタブ７ｂまでが電気的に接続され、全体がオ
ープンスタブとして作用する。この結果、ストリップ線
路１に接続されるスタブ全体の長さが長くなるために、
ストリップ線路のインピーダンスが変化することにな
る。このようにしてストリップ線路のインピーダンスを
所定の値に調整する。なお、図２（ｂ）における符号４
は圧着接合部、符号５は第２のスタブ３ｂと第１のスタ
ブ７ａの未接続部、符号８は誘電体基板１の反対面に形
成されたグランドを示す。
【００２５】次に、本発明の第２の実施の形態のマイク
ロ波回路の特性調整回路について図面を参照して説明す
る。図３は、本発明の第１の実施の形態のマイクロ波回
路の特性調整回路の構造を説明する図で、（ａ）はスト
リップ線路にスタブを付加した状態を示す平面図、
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ（ａ）のＡ―Ａ’線およびＢ
―Ｂ’線に沿った断面図である。
ロ波回路の特性調整回路について図面を参照して説明す
る。図３は、本発明の第１の実施の形態のマイクロ波回
路の特性調整回路の構造を説明する図で、（ａ）はスト
リップ線路にスタブを付加した状態を示す平面図、
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ（ａ）のＡ―Ａ’線およびＢ
―Ｂ’線に沿った断面図である。
【００２６】本実施の形態の上記の第１の実施の形態と
異なる点は、図３（ａ）のようにストリップ線路１と直
交する方向に設けられている第１のスタブ７ａ〜７ｃ
（ベーススタブとなる）の一つである第１のスタブ７ｂ
の横方向に第１のスタブ７ａ〜７ｃと同様な第３のスタ
ブ７ｄ，７ｅ（第１のスタブ同様にベーススタブとな
る）と第２のスタブ３ａ〜３ｃと同様なスタブ中空部２
ａを有する第４のスタブ３ｄ，３ｅ（第２のスタブ同様
に接合用スタブとなる）がさらに配置されていることで
ある。このスタブ構造により、スタブの長さだけでな
く、ストリップ線路１から見たスタブの幅を変更でき、
ストリップ線路１のインピーダンスの調整をより精度よ
くできる効果がある。誘電体基板やスタブの材料は上記
の第１の実施の形態と同様な材料が使用できる。なお、
第３のスタブ７ｄ，７ｅは第１のスタブの横方向の片側
に配置されてもよい。
異なる点は、図３（ａ）のようにストリップ線路１と直
交する方向に設けられている第１のスタブ７ａ〜７ｃ
（ベーススタブとなる）の一つである第１のスタブ７ｂ
の横方向に第１のスタブ７ａ〜７ｃと同様な第３のスタ
ブ７ｄ，７ｅ（第１のスタブ同様にベーススタブとな
る）と第２のスタブ３ａ〜３ｃと同様なスタブ中空部２
ａを有する第４のスタブ３ｄ，３ｅ（第２のスタブ同様
に接合用スタブとなる）がさらに配置されていることで
ある。このスタブ構造により、スタブの長さだけでな
く、ストリップ線路１から見たスタブの幅を変更でき、
ストリップ線路１のインピーダンスの調整をより精度よ
くできる効果がある。誘電体基板やスタブの材料は上記
の第１の実施の形態と同様な材料が使用できる。なお、
第３のスタブ７ｄ，７ｅは第１のスタブの横方向の片側
に配置されてもよい。
【００２７】図４および図５は、図３のマイクロ波回路
の特性調整回路を使用してその特性を調整する方法を説
明する回路要部の図であり、各図の（ａ）は特性調整後
の平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）のそれぞれＡ―Ａ’
線およびＢ―Ｂ’に沿った断面図である。
の特性調整回路を使用してその特性を調整する方法を説
明する回路要部の図であり、各図の（ａ）は特性調整後
の平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）のそれぞれＡ―Ａ’
線およびＢ―Ｂ’に沿った断面図である。
【００２８】図４では、ストリップ線路１とスタブ７ａ
は金めっきでできた第２のスタブ３ａで接続されてい
る。この接合部４は第２のスタブ３ａの中空部を上面か
ら外力を加えて押しつぶして第２のスタブ３ａとストリ
ップ線路１とを電気的に接合し、さらに第２のスタブ３
ｂの中空部を押しつぶして第２のスタブ３ｂと第１のス
タブ７ａを接続して、ストリップ線路１のインピーダン
スを調整している。第２のスタブ３ｃと第１のスタブ７
ｃは未接続の状態になっている。
は金めっきでできた第２のスタブ３ａで接続されてい
る。この接合部４は第２のスタブ３ａの中空部を上面か
ら外力を加えて押しつぶして第２のスタブ３ａとストリ
ップ線路１とを電気的に接合し、さらに第２のスタブ３
ｂの中空部を押しつぶして第２のスタブ３ｂと第１のス
タブ７ａを接続して、ストリップ線路１のインピーダン
スを調整している。第２のスタブ３ｃと第１のスタブ７
ｃは未接続の状態になっている。
【００２９】図５では、第２のスタブ３ａ〜３ｃと第４
のスタブ３ｄ，３ｅのスタブ中空部を全て押しつぶし
て、それらの隣のストリップ線路１および第１のスタブ
７ａ〜７ｃおよび第３のスタブ７ｄ，７ｅと接続し、誘
導性スタブと容量性スタブを形成している。このように
各スタブを接続することにより、ストリップ線路１のイ
ンピーダンスをさらに精度よく調整することができる。
のスタブ３ｄ，３ｅのスタブ中空部を全て押しつぶし
て、それらの隣のストリップ線路１および第１のスタブ
７ａ〜７ｃおよび第３のスタブ７ｄ，７ｅと接続し、誘
導性スタブと容量性スタブを形成している。このように
各スタブを接続することにより、ストリップ線路１のイ
ンピーダンスをさらに精度よく調整することができる。
【００３０】なお、図３では周囲に中空部を有する第２
のスタブ３ｂ，３ｃおよび第４のスタブ３ｄ、３ｅの接
続された第１のスタブ７ｂを１つしか示していないが、
これらの５個のスタブの部位をひとまとまりとして、誘
電基板上に縦横に繰り返し配置することで、自由度のあ
るインピーダンス調整が可能になる。
のスタブ３ｂ，３ｃおよび第４のスタブ３ｄ、３ｅの接
続された第１のスタブ７ｂを１つしか示していないが、
これらの５個のスタブの部位をひとまとまりとして、誘
電基板上に縦横に繰り返し配置することで、自由度のあ
るインピーダンス調整が可能になる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波回路の特性調整回路を使用することにより次のような
効果を得ることができる。 （１）ストリップ線路とそれと直交する方向に複数配置
されたベーススタブとの間または該ベーススタブ間に金
めっき等の延性にすぐれた中空部を有する接合用スタブ
をあらかじめ設けることにより、該中空部を外力で押し
つぶすことによりストリップ線路およびベーススタブに
接合用スタブが容易に圧着でき、スタブ全体の長さを変
更し、マイクロ波回路のインピーダンス調整が容易にで
きる。 （２）また、上記のベーススタブと接合用スタブと同様
なスタブを上記のベーススタブの横方向にも設けること
により、ストリップ線路に電気的に接続される誘導スタ
ブと容量スタブを容易に構成でき、ストリップ線路のイ
ンピーダンスをより精度よく調整ができる。 （３）接合用スタブの一端部を予めベーススタブに接続
しているため、非常に小さなベーススタブ間の接合が容
易になり、小さいインピーダンス調整用スタブを有する
ＭＭＩＣ等のマイクロ波回路のインピーダンス調整回路
に本発明が適用できる。
波回路の特性調整回路を使用することにより次のような
効果を得ることができる。 （１）ストリップ線路とそれと直交する方向に複数配置
されたベーススタブとの間または該ベーススタブ間に金
めっき等の延性にすぐれた中空部を有する接合用スタブ
をあらかじめ設けることにより、該中空部を外力で押し
つぶすことによりストリップ線路およびベーススタブに
接合用スタブが容易に圧着でき、スタブ全体の長さを変
更し、マイクロ波回路のインピーダンス調整が容易にで
きる。 （２）また、上記のベーススタブと接合用スタブと同様
なスタブを上記のベーススタブの横方向にも設けること
により、ストリップ線路に電気的に接続される誘導スタ
ブと容量スタブを容易に構成でき、ストリップ線路のイ
ンピーダンスをより精度よく調整ができる。 （３）接合用スタブの一端部を予めベーススタブに接続
しているため、非常に小さなベーススタブ間の接合が容
易になり、小さいインピーダンス調整用スタブを有する
ＭＭＩＣ等のマイクロ波回路のインピーダンス調整回路
に本発明が適用できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のマイクロ波回路の
特性調整回路の平面図および断面図である。
特性調整回路の平面図および断面図である。
【図２】図１のマイクロ波回路の特性調整回路を使用し
た特性調整方法を説明する回路要部の平面図および断面
図である。
た特性調整方法を説明する回路要部の平面図および断面
図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のマイクロ波回路の
特性調整回路の平面図および断面図である。
特性調整回路の平面図および断面図である。
【図４】図３のマイクロ波回路の特性調整回路を使用し
た特性調整方法の一例を説明する回路要部の平面図およ
び断面図である。
た特性調整方法の一例を説明する回路要部の平面図およ
び断面図である。
【図５】図３のマイクロ波回路の特性調整回路を使用し
た特性調整方法の他の例を説明する回路要部の平面図お
よび断面図である。
た特性調整方法の他の例を説明する回路要部の平面図お
よび断面図である。
【図６】従来のマイクロ波集積回路装置のインピーダン
ス調整の方法の一例を説明する平面図である。
ス調整の方法の一例を説明する平面図である。
【図７】従来のマイクロ波集積回路装置のインピーダン
ス調整方法の他の例を説明する平面図である。
ス調整方法の他の例を説明する平面図である。
１，１０ ストリップ線路 ２，２ａ スタブ中空部 ３ａ〜３ｃ 第２のスタブ ３ｄ，３ｅ 第４のスタブ ４ 圧着接合部 ５ 未接続部 ６ 誘電体基板 ７ａ〜７ｃ 第１のスタブ ７ｄ，７ｅ 第３のスタブ ８ グランド １１ ボンディングワイヤー １２ 特性調整用電極 １３ 主線路 １４ 狭小幅高周波線路 １５ 特性調整用高周波線路 １６ 切断された狭小幅高周波線路 ２０ スタブ
Claims (9)
- 【請求項１】 誘電体基板のマイクロ波回路のストリッ
プ線路と直交する方向に所定の間隔で複数設けられた第
１のスタブと、前記ストリップ線路と前記第1のスタブ
間および前記第1のスタブ間の全てに配置された第２の
スタブから構成されたマイクロ波回路の特性調整回路に
おいて、前記第２のスタブの一端部が前記第１のスタブ
に接続されるとともに、その他端部がそれが対向する前
記第１のスタブおよび前記ストリップ線路の表面から浮
き上がり空間的に分離されていることを特徴とするマイ
クロ波回路の特性調整回路。 - 【請求項２】 第１のスタブおよび前記第２のスタブか
ら構成される前記特性調整回路が前記ストリップ線路と
同じ方向に複数列形成されている請求項１記載のマイク
ロ波回路の特性調整回路。 - 【請求項３】 誘電体基板のマイクロ波回路のストリッ
プ線路と直交する第１の方向に前記誘電体基板上に所定
の間隔で複数設けられた第１のスタブと、前記ストリッ
プ線路と前記第1のスタブ間および前記第1のスタブ間の
全てに配置された第２のスタブと、前記第１のスタブの
少なくとも一つの少なくとも片側に前記第１の方向と直
交する方向に複数設けられた第３のスタブと、前記第１
のスタブと前記第３のスタブ間および前記第３のスタブ
間の全てに設けられた第４のスタブから構成されたマイ
クロ波回路の特性調整回路において、前記第２のスタブ
の一端部が前記第１のスタブに接続されるとともに、そ
の他端部がそれが対向する前記第１のスタブおよび前記
ストリップ線路の表面から浮き上がり空間的に分離さ
れ、前記第４のスタブの一端部が前記第１または第３の
スタブに接続されるとともに、その他端部がそれが対向
する前記第１のスタブまたは前記第３のスタブの表面か
ら浮き上がり空間的に分離されていることを特徴とする
マイクロ波回路の特性調整回路。 - 【請求項４】 前記第１のスタブおよび前記ストリップ
線路の材料がＣｕ，ＣｕにＡｕめっきまたはＣｕに順次
ＮｉおよびＡｕめっきしたものであることを特徴とする
請求項１記載のマイクロ波回路の特性調整回路。 - 【請求項５】 前記第１のスタブ，前記第３のスタブお
よび前記ストリップ線路の材料がＣｕ，ＣｕにＡｕめっ
きまたはＣｕに順次ＮｉおよびＡｕめっきしたものであ
ることを特徴とする請求項３記載のマイクロ波回路の特
性調整回路。 - 【請求項６】 前記第２のスタブの材料が金めっきで形
成されたものであることを特徴とする請求項１記載のマ
イクロ波回路の特性調整回路。 - 【請求項７】 前記第２および前記第４のスタブの材料
が金めっきで形成されたものであることを特徴とする請
求項３記載のマイクロ波回路の特性調整回路。 - 【請求項８】 請求項１，２，４，６のいずれかに記載
のマイクロ波回路の特性調整回路を使用したマイクロ波
回路の特性調整方法において、前記第２のスタブの前記
他端部に上方から外力を与えて前記他端部を変形して前
記ストリップ線路および前記第１のスタブに前記他端部
を圧着して前記ストリップ線路に電気的に接続される誘
導スタブを形成することにより前記ストリップ線路のイ
ンピーダンスを調整することを特徴とするマイクロ波回
路の特性調整方法。 - 【請求項９】 請求項３，５，７のいずれかに記載のマ
イクロ波回路の特性調整回路を使用したマイクロ波回路
の特性調整方法において、前記第２のスタブおよび前記
第４のスタブの前記他端部に上方から外力を与えて前記
第２のスタブおよび前記第４のスタブの該他端部を変形
して前記ストリップ線路，前記第１のスタブおよび前記
第３のスタブに前記他端部を圧着して前記ストリップ線
路に電気的に接続される誘導スタブおよび容量スタブを
形成することにより前記ストリップ線路のインピーダン
スを調整することを特徴とするマイクロ波回路の特性調
整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32405099A JP2001144510A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | マイクロ波回路の特性調整回路および特性調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32405099A JP2001144510A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | マイクロ波回路の特性調整回路および特性調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144510A true JP2001144510A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18161601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32405099A Pending JP2001144510A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | マイクロ波回路の特性調整回路および特性調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144510A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004023921A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-03-25 | Kyeong Ho Kim | Decoration band |
| JP2005026650A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Northrop Grumman Corp | 電子デバイスパッケージ組立体 |
| EP1708302A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | TDK Corporation | Distributed constant circuit and impedance adjustment method |
| JP2014107398A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波装置 |
| US9390048B2 (en) | 2013-12-04 | 2016-07-12 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Controlling characteristic impedance of a trace in a printed circuit board to compensate for external component loading |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP32405099A patent/JP2001144510A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004023921A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-03-25 | Kyeong Ho Kim | Decoration band |
| JP2005026650A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Northrop Grumman Corp | 電子デバイスパッケージ組立体 |
| JP4714814B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2011-06-29 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション | 電子デバイスパッケージ組立体 |
| EP1708302A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-04 | TDK Corporation | Distributed constant circuit and impedance adjustment method |
| JP2014107398A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波装置 |
| US9484321B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | High frequency device |
| US9390048B2 (en) | 2013-12-04 | 2016-07-12 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Controlling characteristic impedance of a trace in a printed circuit board to compensate for external component loading |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |