JP2001143587A - 合金型温度ヒュ−ズ - Google Patents

合金型温度ヒュ−ズ

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JP2001143587A
JP2001143587A JP32756499A JP32756499A JP2001143587A JP 2001143587 A JP2001143587 A JP 2001143587A JP 32756499 A JP32756499 A JP 32756499A JP 32756499 A JP32756499 A JP 32756499A JP 2001143587 A JP2001143587 A JP 2001143587A
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JP
Japan
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alloy
fuse element
fuse
temperature
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JP32756499A
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Yoshiaki Tanaka
嘉明 田中
Toshiaki Saruwatari
利章 猿渡
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Uchihashi Estec Co Ltd
Original Assignee
Uchihashi Estec Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H37/00Thermally-actuated switches
    • H01H37/74Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
    • H01H37/76Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
    • H01H2037/768Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material characterised by the composition of the fusible material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】Bi−Cd−In系合金を用い、ヒュ−ズエレ
メント径が500μmφ未満で作動温度が70℃前後の
耐ヒ−トサイクル性に優れた合金型温度ヒュ−ズを提供
する。 【解決手段】Bi25〜35重量%、Cd2〜4重量
%、残部Inの組成で、線径が500μmφ未満の低融
点可溶合金線をヒュ−ズエレメントとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は作動温度が70℃前
後で、ヒュ−ズエレメントの線径が500μmφ未満の
合金型温度ヒュ−ズに関するものである。
【0002】
【従来の技術】合金型温度ヒュ−ズは、一対のリ−ド線
間に低融点可溶合金片(ヒュ−ズエレメント)を接続
し、低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、このフ
ラックス塗布合金片を絶縁体で包囲した構成であり、保
護すべき電気機器に取り付けて使用され、電気機器が過
電流により発熱すると、その発生熱により低融点可溶合
金片が液相化され、その溶融金属が既に溶融したフラッ
クスとの共存下、表面張力により球状化され、球状化の
進行により分断されて機器への通電が遮断される。
【0003】上記低融点可溶合金に要求される基本的な
条件は、保護しようとする機器の許容温度から求められ
る融点を有し、その融点の固相線と液相線との間の固液
共存域巾が狭いことである。すなわち、通常、合金にお
いては、固相線と液相線との間に固液共存域巾が存在
し、この領巾においては、液相中に固相粒体が分散した
状態にあり、液相様の性質も備えているために、上記の
球状化分断が発生する可能性があり、従って、液相線温
度(この温度をTとする)以前に固液共存域巾に属する
温度範囲(ΔTとする)で、低融点可溶合金片が球状化
分断される可能性がある。而して、かかる低融点可溶合
金片を用いた温度ヒュ−ズにおいては、ヒュ−ズエレメ
ント温度が(T−ΔT)〜Tとなる温度範囲で動作する
ものとして取り扱わなければならず、従って、ΔTが小
であるほど、すなわち、固液共存域巾が狭いほど、温度
ヒュ−ズの動作温度範囲のバラツキを小として、温度ヒ
ュ−ズを所定の設定温度で正確に動作させ得るのであ
る。
【0004】従来、動作温度が65℃〜75℃の合金型
温度ヒュ−ズとしては、溶融温度72℃(固相線温度7
0℃、液相線温度72℃)のBi−Pb−Sn−Cd合
金(Bi50重量%、Pb25重量%、Sn12.5重
量%、Cd12.5重量%)をヒュ−ズエレメントとす
るものが使用されている。また、作動温度60℃〜70
℃の合金型温度ヒュ−ズとして、ヒュ−ズエレメントに
Bi31〜38重量%,Cd1.5〜7重量%,残部I
nの組成の低融点可溶合金を使用することが提案されて
いる(特開昭60−255950号)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近来、温度ヒュ−ズの
薄型化のために、ヒュ−ズエレメントの細線化が要求さ
れ、例えば300μmφの細線化が求められている。し
かし、前記のBi−Pb−Sn−Cd合金(Bi50重
量%、Pb25重量%、Sn12.5重量%、Cd1
2.5重量%)では、Biの配合量が多いために脆性が
高く、線引き加工が難しく、ヒュ−ズエレメントを30
0μmφといった細径にすることが至難である。
【0006】上記ヒュ−ズエレメントの細線化のもとで
は、ヒュ−ズエレメントの電気抵抗値がかなり増加し、
定格通電時でも、ヒュ−ズエレメントがジュ−ル発熱に
より相当高温になり、夏期等ではヒュ−ズエレメントが
60℃にも達することがあり得、平常時でも、ヒュ−ズ
エレメントがその融点近傍にまで繰返し加熱されること
になる。かかるヒュ−ズエレメントの融点近傍に至る繰
返し加熱のもとでは、ヒュ−ズエレメント合金の再結晶
化が避けられず、この再結晶歪による応力の繰返し発生
のために、ヒュ−ズエレメントが早期に破断されると推
定される。
【0007】そこで、本発明者等が、上記Bi−Cd−
In系合金をヒュ−ズエレメントに使用した、作動温度
60℃〜70℃、ヒュ−ズエレメント径300μmφの
温度ヒュ−ズについて、55℃〜−40℃各30分のヒ
−トサイクル試験を行ったところ、Cd配合量が共晶点
の7.5重量%Cd量に近づくほど、高い早期破断率を
呈することが判明した。また、融点よりも低い温度(ほ
ぼ55℃)でも、Cd量が1.5重量%に近い組成で
は、固相変態が生じることも判明した。この固相変態の
もとでも、その変態歪により応力が発生するから、ヒュ
−ズエレメントの早期破断が促される。
【0008】本発明の目的は、ヒュ−ズエレメントがB
i−Cd−In系であり、ヒュ−ズエレメント径が50
0μmφ未満であり、作動温度が70℃前後の耐ヒ−ト
サイクル性に優れた合金型温度ヒュ−ズを提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る合金型温度
ヒュ−ズは、Bi25〜35重量%、Cd2〜4重量
%、残部Inの組成で、線径が500μmφ未満の低融
点可溶合金線をヒュ−ズエレメントとしたことを特徴と
する構成であり、前記合金組成100重量部に対しヒュ
−ズエレメントgを0.5〜5重量部添加することもで
きる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に係る温度ヒュ−ズにおい
て、ヒュ−ズエレメントには、外径500μmφ未満、
好ましくは、外径500μmφ未満で200μmφ以上
の円形線、または当該円形線と同一断面積の扁平線が使
用される。
【0011】このヒュ−ズエレメントの合金は、Bi2
5〜35重量%、Cd2〜4重量%、残部In、好まし
くはBi30〜34重量%、Cd2〜4重量%、残部I
nのBi−Cd−In系であり、基準組成は、Bi3
3.3重量%,Cd2重量%,In64.7重量%であ
り,その液相線温度は70℃,固液共存域巾は3℃であ
る。
【0012】前記Biの配合量を25〜35重量%とす
る理由は、ヒュ−ズエレメントの液相線温度を70℃〜
66℃にするためである。温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレ
メントと機器との間には、その間の熱抵抗のために約2
℃の温度差が生じるから、固液共存域を4℃として、液
相線温度72℃〜64℃のもとでの温度ヒュ−ズの作動
温度は70℃〜66℃である。
【0013】前記Cdの配合量を2〜4重量%とする理
由は、Cd4重量%を越えると、ヒュ−ズエレメントの
再結晶歪が大きくなってヒュ−ズエレメントがヒ−トサ
イクルのもとで早期に破断し易くなり、Cd2重量%未
満では、前記融点(液相線温度70℃〜66℃)に対し
て比較的低温の53℃〜55℃において固相変態が生
じ、この変態歪のためにヒ−トサイクルのもとでヒュ−
ズエレメントが早期に破断し易くなるからである。図2
は、In65重量%,Bi33.5重量%,Cd1.5
重量%のDSC曲線(熱示差計曲線)を示し(基準試
料:酸化アルミニウム8.700mg、加熱速度10℃
/min)、53℃〜55.9℃の間で固相変態が生じて
いることが明らかである。
【0014】上記合金組成の比抵抗は、ほぼ30μΩ・
cmであるが、上記合金組成100重量部にAgを0.
5〜5重量部添加することにより、比抵抗を前記30μ
Ω・cmよりも一段と低くすることができ、例えば、2
重量部添加することにより、比抵抗を20μΩ・cm程
度にできる。
【0015】本発明に係る温度ヒュ−ズのヒュ−ズエレ
メントは、合金母材の線引きにより製造され、断面丸形
のまま、または、さらに扁平に圧縮加工して使用でき
る。
【0016】図1の(イ)は本発明に係る薄型の合金型
温度ヒュ−ズを示す平面説明図、図1の(ロ)は図1の
(イ)におけるロ−ロ断面図であり、厚み100〜30
0μmのプラスチックベ−スフィルム11に厚み100
〜200μmの帯状リ−ド導体3,3を接着剤または融
着により固着し、帯状リ−ド導体間に線径500μmφ
以下のヒュ−ズエレメント4を接続し、このヒュ−ズエ
レメント4にフラックス5を塗布し、このフラックス塗
布ヒュ−ズエレメントを厚み100〜300μmのプラ
スチックカバ−フィルム12の接着剤または融着による
固着で封止してある。
【0017】本発明の合金型温度ヒュ−ズは、ケ−ス
型、基板型、或いは、樹脂ディッピング型の形態でも実
施できる。ケ−ス型としては、互いに一直線で対向する
リ−ド線間に線状片のヒュ−ズエレメントを溶接し、ヒ
ュ−ズエレメント上にフラックスを塗布し、このフラッ
クス塗布ヒュ−ズエレメント上にセラミックス筒を挿通
し、該筒の各端と各リ−ド線との間を接着剤、例えばエ
ポキシ樹脂で封止したアキシャルタイプ、または、平行
リ−ド線間の先端に線状片のヒュ−ズエレメントを溶接
し、ヒュ−ズエレメント上にフラックスを塗布し、この
フラックス塗布ヒュ−ズエレメント上に扁平をセラミッ
クキャップを被せ、このキャップの開口とリ−ド線との
間をエポキシ樹脂で封止したラジアルタイプを使用でき
る。
【0018】上記の樹脂ディッピング型としては、セラ
ミックキャップの包囲に代え、フラックス塗布ヒュ−ズ
エレメント上にエポキシ樹脂液への浸漬によるエポキシ
樹脂被覆層を設けたラジアルタイプを使用できる。
【0019】上記の基板型としては、片面に一対の層状
電極を設けた絶縁基板のその電極間先端に線状片のヒュ
−ズエレメントを溶接し、ヒュ−ズエレメント上にフラ
ックスを塗布し、各電極の後端にリ−ド線を接続し、絶
縁基板片面上にエポキシ樹脂被覆層を設けたものを使用
でき、アキシャルまたはラジアルの何れの方式にもでき
る。
【0020】上記のフラックスには、通常、融点がヒュ
−ズエレメントの融点よりも低いものが使用され、例え
ば、ロジン90〜60重量部、ステアリン酸10〜40
重量部、活性剤0〜3重量部を使用できる。この場合、
ロジンには、天然ロジン、変性ロジン(例えば、水添ロ
ジン、不均化ロジン、重合ロジン)またはこれらの精製
ロジンを使用でき、活性剤には、ジエチルアミンの塩酸
塩や臭化水素酸塩等を使用できる。
【0021】
【実施例】〔実施例1〕In:64.7重量%,Cd:
2.0重量%,Bi:33.3重量%の合金組成を使用
した。この合金組成のDSC曲線は図3に示す通りであ
り,固相線温度が67.0℃、液相線温度が70.0℃
である。この合金組成の母材を線引きして直径300μ
mφの線に加工した。1ダイスについての引落率を6.
5%とし、線引き速度を30m/minとしたが、断線
は皆無であった。この線の比抵抗を測定したところ、3
1μΩ・cmであった。この線を長さ4mmに切断して
ヒュ−ズエレメントとし、基板型温度ヒュ−ズを作成し
た。フラックスにはロジン80重量部とステアリン酸2
0重量部とジエチルアミン臭化水素酸塩1重量部の組成
を、樹脂材には常温硬化のエポキシ樹脂を使用した。
【0022】この実施例品50箇を55℃×30分と−
40℃×30分を1サイクルとするヒ−トサイクル試験
を500サイクル行ったところ、ヒュ−ズエレメントの
破断乃至は大きな抵抗値変化は全く観られなかった。ま
た、ヒ−トサイクル試験の前後のそれぞれにおいて、
0.1アンペアの電流を通電しつつ、昇温速度1℃/分
のオイルバスに浸漬し、溶断による通電遮断時のオイル
温度を測定したところ、前後の何れにおいても、70±
1℃の範囲内であった。
【0023】
【実施例2】In:63.4重量%,Cd:4.0重量
%,Bi:32.6重量%の合金組成を使用した。この
合金組成のDSC曲線は図4に示す通りであり,固相線
温度が62.2℃、液相線温度が66.6℃である。こ
の合金組成の母材を線引きして直径300μmφの線に
加工した。1ダイスについての減面率を6.5%とし、
線引き速度を30m/minとしたが、断線は皆無であ
った。この線の比抵抗を測定したところ、28μΩ・c
mであった。
【0024】実施例1と同様にヒ−トサイクル試験の前
後においてオイルバス浸漬による溶断試験を行ったとこ
ろ、ヒュ−ズエレメントの破断或いは大きな抵抗値変化
が全く観られず、また、前後の何れにおいても、通電遮
断時のオイル温度が66±1℃の範囲内であった。
【0025】〔比較例1〕In:65重量%,Cd:
1.5重量%,Bi:33.5重量%の合金組成を使用
した。この合金組成のDSC曲線は図2に示す通りであ
り,固相線温度が72.6℃、液相線温度が73.4℃
であり、53.0℃〜55.9℃の間に固相変態が生じ
ている。実施例1と同様にしてヒ−トサイクル試験を行
ったところ、50箇中30箇の試料に破断が生じてい
た。更に、破断しなかった20箇についてオイルバス浸
漬・溶断試験を行ったところ、早切れや溶断しないもの
が大部分であった。
【0026】〔比較例2〕In:62重量%,Cd:7
重量%,Bi:31重量%の合金組成を使用した。実施
例1と同様にしてヒ−トサイクル試験を行ったところ、
50箇中20箇の試料に破断が生じていた。更に、破断
しなかった30箇についてオイルバス浸漬・溶断試験を
行ったところ、早切れや溶断しないものが大部分であっ
た。
【0027】
【発明の効果】本発明は、ヒュ−ズエレメントにBi−
Cd−In系の合金を使用して作動温度を70℃前後と
する合金型温度ヒュ−ズでは、ヒュ−ズエレメントの線
径を500μmφ未満にすると、ヒュ−ズエレメントが
自己発熱のために融点近傍にまで繰返し加熱され、再結
晶歪や固相変態歪によりヒュ−ズエレメントが早期に破
断される組成域が存在することを勘案し、固相変態を回
避でき、再結晶歪を充分に抑え得るようにCd配合量を
2〜4重量%に限定しており、ヒュ−ズエレメント径が
500μmφ未満の薄型で耐ヒ−トサイクル性に優れた
作動温度70℃前後の合金型温度ヒュ−ズを提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る合金型温度ヒュ−ズの一例を示す
図面である。
【図2】In:65重量%,Cd:1.5重量%,B
i:33.5重量%のDSC曲線である。
【図3】In:64.7重量%,Cd:2.0重量%,
Bi:33.3重量%のDSC曲線である。
【図4】In:63.4重量%,Cd:4.0重量%,
Bi:32.6重量%のDSC曲線である。
【符号の説明】
4 ヒュ−ズエレメント

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Bi25〜35重量%、Cd2〜4重量
    %、残部Inの組成で、線径が500μmφ未満の低融
    点可溶合金線をヒュ−ズエレメントとしたことを特徴と
    する合金型温度ヒュ−ズ。
  2. 【請求項2】Bi25〜35重量%、Cd2〜4重量
    %、残部Inの100重量部にAgを0.5〜5重量部
    添加した組成で、線径が500μmφ未満の低融点可溶
    合金線を合金をヒュ−ズエレメントとしたことを特徴と
    する合金型温度ヒュ−ズ。
  3. 【請求項3】ヒュ−ズエレメントの断面を扁平とした請
    求項1または2記載の合金型温度ヒュ−ズ。
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