JP2001141863A - 粒子ビーム装置 - Google Patents
粒子ビーム装置Info
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- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
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- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ビーム引出開始時のバイアス電源の電圧低下を
抑制し、質の高いビームを放出する粒子ビーム装置を提
供する。 【解決手段】イオン源１と、このイオン源１内のフィラ
メントに電流を流すためのフィラメント電源２、アーク
電源３、バイアス電源４及び引出電源７を備えた粒子ビ
ーム装置において、前記アーク電源３と前記引出電源７
が共にＯＮとなった時刻から一定時間の間、前記バイア
ス電源の出力基準値に一定値を加算する加算回路11を設
ける。アーク電源ＯＮ時にバイアス電源の出力電圧が落
込むので、バイアス電源の出力基準を高くする。これに
より、電圧の落込み時間を短縮して、バイアス電源の出
力電圧の変動を抑制し、質の高い粒子ビーム装置を提供
できる。
抑制し、質の高いビームを放出する粒子ビーム装置を提
供する。 【解決手段】イオン源１と、このイオン源１内のフィラ
メントに電流を流すためのフィラメント電源２、アーク
電源３、バイアス電源４及び引出電源７を備えた粒子ビ
ーム装置において、前記アーク電源３と前記引出電源７
が共にＯＮとなった時刻から一定時間の間、前記バイア
ス電源の出力基準値に一定値を加算する加算回路11を設
ける。アーク電源ＯＮ時にバイアス電源の出力電圧が落
込むので、バイアス電源の出力基準を高くする。これに
より、電圧の落込み時間を短縮して、バイアス電源の出
力電圧の変動を抑制し、質の高い粒子ビーム装置を提供
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は核融合装置のプラズ
マに加熱するために用いられる粒子ビーム装置に関す
る。
マに加熱するために用いられる粒子ビーム装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、粒子ビーム装置はイオン源で荷
電粒子を生成し、生成された荷電粒子をイオン源から引
出し、加速して核融合装置のプラズマを加熱するために
用いる装置である。
電粒子を生成し、生成された荷電粒子をイオン源から引
出し、加速して核融合装置のプラズマを加熱するために
用いる装置である。
【０００３】図７を参照して粒子ビーム装置の従来例に
ついて説明する。図７において、従来の粒子ビーム装置
は、イオン源１、イオン源１内のフィラメント５に電流
を流すためのフィラメント電源２、アーク電源３、バイ
アス電源４、第１から第３の電極６，８，10、引出電源
７、加速電源９から構成されている。
ついて説明する。図７において、従来の粒子ビーム装置
は、イオン源１、イオン源１内のフィラメント５に電流
を流すためのフィラメント電源２、アーク電源３、バイ
アス電源４、第１から第３の電極６，８，10、引出電源
７、加速電源９から構成されている。
【０００４】このように構成された粒子ビーム装置にお
いて、フィラメント電源２は、数10本のフィラメント５
に数100 Ａの電流を流し、フィラメント５を加熱する電
源である。アーク電源３は、フィラメント５とイオン源
１の壁の間に100 Ｖ程度の電圧を印加してイオン粒子を
生成させる電源である。バイアス電源４は、イオン源１
の壁と第１の電極６の間に10Ｖ程度の電圧を印加して、
放出される電子の量を制御する電源である。第１の電極
６はイオン源１の開口端に配置されてバイアス電源４と
引出電源７に接続している。
いて、フィラメント電源２は、数10本のフィラメント５
に数100 Ａの電流を流し、フィラメント５を加熱する電
源である。アーク電源３は、フィラメント５とイオン源
１の壁の間に100 Ｖ程度の電圧を印加してイオン粒子を
生成させる電源である。バイアス電源４は、イオン源１
の壁と第１の電極６の間に10Ｖ程度の電圧を印加して、
放出される電子の量を制御する電源である。第１の電極
６はイオン源１の開口端に配置されてバイアス電源４と
引出電源７に接続している。
【０００５】引出電源７は、第１の電極６と第２の電極
８の間に10Kv程度の電圧を印加し、荷電粒子の引出しを
行う電源である。加速電源９は、第２の電極８と第３の
電極10の間に数10kVから数100kV の電圧を印加し、両電
極８，10間の電位差により荷電粒子を加速する電源であ
る。第２の電極８は第１の電極６の真下に設けられて引
出電源７と加速電源９に接続し、第３の電極10は第２の
電極８の真下に設けられて加速電源９に接続している。
８の間に10Kv程度の電圧を印加し、荷電粒子の引出しを
行う電源である。加速電源９は、第２の電極８と第３の
電極10の間に数10kVから数100kV の電圧を印加し、両電
極８，10間の電位差により荷電粒子を加速する電源であ
る。第２の電極８は第１の電極６の真下に設けられて引
出電源７と加速電源９に接続し、第３の電極10は第２の
電極８の真下に設けられて加速電源９に接続している。
【０００６】図８は、粒子ビーム装置を構成する各電源
２，３，４，７及び９の運転タイムシーケンスを示した
ものである。まず、フィラメント電源２、バイアス電源
４、アーク電源３の順に立ち上げて粒子を予備電離させ
た後、一旦アーク電源３を立ち下げる。その後、加速電
源９、引出電源７、アーク電源３の順に立ち上げて粒子
ビームを引出す。
２，３，４，７及び９の運転タイムシーケンスを示した
ものである。まず、フィラメント電源２、バイアス電源
４、アーク電源３の順に立ち上げて粒子を予備電離させ
た後、一旦アーク電源３を立ち下げる。その後、加速電
源９、引出電源７、アーク電源３の順に立ち上げて粒子
ビームを引出す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の粒子ビーム装置
においては、アーク電源３のＯＮ，ＯＦＦ（入り切り）
によって、バイアス電源４の出力電圧が変動するという
問題がある図９はアーク電源３のタイムシーケンスとバ
イアス電源４の出力電圧変動の関係を示すものである。
最初にアーク電源３がＯＮになった時、バイアス電源４
の出力電圧が低下、つまり落込むが、この時点ではビー
ムを引出していないので、バイアス電源４の出力電圧変
動は装置の性能に影響を与えることはない。
においては、アーク電源３のＯＮ，ＯＦＦ（入り切り）
によって、バイアス電源４の出力電圧が変動するという
問題がある図９はアーク電源３のタイムシーケンスとバ
イアス電源４の出力電圧変動の関係を示すものである。
最初にアーク電源３がＯＮになった時、バイアス電源４
の出力電圧が低下、つまり落込むが、この時点ではビー
ムを引出していないので、バイアス電源４の出力電圧変
動は装置の性能に影響を与えることはない。
【０００８】しかしながら、アーク電源３がＯＦＦにな
った時、バイアス電源４の出力電圧は大きく跳ね上が
り、設定値を大幅に超過する。バイアス電源４の制御応
答速度は他電源との干渉を抑えるために遅くなってお
り、次のアーク電源３のＯＮのタイミングでバイアス電
源４の出力電圧は依然として設定値を上回っているた
め、バイアス電源の制御は電圧を下げる方向に働いてい
る。
った時、バイアス電源４の出力電圧は大きく跳ね上が
り、設定値を大幅に超過する。バイアス電源４の制御応
答速度は他電源との干渉を抑えるために遅くなってお
り、次のアーク電源３のＯＮのタイミングでバイアス電
源４の出力電圧は依然として設定値を上回っているた
め、バイアス電源の制御は電圧を下げる方向に働いてい
る。
【０００９】したがって、２回目のアーク電源３のＯＮ
により、バイアス電源４の出力電圧は１回目以上に大き
く落込んでしまう。この段階ではビームの引出しを行っ
ているため、バイアス電源４の出力電圧が低下している
期間は、電子の放出量の制御が不能になり、ビームの質
が低下するという課題がある。
により、バイアス電源４の出力電圧は１回目以上に大き
く落込んでしまう。この段階ではビームの引出しを行っ
ているため、バイアス電源４の出力電圧が低下している
期間は、電子の放出量の制御が不能になり、ビームの質
が低下するという課題がある。
【００１０】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、ビーム引出開始時のバイアス電源の電圧低下
を抑制し、質の高いビームを放出できる粒子ビーム装置
を提供することを目的とする。
たもので、ビーム引出開始時のバイアス電源の電圧低下
を抑制し、質の高いビームを放出できる粒子ビーム装置
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る粒子ビーム装置においては、請求項１
に対応する発明では、イオン源と、このイオン源内のフ
ィラメントに電流を流し加熱するためのフィラメント電
源、前記フィラメントと前記イオン源の壁に電圧を印加
してイオン粒子を生成させるアーク電源、前記イオン源
の壁と第１の電極に電圧を印加するバイアス電源及び前
記第１の電極の下方に配置した第２の電極に電圧を印加
する引出電源を備えた粒子ビーム装置において、前記ア
ーク電源と前記引出電源が共にＯＮとなった時刻から一
定時間の間、前記バイアス電源の出力基準値に一定値を
加算する加算回路を設けてなることを特徴とする。
め、本発明に係る粒子ビーム装置においては、請求項１
に対応する発明では、イオン源と、このイオン源内のフ
ィラメントに電流を流し加熱するためのフィラメント電
源、前記フィラメントと前記イオン源の壁に電圧を印加
してイオン粒子を生成させるアーク電源、前記イオン源
の壁と第１の電極に電圧を印加するバイアス電源及び前
記第１の電極の下方に配置した第２の電極に電圧を印加
する引出電源を備えた粒子ビーム装置において、前記ア
ーク電源と前記引出電源が共にＯＮとなった時刻から一
定時間の間、前記バイアス電源の出力基準値に一定値を
加算する加算回路を設けてなることを特徴とする。
【００１２】上記構成の粒子ビーム装置においては、バ
イアス電源の出力電圧が落込んだ時にバイアス電源の出
力設定値を高くするため、電圧の回復時間を短縮してバ
イアス出力電圧の変動を抑制し、質の高いビームを放出
する粒子ビーム装置を提供できる。
イアス電源の出力電圧が落込んだ時にバイアス電源の出
力設定値を高くするため、電圧の回復時間を短縮してバ
イアス出力電圧の変動を抑制し、質の高いビームを放出
する粒子ビーム装置を提供できる。
【００１３】なお、バイアス電源の出力基準値に加算す
る量は時間の関数とすることが好適である。この場合、
バイアス電源の出力電圧の落込みの是正をきめ細かく行
うことができる。
る量は時間の関数とすることが好適である。この場合、
バイアス電源の出力電圧の落込みの是正をきめ細かく行
うことができる。
【００１４】請求項２に対応する発明では、イオン源
と、このイオン源内のフィラメントに電流を流し加熱す
るためのフィラメント電源、前記フィラメントと前記イ
オン源の壁に電圧を印加してイオン粒子を生成させるア
ーク電源、前記イオン源の壁と第１の電極に電圧を印加
するバイアス電源及び前記第１の電極の下方に配置した
第２の電極に電圧を印加する引出電源を備えた粒子ビー
ム装置において、前記アーク電源がＯＦＦとなった時刻
から一定時間の間、前記バイアス電源の出力基準値に一
定値を減算する減算回路を設けてなることを特徴とす
る。
と、このイオン源内のフィラメントに電流を流し加熱す
るためのフィラメント電源、前記フィラメントと前記イ
オン源の壁に電圧を印加してイオン粒子を生成させるア
ーク電源、前記イオン源の壁と第１の電極に電圧を印加
するバイアス電源及び前記第１の電極の下方に配置した
第２の電極に電圧を印加する引出電源を備えた粒子ビー
ム装置において、前記アーク電源がＯＦＦとなった時刻
から一定時間の間、前記バイアス電源の出力基準値に一
定値を減算する減算回路を設けてなることを特徴とす
る。
【００１５】上記構成の粒子ビーム装置においては、バ
イアス電源の出力電圧が跳ね上がった時にバイアス電源
の出力設定値を低くするため、電圧の回復時間が短くな
り、２回目のアーク電源ＯＮの時点のバイアス電源の出
力電圧の落込み量が小さくなる。
イアス電源の出力電圧が跳ね上がった時にバイアス電源
の出力設定値を低くするため、電圧の回復時間が短くな
り、２回目のアーク電源ＯＮの時点のバイアス電源の出
力電圧の落込み量が小さくなる。
【００１６】なお、アーク電源がＯＦＦとなった時刻か
らバイアス電源の出力基準値に減算する量が時間の関数
とすることが好適である。この場合、バイアス電源の出
力電圧の跳ね上がりの是正をきめ細かく行うことができ
る。
らバイアス電源の出力基準値に減算する量が時間の関数
とすることが好適である。この場合、バイアス電源の出
力電圧の跳ね上がりの是正をきめ細かく行うことができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１及び図２により本発明に係る
粒子ビーム装置の第１の実施の形態を説明する。
粒子ビーム装置の第１の実施の形態を説明する。
【００１８】本実施の形態における粒子ビーム装置の基
本的な構成は図７とほぼ同様であるので、その装置の構
成の説明は省略するが、本実施の形態が従来例と異なる
点は図１に示したように、アーク電源ＯＮ、引出電源Ｏ
Ｎ、バイアス電源ＯＮの３条件が整った時に一定時間一
定電圧をバイアス電源出力基準に加算する加算回路11を
設けたことにある。
本的な構成は図７とほぼ同様であるので、その装置の構
成の説明は省略するが、本実施の形態が従来例と異なる
点は図１に示したように、アーク電源ＯＮ、引出電源Ｏ
Ｎ、バイアス電源ＯＮの３条件が整った時に一定時間一
定電圧をバイアス電源出力基準に加算する加算回路11を
設けたことにある。
【００１９】本実施の形態において、図２に示すように
バイアス電源出力指令値が従来のバイアス電源出力基準
よりも一定時間高くなるため、バイアス電源出力電圧の
落込み時間が短縮される。なお、図２は図９と対比して
示すアーク電源のタイムシーケンスとバイアス電源の出
力電圧変動の関係を示している。
バイアス電源出力指令値が従来のバイアス電源出力基準
よりも一定時間高くなるため、バイアス電源出力電圧の
落込み時間が短縮される。なお、図２は図９と対比して
示すアーク電源のタイムシーケンスとバイアス電源の出
力電圧変動の関係を示している。
【００２０】本実施の形態によれば、アーク電源と引出
電源が共にＯＮになった時刻から一定時間の間、バイア
ス電源の出力基準値に一定値を加算するので、バイアス
電源の出力電圧が落込んだ時にバイアス電源の出力設定
値が高くなり、電圧の回復時間を短くすることができ
る。
電源が共にＯＮになった時刻から一定時間の間、バイア
ス電源の出力基準値に一定値を加算するので、バイアス
電源の出力電圧が落込んだ時にバイアス電源の出力設定
値が高くなり、電圧の回復時間を短くすることができ
る。
【００２１】次に、図３及び図４により本発明に係る粒
子ビーム装置の第２の実施の形態を説明する。本実施の
形態が従来例と異なる点は図３に示したように、アーク
電源ＯＦＦになった時に一定時間一定電圧をバイアス電
源出力基準から減算する減算回路12を設けたことにあ
る。その他の点は従来例とほぼ同様であるため、その構
成の説明は省略する。
子ビーム装置の第２の実施の形態を説明する。本実施の
形態が従来例と異なる点は図３に示したように、アーク
電源ＯＦＦになった時に一定時間一定電圧をバイアス電
源出力基準から減算する減算回路12を設けたことにあ
る。その他の点は従来例とほぼ同様であるため、その構
成の説明は省略する。
【００２２】本実施の形態において、図４に示すように
バイアス電源出力指令値が従来のバイアス電源出力基準
よりも一定時間低くなるため、バイアス電源出力電圧の
跳ね上がり時間が短縮される。なお、図４は図９と対比
して示すアーク電源のタイムシーケンスとバイアス電源
の出力電圧変動の関係を示している。
バイアス電源出力指令値が従来のバイアス電源出力基準
よりも一定時間低くなるため、バイアス電源出力電圧の
跳ね上がり時間が短縮される。なお、図４は図９と対比
して示すアーク電源のタイムシーケンスとバイアス電源
の出力電圧変動の関係を示している。
【００２３】本実施の形態によれば、アーク電源がＯＦ
Ｆとなった時刻から一定時間の間、バイアス電源の出力
基準値に一定値を減算し、バイアス電源の出力電圧が跳
ね上がった時にバイアス電源の出力設定値を低くするた
め、電圧の回復時間が短くなり、２回目のアーク電源Ｏ
Ｎの時点のバイアス電源の出力電圧の落込み量を小さく
することができる。
Ｆとなった時刻から一定時間の間、バイアス電源の出力
基準値に一定値を減算し、バイアス電源の出力電圧が跳
ね上がった時にバイアス電源の出力設定値を低くするた
め、電圧の回復時間が短くなり、２回目のアーク電源Ｏ
Ｎの時点のバイアス電源の出力電圧の落込み量を小さく
することができる。
【００２４】次に、図５を参照しながら本発明に係る粒
子ビーム装置の第３の実施の形態を説明する。本実施の
形態は、第１の実施の形態において、図５に示すように
アーク電源ＯＮ、引出電源ＯＮ、バイアス電源ＯＮの３
条件が整った時に時間の関数からなる加算電圧［ｆ
（ｔ）］をバイアス電源出力基準に加算する関数加算回
路13を設けたことにある。
子ビーム装置の第３の実施の形態を説明する。本実施の
形態は、第１の実施の形態において、図５に示すように
アーク電源ＯＮ、引出電源ＯＮ、バイアス電源ＯＮの３
条件が整った時に時間の関数からなる加算電圧［ｆ
（ｔ）］をバイアス電源出力基準に加算する関数加算回
路13を設けたことにある。
【００２５】本実施の形態において、バイアス電源出力
指令値が従来のバイアス電源出力基準よりも時間関数分
だけ高くなるため、バイアス電源出力電圧の落込み時間
が短縮される。
指令値が従来のバイアス電源出力基準よりも時間関数分
だけ高くなるため、バイアス電源出力電圧の落込み時間
が短縮される。
【００２６】本実施の形態によれば、アーク電源と引出
電源が共にＯＮとなった時刻から時間関数分だけバイア
ス電源の出力基準値に加算するので、バイアス電源の出
力電圧が落込んだときにバイアス電源の出力設定値が高
くなり、電圧の回復時間を短くでき、さらに電圧の回復
曲線をきめ細かく調整することができる。
電源が共にＯＮとなった時刻から時間関数分だけバイア
ス電源の出力基準値に加算するので、バイアス電源の出
力電圧が落込んだときにバイアス電源の出力設定値が高
くなり、電圧の回復時間を短くでき、さらに電圧の回復
曲線をきめ細かく調整することができる。
【００２７】次に、図６を参照しながら本発明に係る粒
子ビーム装置の第４の実施の形態を説明する。本実施の
形態は、第２の実施の形態において、図６に示したよう
にアーク電源がＯＦＦになった時に時間の関数［ｇ
（ｔ）］からなる減算電圧をバイアス電源出力基準から
減算する関数減算回路14から構成されている。
子ビーム装置の第４の実施の形態を説明する。本実施の
形態は、第２の実施の形態において、図６に示したよう
にアーク電源がＯＦＦになった時に時間の関数［ｇ
（ｔ）］からなる減算電圧をバイアス電源出力基準から
減算する関数減算回路14から構成されている。
【００２８】本実施の形態において、バイアス電源出力
指令値が従来のバイアス電源出力基準よりも時間の関数
分だけ低くなるため、バイアス電源出力電圧の跳ね上が
り時間が短縮される。
指令値が従来のバイアス電源出力基準よりも時間の関数
分だけ低くなるため、バイアス電源出力電圧の跳ね上が
り時間が短縮される。
【００２９】本実施の形態によれば、アーク電源がＯＦ
Ｆとなった時刻から時間関数分だけバイアス電源の出力
基準値から減算し、バイアス電源の出力電圧が跳ね上が
った時にバイアス電源の出力設定値を低くするため、電
圧の回復時間を短くきめ細かく調整することができ、２
回目のアーク電源ＯＮの時点のバイアス電源の出力電圧
の落込み量を小さくすることができる。
Ｆとなった時刻から時間関数分だけバイアス電源の出力
基準値から減算し、バイアス電源の出力電圧が跳ね上が
った時にバイアス電源の出力設定値を低くするため、電
圧の回復時間を短くきめ細かく調整することができ、２
回目のアーク電源ＯＮの時点のバイアス電源の出力電圧
の落込み量を小さくすることができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の粒子ビーム装置において、請求
項１の発明では、アーク電源と引出電源が共にＯＮとな
った時刻から一定時間の間、バイアス電源の出力基準値
に一定値を加算するので、ビーム引出開始時のバイアス
電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出する粒
子ビーム装置を提供することができる。
項１の発明では、アーク電源と引出電源が共にＯＮとな
った時刻から一定時間の間、バイアス電源の出力基準値
に一定値を加算するので、ビーム引出開始時のバイアス
電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出する粒
子ビーム装置を提供することができる。
【００３１】また、アーク電源と引出電源が共にＯＮと
なった時刻から時間関数分だけバイアス電源の出力基準
値に加算することにより、ビーム引出開始時のバイアス
電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出する粒
子ビーム装置を提供することができる。
なった時刻から時間関数分だけバイアス電源の出力基準
値に加算することにより、ビーム引出開始時のバイアス
電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出する粒
子ビーム装置を提供することができる。
【００３２】請求項２の発明では、アーク電源がＯＦＦ
となった時刻から一定時間の間、バイアス電源の出力基
準値に一定値を減算するので、ビーム引出開始時のバイ
アス電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出す
る粒子ビーム装置を提供することができる。
となった時刻から一定時間の間、バイアス電源の出力基
準値に一定値を減算するので、ビーム引出開始時のバイ
アス電源の電圧低下を抑制し、質の高いビームを放出す
る粒子ビーム装置を提供することができる。
【００３３】また、アーク電源がＯＦＦとなった時刻か
ら時間関数分だけバイアス電源の出力基準値から減算す
ることにより、ビーム引出開始時のバイアス電源の電圧
低下を抑制し、質の高いビームを放出する粒子ビーム装
置を提供することができる。
ら時間関数分だけバイアス電源の出力基準値から減算す
ることにより、ビーム引出開始時のバイアス電源の電圧
低下を抑制し、質の高いビームを放出する粒子ビーム装
置を提供することができる。
【図１】本発明に係る粒子ビーム装置の第１の実施の形
態を説明するための回路図。
態を説明するための回路図。
【図２】図１における粒子ビーム装置のアーク電源のタ
イムシーケンスとバイアス電源の出力電圧変動の関係を
示す線図。
イムシーケンスとバイアス電源の出力電圧変動の関係を
示す線図。
【図３】本発明に係る粒子ビーム装置の第２の実施の形
態を説明するための回路図。
態を説明するための回路図。
【図４】図２における粒子ビーム装置のアーク電源のタ
イムシーケンスとバイアス電源の出力電圧変動の関係を
示す線図。
イムシーケンスとバイアス電源の出力電圧変動の関係を
示す線図。
【図５】本発明に係る粒子ビーム装置の第３の実施の形
態を説明するための回路図。
態を説明するための回路図。
【図６】本発明に係る粒子ビーム装置の第４の実施の形
態を説明するための回路図。
態を説明するための回路図。
【図７】従来の粒子ビーム装置を説明するための概略的
に示す模式図。
に示す模式図。
【図８】従来の粒子ビーム装置の各電源タイムシーケン
スを示す線図。
スを示す線図。
【図９】従来の粒子ビーム装置のアーク電源のタイムシ
ーケンスとバイアス電源の出力電圧変動の関係を示す線
図。
ーケンスとバイアス電源の出力電圧変動の関係を示す線
図。
１…イオン源、２…フィラメント電源、３…アーク電
源、４…バイアス電源、５…フィラメント、６…第１の
電極、７…引出電源、８…第２の電極、９…加速電源、
10…第３の電極、11…加算回路、12…減算回路、13…関
数加算回路、14…関数減算回路。
源、４…バイアス電源、５…フィラメント、６…第１の
電極、７…引出電源、８…第２の電極、９…加速電源、
10…第３の電極、11…加算回路、12…減算回路、13…関
数加算回路、14…関数減算回路。
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン源と、このイオン源内のフィラメ
ントに電流を流し加熱するためのフィラメント電源、前
記フィラメントと前記イオン源の壁に電圧を印加してイ
オン粒子を生成させるアーク電源、前記イオン源の壁と
第１の電極に電圧を印加するバイアス電源及び前記第１
の電極の下方に配置した第２の電極に電圧を印加する引
出電源を備えた粒子ビーム装置において、前記アーク電
源と前記引出電源が共にＯＮとなった時刻から一定時間
の間、前記バイアス電源の出力基準値に一定値を加算す
る加算回路を設けてなることを特徴とする粒子ビーム装
置。 - 【請求項２】 イオン源と、このイオン源内のフィラメ
ントに電流を流し加熱するためのフィラメント電源、前
記フィラメントと前記イオン源の壁に電圧を印加してイ
オン粒子を生成させるアーク電源、前記イオン源の壁と
第１の電極に電圧を印加するバイアス電源及び前記第１
の電極の下方に配置した第２の電極に電圧を印加する引
出電源を備えた粒子ビーム装置において、前記アーク電
源がＯＦＦとなった時刻から一定時間の間、前記バイア
ス電源の出力基準値に一定値を減算する減算回路を設け
てなることを特徴とする粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32356399A JP3740336B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP32356399A JP3740336B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 粒子ビーム装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2001141863A true JP2001141863A (ja) | 2001-05-25 |
| JP3740336B2 JP3740336B2 (ja) | 2006-02-01 |
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ID=18156106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32356399A Expired - Fee Related JP3740336B2 (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | 粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3740336B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019129086A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源装置、及び荷電粒子線治療装置 |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP32356399A patent/JP3740336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019129086A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源装置、及び荷電粒子線治療装置 |
| JP6998777B2 (ja) | 2018-01-25 | 2022-01-18 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源装置、及び荷電粒子線治療装置 |
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