JP2001133924A - 熱現像方法とそれに用いる熱現像機、熱現像感光材料、マスク材料の形成方法及び画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理速度を上げて処理時間短縮をはかった場
合においても、感光材料の加熱による歪みや変形を極力
抑えて搬送性を良くし、感光材料の左右両端での濃度バ
ラツキを抑え、印刷製版用としたとき網点品質の劣化
や、処理時のスリキズや熱現像後の表面凹凸の発生がな
い熱現像方法とそれに用いる感光材料及びマスク材料の
形成方法を提供する。 【解決手段】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱現像す
る方法において、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加
熱工程Ａを含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有
し、（２）該加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程
Ｂを有し、かつ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱
工程Ｃを有することを特徴とする熱現像方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】熱現像方法とそれに用いる熱
現像機、熱現像感光材料、それを用いたマスク材料の形
成方法及び画像形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来印刷製版の分野では、画像形成材料
の湿式処理に伴う廃液が、作業性の上で問題となってお
り、近年では環境保全、省スペースの観点からも処理廃
液の減量が強く望まれている。そこで、レーザー・イメ
ージセッターにより効率的な露光が可能で、高解像度で
鮮明な黒色画像を形成することができる光熱写真材料に
関する技術が注目されている。

【０００３】この技術として、例えば、米国特許第３，
１５２，９０４号、同３，４８７，０７５号及びＤ．モ
ーガン（Ｍｏｒｇａｎ）による「ドライシルバー写真材
料（Ｄｒｙ Ｓｉｌｖｅｒ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ
Ｉｍａｇｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ＭａｒｃｅｌＤ
ｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．第４８頁，１９９１）等に記載さ
れているように、支持体上に有機銀塩、感光性ハロゲン
化銀粒子、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光
材料が知られている。

【０００４】しかし、上記の熱現像感光材料は画像を得
るために１００℃以上の温度で加熱処理することが特徴
であるが、熱をかけることで材料にひずみや変形が生じ
搬送性に問題があった。また、感光材料の左右で濃度に
バラツキが生じやすいという問題もあった。特に処理速
度を上げて処理時間を短縮しようとした場合には、上記
の搬送性不良や濃度バラツキは顕著になり、さらに印刷
製版用感光材料としては網点品質の劣化が生じ、処理に
よるスリキズや処理後の表面凹凸の発生という問題もあ
った。又、硬調でランニング特性とリニアリティに優れ
た熱現像感光材料の画像形成方法を提供することは出来
ていなかった。印刷製版用としたときは、熱現像処理後
にマスク材料として用い、紫外光などでＰＳ版等に露光
される工程があるが、従来は上記のようなマスク材料の
形成方法においても濃度バラツキ等の問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、処理速度を上げて処理時間短縮をはかった場合にお
いても、感光材料の加熱による歪みや変形を極力抑えて
搬送性を良くし、感光材料の左右両端での濃度バラツキ
を抑え、印刷製版用としたとき網点品質の劣化や、処理
時のスリキズや熱現像後の表面凹凸の発生がない熱現像
方法とそれに用いる感光材料及びマスク材料の形成方法
を提供することにある。

【０００６】本発明の第２の目的は、感度、ガンマ、濃
度、寸法変化率、搬送性に加え、硬調でランニング特性
とリニアリティに優れた熱現像感光材料の画像形成方法
と熱現像機を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記構
成の何れかを採ることにより達成される。

【０００８】下記構成の〔１〕〜〔１５〕は第１の本発
明目的に、又、〔１６〕〜〔２１〕は第２の本発明目的
に対応するものである。

【０００９】〔１〕 支持体上に少なくともハロゲン化
銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱
現像する方法において、（１）熱現像処理が１１５℃以
上の加熱工程Ａを含む少なくとも３工程以上の加熱工程
を有し、（２）該加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱
工程Ｂを有し、かつ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い
加熱工程Ｃを有することを特徴とする熱現像方法。

【００１０】〔２〕 支持体上に少なくともハロゲン化
銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱
現像する方法において、（１）該有機銀粒子が単分散粒
子であり、（２）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程
Ａを含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、
（３）該加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを
有し、かつ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程
Ｃを有することを特徴とする熱現像方法。

【００１１】〔３〕 支持体上に少なくともハロゲン化
銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱
現像する方法において、（１）熱現像感光材料が硬調化
剤を含有し、（２）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工
程Ａを含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、
（３）該加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを
有し、かつ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程
Ｃを有することを特徴とする熱現像方法。

【００１２】〔４〕 前記加熱工程Ｂが１００℃以上で
あることを特徴とする〔１〕、〔２〕又は〔３〕記載の
熱現像方法。

【００１３】〔５〕 前記加熱工程Ａと前記加熱工程Ｂ
と前記加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒以下であること
を特徴とする〔１〕〜〔４〕の何れか１項記載の熱現像
方法。

【００１４】〔６〕 支持体上に少なくともハロゲン化
銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料にお
いて、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを
含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該
加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、か
つ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有す
る加熱工程で処理されることを特徴とする熱現像感光材
料。

【００１５】〔７〕 支持体上に少なくともハロゲン化
銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料にお
いて、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを
含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該
加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、か
つ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有す
る加熱工程で処理され、（３）該有機銀粒子が単分散粒
子であることを特徴とする熱現像感光材料。

【００１６】〔８〕 支持体上に少なくともハロゲン化
銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料にお
いて、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを
含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該
加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、か
つ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有す
る加熱工程で処理され、（３）該熱現像感光材料が硬調
化剤を含有することを特徴とする熱現像感光材料。

【００１７】

〔９〕 前記加熱工程Ｂが１００℃以上で
あることを特徴とする〔６〕、〔７〕又は〔８〕記載の
熱現像感光材料。

【００１８】〔１０〕 前記加熱工程Ａと前記加熱工程
Ｂと前記加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒以下であるこ
とを特徴とする〔６〕〜

〔９〕の何れか１項記載の熱現
像感光材料。

【００１９】〔１１〕 支持体上に少なくともハロゲン
化銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料
を、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含
む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該加
熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ
該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する
加熱工程で加熱することによりマスク材料を形成するこ
とを特徴とするマスク材料の形成方法。

【００２０】〔１２〕 支持体上に少なくともハロゲン
化銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料
を、（１）該有機銀粒子が単分散粒子であり、（２）熱
現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少なくとも
３工程以上の加熱工程を有し、（３）該加熱工程Ａの前
に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加熱工程Ａ
の後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱工程で加
熱することによりマスク材料を形成することを特徴とす
るマスク材料の形成方法。

【００２１】〔１３〕 支持体上に少なくともハロゲン
化銀、有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料
を、（１）該熱現像感光材料が硬調化剤を含有し、
（２）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少
なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（３）該加熱工
程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加
熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱
工程で加熱することによりマスク材料を形成することを
特徴とするマスク材料の形成方法。

【００２２】〔１４〕 前記加熱工程Ｂが１００℃以上
であることを特徴とする〔１１〕〜〔１３〕の何れか１
項記載のマスク材料の形成方法。

【００２３】〔１５〕 前記加熱工程Ａと前記加熱工程
Ｂと前記加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒以下であるこ
とを特徴とする〔１１〕〜〔１４〕の何れか１項記載の
マスク材料の形成方法。

【００２４】〔１６〕 支持体上に少なくとも有機銀粒
子、感光性ハロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含
有する熱現像感光材料を熱現像機で処理する画像形成方
法において、熱現像機の処理温度が１００℃より高く１
１７℃未満の第一加熱工程と画像形成のための１１７℃
以上１４０℃以下で加熱する第二加熱工程を有すること
を特徴とする画像形成方法。

【００２５】〔１７〕 熱現像感光材料がカルコゲン化
合物あるいは金化合物で化学増感されていることを特徴
とする〔１６〕記載の画像形成方法。

【００２６】〔１８〕 〔１６〕記載の画像形成方法に
用いる熱現像機が、待機時のラインスピードが０．１ｍ
ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍｍ／ｓｅｃ以下であることを特徴
とする熱現像機。

【００２７】〔１９〕 〔１６〕記載の画像形成方法に
用いる熱現像機において、第一加熱部又は第二加熱部の
少なくとも何れかの感光面側に接する搬送部材の熱伝導
率が、０．１０以上０．５０以下であることを特徴とす
る熱現像機。

【００２８】〔２０〕 熱現像機が第一加熱部と第二加
熱部及び徐冷部を持ち、徐冷部第一ローラーまでの感光
面側に接するローラーの合計本数が１０本以上であるこ
とを特徴とする〔１６〕記載の画像形成方法。

【００２９】〔２１〕 熱現像機の処理のラインスピー
ドが２２ｍｍ／ｓｅｃ以上４０ｍｍ／ｓｅｃ以下である
ことを特徴とする〔１６〕、〔１７〕又は〔２０〕記載
の画像形成方法。

【００３０】本発明の加熱工程Ｂ、或いは第一加熱工程
はプレヒートとほぼ同義であり、実質的に画像形成が起
こらない。ここにおいて「実質的に画像形成が起こらな
い」とは、視覚的に画像が認識されないことを指す。実
際は潜像の補力等は起きていると推定されるが、加熱工
程Ｂ或いは第一加熱部においてそのような範囲の変化は
例え起こっていても本発明の範疇である。

【００３１】熱現像感光材料をプレヒートして潜像の安
定性や熱膨張による濃度ムラを改良する技術について
は、従来から知られてはいた（例えば、ＵＳＰ５，２７
９，９２８号、特開平１１−２１８８７３号）。しか
し、これらに開示されている条件では、本発明の効果を
得ることは出来ない。

【００３２】本発明の第１の発明において、熱現像感光
材料は、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａ
を含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）
該加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、
かつ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有
する加熱工程で処理されることが特徴である。

【００３３】加熱工程Ａの温度は１１５℃以上であり、
好ましくは１１５〜１４０℃である。加熱工程Ａの加熱
時間は１秒から４５秒の間が好ましく、さらに好ましく
は２秒から３０秒の間である。

【００３４】加熱工程Ｂは、加熱工程Ａの前に有り、加
熱工程Ｂの温度は加熱工程Ａより８〜３０℃低いことが
特徴であり、好ましくは８〜２０℃低いことである。加
熱工程Ｂの加熱時間は１秒から４５秒の間が好ましく、
さらに好ましくは２秒から３０秒の間である。加熱工程
Ｂは本は明に係わる温度内であれば複数の段階を経て徐
々に上昇させることもできる。加熱工程Ｃは、加熱工程
Ａの後に有り、加熱工程Ｃの温度は加熱工程Ａより８〜
３０℃低いことが特徴であり、好ましくは８〜２０℃低
いことである。加熱工程Ｂの加熱時間は１秒から２０秒
の間が好ましく、さらに好ましくは２秒から１５秒の間
である。加熱工程Ａと加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒
以下であることが好ましく、さらに好ましくは合計時間
は１０秒から４７秒の間である。さらに加熱工程Ｂの前
や加熱工程Ｃの後にさらに工程があってもよい。

【００３５】本発明の第１の発明に用いることが出来る
熱現像機の具体的な構成例を構成断面図として示せば図
１の如くである。

【００３６】機器の中央部にヒーターを持つ植毛鋼板部
材５とプレートヒーター４を内蔵した９の加熱工程Ａが
ある。その上流側に搬送ローラー１及びハロゲンヒータ
ー３を内蔵した搬送ローラー２を持つ１０の加熱工程
Ｂ、下流側に１１の加熱工程Ｃがある。感光材料は加熱
工程Ｂの右端より矢印の如く搬入され、セラミックヒー
ターを内蔵した搬送ローラー６と植毛鋼板７に圧接され
た後排出されて現像処理は終わる。尚、８は脱臭装置で
ある。

【００３７】類似の構成例を構成断面図として図２に示
す。この構成ではヒーターを内蔵した搬送ローラーが、
加熱工程Ａ、加熱工程Ｂ及び加熱工程Ｃの全てに用いら
れている。尚、本例において１２は冷却ファンである。

【００３８】第２の本発明において、１１７℃以上でプ
レヒートを行うと処理条件によっては可視画像となって
しまい、１１７℃未満がプレヒートとしては好ましい。
１０１℃以上１０９℃以下がより好ましい。可視画のた
めの現像は１１７℃以上が好ましい。より好ましくは１
１７℃以上１３０℃以下で、更に好ましくは１２０℃以
上１２７℃以下である。１４０℃をより高いと現像時間
を短くしなければならず通常の制御では難しくなってく
る（現像ムラ等の制御困難）。また、ベースが高温にな
りすぎて寸法精度が悪くなる。

【００３９】図３に本発明の第２の発明についての構成
断面図を示して説明する。図３において１００は感光材
料の搬入部であり、続いて１０１は第１加熱工程、１０
２は第２加熱工程で、１０３が徐冷部あり、熱現像機中
をこの順に感光材料が通って排出される。図中の１０４
は断熱材である。尚、性能テストに用いるため、１０５
はヒーター部で加熱工程長を調節出来るように、取り外
し可能なヒーターブロックを組み合わせて構成されてい
る。又、１０７は毛足が約１．５ｍｍのビロードの起毛
材を張り付けたパネルヒーターであり、やはり加熱工程
長を調整出来るように複数のブロックで構成されてい
る。

【００４０】さらに１０８のごとく二重丸に書かれたロ
ーラーはハロゲンランプ内蔵の加熱ローラーであり、一
重丸で書かれたローラーは搬送用ローラー１０９であ
る。

【００４１】図４は、図３の構成を有する熱現像機のバ
リエーションを示すものであり、図の左側が感光材料の
搬入部とそれに続く第１加熱工程、右側が第２加熱工程
とそれに続く徐冷部である。熱現像条件を変えるため各
工程の長さを変えた例を示している。

【００４２】上記の各加熱工程は公知の加熱手段を用い
ることができる。例えば、ローラー内部にハロゲンヒー
ターやセラミックヒーターなどの加熱手段を有している
もの、ドラム内部にハロゲンヒーターやセラミックヒー
ターなどの加熱手段を有しているもの、各加熱工程を遮
蔽してその中を面ヒーターで加熱するもの、植毛した鋼
板を裏から面ヒーターで加熱したものなどの加熱方法が
ある。

【００４３】本発明において加熱工程を有する熱現像機
は、例えば特開平９−２９７３８４号、同９−２９７３
８５号、同９−２９７３８６号に開示されているような
ヒートドラム方式の自動熱現像機や、ＷＯ９８／２７４
５８号に開示されているような平面搬送型の自動熱現像
機が好ましく用いられる。特に印刷製版用の用途に用い
る熱現像感光材料の場合は、寸法安定性を良好にするた
めに平面搬送型の自動熱現像機で処理されることが好ま
しい。

【００４４】さらに特開平１１−１３３５７２号に記載
されているような固定された加熱体に感光材料の一方の
面に接触し、感光材料の他方の面を複数のローラーで加
熱体に押さえつけながら感光材料を搬送する装置を用い
て熱現像処理することも好ましい。

【００４５】又、待機時のラインスピードは、０．１ｍ
ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍｍ／ｓｅｃ以下が好ましく、０．
１ｍｍ／ｓｅｃ以上１０ｍｍ／ｓｅｃ以下がより好まし
い。待機している時にローラーが速く回転すると対流が
起き外気の流入があり温度変化が大きくなってしまう。
そのため待機時のローラーの回転は遅い方が良い。但し
０ｍｍ／ｓｅｃにしてしまうと上下ローラー等の搬送部
材の接点に汚れが蓄積し感材に付着してしまう。

【００４６】感光面側に接する搬送部材の熱伝導率は
０．１０以上０．５０以下が好ましく、０．１０以上
０．３０以下がより好ましい。材料として好ましいの
は、シリコンゴム、フッ素ゴム、エボナイト、天然ゴム
などがある。０．５０より大きいと感光面と搬送部材が
接触しているところで急激に現像が速まり、小さな接触
ムラをひろって現像ムラが大きくなったり、寸法安定性
が劣化する。０．１０未満であるとローラー（搬送部
材）が何周か感光材料に接した後の温度低下が大きく、
感光材料後端で充分な熱を得られなくなり濃度低下が起
きてしまう。

【００４７】バッキング側に接する搬送部材の熱伝導率
は０．１０以上０．５０以下が好ましいが、０．５０以
上でもよい。感光層に熱が達するまでには支持体が加熱
される必要があり、支持体が緩衝となるため金属のよう
な熱伝導率が高い部材が接触しても濃度ムラの発生はな
い（問題となるレベルではない）。

【００４８】第一加熱部と第二加熱部及び徐冷部第一ロ
ーラーまでの感光面側に接するローラー本数が１０本以
上が好ましい。より好ましくは１５本以上である。ロー
ラーは多いほど良いが、上限については熱現像機の現実
的な大きさからして３０本程度である。感光材料の加熱
については輻射熱によるもの、暖められた空気によるも
の等があるがどちらも制御が難しい。加熱されたローラ
ーに接触して感光材料が加熱／現像される方が、接触時
には現像が速く進み、非接触時には非常に遅いため制御
がしやすい。また、より多くのローラーに接触する方が
ローラー接触によって受け取る熱量のばらつきを緩和で
きるため写真性能の安定が得られる。

【００４９】本発明においては熱現像機の処理のライン
スピードが２２ｍｍ／ｓｅｃ以上４０ｍｍ／ｓｅｃ以下
でより効果が見られ、より好ましくは２２ｍｍ／ｓｅｃ
以上３０ｍｍ／ｓｅｃ以下である。

【００５０】本発明に於いて有機銀塩は還元可能な銀源
であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及びヘ
テロ有機酸の銀塩、特に長鎖（１０〜３０、好ましくは
１５〜２５の炭素原子数）の脂肪族カルボン酸及び含窒
素複素環が好ましい。配位子が、４．０〜１０．０の銀
イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀塩
錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ（以下、ＲＤとする）第１７
０２９及び２９９６３に記載されており、次のものがあ
る。

【００５１】有機酸の塩（例えば、没食子酸、シュウ
酸、ベヘン酸、アラキジン酸、ステアリン酸、パルミチ
ン酸、ラウリン酸等の塩）；銀のカルボキシアルキルチ
オ尿素塩（例えば、１−（３−カルボキシプロピル）チ
オ尿素、１−（３−カルボキシプロピル）−３，３−ジ
メチルチオ尿素等）；アルデヒドとヒドロキシ置換芳香
族カルボン酸とのポリマー反応生成物の銀錯体（例え
ば、アルデヒド類（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、ブチルアルデヒド等）、ヒドロキシ置換酸類（例え
ば、サリチル酸、安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息
香酸、５，５−チオジサリチル酸））、チオン類の銀塩
又は錯体（例えば、３−（２−カルボキシエチル）−４
−ヒドロキシメチル−４−（チアゾリン−２−チオ
ン）、及び３−カルボキシメチル−４−チアゾリン−２
−チオン）、イミダゾール、ピラゾール、ウラゾール、
１，２，４−チアゾール及び１Ｈ−テトラゾール、３−
アミノ−５−ベンジルチオ−１，２，４−トリアゾール
及びベンゾトリアゾールから選択される窒素酸と銀との
錯体又は塩；サッカリン、５−クロロサリチルアルドキ
シム等の銀塩；及びメルカプチド類の銀塩。これらの
内、好ましい銀源はベヘン酸銀、アラキジン酸及び／又
はステアリン酸である。

【００５２】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と銀と
錯形成する化合物を混合することにより得られるが、正
混合法、逆混合法、同時混合法、特開平９−１２７６４
３号に記載されている様なコントロールドダブルジェッ
ト法等が好ましく用いられる。例えば、有機酸にアルカ
リ金属塩（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
など）を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ（例えば、
ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウムなど）を
作製した後に、コントロールドダブルジェットにより、
前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀塩の結晶を作
製することが出来る。その際にハロゲン化銀粒子を混在
させてもよい。

【００５３】本発明に於いて有機銀塩は平均粒径が２μ
ｍ以下でありかつ単分散であることが好ましい。ここで
いう単分散とは後述するハロゲン化銀と同じ式で求めら
れるものであり、有機銀においては単分散とはハロゲン
化銀の場合と同義であり、有機銀の場合は分散度５０％
以下をいう。更に好ましくは４０％以下であり、特に好
ましくは０．１％以上３０％以下となる粒子である。有
機銀塩の平均粒径とは、有機銀塩の粒子が、例えば球
状、棒状、或いは平板状の粒子の場合には、有機銀塩粒
子の体積と同等な球を考えたときの直径をいう。平均粒
径は好ましくは０．０５〜１．５μｍ、特に０．０５〜
１．０μｍが好ましい。又、本発明の有機銀塩に於いて
は、全有機銀塩の６０％以上が平板状粒子であることが
好ましい。本発明に於いて平板状粒子とは平均粒径と厚
さの比、いわゆる下記式で表されるアスペクト比（ＡＲ
と略す）が３以上のものをいう。

【００５４】ＡＲ＝平均粒径（μｍ）／厚さ（μｍ） 有機銀塩をこれらの形状にするためには、前記有機銀結
晶をバインダーや界面活性剤などと共にボールミルなど
で分散粉砕することで得られる。この範囲にすることで
濃度が高く、かつ画像保存性に優れた感光材料が得られ
る。

【００５５】本発明に於いては感光材料の失透を防ぐた
めには、ハロゲン化銀及び有機銀塩の総量が銀量に換算
して１ｍ²当たり０．５ｇ以上２．２ｇ以下であること
が好ましい。この範囲にすることで硬調な画像が得られ
る。又銀総量に対するハロゲン化銀の量は、質量比で５
０％以下、好ましくは２５％以下、更に好ましくは０．
１〜１５％の間である。

【００５６】本発明の効果をより効果的に発現させるた
めには、感光材料の画像形成層側の層に硬調化剤が含有
されることが好ましい。硬調化剤としては、ビニル化合
物、ヒドラジン誘導体、４級オニウム化合物の少なくと
も１種を含有することが好ましい。

【００５７】ビニル化合物は下記一般式（Ｇ）で、４級
オニウム化合物は下記一般式（Ｐ）で表される。

【００５８】

【化１】

【００５９】一般式（Ｇ）において、ＸとＲはシスの形
で表示してあるが、ＸとＲがトランスの形も一般式
（Ｇ）に含まれる。この事は具体的化合物の構造表示に
おいても同様である。

【００６０】ヒドラジン誘導体としては、下記一般式
〔Ｈ〕で表される化合物が挙げられる。

【００６１】

【化２】

【００６２】式中、Ａ₀はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−Ｇ₀−Ｄ₀基を、
Ｂ₀はブロッキング基を表し、Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、Ｇ₀は−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ₁Ｄ₁）
−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）（Ｇ₁Ｄ
₁）−基を表し、Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−基、−Ｓ−
基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のＤ₁
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。好ましいＤ₀として
は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基等
が挙げられる。

【００６３】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される脂
肪族基は、好ましくは炭素数１〜３０のものであり、特
に炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が
好ましく、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、
オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げら
れ、これらは更に適当な置換基（例えば、アリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ア
リールチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スル
ファモイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等）で置換
されていてもよい。

【００６４】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、Ａ₀で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ
る。Ａ₀の芳香族基、複素環基及び−Ｇ₀−Ｄ₀基は置換
基を有していてもよい。Ａ₀として、特に好ましいもの
はアリール基及び−Ｇ₀−Ｄ₀基である。

【００６５】又、一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を、少なくとも一つ含むこと
が好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性写
真用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラ
スト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げら
れ、置換基部分の炭素数の合計は８以上であることが好
ましい。

【００６６】一般式〔Ｈ〕において、ハロゲン化銀吸着
促進基としては、チオ尿素、チオウレタン基、メルカプ
ト基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミ
ド複素環基、メルカプト複素環基或いは特開昭６４−９
０４３９号に記載の吸着基等が挙げられる。

【００６７】一般式〔Ｈ〕において、Ｂ₀はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−Ｇ₀−Ｄ₀基であり、Ｇ₀は−
ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ
₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）
（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す。好ましいＧ₀としては−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基が挙げられ、Ｇ₁は単なる結合手、
−Ｏ−基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいＤ₀としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基（アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等）、スル
ホニル基（メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等）、又はオキザリル基（エトキザリル基等）を表す。

【００６８】次に一般式〔Ｈ〕で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００６９】

【化３】

【００７０】

【化４】

【００７１】

【化５】

【００７２】

【化６】

【００７３】

【化７】

【００７４】

【化８】

【００７５】

【化９】

【００７６】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）、（Ｈ−４）
で表される。

【００７７】

【化１０】

【００７８】一般式（Ｈ−１）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及
びＲ₁₃はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表すが、アリール基として
具体的には、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナ
フチルなどが挙げられる。ヘテロアリール基として、具
体的にはトリアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジ
ン残基、フラン残基、チオフェン残基などが挙げられ
る。また、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ任意の連結基
を介して結合してもよい。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃が置換基
を有する場合、その置換基としては例えばアルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、
４級化された窒素原子を含むヘテロ環基、ヒドロキシル
基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレ
ンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオ
キシ基、アシルオキシ基、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル
基、ウレタン基、カルボキシル基、イミド基、アミノ
基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド
基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、セミカ
ルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、４
級のアンモニウム基、（アルキル、アリール、またはヘ
テロ環）チオ基、メルカプト基、（アルキルまたはアリ
ール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スル
フィニル基、スルホ基、スルファモイル基、アシルスル
ファモイル基、（アルキルもしくはアリール）スルホニ
ルウレイド基、（アルキルもしくはアリール）スルホニ
ルカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、リン酸アミド基などが挙げられる。Ｒ ₁₁、Ｒ₁₂及び
Ｒ₁₃として、好ましくはいずれもが置換もしくは無置換
のフェニル基であり、より好ましくはＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ
₁₃のいずれもが無置換のフェニル基である。

【００７９】Ｒ₁₄はヘテロアリールオキシ基、ヘテロア
リールチオ基を表すが、ヘテロアリールオキシ基とし
て、具体的にはピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ
基、インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、
ベンズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イミダゾリルオキシ
基等が挙げられる。ヘテロアリールチオ基として、具体
的にはピリジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリル
チオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリル
チオ基、フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチ
オ基、イミダゾリルチオ基等が挙げられる。Ｒ₁₄とし
て、好ましくはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基で
ある。

【００８０】Ａ₁、Ａ₂はともに水素原子、又は一方が水
素原子で他方はアシル基（アセチル、トリフルオロアセ
チル、ベンゾイル等）、スルホニル基（メタンスルホニ
ル、トルエンスルホニル等）又はオキザリル基（エトキ
ザリル等）を表す。好ましくはＡ₁、Ａ₂ともに水素原子
の場合である。

【００８１】一般式（Ｈ−２）において、Ｒ₂₁は置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基またはヘテロア
リール基を表すが、アルキル基として、具体的にはメチ
ル基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられる。アリール基及びヘテロアリール基として、具
体的にはＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃と同様のものが挙げられ
る。また、Ｒ₂₁が置換基を有する場合の置換基の具体的
な例としては、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃の置換基と同様のも
のが挙げられる。Ｒ₂₁として好ましくはアリール基また
はヘテロアリール基であり、特に好ましくは置換もしく
は無置換のフェニル基である。

【００８２】Ｒ₂₂は水素原子、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基を表すが、アル
キルアミノ基として、具体的にはメチルアミノ基、エチ
ルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ
基等が挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ
基、ヘテロアリール基としてはチアゾリルアミノ基、ベ
ンズイミダゾリルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基
等が挙げられる。Ｒ₂₂として、好ましくはジメチルアミ
ノ基またはジエチルアミノ基である。Ａ₁、Ａ₂は一般式
（Ｈ−１）で記載したＡ₁、Ａ₂と同様である。

【００８３】一般式（Ｈ−３）において、Ｒ₃₁、Ｒ₃₂は
一価の置換基を表すが、一価の置換基としては、Ｒ₁₁、
Ｒ₁₂及びＲ₁₃の置換基として挙げられた基が挙げられる
が、好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリ
ール基、アルコキシ基、アミノ基が挙げられる。更に好
ましくはアリール基またはアルコキシ基である。特に好
ましいのは、Ｒ₃₁とＲ₃₂の少なくとも一つがｔｅｒｔ−
ブトキシ基であるものであり、別の好ましい構造は、Ｒ
₃₁がフェニル基のとき、Ｒ₃₂がｔｅｒｔ−ブトキシ基で
ある。

【００８４】Ｇ₃₁、Ｇ₃₂は−ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−
基、−Ｃ（＝Ｓ）−、スルホニル基、スルホキシ基、−
Ｐ（＝Ｏ）Ｒ₃₃−基又はイミノメチレン基を表し、Ｒ₃₃
はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール
基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオ
キシ基、アリールオキシ基、アミノ基を表す。但し、Ｇ
₃₁がスルホニル基のとき、Ｇ₃₂はカルボニル基ではな
い。Ｇ₃₁、Ｇ₃₂として、好ましくは−ＣＯ−基、−ＣＯ
ＣＯ−基、スルホニル基または−ＣＳ−であり、より好
ましくは互いに−ＣＯ−基または互いにスルホニル基で
ある。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ₁、Ａ₂
と同様である。

【００８５】一般式（Ｈ−４）において、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂お
よびＲ₄₃は、一般式（Ｈ−１）におけるＲ₁₁、Ｒ₁₂およ
びＲ₁₃と同義である。Ｒ₄₁、Ｒ₄₂およびＲ₄₃として好ま
しくはいずれもが置換もしくは無置換のフェニル基であ
り、より好ましくはＲ₄₁、Ｒ ₄₂及びＲ₄₃のいずれもが無
置換のフェニル基である。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅は無置換または置
換アルキル基を表すが、具体的な例としてはメチル基、
エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シクロヘキ
シル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙げられ
る。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅として好ましくは互いにエチル基であ
る。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ₁、Ａ₂と
同様である。

【００８６】以下に、本発明の一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ
−４）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は
これらに限定されるものではない。

【００８７】

【化１１】

【００８８】

【化１２】

【００８９】

【化１３】

【００９０】

【化１４】

【００９１】

【化１５】

【００９２】

【化１６】

【００９３】

【化１７】

【００９４】これら本発明の一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−
４）で表される化合物は、公知の方法により容易に合成
することができる。例えば、米国特許第５，４６４，７
３８号、同５，４９６，６９５号を参考にして合成する
ことができる。

【００９５】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第５，５４５，５０５号カラ
ム１１〜２０に記載の化合物Ｈ−１〜Ｈ−２９、米国特
許第５，４６４，７３８号カラム９〜１１に記載の化合
物１〜１２である。これらのヒドラジン誘導体は公知の
方法で合成することができる。

【００９６】一般式（Ｇ）において、Ｘは電子吸引性基
を表し、Ｗは水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、
アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシオキサ
リル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オキシカ
ルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル基、チオ
カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、オキ
シスルホニル基、チオスルホニル基、スルファモイル
基、オキシスルホニル基、チオスルホニル基、スルフィ
ナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ基、Ｎ−
カルボニルイミノ基、Ｎ−スルホニルイミノ基、ジシア
ノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウム基、ホス
ホニウム基、ピリリウム基、インモニウム基を表す。

【００９７】Ｒはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アル
ケニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニ
ルオキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト
基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ
基、アルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカル
ボニルチオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシル
基又はメルカプト基の有機又は無機の塩（例えば、ナト
リウム塩、カリウム塩、銀塩等）、アミノ基、アルキル
アミノ基、環状アミノ基（例えば、ピロリジノ基）、ア
シルアミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基
（５〜６員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリ
ル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル
基等）、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。Ｘと
Ｗ、ＸとＲは、それぞれ互いに結合して環状構造を形成
してもよい。ＸとＷが形成する環としては、例えばピラ
ゾロン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−
ケトラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。

【００９８】一般式（Ｇ）について更に説明すると、Ｘ
の表す電子吸引性基とは、置換基定数σｐが正の値をと
りうる置換基のことである。具体的には、置換アルキル
基（ハロゲン置換アルキル等）、置換アルケニル基（シ
アノビニル等）、置換・未置換のアルキニル基（トリフ
ルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル等）、
置換アリール基（シアノフェニル等）、置換・未置換の
ヘテロ環基（ピリジル、トリアジニル、ベンゾオキサゾ
リル等）、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基（アセチ
ル、トリフルオロアセチル、ホルミル等）、チオアセチ
ル基（チオアセチル、チオホルミル等）、オキサリル基
（メチルオキサリル等）、オキシオキサリル基（エトキ
サリル等）、チオオキサリル基（エチルチオオキサリル
等）、オキサモイル基（メチルオキサモイル等）、オキ
シカルボニル基（エトキシカルボニル等）、カルボキシ
ル基、チオカルボニル基（エチルチオカルボニル等）、
カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホニル基、
スルフィニル基、オキシスルホニル基（エトキシスルホ
ニル等）、チオスルホニル基（エチルチオスルホニル
等）、スルファモイル基、オキシスルフィニル基（メト
キシスルフィニル等）、チオスルフィニル基（メチルチ
オスルフィニル等）、スルフィナモイル基、ホスホリル
基、ニトロ基、イミノ基、Ｎ−カルボニルイミノ基（Ｎ
−アセチルイミノ等）、Ｎ−スルホニルイミノ基（Ｎ−
メタンスルホニルイミノ等）、ジシアノエチレン基、ア
ンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウム基、ピリ
リウム基、インモニウム基が挙げられるが、アンモニウ
ム基、スルホニウム基、ホスホニウム基、インモニウム
基等が環を形成したヘテロ環状のものも含まれる。σｐ
値として０．３０以上の置換基が特に好ましい。

【００９９】Ｗとして表されるアルキル基としては、メ
チル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基
としてはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Ｗとしてはσ
ｐ値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
０．３０以上のものが好ましい。

【０１００】上記Ｒの置換基の内、好ましくはヒドロキ
シル基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ
基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はメルカプト基の
有機又は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、更に好まし
くはヒドロキシル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基又
はメルカプト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が挙げ
られ、特に好ましくはヒドロキシル基、ヒドロキシル基
又はメルカプト基の有機又は無機の塩が挙げられる。

【０１０１】また上記Ｘ及びＷの置換基の内、置換基中
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。

【０１０２】次に一般式（Ｇ）で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【０１０３】

【化１８】

【０１０４】

【化１９】

【０１０５】

【化２０】

【０１０６】

【化２１】

【０１０７】

【化２２】

【０１０８】

【化２３】

【０１０９】

【化２４】

【０１１０】

【化２５】

【０１１１】

【化２６】

【０１１２】

【化２７】

【０１１３】

【化２８】

【０１１４】

【化２９】

【０１１５】

【化３０】

【０１１６】

【化３１】

【０１１７】

【化３２】

【０１１８】

【化３３】

【０１１９】

【化３４】

【０１２０】

【化３５】

【０１２１】

【化３６】

【０１２２】

【化３７】

【０１２３】

【化３８】

【０１２４】

【化３９】

【０１２５】

【化４０】

【０１２６】

【化４１】

【０１２７】一般式（Ｐ）において、Ｑは窒素原子又は
燐原子を表し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、各々水素原子
又は置換基を表し、Ｘ^-はアニオンを表す。尚、Ｒ₁〜Ｒ
₄は互いに連結して環を形成してもよい。

【０１２８】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される置換基としては、アル
キル基（メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（ア
リル基、ブテニル基等）、アルキニル基（プロパルギル
基、ブチニル基等）、アリール基（フェニル基、ナフチ
ル基等）、複素環基（ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等）、アミノ基等が挙げられる。

【０１２９】Ｒ₁〜Ｒ₄が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。

【０１３０】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される基はヒドロキシル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有しても
よい。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄としては、水素原子及びア
ルキル基が好ましい。

【０１３１】Ｘ^-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、ｐ−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。

【０１３２】更に好ましくは、下記一般式（Ｐａ）、
（Ｐｂ）又は（Ｐｃ）で表される化合物、及び下記一般
式〔Ｔ〕で表される化合物である。

【０１３３】

【化４２】

【０１３４】式中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵は、含
窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表し、酸
素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベンゼン
環が縮合しても構わない。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵
で構成される複素環は、置換基を有してもよく、それぞ
れ同一でも異なっていてもよい。置換基としては、アル
キル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、ハロゲン原子、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホ基、カ
ルボキシル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アミド基、スルファモイル基、カルバモイ
ル基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド基、スル
ホニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基を表す。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴
及びＡ⁵の好ましい例としては、５〜６員環（ピリジ
ン、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、ピラジ
ン、ピリミジン等の各環）を挙げることができ、更に好
ましい例として、ピリジン環が挙げられる。

【０１３５】Ｂ_Pは２価の連結基を表し、ｍは０又は１
を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ⁶）−（Ｒ⁶はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す）を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Ｂ_pとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。

【０１３６】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵は、各々炭素数１〜２０
のアルキル基を表す。又、Ｒ¹及びＲ ²は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及
びＡ⁵の置換基として挙げた置換基と同様である。

【０１３７】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵の好ましい例としては、
それぞれ炭素数４〜１０のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール基で置換
されたアルキル基が挙げられる。

【０１３８】Ｘ_p ^-は分子全体の電荷を均衡させるのに必
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。ｎ_pは分子全体の
電荷を均衡させるのに必要な対イオンの数を表し、分子
内塩の場合にはｎ_pは０である。

【０１３９】

【化４３】

【０１４０】上記一般式〔Ｔ〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇は、水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメット
のシグマ値（σｐ）が負のものが好ましい。

【０１４１】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）２０巻、３０４頁、１９７７年に記
載のＣ．ハンシュ（Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ）等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基（σｐ＝−０．１７、以下何れ
もσｐ値）、エチル基（−０．１５）、シクロプロピル
基（−０．２１）、ｎ−プロピル基（−０．１３）、ｉ
ｓｏ−プロピル基（−０．１５）、シクロブチル基（−
０．１５）、ｎ−ブチル基（−０．１６）、ｉｓｏ−ブ
チル基（−０．２０）、ｎ−ペンチル基（−０．１
５）、シクロヘキシル基（−０．２２）、アミノ基（−
０．６６）、アセチルアミノ基（−０．１５）、ヒドロ
キシ基（−０．３７）、メトキシ基（−０．２７）、エ
トキシ基（−０．２４）、プロポキシ基（−０．２
５）、ブトキシ基（−０．３２）、ペントキシ基（−
０．３４）等が挙げられ、これらは何れも一般式〔Ｔ〕
の化合物の置換基として有用である。

【０１４２】ｎは１或いは２を表し、Ｘ_T ^n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはｐ−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−２−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。

【０１４３】以下、４級オニウム化合物の具体例を下記
に挙げるが、これらに限定されるものではない。

【０１４４】

【化４４】

【０１４５】

【化４５】

【０１４６】

【化４６】

【０１４７】

【化４７】

【０１４８】

【化４８】

【０１４９】

【化４９】

【０１５０】

【化５０】

【０１５１】

【化５１】

【０１５２】

【化５２】

【０１５３】

【化５３】

【０１５４】上記４級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はＣｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ ｖｏｌ．５５
ｐ．３３５〜４８３に記載の方法を参考にできる。上記
硬調化剤の添加量は有機銀塩１モルに対し１０^-5〜１モ
ル、好ましくは１０^-4〜５×１０^-1モルの範囲である。

【０１５５】本発明の熱現像感光材料に使用される感光
性ハロゲン化銀は、シングルジェットもしくはダブルジ
ェット法などの写真技術の分野で公知の任意の方法によ
り、例えばアンモニア法乳剤、中性法、酸性法等のいず
れかの方法でも調製できる。この様に予め調製し、次い
で本発明の他の成分と混合して本発明に用いる組成物中
に導入することが出来る。この場合に感光性ハロゲン化
銀と有機銀塩の接触を充分に行わせるため、例えば感光
性ハロゲン化銀を調製するときの保護ポリマーとして米
国特許第３，７０６，５６４号、同第３，７０６，５６
５号、同第３，７１３，８３３号、同第３，７４８，１
４３号、英国特許第１，３６２，９７０号に記載された
ポリビニルアセタール類などのゼラチン以外のポリマー
を用いる手段や、英国特許第１，３５４，１８６号に記
載されているような感光性ハロゲン化銀乳剤のゼラチン
を酵素分解する手段、又は米国特許第４，０７６，５３
９号に記載されているように感光性ハロゲン化銀粒子を
界面活性剤の存在下で調製することによって保護ポリマ
ーの使用を省略する手段等の各手段を適用することが出
来る。

【０１５６】ハロゲン化銀は、光センサーとして機能す
るものであり、画像形成後の白濁を低く抑える為又、良
好な画質を得るために粒子サイズが小さいものが好まし
い。平均粒子サイズで０．１μｍ以下、好ましくは０．
０１〜０．１μｍ、特に０．０２〜０．０８μｍが好ま
しい。ここでいう粒子サイズとは、ハロゲン化銀粒子が
立方体或いは八面体のいわゆる正常晶である場合には、
ハロゲン化銀粒子の稜の長さをいう。又、正常晶でない
場合、例えば球状、棒状、或いは平板状の粒子の場合に
は、ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球を考えたときの
直径をいう。ハロゲン化銀は単分散であることが好まし
い。ここでいう単分散とは、下記式で求められる分散度
が４０％以下をいう。更に好ましくは３０％以下であ
り、特に好ましくは０．１％以上２５％以下となる粒子
である。

【０１５７】分散度（％）＝（粒径の標準偏差）／（粒
径の平均値）×１００ 本発明に於いては、ハロゲン化銀粒子が平均粒径０．１
μｍ以下でかつ単分散粒子であることがより好ましく、
この範囲にすることで画像の粒状性も向上する。

【０１５８】又、ハロゲン化銀の形状としては特に制限
はなく、立方体、八面体の所謂正常晶や正常晶でない球
状、棒状、平板状等の粒子がある。又ハロゲン化銀組成
としても特に制限はなく、塩化銀、塩臭化銀、塩沃臭化
銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化銀のいずれであってもよ
い。

【０１５９】ハロゲン化銀の量はハロゲン化銀及び前述
の有機銀塩の総量に対し５０％以下、好ましくは２５％
〜０．１％、更に好ましくは１５％〜０．１％の間であ
る。

【０１６０】本発明の熱現像感光材料に使用される感光
性ハロゲン化銀は又、英国特許第１，４４７，４５４号
明細書に記載されている様に、有機銀塩を調製する際に
ハライドイオン等のハロゲン成分を有機銀塩形成成分と
共存させこれに銀イオンを注入する事で有機銀塩の生成
とほぼ同時に生成させることが出来る。

【０１６１】更に他の方法としては、予め調製された有
機銀塩の溶液もしくは分散液、又は有機銀塩を含むシー
ト材料にハロゲン化銀形成成分を作用させて、有機銀塩
の一部を感光性ハロゲン化銀に変換することもできる。
このようにして形成されたハロゲン化銀は有機銀塩と有
効に接触しており好ましい作用を呈する。ハロゲン化銀
形成成分とは有機銀塩と反応して感光性ハロゲン化銀を
生成しうる化合物であり、どのような化合物がこれに該
当し有効であるかは次のごとき簡単な試験で判別する事
が出来る。即ち、有機銀塩と試験されるべき化合物を混
入し必要ならば加熱した後にＸ線回折法によりハロゲン
化銀に特有のピークがあるかを調べるものである。かか
る試験によって有効であることが確かめられたハロゲン
化銀形成成分としては、無機ハロゲン化物、オニウムハ
ライド類、ハロゲン化炭化水素類、Ｎ−ハロゲン化合
物、その他の含ハロゲン化合物があり、その具体例につ
いては米国特許第４，００９，０３９号、同第３，４５
７，０７５号、同第４，００３，７４９号、英国特許第
１，４９８，９５６号及び特開昭５３−２７０２７号、
同５３−２５４２０号に詳説されている。

【０１６２】これらのハロゲン化銀形成成分は有機銀塩
に対して化学量論的には少量用いられる。通常、その範
囲は有機銀塩１モルに対し０．００１モル乃至０．７モ
ル、好ましくは０．０３モル乃至０．５モルである。ハ
ロゲン化銀形成成分は上記の範囲で２種以上併用されて
もよい。上記のハロゲン化銀形成成分を用いて有機銀塩
の一部をハロゲン化銀に変換させる工程の反応温度、反
応時間、反応圧力等の諸条件は作製の目的にあわせ適宜
設定する事が出来るが、通常、反応温度は２０℃乃至７
０℃、その反応時間は０．１秒乃至７２時間であり、そ
の反応圧力は大気圧に設定されるのが好ましい。この反
応は又、後述する結合剤として使用されるポリマーの存
在下に行われることが好ましい。この際のポリマーの使
用量は有機銀塩１質量部当たり０．０１乃至１００質量
部、好ましくは０．１乃至１０質量部である。

【０１６３】上記した各種の方法によって調製される感
光性ハロゲン化銀は、例えば含硫黄化合物、金化合物、
白金化合物、パラジウム化合物、銀化合物、錫化合物、
クロム化合物又はこれらの組み合わせによって化学増感
する事が出来る。この化学増感の方法及び手順について
は、例えば米国特許第４，０３６，６５０号、英国特許
第１，５１８，８５０号各明細書、特開昭５１−２２４
３０号、同５１−７８３１９号、同５１−８１１２４号
各公報に記載されている。又ハロゲン化銀形成成分によ
り有機銀塩の一部を感光性ハロゲン化銀に変換する際
に、米国特許第３，９８０，４８２号明細書に記載され
ているように、増感を達成するために低分子量のアミド
化合物を共存させてもよい。

【０１６４】又、これらの感光性ハロゲン化銀には、照
度不軌や、階調調整の為に元素周期律表の６族から１１
族に属する金属、例えばＲｈ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏ
ｓ、Ｆｅ等のイオン、その錯体又は錯イオンを含有させ
ることが出来る。特に錯イオンとして添加するのが好ま
しく、例えば照度不軌のために〔ＩｒＣｌ６〕^2-等のＩ
ｒ錯イオンを添加してもよい。

【０１６５】本発明に於ける感光性ハロゲン化銀粒子の
化学増感法としては当業界でよく知られているようにカ
ルコゲンにて化学増感されていることが好ましい。即
ち、硫黄増感法、セレン増感法、テルル増感法、金化合
物や白金、パラジウム、イリジウム化合物等の貴金属増
感法や還元増感法を用いることができる。

【０１６６】熱現像感光材料がカルコゲン化合物で化学
増感されていることが好ましい。特開平９−２９７３７
０号や特開平１１−６５０２０号でカルコゲン化合物や
金化合物による化学増感が開示されている。しかし効果
は高感度や高Ｄｍａｘでありランニング安定性やアミ％
バラツキの安定については記載がなく、本発明の課題及
び効果との関連性は認識されていない。本発明では有機
銀塩と混合する前にハロゲン化銀粒子にカルコゲン化合
物による化学増感を施すことが好ましい。

【０１６７】本発明で用いることのできる硫黄増感剤と
しては、ゼラチン中に含まれる硫黄化合物のほか、種々
の硫黄化合物、例えばチオ硫酸塩、チオ尿素類、チアゾ
ール類、ローダニン類等を用いることができる。具体例
は米国特許第１，５７４，９４４号、同第２，２７８，
９４７号、同第２，４１０，６８９号、同第２，７２
８，６６８号、同第３，５０１，３１３号、同第３，６
５６，９５５号に記載されたものである。

【０１６８】本発明で用いることのできるセレン増感剤
としては、従来公知の特許に開示されているセレン化合
物を用いることができる。即ち通常、不安定型セレン化
合物及び／又は非不安定型セレン化合物を添加して、高
温、好ましくは４０℃以上で乳剤を一定時間撹拌するこ
とにより用いられる。不安定型セレン化合物としては特
公昭４１−１５７４８号、特公昭４３−１３４８９号、
特開平４−２５８３２号、特開平４−１０９２４０号な
どに記載の化合物を用いることが好ましい。具体的な不
安定セレン増感剤としては、イソセレノシアネート類
（例えば、アリルイソセレノシアネートの如き脂肪族イ
ソセレノシアネート類）、セレノ尿素類、セレノケトン
類、セレノアミド類、セレノカルボン酸類（例えば、２
−セレノプコピオン酸、２−セレン酪酸）、セレノエス
テル類、ジアシルセレニド類（例えば、ビス（３−クロ
ロ−２，６−ジメトキシベンゾイル）セレニド）、セレ
ノホスフェート類、ホスフィンセレニド類、コロイド状
金属セレンなどが挙げられる。

【０１６９】本発明で用いられる非不安定型セレン化合
物としては特公昭４６−４５５３号、特公昭５２−３４
４９２号及び特公昭５２−３４４９１号に記載の化合物
が用いられる。非不安定型セレン化合物としては例えば
亜セレン酸、セレノシアン化カリウム、セレナゾール
類、セレナゾール類の四級塩、ジアリールセレニド、ジ
アリールジセレニド、ジアルキルセレニド、ジアルキル
ジセレニド、２−セレナゾリジンジオン、２−セレノオ
キサゾリジンチオン及びこれらの誘導体等が挙げられ
る。

【０１７０】これらのセレン化合物のうち、好ましくは
以下の一般式（Ｉ）及び後記の一般式（II）が挙げられ
る。

【０１７１】

【化５４】

【０１７２】一般式（Ｉ）中、Ｚ₁及びＺ₂はそれぞれ同
じでも異なっていてもよく、アルキル基（例えば、メチ
ル基、エチル基、ｔ−ブチル基、アダマンチル基、ｔ−
オクチル基）、アルケニル基（例えば、ビニル基、プロ
ペニル基）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェ
ネチル基）、アリール基（例えば、フェニル基、ペンタ
フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−ニト
ロフェニル基、４−オクチルスルファモイルフェニル
基、α−ナフチル基）、複素環基（例えば、ピリジル
基、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基）、−ＮＲ
₁（Ｒ₂）、−ＯＲ₃又は−ＳＲ₄を表す。

【０１７３】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、アルキル基、アラルキル基、アリ
ール基又は複素環基を表す。アルキル基、アラルキル
基、アリール基又は複素環基としてはＺ₁と同様な例が
挙げられる。

【０１７４】ただし、Ｒ₁及びＲ₂は水素原子又はアシル
基（例えば、アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル
基、ヘプタフルオロブタノイル基、ジフルオロアセチル
基、４−ニトロベンゾイル基、α−ナフトイル基、４−
トリフルオロメチルベンゾイル基）であってもよい。

【０１７５】一般式（Ｉ）中、好ましいＺ₁はアルキル
基、アリール基又は以下に規定する−ＮＲ₁（Ｒ₂）を表
し、Ｚ₂は以下に規定する−ＮＲ₅（Ｒ₆）を表す。Ｒ₁、
Ｒ₂、Ｒ₅及びＲ₆はそれぞれ同じでも異なっていてもよ
く、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアシル基
を表す。

【０１７６】一般式（Ｉ）中、より好ましくはＮ，Ｎ−
ジアルキルセレノ尿素、Ｎ，Ｎ，Ｎ′−トリアルキル−
Ｎ′−アシルセレノ尿素、テトラアルキルセレノ尿素、
Ｎ，Ｎ−ジアルキル−アリールセレノアミド、Ｎ−アル
キル−Ｎ−アリール−アリールセレノアミドを表す。

【０１７７】

【化５５】

【０１７８】一般式（II）中、Ｚ₃、Ｚ₄及びＺ₅はそれ
ぞれ同じでも異なっていてもよく、脂肪族基、芳香族
基、複素環基、−ＯＲ₇、−ＮＲ₈（Ｒ₉）、−ＳＲ₁₀、
−ＳｅＲ₁₁、Ｘ₁、水素原子を表す。

【０１７９】Ｒ₇、Ｒ₁₀及びＲ₁₁は脂肪族基、芳香族
基、複素環基、水素原子又はカチオンを表し、Ｒ₈及び
Ｒ₉は脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表
し、Ｘ₁はハロゲン原子を表す。

【０１８０】一般式（II）において、Ｚ₃〜Ｚ₅、Ｒ₇〜
Ｒ₁₁で表される脂肪族基は直鎖、分岐又は環状のアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基（例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル
基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、アリル基、２−ブテニル基、
３−ペンテニル基、プロパルギル基、３−ペンチニル
基、ベンジル基、フェネチル基）を表す。

【０１８１】一般式（II）において、Ｚ₃〜Ｚ₅、Ｒ₇〜
Ｒ₁₁で表される芳香族基は単環又は縮環のアリール基
（例えば、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基、４
−クロロフェニル基、３−スルホフェニル基、α−ナフ
チル基、４−メチルフェニル基）を表す。

【０１８２】一般式（II）において、Ｚ₃〜Ｚ₅、Ｒ₇〜
Ｒ₁₁で表される複素環基は窒素原子、酸素原子又は硫黄
原子のうち少なくとも一つを含む３〜１０員環の飽和も
しくは不飽和の不飽和基（例えば、ピリジル基、チエニ
ル基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ベン
ズイミダゾリル基）を表す。

【０１８３】一般式（II）において、Ｒ₇、Ｒ₁₀及びＲ
₁₁で表されるカチオンはアルカリ金属原子又はアンモニ
ウムを表し、Ｘ₁で表されるハロゲン原子は、例えばフ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を表す。

【０１８４】一般式（II）中、好ましくはＺ₃〜Ｚ₅は脂
肪族基、芳香族基又は−ＯＲ₇を表し、Ｒ₇は脂肪族基又
は芳香族基を表す。

【０１８５】一般式（II）中、より好ましくはトリアル
キルホスフィンセレニド、トリアリールホスフィンセレ
ニド、トリアルキルセレノホスフェート又はトリアリー
ルセレノホスフェートを表す。

【０１８６】以下に一般式（Ｉ）、（II）及び本発明で
使用可能なその他の化合物の具体例を示すが、本発明は
これに限定されるものではない。

【０１８７】

【化５６】

【０１８８】

【化５７】

【０１８９】

【化５８】

【０１９０】

【化５９】

【０１９１】本発明で用いられるテルル増感剤として
は、例えば、特開平４−２０４６４０号、同４−２７１
３４１号、同４−３３３０４３号、同５−３０３１５７
号、同６−０２７５７３号、同６−１７５２５８号、同
６−１８０４７８号、同６−２０８１８６号、同６−２
０８１８４号、同６−３１７８６７号、同７−０９２５
９９号、同７−０９８４８３号、同７−１０４４１５
号、同７−１４０５７９号、及びジャーナル・オブ・ケ
ミカル・ソサエティー・ケミカル・コミュニケーション
（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．）
６３５（１９８０）、Ｓ．パタイ（Ｓ．Ｐａｔａｉ）
編、ザ・ケミストリー・オブ・オルガニック・セレニウ
ム・アンド・テルリウム・コンパウンズ（Ｔｈｅ Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｌｅｎｉｕ
ｍ Ｔｅｌｌｕｒｉｕｍｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）、Ｖｏ
ｌ．１（１９８６）、同Ｖｏｌ．２（１９８７）などに
記載の化合物を用いることができる。

【０１９２】具体的な化合物としては、 （Ｔｅ−ａ） ジアシルテルリド類、ビス（オキシカル
ボニル）テルリド類、ビス（カルバモイル）テルリド類
（具体的には例えば、ジベンゾイルテルリド、ビス
（２，６−ジメトキシベンゾイル）テルリド、ビス（エ
トキシカルボニル）テルリド、ビス（Ｎ−メチル−Ｎ−
フェニルカルバモイル）テルリド、ビス（Ｎ−ベンジル
−Ｎ−フェニルカルバモイル）テルリド） （Ｔｅ−ａ′） ジアシルジテルリド類、ビス（オキシ
カルボニル）ジテルリド類、ビス（カルバモイル）ジテ
ルリド類（具体的には例えば、ジベンゾイルジテルリ
ド、ビス（Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルカルバモイル）ジ
テルリド、ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルカルバモイル）ジ
テルリド） （Ｔｅ−ｂ） Ｐ＝Ｔｅ結合を有する化合物（例えば、
ホスフィンテルリド類（例えば、トリブチルホスフィン
テルリド、トリｉｓｏ−ブチルホスフィンテルリド、ト
リｉｓｏ−プロピルホスフィンテルリド、ｎ−ブチルｉ
ｓｏ−プロピルホスフィンテルリド）、テルロホスホリ
ックアシッドアミド類（例えば、トリス（ジメチルアミ
ノ）ホスファンテルリド、トリス（ジエチルアミノ）ホ
スファンテルリドなど）、テルロホスフィニックアシッ
ドエステル類（例えば、ジエチルテルロホスフィニック
アシッド、Ｏ−エチルエステル（Ｅｔ₂（ＥｔＯ）Ｐ＝
Ｔｅ）など）、テルロホスホニックアシッドエステル類
（例えば、エチルジエトキシホスファンテルリド）な
ど） （Ｔｅ−ｃ） テルロカルボン酸塩類（例えば、テルロ
ベンゾイックアシッドカリウム塩、２−メトキシテルロ
ベンゾイックアシッドカリウム塩など） （Ｔｅ−ｄ） Ｔｅ−オルガニルテルロカルボン酸エス
テル類（例えば、Ｔｅ−（３′−オキソブチル）テルロ
ベンゾエート、Ｔｅ−メチルテルロベンゾエートなど） （Ｔｅ−ｅ） ジ（ポリ）テルリド類、テルリド類（例
えば、ジエチルジテルリド、ビス（シアノエチル）ジテ
ルリド、ジピリジルジテルリドなど） （Ｔｅ−ｆ） テルロール類（例えば、エタンテルロー
ル、ソジウムエタンテルロラートなど） （Ｔｅ−ｇ） テルロアセタール類（例えば、１，１−
ビス（メチルテルロ）プタン、トリテルランなど） （Ｔｅ−ｈ） テルロスルホナート類（例えば、Ｔｅ−
エチルベンゼンテルロスルホナートなど） （Ｔｅ−ｉ） Ｐ−Ｔｅ結合を有する化合物（例えば、
テルロホスホリックアシッド、Ｔｅ−オルガニルエステ
ル類（例えば、具体的には、テルロホスホリックアシッ
ド、Ｏ，Ｏ−ジエチル−Ｔｅ−メチルエステル、テルロ
ホスホリックアシッド、Ｏ，Ｏ−ジブチル−Ｔｅ−エチ
ルエステルなど）など） （Ｔｅ−ｊ） 含Ｔｅヘテロ環類（例えば、テルラジア
ゾール類など） （Ｔｅ−ｋ） テルロカルボニル化合物（例えば、テル
ロ尿素類（例えば、Ｎ，Ｎ′−ジメチルエチレンテルロ
ウレア、Ｎ，Ｎ′−ジエチルエチレンテルロウレアなど
環状テルロ尿素化合物が好ましい。）、テルロアミド類
（例えば、ジメチルテルロベンズアミド、Ｎ，Ｎ−ジプ
ロピル−４−メトキシテルロベンズアミドなど）、テル
ロヒドラジド類（例えば、（Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−トリメチ
ル）テルロベンゾヒドラジドなど）など） （Ｔｅ−ｌ） 無機テルル化合物（例えば、テルリウム
スルフィド類、ソジウムテルリド、ポタシウムテルリド
など） （Ｔｅ−ｍ） コロイド状テルル などを用いることができる。

【０１９３】これらのテルル化合物のうち、好ましく用
いられるのは、以下の一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及
び（ｄ）で表される化合物である。

【０１９４】一般式（ａ） Ｒ₁₀₁−（Ｔｅ）ｎ−Ｒ₁₀₂ 式中、Ｒ₁₀₁は脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｃ
（＝Ｘ₁₁₁）Ｒ₁₁₁を表し、Ｒ₁₀₂は脂肪族基、芳香族
基、複素環基、水素原子、カチオン、−Ｃ（＝Ｘ₁₁₂）
Ｒ₁₁₂を表す。ここで、Ｒ₁₁₁及びＲ₁₁₂は脂肪族基、芳
香族基、複素環基、ＯＲ₁₁₃、ＮＲ₁₁₄、Ｒ₁₁₅、Ｓ
Ｒ₁₁₆、水素原子を表し、Ｘ₁₁₁及びＸ₁₁₂は酸素原子、
硫黄原子、ＮＲ₁₁₇を表し、Ｒ₁₁₃、Ｒ₁₁₄、Ｒ₁₁₅、Ｒ
₁₁₆及びＲ₁₁₇は脂肪族基、芳香族基、複素環基、水素原
子を表す。ｎは１又は２を表す。

【０１９５】次に一般式（ａ）について詳細に説明す
る。一般式（ａ）において、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂、Ｒ₁₁₁〜Ｒ
₁₁₇で表される脂肪族基は好ましくは炭素数１〜３０の
ものであって、特に炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環
状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラル
キル基である。アルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アラルキル基としては、例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、
ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アリル基、２−
ブテニル基、３−ペンテニル基、プロパルギル基、３−
ペンチニル基、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられ
る。

【０１９６】一般式（ａ）において、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂、Ｒ
₁₁₁〜Ｒ₁₁₇で表される芳香族基は好ましくは炭素数６〜
３０のものであって、特に炭素数６〜２０の単環又は縮
環のアリール基であり、例えばフェニル基、ナフチル基
が挙げられる。

【０１９７】一般式（ａ）において、Ｒ₁₀₁、Ｒ₁₀₂、Ｒ
₁₁₁〜Ｒ₁₁₇で表される複素環基は窒素原子、酸素原子及
び硫黄原子のうち少なくとも一つを含む３〜１０員環の
飽和もしくは不飽和の複素環基である。これらは単環で
あってもよいし、更に他の芳香環もしくは複素環と縮合
環を形成してもよい。複素環基としては、好ましくは５
〜６員環の芳香族複素環基であり、例えばピリジル基、
フリル基、チエニル基、チアゾリル基、イミダゾリル
基、ベンズイミダゾリル基等が挙げられる。

【０１９８】これらの脂肪族基、芳香族基及び複素環基
は置換されていてもよい。置換基としては以下のものが
挙げられる。

【０１９９】代表的な置換基としては例えば、アルキル
基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、ウレイド基、
スルファモイル基、カルバモイル基、スルホニル基、ア
ルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、アシル基、アシルオキシ基、イミド基、アルキルチ
オ基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシ
基、ヒドロキシ基、ホスホノ基、ニトロ基、及びヘテロ
環基等が挙げられる。これらの基は更に置換されていて
もよい。置換基が２つ以上あるときは同じでも異なって
いてもよい。

【０２００】一般式（ａ）において、Ｒ₁₀₂で表される
カチオンはナトリウムイオン、カリウムイオンなどのア
ルカリ金属イオン、アンモニウムイオンなどを表す。

【０２０１】一般式（ａ）において、好ましくは、Ｒ
₁₀₁は−Ｃ（＝Ｘ₁₁₁）Ｒ₁₁₁を表し、Ｒ₁₀₂は脂肪族基、
複素環基、−Ｃ（＝Ｘ₁₁₂）Ｒ₁₁₂を表す。

【０２０２】一般式（ａ）において、より好ましくは、
Ｒ₁₀₁は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ₁₁₁を表し、Ｒ₁₀₂は−Ｃ（＝
Ｏ）Ｒ₁₁₂を表し、Ｒ₁₁₁及びＲ₁₁₂はＮＲ₁₁₄（Ｒ₁₁₅）
又はＯＲ ₁₁₆を表し、Ｒ₁₁₄、Ｒ₁₁₅及びＲ₁₁₆は脂肪族
基、芳香族基又は複素環基を表し、ｎは１を表す。

【０２０３】更に、より好ましくは、Ｒ₁₀₁は−Ｃ（＝
Ｏ）Ｒ₁₁₁を表し、Ｒ₁₀₂は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ₁₁₂を表し、
Ｒ₁₁₁及びＲ₁₁₂はＮＲ₁₁₄（Ｒ₁₁₅）を表し、Ｒ₁₁₄、Ｒ
₁₁₅は脂肪族基、芳香族基を表し、ｎは１を表す。

【０２０４】一般式（ｂ） Ｒ₁₃₁（Ｒ₁₃₂）Ｐ（＝Ｔｅ）Ｒ₁₃₃ 式中、Ｒ₁₃₁、Ｒ₁₃₂及びＲ₁₃₃は脂肪族基、芳香族基、
複素環基、ＯＲ₁₃₄、ＮＲ₁₃₅（Ｒ₁₃₆）、ＳＲ₁₃₇、ＯＳ
ｉＲ₁₃₈（Ｒ₁₃₉）（Ｒ₁₄₀）、Ｘ又は水素原子を表す。
Ｒ₁₃₄及びＲ₁₃₇は脂肪族基、芳香族基、複素環基、水素
原子又はカチオンを表し、Ｒ₁₃₅及びＲ₁₃₆は脂肪族基、
芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、Ｒ₁₃₈、Ｒ₁₃₉
及びＲ₁₄₀は脂肪族基を表し、Ｘはハロゲン原子を表
す。

【０２０５】次に一般式（ｂ）について詳細に説明す
る。一般式（ｂ）において、Ｒ₁₃₁〜Ｒ₁₄₀で表される脂
肪族基、芳香族基、複素環基はそれぞれ、一般式（ａ）
の脂肪族基、芳香族基、複素環基と同意義である。又Ｒ
₁₃₁〜Ｒ₁₄₀で表される脂肪族基、芳香族基、複素環基は
一般式（ａ）で挙げられた置換基で置換されていてもよ
い。

【０２０６】一般式（ｂ）において、Ｒ₁₃₄及びＲ₁₃₇で
表されるカチオンはアルカリ金属、アンモニウムを表
す。一般式（ｂ）においてＸで表されるハロゲン原子
は、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子及び沃素原
子を表す。

【０２０７】一般式（ｂ）において、好ましくはＲ₁₃₁
〜Ｒ₁₃₃は脂肪族基又は芳香族基を表し、より好ましく
はアルキル基又は芳香族基を表す。

【０２０８】一般式（ｃ） Ｒ₁₇₁−Ｔｅ−Ｒ₁₉₂ 式中、Ｒ₁₇₁は、−Ｓ（Ｏ）ｎ−Ｒ₁₉₁、−Ｐ（＝Ｃｈ）
Ｒ₁₉₅（Ｒ₁₉₆）を表し、Ｒ₁₉₂は水素原子、脂肪族基、
芳香族基、複素環基、カチオン、アシル基、カルバモイ
ル基、スルファモイル基、スルホニル基、スルフィニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基を表す。ここで、Ｒ₁₉₁、Ｒ₁₉₅、Ｒ ₁₉₆は脂肪族
基、芳香族基、複素環基、アミノ基、エーテル基、チオ
エーテル基、セレノエーテル基、テルロエーテル基を表
し、Ｃｈは酸素原子、硫黄原子を表し、ｎは１又は２を
表す。

【０２０９】次に、一般式（ｃ）について詳細に説明す
る。一般式（ｃ）において、Ｒ₁₉₁、Ｒ₁₉₂、Ｒ₁₉₅、Ｒ
₁₉₆で表される脂肪族基、芳香族基、複素環基はそれぞ
れ、一般式（ａ）の脂肪族基、芳香族基、複素環基と同
意義である。又Ｒ₁₉₁、Ｒ₁₉₂、Ｒ₁₉₅、Ｒ₁₉₆で表される
脂肪族基、芳香族基、複素環基は一般式（ａ）で挙げら
れた置換基で置換されていてもよい。

【０２１０】一般式（ｃ）において、Ｒ₁₉₁、Ｒ₁₉₅、Ｒ
₁₉₆で表されるアミノ基としては、例えば無置換アミノ
基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、アニリノ基、２，４−キシリジ
ノ基等が挙げられる。

【０２１１】一般式（ｃ）において、Ｒ₁₉₁、Ｒ₁₉₅、Ｒ
₁₉₆で表されるエーテル基としては、例えばメトキシ
基、イソプロポキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ
基、２−ナフチルオキシ基、２−ピリジルオキシ基等が
挙げられ、チオエーテル基としては、例えばメチルチオ
基、フェニルチオ基等が挙げられ、セレノエーテル基と
しては、例えばメチルセレノ基、フェニルセレノ基等が
挙げられ、テルロエーテル基としては、例えばメチルテ
ルロ基等が挙げられる。

【０２１２】一般式（ｃ）において、Ｒ₁₉₂で表される
カチオンとしては、例えばリチウムイオン、カリウムイ
オン等のアルカリ金属イオン、及びアンモニウムイオン
等のアンモニウムイオン類等が挙げられる。ここでＲ
₁₉₂がカチオンである場合、Ｔｅは形式的に−１の負電
荷をもつものとする。

【０２１３】一般式（ｃ）において、Ｒ₁₉₂で表される
アシル基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プ
ロピオニル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイ
ル基、アクリロイル基、ピルボイル基、ベンゾイル基、
１−ナフトイル基、ｍ−トルオイル基、シンナモイル基
等が挙げられ、カルバモイル基としては、例えば無置換
カルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−
ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイ
ル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基等が挙げられ、スル
ファモイル基としては、例えば無置換スルファモイル
基、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルス
ルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルスルファモイル基、
Ｎ−フェニルスルファモイル基等が挙げられ、スルホニ
ル基としては、例えばメシル基、トシル基、タウリル基
等が挙げられ、スルフィニル基としては、例えばメチル
スルフィニル基、フェニルスルフィニル基等が挙げられ
る。

【０２１４】一般式（ｃ）において、Ｒ₁₉₂で表される
アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニル基等が挙げられ、アリールオキシカルボニ
ル基としては、例えばフェノキシカルボニル基、ナフチ
ルオキシカルボニル基等が挙げられる。

【０２１５】一般式（ｃ）において好ましくは、Ｒ₁₇₁
が、−Ｓ（Ｏ）₂−Ｒ₁₉₁、−Ｐ（Ｃｈ）Ｒ₁₉₅（Ｒ₁₉₆）
を表し、Ｒ₁₉₁、Ｒ₁₉₅、Ｒ₁₉₆が脂肪族基、芳香族基、
複素環基であり、Ｒ₁₉₂が脂肪族基、複素環基、カチオ
ン、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、ス
ルホニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基であるものである。

【０２１６】一般式（ｃ）においてより好ましくは、Ｒ
₁₇₁が、−Ｐ（＝Ｃｈ）Ｒ₁₉₅（Ｒ_{19 6}）を表し、Ｒ₁₉₅、
Ｒ₁₉₆が芳香族基であり、Ｒ₁₉₂がカチオン、アシル基、
カルバモイル基、スルファモイル基、スルホニル基であ
るものである。

【０２１７】一般式（ｄ） Ｒ₂₁₁−Ｃ（＝Ｔｅ）−Ｒ₂₁₂ 式中、Ｒ₂₁₁は脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−Ｎ
Ｒ₂₁₃（Ｒ₂₁₄）を表し、Ｒ₂₁₂は−ＮＲ₂₁₅（Ｒ₂₁₆）、
−Ｎ（Ｒ₂₁₇）Ｎ（Ｒ₂₁₈）Ｒ₂₁₉又は−ＯＲ₂₂₀を表す。

【０２１８】Ｒ₂₁₃〜Ｒ₂₂₀は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基又はアシル基を表す。ここでＲ₂₁₁とＲ
₂₁₅、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₇、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₈、Ｒ₂₁₁とＲ₂₂₀、Ｒ
₂₁₃とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₇、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₈及びＲ₂₁₃と
Ｒ₂₂₀は結合して環を形成したものが好ましい。

【０２１９】次に一般式（ｄ）について詳細に説明す
る。一般式（ｄ）においてＲ₂₁₁〜Ｒ₂₂₀で表される脂肪
族基、芳香族基、複素環基はそれぞれ、一般式（ａ）の
脂肪族基、芳香族基、複素環基と同意義である。又Ｒ
₂₁₁、Ｒ₂₁₃〜Ｒ₂₂₀で表される脂肪族基、芳香族基、複
素環基は一般式（ａ）で挙げられた置換基で置換されて
いてもよい。

【０２２０】Ｒ₂₁₃〜Ｒ₂₂₀で表されるアシル基は、一般
式（ｃ）において、Ｒ₁₉₂で表されるアシル基と同意義
である。

【０２２１】Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₇、Ｒ₂₁₁とＲ
₂₁₈、Ｒ₂₁₁とＲ₂₂₀、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₇、Ｒ
₂₁₃とＲ₂₁₈及びＲ₂₁₃とＲ₂₂₀が結合して環を形成すると
きの、環を形成する基としては置換もしくは無置換のア
ルキレン基（エーテル基、チオエーテル基、置換もしく
は無置換のアミノ基を含んでいてもよい、例えば、メチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキ
シレン基、１−メチルエチレン基、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ
₂ＣＨ₂−、ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＨＣＨ₂ＣＨ₂−等）、置換もし
くは無置換のアラルキレン基（例えば、ベンジリデン基
など）、置換もしくは無置換のアリーレン基（例えば、
フェニレン基、ナフチレン基など）などが挙げられる。

【０２２２】一般式（ｄ）において好ましくは、Ｒ₂₁₁
は芳香族基、複素環基又は−ＮＲ₂₁₃（Ｒ₂₁₄）を表し、
Ｒ₂₁₂は−ＮＲ₂₁₅（Ｒ₂₁₆）、−Ｎ（Ｒ₂₁₇）Ｎ（₂₁₈）
Ｒ₂₁₉を表す。ここで、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₇、
Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₈、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₇、Ｒ₂₁₃と
Ｒ₂₁₈は結合して環を形成したものが好ましい。

【０２２３】一般式（ｄ）においてより好ましくは、Ｒ
₂₁₁は芳香族基又は−ＮＲ₂₁₃（Ｒ_{21 4}）を表し、Ｒ₂₁₂は
−ＮＲ₂₁₅（Ｒ₂₁₆）、−Ｎ（Ｒ₂₁₇）Ｎ（₂₁₈）Ｒ₂₁₉を
表す。ここで、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₁とＲ₂₁₇、Ｒ₂₁₁と
Ｒ₂₁₈、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₅、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₇、Ｒ₂₁₃とＲ₂₁₈は
アルキレン基、アリーレン基により結合して環を形成す
るものとする。

【０２２４】上記の化合物群の中で本発明に好ましく用
いられるのは、一般式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で表され
る化合物であり、更に好ましく用いられるのは一般式
（ａ）、（ｂ）で表される化合物である。

【０２２５】以下に本発明で用いられる化合物の具体例
を示すが、本発明に用いられる化合物はこれらに限定さ
れるものではない。

【０２２６】

【化６０】

【０２２７】

【化６１】

【０２２８】

【化６２】

【０２２９】

【化６３】

【０２３０】本発明において、好ましくはセレン増感及
びテルル増感の少なくとも一方による化学増感が好まし
い。特に、テルル増感が好ましい。又、本発明において
は、硫黄増感、セレン増感、テルル増感をそれぞれ単独
で用いてもよく、任意の組み合わせで用いてもよいが、
好ましい態様としてはいずれかの２種類或いは３種類の
組み合わせが好ましい。

【０２３１】本発明におけるカルコゲン増感剤の使用量
は本発明の効果が発現する限りにおいては特に制限はな
いが、ハロゲン化銀１モル当たり１×１０^-8〜１×１０
^-1モルが好ましく、より好ましくは１×１０^-7〜１×１
０^-2モルが好ましい。

【０２３２】本発明におけるカルコゲン増感剤の添加は
本発明の効果が発現する限りにおいては特に制限はない
が、好ましくはハロゲン化銀粒子形成後、有機脂肪酸銀
とハロゲン化銀粒子を混合するまでの間がよく、より好
ましくはハロゲン化銀粒子を脱塩後、有機脂肪酸銀と混
合するまでの間がより好ましい。

【０２３３】本発明で用いられる支持体は現像処理後の
画像の変形を防ぐためにプラスチックフィルム（例え
ば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカー
ボネート、ポリイミド、ナイロン、セルローストリアセ
テート、ポリエチレンナフタレート）であることが好ま
しい。支持体の厚みとしては５０〜３００μｍ程度、好
ましくは７０〜１８０μｍである。又熱処理したプラス
チック支持体を用いることもできる。採用するプラスチ
ックとしては、前記のプラスチックが挙げられる。支持
体の熱処理とはこれらの支持体を製膜後、画像形成層が
塗布されるまでの間に、支持体のガラス転移点より３０
℃以上高い温度で、好ましくは３５℃以上高い温度で、
更に好ましくは４０℃以上高い温度で加熱することがよ
い。但し、支持体の融点を超えた温度で加熱しては本発
明の効果は得られない。

【０２３４】本発明に係る支持体の製膜方法及び下引製
造方法は公知の方法を用いることができるが、好ましく
は、特開平９−５００９４号の段落〔００３０〕〜〔０
０７０〕に記載された方法を用いることである。

【０２３５】本発明の感光材料は、支持体の一方の側に
画像形成層を有し、該画像形成層側の最上層のビッカー
ス硬度が４０〜１５０であることが好ましい。

【０２３６】本発明で言うビッカース硬度はＪＩＳ Ｚ
２２５１の微小硬さ試験法に則り測定することができ
る硬度とする。具体的には対面角が１３６度のダイヤモ
ンド正四角錐の圧子を用い、試験面に窪みをつけた時の
荷重Ｆ（Ｋｇｆ）を、窪みの対角線長さｄ（ｍｍ）から
求めた表面積で除した商をいい、 ビッカース硬度（Ｈｖ）＝１．８５４４Ｆ／ｄ² （但し、ｄは窪みの対角線長さの平均（ｍｍ）であ
る。）で算出できる。

【０２３７】尚、測定機種はＪＩＳ Ｂ ７７３４（微
小硬さ試験機）に適合したものでなければならない。例
えばＭＨＡ−４００（日本電気（株）製）を用いて、２
３℃相対湿度５０％の環境で測定するのがよい。支持体
を含む感光材料を試料とし走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
で観察される最表面からの厚さの５０％の厚さまで圧子
を押し込んだ際の硬度として求める。

【０２３８】ビッカース硬度を上記の範囲にするには、
最上層に後述の疎水性バインダーを用いる方法やマット
剤で調整する方法や固形充填剤を添加して調整する方法
が挙げられる。

【０２３９】疎水性バインダーとしては、ポリビニルブ
チラール、セルロースアセテート、セルロースアセテー
トブチレート、ポリエステル、ポリマーラテックスが特
に好ましく用いられる。

【０２４０】

【発明の実施の形態】本発明の熱現像感光材料は、支持
体上に少なくとも一層の画像形成層を有している。支持
体上に画像形成層のみを形成してもよいが、画像形成層
の上に少なくとも１層の非画像形成層を形成することが
好ましい。画像形成層を通過する光の量又は波長分布を
制御するために、画像形成層と同じ側にフィルター染料
層及び／又は反対側にアンチハレーション染料層、いわ
ゆるバッキング層を形成してもよいし、画像形成層に染
料又は顔料を含ませてもよい。用いられる染料として
は、所望の波長範囲で目的の吸収を有するものであれば
いかなる化合物でもよいが、例えば特開昭５９−６４８
１号、同５９−１８２４３６号、米国特許第４，２７
１，２６３号、同４，５９４，３１２号、欧州特許公開
５３３，００８号、欧州特許公開６５２，４７３号、特
開平２−２１６１４０号、同４−３４８３３９号、同７
−１９１４３２号、同７−３０１８９０号などに記載の
化合物が好ましく用いられる。

【０２４１】又、これらの非画像形成層には、マット剤
を含有することが好ましく、更にポリシロキサン化合物
やワックスや流動パラフィンのようなスベリ剤を含有し
てもよい。画像形成層は複数層にしても良く、又階調の
調節のため画像形成層を高感度層／低感度層又は低感度
層／高感度層にしてもよい。

【０２４２】本発明の熱現像感光材料は、熱現像処理に
て写真画像を形成するもので、少なくとも還元可能な銀
源（有機銀塩）、感光性ハロゲン化銀、現像剤（還元
剤）、及び必要に応じて銀の色調を抑制する色調剤を、
通常（有機）バインダーマトリックス中に分散した状態
で含有している熱現像感光材料であることが好ましい。
本発明の熱現像感光材料は常温で安定であるが、露光後
高温（例えば、８０〜１４０℃）に加熱することで現像
される。加熱することで有機銀塩（酸化剤として機能す
る）と還元剤との間の酸化還元反応を通じて銀を生成す
る。この酸化還元反応は、露光でハロゲン化銀に発生し
た潜像の触媒作用によって促進される。露光領域中の有
機銀塩の反応によって生成した銀は黒色画像を提供し、
これは非露光領域と対照をなし画像の形成がなされる。
この反応過程は、外部から水等の処理液を供給すること
なしで進行する。

【０２４３】本発明の熱現像感光材料には還元剤を内蔵
させている。好適な還元剤の例は、米国特許第３，７７
０，４４８号、同３，７７３，５１２号、同３，５９
３，８６３号及びＲＤ１７０２９及び２９９６３に記載
されており、次のものが挙げられる。

【０２４４】アミノヒドロキシシクロアルケノン化合物
（例えば、２−ヒドロキシピペリジノ−２−シクロヘキ
セノン）；還元剤の前駆体としてアミノリダクトン類
（ｒｅｄｕｃｔｏｎｅｓ）エステル（例えば、ピペリジ
ノヘキソースリダクトンモノアセテート）；Ｎ−ヒドロ
キシ尿素誘導体（例えば、Ｎ−ｐ−メチルフェニル−Ｎ
−ヒドロキシ尿素）；アルデヒド又はケトンのヒドラゾ
ン類（例えば、アントラセンアルデヒドフェニルヒドラ
ゾン）；ホスファーアミドフェノール類；ホスファーア
ミドアニリン類；ポリヒドロキシベンゼン類（例えば、
ヒドロキノン、ｔ−ブチル−ヒドロキノン、イソプロピ
ルヒドロキノン及び（２，５−ジヒドロキシ−フェニ
ル）メチルスルホン）；スルフヒドロキサム酸類（例え
ば、ベンゼンスルフヒドロキサム酸）；スルホンアミド
アニリン類（例えば、４−（Ｎ−メタンスルホンアミ
ド）アニリン）；２−テトラゾリルチオヒドロキノン類
（例えば、２−メチル−５−（１−フェニル−５−テト
ラゾリルチオ）ヒドロキノン）；テトラヒドロキノキサ
リン類（例えば、１，２，３，４−テトラヒドロキノキ
サリン）；アミドオキシム類；アジン類（例えば、脂肪
族カルボン酸アリールヒドラザイド類とアスコルビン酸
の組み合わせ）；ポリヒドロキシベンゼンとヒドロキシ
ルアミンの組み合わせ、リダクトン及び／又はヒドラジ
ン；ヒドロキサン酸類；アジン類とスルホンアミドフェ
ノール類の組み合わせ；α−シアノフェニル酢酸誘導
体；ビス−β−ナフトールと１，３−ジヒドロキシベン
ゼン誘導体の組み合わせ；５−ピラゾロン類；スルホン
アミドフェノール還元剤；２−フェニルインダン−１，
３−ジオン等；クロマン；１，４−ジヒドロピリジン類
（例えば、２，６−ジメトキシ−３，５−ジカルボエト
キシ−１，４−ジヒドロピリジン）；ビスフェノール類
（例えば、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５
−メチルフェニル）メタン、ビス（６−ヒドロキシ−ｍ
−トリ）メシトール（ｍｅｓｉｔｏｌ）、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
４，５−エチリデン−ビス（２−ｔ−ブチル−６−メチ
ル）フェノール）、紫外線感応性アスコルビン酸誘導体
及び３−ピラゾリドン類等。中でも特に好ましい還元剤
は、ヒンダードフェノール類である。ヒンダードフェノ
ール類としては、下記一般式（Ａ）で表される化合物が
挙げられる。

【０２４５】

【化６４】

【０２４６】式中、Ｒは水素原子、又は炭素原子数１〜
１０のアルキル基（例えば、−Ｃ₄Ｈ₉、２，４，４−ト
リメチルペンチル）を表し、Ｒ′及びＲ″は炭素原子数
１〜５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｔ−ブ
チル）を表す。

【０２４７】一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を
以下に示す。ただし、本発明は、以下の化合物に限定さ
れるものではない。

【０２４８】

【化６５】

【０２４９】

【化６６】

【０２５０】前記一般式（Ａ）で表される化合物を始め
とする還元剤の使用量は、好ましくは銀１モル当り１×
１０^-2〜１０モル、特に１×１０^-2〜１．５モルであ
る。

【０２５１】本発明の熱現像感光材料において、上述し
た各成分と共に色調剤、色調付与剤若しくは付活剤トー
ナーと称せられる添加剤（以下色調剤と呼ぶ）が使用さ
れる事が望ましい。色調剤は有機銀塩と還元剤の酸化還
元反応に関与して、生ずる銀画像を濃色、特に黒色にす
る機能を有する。本発明に用いられる好適な色調剤の例
は、ＲＤ１７０２９号に開示されており、次のものが挙
げられる。

【０２５２】イミド類（例えば、フタルイミド）；環状
イミド類、ピラゾリン−５−オン類、及びキナゾリノン
（例えば、スクシンイミド、３−フェニル−２−ピラゾ
リン−５−オン、１−フェニルウラゾール、キナゾリン
及び２，４−チアゾリジンジオン）；ナフタールイミド
類（例えば、Ｎ−ヒドロキシ−１，８−ナフタールイミ
ド）；コバルト錯体（例えば、コバルトのヘキサミント
リフルオロアセテート）、メルカプタン類（例えば、３
−メルカプト−１，２，４−トリアゾール）；Ｎ−（ア
ミノメチル）アリールジカルボキシイミド類（例えば、
Ｎ−（ジメチルアミノメチル）フタルイミド）；ブロッ
クされたピラゾール類、イソチウロニウム（ｉｓｏｔｈ
ｉｕｒｏｎｉｕｍ）誘導体及びある種の光漂白剤の組み
合わせ（例えば、Ｎ，Ｎ′−ヘキサメチレン（１−カル
バモイル−３，５−ジメチルピラゾール）、１，８−
（３，６−ジオキサオクタン）ビス（イソチウロニウム
トリフルオロアセテート）、及び２−（トリブロモメチ
ルスルホニル）ベンゾチアゾールの組み合わせ）；メロ
シアニン染料（例えば、３−エチル−５−（（３−エチ
ル−２−ベンゾチアゾリニリデン（ベンゾチアゾリニリ
デン））−１−メチルエチリデン）−２−チオ−２，４
−オキサゾリジンジオン）；フタラジノン、フタラジノ
ン誘導体又はこれらの誘導体の金属塩（例えば、４−
（１−ナフチル）フタラジノン、６−クロロフタラジノ
ン、５，７−ジメチルオキシフタラジノン、及び２，３
−ジヒドロ−１，４−フタラジンジオン）；フタラジノ
ンとスルフィン酸誘導体の組み合わせ（例えば、６−ク
ロロフタラジノン＋ベンゼンスルフィン酸ナトリウム又
は８−メチルフタラジノン＋ｐ−トリスルホン酸ナトリ
ウム）；フタラジン＋フタル酸の組み合わせ；フタラジ
ン（フタラジンの付加物を含む）とマレイン酸無水物、
及びフタル酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸又はｏ
−フェニレン酸誘導体及びその無水物（例えば、フタル
酸、４−メチルフタル酸、４−ニトロフタル酸及びテト
ラクロロフタル酸無水物）から選択される少なくとも１
つの化合物との組み合わせ；キナゾリンジオン類、ベン
ズオキサジン、オルトオキサジン誘導体；ベンズオキサ
ジン−２，４−ジオン類（例えば、１，３−ベンズオキ
サジン−２，４−ジオン）；ピリミジン類及び不斉−ト
リアジン類（例えば、２，４−ジヒドロキシピリミジ
ン）、及びテトラアザペンタレン誘導体（例えば、３，
６−ジメルカプト−１，４−ジフェニル−１Ｈ，４Ｈ−
２，３ａ，５，６ａ−テトラアザペンタレン）。これら
の内、好ましい色調剤としてはフタラゾン又はフタラジ
ンである。

【０２５３】本発明の熱現像感光材料には、例えば特開
昭６３−１５９８４１号、同６０−１４０３３５号、同
６３−２３１４３７号、同６３−２５９６５１号、同６
３−３０４２４２号、同６３−１５２４５号、米国特許
第４，６３９，４１４号、同４，７４０，４５５号、同
４，７４１，９６６号、同４，７５１，１７５号、同
４，８３５，０９６号に記載された増感色素が使用でき
る。本発明に使用される有用な増感色素は、例えばＲＤ
１７６４３IV−Ａ項（１９７８年１２月ｐ．２３）、同
Ｉｔｅｍ１８３１Ｘ項（１９７８年８月ｐ．４３７）に
記載もしくは引用された文献に記載されている。特に各
種スキャナー光源の分光特性に適した分光感度を有する
増感色素を有利に選択することができる。例えば、特開
平９−３４０７８号、同９−５４４０９号、同９−８０
６７９号記載の化合物が好ましく用いられる。

【０２５４】強色増感されている場合、光感度が特に高
くなるので、還元剤の失活をさせない場合、現像後のプ
リントアウト銀は、大きくなりやすく本発明には特に有
効である。又、赤外増感されている場合には、更に赤外
増感色素はハロゲン化銀や、有機銀塩を幾分かは還元で
きる酸化還元電位を有しているため、暗所においても前
述の有機銀塩を還元できる還元剤の存在下では、カブリ
銀となる銀クラスターを生成しやすい。生成した銀クラ
スターは又、触媒核となって、カブリを誘起したりする
ため、暗所において保存したとき保存性が低下したり、
又、現像後に明所においた時、プリントアウト銀が大き
くなる等の現象が起こる。更に赤外線感光材料は、可視
光の範囲外の熱輻射線領域まで感度がのびている為、暗
所においても熱輻射線によるプリントアウト銀が多くな
ったりすることに対し効果がある。特に、強色増感剤に
より感度が高められた、赤外分光増感された熱現像感光
材料の場合には効果が大きい。

【０２５５】これらの増感色素は単独に用いてもよい
が、それらの組合せを用いてもよく、増感色素の組合せ
は、特に強色増感の目的でしばしば用いられる。増感色
素とともに、それ自身分光増感作用をもたない色素ある
いは可視光を実質的に吸収しない物質であって、強色増
感を示す物質を乳剤中に含んでもよい。有用な増感色
素、強色増感を示す色素の組合せおよび強色増感を示す
物質は、ＲＤ１７６４３（１９７８年１２月発行）第２
３頁１ＶのＪ項、あるいは特公平９−２５５００号、特
公昭４３−４９３３号、特開昭５９−１９０３２号、同
５９−１９２２４２号、特開平５−３４１４３２号等に
記載されている。

【０２５６】強色増感剤は有機銀塩及びハロゲン化銀粒
子を含む乳剤層中に、銀１モル当たり０．００１〜１．
０モルの範囲で用いるのが好ましい。特に好ましくは、
銀１モル当たり０．０１〜０．５モルの範囲の量が好ま
しい。

【０２５７】本発明の熱現像感光材料中にはカブリ防止
剤が含まれてよい。有効なカブリ防止剤として、例えば
米国特許第３，５８９，９０３号などで知られている水
銀化合物は環境的に好ましくない。そのため非水銀カブ
リ防止剤の検討が古くから行われてきた。非水銀カブリ
防止剤としては、例えば米国特許第４，５４６，０７５
号及び同４，４５２，８８５号及び特開昭５９−５７２
３４号に開示されている様なカブリ防止剤が好ましい。

【０２５８】本発明に於いて、現像後のカブリを低減す
る酸化剤を用いることが出来る。このような酸化剤とし
て好ましくは、例えば特開昭５０−１１９６２４号、同
５０−１２０３２８号、同５１−１２１３３２号、同５
４−５８０２２号、同５６−７０５４３号、同５６−９
９３３５号、同５９−９０８４２号、同６１−１２９６
４２号、同６２−１２９８４５号、特開平６−２０８１
９１号、同７−５６２１号、同７−２７８１号、同８−
１５８０９号、米国特許第５，３４０，７１２号、同
５，３６９，０００号、同５，４６４，７３７号、同
３，８７４，９４６号、同４，７５６，９９９号、同
５，３４０，７１２号、欧州特許第６０５，９８１Ａ１
号、同６２２，６６６Ａ１号、同６３１，１７６Ａ１
号、特公昭５４−１６５号、特開平７−２７８１号、米
国特許第４，１８０，６６５号及び同４，４４２，２０
２号に記載されている化合物等を用いることができる。

【０２５９】本発明において酸化剤は、１０ｍｇ／ｍ²
〜３ｇ／ｍ²含有することが好ましく、５０ｍｇ／ｍ²〜
１ｇ／ｍ²がより好ましい。

【０２６０】本発明において酸化剤は、溶液、粉末、固
体微粒子分散物などいかなる方法で添加してもよく、特
に画像形成層に、固体微粒子分散されていることが好ま
しい。分散の際に分散助剤を用いてもよい。また、増感
色素、還元剤、色調剤など他の添加剤と混合した溶液と
して添加してもよい。

【０２６１】又上記の酸化剤以外にも、好適なカブリ防
止剤としては、米国特許第３，８７４，９４６号及び同
第４，７５６，９９９号に開示されているような化合
物、特開平９−２８８３２８号段落番号〔００３０〕〜
〔００３６〕に記載されている化合物、特開平９−９０
５５０号段落番号〔００６２〕〜〔００６３〕に記載さ
れている化合物、米国特許第５，０２８，５２３号及び
欧州特許第６００，５８７号、同６３１，１７６号、同
６０５，９８１号に開示されている化合物などが好まし
く用いられる。

【０２６２】本発明の熱現像感光材料に好適なバインダ
ーは、透明又は半透明で、一般に無色であり、天然ポリ
マー合成樹脂やポリマー及びコポリマー、その他フィル
ムを形成する媒体、例えば：ゼラチン、アラビアゴム、
ポリ（ビニルアルコール）、ヒドロキシエチルセルロー
ス、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリ（ビニルピロリドン）、カゼイン、デンプ
ン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル
酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コ
ポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン
−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエ
ン）、ポリ（ビニルアセタール）類（例えば、ポリ（ビ
ニルホルマール）及びポリ（ビニルブチラール））、ポ
リ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹
脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、
ポリ（カーボネート）類、ポリ（ビニルアセテート）、
セルロースエステル類、ポリ（アミド）類がある。親水
性でも疎水性でもよいが、本発明においては、熱現像後
のカブリを低減させるために、疎水性透明バインダーを
使用することが好ましい。好ましいバインダーとして
は、ポリビニルブチラール、セルロースアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタンなどがあげ
られる。その中でもポリビニルブチラール、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエ
ステルは特に好ましく用いられる。

【０２６３】また他の好ましいバインダーとしては、以
下に述べるポリマーラテックスである。ポリマーラテッ
クスは、画像形成層に含有することが好ましい。ポリマ
ーラテックスは全バインダーの５０質量％以上含有する
ことが好ましい。本発明において「ポリマーラテック
ス」とは、水不溶な疎水性ポリマーが微細な粒子として
水溶性の分散媒中に分散したものである。分散状態とし
てはポリマーが分散媒中に乳化されているもの、乳化重
合されたもの、ミセル分散されたもの、あるいはポリマ
ー分子中に部分的に親水的な構造を持ち分子鎖自身が分
子状分散したものなどいずれでもよい。

【０２６４】なお本発明におけるポリマーラテックスに
ついては、「合成樹脂エマルジョン（奥田平、稲垣寛編
集、高分子刊行会発行（１９７８））」、「合成ラテッ
クスの応用（杉村孝明、片岡靖男、鈴木聡一、笠原啓司
編集、高分子刊行会発行（１９９３））」、「合成ラテ
ックスの化学（室井宗一著、高分子刊行会発行（１９７
０））」などに記載されている。

【０２６５】分散粒子の平均粒径は１〜５０，０００ｎ
ｍ、より好ましくは５〜１，０００ｎｍ程度の範囲が好
ましい。分散粒子の粒径分布に関しては特に制限は無
く、広い粒径分布を持つものでも、単分散の粒径分布を
持つものでもよい。ポリマーラテックスとしては、通常
の均一構造のポリマーラテックス以外、いわゆるコア／
シェル型のラテックスでもよい。この場合コアとシェル
は、ガラス転移温度を変えると好ましい場合がある。本
発明のポリマーラテックスの最低造膜温度（ＭＦＴ）
は、−３０〜９０℃、より好ましくは０〜７０℃程度が
好ましい。最低造膜温度をコントロールするために、造
膜助剤を添加してもよい。造膜助剤は可塑剤ともよば
れ、ポリマーラテックスの最低造膜温度を低下させる有
機化合物（通常有機溶剤）で、例えば前述の「合成ラテ
ックスの化学（室井宗一著、高分子刊行会発行（１９７
０））」に記載されている。

【０２６６】ポリマーラテックスに用いられるポリマー
種としては、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリウレタン樹脂、ゴム系樹脂、塩化ビニル
樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリオレフィン樹脂、また
はこれらの共重合体などがある。ポリマーとしては、直
鎖のポリマーでも枝分かれしたポリマーでも、また架橋
されたポリマーでもよい。またポリマーとしては単一の
モノマーが重合したいわゆるホモポリマーでもよいし、
２種以上のモノマーが重合したコポリマーでもよい。コ
ポリマーの場合は、ランダムコポリマーでもブロックコ
ポリマーでもよい。ポリマーの分子量は数平均分子量で
５，０００〜１，０００，０００、好ましくは１０，０
００〜１００，０００程度が好ましい。分子量が小さす
ぎるものは画像形成層の力学強度が不十分であり、大き
すぎるものは製膜性が悪く好ましくない。

【０２６７】本発明の熱現像感光材料の画像形成層のバ
インダーとして用いられるポリマーラテックスの具体例
としては、メチルメタクリレート／エチルアクリレート
／メタクリル酸コポリマーのラテックス、メチルメタク
リレート／２−エチルヘキシルアクリレート／スチレン
／アクリル酸コポリマーのラテックス、スチレン／ブタ
ジエン／アクリル酸コポリマーのラテックス、スチレン
／ブタジエン／ジビニルベンゼン／メタクリル酸コポリ
マーのラテックス、メチルメタクリレート／塩化ビニル
／アクリル酸コポリマーのラテックス、塩化ビニリデン
／エチルアクリレート／アクリロニトリル／メタクリル
酸コポリマーのラテックスなどが挙げられる。

【０２６８】また、このようなポリマーは市販もされて
いて、以下のようなポリマーが利用できる。例えば、ア
クリル樹脂の例として、セビアンＡ−４６３５、４６５
８３、４６０１（以上、ダイセル化学工業（株）製）、
Ｎｉｐｏｌ Ｌｘ８１１、８１４、８２１、８２０、８
５７（以上、日本ゼオン（株）製）など、ポリエステル
樹脂としては、ＦＩＮＥＴＥＸ ＥＳ６５０、６１１、
６７５、８５０（以上、大日本インキ化学（株）製）、
ＷＤ−ｓｉｚｅ、ＷＭＳ（以上、イーストマンケミカル
製）など、ポリウレタン樹脂としては、ＨＹＤＲＡＮ
ＡＰ１０、２０、３０、４０（以上、大日本インキ化学
（株）製）など、ゴム系樹脂としては、ＬＡＣＳＴＡＲ
７３１０Ｋ、３３０７Ｂ、４７００Ｈ、７１３２Ｃ
（以上、大日本インキ化学（株）製）、Ｎｉｐｏｌ Ｌ
ｘ４１６、４１０、４３８Ｃ、２５０７、（以上、日本
ゼオン（株）製）など、塩化ビニル樹脂としては、Ｇ３
５１、Ｇ５７６（以上、日本ゼオン（株）製）など、塩
化ビニリデン樹脂としては、Ｌ５０２、Ｌ５１３（以
上、旭化成工業（株）製）など、オレフィン樹脂として
は、ケミパールＳ１２０、ＳＡ１００（以上、三井石油
化学（株）製）などを挙げることができる。これらのポ
リマーは単独で用いてもよいし、必要に応じて２種以上
ブレンドして用いてもよい。

【０２６９】ポリマーラテックスのポリマー種として
は、アクリレートまたはメタクリレート成分のごときカ
ルボン酸成分を０．１〜１０質量％程度含有するものが
好ましい。ポリマーラテックスを画像形成層に用いると
きには、画像形成層は全バインダーの５０質量％以上が
上記ポリマーラテックスであることが好ましく、７０質
量％以上が上記ポリマーラテックスであることがより好
ましい。その場合、画像形成層には、必要に応じて全バ
インダーの５０質量％以下の範囲で、ゼラチン、ポリビ
ニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシプロピ
ルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキ
シプロピルメチルセルロースなどの親水性ポリマーを添
加してもよい。これらの親水性ポリマーの添加量は、画
像形成層の全バインダーの３０質量％以下が好ましい。

【０２７０】画像形成層にポリマーラテックスを用いる
場合は、画像形成層は水系の塗布液を塗布後乾燥して調
製することが好ましい。ただし、ここで言う「水系」と
は、塗布液の溶媒（分散媒）の５０質量％以上が水であ
ることをいい、好ましくは溶媒の６５質量％以上が水で
ある。塗布液の水以外の成分は、メチルアルコール、エ
チルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルセル
ソルブ、エチルセルソルブ、ジメチルホルムアミド、酢
酸エチルなどの水混和性の有機溶媒を用いることができ
る。具体的な溶媒組成の例としては、以下のようなもの
がある。水／メタノール＝９０／１０、水／メタノール
＝７０／３０、水／エタノール＝９０／１０、水／イソ
プロパノール＝９０／１０、水／ジメチルホルムアミド
＝９５／５、水／メタノール／ジメチルホルムアミド＝
８０／１５／５、水／メタノール／ジメチルホルムアミ
ド＝９０／５／５（ただし数字は質量％を表す）。

【０２７１】画像形成層の全バインダー量は０．２〜３
０ｇ／ｍ²、より好ましくは１〜１５ｇ／ｍ²の範囲が好
ましい。

【０２７２】また熱現像感光材料の表面を保護したり擦
り傷を防止するために、画像形成層の外側に非画像形成
層を有することができる。これらの非画像形成層に用い
られるバインダーは、画像形成層に用いられるバインダ
ーと同じ種類でも異なった種類でもよい。

【０２７３】本発明においては、熱現像の速度を速める
ために画像形成層のバインダー量が０．５〜３０ｇ／ｍ
²であることが好ましい。さらに好ましくは１〜１５ｇ
／ｍ²である。０．５ｇ／ｍ²未満では、未露光部の濃度
が大幅に上昇し、使用に耐えない場合がある。

【０２７４】本発明の熱現像感光材料は、いかなる方法
で露光されてもよいが、露光光源としてレーザー光が好
ましい。本発明によるレーザー光としては、ガスレーザ
ー、ＹＡＧレーザー、色素レーザー、半導体レーザーな
どが好ましい。その中でも干渉縞や網点の露光ムラを防
止するために、縦マルチ露光や斜めに露光することが好
ましい。

【０２７５】本発明における縦マルチ露光とは、縦マル
チである走査レーザー光を発するレーザー走査露光機を
用いて行われる。縦マルチ化するには、合波による、戻
り光を利用する、高周波重畳をかけるなどの方法がよ
い。具体的には、特開昭５９−１０９６４号に記載の方
法が好ましく用いられる。なお、縦マルチとは、露光波
長が単一でないことを意味し、通常露光波長の分布が５
ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上になるとよい。露光
波長の分布の上限には特に制限はないが、通常６０ｎｍ
程度である。斜め露光とは、熱現像感光材料の露光面と
走査レーザー光のなす角が、実質的に垂直になることが
ないレーザー走査露光機を用いて露光をすることであ
る。具体的には、特開平５−１１３５４８号に記載の方
法が好ましく用いられる。ここで、「実質的に垂直にな
ることがない」とは、レーザー走査中に最も垂直に近い
角度として、好ましくは５５度以上、８８度以下、より
好ましくは６０度以上、８６度以下、更に好ましくは６
５度以上、８４度以下、最も好ましくは７０度以上、８
２度以下であることをいう。

【０２７６】レーザー光が、熱現像感光材料に走査され
るときの感光材料露光面でのビームスポット直径は、好
ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以
下である。これは、スポット径が小さい方がレーザー入
射角度の垂直からのずらし角度を減らせる点で好まし
い。なお、ビームスポット直径の下限は５μｍである。
このようなレーザー走査露光を行うことにより、干渉縞
様のムラの発生等のような反射光に係る画質劣化を減じ
ることが出来る。

【０２７７】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。

【０２７８】尚、実施例１、２は第１の本発明に対応
し、実施例３〜７は第２の本発明に対応する実施例であ
る。

【０２７９】実施例１ 〈熱現像感光材料〉 （下引済み写真用支持体の作製）ポリエチレンテレフタ
レート（以下ＰＥＴと略す）下引済み写真用支持体の作
製を以下の通り行った。

【０２８０】市販の２軸延伸熱固定済みの厚さ１２５μ
ｍのＰＥＴフィルムの両面に８ｗ／ｍ²・分のコロナ放
電処理を施し、一方の面に下記下引塗布液ａ−１を乾燥
膜厚０．８μｍになるように塗設し乾燥させて下引層Ａ
−１とし、又反対側の面に下記帯電防止加工した下引塗
布液ｂ−１を乾燥膜厚０．８μｍになるように塗設し乾
燥させて帯電防止加工下引層Ｂ−１とした。 《下引塗布液ａ−１》 ブチルアクリレート（３０質量％）、ｔ−ブチルアクリレート（２０質量％） 、スチレン（２５質量％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート （２５質量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％） ２７０ｇ （Ｃ−１） ０．６ｇ ヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア） ０．８ｇ ポリスチレン微粒子（平均粒径３μｍ） ０．０５ｇ コロイダルシリカ（平均粒径９０μｍ） ０．１ｇ 水で１リットルに仕上げる。 《下引塗布液ｂ−１》 ＳｎＯ₂／Ｓｂ（９／１の質量比、平均粒径０．１８μｍ） ２００ｍｇ／ｍ²になる量 ブチルアクリレート（４０質量％）、スチレン（２０質量％）、グリシジルア クリレート（４０質量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％） ２７０ｇ （Ｃ−１） ０．６ｇ ヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア） ０．８ｇ 水で１リットルに仕上げる。

【０２８１】上記下引層Ａ−１及び下引層Ｂ−１の表面
上に８ｗ／ｍ²・分のコロナ放電を施し、下引層Ａ−１
の上には下記下引上層塗布液ａ−２を乾燥膜厚０．１μ
ｍになる様に下引層Ａ−２として塗設し、又下引層Ｂ−
１の上には下記下引上層塗布液ｂ−２を乾燥膜厚０．８
μｍになる様に帯電防止機能を持つ下引上層Ｂ−２とし
て塗設した。 《下引上層塗布液ａ−２》 ゼラチン ０．４ｇ／ｍ²になる質量 （Ｃ−１） ０．２ｇ （Ｃ−２） ０．２ｇ （Ｃ−３） ０．１ｇ シリカ粒子（平均粒径３μｍ） ０．１ｇ 水で１リットルに仕上げる。 《下引上層塗布液ｂ−２》 （Ｃ−４） ６０ｇ （Ｃ−５）を成分とするラテックス液（固形分２０％） ８０ｇ 硫酸アンモニウム ０．５ｇ （Ｃ−６） １２ｇ ポリエチレングリコール（質量平均分子量６００） ６ｇ 水で１リットルに仕上げる。

【０２８２】

【化６７】

【０２８３】

【化６８】

【０２８４】（支持体の熱処理）上記の下引済み支持体
を、２００℃に設定した全長１５０ｍの熱処理ゾーンに
入れ、張力４ｋｇ／ｃｍ²、搬送速度１０ｍ／分で搬送
した。その後で、４０℃のゾーンに２０秒間通し、９ｋ
ｇ／ｃｍ²の巻き取り張力で巻き取った。 〈ハロゲン化銀乳剤Ｂの調製〉水９００ｍｌ中にイナー
トゼラチン７．５ｇ及び臭化カリウム１０ｍｇを溶解し
て温度３５℃、ｐＨを３．０に合わせた後、硝酸銀７４
ｇを含む水溶液３７０ｍｌと臭化カリウムと沃化カリウ
ムを含む水溶液及び〔Ｉｒ（ＮＯ）Ｃｌ₅〕塩を銀１モ
ル当たり１×１０^-6モル及び塩化ロジウム塩を銀１モル
当たり１×１０ ^-6モルを、ｐＡｇ７．７に保ちながらコ
ントロールドダブルジェット法で添加した。その後４−
ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラザ
インデンを添加しＮａＯＨでｐＨを５に調整して平均粒
子サイズ０．０６μｍ、分散度１２％の〔１００〕面比
率４９％の単分散立方体沃臭化銀粒子を得た。

【０２８５】この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈
降させ脱塩処理後フェノキシエタノール０．１ｇを加
え、ｐＨ５．９、ｐＡｇ７．５に調整した。更に塩化金
酸、無機硫黄、二酸化チオ尿素及び２，３，４，５，６
−ペンタフルオロフェニルフォスフィンセレニドで化学
増感を行い、ハロゲン化銀乳剤Ｂを得た。 〈ベヘン酸ナトリウム溶液の調製〉９４５ｍｌの純水に
ベヘン酸３２．４ｇ、アラキジン酸９．９ｇ、ステアリ
ン酸５．６ｇを９０℃で溶解した。次に高速で攪拌しな
がら１．５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液９８ｍｌを添加
した。次に濃硝酸０．９３ｍｌを加えた後、５５℃に冷
却して３０分攪拌させてベヘン酸ナトリウム溶液を得
た。 〈ベヘン酸ナトリウム溶液とハロゲン化銀乳剤Ｂのプレ
フォーム乳剤の調製〉上記のベヘン酸ナトリウム溶液に
得られたハロゲン化銀乳剤Ｂを１５．１ｇ添加し水酸化
ナトリウム溶液でｐＨ８．１に調整した後に１Ｍの硝酸
銀溶液１４７ｍｌを７分間かけて加え、更に２０分攪拌
し限外濾過により水溶性塩類を除去した。できたベヘン
酸銀は長辺平均サイズ０．８μｍの針状粒子であった。
分散物のフロックを形成後、水を取り除き、更に６回の
水洗と水の除去を行った後乾燥させた。 〈感光性乳剤の調製〉得られたプレフォーム乳剤にポリ
ビニルブチラール（平均分子量３０００）のメチルエチ
ルケトン溶液（１７質量％）５４４ｇとトルエン１０７
ｇを徐々に添加して混合した後、４０００ｐｓｉで分散
させた。分散後、電子顕微鏡写真で有機銀粒子を観察し
た。３００個の有機銀粒子の粒径と厚みを測定した結
果、２０５個がＡＲ３以上で分散度２５％の単分散平板
状有機銀Ｂであった。尚、平均粒径は０．７μｍであっ
た。又塗布乾燥後も同様に有機銀粒子を観察したとこ
ろ、同じ粒子が確認できた。 〈塗布工程〉 《バック層面側塗布》以下の組成のバック層塗布液を、
押し出しコーターで上記支持体の帯電防止加工した下引
き層Ｂ−２面側にウェット膜厚３０μｍになるように塗
布し、６０℃、１５分で乾燥した。 （バック層塗布液処方１） セルロースアセテートブチレート（１０％メチルエチルケトン溶液） １５ｍｌ／ｍ² 染料−Ａ ７ｍｇ／ｍ² 染料−Ｂ ７ｍｇ／ｍ² マット剤（単分散度１５％、平均粒子サイズ８μｍの単分散シリカ） １５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤 １０ｍｇ／ｍ²

【０２８６】

【化６９】

【０２８７】《画像形成層面側塗布》以下の組成の画像
形成層塗布液とその上に保護層塗布液を、押し出しコー
ターで上記支持体の下引き層Ａ−２面側に毎分２０ｍの
速度で重層塗布した。その際、塗布銀量が１．５ｇ／ｍ
²になる様に調整して塗布した。その後、試料１０１は
６５℃、１分で乾燥を行い、試料１０２は５５℃、１５
分で乾燥を行った。 （画像形成層塗布液） 感光性乳剤（上記で得られたもの） ２４０ｇ 増感色素（０．１％メタノール溶液） １．７ｍｌ ピリジニウムプロミドペルブロミド（６％メタノール溶液） ３ｍｌ 臭化カルシウム（０．１％メタノール溶液） １．７ｍｌ カブリ防止剤（１０％メタノール溶液） １．２ｍｌ ２−４−クロロベンゾイル安息香酸（１２％メタノール溶液） ９．２ｍｌ ２−メルカプトベンズイミダゾール（１％メタノール溶液） １１ｍｌ 一般式（Ａ）の化合物 Ａ−３ ０．５ｇ ヒドラジン誘導体 Ｈ−１−５ ０．５ｇ ４級オニウム化合物 Ｐ−４５ ０．１ｇ 酸化剤 ０．４ｇ イソシアネート化合物（Ｄｅｓｍｏｄｕｒ Ｎ３３００） ０．５ｇ フタラジン ０．２ｇ ４−メチルフタル酸 ０．２５ｇ テトラクロロフタル酸 ０．２ｇ （表面保護層塗布液１） アセトン ５ｍｌ／ｍ² メチルエチルケトン ２１ｍｌ／ｍ² セルロースアセテートブチレート ２．３ｇ／ｍ² メタノール ７ｍｌ／ｍ² フタラジン ２５０ｍｇ／ｍ² マット剤：平均粒径５．５μｍのシリカ １０ｍｇ／ｍ² ビニルスルホン化合物 ＶＳ−１ ３５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｈ₂₅ １０ｍｇ／ｍ² （表面保護層塗布液２） アセトン ５ｍｌ／ｍ² メチルエチルケトン ２１ｍｌ／ｍ² セルロースアセテートブチレート ２．３ｇ／ｍ² メタノール ７ｍｌ／ｍ² フタラジン ２５０ｍｇ／ｍ² コロイダルシリカ ５０ｍｇ／ｍ² マット剤：平均粒径３．５μｍの単分散シリカ １０ｍｇ／ｍ² ビニルスルホン化合物 ＶＳ−１ ３５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｈ₂₅ １０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ １０ｍｇ／ｍ² このようにして熱現像感光材料試料を得た。得られた試
料の残存する溶媒メチルエチルケトン（ＭＥＫ）の量は
７０ｍｇ／ｍ²であった。なお、試料の感光層側の表面
のビッカース硬度は１００であった。また得られた熱現
像感光材料を２５℃、６０％ＲＨの環境下で２４時間調
湿した後、同雰囲気下で、フィルム面積として４６．３
ｃｍ²を切り出し質量を測定した後、これを５ｍｍ程度
に細かく刻んで専用バイアル瓶に収納しセプタムとアル
ミキャップで密閉した後、ヒューレット・パッカード社
製ヘッドスペースサンプラーＨＰ７６９４型にセット
し、ヘッドスペースサンプラー加熱条件：１２０℃、２
０分で蒸発した水分をカールフィッシャー法にて熱現像
感光材料の平衡含水率を定量したところ、０．７％であ
った。

【０２８８】

【化７０】

【０２８９】上記で作製した熱現像感光材料を４０℃、
５０％ＲＨで３日間調湿した。 《熱現像》図１に示す平面搬送されるタイプの熱現像機
で処理した。それぞれの加熱工程の温度および時間を表
１に示すように変えた加熱パターンで熱現像処理した。

【０２９０】

【表１】

【０２９１】なし※１：加熱せず、常温（２５℃〜３０
℃）で搬送 《搬送性》上記の熱現像処理を連続して１００枚処理し
た。その時に搬送不良を起こした枚数をカウントした。 《濃度バラツキ》上記で作製した試料を長辺６０ｃｍ×
短辺３０ｃｍの四角形に切断し、波長７８０ｎｍの半導
体レーザーを特開昭５９−１３０４９４号に記載の高周
波重畳法を用い、縦マルチモードにして露光源とした。
この露光機によりレーザー操作によりウェッジを介して
画像形成層（感光性乳剤層）面側より感光材料の長辺の
左右端からそれぞれ５ｃｍの位置に露光を与えた。その
後、前記の加熱パターンを有する熱現像機で処理し、濃
度１．０付近の左右の濃度のバラツキを濃度計で測定し
た。 《網点品質》上記で作製した試料を長辺６０ｃｍ×短辺
３０ｃｍの四角形に切断し、波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを特開昭５９−１３０４９４号に記載の高周波重
畳法を用いて縦マルチモードにし露光源とした。この露
光機によりレーザー操作により網点露光を与えた。その
後、前記の加熱パターンを有する熱現像機で処理し、１
００倍のルーペで５０％近辺の網点品質を観察し、５段
階でランク評価した。５ランクを最高の網点品質とし、
劣化するにつれ順次４，３，２，１とした。ランク３未
満は実用に値しない。 《スリキズ》上記で作製した熱現像感光材料を露光し、
前記の加熱パターンを有する熱現像機で処理し、スリキ
ズを目視で観察し評価した。

【０２９２】 ○：まったくスリキズがないもの、 △：わずかにスリキズが発生しているもの、 ×：大きなスリキズが発生しているもの。 《熱現像処理後の凹凸》上記で作製した熱現像感光材料
を露光し、前記の加熱パターンを有する熱現像機で処理
し、処理後の感光層側の凹凸を目視で観察し、評価し
た。

【０２９３】 ○：まったく平滑で凹凸がないもの、 △：わずかに表面に凹凸が発生しているもの、 ×：全面的に凹凸が発生しているもの。

【０２９４】評価した結果を表２に示す。

【０２９５】

【表２】

【０２９６】本発明内のパターン３と５では評価した何
れの項目も優れた値を示したが、本発明外のパターンは
何れも問題があることがわかる。又、加熱パターン３と
５で熱現像処理したものをマスク材料として用い、紫外
光で三菱化学（株）製のポジＰＳ版ＰＭ−２に露光し現
像処理し、版面上のムラを観察したところ、ムラの発生
は認められなかった。更に得られた刷版を用いて印刷を
行ったが、印刷物上にムラは認められなかった。

【０２９７】実施例２ （ハロゲン化銀粒子の調製）水６５０ｍｌにフタル化ゼ
ラチン１１ｇ、臭化カリウム３０ｍｇおよびベンゼンチ
オスルホン酸ナトリウム１０ｍｇを溶解して、温度５５
℃にてｐＨを５．０に合わせた後、硝酸銀１８．６ｇを
含む水溶液１５９ｍｌと臭化カリウムを１モル／リット
ルで含む水溶液をｐＡｇ７．７に保ちながらコントロー
ルドダブルジェット法で６分３０秒間かけて添加した。
次いで、硝酸銀５５．５ｇを含む水溶液４７６ｍｌと臭
化カリウムを１モル／リットルで含むハロゲン塩水溶液
をｐＡｇ７．７に保ちながらコントロールドダブルジェ
ット法で２８分３０秒かけて添加した。その後ｐＨを下
げて凝集沈降させて脱塩処理をし、化合物Ａを０．１７
ｇ、脱イオンゼラチン（カルシウム含有量として２０ｐ
ｐｍ以下）２３．７ｇを加え、ｐＨ５．９、ｐＡｇ８．
０に調整した。得られた粒子は平均粒子サイズ０．１１
μｍ、投影面積変動係数８％、（１００）面比率９３％
の立方体単分散粒子であった。

【０２９８】こうして得たハロゲン化銀粒子を６０℃に
昇温して、銀１モル当たりベンゼンチオスルホン酸ナト
リウム７６μモルを添加し、３分後にチオ硫酸ナトリウ
ム１５４μモルを添加して、１００分熟成した。

【０２９９】その後、４０℃に温度を保ち、ハロゲン化
銀１モルに対して前記６．４×１０ ^-4モルの増感色素を
撹拌しながら添加し、２０分後に３０℃に急冷してハロ
ゲン化銀乳剤の調製を終了した。 （有機酸銀分散物の調製） 〈有機酸銀〉アラキジン酸４．４ｇ、ベヘン酸３９．４
ｇ、蒸留水７７０ｍｌを８５℃で攪拌しながら、１Ｎ−
ＮａＯＨ水溶液１０３ｍｌを６０分かけて添加して２４
０分反応させ、７５℃に降温した。次いで、硝酸銀１
９．２ｇの水溶液１１２．５ｍｌを４５秒かけて添加
し、そのまま２０分間放置し、３０℃に降温した。その
後、吸引濾過で固形分を濾別し、固形分を濾水の伝導度
が３０μＳ／ｃｍになるまで水洗した。

【０３００】こうして得られた固形分は、乾燥させない
でウェットケーキとして取り扱い、乾燥固形分１００ｇ
相当のウェットケーキに対し、ポリビニルアルコール
（クラレ（株）製；ＰＶＡ−２０５）５ｇおよび水を添
加し、全体量を５００ｇとしてからホモミキサーにて予
備分散した。

【０３０１】次に予備分散済みの原液を分散機（商品
名：マイクロフルイダイザーＭ−１１ＯＳ−ＥＨ、マイ
クロフルイデックス・インターナショナル・コーポレー
ション製、Ｇ１０Ｚインタラクションチャンバー使用）
の圧力を１７５０ｋｇ／ｃｍ²に調節して、三回処理
し、有機酸銀分散物を得た。こうして得た有機酸銀分散
物に含まれる有機酸銀粒子は平均短径０．０４μｍ、平
均長径０．８μｍ、変動係数３０％の単分散針状粒子で
あった。粒子サイズの測定は、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓ
ｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｌｔｄ．製Ｍａｓｔｅｒ Ｓｉｚｅ
ｒＸにて行った。冷却操作は、蛇管式熱交換器をインタ
ラクションチャンバーの前後に各々装着し、冷媒の温度
を調節することで所望の分散温度に設定した。 （１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフ
ェニル）−３，５，５−トリメチルヘキサンの固体微粒
子分散物の調製）１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルフェニル）−３，５，５−トリメチルヘキ
サン２０ｇに対してクラレ（株）製ＭＰポリマーのＭＰ
−２０３を３．０ｇと水７７ｍｌ添加して良く撹拌し
て、スラリーとして３時間放置した。その後、０．５ｍ
ｍのジルコニアビーズを３６０ｇを用意してスラリーと
一緒にベッセルに入れ、分散機（１／４Ｇサンドグライ
ンダーミル：アイメックス（株）製）にて３時間分散
し、還元剤固体微粒子分散物を調製した。粒子径は、粒
子の８０質量％が０．３μｍ以上１．０μｍ以下であっ
た。 （トリブロモメチルフェニルスルホンの固体微粒子分散
物の調製）トリブロモメチルフェニルスルホン３０ｇに
対してヒドロキシプロピルメチルセルロース０．５ｇと
水８８．５ｇを添加して良く攪拌してスラリーとして３
時間放置した。その後、還元剤固体微粒子分散物の調製
と同様にしてカブリ防止剤の固体微粒子分散物を調製し
た。粒子径は粒子の８０質量％が０．３μｍ以上１．０
μｍ以下であった。 （乳剤層塗布液の調製）上記で調製した有機酸銀微結晶
分散物の銀１モルに対して、以下のバインダー、素材お
よびハロゲン化銀乳剤を添加して、水を加えて、乳剤層
塗布液とした。

【０３０２】 バインダー；ラックスター３３０７Ｂ 固形分として４７０ｇ （大日本インキ化学工業（株）製；ＳＢＲラテックスでガラス転移温度１７℃） １，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，５，５ −トリメチルヘキサン 固形分として１１０ｇ トリブロモメチルフェニルスルホン 固形分として２５ｇ ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム ０．２５ｇ ポリビニルアルコール（クラレ（株）製ＭＰ−２０３） ４６ｇ ６−ｉｓｏ−ブチルフタラジン ０．１２モル 硬調化剤：Ｎ−（２−メトキシフェニル）−Ｎ’−ホルミルヒドラジン １．８５ｇ ハロゲン化銀乳剤Ｂ Ａｇ量として０．０５モル （乳剤面保護層塗布液の調製）固形分２７．５％のポリ
マーラテックス（メチルメタクリレート／スチレン／２
−エチルヘキシルアクリレート／２−ヒドロキシエチル
メタクリレート／メタアクリル酸＝５９／９／２６／５
／１の共重合体でガラス転移温度５５℃）１０９ｇにＨ
₂Ｏを３．７５ｇ加え、造膜助剤としてベンジルアルコ
ール４．５ｇ、およびポリビニルアルコール（クラレ
（株）製 ＰＶＡ−２１７）２．２５ｇを加え、さらに
純水を加えて１５０ｇとし塗布液とした。 （支持体の作製） バック面塗布サンプル（ＢＣ−Ａ）の作製 塗布液−Ａの調製 水分散ラテックスに対して下記の各組成物を添加して塗
布液−Ａを調製した。

【０３０３】 スチレン／ブタジエン共重合体ラテックス １５８ｇ （スチレン：ブタジエン＝６７：３０ 固形分４０質量％） ２，４−ジクロロ−６−ヒドロキシ−ｓ−トリアジンナトリウム塩 ０．２６ｇ 蒸留水 ８４１．７ｇ 上記塗布液−Ａを厚さ１２０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムの片面に塗布し、１８０℃で３０秒乾
燥して、０．３μｍの第一層を形成した。 塗布液−Ｂの調製 ゼラチン １５ｇ 酢酸（２０％） １０ｇ 染料−Ａ １．２３ｇ メチルセルロース（２％水溶液） ２３．３ｇ 蒸留水 ９５０ｇ 上記塗布液−Ｂを上記第一層上に染料濃度が７８０ｎｍ
で０．８になるように塗布し、１７０℃で３０秒乾燥し
て第二層を形成した。 塗布液−Ｃの調製 ジュリマーＥＴ４１０（２０％水分散物） １９．１ｇ （アクリル樹脂水分散液、日本純薬（株）製） ＦＳ−１０Ｄ（１７％水分散物） ９０．７ｇ ＳｂドープＳｎＯ₂水分散物（針状微粒子、長軸／短軸：２０〜３０、長軸： ０．２〜２．０μｍ、短軸：０．０１〜０．０２μｍ、石原産業（株）製） ポリオキシエチレンフェニルエーテル １ｇ スミテックスレジンＭ−３（８％水溶液） ２２．３ｇ （水溶性メラミン化合物、住友化学工業（株）製） 蒸留水 ８６６．９ｇ 上記塗布液−Ｃを上記第二層上に塗布し、１８０℃で３
０秒乾燥して、０．０３μｍの第三層を形成した。 塗布液−Ｄの調製 ケミパールＳ−１２０（２７％水分散物） ３０ｇ （ポリオレフィン水分散物、三井石油化学（株）製） スノーテックスＣ（３０％水分散物） ２０ｇ （コロイダルシリカ水分散物、日産化学（株）製） ポリスチレンスルホン酸塩（分子量１０００〜５０００） １ｇ デナコールＥＸ６１４Ｂ（１％水溶液） ３０ｇ （エポキシ化合物、ナガセ化成工業（株）製） 蒸留水 ９１９ｇ 上記塗布液−Ｄを上記第三層上に塗布し、１７０℃で３
０秒乾燥して、０．０３μｍの第四層を形成し、バック
塗布面サンプル（ＢＣ−Ａ）を作製した。 乳剤層側下塗り層の作製 塗布液−Ｇの調製 スチレン／ブタジエン共重合体ラテックス １５２ｇ （スチレン：ブタジエン＝６７：３０固形分４０質量％） ポリスチレン微粒子（平均粒径：２μｍ） ０．１ｇ 蒸留水 ８４７．９ｇ 上記塗布液−Ｇをバック面塗布サンプル（ＢＣ−Ａ）の
塗布面と反対側に塗布し、１８０℃で３０秒乾燥して、
０．３μｍの下引第一層を形成した。 塗布液−Ｈの調製 ゼラチン １５ｇ 酢酸（２０％水溶液） １０ｇ 化合物Ｃ ０．０４ｇ メチルセルロース（２％水溶液） ２３．３ｇ 蒸留水 ９５１．３ｇ 上記塗布液−Ｈを上記下引第一層上に塗布し、１７０℃
で３０秒乾燥して、０．１５μｍの下引第二層を形成し
たサンプル（Ｂａｓｅ−Ａ）を作製した。なお、上記で
作製した支持体Ｂａｓｅ−Ａの吸収λｍａｘを分光光度
計で測定したところ、７８８ｎｍであった。

【０３０４】このように作製したバック面、下引面を塗
布したサンプル（Ｂａｓｅ−Ａ）を、２００℃に設定し
た全長２００ｍの熱処理ゾーンに入れ、張力３ｋｇ／ｃ
ｍ²、搬送速度２０ｍ／分で搬送した。その後で、４０
℃のゾーンに１５秒間通し、１０ｋｇ／ｃｍ²の巻き取
り張力で巻き取り、サンプル（Ｂａｓｅ−ＨＡ）とし
た。 （熱現像写真感光材料の作製）上記のバック面、下引面
を塗布したサンプル（Ｂａｓｅ−ＨＡ）を支持体にし
て、前記乳剤層塗布液を塗布銀量が１．６ｇ／ｍ²にな
るように塗布した。さらにその上に、乳剤面保護層塗布
液を、ポリマーラテックスの固形分の塗布量が２．０ｇ
／ｍ²になるように塗布して、熱現像写真感光材料の試
料を作製した。

【０３０５】なお、感光層側の表面のビッカース硬度は
１１０であった。実施例１と同様にして評価を行った。
ただし熱現像は図２の現像機を用いた。加熱パターンは
実施例１の表１と同じである。結果を表３に示す。ただ
し露光は波長７８０ｎｍの半導体レーザーを感光材料の
露光面との角度を８０度にした露光源を有する露光機に
よりレーザー走査によりウェッジを介して露光を行っ
た。

【０３０６】

【表３】

【０３０７】表３より明らかなごとく、本発明内のパタ
ーン３と５だけがテストしたいずれの項目においても優
れた特性を示すことがわかる。

【０３０８】実施例３ （ＰＥＴ支持体の作製）ＰＥＴペレットを１３０℃で４
時間乾燥した後、３００℃で溶融後Ｔ型ダイから押し出
した後急冷し、未延伸のフィルムを作製した。これを周
速の異なるロールを用い３．０倍に縦延伸、ついでテン
ターで４．５倍に横延伸を実施した。この時の温度はそ
れぞれ１１０℃、１３０℃であった。この後、２４０℃
で２０秒間熱固定後これと同じ温度で横方向に４％緩和
した。この後２００℃のゾーンを巻き取り張力３．５ｋ
ｇ／ｃｍ²で２０ｍ／ｍｉｎの速度で１０分間熱処理し
た。

【０３０９】この後テンターのチャック部をスリッター
した後、両端にナール加工を行い、４０Ｎの力で巻き取
った。このようにして巾２．４ｍ、長さ８００ｍ、厚み
１００μｍのＰＥＴフィルムのロールを得た。１２５μ
ｍの厚みをもったＰＥＴフィルム支持体は、未延伸時の
フィルムの膜厚調整を行い、あとは１００μｍフィルム
支持体作製時と同様に行った。どの厚みのＰＥＴもガラ
ス転移点は７９℃であった。

【０３１０】上記のようにして作製した２軸延伸熱固定
済みの厚さ１２０μｍの厚みをもったＰＥＴフィルム支
持体の両面にそれぞれ８Ｗ／ｍ²・分のコロナ放電処理
を施し、一方の面に下記下引塗布液ａ−１を乾燥膜厚
０．８μｍになるように塗設し乾燥させて下引層Ａ−１
とし、また反対側の面に下記帯電防止加工した下引塗布
液ｂ−１を乾燥膜厚０．８μｍになるように塗設し乾燥
させて帯電防止加工下引層Ｂ−１とした。 《下引塗布液ａ−１》 ブチルアクリレート（３０質量％） ｔ−ブチルアクリレート（２０質量％） スチレン（２５質量％） ２−ヒドロキシエチルアクリレート（２５質量％） の共重合体ラテックス液（固形分３０％） ２７０ｇ （Ｃ−１） ０．６ｇ ヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア） ０．８ｇ ポリスチレン微粒子（平均粒径３μｍ） ０．０５ｇ コロイダルシリカ（平均粒径９０μｍ） ０．１ｇ 水で１０００ｍｌに仕上げた。 《下引塗布液ｂ−１》 ＳｎＯ₂／Ｓｂ（９／１質量比、平均粒径０．１８μｍ） ２００ｍｇ／ｍ²になる量 ブチルアクリレート（３０質量％） スチレン（２０質量％） グリシジルアクリレート（４０質量％） の共重合体ラテックス液（固形分３０％） ２７０ｇ （Ｃ−１） ０．６ｇ ヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア） ０．８ｇ 水で１０００ｍｌに仕上げた。

【０３１１】上記下引層Ａ−１及び下引層Ｂ−１の上表
面に、８ｗ／ｍ²・分のコロナ放電を施し、下引層Ａ−
１の上には、下記下引上層塗布液ａ−２を乾燥膜厚０．
１μｍになる様に下引上層Ａ−２として、下引層Ｂ−１
の上には下記下引上層塗布液ｂ−２を乾燥膜厚０．８μ
ｍになる様に帯電防止機能をもつ下引上層Ｂ−２として
塗設した。 《下引上層塗布液ａ−２》 ゼラチン ０．４ｇ／ｍ²になる質量 （Ｃ−１） ０．２ｇ （Ｃ−２） ０．２ｇ （Ｃ−３） ０．１ｇ シリカ粒子（平均粒径３μｍ） ０．１ｇ 水で１０００ｍｌに仕上げる。 《下引上層塗布液ｂ−２》 （Ｃ−４） ６０ｇ （Ｃ−５）を成分とするラテックス液（固形分２０％） ８０ｇ 硫酸アンモニウム ０．５ｇ （Ｃ−６） １２ｇ ポリエチレングリコール（重量平均分子量６００） ６ｇ 水で１０００ｍｌに仕上げた。 《支持体の熱処理》上記の下引済み支持体の下引乾燥工
程において、支持体を１４０℃で加熱し、その後徐々に
冷却した。巻き取り張力は３．５ｋｇ／ｃｍ²で行っ
た。 （ハロゲン化銀乳剤の調製）水９００ｍｌ中にイナート
ゼラチン７．５ｇ及び臭化カリウム１０ｍｇを溶解して
温度３５℃、ｐＨを３．０に合わせた後、硝酸銀７４ｇ
を含む水溶液３７０ｍｌと（６０／３８／２）のモル比
の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃化カリウム及び
〔Ｉｒ（ＮＯ）Ｃｌ₅〕塩を銀１モル当たり１×１０^-6
モル及び塩化ロジウム塩を銀１モル当たり１×１０^-6モ
ル含む水溶液３７０ｍｌを、ｐＡｇ７．７に保ちながら
コントロールドダブルジェット法で添加した。その後４
−ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラ
ザインデンを添加しＮａＯＨでｐＨを８、ｐＡｇ６．５
に調整することで還元増感を行い平均粒子サイズ０．０
６μｍ、単分散度１０％の投影直径面積の変動係数８
％、〔１００〕面比率８７％の立方体沃臭化銀粒子を得
た。この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降させ脱
塩処理後フェノキシエタノール０．１ｇを加え、ｐＨ
５．９、ｐＡｇ７．５に調整して、ハロゲン化銀乳剤を
得た。 （ベヘン酸Ｎａ溶液の調製）９４５ｍｌの純水にベヘン
酸３２．４ｇ、アラキジン酸９．９ｇ、ステアリン酸
５．６ｇを９０℃で溶解した。次に高速で攪拌しながら
１．５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液９８ｍｌを添加し
た。次に濃硝酸０．９３ｍｌを加えた後、５５℃に冷却
して３０分攪拌させてベヘン酸Ｎａ溶液を得た。 （ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤のプレフォーム乳剤の
調製）上記のベヘン酸Ｎａ溶液に、前記ハロゲン化銀乳
剤を添加し、水酸化ナトリウム溶液でｐＨ８．１に調整
した後に、１Ｍの硝酸銀溶液１４７ｍｌを７分間かけて
加え、さらに２０分攪拌し限外濾過により水溶性塩類を
除去した。生成したベヘン酸銀は平均粒子サイズ０．８
μｍ、単分散度８％の粒子であった。分散物のフロック
を形成後、水を取り除き、更に６回の水洗と水の除去を
行った後乾燥させた。 （感光性乳剤の調製）前記プレフォーム乳剤を分割し、
それにポリビニルブチラール（平均分子量３０００）の
メチルエチルケトン溶液（１７質量％）５４４ｇとトル
エン１０７ｇを徐々に添加して混合した後に、０．５ｍ
ｍサイズＺｒＯ₂のビーズミルを用いたメディア分散機
で４０００ｐｓｉで３０℃、１０分間の分散を行った。

【０３１２】前記の支持体上にそれぞれ以下の各層を両
面同時塗布し、試料を作製した。尚、乾燥は６０℃、１
５分間で行った。 （バック面側塗布）支持体のＢ−１層の上に、以下の組
成の液を塗布した。

【０３１３】 セルロースアセテートブチレート １５ｍｌ／ｍ² （１０％メチルエチルケトン溶液） 染料−Ａ ６０ｍｇ／ｍ² マット剤：単分散度１５％平均粒子サイズ８μｍ単分散シリカ ９０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₂Ｃ₈Ｆ₁₇ ５０ｍｇ／ｍ² Ｃ₉Ｆ₁₉−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ １０ｍｇ／ｍ² （感光層面側塗布）支持体のＡ−１層の上に、以下の組
成の液を塗布銀量が１．５ｇ／ｍ²になる様に塗布し
た。

【０３１４】 前記感光性乳剤 ２４０ｇ 増感色素（０．１％メタノール溶液） １．７ｍｌ ピリジニウムプロミドペルブロミド（６％メタノール溶液） ３ｍｌ 臭化カルシウム（０．１％メタノール溶液） １．７ｍｌ 酸化剤（１０％メタノール溶液） １．２ｍｌ ２−４−クロロベンゾイル安息香酸（１２％メタノール溶液）９．２ｍｌ ２−メルカプトベンズイミダゾール（１％メタノール溶液） １１ｍｌ トリブロモメチルスルホキノリン（５％メタノール溶液） １７ｍｌ 硬調化剤（９３−１） ０．４ｇ ヒドラジンＨ−１−１ ０．３ｇ フタラジン酸 ０．６ｇ ４−メチルフタル酸 ０．２５ｇ テトラクロロフタル酸 ０．２ｇ 平均粒径３μｍの炭酸カルシウム ０．１ｇ １，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル） −２−メチルプロパン（２０％メタノール溶液） ２０．５ｍｌ イソシアネート化合物 ０．５ｇ （モーベイ社製、Ｄｅｓｍｏｄｕｒ Ｎ３３００） （表面保護層塗布）以下の組成の液を、感光層の上にな
るよう同時塗布した。

【０３１５】 アセトン ５ｍｌ／ｍ² メチルエチルケトン ２１ｍｌ／ｍ² セルロースアセテートブチレート ２．３ｇ／ｍ² メタノール ７ｍｌ／ｍ² フタラジン ２５０ｍｇ／ｍ² マット剤：単分散度１０％平均粒子サイズ４μｍ単分散シリカ ５ｍｇ／ｍ² ＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＨ₂ＣＯＮＨＣＨ₂ＣＨ₂ＮＨＣＯＣＨ₂ＳＯ₂ＣＨ＝ＣＨ₂ ３５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤 Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｆ₂₅ １０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ １０ｍｇ／ｍ² 塗膜形成した後の試料を用い、バインダーを除去した後
に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定したところ、
有機銀塩粒子は長軸径０．５±０．０５μｍ、短軸径
０．４±０．０５μｍ、厚み０．０１μｍの平板状粒子
が全有機銀塩粒子の９０％である単分散度５％の粒子で
あった。 〔露光および現像処理〕Ｐａｎａｓｏｎｉｃのイメージ
セッターＫＸ−Ｊ２３７ＬＺ（７８０ｎｍの半導体レー
ザー）を用いて露光し、現像機は図３のものを用い、表
４の条件で行った。

【０３１６】表４の第１加熱工程及び第２加熱工程の時
間とラインスピードになるよう、各加熱工程のブロック
状のヒーターの組み合わせ個数を変えて加熱工程長を調
整した。条件は表４に示す１８個について特性評価を行
った。表中のローラー本数は第１加熱工程／第２加熱工
程の本数として示してある。 〔評価〕 感度：各実施例の試料Ｎｏ．１を１００として相対値で
示した。 露光：ＰａｎａｓｏｎｉｃのイメージセッターＫＸ−Ｊ
２３７ＬＺ（７８０ｎｍの半導体レーザー）を用いて露
光した。 ガンマ：特性曲線の濃度１．１と２．５を結ぶ傾きを、
脚切れを表す指標値ガンマ（γ）とした。 ランニング濃度：ベタ露光で濃度４．０となる出力値で
４００ｍｍ×４００ｍｍの範囲に露光し、連続１０枚処
理した時の濃度を測定し最大値と最低値の差を表に示し
た。濃度はマクベス濃度計を使用した。 リニアリティ：１７５線／２．５４ｃｍで理論値９５％
のアミ％出力値で露光し、処理後の測定値が９５％とな
る出力値で理論値５０％となるアミ％を測定した値
（ａ）との差（ａ％−５０％）を表に示した。ゼロに近
いほど良い。アミ％はＸ−Ｒｉｔｅで未露光部をゼロと
して測定した。 寸法変化率：熱処理前に測定試料を２３℃、５０％ＲＨ
に２時間以上放置した後、カッターで１０ｃｍの正方形
の頂点を「＋」で傷をつけて、対角線の長さを測定し
た。対角線がそれぞれＭＤ／ＴＤ方向となるようにし
た。熱処理した後、２３℃、５０％ＲＨに２時間以上放
置し対角線の長さを測定した。処理前後の寸法を変化率
（％）として示した。ＭＤ／ＴＤで変化が大きい方を表
に記載した。熱処理は１２５℃のオーブンに厚さ約３ｍ
ｍのアルミ板２枚（１５ｃｍの正方形）を入れておき、
測定試料をアルミ板ではさむようにして２５秒間放置
し、とりだして冷却した。

【０３１７】測定装置は、Ｎｉｋｏｎ社製ｍｅａｓｕｒ
ｅｓｃｏｐｅ２０、ＤＰ−２００、ＳＣ−１０２を使用
した。 搬送不良回数：４５８ｍｍ×５００ｍｍサイズの試料を
巾手４５８ｍｍで連続５０枚処理した。処理間隔は５ｃ
ｍで行い、そのときの搬送不良回数を表に示した。

【０３１８】

【表４】

【０３１９】表４から明らかな如く、本発明内のものは
いずれの評価項目も良好な特性を持つことがわかる。

【０３２０】実施例４ 実施例３の処方において、ハロゲン化銀に化学増感を行
った。化学増感の方法は、ハロゲン化銀乳剤を６０℃に
昇温してチオ硫酸ナトリウムと表５に示す化学増感化合
物を５×１０^-5ｍｏｌ／Ａｇｍｏｌ添加して５０分間熟
成した後、３５℃に急冷して化学増感を終了し、表５に
示す各ハロゲン化銀乳剤を作製した。尚、実施例３の添
加剤処方中のヒドラジンＨ−１−１をＨ−１−５に変更
した。

【０３２１】評価は実施例３と同様に行い、その結果は
表６に示す。

【０３２２】

【表５】

【０３２３】

【表６】

【０３２４】表６から明らかな如く、本発明内のものは
いずれの評価項目も良好な特性を持つことがわかる。

【０３２５】実施例５ 実施例３の添加剤処方中のヒドラジンＨ−１−１をＨ−
２−１に変更した。

【０３２６】又、待機時のラインスピードには、感光材
料の後端が徐冷部を通過し、排出されてから５秒後にな
るようにした。

【０３２７】評価は実施例３と同様に行い、その結果は
表７に示す。

【０３２８】

【表７】

【０３２９】本発明内のものはいずれの評価項目も良好
な特性を持つことがわかる。 実施例６ 感光材料は、ヒドラジンＨ−１−１をＨ−１−４に変え
た以外は実施例３と同様に作製した。

【０３３０】ローラー（搬送部材）の材質は感光層面側
に接触する上側ローラーを表８に示す材質とした。肉厚
はそれぞれ４ｍｍとした。バッキング面側が接触するロ
ーラーはシリコーンゴムローラーとした。第２加熱工程
の起毛材については実施例３と同様の素材を使用した。

【０３３１】

【表８】

【０３３２】本発明内のものはいずれの評価項目も良好
な特性を持つことがわかる。 実施例７ （有機銀塩分散物の調製）アラキジン酸４．４ｇ、ベヘ
ン酸３９．４ｇ、蒸留水７７０ｍｌを、８５℃で攪拌し
ながら１Ｎ−ＮａＯＨ水溶液１０３ｍｌを６０分かけて
添加して２４０分反応させ、７５℃に降温した。次い
で、硝酸銀１９．２ｇの水溶液１１２．５ｍｌを４５秒
かけて添加し、そのまま２０分間放置し、３０℃に降温
した。その後、吸収濾過で固形分を濾別し、固形分を濾
水の伝導度が３０μＳ／ｃｍになるまで水洗した。こう
して得られた固形分は、乾燥させないでウェットケーキ
として取り扱い、乾燥固形分１００ｇ相当のウェットケ
ーキに対し、ポリビニルアルコール（クラレ（株）製；
ＰＶＡ−２０５）１０ｇ及び水を添加し、全体量を５０
０ｇとしてからホモミキサーにて予備分散した。

【０３３３】次に予備分散済みの原液を分散機（商品
名：マイクロフルイダイザーＭ−１１ＯＳ−ＥＨ、マイ
クロフルイデックス・インターナショナル・コーポレー
ション製、Ｇ１０Ｚインタラクションチャンバー使用）
の圧力を１７５０ｋｇ／ｃｍ²に調節して、三回処理
し、体積加重平均直径０．９３μｍの有機銀塩微結晶分
散物の調製を終了した。粒子サイズの測定は、Ｍａｌｖ
ｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｌｔｄ．製Ｍａｓｔ
ｅｒ ＳｉｚｅｒＸにて行った。冷却操作は蛇管式熱交
換器を、インタラクションチャンバーの前後に各々装着
し、冷媒の温度を調節することで所望の分散温度に設定
した。 （感光層塗布液の調製）先に調製した有機銀塩微結晶分
散物（銀／モル相当）に対し、実施例１で調製したハロ
ゲン化銀乳剤Ｂを全塗布銀量に対し４％となる量とを、
以下のバインダーおよび現像用素材と混合し、感光層塗
布液とした。

【０３３４】 バインダー；ラックスター３３０７Ｂ 固形分として４７０ｇ （大日本インキ化学工業（株）製；ＳＢＲ ラテックスでガラス転移温度１７ ℃） １，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，５，５− トリメチルヘキサン 固形分として１１０ｇ トリブロモメチルフェニルスルホン 固形分として２５ｇ ３，４−ジヒドロ−４−オキソ−１，２，３−ベンゾトリアジン 固形分として５．２ｇ 硬調化剤（９３−１） ０．１ｇ／ｍ² ３，４−ジヒドロ−４−オキソ−１，２，３−ベンゾト
リアジン、１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジ
メチルフェニル）−３，５，５−トリメチルヘキサン、
トリブロモメチルフェニルスルホンについては、通常の
方法で固体微粒子分散物を調製した。 （感光面保護層、バッキング保護層塗布液の調製）４０
％のポリマーラテックス（メチルメタクリレート／スチ
レン／２−エチルヘキシルアクリレート／２−ヒドロキ
シエチルメタクリレート／メタアクリル酸＝５９／９／
２６／５／１の共重合体）５００ｇに、Ｈ₂Ｏ２６２ｇ
を加え、造膜助剤としてベンジルアルコール１４ｇ、化
合物Ｄ２．５ｇ、セロゾール５２４（中京油脂（株）
製）３．６ｇ、化合物Ｅ１２ｇ、化合物Ｆ１ｇ、化合物
Ｇ２ｇ、化合物Ｈ７．５ｇ、マット剤として、平均粒径
３μｍのポリメチルメタクリレート微粒子３．４ｇを順
次加え、さらにＨ₂Ｏを加えて１０００ｇとし、粘度５
ｃｐ（２５℃）、ｐＨ３．４（２５℃）の塗布液を調製
した。

【０３３５】

【化７１】

【０３３６】（バッキング層塗布液の調製）上記（感光
面保護層、バッキング保護層塗布液の調製）に、染料−
Ｃを７８０ｎｍの吸収濃度が１．２となる量を加えてバ
ッキング層塗布液を調製した。

【０３３７】ＰＥＴ支持体にバッキング保護層はバイン
ダーが０．８ｇ／ｍ²となるよう塗布し、その後乳剤層
は表４の濃度になる銀量で、感光面保護層はバインダー
が１．２ｇ／ｍ²となるように塗布した。

【０３３８】露光および現像処理、更に評価は実施例３
と同様に行った。

【０３３９】

【表９】

【０３４０】本発明内のものはいずれの評価項目も良好
な特性を持つことがわかる。

【０３４１】

【発明の効果】第１の本発明により、処理速度を上げて
処理時間短縮をはかった場合においても、感光材料の加
熱による歪みや変形を極力抑えて搬送性を良くし、感光
材料の左右両端での濃度バラツキを抑え、印刷製版用と
したとき網点品質の劣化や、処理時のスリキズや熱現像
後の表面凹凸の発生がない熱現像方法とそれに用いる感
光材料及びマスク材料の形成方法を提供することができ
る。

【０３４２】第２の本発明により、感度、ガンマ、濃
度、寸法変化率、搬送性に加え、硬調でランニング特性
とリニアリティに優れた熱現像感光材料の画像形成方法
と熱現像機を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】熱現像機の構成断面図。

【図２】熱現像機の構成断面図。

【図３】熱現像機の構成断面図。

【図４】図３に示す熱現像機の構成を多少変えた構成断
面図。

【符号の説明】

１ 搬送ローラー ２ 搬送ローラー ３ ハロゲンヒーター ４ プレートヒーター ５ ヒーターを内蔵した植毛鋼板部材 ６ セラミックヒーターを内蔵した搬送ローラー ７ 植毛鋼板 ８ 脱臭装置 ９ 加熱工程Ａ １０ 加熱工程Ｂ １１ 加熱工程Ｃ １２ 冷却ファン １００ 感光材料の搬入部 １０１ 第１加熱工程 １０２ 第２加熱工程 １０３ 徐冷部 １０５ ヒーター部 １０７ パネルヒーター １０８ ハロゲンランプ内蔵の加熱ローラー １０９ 搬送用ローラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 1/12 Ｇ０３Ｆ 1/12 Ｆターム(参考） 2H095 AB26 BA07 BB27 BC06 BC07 BC08 2H112 AA03 AA11 BA08 BA17 BC10 BC12 BC17 BC22 BC24 2H123 AB00 AB03 AB17 AB23 AB28 BB00 BB24 BB31 CB00 CB03 CB20

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
   機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱現像す
   る方法において、（１）熱現像処理が１１５℃以上の加
   熱工程Ａを含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有
   し、（２）該加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程
   Ｂを有し、かつ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱
   工程Ｃを有することを特徴とする熱現像方法。
2. 【請求項２】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
   機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱現像す
   る方法において、（１）該有機銀粒子が単分散粒子であ
   り、（２）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含
   む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（３）該加
   熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ
   該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する
   ことを特徴とする熱現像方法。
3. 【請求項３】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
   機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を熱現像す
   る方法において、（１）熱現像感光材料が硬調化剤を含
   有し、（２）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを
   含む少なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（３）該
   加熱工程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、か
   つ該加熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有す
   ることを特徴とする熱現像方法。
4. 【請求項４】 前記加熱工程Ｂが１００℃以上であるこ
   とを特徴とする請求項１、２又は３記載の熱現像方法。
5. 【請求項５】 前記加熱工程Ａと前記加熱工程Ｂと前記
   加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒以下であることを特徴
   とする請求項１〜４の何れか１項記載の熱現像方法。
6. 【請求項６】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
   機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料において、
   （１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少
   なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該加熱工
   程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加
   熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱
   工程で処理されることを特徴とする熱現像感光材料。
7. 【請求項７】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
   機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料において、
   （１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少
   なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該加熱工
   程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加
   熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱
   工程で処理され、（３）該有機銀粒子が単分散粒子であ
   ることを特徴とする熱現像感光材料。
8. 【請求項８】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、有
   機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料において、
   （１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少
   なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該加熱工
   程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加
   熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱
   工程で処理され、（３）該熱現像感光材料が硬調化剤を
   含有することを特徴とする熱現像感光材料。
9. 【請求項９】 前記加熱工程Ｂが１００℃以上であるこ
   とを特徴とする請求項６、７又は８記載の熱現像感光材
   料。
10. 【請求項１０】 前記加熱工程Ａと前記加熱工程Ｂと前
    記加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒以下であることを特
    徴とする請求項６〜９の何れか１項記載の熱現像感光材
    料。
11. 【請求項１１】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、
    有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を、
    （１）熱現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少
    なくとも３工程以上の加熱工程を有し、（２）該加熱工
    程Ａの前に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加
    熱工程Ａの後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱
    工程で加熱することによりマスク材料を形成することを
    特徴とするマスク材料の形成方法。
12. 【請求項１２】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、
    有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を、
    （１）該有機銀粒子が単分散粒子であり、（２）熱現像
    処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少なくとも３工
    程以上の加熱工程を有し、（３）該加熱工程Ａの前に８
    〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加熱工程Ａの後
    に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱工程で加熱す
    ることによりマスク材料を形成することを特徴とするマ
    スク材料の形成方法。
13. 【請求項１３】 支持体上に少なくともハロゲン化銀、
    有機銀粒子及び還元剤を有する熱現像感光材料を、
    （１）該熱現像感光材料が硬調化剤を含有し、（２）熱
    現像処理が１１５℃以上の加熱工程Ａを含む少なくとも
    ３工程以上の加熱工程を有し、（３）該加熱工程Ａの前
    に８〜３０℃低い加熱工程Ｂを有し、かつ該加熱工程Ａ
    の後に８〜３０℃低い加熱工程Ｃを有する加熱工程で加
    熱することによりマスク材料を形成することを特徴とす
    るマスク材料の形成方法。
14. 【請求項１４】 前記加熱工程Ｂが１００℃以上である
    ことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項記載の
    マスク材料の形成方法。
15. 【請求項１５】 前記加熱工程Ａと前記加熱工程Ｂと前
    記加熱工程Ｃとの合計時間が５０秒以下であることを特
    徴とする請求項１１〜１４の何れか１項記載のマスク材
    料の形成方法。
16. 【請求項１６】 支持体上に少なくとも有機銀粒子、感
    光性ハロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する
    熱現像感光材料を熱現像機で処理する画像形成方法にお
    いて、熱現像機の処理温度が１００℃より高く１１７℃
    未満の第一加熱工程と画像形成のための１１７℃以上１
    ４０℃以下で加熱する第二加熱工程を有することを特徴
    とする画像形成方法。
17. 【請求項１７】 熱現像感光材料がカルコゲン化合物あ
    るいは金化合物で化学増感されていることを特徴とする
    請求項１６記載の画像形成方法。
18. 【請求項１８】 請求項１６記載の画像形成方法に用い
    る熱現像機が、待機時のラインスピードが０．１ｍｍ／
    ｓｅｃ以上１６ｍｍ／ｓｅｃ以下であることを特徴とす
    る熱現像機。
19. 【請求項１９】 請求項１６記載の画像形成方法に用い
    る熱現像機において、第一加熱部又は第二加熱部の少な
    くとも何れかの感光面側に接する搬送部材の熱伝導率
    が、０．１０以上０．５０以下であることを特徴とする
    熱現像機。
20. 【請求項２０】 熱現像機が第一加熱部と第二加熱部及
    び徐冷部を持ち、徐冷部第一ローラーまでの感光面側に
    接するローラーの合計本数が１０本以上であることを特
    徴とする請求項１６記載の画像形成方法。
21. 【請求項２１】 熱現像機の処理のラインスピードが２
    ２ｍｍ／ｓｅｃ以上４０ｍｍ／ｓｅｃ以下であることを
    特徴とする請求項１６、１７又は２０記載の画像形成方
    法。