JP2001133705A - Ｖミラー光スイッチ - Google Patents
Ｖミラー光スイッチInfo
- Publication number
- JP2001133705A JP2001133705A JP31590499A JP31590499A JP2001133705A JP 2001133705 A JP2001133705 A JP 2001133705A JP 31590499 A JP31590499 A JP 31590499A JP 31590499 A JP31590499 A JP 31590499A JP 2001133705 A JP2001133705 A JP 2001133705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- optical
- fiber
- shaped movable
- port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光損失の少ない、構造簡単な、マルチモード
ファイバにも使用可能な２×２光アド・ドロップスイッ
チを得る。 【解決手段】 対向して配置された２本の光ファイバ１
４，１５と、前記２本の光ファイバの間に設けたＶ字可
動ミラー１０と、前記２本の光ファイバ１４，１５と前
記Ｖ字可動ミラー１０のそれぞれのミラー面を介して対
向する方向に設けた２本の光ファイバ１６，１７とを有
するＶミラー光スイッチ２０として、構造簡単で、光損
失を少なくし、マルチモードファイバにも使用可能とす
る。
ファイバにも使用可能な２×２光アド・ドロップスイッ
チを得る。 【解決手段】 対向して配置された２本の光ファイバ１
４，１５と、前記２本の光ファイバの間に設けたＶ字可
動ミラー１０と、前記２本の光ファイバ１４，１５と前
記Ｖ字可動ミラー１０のそれぞれのミラー面を介して対
向する方向に設けた２本の光ファイバ１６，１７とを有
するＶミラー光スイッチ２０として、構造簡単で、光損
失を少なくし、マルチモードファイバにも使用可能とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバによって
伝送される光信号を取り出したり、新たな信号を光ファ
イバに送り込む２×２光アド・ドロップスイッチの改良
に関する。
伝送される光信号を取り出したり、新たな信号を光ファ
イバに送り込む２×２光アド・ドロップスイッチの改良
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信技術の進展に伴い、種々の光部品
が開発されてきた。送られて来た光信号を必要ならば取
り出し、又必要なら光信号を送り取り出す２×２光アド
・ドロップスイッチは光情報通信に重要な光スイッチの
一つである。
が開発されてきた。送られて来た光信号を必要ならば取
り出し、又必要なら光信号を送り取り出す２×２光アド
・ドロップスイッチは光情報通信に重要な光スイッチの
一つである。
【０００３】図３に示す２×２光スイッチはリチウムネ
オベイト（ＬｉＮｂＯ3）に導波路を作り込んだ方向性
結合器型光スイッチで、（ａ）は導波路断面図、（ｂ）
はその外観図である。図３に示した方向性結合器型光ス
イッチでは導波路５１に入射された光は導波路加熱用ヒ
ータ５５，５６のいずれにより加熱するかによって導波
路５３或いは５４に送られる、又導波路５２に入射され
た光もまた同様に導波路５３或いは５４に送られる。図
３（ｂ）の５７は導波路加熱用電源端子である。現在迄
に開発されている２×２光スイッチは導波路材料の異な
るものがあるが基本的にはこのような働きをする。
オベイト（ＬｉＮｂＯ3）に導波路を作り込んだ方向性
結合器型光スイッチで、（ａ）は導波路断面図、（ｂ）
はその外観図である。図３に示した方向性結合器型光ス
イッチでは導波路５１に入射された光は導波路加熱用ヒ
ータ５５，５６のいずれにより加熱するかによって導波
路５３或いは５４に送られる、又導波路５２に入射され
た光もまた同様に導波路５３或いは５４に送られる。図
３（ｂ）の５７は導波路加熱用電源端子である。現在迄
に開発されている２×２光スイッチは導波路材料の異な
るものがあるが基本的にはこのような働きをする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】残念ながら図３（ａ）
に示す様な導波路を使ったものは、シングルモードでな
ければ光をコントロールできないため、シングルモード
石英光ファイバにのみ適用され、プラスチック光ファイ
バのようなマルチモードファイバには使用できない。そ
の上導波路型であるため光損失が大きいという欠点があ
った。
に示す様な導波路を使ったものは、シングルモードでな
ければ光をコントロールできないため、シングルモード
石英光ファイバにのみ適用され、プラスチック光ファイ
バのようなマルチモードファイバには使用できない。そ
の上導波路型であるため光損失が大きいという欠点があ
った。
【０００５】そこで本発明の目的は、上記課題を解決
し、シングルモード石英光ファイバ及びプラスチックあ
るいは石英光ファイバのようなマルチモードファイバに
も使用可能で損失の少ない、構造簡単な新しいタイプの
２×２光アド・ドロップスイッチを提供するものであ
る。
し、シングルモード石英光ファイバ及びプラスチックあ
るいは石英光ファイバのようなマルチモードファイバに
も使用可能で損失の少ない、構造簡単な新しいタイプの
２×２光アド・ドロップスイッチを提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によるＶミラー光スイッチは、対向して配置
された２本の光ファイバと、前記２本の光ファイバの間
に設けたＶ字可動ミラーと、前記２本の光ファイバと前
記Ｖ字可動ミラーのそれぞれのミラー面を介して対向す
る方向に設けた２本の光ファイバとを有するものとし
て、１×２光スイッチ２個の機能を持たせ、光損失も少
ない構造簡単な、マルチモードファイバにも使用可能
な、光スイッチにできる。
め、本発明によるＶミラー光スイッチは、対向して配置
された２本の光ファイバと、前記２本の光ファイバの間
に設けたＶ字可動ミラーと、前記２本の光ファイバと前
記Ｖ字可動ミラーのそれぞれのミラー面を介して対向す
る方向に設けた２本の光ファイバとを有するものとし
て、１×２光スイッチ２個の機能を持たせ、光損失も少
ない構造簡単な、マルチモードファイバにも使用可能
な、光スイッチにできる。
【０００７】また、上記光ファイバのいずれもを、プラ
スチックあるいはマルチモード石英光ファイバとすれ
ば、プラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）インフォメイシ
ョンネットワーク構築に使用でき、既設のマルチモード
石英ファイバのＬＡＮにも使用できる。
スチックあるいはマルチモード石英光ファイバとすれ
ば、プラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）インフォメイシ
ョンネットワーク構築に使用でき、既設のマルチモード
石英ファイバのＬＡＮにも使用できる。
【０００８】また、上記Ｖ字可動ミラーを、磁石または
磁性体を持つ可動部を有するものとすれば、信頼性の高
いＶミラー光スイッチとすることが出来る。
磁性体を持つ可動部を有するものとすれば、信頼性の高
いＶミラー光スイッチとすることが出来る。
【０００９】磁性体と電磁石、電磁石と電磁石等の組み
合わせがあり、かつ電磁石に磁性体をさらに組み合わせ
ることも可能である。
合わせがあり、かつ電磁石に磁性体をさらに組み合わせ
ることも可能である。
【００１０】さらに、前記Ｖ字可動ミラーが、表面マイ
クロマシン技術（「マイクロマシーニングとマイクロメ
カトロニクス」江刺正喜 外著 １９９２ 培風館）等
を用いてシリコン基板上に構成された、Ｖミラーと磁性
体とこれらを支持するスプリングを有するものとすれ
ば、小型で量産に適したＶミラー光スイッチを得ること
が出来る。
クロマシン技術（「マイクロマシーニングとマイクロメ
カトロニクス」江刺正喜 外著 １９９２ 培風館）等
を用いてシリコン基板上に構成された、Ｖミラーと磁性
体とこれらを支持するスプリングを有するものとすれ
ば、小型で量産に適したＶミラー光スイッチを得ること
が出来る。
【００１１】
【作用】上記構成によって、例えば、Ｖミラー光スイッ
チの対向する２本の光ファイバの一方に入射した光信号
は、Ｖ字可動ミラーが対向する光の光路中にある時、入
射光はＶミラーの一方で反射し、対向する２本の光ファ
イバとほぼ直角の方向で、かつＶ字可動ミラーの狭くな
っている方向に配置された２本の光ファイバの内の、入
射光ファイバに近い１本のファイバに入射する。この光
は、入射光ファイバに近いファイバからセンサーなどを
介した後、Ｖミラーの他の一方で反射しもう一本の並列
するファイバに受けられ、対向するファイバの出射側に
出力される。
チの対向する２本の光ファイバの一方に入射した光信号
は、Ｖ字可動ミラーが対向する光の光路中にある時、入
射光はＶミラーの一方で反射し、対向する２本の光ファ
イバとほぼ直角の方向で、かつＶ字可動ミラーの狭くな
っている方向に配置された２本の光ファイバの内の、入
射光ファイバに近い１本のファイバに入射する。この光
は、入射光ファイバに近いファイバからセンサーなどを
介した後、Ｖミラーの他の一方で反射しもう一本の並列
するファイバに受けられ、対向するファイバの出射側に
出力される。
【００１２】対向する２本の光ファイバの一本に入射し
た光信号は、マイクロＶミラーが対向する光の光路中存
在しない時、対向する他方のファイバに進む。
た光信号は、マイクロＶミラーが対向する光の光路中存
在しない時、対向する他方のファイバに進む。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
例とともに詳述する。
例とともに詳述する。
【００１４】第１の実施形態 図１、図２は本発明の一実施形態を示す。図１は平面
図、図２はＶ字可動ミラー１０のミラー１１及び可動部
の縦断面図である。矢印型のほぼ９０゜のＶ字型ミラー
１１は、頭部にミラー１１ａ、尾部に延伸部１１ｂを持
つ矢印形状である。射出成形により成形し、ミラー１１
ａの外面を無電解メッキ法によりニッケルメッキする。
延伸部１１ｂに小型のドーナツ状の電気磁石１３を差込
み、可動な状態とする。この電気磁石を付けた矢印型ミ
ラーの柄である延伸部１１ｂに磁性体１２を固定する。
さらにこのように加工した矢印型のＶ字型ミラー１１に
更にもう１個の小型のドーナツ状の電気磁石１３を差込
み、２つの小型電気磁石の間をなめらかに前後に動く電
気磁石付きＶ字可動ミラー１０を作成した。次に所定の
大きさの基板２０上、Ｖ字可動ミラー１０のミラー１１
ａに対向して３方向に各５０ｃｍの長さでかつＦ０５
（ＪＩＳ規格）形単心光コネクタ付き（挿入損失は測定
済み）プラスチックファイバ（ＥｓｋａＭＥＧＡ，ＮＡ
＝０．３、三菱レイヨン製）を一方向に１本のプラスチ
ックファイバ１４、もう一方向に１本のプラスチックフ
ァイバ１５、残りの一方に２本のプラスチックファイバ
１６，１７を取り付けた。基板の残りの一辺に垂直に、
上記電気磁石付き矢印型のＶ字可動ミラー１０の、ミラ
ー１１ａのそれぞれの中心が対向するそれぞれのファイ
バの光軸と一致するようにその２個の電気磁石で基板に
固定した。Ｆ０５形単心光コネクタ接続損失は以下の表
１のようであった。図１上の各プラスチックファイバ１
４，１５，１６，１７をそれぞれポート１，２，３，４
と呼ぶ。
図、図２はＶ字可動ミラー１０のミラー１１及び可動部
の縦断面図である。矢印型のほぼ９０゜のＶ字型ミラー
１１は、頭部にミラー１１ａ、尾部に延伸部１１ｂを持
つ矢印形状である。射出成形により成形し、ミラー１１
ａの外面を無電解メッキ法によりニッケルメッキする。
延伸部１１ｂに小型のドーナツ状の電気磁石１３を差込
み、可動な状態とする。この電気磁石を付けた矢印型ミ
ラーの柄である延伸部１１ｂに磁性体１２を固定する。
さらにこのように加工した矢印型のＶ字型ミラー１１に
更にもう１個の小型のドーナツ状の電気磁石１３を差込
み、２つの小型電気磁石の間をなめらかに前後に動く電
気磁石付きＶ字可動ミラー１０を作成した。次に所定の
大きさの基板２０上、Ｖ字可動ミラー１０のミラー１１
ａに対向して３方向に各５０ｃｍの長さでかつＦ０５
（ＪＩＳ規格）形単心光コネクタ付き（挿入損失は測定
済み）プラスチックファイバ（ＥｓｋａＭＥＧＡ，ＮＡ
＝０．３、三菱レイヨン製）を一方向に１本のプラスチ
ックファイバ１４、もう一方向に１本のプラスチックフ
ァイバ１５、残りの一方に２本のプラスチックファイバ
１６，１７を取り付けた。基板の残りの一辺に垂直に、
上記電気磁石付き矢印型のＶ字可動ミラー１０の、ミラ
ー１１ａのそれぞれの中心が対向するそれぞれのファイ
バの光軸と一致するようにその２個の電気磁石で基板に
固定した。Ｆ０５形単心光コネクタ接続損失は以下の表
１のようであった。図１上の各プラスチックファイバ１
４，１５，１６，１７をそれぞれポート１，２，３，４
と呼ぶ。
【００１５】
【表１】
【００１６】かくして得られたＶミラー光スイッチ２０
の性能を測定する為に、１００．５、μＷ、６６０ｎｍ
のＬＥＤ及び光パワー測定器を用意した。各ファイバ端
コネクタに６６０ｎｍのＬＥＤをつなぎ、他方の各ファ
イバ端のコネクタに光パワー測定器をつなぎそれぞれの
測定値（μＷ）を測定し表２にまとめた。
の性能を測定する為に、１００．５、μＷ、６６０ｎｍ
のＬＥＤ及び光パワー測定器を用意した。各ファイバ端
コネクタに６６０ｎｍのＬＥＤをつなぎ、他方の各ファ
イバ端のコネクタに光パワー測定器をつなぎそれぞれの
測定値（μＷ）を測定し表２にまとめた。
【００１７】
【表２】 入力 ポート１（１４） ポート４（１７ ） 出力 ポート １（１４） ２（１５） ２７．０μＷ ２５．８μＷ ３（１６） ２４．７μＷ
【００１８】この結果から各ポート間の過剰損失（Ｌ
Ｓ）を計算すると、以下のようになる： ポート１（１４）からポート２（１５） ＬＳ＝―１０・ｌｏｇ２７．０／１００．５ −（１．
８＋１．９）＝ ５．７−３．７＝２．０（ｄＢ） ポート１（１４）からポート３（１６） ＬＳ＝―１０ｌｏｇ２４．７／１００．５ − （１．
８＋２．１）＝６．１−３．９＝２．２（ｄＢ） ポート４（１７）からポート２（１５） ＬＳ＝―１０ｌｏｇ２５．８／１００．５ − （１．
９＋１．９）＝５．９−３．９＝２．０（ｄＢ）
Ｓ）を計算すると、以下のようになる： ポート１（１４）からポート２（１５） ＬＳ＝―１０・ｌｏｇ２７．０／１００．５ −（１．
８＋１．９）＝ ５．７−３．７＝２．０（ｄＢ） ポート１（１４）からポート３（１６） ＬＳ＝―１０ｌｏｇ２４．７／１００．５ − （１．
８＋２．１）＝６．１−３．９＝２．２（ｄＢ） ポート４（１７）からポート２（１５） ＬＳ＝―１０ｌｏｇ２５．８／１００．５ − （１．
９＋１．９）＝５．９−３．９＝２．０（ｄＢ）
【００１９】以上の結果からプラスチック光ファイバ用
スイッチとしては極めて小さい挿入損失（過剰損失）と
いえる。スイッチング速度は１秒以下であった。
スイッチとしては極めて小さい挿入損失（過剰損失）と
いえる。スイッチング速度は１秒以下であった。
【００２０】第２実施形態 次に他の実施形態として石英光ファイバとＶ字可動ミラ
ー（マイクロＶミラー）を組み合わせたＶミラー光スイ
ッチについて説明する。
ー（マイクロＶミラー）を組み合わせたＶミラー光スイ
ッチについて説明する。
【００２１】図４は、このＶミラー光スイッチ４０の平
面図、図５は、図４のＶミラー光スイッチのＶ字可動ミ
ラー３０の平面状態を示す斜視図、図６は、図５のＶ字
可動ミラー３０の縦断面図である。図４と図５とには、
Ｖミラー３０ａ、図６には、マグネットコイル３３を示
す。Ｖ字可動ミラー３０の形成のためにシリコン基板上
に、表面マイクロマシン技術を使って、磁性体とマイク
ロＶミラーを備えた上下に動くスプリング構造を作製す
る。以下その概要を断面形状を示す説明図７乃至図９に
基づき説明する。
面図、図５は、図４のＶミラー光スイッチのＶ字可動ミ
ラー３０の平面状態を示す斜視図、図６は、図５のＶ字
可動ミラー３０の縦断面図である。図４と図５とには、
Ｖミラー３０ａ、図６には、マグネットコイル３３を示
す。Ｖ字可動ミラー３０の形成のためにシリコン基板上
に、表面マイクロマシン技術を使って、磁性体とマイク
ロＶミラーを備えた上下に動くスプリング構造を作製す
る。以下その概要を断面形状を示す説明図７乃至図９に
基づき説明する。
【００２２】単結晶シリコン基板上に低温酸化膜（ＬＴ
Ｏ）すなわちＳｉＯ2を作り（図７、１）、パターンマ
スクとエッチングによりＬＴＯの島状のパターンを作る
（図７，２）。この上にほぼ５０μｍのニッケル層をメ
ッキ堆積法で作る（図７，３）。ニッケルの島状部分を
ＬＴＯで囲い、その他の部分はポリシリコンー１のパタ
ーニング成膜をする（図７，４）。更に成膜・パターニ
ングを繰り返してニッケル層以外にＬＴＯを作製し、更
にポリシリコンー２を作製する（図７，５）。さらに、
ＬＴＯで全体を覆う（図８，６）。マイクロＶミラー用
のシード層を銅と金の合金メッキで作り（図８，７）、
次に厚膜レジストを塗布し、露光現像することで所定の
位置にマイクロＶミラー形状の露出部を設け、この露出
部にニッケルをメッキ堆積させ、マイクロＶミラーを形
成する（図８，８）。続いて厚膜レジストを除去し、水
酸化カリウム溶液によりシリコン基板のエッチングを行
う。この時ＬＴＯで囲われたニッケル層を除いてポリシ
リコンー１がエッチチャネルとなり可動部の下のシリコ
ン基板もエッチングされる（図９，９と１０）。最後に
ＬＴＯを除去し、マイクロＶミラー及びニッケルの磁性
体の付いた可動構造物（図９，１１）ができる。
Ｏ）すなわちＳｉＯ2を作り（図７、１）、パターンマ
スクとエッチングによりＬＴＯの島状のパターンを作る
（図７，２）。この上にほぼ５０μｍのニッケル層をメ
ッキ堆積法で作る（図７，３）。ニッケルの島状部分を
ＬＴＯで囲い、その他の部分はポリシリコンー１のパタ
ーニング成膜をする（図７，４）。更に成膜・パターニ
ングを繰り返してニッケル層以外にＬＴＯを作製し、更
にポリシリコンー２を作製する（図７，５）。さらに、
ＬＴＯで全体を覆う（図８，６）。マイクロＶミラー用
のシード層を銅と金の合金メッキで作り（図８，７）、
次に厚膜レジストを塗布し、露光現像することで所定の
位置にマイクロＶミラー形状の露出部を設け、この露出
部にニッケルをメッキ堆積させ、マイクロＶミラーを形
成する（図８，８）。続いて厚膜レジストを除去し、水
酸化カリウム溶液によりシリコン基板のエッチングを行
う。この時ＬＴＯで囲われたニッケル層を除いてポリシ
リコンー１がエッチチャネルとなり可動部の下のシリコ
ン基板もエッチングされる（図９，９と１０）。最後に
ＬＴＯを除去し、マイクロＶミラー及びニッケルの磁性
体の付いた可動構造物（図９，１１）ができる。
【００２３】上記の図５は、マイクロＶミラー及びニッ
ケルの磁性体の付いた可動構造物（図９，１１）の斜視
図である。次にこの可動構造物の裏面のシリコン層３４
のマイクロＶミラー直下に孔をあけ、マグネットコイル
３３を埋め込む（図６）。なお、スプリング３０ｂはＶ
ミラー支持部３０ａから４方向に伸びて、端部３０ｃで
支持されている。
ケルの磁性体の付いた可動構造物（図９，１１）の斜視
図である。次にこの可動構造物の裏面のシリコン層３４
のマイクロＶミラー直下に孔をあけ、マグネットコイル
３３を埋め込む（図６）。なお、スプリング３０ｂはＶ
ミラー支持部３０ａから４方向に伸びて、端部３０ｃで
支持されている。
【００２４】かくして得られたマグネットコイル付きの
マイクロＶミラー及びニッケルの磁性体の付いた可動構
造物（以後デバイス又はＶ字可動ミラーと呼ぶ）を中心
に置き、一端をシリコンＶ溝で固定した石英ファイバ
（製品名：ＣＦＣ−１００／１４０、ＮＡ：０．２５，
平河ヒューテック製、あらかじめＳＣコネクタ付き、長
さ５０ｃｍ）、そのクラッド径が１４０μｍでコア径が
１００μｍである、を本質的には実施形態１と同様に配
置してモジュール（図４）とした。ポート１・４４の石
英ファイバの先端を加工してレンズ状にしその焦点が対
向するポート２・４５のファイバの近辺に来るようにし
た。その他のファイバの先端は特に加工しなかった。
マイクロＶミラー及びニッケルの磁性体の付いた可動構
造物（以後デバイス又はＶ字可動ミラーと呼ぶ）を中心
に置き、一端をシリコンＶ溝で固定した石英ファイバ
（製品名：ＣＦＣ−１００／１４０、ＮＡ：０．２５，
平河ヒューテック製、あらかじめＳＣコネクタ付き、長
さ５０ｃｍ）、そのクラッド径が１４０μｍでコア径が
１００μｍである、を本質的には実施形態１と同様に配
置してモジュール（図４）とした。ポート１・４４の石
英ファイバの先端を加工してレンズ状にしその焦点が対
向するポート２・４５のファイバの近辺に来るようにし
た。その他のファイバの先端は特に加工しなかった。
【００２５】このモジュールの挿入損失を以下に述べる
ように測定した。この時、石英ファイバに付けたＳＣコ
ネクタの挿入損失は０．１ｄＢ以下なので無視した。
ように測定した。この時、石英ファイバに付けたＳＣコ
ネクタの挿入損失は０．１ｄＢ以下なので無視した。
【００２６】光源として赤色ＬＥＤ，２ｍＷ（製品名：
ＮＳＰＲ４３６ＡＳ，日亜化学工業製）と光パワー測定
器（Ｍｏｄｅｌ ２２５，Ｈａｋｕｔｏｒｏｎｉｃｓ
製）を用意した。ポート１・４４、ポート４・４７より
２ｍＷ 強度の光を入射して、それぞれポート１・４
４、ポート３・４６及びポート４・４７からの出力（μ
Ｗ）を測定した結果を表３に示した。
ＮＳＰＲ４３６ＡＳ，日亜化学工業製）と光パワー測定
器（Ｍｏｄｅｌ ２２５，Ｈａｋｕｔｏｒｏｎｉｃｓ
製）を用意した。ポート１・４４、ポート４・４７より
２ｍＷ 強度の光を入射して、それぞれポート１・４
４、ポート３・４６及びポート４・４７からの出力（μ
Ｗ）を測定した結果を表３に示した。
【００２７】
【表３】 入力 ポート１（４４） ポート４（４７） 出力 ポート １（４４） ２（４５） ０．７６０μＷ ０．５７６μＷ ３（４６） ０．５９０μＷ
【００２８】この結果から各ポート間の過剰損失（Ｌ
Ｓ）を計算すると、以下のようになる： ポート１からポート２ ＬＳ＝―１０・ｌｏｇ ０．７６０／２＝ ＝ ４．２（ｄＢ） ポート１からポート３ ＬＳ＝―１０ｌｏｇ０５９０／２ ＝５．３（ｄＢ） ポート４からポート２ ＬＳ＝―１０ｌｏｇ０．５７６／２ ＝５．４（ｄＢ）
Ｓ）を計算すると、以下のようになる： ポート１からポート２ ＬＳ＝―１０・ｌｏｇ ０．７６０／２＝ ＝ ４．２（ｄＢ） ポート１からポート３ ＬＳ＝―１０ｌｏｇ０５９０／２ ＝５．３（ｄＢ） ポート４からポート２ ＬＳ＝―１０ｌｏｇ０．５７６／２ ＝５．４（ｄＢ）
【００２９】このように、各ポート内の過剰損失は小さ
く、Ｖ字可動ミラーをシリコン基板上に、表面マイクロ
マシン製法によって製作するため量産が容易であるとと
もに小型化が可能である。
く、Ｖ字可動ミラーをシリコン基板上に、表面マイクロ
マシン製法によって製作するため量産が容易であるとと
もに小型化が可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
の効果が得られる。請求項１記載の発明では、Ｖ字型の
ミラーを使ったので従来なら１×２光スイッチが２個必
要な場合でも１個で済み、それだけ挿入損失が少なくて
済む。請求項２記載の発明では、プラスチック光ファイ
バ（ＰＯＦ）を使ったのでＰＯＦインフォメーションネ
ットワークを構築する場合にも使用でき、既設の石英フ
ァイバのＬＡＮにも使用出来る。請求項３記載の発明で
は、可動部として既に長い実績のある磁石または磁性体
を使ったので信頼性が高い。請求項４記載の発明では、
表面マイクロマシン技術による製法をとったので量産に
適するものとできる。
の効果が得られる。請求項１記載の発明では、Ｖ字型の
ミラーを使ったので従来なら１×２光スイッチが２個必
要な場合でも１個で済み、それだけ挿入損失が少なくて
済む。請求項２記載の発明では、プラスチック光ファイ
バ（ＰＯＦ）を使ったのでＰＯＦインフォメーションネ
ットワークを構築する場合にも使用でき、既設の石英フ
ァイバのＬＡＮにも使用出来る。請求項３記載の発明で
は、可動部として既に長い実績のある磁石または磁性体
を使ったので信頼性が高い。請求項４記載の発明では、
表面マイクロマシン技術による製法をとったので量産に
適するものとできる。
【図１】 本発明によるＶミラー光スイッチの第１の実
施の形態を示す平面図である。
施の形態を示す平面図である。
【図２】 図１のＶ字可動ミラーのミラー及び可動部の
縦断面図である。
縦断面図である。
【図３】 従来の２×２光スイッチを示し、（ａ）はそ
の導波路断面、（ｂ）は外観図である。
の導波路断面、（ｂ）は外観図である。
【図４】 本発明によるＶミラー光スイッチの第２の実
施の形態を示す平面図である。
施の形態を示す平面図である。
【図５】 図４のＶミラー光スイッチのＶ字可動ミラー
の平面状態を示す斜視図である。
の平面状態を示す斜視図である。
【図６】 図５のＶ字可動ミラーの縦断面図である。
【図７】 図５、図６に示すＶ字可動ミラーの製作工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図８】 図５、図６に示すＶ字可動ミラーの製作工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図９】 図５、図６に示すＶ字可動ミラーの製作工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１０，３０ Ｖ字可動ミラー、１１ Ｖ字型ミラー、１
１ａ，３０ａ ミラー、１１ｂ 延伸部、１２ 磁性
体、１３ 電気磁石、１４，１５，１６，１７プラスチ
ック光ファイバ（ポート１，２，３，４）、２０，４０
Ｖミラー光スイッチ、３０ａ Ｖミラー支持部、３０
ｂ スプリング、３０ｃ 端部、３３マグネットコイ
ル、３４ シリコン層（シリコン基板）、４４ ポート
１、４５ポート２、４６ ポート３、４７ ポート４。
１ａ，３０ａ ミラー、１１ｂ 延伸部、１２ 磁性
体、１３ 電気磁石、１４，１５，１６，１７プラスチ
ック光ファイバ（ポート１，２，３，４）、２０，４０
Ｖミラー光スイッチ、３０ａ Ｖミラー支持部、３０
ｂ スプリング、３０ｃ 端部、３３マグネットコイ
ル、３４ シリコン層（シリコン基板）、４４ ポート
１、４５ポート２、４６ ポート３、４７ ポート４。
Claims (4)
- 【請求項１】 対向して配置された２本の光ファイバ
と、 前記２本の光ファイバの間に設けたＶ字可動ミラーと、 前記２本の光ファイバと前記Ｖ字可動ミラーのそれぞれ
のミラー面を介して対向する方向に設けた２本の光ファ
イバと、を有することを特徴とするＶミラー光スイッ
チ。 - 【請求項２】 前記光ファイバのいずれもが、プラスチ
ックあるいはマルチモード石英光ファイバであることを
特徴とする請求項１記載のＶミラー光スイッチ。 - 【請求項３】 前記Ｖ字可動ミラーが、磁石または磁性
体を持つ可動部を有することを特徴とする請求項１又は
２記載のＶミラー光スイッチ。 - 【請求項４】 前記Ｖ字可動ミラーが、シリコン基板上
に構成された、Ｖミラーと磁性体とこれらを支持するス
プリングを有することを特徴とする請求項１，２又は３
記載のＶミラー光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31590499A JP2001133705A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | Ｖミラー光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31590499A JP2001133705A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | Ｖミラー光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001133705A true JP2001133705A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18071016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31590499A Pending JP2001133705A (ja) | 1999-11-05 | 1999-11-05 | Ｖミラー光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001133705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164817B2 (en) | 2002-05-24 | 2007-01-16 | Hoya Corporation | Optical switch and optical add/drop multiplexer using the same |
| US7236657B2 (en) | 2002-05-24 | 2007-06-26 | Hoya Corporation | Optical switch and optical add/drop multiplexer using the same |
-
1999
- 1999-11-05 JP JP31590499A patent/JP2001133705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164817B2 (en) | 2002-05-24 | 2007-01-16 | Hoya Corporation | Optical switch and optical add/drop multiplexer using the same |
| US7236657B2 (en) | 2002-05-24 | 2007-06-26 | Hoya Corporation | Optical switch and optical add/drop multiplexer using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4812002A (en) | Optical coupling device and method of making the same | |
| US5425118A (en) | Optical component mounting substrate and method of producing the same | |
| US6314228B1 (en) | Optical waveguide component and a method of producing the same | |
| US5218663A (en) | Optical waveguide device and method for connecting optical waveguide and optical fiber using the optical waveguide device | |
| EP0935149A3 (en) | Switching element having an expanding waveguide core | |
| GB2328035A (en) | Optical fibre/waveguide passive alignment using alignment platform | |
| JP3438139B2 (ja) | 機械式光スイッチ及びその製造方法 | |
| JP2000314818A (ja) | モード変換器及び方法 | |
| JP2550890B2 (ja) | 光導波路の接続構造およびその製造方法 | |
| JPS6385522A (ja) | 光フアイバスイツチ | |
| Chollet et al. | Compact evanescent optical switch and attenuator with electromechanical actuation | |
| JPH02280104A (ja) | 接続端子台 | |
| JP2001133705A (ja) | Ｖミラー光スイッチ | |
| TW200304557A (en) | Ceramic waferboard | |
| Fan et al. | A 2x2 mechanical optical switch with a thin MEMS mirror | |
| JP3859120B2 (ja) | 光スイッチ | |
| JP2003121679A (ja) | 端面を斜め形状に成形した光ファイバを用いる光ファイバデバイス | |
| JP2843338B2 (ja) | 光導波路・光ファイバ接続コネクタ | |
| JP2857221B2 (ja) | 光表面実装回路及びその光部品 | |
| JP2000019337A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JP2005017761A (ja) | 光導波路および光導波路の製造方法 | |
| JPH08334651A (ja) | 多心光コネクタ | |
| JP2628682B2 (ja) | 光導波路部品とその接続方法 | |
| JPH0593824A (ja) | 光コネクタ及びその製造方法 | |
| JP2000010030A (ja) | 自己保持型アレイ光導波路スイッチ |