JP2001129383A - 基板処理装置の排気制御方法 - Google Patents

基板処理装置の排気制御方法

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JP2001129383A
JP2001129383A JP31222099A JP31222099A JP2001129383A JP 2001129383 A JP2001129383 A JP 2001129383A JP 31222099 A JP31222099 A JP 31222099A JP 31222099 A JP31222099 A JP 31222099A JP 2001129383 A JP2001129383 A JP 2001129383A
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JP
Japan
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reaction chamber
pump
sub
interior
main pump
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JP31222099A
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English (en)
Inventor
Shinji Yashima
伸二 八島
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 主ポンプと副ポンプの同時稼働によるエネル
ギの浪費を緩和し、反応室内を大気に晒すことなく、省
エネルギ運転を行う。 【解決手段】 反応室内を真空排気する手段として、排
気経路に反応室側から順に主ポンプ及び副ポンプの2段
の排気ポンプが直列に接続されている基板処理装置にお
いて、反応室内を真空排気する排気運転モードとして、
主ポンプと副ポンプの両方を駆動して反応室内の真空排
気を行う第1の運転モードと、副ポンプのみを駆動して
反応室内の真空排気を行う第2の運転モードとを用意
し、基板処理時には第1の運転モードを選択し、それ以
外の非処理時には第2の運転モードを選択して、反応室
内の真空排気を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主ポンプと副ポン
プの2段の排気ポンプを備えた基板処理装置の排気制御
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体を製造する基板処理装置の中に、
基板を処理するための反応室内を真空排気する手段とし
て、排気経路に反応室側から順に、主ポンプ及び副ポン
プの2段の排気ポンプを直列に接続した構造のものが知
られている。
【0003】ここで使用する主ポンプは、到達真空度を
上げる目的で使用されるポンプであり、ある圧力から到
達真空圧力までを真空引きするときに使用できるよう
に、予め仕様が決められて製作されている。従って、あ
る圧力よりも高い圧力(大気圧近く)で稼働させると損
傷の原因になる。そこで、例えば反応室内が大気圧の場
合、主ポンプの排気側に接続した補助の副ポンプで、主
ポンプの許容範囲となるある圧力まで真空排気し、ある
所定圧になったところで主ポンプを稼働させて、更に真
空度を上げるようにしている。なお、主ポンプが稼働し
た後も副ポンプを稼働させるのは、主ポンプの排気側圧
力を低くして、主ポンプの性能維持に役立てるためであ
る。
【0004】ところで、この種の主ポンプと副ポンプを
排気系に備えた基板処理装置では、夜間等の待機時間帯
においても、反応室内を減圧状態に保って大気に晒さな
いようにするため、主ポンプと副ポンプの両方のポンプ
を稼働状態にすることが一般的に行われている。
【0005】これは、もし反応室内を減圧状態にしてお
かないと、反応室内に排気側から気体や水分が入り込ん
だり、また、仮に排気側から気体が入り込まないように
バルブ等で閉じていても、ガス導入管や反応室、排気管
等の継ぎ目から気体や水分が反応室内に入り込んだり
し、その結果、反応室内が汚染されて、製造する半導体
の品質を保証できなくなるからである。また、例えば、
反応室内に加熱用ヒータを装備している場合には、反応
室内を大気に晒すことでヒータの電源を落とさなければ
ならなくなり、そうした場合、次回反応室を立ち上げる
際に、前回と同じ装置の状態を作り出すのに時間がかか
って効率が悪くなってしまうからである。そのために、
基板を処理する時以外の待機時間帯であっても、常時継
続的に反応室内を減圧しておき、大気に晒さないように
しているのである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来では、
基板処理を行っていない待機時間帯にも、主ポンプと副
ポンプの2台の排気ポンプを常時稼働しているので、エ
ネルギの浪費が大きかった。
【0007】本発明は、上記事情を考慮し、主ポンプと
副ポンプの同時稼働によるエネルギの浪費を緩和し、反
応室内を大気に晒すことなく、省エネルギ運転ができる
排気制御方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板を処理す
るための反応室内を真空排気する手段として、排気経路
に反応室側から順に主ポンプ及び副ポンプの2段の排気
ポンプが直列に接続されている基板処理装置において、
基板処理時には前記主ポンプと副ポンプの両方を駆動し
て反応室内の真空排気を行い、それ以外の非処理時には
反応室内の真空排気を行うことを特徴とする。
【0009】この発明では、反応室内で基板処理を行う
際には、主ポンプと副ポンプの同時駆動により、排気効
率を高めて反応室内の真空度を上げる。また、それ以外
の非処理時間帯には、主ポンプを停止し、副ポンプのみ
を稼働して真空排気を継続する。従って、非処理時間帯
に主ポンプを停止することにより、その分省エネルギ効
果を上げることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1は、基板処理装置における反応
室と排気系の構成を示している。図において、反応室1
の上部に処理ガス導入経路が接続され、反応室1の底部
に排気経路が接続され、該排気経路に反応室1側から順
に、調圧バルブ2、排気メインバルブ3、主ポンプ4、
副ポンプ5が直列に接続されている。
【0011】主ポンプ3はメカニカルブースターポンプ
やターボ分子ポンプよりなり、副ポンプ4はドライポン
プよりなる。これらの主ポンプ3及び副ポンプ4はON
/OFF制御され、反応室1内の圧力は調圧バルブ2に
よって制御される。
【0012】主ポンプ3と副ポンプ4による排気モード
としては、主ポンプ3と副ポンプ4を同時駆動する第1
の運転モードと、主ポンプ3を停止し副ポンプ4のみを
駆動する第2の運転モードがあり、成膜等の基板処理時
には、第1の運転モードを選択して設定することによ
り、主ポンプ3と副ポンプ4の同時稼働により、反応室
1内の真空排気を行う。また、基板搬入出時や夜間等待
機時間帯には、第2の運転モードを選択して設定するこ
とにより、主ポンプ3を停止して、副ポンプ4のみの稼
働により、反応室1内の真空排気を行う。
【0013】図2は、ウェーハ(基板)に対する成膜処
理を繰り返し行うときの主ポンプ3と副ポンプ4の運転
状態を示すタイムチャートである。成膜処理の前後にウ
ェーハの搬入・搬出工程があり、成膜処理時には、その
前後のある時間幅を含む時間帯だけ主ポンプ3と副ポン
プ4を同時駆動するが、ウェーハの搬入・搬出工程の中
の主な時間帯には、主ポンプ3を停止し、副ポンプ4の
みを駆動する。このように、ウェーハの搬入・搬出時に
主ポンプ3を停止することにより、省エネルギ効果を得
ることができる。
【0014】なお、待機時間帯に副ポンプ4のみ稼働し
て真空排気するときに、窒素ガス等の不活性ガスで反応
室1内をパージしてもよい。
【0015】因みに、第1の運転モードを設定し、主ポ
ンプ3と副ポンプ4を同時駆動しているときには、反応
室1内を0.1Pa程度の圧力に維持することができ
る。また副ポンプ4のみ駆動しているときには、反応室
1内を1Pa程度の圧力に維持することができる。
【0016】このように、待機時間帯や基板の搬入出時
間帯に主ポンプ3を停止することにより、実験例では
0.7kwhの省エネルギ効果を得ることができた。こ
れは装置全体の電力消費量の約25%に当たる。また、
主ポンプ3を停止することにより、排気ポンプからの放
熱が減少するので、工場設備(冷却水、熱排気)の負荷
低減も可能になる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を処理していないときには、主ポンプを停止し、副
ポンプのみを稼働させて反応室を真空排気するので、消
費電力を低減し、結果的に製品の製造コストを低減する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実施するための基板処理装置の概略構
成図である。
【図2】本発明の実施形態の内容を示すタイムチャート
である。
【符号の説明】
1反応室 3 主ポンプ 4 副ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/203 H01L 21/205 5F103 21/205 21/302 B Fターム(参考) 3H031 DA00 DA01 DA02 EA00 EA05 EA11 FA37 FA40 3H032 NA09 4K029 BD01 DA02 5F004 AA16 BC02 CA02 CA08 CA09 5F045 BB08 EG03 5F103 BB47 BB59

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理するための反応室内を真空排
    気する手段として、排気経路に反応室側から順に主ポン
    プ及び副ポンプの2段の排気ポンプが直列に接続されて
    いる基板処理装置において、 基板処理時には前記主ポンプと副ポンプの両方を駆動し
    て反応室内の真空排気を行い、 それ以外の非処理時には反応室内の真空排気を行うこと
    を特徴とする基板処理装置の排気制御方法。
JP31222099A 1999-11-02 1999-11-02 基板処理装置の排気制御方法 Pending JP2001129383A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012169643A (ja) * 2004-06-07 2012-09-06 Edwards Ltd 処理システムのオペレーションを制御する方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012169643A (ja) * 2004-06-07 2012-09-06 Edwards Ltd 処理システムのオペレーションを制御する方法
US9081379B2 (en) 2004-06-07 2015-07-14 Edwards Limited Evacuation system alerts based on process tool systems bus monitoring

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