JP2001118766A - X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法

Info

Publication number
JP2001118766A
JP2001118766A JP29356999A JP29356999A JP2001118766A JP 2001118766 A JP2001118766 A JP 2001118766A JP 29356999 A JP29356999 A JP 29356999A JP 29356999 A JP29356999 A JP 29356999A JP 2001118766 A JP2001118766 A JP 2001118766A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
mask
wafer
exposure
ray mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29356999A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Ine
秀樹 稲
Kenji Itoga
賢二 糸賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Canon Inc
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc, Mitsubishi Electric Corp filed Critical Canon Inc
Priority to JP29356999A priority Critical patent/JP2001118766A/ja
Publication of JP2001118766A publication Critical patent/JP2001118766A/ja
Priority to US10/223,301 priority patent/US6770408B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167X-ray
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/167X-ray
    • Y10S430/168X-ray exposure process

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】X線マスク面上に付着した所定の高さを有する
異物を高精度に検出し、高集積度のデバイスを製造する
ことができるX線マスク及びそれを用いたデバイスの製
造方法を得ること。 【解決手段】X線ビームを用いて露光基板に回路パター
ンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置に
用いられるX線マスクであって、該X線マスクはX線吸
収体を積層するX線透過膜と、該X線透過膜を保持する
保持枠とを有し、該X線透過膜はその周辺部が該保持枠
に均一な段差構造部を有するように保持されているこ
と。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はX線マスク及びそれ
を用いたデバイスの製造方法に関し、IC,LSIなど
の半導体デバイス、CCD,液晶パネル,磁気ヘッドな
どのデバイス(以下「デバイス」と総称する)を製造す
る際に使用される回路パターンが形成されているマスク
等の基板上の異物の有無状態(有無及びその大きさな
ど)を検出し、高集積度のデバイスを製造する際に好適
なものである。
【0002】特に本発明はシンクロトロン放射装置であ
る電子蓄積リング(以下SR)から出る波長7〜10Å
のX線を光源として、マスクとウエハーを数十μm程度
の間隔に対向配置してマスクのパターンをウエハーへ等
倍で露光転写する半導体露光方法(Proximity X-ray
Lithography:以下「PXL」という)に適用することで格
別な効果を生ずるものである。
【0003】
【従来の技術】一般にIC製造工程においてはマスク等
の基板上に形成されている回路パターンを露光装置によ
りレジストが塗布されたウエハー上に転写している。こ
の際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると、転写する
際、異物も同時に転写されてしまい、ICやLSI製造
の歩留まりを低下させる。
【0004】従来のPXLにおいては、マスクをウエハ
ーに対してギャップ(間隔)10〜30μmで対峙さ
せ、フレネル回折により、マスク・パターンをウエハー
上に転写する。
【0005】このPXL方式の露光装置としては、現
在、最大露光範囲として角52mmの露光装置が提案さ
れている。最大露光範囲が角52mmということは、等
倍で露光を行っても、4インチ以上の大きさのウエハー
では1回の露光のみでウエハー全体を露光することはで
きない。
【0006】PXLにおいては、ステッパーと呼ばれて
いる繰り返し縮小露光装置のように、ウエハーを順次移
動させながら露光して、ウエハー全面の露光を行う。そ
の為PXL方式の露光装置は等倍X線Stepperと呼ばれ
ることもある。
【0007】解像力としては、既に100nm以下の結
果や、アライメント結果として20nm以下の報告がさ
れており、1Gビット以降のデバイス用の露光方式にな
りうる可能性のあることが知られている。
【0008】このPXLの特殊性の一つとして、X線マ
スクが上げられる。次にこのX線マスクの従来での製造
工程について、図20以降を使用して説明する。但しマ
スクやウエハーやその上の膜の厚さに対しては、判別で
きる様に、実際の厚さの割合とは異なる比率で記載す
る。
【0009】PXL用のマスクは、図20に示す様に、
Siウエハー1を基板として用意し、図21の様にSi
ウエハー1上にメンブレンと呼ばれている2〜3μ厚の
SiC膜2を付ける。
【0010】Siウエハー1にSiC膜2を付ける時に
は、実際にはウエハー両面と側面にもSiC膜が付く
が、裏面と側面側は、機能として果たさないので、図2
1以降では、削除して記載する。
【0011】次に、図22の様にSiC面2を研磨して
平坦化したSiC膜23のように、エッチングストッパ
ーとして、又X線吸収層との親密性の為のITO膜又は
SiO2膜3をつける。その後、図9の様にX線吸収材
4としてWやTaやTa4B等のX線吸収の割合高いも
のを厚さ、0.3〜0.5μmで付ける。そして、図2
5の様に、レジスト塗布し、電子ビーム描画機により所
望のパターンを描画し、現像、エッチング、レジスト剥
離により、X線吸収体4よりパターンを形成する。
【0012】次に図26に示す様にパターン部の反対側
をバックエッチで、Siウエハ1を削除し、露光範囲の
Si部5をX線が透過できるようにする。そして、最後
に図27に示す様にSiウエハー1の周囲をフレーム6
にマウントしてX線マスクができあがる。
【0013】描画誤差を最も少なくするには、図25の
次に図28の様にフレーム6にSiウエハー1をマウン
トし、図29の様に露光範囲の部分5のSi1をバック
エッチして、X線が透過できるようにする。その後、図
29(図27と同じ)の様に、レジスト塗布し、電子ビ
ーム描画機により所望のパターンを描画し、現像、エッ
チング、レジスト剥離により、X線吸収体4によりパタ
ーンを形成する方が良い事は知られている。
【0014】しかしながら、フレーム6をSi1にマウ
ントした後に、描画プロセスを通すと、熱によってSi
1とフレーム6とのマウントがはがれてしまう問題が有
り、現状では、図20〜27の様な工程で、X線マスク
を作成している場合が多い。
【0015】このフレームはサポートリングとも呼ばれ
る事があり、材質としては、パイレックスやSiCなど
があり、メンブレンにマウントするには、陽極接合(ア
ノーディック・ボンディング)や接着剤を使用してい
る。
【0016】又図35に示す様なフレーム6もSi1で
ある一体型フレーム33(図35)で、Siウエハー基
板1とフレーム6を一体に作成する工程も提案されてい
る。
【0017】
【発明が解決しようとしている課題】PXLの特有の問
題点として、マスクとウエハとの露光ギャップ以上の異
物がウエハー・マスク(特にSiCメンブレン)間には
さまれた時、マスクのSiC部が壊れてしまう事が上げ
られる。
【0018】今、露光ギャップを10μmとすると、1
0μm以上の異物がウエハー・マスク間に存在するの
は、高歩留まりの考えが徹底されている半導体製造には
あり得ない様に映る。しかしながら、ウエハーやマスク
の有効部以外の周辺部に異物が付いたときには、PXL
の固有の問題点となる。
【0019】このマスクやウエハーの周辺部に付いた異
物については、現在の半導体製造で使用されているもの
のほとんどがマスクのパターンを投影光学系でウエハに
投影露光する、所謂、光露光装置である為に問題となっ
ていない。光露光装置では、ウエハーと露光装置の投影
光学系との距離は少なくとも1cm以上あり、更にウエ
ハーの周辺部はIC作成に使用していない。この為ウエ
ハー周辺の異物については、検査も行っていないのが現
状である。
【0020】そこで、本発明者が、ウエハー周辺部の状
態を観察したところ、該ウエハー周辺部には大きな異物
が附着していることが多かった。これは、現在の高歩留
まりの考えが徹底されている半導体製造り多くにおい
て、ウエハー周辺部に大きな異物が大変たくさん存在し
ている事が判った。
【0021】しかしながら、前述の様に光露光装置を使
用して限りでは、ウエハーの周辺部の異物に関しては、
現状では、問題としていない。但し判っていないだけ
で、この異物がウエハー周辺部から、なんらかの理由で
移動して(離れて)、それがウエハーパターン(有効
面)上に移動して、問題となる可能性はある。この対策
としては、既に存在するパターン付きウエハー上の異物
を検出するウエハー異物検査装置を使用して、検査し
て、歩留まり低下を防いでいる。
【0022】しかしながら、PXLにおいては、この周
辺部の異物が問題となってくる。
【0023】例えば図31の様に、ウエハー12の周辺
部に異物13が付いていて、マスク11と所定のギャッ
プでPXLで露光するとする。そして図32の様にウエ
ハー12が移動して、ウエハー12の周辺部の近くを露
光する場合には、ウエハー12に付いた異物13に力が
加わる。
【0024】この時は、マスク11のSi部1がバック
エッチされていない部分に異物13は触るので、この事
でマスク11が壊れることはない。
【0025】しかしながら露光後ウエハー12の別の部
分を露光する為にウエハー12が移動する事で、先に異
物13に力が加えられた為に、このウエハー12が移動
する事で、この異物13もウエハー12から離れて移動
する。
【0026】そこで、異物13が移動して、図33に示
す様にマスク11のバックエッチジされた転写パターン
部5のSiC部2に相当する領域に附着して、露光、ウ
エハー駆動を繰り替えすと、再度、異物13に力が加わ
る。そうすると、今度はSiC部2が2〜3μの厚さと
なっているので、SiC部2が壊れてしまう事になる。
【0027】ここまではウエハー12周辺に異物が付い
た場合を述べたが、マスク11周辺部に異物が付いても
同様な事が起こる。
【0028】図34にその状態を示す。これはまず、ウ
エハーへの露光の最初のショットの方でマスク1に付い
ていた異物13が、ウエハー12との間ではさまれ力が
加わる。この時でマスク11が壊れないのは、前述のウ
エハー周辺部に異物が付いた場合と同様で、次にウエハ
ー12が移動して、図34の様に異物13が、マスク1
1のSi部がバックエッチされているSiC部2の相当
する領域に付いて、マスク11が壊れてしまう事になる
のも同様である。
【0029】この様に光露光方式では問題になっていな
かったウエハー、マスク周辺部での異物が、特に露光ギ
ャップ以上の大きな異物によりマスク破壊と言う大きな
問題点が発生している。
【0030】又マスクが壊れなくても、移動した異物が
ウエハーに移動して、それが別の検査で検出されない
と、半導体本来の機能が達成されずに、歩留まり低下の
原因となる事は光露光方式での問題発生と同様である。
【0031】本発明者は、既に存在するパターン付きウ
エハー上の異物を検出するウエハー異物検査装置を使用
して、ウエハー・X線マスクに対して、周辺部を含めて
全面の異物検出について検討を行った。
【0032】既に存在するパターン付きウエハー上の異
物を検出するウエハー異物検査装置においては、例えば
その検出原理として、偏光した光を斜入射でウエハーに
照明し、そこから反射した光が、回路パターンでは、偏
光特性を維持したまま反射し、異物では無偏光状態とな
って反射する、と言った特徴を利用したものが存在す
る。
【0033】この検出原理の検査装置は、既に、製品化
され、実際に検出時間が8インチウエハーで1分以下と
いう高スループットで、かつ高信頼性な実績で、高歩留
まりに貢献してきている。
【0034】しかしながら、前述の様に、光露光装置に
おいては、ウエハー周辺部については、関心の外であっ
た。
【0035】我々の検討で、このウエハー異物検査装置
を使用する事で、マスクもウエハーにおいても、周辺部
でのSiのエッチと区別して、異物が検出できる事が判
明した。ところが、マスクの周辺部近傍では、本来の異
物の大きさ以上の信号が発生して、大きな異物と誤検出
する可能性がある事も同時に判明した。
【0036】この原因は、マスクに関しては、現状は、
周辺部に関しては構造的になにも考えて作成されていな
い。この為CVD装置においては、ウエハーを支持する
場合に周辺部への異物の附着や、周辺からの影響による
SiC膜厚ムラや吸収体の膜厚ムラや、フレームへのマ
ウント等の時のマスク・ハンドリングで、ピンセット等
によってひっかかれた事による膜はがれが、マスク周辺
部には、存在している。
【0037】これらを現行に存在するパターン付きウエ
ハーの異物検査機で、計測すると、10μm以上の大き
な異物と判断してしまう。
【0038】既存のウエハー異物検査装置は、その信号
から、事前に持っている信号出力と異物の相関テーブル
から、大きさを判定している。この検出原理から異物は
等方散乱するとしているが、一方、膜はがれや膜ムラ等
では、複雑な構造となって光が屈折・散乱して、偏光が
回ってしまって、それを検出してしまう為に、異物の等
方散乱の信号出力に比較して大きな信号出力を検出する
事になり、膜はがれ等については、実際の大きさ以上
の、10μm以上の大きな異物と判断してしまってい
る。
【0039】又ウエハー周辺では、搬送やキャリア装着
時に、異物がつぶされてしまって、大きさは大きいけれ
ども、高さの無い異物を検出していることが判明した。
【0040】しかしながら、膜はがれや膜ムラや、ウエ
ハー上の平坦な異物は、マスクを破壊する可能性のある
高さが10μm以上の異物では無い。
【0041】本発明はこのような、マスクを破壊する可
能性のある異物とそうでない異物と区別し、検出する事
ができ、高集積度のデバイスを容易に製造することがで
きるX線マスクと、該X線マスクを作成するのにより適
したX線マスクの製造方法、及びそれを用いたデバイス
の製造方法の提供を目的としている。
【0042】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明のX線マ
スクは、X線ビームを用いて露光基板に回路パターンを
転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置に用い
られるX線マスクであって、該X線マスクはX線吸収体
を積層するX線透過膜と、該X線透過膜を保持する保持
枠とを有し、該X線透過膜はその周辺部が該保持枠に均
一な段差構造部を有するように保持されていることを特
徴としている。
【0043】請求項2の発明のX線マスクは、X線ビー
ムを用いて露光基板に回路パターンを転写して半導体デ
バイスを製造する為の露光装置に用いられるX線マスク
であって、該X線マスクはX線吸収体を積層するX線透
過膜と、該X線透過膜を保持する保持枠とを有し、該X
線透過膜は、該保持枠の周辺部の一部又は全部を残し
て、均一な段差構造部を有するように保持されているこ
とを特徴としている。
【0044】請求項3の発明のX線マスクは、X線ビー
ムを用いて露光基板に回路パターンを転写して半導体デ
バイスを製造する為の露光装置に用いられるX線マスク
であって、該X線マスクは所望のパターンのX線吸収体
と該X線吸収体を保持するX線透過膜と、該X線透過膜
を保持する保持枠とを有し、該X線吸収体と該X線透過
膜の周辺部において、該保持枠と均一な段差構造となっ
ている事を特徴としている。
【0045】請求項4の発明は請求項1,2又は3の発
明において、前記X線吸収体と前記X線透過膜をそれら
の周辺部の一部を取り除く事で前記保持枠と均一な段差
構造としている事を特徴としている。
【0046】請求項5の発明は請求項3又は4の発明に
おいて、前記X線吸収体と前記X線透過膜がそれらの周
辺部において、取り除かれている領域を使用して、前記
X線マスクをハンドリングする事を特徴としている。
【0047】請求項6の発明の露光装置は、請求項1か
ら5のいずれか1項のX線マスクを用い、該X線マスク
に設けた回路パターンを該露光基板に転写していること
を特徴としている。
【0048】請求項7の半導体デバイスの製造方法は、
請求項6の露光装置を用いて回路パターンを転写した露
光基板を現像処理工程を介して半導体デバイスを製造し
ていることを特徴としている。
【0049】請求項8の半導体デバイスは請求項6の露
光装置を用いて製造したことを特徴としている。
【0050】請求項9の異物検査方法は、請求項1から
5のいずれか1項のX線マスクを用い、該X線マスクは
X線吸収体とX線透過膜が周辺部において、均一な段差
構造とする事で、X線マスク上の異物検査において均一
の段差からは均一な信号出力が得られるようにし、該X
線吸収体と該X線透過膜の周辺部と認識して、周辺部の
異物管理を行う事を特徴としている。
【0051】請求項10の発明のX線マスクの製造方法
は、X線ビームを用いて露光基板に回路パターンを転写
して半導体デバイスを製造する為の露光装置に用いられ
るX線マスクの製造方法であって、保持枠に保持された
X線透過膜の周辺部を除去することによって段差構造を
形成することを特徴としている。
【0052】請求項11の発明は請求項10の発明にお
いて、前記周辺部の除去はレジスト塗布、露光、現像、
エッチング、レジスト剥離の各工程を実行して行われる
ことを特徴としている。
【0053】請求項12の発明の露光方法は、請求項1
から5のいずれか1項のX線マスクを用い、該X線マス
クに設けた回路パターンを前記露光基板に転写すること
を特徴としている。
【0054】
【発明の実施の形態】以下に述べる実施形態において、
均一な段差構造部は、異物検査機において異物と判断さ
れる大きさの検出出力変化よりも小さい出力変化で連続
して均一に検出される様な段差構造となっている。より
好ましくは、段差構造そのものを除き、その形状変化が
異物検査機の検出分解能よりも小さい程度までの形状均
一性を有する段差構造にする。
【0055】図1は本発明のX線マスクの実施形態1の
要部断面図である。図2は従来のX線マスクの要部断面
図である。
【0056】本実施形態はマスクとウエハーとを10μ
m程度の露光ギャップ(間隔)で対向配置してPXLを
行うときにマスクとウエハとの間に10μm程度の異物
が挟入するのを防止している。
【0057】この為、X線マスクの構造として、周辺部
の、吸収体や、ITO,SiC膜を取り除いた、均一の
段差構造とする事で、マスク・ハンドリング時の傷つけ
の防止と、各種膜厚の不均一性を防止して、附着異物と
区別している。
【0058】図1において11はX線マスク、1は基板
であるSiウエハーである。2はメンブレンとしてのS
iC膜、3はITO膜又はSiO2膜、4はX線吸収体
である。5は開口部、6はマスクフレーム(フレー
ム)、7はマスクの周辺部の均一な段差構造部である。
【0059】従来のX線マスクは図2に示すように図2
の従来のマスクに関しては、現状は、周辺部に関しては
構造的になにも考えて作成されていなく、CVDによっ
て成膜時に、SiC2や吸収体4を全面付けていた為、
周辺部にSiC膜厚ムラや吸収体の膜厚ムラが発生した
り、マスク・ハンドリング時に発生したと思われる、ピ
ンセット等によってひっかかれた事による膜はがれ等お
こり、現行に存在するパターン付きウエハーの異物検査
機では10μm以上の大きな異物と判断するものばかり
存在する。
【0060】そこで、本発明のX線マスクは図1に示す
様に、少なくともハンドリングする領域に関して、Si
C2や吸収体4をエッチング等でとってしまって、ハン
ドリングはいつもSi基板1の領域7とする事で、大き
な異物と間違って検出する事を未然に防いでいる。
【0061】図1に示す様に、周辺部8は垂直段差構造
となり、ウエハーの異物検査機においては、周辺部に連
続した一定の信号出力の信号となる事から、これは周辺
部の垂直段差であると、判断するアルゴリズムを構成す
る必要がある。この一定の信号出力の信号からずれた時
は、この垂直段差部7に異物が本当に付いた場合であ
る。
【0062】このように本実施形態では所望のパターン
のX線吸収体4と該吸収体を保持するX線透過膜2と、
該X線透過膜2を保持する保持枠6とを有するX線マス
ク構造体において、該吸収体4と該X線透過膜2を周辺
部において、取り除いて均一の段差構造7とし、異物検
査において、均一の信号出力とする事で、段差を判定で
きるようにし、更に周辺部の該吸収体4と該X線透過膜
2を取り除いている領域7を使用して、X線マスク構造
体をハンドリングする事を特徴としている。
【0063】次に図1に示すX線マスクのマスク構造を
作成する工程について図8〜図14を用いて説明を行
う。
【0064】図8〜12までは、従来マスク作成工程で
の図20〜24までと同様である。即ち、PXL用のマ
スク11は、図8に示す様に、Siウエハー1を基板と
して用意し、図9の様にSiウエハー1上にメンブレン
と呼ばれている2〜3μ厚のSiC膜2を付ける。
【0065】Siウエハー1にSiC膜2を付ける時に
は、実際にはウエハー両面と側面にもSiC膜が付く
が、裏面と側面側は、機能として果たさないので、図9
以降では、削除して記載する。
【0066】次に、図10の様にSiC面を研磨して平
坦化し、、図11の様に、エッチングストッパーとし
て、又X線吸収体4との観察性を良くする為のITO膜
又はSiO2膜3をつける。そして図12の様にX線吸
収材4としてWやTaやTa4B等のX線吸収の割合高
いものを厚さ、0.3〜0.5μmで付ける。
【0067】次に図13に示す様に、吸収体4の上にレ
ジストを塗布し、周辺部のみの露光を行い、現像、エッ
チング、レジスト剥離を行う事で、吸収体4のうちの周
辺部の吸収体のみ取る。この露光は、周辺部を全部露光
するので、解像力を必要としない為、電子ビーム露光方
式で行う必要はない。
【0068】そこで、例えばマスクを使用した光等倍走
査型露光装置で行っても良いし、レーザーを使用したマ
スクレスの露光方式で良く、レジストも使用する方式に
適したものを使用する事ができる。
【0069】次に図14の様に、今度は吸収体4をマス
クとして、ITO膜3やSiC膜2をエッチングして、
周辺部のみを取ってしまう。この時、吸収体4のみをマ
スクとする事が問題である場合には、図13での最後の
レジスト剥離を行わずに、図14の様にする為に、レジ
ストと吸収体4の両方をエッチングのマスクとし使用す
る。
【0070】次に図15の様に、電子ビーム露光方式
で、X線吸収体4面上に所望のパターンを描画する。こ
の時、先の周辺部露光も電子ビームで行っている場合に
は、図13ないし図14でレジスト剥離を行わずに、こ
こでそのまま使用する事も可能である。
【0071】図13の周辺の露光を、例えば波長365
nmのi線で行っている場合には、レジストが電子ビー
ムと共通に使えないので、図13ないし図14でレジス
ト剥離を行って、ここで再度レジストを塗布して描画、
現像、エッチング、レジスト剥離を行う必要がある。
【0072】次に、図16に示す様にSiウエハー1の
開口部(中央部)5をパターン作成の反対側からバック
エッチして、図17に示す様にフレーム6にマウントす
る。この時にマスクをハンドリングする部分が、周辺部
の吸収体4やSiC膜2を取り去った部分7である。こ
うして、図17(これは図1と同じ)の様な、本発明の
X線マスクを作成している。
【0073】本実施形態において、X線マスクをより高
精度化する為には、図18の様に先に基板1をフレーム
6にマウントして、その後図19の様にバックエッチし
て開口部5を形成してから、電子ビーム描画する方法を
用いても良い。この点については、従来のX線マスクの
作成方法を示した、図28,29の場合と同様である。
【0074】本実施形態はX線マスクを作成するとき、
以上に示した様なマスク作成工程を行う事で、周辺部ま
で管理したX線マスクを作成し、これによってX線マス
クへの異物附着の場合と区別が可能としている。
【0075】特に本実施形態では、X線マスクの構造体
において、X線透過膜である、SiC膜やITO膜、T
a4B等の吸収体を周辺部のみ取り除き、その取り除い
た部分(均一段差構造部)(=Si)で、マスクを持っ
たり搬送したりする事で、マスクのX線透過膜である、
SiC膜やITO膜や、Ta4B等の吸収体を傷つける
事を未然に防ぐ事が可能となり、既存のウエハー異物検
査装置を使用しても、大きな異物と誤検出する事を防ぐ
事を可能としている。
【0076】次に本発明のX線マスクのその他の実施形
態について説明する。
【0077】X線マスクの周辺部のX線吸収体4、IT
O3,SiC膜2を取り除く為、実施形態1では、露光
とエッチングで行っていた。
【0078】本発明では、この方法に限定する必要はま
ったくない。
【0079】例えば、図12の基板1にSiC膜2を付
けたものに、レジストを塗布した後に、このウエハーを
回転させながら、ウエハーの裏側から化学溶剤を吹き付
ける事で、横や裏に回りこんだレジストを除去する、サ
イドリンスやバックリンスと呼ばれている方法の、化学
溶剤の吹き付ける量を多くする等の条件変更で、SiC
膜2の上側のレジストも除去する事ができる。
【0080】この事で、図13で説明した露光、現像を
行わなくても、周辺部でのレジストは除去されて均一な
段差構造となっているので、図13に示した状態となっ
ている。そして、図13以降は、前述の工程と同じ事を
行う事で本発明で提案するX線マスクのマスク構造とす
る事ができる。
【0081】本発明においてはあくまで、X線マスクの
周辺部の段差構造が均一になり、異物検査において均一
な信号出力となって段差と判断できれば良い。
【0082】更に、次の方法とすれば、図3,図4,図
5,図6に示す様に、直接マスキング部材9を、Siウ
エハー面1に接触させて、マスキングしながら、SiC
2,ITO3,吸収体4を成膜する方法でも本発明のX
線マスクの周辺部の段差構造を均一に構成する事が可能
である。
【0083】この時、段差構造は垂直とならないが均一
段差構造なので、ウエハー異物検査装置での検出にとっ
ては、異物が付いていなければ一定の信号出力となる
為、異物との区別は可能である。
【0084】又、図7に示す様に本出願人により特開平
2−181908号公報で既に提案されている、X線マ
スク構造体についても同様に適用する事で、同様な効果
を得る事ができる。
【0085】図7に示す様に、SiCメンブレン11の
保持枠10である、Siウエハーの周辺部10aが傾斜
面となっていて、Siウエハー全面にSiCメンブレン
11を成膜する構造ではない。
【0086】このSiC膜11は、プラズマCVDチャ
ンバー内に、成膜面積と等しい蒸着カバーにより限定し
た領域のみ膜付けが可能となっている。この方法では、
SiC膜面11と、蒸着カバーとの距離が、前述までの
方式に比較して、長くかつ相対関係が傾く事で、周辺部
の段差構造の均一性がばらつく場合がある。
【0087】そこで、前述までの様に、露光、エッチン
グの方法や、直接接触させるマスキングによる方法で周
辺部11を均一段差構造にしている。
【0088】尚、本発明のX線マスクは、今まで説明に
使用してきたマスク構造に限定するものでは、無い。例
えば、図11で基板1にITO膜3やSiO2膜2を付
ける事を述べてきた。これは吸収体4をエッチングする
時のエッチングストッパーとしての機能を果たすもので
ある。又X線マスクを通してウエハーのアライメントを
行う方式では、それに使用する光の波長に対して、Si
C膜2とこのITO膜3で反射防止膜や増透膜(完全な
反射防止でなくても透過率を上げる効果があるもの)と
する事もできる。
【0089】しかしながら、X線吸収体4の材質を選択
する事で、このITO膜やSiO2膜をつける必要がな
くなれば、その時は、本発明の目的を達成する為には、
同様に、X線吸収体4とSiC2を周辺部で、均一の段
差構造とすれば良い。
【0090】又、X線吸収体4とSiC2を周辺部で、
均一の段差構造とすれば良いので、X線吸収体4とSi
C2を取り除く時に、図36に示す様に、Si1まで削
る事も、均一の段差構造とできるのであれば、同じ効果
が発揮される。
【0091】更に図35の基板1とフレーム6とが一体
のフレーム一体型のX線マスクに対して、図37に示す
様に基板33の一部を均一の段差構造としても良く、こ
れによれば、前述と同様の効果を得る事ができる。
【0092】次に本発明に係る異物検査装置の一例につ
いて説明する。
【0093】図41に示す如く、照明光44をウエハ4
1表面に対して傾斜角度φで照射したのみでは、パター
ン42と異物43から同時に散乱光45と散乱光46が
発生するので、パターン42と異物43とを弁別して検
出することはできない。そこで照射光44として、偏光
レーザ光を使用し、異物43のみを検出する工夫を行な
っている。
【0094】図42に示す如く、ウエハ41上に存在す
るパターン42にS偏光レーザ光44を照射する。(こ
こでレーザ光44の電気ベクトル50がウエハ表面に平
行な場合をS偏光レーザ照明と呼ぶ。)一般に、パター
ン42の表面凹凸は微視的に見ると照明光の波長に比べ
十分小さく、光学的に滑らかであるので、その反射光4
5もS偏光成分51が保たれる。
【0095】従って、S偏光遮光の検光子53を反射光
45の光路中に挿入すれば、反射光45は遮光され、光
電変換素子47には到達しない。
【0096】一方、図43に示す如く、異物43からの
散乱光46にはS偏光成分に加えて、P偏光成分52も
含まれる。これは、異物43表面は粗く、偏光が解消さ
れる結果、P偏光成分52が発生するからである。従っ
て、検光子53を通過するP偏光成分54を光電変換素
子47により検出すれば異物43の検出が可能となる。
【0097】ここでパターン反射光は、図41に示す様
に、レーザ光44に対してパターン42の長手方向とな
す角度が直角な場合には、反射光45は検光子53によ
り完全に遮光されるが、この角度が直角と異なる場合は
完全には遮光されない。この考察は計測自動制御学会論
文集Vol.17,No.2,p.232〜p.242,1981に述べられてい
る。これによれば、この角度が直角より±30°以内の
範囲のパターンからの反射光のみが、ウエハ上方に設置
した対物レンズに入射するので、この範囲のパターン反
射光45は検光子53により完全には遮光されないが、
その強度は2〜3μmの異物からの散乱光と弁別できる
程度に小さいので実用上問題とならない。
【0098】図38は本発明のX線マスクを利用した半
導体素子(デバイス)製造用の露光装置の実施形態の要
部概略図である。
【0099】図38において、139はX線ビームでほ
ぼ平行光となって、マスク(X線マスク)134面上を
照射している。135はウエハーで、例えばX線用のレ
ジストが表面に塗布されている。133はマスクフレー
ム、134はマスクメンブレン(マスク)で、この面上
にX線の吸収体により回路パターンがパターニングされ
ている。
【0100】232はマスク支持体、136はウエハチ
ャック等のウエハー固定部材、137はz軸ステージ、
実際にはティルトが可能な構成になっている。138は
x軸ステージ、144はy軸ステージである。
【0101】マスク134とウエハー135のアライメ
ント検出機能部分(位置検出装置)は筐体130a,1
30bに収まっており、ここからマスク134とウエハ
ー135とのギャップとx,y面内方向の位置ずれ情報
を得ている。
【0102】図には2つのアライメント検出機能部分1
30a,130bを図示しているが、マスク134上の
4角のIC回路パターンエリアの各辺に対応して更に2
ヶ所にアライメント検出機能部分が設けられている。
【0103】筐体130a,130bの中には光学系、
検出系が収まっている。146a,146bは各アライ
メント系からのアライメント検出光である。
【0104】これらのアライメント検出機能部分により
得られた信号を処理手段140で処理して、xy面内の
ずれとギャップ値を求めている。そしてこの結果を判断
した後、所定の値以内に収まっていないと、各軸ステー
ジの駆動系142,141,143を動かして所定のマ
スク/ウエハずれ以内になるように追い込み、そして露
光歪みの影響による位置合わせ誤差を補正する量だけマ
スク支持体の駆動系147を介してマスク134を動か
すか、あるいはウエハ135を動かしている。然る後に
X線露光ビーム139をマスク134に照射している。
アライメントが終了するまではX線遮蔽部材(不図示)
でシャットしておく。
【0105】尚、図ではX線源やX線露光装置の例につ
いて示している。
【0106】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0107】図39は半導体デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造
フローを示す。
【0108】ステップ1(回路設計)では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【0109】一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【0110】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
【0111】ステップ6(検査)ではステップ5で作成
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0112】図40は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【0113】ステップ13(電極形成)ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
ちこみ)ではウエハにイオンを打ちこむ。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼き付け露光する。
【0114】ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
ってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0115】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【0116】
【発明の効果】本発明によれば、マスクを破壊する可能
性のある異物とそうでない異物と区別し、検出する事が
でき、高集積度のデバイスを容易に製造することができ
るX線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法及び
露光方法を達成することができる。
【0117】この他本発明によれば、X線マスクの周辺
部の構造を、均一段差構造とする事で、異物検査におい
て、均一の信号出力を得る事を可能として、この事で、
本当の異物と区別して大きな異物を検出する事を可能と
し、PXLにおける特殊性である、マスクとウエハーの
間に、露光ギャップ以上の異物が入り込んでマスクを破
壊する事を誤検出なしに、防ぐ事が可能となる。
【0118】この他本発明のX線マスクの製造方法によ
れば、X線透過膜が支持枠に支持された状態で周囲部を
除去するようにしたことにより、周囲部に均一構造の段
差をより形成しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX線マスクの構造を示す断面図
【図2】従来のX線マスクの構造を示す断面図
【図3】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するX線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図4】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するX線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図5】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するX線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図6】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するX線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図7】本出願人が既に提案済みの、シリコンウエハー
基板の周辺部が傾斜面となっているマスクに本発明を適
用した図
【図8】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造の
マスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチン
グを使用する方法を示す図
【図9】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造の
マスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチン
グを使用する方法を示す図
【図10】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図11】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図12】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図13】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図14】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図15】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図16】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図17】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図18】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図19】本発明のX線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図20】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図21】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図22】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図23】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図24】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図25】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図26】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図27】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図28】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図29】従来のX線マスクを作成する方法を示す図
【図30】ウエハー周辺に附着した異物が、マスクとウ
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
【図31】ウエハー周辺に附着した異物が、マスクとウ
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
【図32】ウエハー周辺に附着した異物が、マスクとウ
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
【図33】マスク周辺に附着した異物が、マスクとウエ
ハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、マ
スクを破壊してしまう流れを示した図
【図34】マスク周辺に附着した異物が、マスクとウエ
ハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、マ
スクを破壊してしまう流れを示した図
【図35】マスクとフレームが一体型の構成を示す図
【図36】周辺部をSiまで削りこんだ構造のマスク構
造を示す図
【図37】マスクとフレームが一体型の構成のマスクに
本発明を適用したマスク構造を示す図
【図38】本発明のX線マスクを半導体素子製造用の露
光装置に適用したときの実施形態の要部概略図
【図39】本発明の半導体素子の製造のフローチャート
【図40】本発明の半導体素子の製造のフローチャート
【図41】本発明に係る異物検査機の説明図
【図42】本発明に係る異物検査機の説明図
【図43】本発明に係る異物検査機の説明図
【符号の説明】
1:シリコンウエハー基板 2:SiC メンブレン 3:ITO 又はSiO2膜 4:吸収体 5:バックエッチ 領域 6:フレーム 7:周辺部の、吸収体、ITO, SiC,を取り除い
た領域(周辺部の均一な構造部(垂直段差部)) 8:周辺部の均一な構造部(垂直段差部) 9:接着式マスキング部材 10:傾斜面である、シリコンウエハー基板 11:X線マスク 12:ウエハー 13:所定露光ギャップ以上の大きさの異物 33:Siの一体型フレーム 133:マスクフレーム 134:マスクメンブレン 135:ウエハー 136:ウエハーチャック 137:z軸ステージ 138:x軸ステージ 139:X線ビーム 140:信号処理手段 141,142,143:駆動系 144:y軸ステージ 146a,146b:位置ずれ検出光 147:マスク支持体の駆動系 232:マスク支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 糸賀 賢二 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BA10 BB02 BB05 BB29 BB30 BD05 2H097 BA04 BA06 CA15 GA45 JA02 JA03 LA10 LA12 5F046 GA02 GA04 GC04 GD17 GD20

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線ビームを用いて露光基板に回路パタ
    ーンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置
    に用いられるX線マスクであって、該X線マスクはX線
    吸収体を積層するX線透過膜と、該X線透過膜を保持す
    る保持枠とを有し、該X線透過膜はその周辺部が該保持
    枠に均一な段差構造部を有するように保持されているこ
    とを特徴とするX線マスク。
  2. 【請求項2】 X線ビームを用いて露光基板に回路パタ
    ーンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置
    に用いられるX線マスクであって、該X線マスクはX線
    吸収体を積層するX線透過膜と、該X線透過膜を保持す
    る保持枠とを有し、該X線透過膜は、該保持枠の周辺部
    の一部又は全部を残して、均一な段差構造部を有するよ
    うに保持されていることを特徴とするX線マスク。
  3. 【請求項3】 X線ビームを用いて露光基板に回路パタ
    ーンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置
    に用いられるX線マスクであって、該X線マスクは所望
    のパターンのX線吸収体と該X線吸収体を保持するX線
    透過膜と、該X線透過膜を保持する保持枠とを有し、該
    X線吸収体と該X線透過膜の周辺部において、該保持枠
    と均一な段差構造となっている事を特徴とするX線マス
    ク。
  4. 【請求項4】 前記X線吸収体と前記X線透過膜をそれ
    らの周辺部の一部を取り除く事で前記保持枠と均一な段
    差構造としている事を特徴とする請求項1,2又は3の
    X線マスク。
  5. 【請求項5】 前記X線吸収体と前記X線透過膜がそれ
    らの周辺部において、取り除かれている領域を使用し
    て、前記X線マスクをハンドリングする事を特徴とし
    た、請求項3又は4のX線マスク。
  6. 【請求項6】 請求項1から5のいずれか1項のX線マ
    スクを用い、該X線マスクに設けた回路パターンを該露
    光基板に転写していることを特徴とする露光装置。
  7. 【請求項7】 請求項6の露光装置を用いて回路パター
    ンを転写した露光基板を現像処理工程を介して半導体デ
    バイスを製造していることを特徴とする半導体デバイス
    の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項6の露光装置を用いて製造したこ
    とを特徴とする半導体デバイス。
  9. 【請求項9】 請求項1から5のいずれか1項のX線マ
    スクを用い、該X線マスクはX線吸収体とX線透過膜が
    周辺部において、均一な段差構造とする事で、X線マス
    ク上の異物検査において均一の段差からは均一な信号出
    力が得られるようにし、該X線吸収体と該X線透過膜の
    周辺部と認識して、周辺部の異物管理を行う事を特徴と
    する異物検査方法。
  10. 【請求項10】 X線ビームを用いて露光基板に回路パ
    ターンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装
    置に用いられるX線マスクの製造方法であって、保持枠
    に保持されたX線透過膜の周辺部を除去することによっ
    て段差構造を形成することを特徴とするX線マスクの製
    造方法。
  11. 【請求項11】 前記周辺部の除去はレジスト塗布、露
    光、現像、エッチング、レジスト剥離の各工程を実行し
    て行われることを特徴とする請求項10に記載のX線マ
    スクの製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項1から5のいずれか1項のX線
    マスクを用い、該X線マスクに設けた回路パターンを前
    記露光基板に転写することを特徴とする露光方法。
JP29356999A 1999-10-15 1999-10-15 X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法 Pending JP2001118766A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29356999A JP2001118766A (ja) 1999-10-15 1999-10-15 X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法
US10/223,301 US6770408B2 (en) 1999-10-15 2002-08-20 Dust particle inspection method for X-ray mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29356999A JP2001118766A (ja) 1999-10-15 1999-10-15 X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001118766A true JP2001118766A (ja) 2001-04-27

Family

ID=17796448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29356999A Pending JP2001118766A (ja) 1999-10-15 1999-10-15 X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6770408B2 (ja)
JP (1) JP2001118766A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6448491B2 (ja) * 2015-07-13 2019-01-09 東芝メモリ株式会社 パーティクル測定用マスク

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2596958B2 (ja) 1988-01-12 1997-04-02 三菱重工業株式会社 圧延機のロールオシレーション装置
JPH03221848A (ja) * 1990-01-26 1991-09-30 Canon Inc 異物検査装置
US5790247A (en) * 1995-10-06 1998-08-04 Photon Dynamics, Inc. Technique for determining defect positions in three dimensions in a transparent structure
JPH11307442A (ja) 1998-04-24 1999-11-05 Hoya Corp X線マスク及びx線マスクブランク並びにそれらの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020197545A1 (en) 2002-12-26
US6770408B2 (en) 2004-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2710967B2 (ja) 集積回路装置の製造方法
JPH0576778B2 (ja)
US5585918A (en) Foreign particle inspecting system
JP2005033177A (ja) 反射率測定によるエッジビード除去の検査
JP3412898B2 (ja) 反射型マスクの作製方法と作製装置、これによる反射型マスクを用いた露光装置とデバイス製造方法
US9607833B2 (en) System and method for photomask particle detection
US5978078A (en) System and method for detecting particles on substrate-supporting chucks of photolithography equipment
US6521889B1 (en) Dust particle inspection apparatus, and device manufacturing method using the same
US5742386A (en) Apparatus for detecting foreign matter on a substrate, and an exposure apparatus including the same
JP2001291752A (ja) 異物検査方法及び装置、及び該検査方法を用いた露光装置
JP5275763B2 (ja) マスク欠陥検査方法および半導体装置の製造方法
JPH11219891A (ja) マスクの検査方法および装置
US9721783B2 (en) Methods for particle reduction in semiconductor processing
JP2001118766A (ja) X線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2004095925A (ja) アライメント方法、アライメント基板、アライメント基板の製造方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法
US10877382B2 (en) Method for handling mask and lithography apparatus
JP2911297B2 (ja) X線露光法
KR20080070887A (ko) 반도체 제조 장치
JP2002365786A (ja) マスクの欠陥検査方法
JPH09232220A (ja) レジストパタ−ン形成方法
JPS63103951A (ja) ゴミ検査装置
KR20060121562A (ko) 포토리소그래피용 웨이퍼 이송 장치
JP2003151902A (ja) 露光装置とこれによる半導体デバイス
JPH07130645A (ja) X線露光用マスク及びそれを用いたx線露光装置
JP2000260700A (ja) 露光方法及びそれを用いた露光装置