JP2001118766A - Ｘ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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-
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- G03F1/84—Inspecting
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｘ線マスク面上に付着した所定の高さを有する
異物を高精度に検出し、高集積度のデバイスを製造する
ことができるＸ線マスク及びそれを用いたデバイスの製
造方法を得ること。 【解決手段】Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パター
ンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置に
用いられるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクはＸ線吸
収体を積層するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する
保持枠とを有し、該Ｘ線透過膜はその周辺部が該保持枠
に均一な段差構造部を有するように保持されているこ
と。
異物を高精度に検出し、高集積度のデバイスを製造する
ことができるＸ線マスク及びそれを用いたデバイスの製
造方法を得ること。 【解決手段】Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パター
ンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置に
用いられるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクはＸ線吸
収体を積層するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する
保持枠とを有し、該Ｘ線透過膜はその周辺部が該保持枠
に均一な段差構造部を有するように保持されているこ
と。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線マスク及びそれ
を用いたデバイスの製造方法に関し、ＩＣ，ＬＳＩなど
の半導体デバイス、ＣＣＤ，液晶パネル，磁気ヘッドな
どのデバイス（以下「デバイス」と総称する）を製造す
る際に使用される回路パターンが形成されているマスク
等の基板上の異物の有無状態（有無及びその大きさな
ど）を検出し、高集積度のデバイスを製造する際に好適
なものである。
を用いたデバイスの製造方法に関し、ＩＣ，ＬＳＩなど
の半導体デバイス、ＣＣＤ，液晶パネル，磁気ヘッドな
どのデバイス（以下「デバイス」と総称する）を製造す
る際に使用される回路パターンが形成されているマスク
等の基板上の異物の有無状態（有無及びその大きさな
ど）を検出し、高集積度のデバイスを製造する際に好適
なものである。
【０００２】特に本発明はシンクロトロン放射装置であ
る電子蓄積リング（以下ＳＲ）から出る波長７〜１０Å
のＸ線を光源として、マスクとウエハーを数十μm程度
の間隔に対向配置してマスクのパターンをウエハーへ等
倍で露光転写する半導体露光方法（Proximity X-ray
Lithography：以下「PXL」という）に適用することで格
別な効果を生ずるものである。
る電子蓄積リング（以下ＳＲ）から出る波長７〜１０Å
のＸ線を光源として、マスクとウエハーを数十μm程度
の間隔に対向配置してマスクのパターンをウエハーへ等
倍で露光転写する半導体露光方法（Proximity X-ray
Lithography：以下「PXL」という）に適用することで格
別な効果を生ずるものである。
【０００３】
【従来の技術】一般にＩＣ製造工程においてはマスク等
の基板上に形成されている回路パターンを露光装置によ
りレジストが塗布されたウエハー上に転写している。こ
の際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると、転写する
際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣやＬＳＩ製造
の歩留まりを低下させる。
の基板上に形成されている回路パターンを露光装置によ
りレジストが塗布されたウエハー上に転写している。こ
の際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると、転写する
際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣやＬＳＩ製造
の歩留まりを低下させる。
【０００４】従来のＰＸＬにおいては、マスクをウエハ
ーに対してギャップ（間隔）１０〜３０μmで対峙さ
せ、フレネル回折により、マスク・パターンをウエハー
上に転写する。
ーに対してギャップ（間隔）１０〜３０μmで対峙さ
せ、フレネル回折により、マスク・パターンをウエハー
上に転写する。
【０００５】このＰＸＬ方式の露光装置としては、現
在、最大露光範囲として角５２ｍｍの露光装置が提案さ
れている。最大露光範囲が角５２ｍｍということは、等
倍で露光を行っても、４インチ以上の大きさのウエハー
では１回の露光のみでウエハー全体を露光することはで
きない。
在、最大露光範囲として角５２ｍｍの露光装置が提案さ
れている。最大露光範囲が角５２ｍｍということは、等
倍で露光を行っても、４インチ以上の大きさのウエハー
では１回の露光のみでウエハー全体を露光することはで
きない。
【０００６】ＰＸＬにおいては、ステッパーと呼ばれて
いる繰り返し縮小露光装置のように、ウエハーを順次移
動させながら露光して、ウエハー全面の露光を行う。そ
の為ＰＸＬ方式の露光装置は等倍Ｘ線Stepperと呼ばれ
ることもある。
いる繰り返し縮小露光装置のように、ウエハーを順次移
動させながら露光して、ウエハー全面の露光を行う。そ
の為ＰＸＬ方式の露光装置は等倍Ｘ線Stepperと呼ばれ
ることもある。
【０００７】解像力としては、既に１００ｎｍ以下の結
果や、アライメント結果として２０ｎｍ以下の報告がさ
れており、１Ｇビット以降のデバイス用の露光方式にな
りうる可能性のあることが知られている。
果や、アライメント結果として２０ｎｍ以下の報告がさ
れており、１Ｇビット以降のデバイス用の露光方式にな
りうる可能性のあることが知られている。
【０００８】このＰＸＬの特殊性の一つとして、Ｘ線マ
スクが上げられる。次にこのＸ線マスクの従来での製造
工程について、図２０以降を使用して説明する。但しマ
スクやウエハーやその上の膜の厚さに対しては、判別で
きる様に、実際の厚さの割合とは異なる比率で記載す
る。
スクが上げられる。次にこのＸ線マスクの従来での製造
工程について、図２０以降を使用して説明する。但しマ
スクやウエハーやその上の膜の厚さに対しては、判別で
きる様に、実際の厚さの割合とは異なる比率で記載す
る。
【０００９】ＰＸＬ用のマスクは、図２０に示す様に、
Ｓｉウエハー１を基板として用意し、図２１の様にＳｉ
ウエハー１上にメンブレンと呼ばれている２〜３μ厚の
ＳｉＣ膜２を付ける。
Ｓｉウエハー１を基板として用意し、図２１の様にＳｉ
ウエハー１上にメンブレンと呼ばれている２〜３μ厚の
ＳｉＣ膜２を付ける。
【００１０】Ｓｉウエハー１にＳｉＣ膜２を付ける時に
は、実際にはウエハー両面と側面にもＳｉＣ膜が付く
が、裏面と側面側は、機能として果たさないので、図２
１以降では、削除して記載する。
は、実際にはウエハー両面と側面にもＳｉＣ膜が付く
が、裏面と側面側は、機能として果たさないので、図２
１以降では、削除して記載する。
【００１１】次に、図２２の様にＳｉＣ面２を研磨して
平坦化したＳｉＣ膜２３のように、エッチングストッパ
ーとして、又Ｘ線吸収層との親密性の為のＩＴＯ膜又は
ＳｉＯ２膜３をつける。その後、図９の様にＸ線吸収材
４としてＷやＴａやＴａ４Ｂ等のＸ線吸収の割合高いも
のを厚さ、０．３〜０．５μｍで付ける。そして、図２
５の様に、レジスト塗布し、電子ビーム描画機により所
望のパターンを描画し、現像、エッチング、レジスト剥
離により、Ｘ線吸収体４よりパターンを形成する。
平坦化したＳｉＣ膜２３のように、エッチングストッパ
ーとして、又Ｘ線吸収層との親密性の為のＩＴＯ膜又は
ＳｉＯ２膜３をつける。その後、図９の様にＸ線吸収材
４としてＷやＴａやＴａ４Ｂ等のＸ線吸収の割合高いも
のを厚さ、０．３〜０．５μｍで付ける。そして、図２
５の様に、レジスト塗布し、電子ビーム描画機により所
望のパターンを描画し、現像、エッチング、レジスト剥
離により、Ｘ線吸収体４よりパターンを形成する。
【００１２】次に図２６に示す様にパターン部の反対側
をバックエッチで、Ｓｉウエハ１を削除し、露光範囲の
Ｓｉ部５をＸ線が透過できるようにする。そして、最後
に図２７に示す様にＳｉウエハー１の周囲をフレーム６
にマウントしてＸ線マスクができあがる。
をバックエッチで、Ｓｉウエハ１を削除し、露光範囲の
Ｓｉ部５をＸ線が透過できるようにする。そして、最後
に図２７に示す様にＳｉウエハー１の周囲をフレーム６
にマウントしてＸ線マスクができあがる。
【００１３】描画誤差を最も少なくするには、図２５の
次に図２８の様にフレーム６にＳｉウエハー１をマウン
トし、図２９の様に露光範囲の部分５のＳｉ１をバック
エッチして、Ｘ線が透過できるようにする。その後、図
２９（図２７と同じ）の様に、レジスト塗布し、電子ビ
ーム描画機により所望のパターンを描画し、現像、エッ
チング、レジスト剥離により、Ｘ線吸収体４によりパタ
ーンを形成する方が良い事は知られている。
次に図２８の様にフレーム６にＳｉウエハー１をマウン
トし、図２９の様に露光範囲の部分５のＳｉ１をバック
エッチして、Ｘ線が透過できるようにする。その後、図
２９（図２７と同じ）の様に、レジスト塗布し、電子ビ
ーム描画機により所望のパターンを描画し、現像、エッ
チング、レジスト剥離により、Ｘ線吸収体４によりパタ
ーンを形成する方が良い事は知られている。
【００１４】しかしながら、フレーム６をＳｉ１にマウ
ントした後に、描画プロセスを通すと、熱によってＳｉ
１とフレーム６とのマウントがはがれてしまう問題が有
り、現状では、図２０〜２７の様な工程で、Ｘ線マスク
を作成している場合が多い。
ントした後に、描画プロセスを通すと、熱によってＳｉ
１とフレーム６とのマウントがはがれてしまう問題が有
り、現状では、図２０〜２７の様な工程で、Ｘ線マスク
を作成している場合が多い。
【００１５】このフレームはサポートリングとも呼ばれ
る事があり、材質としては、パイレックスやＳｉＣなど
があり、メンブレンにマウントするには、陽極接合（ア
ノーディック・ボンディング）や接着剤を使用してい
る。
る事があり、材質としては、パイレックスやＳｉＣなど
があり、メンブレンにマウントするには、陽極接合（ア
ノーディック・ボンディング）や接着剤を使用してい
る。
【００１６】又図３５に示す様なフレーム６もＳｉ１で
ある一体型フレーム３３（図３５）で、Ｓｉウエハー基
板１とフレーム６を一体に作成する工程も提案されてい
る。
ある一体型フレーム３３（図３５）で、Ｓｉウエハー基
板１とフレーム６を一体に作成する工程も提案されてい
る。
【００１７】
【発明が解決しようとしている課題】ＰＸＬの特有の問
題点として、マスクとウエハとの露光ギャップ以上の異
物がウエハー・マスク（特にＳｉＣメンブレン）間には
さまれた時、マスクのＳｉＣ部が壊れてしまう事が上げ
られる。
題点として、マスクとウエハとの露光ギャップ以上の異
物がウエハー・マスク（特にＳｉＣメンブレン）間には
さまれた時、マスクのＳｉＣ部が壊れてしまう事が上げ
られる。
【００１８】今、露光ギャップを１０μｍとすると、１
０μｍ以上の異物がウエハー・マスク間に存在するの
は、高歩留まりの考えが徹底されている半導体製造には
あり得ない様に映る。しかしながら、ウエハーやマスク
の有効部以外の周辺部に異物が付いたときには、ＰＸＬ
の固有の問題点となる。
０μｍ以上の異物がウエハー・マスク間に存在するの
は、高歩留まりの考えが徹底されている半導体製造には
あり得ない様に映る。しかしながら、ウエハーやマスク
の有効部以外の周辺部に異物が付いたときには、ＰＸＬ
の固有の問題点となる。
【００１９】このマスクやウエハーの周辺部に付いた異
物については、現在の半導体製造で使用されているもの
のほとんどがマスクのパターンを投影光学系でウエハに
投影露光する、所謂、光露光装置である為に問題となっ
ていない。光露光装置では、ウエハーと露光装置の投影
光学系との距離は少なくとも１ｃｍ以上あり、更にウエ
ハーの周辺部はＩＣ作成に使用していない。この為ウエ
ハー周辺の異物については、検査も行っていないのが現
状である。
物については、現在の半導体製造で使用されているもの
のほとんどがマスクのパターンを投影光学系でウエハに
投影露光する、所謂、光露光装置である為に問題となっ
ていない。光露光装置では、ウエハーと露光装置の投影
光学系との距離は少なくとも１ｃｍ以上あり、更にウエ
ハーの周辺部はＩＣ作成に使用していない。この為ウエ
ハー周辺の異物については、検査も行っていないのが現
状である。
【００２０】そこで、本発明者が、ウエハー周辺部の状
態を観察したところ、該ウエハー周辺部には大きな異物
が附着していることが多かった。これは、現在の高歩留
まりの考えが徹底されている半導体製造り多くにおい
て、ウエハー周辺部に大きな異物が大変たくさん存在し
ている事が判った。
態を観察したところ、該ウエハー周辺部には大きな異物
が附着していることが多かった。これは、現在の高歩留
まりの考えが徹底されている半導体製造り多くにおい
て、ウエハー周辺部に大きな異物が大変たくさん存在し
ている事が判った。
【００２１】しかしながら、前述の様に光露光装置を使
用して限りでは、ウエハーの周辺部の異物に関しては、
現状では、問題としていない。但し判っていないだけ
で、この異物がウエハー周辺部から、なんらかの理由で
移動して（離れて）、それがウエハーパターン（有効
面）上に移動して、問題となる可能性はある。この対策
としては、既に存在するパターン付きウエハー上の異物
を検出するウエハー異物検査装置を使用して、検査し
て、歩留まり低下を防いでいる。
用して限りでは、ウエハーの周辺部の異物に関しては、
現状では、問題としていない。但し判っていないだけ
で、この異物がウエハー周辺部から、なんらかの理由で
移動して（離れて）、それがウエハーパターン（有効
面）上に移動して、問題となる可能性はある。この対策
としては、既に存在するパターン付きウエハー上の異物
を検出するウエハー異物検査装置を使用して、検査し
て、歩留まり低下を防いでいる。
【００２２】しかしながら、ＰＸＬにおいては、この周
辺部の異物が問題となってくる。
辺部の異物が問題となってくる。
【００２３】例えば図３１の様に、ウエハー１２の周辺
部に異物１３が付いていて、マスク１１と所定のギャッ
プでＰＸＬで露光するとする。そして図３２の様にウエ
ハー１２が移動して、ウエハー１２の周辺部の近くを露
光する場合には、ウエハー１２に付いた異物１３に力が
加わる。
部に異物１３が付いていて、マスク１１と所定のギャッ
プでＰＸＬで露光するとする。そして図３２の様にウエ
ハー１２が移動して、ウエハー１２の周辺部の近くを露
光する場合には、ウエハー１２に付いた異物１３に力が
加わる。
【００２４】この時は、マスク１１のＳｉ部１がバック
エッチされていない部分に異物１３は触るので、この事
でマスク１１が壊れることはない。
エッチされていない部分に異物１３は触るので、この事
でマスク１１が壊れることはない。
【００２５】しかしながら露光後ウエハー１２の別の部
分を露光する為にウエハー１２が移動する事で、先に異
物１３に力が加えられた為に、このウエハー１２が移動
する事で、この異物１３もウエハー１２から離れて移動
する。
分を露光する為にウエハー１２が移動する事で、先に異
物１３に力が加えられた為に、このウエハー１２が移動
する事で、この異物１３もウエハー１２から離れて移動
する。
【００２６】そこで、異物１３が移動して、図３３に示
す様にマスク１１のバックエッチジされた転写パターン
部５のＳｉＣ部２に相当する領域に附着して、露光、ウ
エハー駆動を繰り替えすと、再度、異物１３に力が加わ
る。そうすると、今度はＳｉＣ部２が２〜３μの厚さと
なっているので、ＳｉＣ部２が壊れてしまう事になる。
す様にマスク１１のバックエッチジされた転写パターン
部５のＳｉＣ部２に相当する領域に附着して、露光、ウ
エハー駆動を繰り替えすと、再度、異物１３に力が加わ
る。そうすると、今度はＳｉＣ部２が２〜３μの厚さと
なっているので、ＳｉＣ部２が壊れてしまう事になる。
【００２７】ここまではウエハー１２周辺に異物が付い
た場合を述べたが、マスク１１周辺部に異物が付いても
同様な事が起こる。
た場合を述べたが、マスク１１周辺部に異物が付いても
同様な事が起こる。
【００２８】図３４にその状態を示す。これはまず、ウ
エハーへの露光の最初のショットの方でマスク１に付い
ていた異物１３が、ウエハー１２との間ではさまれ力が
加わる。この時でマスク１１が壊れないのは、前述のウ
エハー周辺部に異物が付いた場合と同様で、次にウエハ
ー１２が移動して、図３４の様に異物１３が、マスク１
１のＳｉ部がバックエッチされているＳｉＣ部２の相当
する領域に付いて、マスク１１が壊れてしまう事になる
のも同様である。
エハーへの露光の最初のショットの方でマスク１に付い
ていた異物１３が、ウエハー１２との間ではさまれ力が
加わる。この時でマスク１１が壊れないのは、前述のウ
エハー周辺部に異物が付いた場合と同様で、次にウエハ
ー１２が移動して、図３４の様に異物１３が、マスク１
１のＳｉ部がバックエッチされているＳｉＣ部２の相当
する領域に付いて、マスク１１が壊れてしまう事になる
のも同様である。
【００２９】この様に光露光方式では問題になっていな
かったウエハー、マスク周辺部での異物が、特に露光ギ
ャップ以上の大きな異物によりマスク破壊と言う大きな
問題点が発生している。
かったウエハー、マスク周辺部での異物が、特に露光ギ
ャップ以上の大きな異物によりマスク破壊と言う大きな
問題点が発生している。
【００３０】又マスクが壊れなくても、移動した異物が
ウエハーに移動して、それが別の検査で検出されない
と、半導体本来の機能が達成されずに、歩留まり低下の
原因となる事は光露光方式での問題発生と同様である。
ウエハーに移動して、それが別の検査で検出されない
と、半導体本来の機能が達成されずに、歩留まり低下の
原因となる事は光露光方式での問題発生と同様である。
【００３１】本発明者は、既に存在するパターン付きウ
エハー上の異物を検出するウエハー異物検査装置を使用
して、ウエハー・Ｘ線マスクに対して、周辺部を含めて
全面の異物検出について検討を行った。
エハー上の異物を検出するウエハー異物検査装置を使用
して、ウエハー・Ｘ線マスクに対して、周辺部を含めて
全面の異物検出について検討を行った。
【００３２】既に存在するパターン付きウエハー上の異
物を検出するウエハー異物検査装置においては、例えば
その検出原理として、偏光した光を斜入射でウエハーに
照明し、そこから反射した光が、回路パターンでは、偏
光特性を維持したまま反射し、異物では無偏光状態とな
って反射する、と言った特徴を利用したものが存在す
る。
物を検出するウエハー異物検査装置においては、例えば
その検出原理として、偏光した光を斜入射でウエハーに
照明し、そこから反射した光が、回路パターンでは、偏
光特性を維持したまま反射し、異物では無偏光状態とな
って反射する、と言った特徴を利用したものが存在す
る。
【００３３】この検出原理の検査装置は、既に、製品化
され、実際に検出時間が８インチウエハーで１分以下と
いう高スループットで、かつ高信頼性な実績で、高歩留
まりに貢献してきている。
され、実際に検出時間が８インチウエハーで１分以下と
いう高スループットで、かつ高信頼性な実績で、高歩留
まりに貢献してきている。
【００３４】しかしながら、前述の様に、光露光装置に
おいては、ウエハー周辺部については、関心の外であっ
た。
おいては、ウエハー周辺部については、関心の外であっ
た。
【００３５】我々の検討で、このウエハー異物検査装置
を使用する事で、マスクもウエハーにおいても、周辺部
でのＳｉのエッチと区別して、異物が検出できる事が判
明した。ところが、マスクの周辺部近傍では、本来の異
物の大きさ以上の信号が発生して、大きな異物と誤検出
する可能性がある事も同時に判明した。
を使用する事で、マスクもウエハーにおいても、周辺部
でのＳｉのエッチと区別して、異物が検出できる事が判
明した。ところが、マスクの周辺部近傍では、本来の異
物の大きさ以上の信号が発生して、大きな異物と誤検出
する可能性がある事も同時に判明した。
【００３６】この原因は、マスクに関しては、現状は、
周辺部に関しては構造的になにも考えて作成されていな
い。この為ＣＶＤ装置においては、ウエハーを支持する
場合に周辺部への異物の附着や、周辺からの影響による
ＳｉＣ膜厚ムラや吸収体の膜厚ムラや、フレームへのマ
ウント等の時のマスク・ハンドリングで、ピンセット等
によってひっかかれた事による膜はがれが、マスク周辺
部には、存在している。
周辺部に関しては構造的になにも考えて作成されていな
い。この為ＣＶＤ装置においては、ウエハーを支持する
場合に周辺部への異物の附着や、周辺からの影響による
ＳｉＣ膜厚ムラや吸収体の膜厚ムラや、フレームへのマ
ウント等の時のマスク・ハンドリングで、ピンセット等
によってひっかかれた事による膜はがれが、マスク周辺
部には、存在している。
【００３７】これらを現行に存在するパターン付きウエ
ハーの異物検査機で、計測すると、１０μｍ以上の大き
な異物と判断してしまう。
ハーの異物検査機で、計測すると、１０μｍ以上の大き
な異物と判断してしまう。
【００３８】既存のウエハー異物検査装置は、その信号
から、事前に持っている信号出力と異物の相関テーブル
から、大きさを判定している。この検出原理から異物は
等方散乱するとしているが、一方、膜はがれや膜ムラ等
では、複雑な構造となって光が屈折・散乱して、偏光が
回ってしまって、それを検出してしまう為に、異物の等
方散乱の信号出力に比較して大きな信号出力を検出する
事になり、膜はがれ等については、実際の大きさ以上
の、１０μｍ以上の大きな異物と判断してしまってい
る。
から、事前に持っている信号出力と異物の相関テーブル
から、大きさを判定している。この検出原理から異物は
等方散乱するとしているが、一方、膜はがれや膜ムラ等
では、複雑な構造となって光が屈折・散乱して、偏光が
回ってしまって、それを検出してしまう為に、異物の等
方散乱の信号出力に比較して大きな信号出力を検出する
事になり、膜はがれ等については、実際の大きさ以上
の、１０μｍ以上の大きな異物と判断してしまってい
る。
【００３９】又ウエハー周辺では、搬送やキャリア装着
時に、異物がつぶされてしまって、大きさは大きいけれ
ども、高さの無い異物を検出していることが判明した。
時に、異物がつぶされてしまって、大きさは大きいけれ
ども、高さの無い異物を検出していることが判明した。
【００４０】しかしながら、膜はがれや膜ムラや、ウエ
ハー上の平坦な異物は、マスクを破壊する可能性のある
高さが１０μｍ以上の異物では無い。
ハー上の平坦な異物は、マスクを破壊する可能性のある
高さが１０μｍ以上の異物では無い。
【００４１】本発明はこのような、マスクを破壊する可
能性のある異物とそうでない異物と区別し、検出する事
ができ、高集積度のデバイスを容易に製造することがで
きるＸ線マスクと、該Ｘ線マスクを作成するのにより適
したＸ線マスクの製造方法、及びそれを用いたデバイス
の製造方法の提供を目的としている。
能性のある異物とそうでない異物と区別し、検出する事
ができ、高集積度のデバイスを容易に製造することがで
きるＸ線マスクと、該Ｘ線マスクを作成するのにより適
したＸ線マスクの製造方法、及びそれを用いたデバイス
の製造方法の提供を目的としている。
【００４２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明のＸ線マ
スクは、Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パターンを
転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置に用い
られるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクはＸ線吸収体
を積層するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する保持
枠とを有し、該Ｘ線透過膜はその周辺部が該保持枠に均
一な段差構造部を有するように保持されていることを特
徴としている。
スクは、Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パターンを
転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置に用い
られるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクはＸ線吸収体
を積層するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する保持
枠とを有し、該Ｘ線透過膜はその周辺部が該保持枠に均
一な段差構造部を有するように保持されていることを特
徴としている。
【００４３】請求項２の発明のＸ線マスクは、Ｘ線ビー
ムを用いて露光基板に回路パターンを転写して半導体デ
バイスを製造する為の露光装置に用いられるＸ線マスク
であって、該Ｘ線マスクはＸ線吸収体を積層するＸ線透
過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する保持枠とを有し、該Ｘ
線透過膜は、該保持枠の周辺部の一部又は全部を残し
て、均一な段差構造部を有するように保持されているこ
とを特徴としている。
ムを用いて露光基板に回路パターンを転写して半導体デ
バイスを製造する為の露光装置に用いられるＸ線マスク
であって、該Ｘ線マスクはＸ線吸収体を積層するＸ線透
過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する保持枠とを有し、該Ｘ
線透過膜は、該保持枠の周辺部の一部又は全部を残し
て、均一な段差構造部を有するように保持されているこ
とを特徴としている。
【００４４】請求項３の発明のＸ線マスクは、Ｘ線ビー
ムを用いて露光基板に回路パターンを転写して半導体デ
バイスを製造する為の露光装置に用いられるＸ線マスク
であって、該Ｘ線マスクは所望のパターンのＸ線吸収体
と該Ｘ線吸収体を保持するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜
を保持する保持枠とを有し、該Ｘ線吸収体と該Ｘ線透過
膜の周辺部において、該保持枠と均一な段差構造となっ
ている事を特徴としている。
ムを用いて露光基板に回路パターンを転写して半導体デ
バイスを製造する為の露光装置に用いられるＸ線マスク
であって、該Ｘ線マスクは所望のパターンのＸ線吸収体
と該Ｘ線吸収体を保持するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜
を保持する保持枠とを有し、該Ｘ線吸収体と該Ｘ線透過
膜の周辺部において、該保持枠と均一な段差構造となっ
ている事を特徴としている。
【００４５】請求項４の発明は請求項１，２又は３の発
明において、前記Ｘ線吸収体と前記Ｘ線透過膜をそれら
の周辺部の一部を取り除く事で前記保持枠と均一な段差
構造としている事を特徴としている。
明において、前記Ｘ線吸収体と前記Ｘ線透過膜をそれら
の周辺部の一部を取り除く事で前記保持枠と均一な段差
構造としている事を特徴としている。
【００４６】請求項５の発明は請求項３又は４の発明に
おいて、前記Ｘ線吸収体と前記Ｘ線透過膜がそれらの周
辺部において、取り除かれている領域を使用して、前記
Ｘ線マスクをハンドリングする事を特徴としている。
おいて、前記Ｘ線吸収体と前記Ｘ線透過膜がそれらの周
辺部において、取り除かれている領域を使用して、前記
Ｘ線マスクをハンドリングする事を特徴としている。
【００４７】請求項６の発明の露光装置は、請求項１か
ら５のいずれか１項のＸ線マスクを用い、該Ｘ線マスク
に設けた回路パターンを該露光基板に転写していること
を特徴としている。
ら５のいずれか１項のＸ線マスクを用い、該Ｘ線マスク
に設けた回路パターンを該露光基板に転写していること
を特徴としている。
【００４８】請求項７の半導体デバイスの製造方法は、
請求項６の露光装置を用いて回路パターンを転写した露
光基板を現像処理工程を介して半導体デバイスを製造し
ていることを特徴としている。
請求項６の露光装置を用いて回路パターンを転写した露
光基板を現像処理工程を介して半導体デバイスを製造し
ていることを特徴としている。
【００４９】請求項８の半導体デバイスは請求項６の露
光装置を用いて製造したことを特徴としている。
光装置を用いて製造したことを特徴としている。
【００５０】請求項９の異物検査方法は、請求項１から
５のいずれか１項のＸ線マスクを用い、該Ｘ線マスクは
Ｘ線吸収体とＸ線透過膜が周辺部において、均一な段差
構造とする事で、Ｘ線マスク上の異物検査において均一
の段差からは均一な信号出力が得られるようにし、該Ｘ
線吸収体と該Ｘ線透過膜の周辺部と認識して、周辺部の
異物管理を行う事を特徴としている。
５のいずれか１項のＸ線マスクを用い、該Ｘ線マスクは
Ｘ線吸収体とＸ線透過膜が周辺部において、均一な段差
構造とする事で、Ｘ線マスク上の異物検査において均一
の段差からは均一な信号出力が得られるようにし、該Ｘ
線吸収体と該Ｘ線透過膜の周辺部と認識して、周辺部の
異物管理を行う事を特徴としている。
【００５１】請求項１０の発明のＸ線マスクの製造方法
は、Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パターンを転写
して半導体デバイスを製造する為の露光装置に用いられ
るＸ線マスクの製造方法であって、保持枠に保持された
Ｘ線透過膜の周辺部を除去することによって段差構造を
形成することを特徴としている。
は、Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パターンを転写
して半導体デバイスを製造する為の露光装置に用いられ
るＸ線マスクの製造方法であって、保持枠に保持された
Ｘ線透過膜の周辺部を除去することによって段差構造を
形成することを特徴としている。
【００５２】請求項１１の発明は請求項１０の発明にお
いて、前記周辺部の除去はレジスト塗布、露光、現像、
エッチング、レジスト剥離の各工程を実行して行われる
ことを特徴としている。
いて、前記周辺部の除去はレジスト塗布、露光、現像、
エッチング、レジスト剥離の各工程を実行して行われる
ことを特徴としている。
【００５３】請求項１２の発明の露光方法は、請求項１
から５のいずれか１項のＸ線マスクを用い、該Ｘ線マス
クに設けた回路パターンを前記露光基板に転写すること
を特徴としている。
から５のいずれか１項のＸ線マスクを用い、該Ｘ線マス
クに設けた回路パターンを前記露光基板に転写すること
を特徴としている。
【００５４】
【発明の実施の形態】以下に述べる実施形態において、
均一な段差構造部は、異物検査機において異物と判断さ
れる大きさの検出出力変化よりも小さい出力変化で連続
して均一に検出される様な段差構造となっている。より
好ましくは、段差構造そのものを除き、その形状変化が
異物検査機の検出分解能よりも小さい程度までの形状均
一性を有する段差構造にする。
均一な段差構造部は、異物検査機において異物と判断さ
れる大きさの検出出力変化よりも小さい出力変化で連続
して均一に検出される様な段差構造となっている。より
好ましくは、段差構造そのものを除き、その形状変化が
異物検査機の検出分解能よりも小さい程度までの形状均
一性を有する段差構造にする。
【００５５】図１は本発明のＸ線マスクの実施形態１の
要部断面図である。図２は従来のＸ線マスクの要部断面
図である。
要部断面図である。図２は従来のＸ線マスクの要部断面
図である。
【００５６】本実施形態はマスクとウエハーとを１０μ
m程度の露光ギャップ（間隔）で対向配置してＰＸＬを
行うときにマスクとウエハとの間に１０μm程度の異物
が挟入するのを防止している。
m程度の露光ギャップ（間隔）で対向配置してＰＸＬを
行うときにマスクとウエハとの間に１０μm程度の異物
が挟入するのを防止している。
【００５７】この為、Ｘ線マスクの構造として、周辺部
の、吸収体や、ＩＴＯ，ＳｉＣ膜を取り除いた、均一の
段差構造とする事で、マスク・ハンドリング時の傷つけ
の防止と、各種膜厚の不均一性を防止して、附着異物と
区別している。
の、吸収体や、ＩＴＯ，ＳｉＣ膜を取り除いた、均一の
段差構造とする事で、マスク・ハンドリング時の傷つけ
の防止と、各種膜厚の不均一性を防止して、附着異物と
区別している。
【００５８】図１において１１はＸ線マスク、１は基板
であるＳｉウエハーである。２はメンブレンとしてのＳ
ｉＣ膜、３はＩＴＯ膜又はＳｉＯ２膜、４はＸ線吸収体
である。５は開口部、６はマスクフレーム（フレー
ム）、７はマスクの周辺部の均一な段差構造部である。
であるＳｉウエハーである。２はメンブレンとしてのＳ
ｉＣ膜、３はＩＴＯ膜又はＳｉＯ２膜、４はＸ線吸収体
である。５は開口部、６はマスクフレーム（フレー
ム）、７はマスクの周辺部の均一な段差構造部である。
【００５９】従来のＸ線マスクは図２に示すように図２
の従来のマスクに関しては、現状は、周辺部に関しては
構造的になにも考えて作成されていなく、ＣＶＤによっ
て成膜時に、ＳｉＣ２や吸収体４を全面付けていた為、
周辺部にＳｉＣ膜厚ムラや吸収体の膜厚ムラが発生した
り、マスク・ハンドリング時に発生したと思われる、ピ
ンセット等によってひっかかれた事による膜はがれ等お
こり、現行に存在するパターン付きウエハーの異物検査
機では１０μｍ以上の大きな異物と判断するものばかり
存在する。
の従来のマスクに関しては、現状は、周辺部に関しては
構造的になにも考えて作成されていなく、ＣＶＤによっ
て成膜時に、ＳｉＣ２や吸収体４を全面付けていた為、
周辺部にＳｉＣ膜厚ムラや吸収体の膜厚ムラが発生した
り、マスク・ハンドリング時に発生したと思われる、ピ
ンセット等によってひっかかれた事による膜はがれ等お
こり、現行に存在するパターン付きウエハーの異物検査
機では１０μｍ以上の大きな異物と判断するものばかり
存在する。
【００６０】そこで、本発明のＸ線マスクは図１に示す
様に、少なくともハンドリングする領域に関して、Ｓｉ
Ｃ２や吸収体４をエッチング等でとってしまって、ハン
ドリングはいつもＳｉ基板１の領域７とする事で、大き
な異物と間違って検出する事を未然に防いでいる。
様に、少なくともハンドリングする領域に関して、Ｓｉ
Ｃ２や吸収体４をエッチング等でとってしまって、ハン
ドリングはいつもＳｉ基板１の領域７とする事で、大き
な異物と間違って検出する事を未然に防いでいる。
【００６１】図１に示す様に、周辺部８は垂直段差構造
となり、ウエハーの異物検査機においては、周辺部に連
続した一定の信号出力の信号となる事から、これは周辺
部の垂直段差であると、判断するアルゴリズムを構成す
る必要がある。この一定の信号出力の信号からずれた時
は、この垂直段差部７に異物が本当に付いた場合であ
る。
となり、ウエハーの異物検査機においては、周辺部に連
続した一定の信号出力の信号となる事から、これは周辺
部の垂直段差であると、判断するアルゴリズムを構成す
る必要がある。この一定の信号出力の信号からずれた時
は、この垂直段差部７に異物が本当に付いた場合であ
る。
【００６２】このように本実施形態では所望のパターン
のＸ線吸収体４と該吸収体を保持するＸ線透過膜２と、
該Ｘ線透過膜２を保持する保持枠６とを有するＸ線マス
ク構造体において、該吸収体４と該Ｘ線透過膜２を周辺
部において、取り除いて均一の段差構造７とし、異物検
査において、均一の信号出力とする事で、段差を判定で
きるようにし、更に周辺部の該吸収体４と該Ｘ線透過膜
２を取り除いている領域７を使用して、Ｘ線マスク構造
体をハンドリングする事を特徴としている。
のＸ線吸収体４と該吸収体を保持するＸ線透過膜２と、
該Ｘ線透過膜２を保持する保持枠６とを有するＸ線マス
ク構造体において、該吸収体４と該Ｘ線透過膜２を周辺
部において、取り除いて均一の段差構造７とし、異物検
査において、均一の信号出力とする事で、段差を判定で
きるようにし、更に周辺部の該吸収体４と該Ｘ線透過膜
２を取り除いている領域７を使用して、Ｘ線マスク構造
体をハンドリングする事を特徴としている。
【００６３】次に図１に示すＸ線マスクのマスク構造を
作成する工程について図８〜図１４を用いて説明を行
う。
作成する工程について図８〜図１４を用いて説明を行
う。
【００６４】図８〜１２までは、従来マスク作成工程で
の図２０〜２４までと同様である。即ち、ＰＸＬ用のマ
スク１１は、図８に示す様に、Ｓｉウエハー１を基板と
して用意し、図９の様にＳｉウエハー１上にメンブレン
と呼ばれている２〜３μ厚のＳｉＣ膜２を付ける。
の図２０〜２４までと同様である。即ち、ＰＸＬ用のマ
スク１１は、図８に示す様に、Ｓｉウエハー１を基板と
して用意し、図９の様にＳｉウエハー１上にメンブレン
と呼ばれている２〜３μ厚のＳｉＣ膜２を付ける。
【００６５】Ｓｉウエハー１にＳｉＣ膜２を付ける時に
は、実際にはウエハー両面と側面にもＳｉＣ膜が付く
が、裏面と側面側は、機能として果たさないので、図９
以降では、削除して記載する。
は、実際にはウエハー両面と側面にもＳｉＣ膜が付く
が、裏面と側面側は、機能として果たさないので、図９
以降では、削除して記載する。
【００６６】次に、図１０の様にＳｉＣ面を研磨して平
坦化し、、図１１の様に、エッチングストッパーとし
て、又Ｘ線吸収体４との観察性を良くする為のＩＴＯ膜
又はＳｉＯ２膜３をつける。そして図１２の様にＸ線吸
収材４としてＷやＴａやＴａ４Ｂ等のＸ線吸収の割合高
いものを厚さ、０．３〜０．５μｍで付ける。
坦化し、、図１１の様に、エッチングストッパーとし
て、又Ｘ線吸収体４との観察性を良くする為のＩＴＯ膜
又はＳｉＯ２膜３をつける。そして図１２の様にＸ線吸
収材４としてＷやＴａやＴａ４Ｂ等のＸ線吸収の割合高
いものを厚さ、０．３〜０．５μｍで付ける。
【００６７】次に図１３に示す様に、吸収体４の上にレ
ジストを塗布し、周辺部のみの露光を行い、現像、エッ
チング、レジスト剥離を行う事で、吸収体４のうちの周
辺部の吸収体のみ取る。この露光は、周辺部を全部露光
するので、解像力を必要としない為、電子ビーム露光方
式で行う必要はない。
ジストを塗布し、周辺部のみの露光を行い、現像、エッ
チング、レジスト剥離を行う事で、吸収体４のうちの周
辺部の吸収体のみ取る。この露光は、周辺部を全部露光
するので、解像力を必要としない為、電子ビーム露光方
式で行う必要はない。
【００６８】そこで、例えばマスクを使用した光等倍走
査型露光装置で行っても良いし、レーザーを使用したマ
スクレスの露光方式で良く、レジストも使用する方式に
適したものを使用する事ができる。
査型露光装置で行っても良いし、レーザーを使用したマ
スクレスの露光方式で良く、レジストも使用する方式に
適したものを使用する事ができる。
【００６９】次に図１４の様に、今度は吸収体４をマス
クとして、ＩＴＯ膜３やＳｉＣ膜２をエッチングして、
周辺部のみを取ってしまう。この時、吸収体４のみをマ
スクとする事が問題である場合には、図１３での最後の
レジスト剥離を行わずに、図１４の様にする為に、レジ
ストと吸収体４の両方をエッチングのマスクとし使用す
る。
クとして、ＩＴＯ膜３やＳｉＣ膜２をエッチングして、
周辺部のみを取ってしまう。この時、吸収体４のみをマ
スクとする事が問題である場合には、図１３での最後の
レジスト剥離を行わずに、図１４の様にする為に、レジ
ストと吸収体４の両方をエッチングのマスクとし使用す
る。
【００７０】次に図１５の様に、電子ビーム露光方式
で、Ｘ線吸収体４面上に所望のパターンを描画する。こ
の時、先の周辺部露光も電子ビームで行っている場合に
は、図１３ないし図１４でレジスト剥離を行わずに、こ
こでそのまま使用する事も可能である。
で、Ｘ線吸収体４面上に所望のパターンを描画する。こ
の時、先の周辺部露光も電子ビームで行っている場合に
は、図１３ないし図１４でレジスト剥離を行わずに、こ
こでそのまま使用する事も可能である。
【００７１】図１３の周辺の露光を、例えば波長３６５
ｎｍのｉ線で行っている場合には、レジストが電子ビー
ムと共通に使えないので、図１３ないし図１４でレジス
ト剥離を行って、ここで再度レジストを塗布して描画、
現像、エッチング、レジスト剥離を行う必要がある。
ｎｍのｉ線で行っている場合には、レジストが電子ビー
ムと共通に使えないので、図１３ないし図１４でレジス
ト剥離を行って、ここで再度レジストを塗布して描画、
現像、エッチング、レジスト剥離を行う必要がある。
【００７２】次に、図１６に示す様にＳｉウエハー１の
開口部（中央部）５をパターン作成の反対側からバック
エッチして、図１７に示す様にフレーム６にマウントす
る。この時にマスクをハンドリングする部分が、周辺部
の吸収体４やＳｉＣ膜２を取り去った部分７である。こ
うして、図１７（これは図１と同じ）の様な、本発明の
Ｘ線マスクを作成している。
開口部（中央部）５をパターン作成の反対側からバック
エッチして、図１７に示す様にフレーム６にマウントす
る。この時にマスクをハンドリングする部分が、周辺部
の吸収体４やＳｉＣ膜２を取り去った部分７である。こ
うして、図１７（これは図１と同じ）の様な、本発明の
Ｘ線マスクを作成している。
【００７３】本実施形態において、Ｘ線マスクをより高
精度化する為には、図１８の様に先に基板１をフレーム
６にマウントして、その後図１９の様にバックエッチし
て開口部５を形成してから、電子ビーム描画する方法を
用いても良い。この点については、従来のＸ線マスクの
作成方法を示した、図２８，２９の場合と同様である。
精度化する為には、図１８の様に先に基板１をフレーム
６にマウントして、その後図１９の様にバックエッチし
て開口部５を形成してから、電子ビーム描画する方法を
用いても良い。この点については、従来のＸ線マスクの
作成方法を示した、図２８，２９の場合と同様である。
【００７４】本実施形態はＸ線マスクを作成するとき、
以上に示した様なマスク作成工程を行う事で、周辺部ま
で管理したＸ線マスクを作成し、これによってＸ線マス
クへの異物附着の場合と区別が可能としている。
以上に示した様なマスク作成工程を行う事で、周辺部ま
で管理したＸ線マスクを作成し、これによってＸ線マス
クへの異物附着の場合と区別が可能としている。
【００７５】特に本実施形態では、Ｘ線マスクの構造体
において、Ｘ線透過膜である、ＳｉＣ膜やＩＴＯ膜、Ｔ
ａ４Ｂ等の吸収体を周辺部のみ取り除き、その取り除い
た部分（均一段差構造部）（＝Ｓｉ）で、マスクを持っ
たり搬送したりする事で、マスクのＸ線透過膜である、
ＳｉＣ膜やＩＴＯ膜や、Ｔａ４Ｂ等の吸収体を傷つける
事を未然に防ぐ事が可能となり、既存のウエハー異物検
査装置を使用しても、大きな異物と誤検出する事を防ぐ
事を可能としている。
において、Ｘ線透過膜である、ＳｉＣ膜やＩＴＯ膜、Ｔ
ａ４Ｂ等の吸収体を周辺部のみ取り除き、その取り除い
た部分（均一段差構造部）（＝Ｓｉ）で、マスクを持っ
たり搬送したりする事で、マスクのＸ線透過膜である、
ＳｉＣ膜やＩＴＯ膜や、Ｔａ４Ｂ等の吸収体を傷つける
事を未然に防ぐ事が可能となり、既存のウエハー異物検
査装置を使用しても、大きな異物と誤検出する事を防ぐ
事を可能としている。
【００７６】次に本発明のＸ線マスクのその他の実施形
態について説明する。
態について説明する。
【００７７】Ｘ線マスクの周辺部のＸ線吸収体４、ＩＴ
Ｏ３，ＳｉＣ膜２を取り除く為、実施形態１では、露光
とエッチングで行っていた。
Ｏ３，ＳｉＣ膜２を取り除く為、実施形態１では、露光
とエッチングで行っていた。
【００７８】本発明では、この方法に限定する必要はま
ったくない。
ったくない。
【００７９】例えば、図１２の基板１にＳｉＣ膜２を付
けたものに、レジストを塗布した後に、このウエハーを
回転させながら、ウエハーの裏側から化学溶剤を吹き付
ける事で、横や裏に回りこんだレジストを除去する、サ
イドリンスやバックリンスと呼ばれている方法の、化学
溶剤の吹き付ける量を多くする等の条件変更で、ＳｉＣ
膜２の上側のレジストも除去する事ができる。
けたものに、レジストを塗布した後に、このウエハーを
回転させながら、ウエハーの裏側から化学溶剤を吹き付
ける事で、横や裏に回りこんだレジストを除去する、サ
イドリンスやバックリンスと呼ばれている方法の、化学
溶剤の吹き付ける量を多くする等の条件変更で、ＳｉＣ
膜２の上側のレジストも除去する事ができる。
【００８０】この事で、図１３で説明した露光、現像を
行わなくても、周辺部でのレジストは除去されて均一な
段差構造となっているので、図１３に示した状態となっ
ている。そして、図１３以降は、前述の工程と同じ事を
行う事で本発明で提案するＸ線マスクのマスク構造とす
る事ができる。
行わなくても、周辺部でのレジストは除去されて均一な
段差構造となっているので、図１３に示した状態となっ
ている。そして、図１３以降は、前述の工程と同じ事を
行う事で本発明で提案するＸ線マスクのマスク構造とす
る事ができる。
【００８１】本発明においてはあくまで、Ｘ線マスクの
周辺部の段差構造が均一になり、異物検査において均一
な信号出力となって段差と判断できれば良い。
周辺部の段差構造が均一になり、異物検査において均一
な信号出力となって段差と判断できれば良い。
【００８２】更に、次の方法とすれば、図３，図４，図
５，図６に示す様に、直接マスキング部材９を、Ｓｉウ
エハー面１に接触させて、マスキングしながら、ＳｉＣ
２，ＩＴＯ３，吸収体４を成膜する方法でも本発明のＸ
線マスクの周辺部の段差構造を均一に構成する事が可能
である。
５，図６に示す様に、直接マスキング部材９を、Ｓｉウ
エハー面１に接触させて、マスキングしながら、ＳｉＣ
２，ＩＴＯ３，吸収体４を成膜する方法でも本発明のＸ
線マスクの周辺部の段差構造を均一に構成する事が可能
である。
【００８３】この時、段差構造は垂直とならないが均一
段差構造なので、ウエハー異物検査装置での検出にとっ
ては、異物が付いていなければ一定の信号出力となる
為、異物との区別は可能である。
段差構造なので、ウエハー異物検査装置での検出にとっ
ては、異物が付いていなければ一定の信号出力となる
為、異物との区別は可能である。
【００８４】又、図７に示す様に本出願人により特開平
２−１８１９０８号公報で既に提案されている、Ｘ線マ
スク構造体についても同様に適用する事で、同様な効果
を得る事ができる。
２−１８１９０８号公報で既に提案されている、Ｘ線マ
スク構造体についても同様に適用する事で、同様な効果
を得る事ができる。
【００８５】図７に示す様に、ＳｉＣメンブレン１１の
保持枠１０である、Ｓｉウエハーの周辺部１０ａが傾斜
面となっていて、Ｓｉウエハー全面にＳｉＣメンブレン
１１を成膜する構造ではない。
保持枠１０である、Ｓｉウエハーの周辺部１０ａが傾斜
面となっていて、Ｓｉウエハー全面にＳｉＣメンブレン
１１を成膜する構造ではない。
【００８６】このＳｉＣ膜１１は、プラズマＣＶＤチャ
ンバー内に、成膜面積と等しい蒸着カバーにより限定し
た領域のみ膜付けが可能となっている。この方法では、
ＳｉＣ膜面１１と、蒸着カバーとの距離が、前述までの
方式に比較して、長くかつ相対関係が傾く事で、周辺部
の段差構造の均一性がばらつく場合がある。
ンバー内に、成膜面積と等しい蒸着カバーにより限定し
た領域のみ膜付けが可能となっている。この方法では、
ＳｉＣ膜面１１と、蒸着カバーとの距離が、前述までの
方式に比較して、長くかつ相対関係が傾く事で、周辺部
の段差構造の均一性がばらつく場合がある。
【００８７】そこで、前述までの様に、露光、エッチン
グの方法や、直接接触させるマスキングによる方法で周
辺部１１を均一段差構造にしている。
グの方法や、直接接触させるマスキングによる方法で周
辺部１１を均一段差構造にしている。
【００８８】尚、本発明のＸ線マスクは、今まで説明に
使用してきたマスク構造に限定するものでは、無い。例
えば、図１１で基板１にＩＴＯ膜３やＳｉＯ２膜２を付
ける事を述べてきた。これは吸収体４をエッチングする
時のエッチングストッパーとしての機能を果たすもので
ある。又Ｘ線マスクを通してウエハーのアライメントを
行う方式では、それに使用する光の波長に対して、Ｓｉ
Ｃ膜２とこのＩＴＯ膜３で反射防止膜や増透膜（完全な
反射防止でなくても透過率を上げる効果があるもの）と
する事もできる。
使用してきたマスク構造に限定するものでは、無い。例
えば、図１１で基板１にＩＴＯ膜３やＳｉＯ２膜２を付
ける事を述べてきた。これは吸収体４をエッチングする
時のエッチングストッパーとしての機能を果たすもので
ある。又Ｘ線マスクを通してウエハーのアライメントを
行う方式では、それに使用する光の波長に対して、Ｓｉ
Ｃ膜２とこのＩＴＯ膜３で反射防止膜や増透膜（完全な
反射防止でなくても透過率を上げる効果があるもの）と
する事もできる。
【００８９】しかしながら、Ｘ線吸収体４の材質を選択
する事で、このＩＴＯ膜やＳｉＯ２膜をつける必要がな
くなれば、その時は、本発明の目的を達成する為には、
同様に、Ｘ線吸収体４とＳｉＣ２を周辺部で、均一の段
差構造とすれば良い。
する事で、このＩＴＯ膜やＳｉＯ２膜をつける必要がな
くなれば、その時は、本発明の目的を達成する為には、
同様に、Ｘ線吸収体４とＳｉＣ２を周辺部で、均一の段
差構造とすれば良い。
【００９０】又、Ｘ線吸収体４とＳｉＣ２を周辺部で、
均一の段差構造とすれば良いので、Ｘ線吸収体４とＳｉ
Ｃ２を取り除く時に、図３６に示す様に、Ｓｉ１まで削
る事も、均一の段差構造とできるのであれば、同じ効果
が発揮される。
均一の段差構造とすれば良いので、Ｘ線吸収体４とＳｉ
Ｃ２を取り除く時に、図３６に示す様に、Ｓｉ１まで削
る事も、均一の段差構造とできるのであれば、同じ効果
が発揮される。
【００９１】更に図３５の基板１とフレーム６とが一体
のフレーム一体型のＸ線マスクに対して、図３７に示す
様に基板３３の一部を均一の段差構造としても良く、こ
れによれば、前述と同様の効果を得る事ができる。
のフレーム一体型のＸ線マスクに対して、図３７に示す
様に基板３３の一部を均一の段差構造としても良く、こ
れによれば、前述と同様の効果を得る事ができる。
【００９２】次に本発明に係る異物検査装置の一例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００９３】図４１に示す如く、照明光４４をウエハ４
１表面に対して傾斜角度φで照射したのみでは、パター
ン４２と異物４３から同時に散乱光４５と散乱光４６が
発生するので、パターン４２と異物４３とを弁別して検
出することはできない。そこで照射光４４として、偏光
レーザ光を使用し、異物４３のみを検出する工夫を行な
っている。
１表面に対して傾斜角度φで照射したのみでは、パター
ン４２と異物４３から同時に散乱光４５と散乱光４６が
発生するので、パターン４２と異物４３とを弁別して検
出することはできない。そこで照射光４４として、偏光
レーザ光を使用し、異物４３のみを検出する工夫を行な
っている。
【００９４】図４２に示す如く、ウエハ４１上に存在す
るパターン４２にＳ偏光レーザ光４４を照射する。（こ
こでレーザ光４４の電気ベクトル５０がウエハ表面に平
行な場合をＳ偏光レーザ照明と呼ぶ。）一般に、パター
ン４２の表面凹凸は微視的に見ると照明光の波長に比べ
十分小さく、光学的に滑らかであるので、その反射光４
５もＳ偏光成分５１が保たれる。
るパターン４２にＳ偏光レーザ光４４を照射する。（こ
こでレーザ光４４の電気ベクトル５０がウエハ表面に平
行な場合をＳ偏光レーザ照明と呼ぶ。）一般に、パター
ン４２の表面凹凸は微視的に見ると照明光の波長に比べ
十分小さく、光学的に滑らかであるので、その反射光４
５もＳ偏光成分５１が保たれる。
【００９５】従って、Ｓ偏光遮光の検光子５３を反射光
４５の光路中に挿入すれば、反射光４５は遮光され、光
電変換素子４７には到達しない。
４５の光路中に挿入すれば、反射光４５は遮光され、光
電変換素子４７には到達しない。
【００９６】一方、図４３に示す如く、異物４３からの
散乱光４６にはＳ偏光成分に加えて、Ｐ偏光成分５２も
含まれる。これは、異物４３表面は粗く、偏光が解消さ
れる結果、Ｐ偏光成分５２が発生するからである。従っ
て、検光子５３を通過するＰ偏光成分５４を光電変換素
子４７により検出すれば異物４３の検出が可能となる。
散乱光４６にはＳ偏光成分に加えて、Ｐ偏光成分５２も
含まれる。これは、異物４３表面は粗く、偏光が解消さ
れる結果、Ｐ偏光成分５２が発生するからである。従っ
て、検光子５３を通過するＰ偏光成分５４を光電変換素
子４７により検出すれば異物４３の検出が可能となる。
【００９７】ここでパターン反射光は、図４１に示す様
に、レーザ光４４に対してパターン４２の長手方向とな
す角度が直角な場合には、反射光４５は検光子５３によ
り完全に遮光されるが、この角度が直角と異なる場合は
完全には遮光されない。この考察は計測自動制御学会論
文集Ｖol.17,No.2,p.232〜p.242,1981に述べられてい
る。これによれば、この角度が直角より±３０°以内の
範囲のパターンからの反射光のみが、ウエハ上方に設置
した対物レンズに入射するので、この範囲のパターン反
射光４５は検光子５３により完全には遮光されないが、
その強度は２〜３μｍの異物からの散乱光と弁別できる
程度に小さいので実用上問題とならない。
に、レーザ光４４に対してパターン４２の長手方向とな
す角度が直角な場合には、反射光４５は検光子５３によ
り完全に遮光されるが、この角度が直角と異なる場合は
完全には遮光されない。この考察は計測自動制御学会論
文集Ｖol.17,No.2,p.232〜p.242,1981に述べられてい
る。これによれば、この角度が直角より±３０°以内の
範囲のパターンからの反射光のみが、ウエハ上方に設置
した対物レンズに入射するので、この範囲のパターン反
射光４５は検光子５３により完全には遮光されないが、
その強度は２〜３μｍの異物からの散乱光と弁別できる
程度に小さいので実用上問題とならない。
【００９８】図３８は本発明のＸ線マスクを利用した半
導体素子（デバイス）製造用の露光装置の実施形態の要
部概略図である。
導体素子（デバイス）製造用の露光装置の実施形態の要
部概略図である。
【００９９】図３８において、１３９はＸ線ビームでほ
ぼ平行光となって、マスク（Ｘ線マスク）１３４面上を
照射している。１３５はウエハーで、例えばＸ線用のレ
ジストが表面に塗布されている。１３３はマスクフレー
ム、１３４はマスクメンブレン（マスク）で、この面上
にＸ線の吸収体により回路パターンがパターニングされ
ている。
ぼ平行光となって、マスク（Ｘ線マスク）１３４面上を
照射している。１３５はウエハーで、例えばＸ線用のレ
ジストが表面に塗布されている。１３３はマスクフレー
ム、１３４はマスクメンブレン（マスク）で、この面上
にＸ線の吸収体により回路パターンがパターニングされ
ている。
【０１００】２３２はマスク支持体、１３６はウエハチ
ャック等のウエハー固定部材、１３７はｚ軸ステージ、
実際にはティルトが可能な構成になっている。１３８は
ｘ軸ステージ、１４４はｙ軸ステージである。
ャック等のウエハー固定部材、１３７はｚ軸ステージ、
実際にはティルトが可能な構成になっている。１３８は
ｘ軸ステージ、１４４はｙ軸ステージである。
【０１０１】マスク１３４とウエハー１３５のアライメ
ント検出機能部分（位置検出装置）は筐体１３０ａ，１
３０ｂに収まっており、ここからマスク１３４とウエハ
ー１３５とのギャップとｘ，ｙ面内方向の位置ずれ情報
を得ている。
ント検出機能部分（位置検出装置）は筐体１３０ａ，１
３０ｂに収まっており、ここからマスク１３４とウエハ
ー１３５とのギャップとｘ，ｙ面内方向の位置ずれ情報
を得ている。
【０１０２】図には２つのアライメント検出機能部分１
３０ａ，１３０ｂを図示しているが、マスク１３４上の
４角のＩＣ回路パターンエリアの各辺に対応して更に２
ヶ所にアライメント検出機能部分が設けられている。
３０ａ，１３０ｂを図示しているが、マスク１３４上の
４角のＩＣ回路パターンエリアの各辺に対応して更に２
ヶ所にアライメント検出機能部分が設けられている。
【０１０３】筐体１３０ａ，１３０ｂの中には光学系、
検出系が収まっている。１４６ａ，１４６ｂは各アライ
メント系からのアライメント検出光である。
検出系が収まっている。１４６ａ，１４６ｂは各アライ
メント系からのアライメント検出光である。
【０１０４】これらのアライメント検出機能部分により
得られた信号を処理手段１４０で処理して、ｘｙ面内の
ずれとギャップ値を求めている。そしてこの結果を判断
した後、所定の値以内に収まっていないと、各軸ステー
ジの駆動系１４２，１４１，１４３を動かして所定のマ
スク／ウエハずれ以内になるように追い込み、そして露
光歪みの影響による位置合わせ誤差を補正する量だけマ
スク支持体の駆動系１４７を介してマスク１３４を動か
すか、あるいはウエハ１３５を動かしている。然る後に
Ｘ線露光ビーム１３９をマスク１３４に照射している。
アライメントが終了するまではＸ線遮蔽部材（不図示）
でシャットしておく。
得られた信号を処理手段１４０で処理して、ｘｙ面内の
ずれとギャップ値を求めている。そしてこの結果を判断
した後、所定の値以内に収まっていないと、各軸ステー
ジの駆動系１４２，１４１，１４３を動かして所定のマ
スク／ウエハずれ以内になるように追い込み、そして露
光歪みの影響による位置合わせ誤差を補正する量だけマ
スク支持体の駆動系１４７を介してマスク１３４を動か
すか、あるいはウエハ１３５を動かしている。然る後に
Ｘ線露光ビーム１３９をマスク１３４に照射している。
アライメントが終了するまではＸ線遮蔽部材（不図示）
でシャットしておく。
【０１０５】尚、図ではＸ線源やＸ線露光装置の例につ
いて示している。
いて示している。
【０１０６】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【０１０７】図３９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
フローを示す。
の半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
フローを示す。
【０１０８】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【０１０９】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【０１１０】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作成されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作成されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【０１１１】ステップ６（検査）ではステップ５で作成
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【０１１２】図４０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
【０１１３】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
ちこみ）ではウエハにイオンを打ちこむ。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼き付け露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
ちこみ）ではウエハにイオンを打ちこむ。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼き付け露光する。
【０１１４】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
ってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
ってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１１５】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【０１１６】
【発明の効果】本発明によれば、マスクを破壊する可能
性のある異物とそうでない異物と区別し、検出する事が
でき、高集積度のデバイスを容易に製造することができ
るＸ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法及び
露光方法を達成することができる。
性のある異物とそうでない異物と区別し、検出する事が
でき、高集積度のデバイスを容易に製造することができ
るＸ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法及び
露光方法を達成することができる。
【０１１７】この他本発明によれば、Ｘ線マスクの周辺
部の構造を、均一段差構造とする事で、異物検査におい
て、均一の信号出力を得る事を可能として、この事で、
本当の異物と区別して大きな異物を検出する事を可能と
し、ＰＸＬにおける特殊性である、マスクとウエハーの
間に、露光ギャップ以上の異物が入り込んでマスクを破
壊する事を誤検出なしに、防ぐ事が可能となる。
部の構造を、均一段差構造とする事で、異物検査におい
て、均一の信号出力を得る事を可能として、この事で、
本当の異物と区別して大きな異物を検出する事を可能と
し、ＰＸＬにおける特殊性である、マスクとウエハーの
間に、露光ギャップ以上の異物が入り込んでマスクを破
壊する事を誤検出なしに、防ぐ事が可能となる。
【０１１８】この他本発明のＸ線マスクの製造方法によ
れば、Ｘ線透過膜が支持枠に支持された状態で周囲部を
除去するようにしたことにより、周囲部に均一構造の段
差をより形成しやすくなる。
れば、Ｘ線透過膜が支持枠に支持された状態で周囲部を
除去するようにしたことにより、周囲部に均一構造の段
差をより形成しやすくなる。
【図１】本発明のＸ線マスクの構造を示す断面図
【図２】従来のＸ線マスクの構造を示す断面図
【図３】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図４】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図５】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図６】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造を
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
有するＸ線マスクを作成する方法の概念図で、接着式マ
スキングを使用する方法を示す図
【図７】本出願人が既に提案済みの、シリコンウエハー
基板の周辺部が傾斜面となっているマスクに本発明を適
用した図
基板の周辺部が傾斜面となっているマスクに本発明を適
用した図
【図８】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造の
マスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチン
グを使用する方法を示す図
マスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチン
グを使用する方法を示す図
【図９】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造の
マスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチン
グを使用する方法を示す図
マスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチン
グを使用する方法を示す図
【図１０】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１１】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１２】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１３】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１４】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１５】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１６】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１７】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１８】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図１９】本発明のＸ線マスクの周辺部が均一段差構造
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
のマスクを作成する方法を示す概念図で、露光とエッチ
ングを使用する方法を示す図
【図２０】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２１】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２２】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２３】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２４】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２５】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２６】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２７】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２８】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図２９】従来のＸ線マスクを作成する方法を示す図
【図３０】ウエハー周辺に附着した異物が、マスクとウ
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
【図３１】ウエハー周辺に附着した異物が、マスクとウ
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
【図３２】ウエハー周辺に附着した異物が、マスクとウ
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
エハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、
マスクを破壊してしまう流れを示した図
【図３３】マスク周辺に附着した異物が、マスクとウエ
ハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、マ
スクを破壊してしまう流れを示した図
ハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、マ
スクを破壊してしまう流れを示した図
【図３４】マスク周辺に附着した異物が、マスクとウエ
ハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、マ
スクを破壊してしまう流れを示した図
ハーが所定露光ギャップに設定された時に移動して、マ
スクを破壊してしまう流れを示した図
【図３５】マスクとフレームが一体型の構成を示す図
【図３６】周辺部をＳｉまで削りこんだ構造のマスク構
造を示す図
造を示す図
【図３７】マスクとフレームが一体型の構成のマスクに
本発明を適用したマスク構造を示す図
本発明を適用したマスク構造を示す図
【図３８】本発明のＸ線マスクを半導体素子製造用の露
光装置に適用したときの実施形態の要部概略図
光装置に適用したときの実施形態の要部概略図
【図３９】本発明の半導体素子の製造のフローチャート
【図４０】本発明の半導体素子の製造のフローチャート
【図４１】本発明に係る異物検査機の説明図
【図４２】本発明に係る異物検査機の説明図
【図４３】本発明に係る異物検査機の説明図
１：シリコンウエハー基板 ２：ＳｉＣ メンブレン ３：ＩＴＯ 又はＳｉＯ２膜 ４：吸収体 ５：バックエッチ 領域 ６：フレーム ７：周辺部の、吸収体、ＩＴＯ， ＳｉＣ，を取り除い
た領域（周辺部の均一な構造部（垂直段差部）） ８：周辺部の均一な構造部（垂直段差部） ９：接着式マスキング部材 １０：傾斜面である、シリコンウエハー基板 １１：Ｘ線マスク １２：ウエハー １３：所定露光ギャップ以上の大きさの異物 ３３：Ｓｉの一体型フレーム １３３：マスクフレーム １３４：マスクメンブレン １３５：ウエハー １３６：ウエハーチャック １３７：ｚ軸ステージ １３８：ｘ軸ステージ １３９：Ｘ線ビーム １４０：信号処理手段 １４１，１４２，１４３：駆動系 １４４：ｙ軸ステージ １４６ａ，１４６ｂ：位置ずれ検出光 １４７：マスク支持体の駆動系 ２３２：マスク支持体
た領域（周辺部の均一な構造部（垂直段差部）） ８：周辺部の均一な構造部（垂直段差部） ９：接着式マスキング部材 １０：傾斜面である、シリコンウエハー基板 １１：Ｘ線マスク １２：ウエハー １３：所定露光ギャップ以上の大きさの異物 ３３：Ｓｉの一体型フレーム １３３：マスクフレーム １３４：マスクメンブレン １３５：ウエハー １３６：ウエハーチャック １３７：ｚ軸ステージ １３８：ｘ軸ステージ １３９：Ｘ線ビーム １４０：信号処理手段 １４１，１４２，１４３：駆動系 １４４：ｙ軸ステージ １４６ａ，１４６ｂ：位置ずれ検出光 １４７：マスク支持体の駆動系 ２３２：マスク支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 糸賀 賢二 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA10 BB02 BB05 BB29 BB30 BD05 2H097 BA04 BA06 CA15 GA45 JA02 JA03 LA10 LA12 5F046 GA02 GA04 GC04 GD17 GD20
Claims (12)
- 【請求項１】 Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パタ
ーンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置
に用いられるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクはＸ線
吸収体を積層するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持す
る保持枠とを有し、該Ｘ線透過膜はその周辺部が該保持
枠に均一な段差構造部を有するように保持されているこ
とを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】 Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パタ
ーンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置
に用いられるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクはＸ線
吸収体を積層するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持す
る保持枠とを有し、該Ｘ線透過膜は、該保持枠の周辺部
の一部又は全部を残して、均一な段差構造部を有するよ
うに保持されていることを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項３】 Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パタ
ーンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装置
に用いられるＸ線マスクであって、該Ｘ線マスクは所望
のパターンのＸ線吸収体と該Ｘ線吸収体を保持するＸ線
透過膜と、該Ｘ線透過膜を保持する保持枠とを有し、該
Ｘ線吸収体と該Ｘ線透過膜の周辺部において、該保持枠
と均一な段差構造となっている事を特徴とするＸ線マス
ク。 - 【請求項４】 前記Ｘ線吸収体と前記Ｘ線透過膜をそれ
らの周辺部の一部を取り除く事で前記保持枠と均一な段
差構造としている事を特徴とする請求項１，２又は３の
Ｘ線マスク。 - 【請求項５】 前記Ｘ線吸収体と前記Ｘ線透過膜がそれ
らの周辺部において、取り除かれている領域を使用し
て、前記Ｘ線マスクをハンドリングする事を特徴とし
た、請求項３又は４のＸ線マスク。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項のＸ線マ
スクを用い、該Ｘ線マスクに設けた回路パターンを該露
光基板に転写していることを特徴とする露光装置。 - 【請求項７】 請求項６の露光装置を用いて回路パター
ンを転写した露光基板を現像処理工程を介して半導体デ
バイスを製造していることを特徴とする半導体デバイス
の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６の露光装置を用いて製造したこ
とを特徴とする半導体デバイス。 - 【請求項９】 請求項１から５のいずれか１項のＸ線マ
スクを用い、該Ｘ線マスクはＸ線吸収体とＸ線透過膜が
周辺部において、均一な段差構造とする事で、Ｘ線マス
ク上の異物検査において均一の段差からは均一な信号出
力が得られるようにし、該Ｘ線吸収体と該Ｘ線透過膜の
周辺部と認識して、周辺部の異物管理を行う事を特徴と
する異物検査方法。 - 【請求項１０】 Ｘ線ビームを用いて露光基板に回路パ
ターンを転写して半導体デバイスを製造する為の露光装
置に用いられるＸ線マスクの製造方法であって、保持枠
に保持されたＸ線透過膜の周辺部を除去することによっ
て段差構造を形成することを特徴とするＸ線マスクの製
造方法。 - 【請求項１１】 前記周辺部の除去はレジスト塗布、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離の各工程を実行し
て行われることを特徴とする請求項１０に記載のＸ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１から５のいずれか１項のＸ線
マスクを用い、該Ｘ線マスクに設けた回路パターンを前
記露光基板に転写することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29356999A JP2001118766A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | Ｘ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US10/223,301 US6770408B2 (en) | 1999-10-15 | 2002-08-20 | Dust particle inspection method for X-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29356999A JP2001118766A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | Ｘ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118766A true JP2001118766A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17796448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29356999A Pending JP2001118766A (ja) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | Ｘ線マスク及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6770408B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001118766A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6448491B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2019-01-09 | 東芝メモリ株式会社 | パーティクル測定用マスク |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2596958B2 (ja) | 1988-01-12 | 1997-04-02 | 三菱重工業株式会社 | 圧延機のロールオシレーション装置 |
| JPH03221848A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-09-30 | Canon Inc | 異物検査装置 |
| US5790247A (en) * | 1995-10-06 | 1998-08-04 | Photon Dynamics, Inc. | Technique for determining defect positions in three dimensions in a transparent structure |
| JPH11307442A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Hoya Corp | Ｘ線マスク及びｘ線マスクブランク並びにそれらの製造方法 |
-
1999
- 1999-10-15 JP JP29356999A patent/JP2001118766A/ja active Pending
-
2002
- 2002-08-20 US US10/223,301 patent/US6770408B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020197545A1 (en) | 2002-12-26 |
| US6770408B2 (en) | 2004-08-03 |
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