JP2001117145A

JP2001117145A - ストロボ装置

Info

Publication number: JP2001117145A
Application number: JP29217799A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Uchiyama; 浩行内山; Yutaka Yoshida; 豊吉田; Katsumi Motomura; 克美本村; Shuichi Ishii; 秀一石井
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-10-14
Filing date: 1999-10-14
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】ストロボ発光を停止する際に用いる基準電圧
を簡単に得られるようにする。【解決手段】ＥＥＰＲＯＭ４０には、パルス信号のパ
ルス電圧と目標電圧とに基づいて決められたデューティ
比が書き込まれている。露光補正モードに応じたデュー
ティ比がＥＥＰＲＯＭ４０から読み出され、このデュー
ティ比のパルス信号がマイクロコンピュータ２０からＲ
Ｃ積分回路３６に入力される。ＲＣ積分回路３６から
は、目標電圧に等しい直流電圧が出力され、この出力電
圧をストロボ発光を停止する際の基準電圧として用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動調光式のスト
ロボ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトカメラやインスタントカメラ
等のカメラの多くには、自動調光式のストロボ装置が搭
載されている。このストロボ装置では、被写体から反射
されてくるストロボ光をフォトトランジスタ等の受光素
子で受光して光量積分を行い、この積分量が所定レベル
に達したときに、サイリスタやＩＧＢＴ（絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ）等の半導体スイッチによって
ストロボ放電管でのメインコンデンサの放電を阻止し、
ストロボ発光を停止する。このようにして適切な露光量
が得られるようにしてストロボ光の発光量を調節してい
る。

【０００３】上記のような自動調光式のストロボ装置に
おいては、受光素子に流れる光電流でコンデンサを充電
することにより光量積分を行い、このコンデンサの充電
電圧あるいは充電電圧に比例した電圧が調光レベルを決
める基準電圧に達した瞬間にストロボ発光を停止してい
る。

【０００４】基準電圧は、調光レベルを決めるものであ
るから、適切な電圧値に調整されている必要がある。特
にインスタントカメラのストロボ装置では、インスタン
トフイルムが通常の焼き付け処理が行われないでそれ自
体がプリント写真となるため、撮影時点において高精度
なストロボ発光の制御が要求される。したがって、基準
電圧を極めて精度よく調整しておく必要がある。

【０００５】従来、複数個の抵抗を直列に接続した分圧
回路に一定の電圧を与えることにより必要な基準電圧は
得、基準電圧の微調整を可変抵抗器の抵抗値を変化させ
ることで行っている。また、インスタントカメラでは、
ユーザが任意にプリント写真の階調濃度を調整できるよ
うにした露光補正（フラクショナルコントロール）が設
けられており、この露光補正に応じた大きさの基準電圧
が選択的に取り出される。

【０００６】基準電圧を発生させるための従来の回路の
一例を図１０に示す。この回路は、主として直列に接続
された３個の分圧抵抗７０ａ〜７０ｃからなる分圧回路
と、この分圧回路に直列に接続された可変抵抗器７１と
から構成されている。マイクロコンピュータ７２によっ
てトランジスタ７３がＯＮとされると、一定の電圧が印
加され分圧抵抗７０ａ〜７０ｃの各接続点から３種類の
電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が得られ、これらのうちの１つの
電圧が露光補正の操作に応じて切り替えられるスイッチ
７５によって選択されて基準電圧Ｖｒｅｆとして出力さ
れる。そして、電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３の大きさは、可変
抵抗器７１の抵抗値を変化させることで同時に微調整さ
れる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
にして可変抵抗器で基準電圧を微調整するストロボ装置
では、適切な電圧値が得られるように、基準電圧を測定
しながら可変抵抗器の抵抗値を手作業で調整していた。
このため作業時間が長くかかるなど作業効等が悪く、調
整の精度も限界があり高精度に調整するのは難しかっ
た。また、例えば３種類の電圧のうちの１つの電圧値を
正確に調整しても、他の電圧が所定の電圧値から大きく
ずれてしまうといったこともある。

【０００８】マイクロコンピュータ等から出力したデジ
タルデータをＤ／Ａ変換して基準電圧を発生させ、この
基準電圧と受光回路からの電圧とを用いてアナログ量で
の比較を行う手法や、受光回路からの電圧をＡ／Ｄ変換
して得られるデジタルデータと、基準電圧に応じたデジ
タルデータとを用いて、デジタル量で比較する手法も考
えられる。しかしながら、Ｄ／Ａ変換する手法を採用し
た場合には、高精度な基準電圧を簡単に得ることができ
るが、高価なＤ／Ａ変換器が必要となり、コストアップ
が避けられない。また、デジタル量で比較する手法で
は、受光回路からの電圧が基準電圧に達したタイミング
を遅れなく適切に検知するには、処理速度が高速なＡ／
Ｄ変換器やマイクロコンピュータが必要となって、やは
りコストアップが避けられない。

【０００９】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたもので、部品点数が少なく、またコストアップを低
く抑え、しかも適切な基準電圧を簡単に得られるように
した自動調光式のストロボ装置を提供することを目的と
する。

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明では、所定のパルス電圧を有
し、このパルス電圧と所定の基準電圧とに基づいて決め
られたデューティ比のパルス信号を出力するパルス信号
発生手段と、抵抗及びコンデンサから構成され、前記パ
ルス信号の入力によって前記抵抗を介して充放電される
コンデンサの充電電圧を出力することにより、前記パル
ス信号をそのパルス電圧とデューティ比とに応じた直流
電圧に変換して出力する積分回路とを備え、前記積分回
路の出力電圧をストロボ発光を停止させる際の基準電圧
として用いるものである。

【００１０】請求項２記載の発明では、パルス信号のデ
ューティ比を記憶した記憶手段を備え、パルス信号発生
手段は、前記記憶手段に記憶されているデューティ比に
基づいたパルス信号を出力するようにしたものである。
請求項３記載の発明では、複数の異なるデューティ比が
記憶手段に記憶されており、前記記憶手段から１つのデ
ューティ比を選択して読み出す読み出し制御手段を備
え、前記記憶手段から選択的に読み出された１つのデュ
ーティ比に基づいたパルス信号をパルス信号発生手段が
出力することにより、積分回路から異なる電圧値の出力
電圧を選択的に出力可能としたものである。請求項４記
載の発明では、記憶手段を、ＥＥＰＲＯＭとしたもので
ある。

【００１１】請求項５記載の発明では、積分回路からの
出力電圧に応じた電圧デ−タを出力するＡ／Ｄ変換手段
と、所定の基準電圧に応じた基準電圧データを記憶した
データ記憶手段と、前記電圧データと基準電圧データと
に基づいて、前記所定の基準電圧に対する前記積分回路
からの出力電圧の誤差を算出し、この誤差に応じて前記
パルス信号のデューティ比を補正する補正手段とを備え
たものである。

【００１２】請求項６記載の発明では、積分回路からの
出力電圧に応じた電圧デ−タを出力するＡ／Ｄ変換手段
と、所定の基準電圧に応じた基準電圧データを記憶した
データ記憶手段と、前記電圧データと基準電圧データと
に基づいて、前記積分回路から出力される出力電圧の基
準電圧としての適否を判定し、この判定結果に応じた判
定信号を出力する判定手段を備えたものである。

【００１３】請求項７記載の発明では、受光回路は、ス
トロボ光を受光する受光素子と、直列に接続された第１
の抵抗及び受光用コンデンサと、これら第１の抵抗及び
受光用コンデンサに並列に接続された第２の抵抗とから
なり、前記受光素子に流れる光電流によって前記受光用
コンデンサが充電され、このコンデンサの充電電圧に応
じた積分電圧を出力するとともに、前記第１及び第２の
抵抗を介して前記受光用コンデンサを放電し、パルス信
号手段は、前記積分電圧が基準電圧に達することに応答
して積分回路のコンデンサを継続的に放電させるように
パルス信号の信号レベルを切り替え、積分回路は、抵抗
及びコンデンサから決まる放電時の時定数が前記受光用
コンデンサと前記第１及び第２の抵抗とから決まる前記
受光回路の放電時の時定数に対して相対的に十分に小さ
くしたものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明を実施した自動調光式のス
トロボ装置を搭載したインスタントカメラを図２に示
す。カメラボディ２の前面には、沈胴式の鏡筒３と、オ
ートフォーカス用の投光窓４と受光窓５とが設けられて
いる。鏡筒３には、撮影レンズ６が保持され、また鏡筒
３の前面には被写体輝度を測光するための測光窓７と、
ストロボ受光窓８が設けられている。グリップ部９に
は、レリーズボタン１０が設けられ、このレリーズボタ
ン１０の上方にはストロボ装置のストロボ発光部１１
と、ファインダ１２とが設けられている。グリップ部９
の内部は電池室となっており、電源としての電池、例え
ば単三型の乾電池が４本装填される。カメラボディ２の
上面には、メインスイッチボタン１３，設定ボタン１
４，ＬＣＤ１５，排出口１６が設けられている。

【００１５】メインスイッチボタン１３を押圧する毎
に、インスタントカメラの電源のＯＮ，ＯＦＦが交互に
切り替えられる。電源がＯＮとされると、鏡筒３が図示
した沈胴位置から前方に突出した撮影位置に繰り出され
て撮影可能な状態となる。また、電源がＯＦＦとされる
と鏡筒３が沈胴位置に戻されるとともに、レリーズボタ
ン１０を押圧操作しても撮影が行われないようになる。

【００１６】投光窓４及び受光窓５の奥には、測距用の
投光器と受光器とが組み込まれており、測光窓７の奥に
は測光用の受光素子が配されている。また、ストロボ受
光窓８の奥には自動調光用の受光素子としてのフォトト
ランジスタ１８（図３参照）が配されている。

【００１７】レリーズボタン１０を半押しすると、測距
用の投光器から被写体に向けて測距光が投光され、その
反射光を受光器で受光することによって被写体距離が測
定され、また測光窓７を通して受光素子で被写体輝度が
測定される。引き続きレリーズボタン１０を全押しする
と、測定された被写体距離に対応して撮影レンズ６のピ
ント合わせが行われ、測定された被写体輝度に基づいて
プログラム式のシャッタ羽根の開閉制御が行われて、イ
ンスタントフイルム１７への露光が行われる。

【００１８】露光済のインスタントフイルム１７は、排
出口１６より排出される。この排出の際に、インスタン
トフイルム１７は、その現像液ポッド１７ａが排出口１
６の奥に設けられた一対の展開ローラにより破裂され、
この現像液ポッド１７ａに内蔵された現像処理液が内部
に展開される。これにより、インスタントフイルム１７
に必要な現像処理が完了され、所定時間の経過後にプリ
ント写真が得られる。

【００１９】設定ボタン１４を操作することにより、ス
トロボ発光モード及び露光補正モ−ドを選択できる。Ｌ
ＣＤ１５には、ストロボ発光モード，露光補正モード，
インスタントフイルムの残り枚数，電池の残容量等の撮
影に必要な情報が表示される。

【００２０】ストロボ発光モ−ドとしては、自動発光モ
ードと、発光禁止モードとのいずれか一方を選択でき
る。自動発光モードでは、被写体輝度が所定レベル以下
であったときにシャッタ羽根の開閉に同期してストロボ
発光が自動的に行われ、ストロボ発光部１１からストロ
ボ光が被写体に向けて照射される。発光禁止モードで
は、被写体輝度にかかわらずストロボ発光が行われな
い。

【００２１】ストロボ発光時に被写体で反射したストロ
ボ光は、フォトトランジスタ１８で受光され、フォトト
ランジスタ１８での受光量が所定のレベルに達したとき
にストロボ発光が停止される。なお、ストロボ発光時に
は、シャッタ羽根は、予め決められたストロボ発光用の
シャッタ速度、絞り値で開閉される。

【００２２】露光補正モ−ドとしては、プリント写真が
標準的な濃度階調となる「Ｎｏｒｍａｌモード」、明る
めの濃度階調となる「Ｌｉｇｈｔモード」、暗めの濃度
階調となる「Ｄａｒｋモード」のいずれかを選択でき
る。「Ｌｉｇｈｔモード」，「Ｄａｒｋモード」では、
「Ｎｏｒｍａｌモード」に対して、例えば＋２／３Ｅ
Ｖ，−２／３ＥＶの露光補正が行われる。この露光補正
は、ストロボ発光しない場合にはシャッタ速度、絞り値
の増減によって行われ、ストロボ発光時では一定なシャ
ッタ速度，絞り値の下でストロボ光の発光量の増減によ
って行われる。

【００２３】上記インスタントカメラの構成を図３に示
す。マイクロコンピュータ２０は、ＣＰＵ，各部との間
で信号やデータの入出力を行うインタフェース，後述す
るＡ／Ｄ変換器等から構成されている。マイクロコンピ
ュータ２０は、ＲＯＭ２０ａに格納されたシーケンスプ
ログラムにしたがってインスタントカメラ全体の作動を
制御する。ＲＡＭ２０ｂは、シーケンスの遂行に必要な
データが一時的に書き込まれるワークメモリとして利用
される。

【００２４】測光装置２３は、測光用の受光素子等から
構成され、被写体輝度に応じた測光信号をマイクロコン
ピュータ２０に送る。オートフォーカス装置２４は、測
距用の投光器と受光器、この受光器からの出力に基づい
て被写体距離に応じた測距信号を出力する回路、撮影レ
ンズ６のピント合わせをするための機構等から構成され
ている。シャッタ装置２５は、絞り羽根を兼ねたプログ
ラム式のシャッタ羽根とこれを開閉移動するアクチュエ
ータ等から構成されている。フイルム排出機構２６は、
撮影完了後に露光済のインスタントフイルム１７を排出
するための周知のクロー部材及び展開ローラ等から構成
されている。

【００２５】レリーズボタン１０の半押しに応答した信
号が入力されると、マイクロコンピュータ２０は、測光
装置２３及びオートフォーカス装置２４を作動させ、被
写体輝度の測光と被写体距離の測距とを行う。マイクロ
コンピュータ２０は、測光信号に基づいて露出演算を行
ってシャッタ速度、絞り値を決定、あるいはストロボ発
光の決定をするとともに、測距信号に基づいて撮影レン
ズ６の繰り出し量を求める。露光演算を行う際には、設
定ボタン１４で選択されている露光補正モードドに応じ
てシャッタ速度、絞り値が補正される。

【００２６】レリーズボタン１０が全押しされると、マ
イクロコンピュータ２０は、求めた繰り出し量をオート
フォーカス装置２４にフィードバックして撮影レンズ６
のピント合わせを行った後に、シャッタ装置２５を作動
し、露出演算で得られたシャッタ速度、絞り値でシャッ
タ羽根を開閉する。前述したように自動発光モード下で
被写体輝度が所定レベル以下であったときには、予め決
められたストロボ発光用のシャッタ速度と絞り値とでシ
ャッタ装置２５を作動する。

【００２７】シャッタ羽根の開閉に同期してシンクロ信
号がシャッタ装置２５からマイクロコンピュータ２０に
送られる。また、シャッタ羽根の開閉が完了すると、シ
ャッタ装置２５から撮影完了信号が出力され、マイクロ
コンピュータ２０は、この撮影完了信号を受け取ると、
フイルム排出機構２６を作動して露光済のインスタント
フイルム１７を排出する。

【００２８】ストロボ装置は、昇圧回路３０，メインコ
デンサ３１，充電電圧検出回路３２，ストロボ放電管３
３，トリガ回路３４，受光回路３５，ＲＣ積分回路３
６，電圧コンパレータ３７，ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタ）３８等から構成され、マイクロ
コンピュータ２０によって制御される。

【００２９】昇圧回路３０は、マイクロコンピュータ２
０からの充電信号が入力されている間に作動して、電池
の低電圧を高電圧の交流に変換して出力する。昇圧回路
３０から出力される交流は、整流用ダイオード３０ａに
よって整流されてメインコンデンサ３１に供給され、こ
のメインコンデンサ３１を充電する。メインコンデンサ
３１には、充電電圧検出回路３２が接続されている。こ
の充電電圧検出回路３２は、主として直列に接続された
２個の分圧抵抗３２ａ，３２ｂからなり、メインコンデ
ンサ３１の充電電圧に比例した検出電圧Ｖｃｈｇをマイ
クロコンピュータ２０に送る。

【００３０】マイクロコンピュータ２０は、検出電圧Ｖ
ｃｈｇに基づいてメインコンデンサ３１の充電電圧を検
知し、これが所定の規定充電電圧に達すると、充電信号
を停止して、メインコンデンサ３１の充電を停止する。
自然放電等でメインコンデンサ３１の充電電圧が規定充
電電圧よりも低下すると、マイクロコンピュータ２０
は、充電信号の送出を再開する。これにより、メインコ
ンデンサ３１の充電電圧がほぼ規定充電電圧に保たれ
る。

【００３１】ストロボ放電管３３は、ストロボ発光部１
１内に設けられている。このストロボ放電管３３は、メ
インコンデンサ３１と並列に接続されており、これらの
メインコンデンサ３１とストロボ放電管３３の間にはＩ
ＧＢＴ３８が接続されている。ＩＧＢＴ３８は、ストロ
ボ発光に先立ってＯＮ（導通状態）とされる。トリガ回
路３４は、マイクロコンピュータ２０を介してシャッタ
装置２５からのシンクロ信号が入力されると、ストロボ
放電管３３にトリガ電圧を印加する。この結果、ＩＧＢ
Ｔ３８がＯＮとなっている場合には、メインコンデンサ
３１の電荷がストロボ放電管３３を通して放電されて、
ストロボ発光が開始される。ストロボ放電管３３から放
出されるストロボ光は、ストロボ発光部１１より被写体
に向けて照射される。なお、ストロボ発光を行わない場
合には、マイクロコンピュータ２０は、シンクロ信号を
トリガ回路３４へ送出しない。

【００３２】受光回路３５は、フォトトランジスタ１８
と、コンデンサ３５ａと、抵抗３５ｂ，３５ｃとからな
る。フォトトランジスタ１８のコレクタ端子には一定の
電圧が入力される。フォトトランジスタ１８のエミッタ
端子とグランドとの間には、直列に接続された抵抗３５
ｂ及びコンデンサ３５ａが接続され、これら抵抗３５ｂ
及びコンデンサ３５ａには並列に抵抗３５ｃが接続され
ている。この受光回路３５は、フォトトランジスタ１８
のエミッタ端子及び抵抗３５ｂの接続点と、グランドと
の間に発生する電圧を積分電圧Ｖｐｈとして出力する。

【００３３】フォトトランジスタ１８は、被写体で反射
されたストロボ光を受光し、その受光量に応じた光電流
を流す。この光電流によってコンデンサ３５ａは、抵抗
３５ｂを介して充電される。コンデンサ３５ａの充電が
進むにしたがって、コンデンサ３５ａの充電電圧に比例
して積分電圧Ｖｐｈが上昇する。これにより、受光回路
３５は、ストロボ放電管３３が発光した瞬間から反射光
を受光して光量積分を行い、その積分量に応じた積分電
圧Ｖｐｈを出力する。

【００３４】コンデンサ３５ａは、抵抗３５ｂ，３５ｃ
を介して放電する。この放電により、ストロボ発光が停
止した際に、積分電圧Ｖｐｈをほぼ０Ｖとして受光回路
３５を初期化するとともに、ストロボ発光が行われてい
ないときに、フォトトラジスタ１８が自然光や室内光を
受光して積分電圧Ｖｐｈが上昇することを防止してい
る。ストロボ発光時には、受光するストロボ光の強度が
大きいため、コンデンサ３５ａの充電が進み積分電圧Ｖ
ｐｈが上昇する。なお、この受光回路３５の受光感度
は、抵抗３５ｂ，３５ｃの抵抗値によって調節すること
ができる。また、フォトトランジスタ１８の代わりに、
フォトダイオード等の受光素子を用いてもよい。

【００３５】積分電圧Ｖｐｈは、電圧コンパレータ３７
の反転入力端子に入力される。この電圧コンパレータ３
７の非反転入力端子には、ＲＣ積分回路３６から出力さ
れる基準電圧Ｖｒｅｆが入力される。電圧コンパレータ
３７は、積分電圧Ｖｐｈと基準電圧Ｖｒｅｆとの大小関
係に応じた比較信号をＩＧＢＴ３８に出力する。

【００３６】電圧コンパレータ３７は、積分電圧Ｖｐｈ
が基準電圧Ｖｒｅｆより小さいときには比較信号を「Ｈ
レベル」とし、積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆに達
すると、厳密には積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆを
僅かに超えると比較信号を「Ｌレベル」とする。比較信
号の「Ｈレベル」は、ＩＧＢＴ３８をＯＮとするのに必
要なゲート電圧以上となっており、「Ｌレベル」では例
えば０Ｖとなっている。これにより、積分電圧Ｖｐｈが
基準電圧Ｖｒｅｆよりも小さい場合にＩＧＢＴ３８がＯ
Ｎとされ、積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆに達する
とＩＧＢＴ３８がＯＦＦとなる。

【００３７】ＩＧＢＴ３８は、前述したようにストロボ
発光に先立てＯＮとされる。すなわち、受光回路３５か
らの積分電圧Ｖｐｈがほぼ０Ｖとなっているときに、基
準電圧Ｖｒｅｆ（＞０Ｖ）を電圧コンパレータ３７に与
えることでＩＧＢＴ３８がＯＮとされる。そして、スト
ロボ発光中に、フォトトランジスタ１８が被写体で反射
されたストロボ光を受光し、受光量が所定のレベルに達
して積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆに達した瞬間に
ＩＧＢＴ３８がＯＦＦとされ、ストロボ放電管３３とメ
インコデンサ３１の接続が断たれてストロボ発光が停止
される。電圧コンパレータ３７からの比較信号は、マイ
クロコンピュータ２０にも送られ、後述するパルス信号
の制御に用いられる。

【００３８】ＲＣ積分回路３６は、コンデンサ３６ａと
抵抗３６ｂとからなり、マイクロコンピュータ２０から
のパルス信号が入力され、このパルス信号を直流電圧に
変換し、これを基準電圧Ｖｒｅｆとして出力する。抵抗
３６ｂは、その一端がマイクロコンピュータ２０の制御
ポートに接続され他端がコンデンサ３６ａの一端に接続
されている。コンデンサ３５ａの他端は、グランドされ
ている。コンデンサ３６ａの充電電圧、すなわちグラン
ドとコンデンサ３６ａの一端との間に生じる電圧が基準
電圧Ｖｒｅｆとして出力される。

【００３９】「Ｎｏｒｍａｌモード」，「Ｌｉｇｈｔモ
ード」，「Ｄａｒｋモード」のそれぞれについて、スト
ロボ光による露光量を決める基準電圧Ｖ_N，Ｖ_L，Ｖ_D
が決められている。各露光補正モードの基準電圧の大小
関係は、「Ｖ_L＞Ｖ_N＞Ｖ_D＞０（Ｖ）」である。

【００４０】ＥＥＰＲＯＭ４０には、基準電圧Ｖ_N，Ｖ
_L，Ｖ_Dに応じて予め決められたデューティ比（Duty
factor）Ｆ_N，Ｆ_L，Ｆ_Dをデータ化したものが製造時
に書き込まれている。ストロボ発光の際には、設定ボタ
ン１４で選択された露光補正モードに応じたデューティ
比がＥＥＰＲＯＭ４０から読み出される。なお、以下の
説明では、便宜上、基準電圧Ｖ_N，Ｖ_L，Ｖ_Dを目標電
圧Ｖ_N，Ｖ_L，Ｖ_Dと称する。

【００４１】マイクロコンピュータ２０は、選択された
露光補正モードに応じたデューティ比のパルス信号をＲ
Ｃ積分回路３６に入力することによって、この選択され
た露光補正モードに応じた目標電圧Ｖ_Nと等しい基準電
圧ＶｒｅｆをＲＣ積分回路３６から出力させる。

【００４２】図１に本発明に関わるマイクロコンピュー
タ２０の機能ブロックを示す。読出し制御手段４１は、
ストロボ発光の際に、設定ボタン１４の操作によって選
択された露光補正モードに応じたデューティ比、例えば
「Ｎｏｒｍａｌモード」が選択されている場合にはデュ
ーテ比Ｆ_NをＥＥＰＲＯＭ４０から読み出して、これを
パルス信号発生手段４５に送る。

【００４３】パルス信号発生手段４５は、制御信号発生
手段４６，ゲート手段４７，Ｃ−ＭＯＳ回路４８からな
る。制御信号発生手段４６は、図示しないクロック発生
器からのクロックを分周して一定の周波数ｆ、例えば４
ＫＨｚの制御信号を発生する。制御信号発生手段４６
は、制御信号の周期Ｔ（＝１／ｆ）に対する「Ｌレベ
ル」のパルス幅の比がＥＥＰＲＯＭ４０から読み出され
たデューティ比と同じになるようにして、制御信号を出
力する。

【００４４】ゲート手段４７は、制御信号発生手段４５
からＣ−ＭＯＳ回路４８への制御信号の出力を許容する
許容状態と、制御信号発生手段４５からＣ−ＭＯＳ回路
４８への制御信号の出力を禁止し、これに代えて強制的
に「Ｈレベル」の制御信号を出力する禁止状態とのいず
れか一方の状態に切り替わる。このゲート手段４７は、
ストロボ発光の際には、この発光に先立って許容状態と
され、ストロボ発光中に電圧コンパレータ３７からの比
較信号が「Ｈレベル」から「Ｌレベル」に変化すると、
シャッタ装置２５からの撮影完了信号が入力されるまで
禁止状態となる。

【００４５】Ｃ−ＭＯＳ回路４８は、制御ポートに接続
されたＲＣ積分回路３６とのインタフェースであって、
周知のようにＮチャンネル型のＦＥＴ４８ａとＰチャン
ネル型のＦＥＴ４８ｂとからなる。このＣ−ＭＯＳ回路
４８は、制御信号に基づいてパルス信号を発生し、これ
をＲＣ積分回路３６に送る。

【００４６】Ｃ−ＭＯＳ回路４８は、制御信号が「Ｌレ
ベル」のときには、ＦＥＴ４８ａがＯＦＦ，ＦＥＴ４８
ｂがＯＮとなることにより、パルス信号を「Ｈレベル」
とし、制御信号が「Ｈレベル」のときにはＦＥＴ４８ａ
がＯＮ，ＦＥＴ４８ｂがＯＦＦとなることにより、パル
ス信号を「Ｌレベル」とする。パルス信号の「Ｈレベ
ル」は、一定な電圧Ｖ_HをＲＣ積分回路３６に印加する
状態であり、「Ｌレベル」は制御ポートに接続されたＲ
Ｃ積分回路３６の入力端をグランドに接続する状態であ
る。

【００４７】これにより、ゲート手段４７が許容状態の
間では、周期Ｔのパルス信号がＲＣ積分回路３６に入力
される。そして、このパルス信号のデューティ比、すな
わち電圧Ｖ_Hとなっている間のパルス幅（時間）をｔｗ
としたときの値「（ｔｗ／Ｔ）×１００（％）」は、Ｅ
ＥＰＲＯＭ４０から読み出されたデューティ比Ｆ_N，Ｆ
_L，Ｆ_Dのいずれかと同じになる。

【００４８】前述のように構成されたＲＣ積分回路３６
にパルス信号を入力した場合には、周知のようにパルス
信号のデューティ比と、ＲＣ積分回路３６からの出力電
圧（基準電圧Ｖｒｅｆ）との間には、線型的な関係があ
る。より具体的には、次式のように表すことができる。Ｖｒｅｆ＝Ｖ_H・（ｔｗ／Ｔ）

【００４９】上記の関係式から、ＲＣ積分回路３６から
出力される基準電圧Ｖｒｅｆを目標電圧Ｖ_N，Ｖ_L，Ｖ
_Dと等しくするための各デューティ比Ｆ_N，Ｆ_L，Ｆ_D
を計算によって求めることができ、得られる各デューテ
ィ比Ｆ_N，Ｆ_L，Ｆ_Dをデータ化したものがＥＥＰＲＯ
Ｍ４０に書き込まれる。

【００５０】なお、ＲＯＭ２０ａ等にデューティ比を記
憶させてもよいが、電気的にデータの書き換えが可能な
ＥＥＰＲＯＭ４０を用いれば、経年変化等に応じてデュ
ーティ比を変更する必要が生じても、これを簡単に行う
ことができる。また、目標電圧に対応したデューティ比
のパルス信号を得ることができればよいので、ＥＥＰＲ
ＯＭ４０に記憶しておくデータは、デューティ比をデー
タ化したものに限らず、デューティ比を間接的に表した
例えばパルス信号の高低二値のパルス幅の比率や、周期
が一定の場合にはパルス幅ｔｗ、あるいは「Ｔ−ｔｗ」
をデータ化したものであってもよい。

【００５１】ＲＣ積分回路３６は、パルス信号の電圧を
平滑化して、直流の基準電圧Ｖｒｅｆを出力することに
なるが、より詳細には基準電圧Ｖｒｅｆは目標電圧を中
心にして、その電圧値が上下に変動している。一定の周
波数のパルス信号の下では、ＲＣ積分回路３６のコンデ
ンサ３６ａの静電容量及び抵抗３６ｂの抵抗値から決ま
る絶対的な時定数が小さいほど、充電時及び放電時にお
けるコンデンサ３６ａの充電電圧が急激に変化するた
め、基準電圧Ｖｒｅｆの変動幅が大きくなって、ストロ
ボ光による露光量のバラツキが生じ易くなる。逆に、Ｒ
Ｃ積分回路３６の絶対的な時定数を大きくすれば、充電
時及び放電時におけるコンデンサ３６ａの充電電圧が緩
やかに変化するので、基準電圧Ｖｒｅｆの変動幅を小さ
く抑えることができる。

【００５２】このため、このストロボ装置では、コンデ
ンサ３６ａの静電容量を大きくすることにより、ＲＣ積
分回路３６の絶対的な時定数を大きくし、実質的に一定
な基準電圧Ｖｒｅｆを得て、ストロボ光による露光量の
バラツキの発生を防止している。

【００５３】ストロボ発光の停止時には、ゲート手段４
７が禁止状態となることで、「Ｈレベル」の制御信号が
Ｃ−ＭＯＳ回路４８に送られ、パルス信号が継続的に
「Ｌレベル」とされる。これにより、ストロボ発光の停
止直後にコンデンサ３６ａを継続的に放電させる。

【００５４】前述のようにコンデンサ３６ａの静電容量
を大きくする等して、ＲＣ積分回路３６の絶対的な時定
数を大きくした場合には、ストロボ発光を停止した直後
にコンデンサ３６ａを継続的に放電させても、受光回路
３５とＲＣ積分回路３６の放電時の時定数を適切に設定
しなければ、１回の撮影中でストロボ発光を停止した直
後に再びストロボ発光するといった誤発光が生じ易くな
る。この誤発光は、ストロボ発光がいったん停止された
後に、まだストロボ放電管３３が活性化している状態
で、積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆ以下となること
によって発生する。

【００５５】このような不都合を防止するために、この
ストロボ装置では、ＲＣ積分回路３６のコンデンサ３６
ａの静電容量をＣ０，抵抗３６ｂの抵抗値をＲ０とし、
受光回路３５のコンデンサ３５ａの静電容量をＣ１，各
抵抗３５ｂ，３５ｃの抵抗値をＲ１，Ｒ２としたとき
に、以下の条件を満たすようにしてある。Ｃ１（Ｒ１＋Ｒ２）≫Ｃ０・Ｒ０

【００５６】上記条件は、受光回路３５の放電時におけ
る時定数（「Ｃ１（Ｒ１＋Ｒ２）」）に対してＲＣ積分
回路３６の放電時における時定数（「Ｃ０・Ｒ０」）を
相対的に十分に小さくすることを表している。すなわ
ち、積分電圧Ｖｐｈがコンデンサ３５ａの充電電圧に比
例しているから、抵抗３５ａ，３５ｂを介したコンデン
サ３５ａの放電よりも、ＲＣ積分回路３６の抵抗３６ｂ
を介したコンデンサ３６ａの放電が速やかに行われるよ
うにすることを意味している。なお、電圧コンパレータ
３７の各入力端子は、ハイインピーダンスであるため、
この電圧コンレパレータ３７を介しての放電は無視でき
る。

【００５７】上記条件を満たすようにすることで、例え
ばストロボ発光の停止に応答して、ＲＣ積分回路３６の
コンデンサ３６ａを急速に放電させる専用の回路を追加
しなくても、誤発光を防止できる。

【００５８】図４は、各露光補正モードに対応したパル
ス信号を示すものである。「Ｎｏｒｍａｌモード」時に
は、図４（ａ）に示すように、周期Ｔ，パルス幅ｔｗ_N
でデューティ比Ｆ_NのＮｏｒｍａｌモード用パルス信号
がＲＣ積分回路３６に入力される。例えば、「Ｎｏｒｍ
ａｌモード」に対応した目標電圧Ｖ_Nが電圧Ｖ_Hの５０
％である場合には、デューティ比Ｆ_Nは５０％とされ
る。

【００５９】また、「Ｌｉｇｈｔモード」時には、図４
（ｂ）に示すように、周期Ｔ，パルス幅ｔｗ_Lでデュー
ティ比Ｆ_LとなるＬｉｇｈｔモード用パルス信号がＲＣ
積分回路３６に入力される。このＬｉｇｈｔモード用パ
ルス信号は、「Ｌｉｇｈｔモード」の目標電圧Ｖ_Lが
「Ｎｏｒｍａｌモード」の目標電圧Ｖ_Nよりも高いた
め、パルス幅ｔｗ_Lがパルス幅ｔｗ_Nよりも大きくさ
れ、その分デューティ比Ｆ_Lも大きくなっている。例え
ば、目標電圧Ｖ_Lが電圧Ｖ_Hの６０％である場合には、
デューティ比Ｆ_Lは６０％とされる。

【００６０】同様にして、「Ｄａｒｋモード」時には、
図４（ｃ）に示すように、周期Ｔ，パルス幅ｔｗ_Dでデ
ューティ比Ｆ_DとなるＤａｒｋモード用パルス信号がＲ
Ｃ積分回路３６に入力される。このＤａｒｋモード用パ
ルス信号は、「Ｄａｒｋモード」の目標電圧Ｖ_Dが「Ｎ
ｏｒｍａｌモード」の目標電圧Ｖ_Nよりも低いため、パ
ルス幅ｔｗ_Dがパルス幅ｔｗ_Nよりも小さくされ、その
分デューティ比Ｆ_Dも小さくなっている。例えば、目標
電圧Ｖ_Dが電圧Ｖ_Hの４０％である場合には、デューテ
ィ比Ｆ_Dは４０％とされる。

【００６１】次に上記構成の作用について説明する。イ
ンスタントカメラの製造時では、インスタントカメラに
組み込まれたＥＥＰＲＯＭ４０にデューティ比Ｆ_N，Ｆ
_L，Ｆ_Dをデータ化したものがそれぞれ書き込まれ、特
に基準電圧を調整するための作業は行われない。もちろ
ん、デューティ比Ｆ_N，Ｆ_L，Ｆ_Dを予め書き込んだＥ
ＥＰＲＯＭ４０を組み込むようにしてもよい。

【００６２】撮影する場合には、メインスイッチボタン
１３を操作する。この操作で電源がＯＮとなると、図示
しない沈胴機構が作動されて鏡筒３が撮影位置に繰り出
され、インスタントカメラが撮影可能な撮影待機状態と
なる。撮影待機状態では、マイクロコンピュータ２０
は、充電電圧検出回路３２から出力される検出電圧Ｖｃ
ｈｇに基づいてメインコンデンサ３１の充電電圧を監視
しており、この充電電圧が規定充電電圧に達していない
ときには、昇圧回路３０を作動して充電を行う。これに
より、電源がＯＮとなっている間は、メインコンデンサ
３１の充電電圧がほぼ規定充電電圧に保たれ、常にスト
ロボ発光可能な状態となる。なお、設定ボタン１４の操
作で発光禁止モードが選択されているときには、メイン
コンデンサ３１の充電電圧にかかわらず充電を停止して
もよい。

【００６３】設定ボタン１４を操作し、必要に応じてス
トロボ発光モードと、露光補正モードの選択を行った後
に、レリーズボタン１０を押圧操作して撮影を行う。レ
リーズボタン１０を半押し操作すると、被写体輝度の測
光と被写体距離の測距とが行われ、マイクロコンピュー
タ２０は、測光結果と選択されている露光補正モードと
に基づいて、露出演算を行うとともに、測距結果に基づ
いて撮影レンズ６の繰り出し量を算出する。

【００６４】また、例えば自動発光モードが選択されい
る場合で、ストロボ発光が必要であると判断されたとき
には、レリーズボタン１０を半押し操作した時点で、マ
イクロコンピュータ２０は、選択されている露光補正モ
ードを調べ、この選択されている露光補正モードに対応
した基準電電圧ＶｒｅｆがＲＣ積分回路３６から出力さ
れるようにパルス信号を制御する。

【００６５】まず、設定ボタン１４によって選択されて
いる露光補正モードが調べられ、選択されている露光補
正モードに対応したデューティ比が読出し制御手段４１
によってＥＥＰＲＯＭ４０から読み出される。例えば、
「Ｎｏｒｍａｌモード」が選択されている場合には、こ
の「Ｎｏｒｍａｌモード」に対応したデューティ比Ｆ _N
がＥＥＰＲＯＭ４０から読み出されて、制御信号発生手
段４６に送られる。

【００６６】制御信号発生手段４６は、ＥＥＰＲＯＭ４
０からのデューティ比Ｆ_Nを参照し、これに基づいた制
御信号を発生してゲート手段４７に送る。ゲート手段４
７は許容状態となっているので、制御信号発生手段４６
からの制御信号がＣ−ＭＯＳ回路４８に送られる。そし
て、制御信号の信号レベルに基づいて、Ｃ−ＭＯＳ回路
４８の各ＦＥＴ４８ａ，４８ｂが繰り返しＯＮ，ＯＦＦ
されることにより、図４（ａ）に示されデューティ比Ｆ
_NのＮｏｒｍａｌモード用パルス信号がＣ−ＭＯＳ回路
４８からＲＣ積分回路３６に入力される。

【００６７】ＦＥＴ４８ａがＯＦＦ，ＦＥＴ４８ｂがＯ
Ｎとなってパルス信号が「Ｈレベル」となっている間で
は、パルス信号の電圧Ｖ_Hによってコンデンサ３６ａが
抵抗３６ｂを介して充電され、その充電電圧が上昇す
る。この後ＦＥＴ４８ａがＯＮ，ＦＥＴ４８ｂがＯＦＦ
なってパルス信号が「Ｌレベル」となると、抵抗３６
ｂ，ＦＥＴ４８ａを介してコンデンサ３６ａが放電し、
その充電電圧を下げる。そして、再びパルス信号が「Ｈ
レベル」となると、コンデンサ３６ａが充電されて、そ
の充電電圧が上昇する。

【００６８】上記のようにしてコンデンサ３６ａの充放
電が繰り返し行われ、ＲＣ積分回路３６の時定数に対し
て十分な時間が経過した後では、図５に示すように、Ｒ
Ｃ積分回路３６から出力される基準電圧Ｖｒｅｆは、パ
ルス信号の変化に応じ、「Ｎｏｒｍａｌモード」に対応
した目標電圧Ｖ_Nを中心にして上下に変動するが、コン
デンサ３６ａの静電容量を大きくしてあるので、その変
動は非常に小さいものとなる。したがって、良好に平滑
化された基準電圧Ｖｒｅｆが得られ、実質的に目標電圧
Ｖ_Nと等しい一定な基準電圧Ｖｒｅｆが得られる。

【００６９】上記と同様にして、「Ｌｉｇｈｔモード」
が選択されているときには、ＥＥＰＲＯＭ４０からデュ
ーティ比Ｆ_Lが読み出され、これに基づいた制御信号で
Ｃ−ＭＯＳ回路４８の各ＦＥＴ４８ａ，４８ｂが繰り返
しＯＮ，ＯＦＦされることにより、図４（ｂ）に示され
デューティ比Ｆ_LのＬｉｇｈｔモード用パルス信号がＣ
−ＭＯＳ回路４８で作成されＲＣ積分回路３６に入力さ
れる。結果として、実質的に「Ｌｉｇｈｔモード」に対
応した目標電圧Ｖ_Lと等しい一定な基準電圧Ｖｒｅｆが
ＲＣ積分回路３６から出力される。

【００７０】また、「Ｄｒａｋモード」が選択されてい
るときには、図４（ｃ）に示されるデューティ比Ｆ_Dの
Ｄａｒｋモード用パルス信号がＲＣ積分回路３６に入力
されるから、実質的に「Ｄｒａｋモード」に対応した目
標電圧Ｖ_Dと等しい一定な基準電圧ＶｒｅｆがＲＣ積分
回路３６から出力される。

【００７１】このようにして得られる基準電圧Ｖｒｅｆ
は、電圧コンレパレータ３７の非反転入力端子に与えら
れる。受光回路３５では、フォトトランジスタ１８が自
然光や室内光を受光し光電流を流すが、このときの光電
流の大きさは非常に小さい。このため、自然光等でコン
デンサ３５ａに蓄積される電荷は、コンデンサ３５ａの
充電電圧をほとんど上げることなく抵抗３５ｂ，３５ｃ
を介して放電される。したがって、受光回路３５からは
ほぼ０Ｖの積分電圧Ｖｐｈが電圧コンパレータ３７の反
転入力端子に与えられた状態になっている。結果、基準
電圧Ｖｒｅｆよりも積分電圧Ｖｐｈが低いため、電圧コ
ンパレータ３７からは「Ｈレベル」の比較信号が出力さ
れＩＧＢＴ３８がＯＮとなる。

【００７２】レリーズボタン１０をさらに押圧操作して
全押しとすると、先に得られた繰り出し量でオートフォ
ーカス機構２４が作動されピント合わせが行われた後
に、シャッタ装置２５が作動され、ストロボ用のシャッ
タ速度と絞り値とでシャッタ羽根が開閉される。このシ
ャッタ羽根の開閉の際に、シャッタ羽根が最大開口径に
達すると、シャッタ装置２５からのシンクロ信号がマイ
クロコンピュータ２０を介してトリガ回路３４に入力さ
れる。すると、トリガ回路３４は、ストロボ放電管３３
にトリガ電圧を印加する。ＩＧＢＴ３８がＯＮとなって
いる状態でストロボ放電管３３にトリガ電圧が印加され
るから、メインコンデンサ３１の電荷がストロボ放電管
３３を通して放電されてストロボ発光が開始される。

【００７３】ストロボ放電管３３から放出されたストロ
ボ光は、ストロボ発光部１１から被写体に向けて照射さ
れ、その一部が反射されて受光窓８を通してフォトトラ
ンジスタ１８に入射する。フォトトランジスタ１８は、
入射するストロボ光に応じた光電流を流し、この光電流
によってコンデンサ３５ａが充電され、受光量が増大す
るのにしたがってコンデンサ３５ａの充電電圧が上昇す
る。

【００７４】コンデンサ３５ａの充電電圧が上昇するの
に比例して、積分電圧Ｖｐｈが上昇する。そして、この
積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆに達すると、電圧コ
ンパレータ３７からの比較信号が「Ｌレベル」に転じ
て、ＩＧＢＴ３８がＯＦＦとなる。ＩＧＢＴ３８がＯＦ
Ｆとなることにより、メインコンデンサ３１とストロボ
放電管３３との接続が断たれて、ストロボ発光が停止す
る。

【００７５】また、比較信号が「Ｌレベル」に転じるこ
とに応答して、ゲート手段４７が許容状態から禁止状態
に移行し、ＣＭＯ回路４８への制御信号を強制的に
「Ｈレベル」とする。これにより、パルス信号が「Ｌレ
ベル」となりＲＣ積分回路３６のコンデンサ３６ａが抵
抗３６ｂを介して放電を開始し、基準電圧Ｖｒｅｆが降
下する。

【００７６】図６に基準電圧Ｖｒｅｆと積分電圧Ｖｐｈ
との変化の例を示すように、ストロボ発光の開始と同時
に積分電圧Ｖｐｈが上昇する。この積分電圧Ｖｐｈが基
準電圧Ｖｒｅｆよりも低いときには、ＩＧＢＴ３８がＯ
Ｎとなっているからストロボ発光が継続される。そし
て、積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆに達すると、Ｉ
ＧＢＴ３８がＯＦＦとなってストロボ発光が停止する。
そして、この直後に、積分電圧Ｖｐｈとが降下を開始す
るとともに、パルス信号が「Ｌレベル」となることによ
って基準電圧Ｖｒｅｆも降下を開始する。

【００７７】ストロボ発光が停止した直後からしばらく
の間は、ストロボ放電管３３は活性化された状態にあ
る、この活性化された状態の間にＩＧＢＴ３８が再度Ｏ
Ｎとなってメインコンデンサ３１がストロボ放電管３３
に接続されると、ストロボ放電管３３を通してのメイン
コンデンサ３１の放電が再開され、誤発光が発生する。
そして、この誤発光によってストロボ光の照射量が増
え、露光オーバーとなる。

【００７８】すなわち、ストロボ発光の停止後に、例え
ば図６中に二点鎖線で示すように、基準電圧Ｖｒｅｆの
電圧降下が積分電圧Ｖｐｈよりも遅く、ストロボ放電管
３３が活性化されている間に、積分電圧Ｖｐｈが基準電
圧Ｖｒｅｆより小さくなると、上記のような誤発光が発
生する。

【００７９】しかしながら、このストロボ装置では、受
光回路３５の放電時の時定数に対してＲＣ積分回路３６
の放電時の時定数を相対的に十分小さくしているので、
例えば図６中に実線で示すように、ストロボ発光の停止
後に、積分電圧Ｖｐｈが基準電圧Ｖｒｅｆを下回ること
がない。したがって、誤発光することがない。

【００８０】シャッタ羽根の開閉が完了すると、撮影完
了信号がシャッタ装置２５からマイクロコンピュータ２
０に送られる。マイクロコンピュータ２０は、撮影完了
信号を受け取ると、フイルム排出機構２６を作動してイ
ンスタントフイルム１７を排出する。また、制御信号発
生手段４６が停止し、さらにゲート手段４７が許容状態
となり、撮影待機状態となる。

【００８１】所定時間の経過後に得られるプリント写真
は、「Ｎｏｒｍａｌモード」を選択して撮影した場合に
は、積分電圧Ｖｐｈが目標電圧Ｖ_Nと等しい基準電圧Ｖ
ｒｅｆに達したときにストロボ発光が停止されるから、
その被写体画像が標準的な濃度階調となる。また、「Ｌ
ｉｇｈｔモード」の場合には、積分電圧Ｖｐｈが目標電
圧Ｖ_Nより高く目標電圧Ｖ_Nと等しい基準電圧Ｖｒｅｆ
に達したときにストロボ発光が停止されてストロボの照
射量が２／３ＥＶ分増やされるから、明るめの濃度階調
となる。さらに、「Ｄａｒｋモード」の場合には積分電
圧Ｖｐｈが目標電圧Ｖ_Nより低く目標電圧Ｖ_Dと等しい
基準電圧Ｖｒｅｆに達したときにストロボ発光が停止さ
れてストロボの照射量が２／３ＥＶ分減らされるから暗
めの濃度階調となる。

【００８２】図７は、ＲＣ積分回路から出力される基準
電圧の適否の判定を行う例を示すものである。なお、以
下に説明する他は、上記実施形態と同じであり、実質的
に同じ構成部材には同じ符号を付してその説明を省略す
る。

【００８３】マイクロコンピュータ２０には、その動作
モードを通常撮影モードとメンテナンスモードとに切り
替えるモードスイッチ５０が接続されている。モードス
イッチ５０を操作して通常撮影モードに切り替えると、
マイクロコンピュータ２０が上記実施形態と同じ手順に
よって各部を制御するようになり、通常の撮影を行うこ
とができる。モードスイッチ５０でメンテナンスモード
とすると、マイクロコンピュータ２０は、各露光補正モ
ードに対応した適切な基準電圧Ｖｒｅｆが得られるか否
かの判定を行う。また、ＥＥＰＲＯＭ４０には、デュー
ティ比Ｆ_N，Ｆ _L，Ｆ_Dがデータ化されて書き込まれて
いるとともに、目標電圧Ｖ_N，Ｖ_L，Ｖ _Dをデータ化し
た基準電圧データがそれぞれ書き込まれている。

【００８４】メンテナンスモード下では、ＥＥＰＲＯＭ
４０からデューティ比Ｆ_N，Ｆ_L，Ｆ_Dが順次に読み出
され、この読み出したデューティ比を用いて、一定の時
間ずつパルス信号を発生させて、このパルス信号をＲＣ
積分回路３６に入力することによって各露光補正モード
に応じた基準電圧Ｖｒｅｆを作成する。

【００８５】マイクロコンピュータに内蔵されたＡ／Ｄ
変換器５１は、各露光補正モードに応じた基準電圧Ｖｒ
ｅｆが出力されている間に、適当なサンプリング間隔で
基準電圧Ｖｒｅｆをサンプリングし、得られる電圧値を
電圧データに変換して判定手段５２に送る。

【００８６】判定手段５２は、ＲＣ積分回路３６から出
力されている基準電圧Ｖｒｅｆが目標電圧を中心にして
設定された上限値と下限値との間の許容範囲内の電圧と
なっているか否かを調べ、実際に出力されている基準電
圧Ｖｒｅｆがストロボ発光の停止の際に用いる基準電圧
としての適しているか否を判定して、この判定結果に基
づいた判定信号を出力する。例えば目標電圧と上限値，
下限値との差を表した各目標電圧に共通な差分データが
ＲＯＭ２０ａに予め書き込まれており、判定の際には、
判定手段５２が差分データと基準電圧データとをＲＯＭ
２０ａ，ＥＥＰＲＯＭ４０からそれぞれ読み出して上限
データ及び下限データを作成し、これらとＡ／Ｄ変換器
５１から得られる電圧デ−タを比較することによって行
う。

【００８７】判定信号は、出力端子５３から外部に出力
されるとともに、ＬＣＤ１５に送られ、このＬＣＤ１５
に判定結果が表示される。出力端子５３から出力される
判定信号は、外部の検査装置に入力されて機能検査に用
いられ、ＬＣＤ１５の表示は目視確認用に用いられる。

【００８８】上記構成によれば、メンテナンスモードに
設定することによって、まずＮｏｒｍａｌモード用のデ
ューティ比Ｆ_NがＥＥＰＲＯＭ４０から読み出されて、
これに基づいてデューティ比Ｆ_Nのパルス信号がＲＣ積
分回路３６に入力される。このパルス信号の入力開始か
ら適当な時間の経過後に、Ａ／Ｄ変換器５１によってサ
ンプリングが繰り返し行われ、得られる電圧データが判
定手段５２に送られる。

【００８９】一方、判定手段５２は、ＥＥＰＲＯＭ４０
から「Ｎｏｒｍａｌ」モードの目標電圧Ｖ_Nに応じた基
準電圧データを読み出すとともに、ＲＯＭ２０ａから差
分データを読み出して、これらからＮｏｒｍａｌモード
用の上限データ及び下限データを作成する。そして、こ
の上限データ及び下限データと、Ａ／Ｄ変換器５１から
順次に得られる電圧デ−タを比較することによって、Ｒ
Ｃ積分回路３６から実際に出力されている基準電圧Ｖｒ
ｅｆが目標電圧Ｖ_Nに決められた許容範囲内にあるか否
かを判定し、この判定結果に基づいた判定信号が出力端
子５３から外部に出力され、また判定結果がＬＣＤ１５
に表示される。

【００９０】上記のようにしてＮｏｒｍａｌモード用の
基準電圧Ｖｒｅｆの判定を行った後に、同様にして、
「Ｌｉｇｈｔ」モード用のデューティ比Ｆ_L，「Ｄｒａ
ｋモード用のデューティ比Ｆ_Dのパルス信号を順次にＲ
Ｃ積分回路３６に入力し、このときに得られる基準電圧
Ｖｒｅｆの適否が判定される。

【００９１】メーカーでの機能検査時には出力端子５３
に検査装置が接続され、この検査装置は、出力される判
定信号に基づいて各露光補正モードに対する基準電圧Ｖ
ｒｅｆの適否を検知し、ストロボ装置の合否を判定す
る。したがって、検査装置側にＲＣ積分回路３６の出力
電圧をピックアップしたり、ピックアップした電圧から
基準電圧としての適否を判定するための機構、回路等は
不要であり、簡単で安価な検査装置で機能検査を行うこ
とが可能となる。

【００９２】もちろん、インスタントカメラ側にＡ／Ｄ
変換器５１を必要とするが、Ａ／Ｄ変換器５１を内蔵さ
せるようにしてマイクロコンピュータ２０の回路を変更
しても、マイクロコンピュータ２０としての集積回路の
素子数の多少の増加と回路変更とを伴うだけであるの
で、マイクロコンピュータ２０の製造コストの上昇はほ
とんどない。

【００９３】また、ＬＣＤ１５で判定結果を知ることが
できるので、例えばカメラ販売店等でも簡単にチェック
できる。なお、通常撮影時にも、基準電圧が適切である
か否かの判定を行うようにして、ユーザに知らせるよう
にしてもよい。また、スイッチ５０を用いる代わりに、
外部からの信号の入力で基準電圧が適切であるか否かの
判定が行われるようにしてもよい。

【００９４】さらに、この例では、適当な間隔で基準電
圧Ｖｒｅｆをサンプリングしているが、例えば制御信号
が「Ｈレベル」から「Ｌレベル」へ、また「Ｌレベル」
から「Ｈレベル」に変化する毎にサンプリングすること
によって、基準電圧Ｖｒｅｆの最大値と最小値をそれぞ
れサンプリングするようにしてもよい。また、サンプリ
ングした電圧データから基準電圧Ｖｒｅｆの平均値や振
幅の中心を算出し、これを用いて基準電圧としての適否
を判定するようにしてもよい。

【００９５】図８は、ＲＣ積分回路から出力される基準
電圧を監視し、目標電圧となるようにパルス信号のデュ
ーティ比を補正する例を示すものである。なお、以下に
説明する他は、最初の実施形態と同じであり、実質的に
同じ構成部材には同じ符号を付してその説明を省略す
る。

【００９６】ＥＥＰＲＯＭ４０には、上記実施形態と同
様にデューティ比Ｆ_N，Ｆ_L，Ｆ_Dがデータ化されて予
め書き込まれているとともに、目標電圧Ｖ_N，Ｖ_L，Ｖ
_Dに対応した基準電圧データが書き込まれている。Ａ／
Ｄ変換器６１は、例えば制御信号が「Ｈレベル」から
「Ｌレベル」へ、また「Ｌレベル」から「Ｈレベル」に
変化する毎に、ＲＣ積分回路３６から出力される基準電
圧Ｖｒｅｆをサンプリングすることによって、基準電圧
Ｖｒｅｆの最大値と最小値をそれぞれサンプリングし、
得られる電圧値を電圧データに変換して補正手段６２に
送る。

【００９７】補正手段６２は、基準電圧Ｖｒｅｆを発生
させる際に、最初にＥＥＰＲＯＭ４０から読み出された
デューティ比を制御信号発生手段４６に送ることで、Ｅ
ＥＰＲＯＭ４０から読み出されたデューティ比のパルス
信号をＣ−ＭＯＳ回路４８から出力させ、この後にＥＥ
ＰＲＯＭ４０から読み出した基準電圧データと、Ａ／Ｄ
変換器６１からの電圧データとを用いて、目標電圧に対
する基準電圧Ｖｒｅｆの誤差を補正するようにデューテ
ィ比を補正する。

【００９８】図９にデューティ比の補正処理の流れを示
す。基準電圧Ｖｒｅｆを発生させる際に、例えば露光補
正モードとして「Ｄａｒｋモード」が選択されている場
合には、ＥＥＰＲＯＭ４０からＤａｒｋモード用のデュ
ーティ比Ｆ_Dと目標電圧Ｖ_Dが読み出され、補正手段６
５に送られる。補正手段６５は、デューティ比Ｆ_Dを制
御信号発生手段４６に送ることで、デューティ比Ｆ_Dの
パルス信号がＣ−ＭＯＳ回路４８からＲＣ積分回路３６
に入力される。これにより、このパルス信号に応じた基
準電圧ＶｒｅｆがＲＣ積分回路３６が出力されるように
なる。

【００９９】パルス信号の発生開始後からＲＣ積分回路
３６の時定数に対し十分な時間が経過した後に、Ａ／Ｄ
変換器６１によるサンプリングが開始される。Ａ／Ｄ変
換器６１は、制御信号が「Ｈレベル」から「Ｌレベル」
に、また「Ｌレベル」から「Ｈレベル」に変化する毎に
基準電圧Ｖｒｅｆをサンプリングし、得られる電圧デー
タを補正手段６５に送る。補正手段６５は、順次入力さ
れる電圧データを積算していき、所定の個数（「２・
Ｍ」個）の電圧データの積算が終了すると、この積算値
（Ｓ）を積算個数（２・Ｍ）で除することにより、基準
電圧Ｖｒｅｆの平均値Ｖ_AVEを求める。

【０１００】Ａ／Ｄ変換器６１によるサンプリングが制
御信号の変化に同期して行われ、基準電圧Ｖｒｅｆの最
大値と最小値が同じ個数だけサンプリングされるので、
上記のようにして得られる平均値Ｖ_AVEは、基準電圧Ｖ
ｒｅｆの振幅の中心電圧の平均値となる。

【０１０１】次に、判定手段６５は、先に読み出した基
準電圧データから目標電圧Ｖ_Dと平均値Ｖ_AVEとの差
（Ｖ_D−Ｖ_AVE）を求め、この差の電圧Ｖ_Hに対する比
率（％）を求める。そして、得られる比率を現在のデュ
ーティ比Ｆ_Dに加算して、パルス信号のデューティ比を
補正し、この補正されたデューティ比でパルス信号を発
生させる。そして、この補正後の基準電圧Ｖｒｅｆがス
トロボ発光の停止の際に用いられる。

【０１０２】例えば、目標電圧Ｖ_Dが「０．４・Ｖ_H」
のときに、これに対応するデューティ比Ｆ_Dは４０％と
なっているが、平均値Ｖ_AVEが「０．３５・Ｖ_H」とな
った場合には、デューティ比は４５％に補正され、この
デューティ比の増加によってＲＣ積分回路３６から出力
されている基準電圧Ｖｒｅｆが目標電圧Ｖ_Dとなるよう
に補正される。また、目標電圧Ｖ_Dが「０．４・Ｖ_H」
のときに、平均値Ｖ_AV _Eが「０．４４・Ｖ_H」となった
場合には、デューティ比は３６％に補正され、このデュ
ーティ比の減少によってＲＣ積分回路３６から出力され
ている基準電圧Ｖｒｅｆが目標電圧Ｖ_Dとなるように補
正される。

【０１０３】なお、電圧Ｖ_Hに対する目標電圧Ｖ_Dと平
均値Ｖ_AVEとの差の割合だけ、デューティ比を増減して
も、この増減された割合に比例して基準電圧Ｖｒｅｆが
増減されるとは限らないから、例えば上記のような補正
を複数回行ったり、目標電圧Ｖ_Dと平均値Ｖ_AVEとの差
のほぼ０Ｖとなるまで補正を繰り返し行ってもよい。ま
た、デューティ比の補正量に適当な係数を乗じて補正を
行うようにしてもよい。さらには、基準電圧Ｖｒｅｆを
発生させている間に繰り返しデューティ比の補正を行っ
てもよい。

【０１０４】また、上記実施形態では、基準電圧Ｖｒｅ
ｆの最大値と最小値から平均値Ｖ_AV _Eを算出することに
より、基準電圧Ｖｒｅｆの振幅（変動）の中心の電圧値
を得、この電圧値が目標電圧となるように補正を行って
いるが、例えばパルス信号が「Ｈレベル」となっている
期間の中間や、「Ｌレベル」となっている期間の中間で
基準電圧Ｖｒｅｆをサンプリングし、得られる電圧値か
ら基準電圧Ｖｒｅｆの振幅の中心の電圧値を算出するよ
うにしてもよい。また、最大値と最小値との間の期間に
ついてもサンプリングが行われるように基準電圧Ｖｒｅ
ｆを細かくサンプリングして基準電圧Ｖｒｅｆの全体的
な平均値を求め、この平均値に基づいてデューティ比を
補正してもよい。

【０１０５】図７及び図８に示される各実施形態では、
ＥＥＰＲＯＭに各目標電圧に応じた基準電圧データを書
き込んでいるが、この書き込みの際に各目標電圧をＡ／
Ｄ変換器に与えて得られる電圧データをＥＥＰＲＯＭに
書き込むようにすれば、基準電圧としての適否の判定や
デューティ比の補正のために用いる目標電圧と、ＲＣ積
分回路からの出力電圧とが同じＡ／Ｄ変換器を通してデ
ータ化されるので、外部から与える目標電圧を精度良く
設定しておくだけで、Ａ／Ｄ変換器の調整を不要にする
ことが可能である。

【０１０６】上記各実施形態では、ストロボ光による露
光量が最適なものとなように制御するストロボ装置につ
いて説明したが、自然光や室内光等による露光量とスト
ロボ光による露光量との比率を予め設定した比率となる
ように制御する、例えば特公平５−４６５０号公報等に
より知られているミックス露光制御にも利用することが
できる。さらに、上記ストロボ装置は、直列制御（シリ
ーズ）方式でストロボ発光を停止しているが、並列制御
（バイパス）方式のストロボ装置にも利用できる。

【０１０７】上記各実施形態では、３種類の基準電圧を
選択的に発生するようになっているが、１種類の基準電
圧Ｖｒｅｆを発生させるようにしてもよく、４種類以上
の基準電圧Ｖｒｅｆを選択的に発生させるようにするこ
ともできる。また、デューティ比をＥＥＰＲＯＭに記憶
させているが、マイクロコンピュータの演算等によって
必要とする目標電圧に応じたデューティ比を作成しても
よい。

【０１０８】インスタントカメラに搭載したストロボ装
置に本発明を適用した例について説明したが、本発明の
ストロボ装置は、１３５タイプ等の写真フイルムを用い
るカメラや、デジタルスチルカメラ等の各種カメラに搭
載されるストロボ装置や、カメラに装着されて利用され
るストロボ装置にも利用できる。

【０１０９】

【発明の効果】以上に述べたように、本発明のストロボ
装置によれば、パルス電圧と所定の基準電圧に応じて決
められたデューティ比のパルス信号を抵抗及びコンデン
サから構成された積分回路に与え、パルス信号を直流電
圧に変換し、得られる電圧をストロボ発光を停止させる
際の基準電圧として用いるようにしたから、少ない部品
数でまたコストアップを抑えながら、デューティ比を決
定するだけで精度のよい基準電圧が簡単に得ることがで
き、調整作業を不要とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マイクロコンピュータの機能を示した機能ブロ
ックである。

【図２】本発明を実施したストロボ装置を搭載したイン
スタントカメラの外観を示す斜視図である。

【図３】インスタントカメラの構成を示す回路図であ
る。

【図４】各露光補正モードに応じたパルス信号を示す波
形図である。

【図５】パルス信号とＲＣ積分回路から出力される基準
電圧とを示す波形図である。

【図６】受光回路からの積分電圧とＲＣ積分回路からの
基準電圧の変化を示すグラフである。

【図７】マイクロコンピュータで基準電圧の適否を判定
する例を機能ブロック示すものである。

【図８】マイクロコンピュータでデューティ比を補正し
基準電圧の誤差を少なくする例の機能ブロックを示すも
のである。

【図９】図８の例における補正の処理手順を示すフロー
チャートである。

【図１０】基準電圧を発生させるための従来の回路であ
る。

【符号の説明】

１１ストロボ発光部１８フォトトランジスタ２０マイクロコンピュータ３１メインコンデンサ３３ストロボ放電管３５受光回路３５ａコンデンサ３５ｂ，３５ｃ抵抗３６ＲＣ積分回路３６ａコンデンサ３６ｂ抵抗３７電圧コンパレータ３８ＩＧＢＴ４０ＥＥＰＲＯＭ４３，６１Ａ／Ｄ変換器４５パルス信号発生手段５２判定手段６２補正手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者本村克美埼玉県朝霞市泉水３−13−45 富士写真フイルム株式会社内 (72)発明者石井秀一埼玉県朝霞市泉水３−13−45 富士写真フイルム株式会社内Ｆターム(参考） 2H053 AD08 AD11 BA51 BA65 DA00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被写体から反射されてきたストロボ光を
受光して光量積分を行い、その積分量に応じた積分電圧
を出力する受光回路と、前記積分電圧が所定の基準電圧
に達することに応答して、ストロボ発光を停止させる発
光停止手段とを備えた自動調光式のストロボ装置におい
て、所定のパルス電圧を有し、このパルス電圧と前記所定の
基準電圧とに基づいて決められたデューティ比のパルス
信号を出力するパルス信号発生手段と、抵抗及びコンデ
ンサから構成され、前記パルス信号の入力によって前記
抵抗を介して充放電されるコンデンサの充電電圧を出力
することにより、前記パルス信号をそのパルス電圧とデ
ューティ比とに応じた直流電圧に変換して出力する積分
回路とを備え、前記積分回路の出力電圧をストロボ発光
を停止させる際の基準電圧として用いることを特徴とす
るストロボ装置。
【請求項２】前記パルス信号のデューティ比を記憶し
た記憶手段を備え、前記パルス信号発生手段は、前記記
憶手段に記憶されているデューティ比に基づいたパルス
信号を出力することを特徴とする請求項１記載のストロ
ボ装置。
【請求項３】複数の異なるデューティ比が前記記憶手
段に記憶されており、前記記憶手段から１つのデューテ
ィ比を選択して読み出す読み出し制御手段を備え、前記
記憶手段から選択的に読み出された１つのデューティ比
に基づいたパルス信号を前記パルス信号発生手段が出力
することにより、前記積分回路から異なる電圧値の出力
電圧を選択的に出力可能としたことを特徴とする請求項
２記載のストロボ装置。
【請求項４】前記記憶手段は、ＥＥＰＲＯＭであるこ
とを特徴とする請求項２または３記載のストロボ装置。
【請求項５】前記積分回路からの出力電圧に応じた電
圧デ−タを出力するＡ／Ｄ変換手段と、前記所定の基準
電圧に応じた基準電圧データを記憶したデータ記憶手段
と、前記電圧データと基準電圧データとに基づいて、前
記所定の基準電圧に対する前記積分回路からの出力電圧
の誤差を算出し、この誤差に応じて前記パルス信号のデ
ューティ比を補正する補正手段とを備えていることを特
徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のスト
ロボ装置。
【請求項６】前記積分回路からの出力電圧に応じた電
圧デ−タを出力するＡ／Ｄ変換手段と、前記所定の基準
電圧に応じた基準電圧データを記憶したデータ記憶手段
と、前記電圧データと基準電圧データとに基づいて、前
記積分回路から出力される出力電圧の基準電圧としての
適否を判定し、この判定結果に応じた判定信号を出力す
る判定手段を備えていること特徴とする請求項１ないし
４のいずれか１項に記載のストロボ装置。
【請求項７】前記受光回路は、ストロボ光を受光する
受光素子と、直列に接続された第１の抵抗及び受光用コ
ンデンサと、これら第１の抵抗及び受光用コンデンサに
並列に接続された第２の抵抗とからなり、前記受光素子
に流れる光電流によって前記受光用コンデンサが充電さ
れ、このコンデンサの充電電圧に応じた積分電圧を出力
するとともに、前記第１及び第２の抵抗を介して前記受
光用コンデンサを放電し、前記パルス信号手段は、前記
積分電圧が基準電圧に達することに応答して前記積分回
路のコンデンサを継続的に放電させるようにパルス信号
の信号レベルを切り替え、前記積分回路は、前記抵抗及
びコンデンサから決まる放電時の時定数が前記受光用コ
ンデンサと前記第１及び第２の抵抗とから決まる前記受
光回路の放電時の時定数に対して相対的に十分に小さく
されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
か１項に記載のストロボ装置。