JP2001107231A - スパッタリング成膜装置及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 - Google Patents
スパッタリング成膜装置及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成膜チャンバ内の成膜中の真空度が変動しない
成膜装置を提供し、その成膜装置を使用して光学特性に
バラツキの少ないフォトマスクブランクスを製造する方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明のスパッタリング成膜装置１０は成
膜チャンバ２内にガス導入口７、真空排気系８を覆い、
ターゲット５の上部に開口部を設けたガス流路調整用カ
バー９を設けたものである。このような構造にすること
により、成膜チャンバ２内でガラス基板が載置されたト
レイが存在しない箇所があっても、成膜チャンバ２内の
ターゲット５の近傍の真空度（ガス圧力）の変動を防止
することができ、この装置を用いて作製したフォトマス
クブランクスは光学濃度及び反射率等の光学特性のバラ
ツキを低く抑えることができる。
成膜装置を提供し、その成膜装置を使用して光学特性に
バラツキの少ないフォトマスクブランクスを製造する方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明のスパッタリング成膜装置１０は成
膜チャンバ２内にガス導入口７、真空排気系８を覆い、
ターゲット５の上部に開口部を設けたガス流路調整用カ
バー９を設けたものである。このような構造にすること
により、成膜チャンバ２内でガラス基板が載置されたト
レイが存在しない箇所があっても、成膜チャンバ２内の
ターゲット５の近傍の真空度（ガス圧力）の変動を防止
することができ、この装置を用いて作製したフォトマス
クブランクスは光学濃度及び反射率等の光学特性のバラ
ツキを低く抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路等
の製造に際して使用されるフォトマスク用のフォトマス
クブランクスを作製するためのスパッタリング成膜装置
及びフォトマスクブランクスの製造方法に関するもので
ある。
の製造に際して使用されるフォトマスク用のフォトマス
クブランクスを作製するためのスパッタリング成膜装置
及びフォトマスクブランクスの製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体の
製造において、半導体ウェハに微細パターンを転写する
際に使用されるフォトマスクの製造工程としては、通
常、石英ガラス等を精密研磨して透光性基板を得る研磨
工程、透光性基板の一主表面にスパックリング等により
クロム等の遮光膜を成膜する成膜工程、遮光膜上にレジ
スト膜をスピンコーティング法等により塗布するレジス
ト塗布工程、所定のパターンを有するマスターマスクを
通してレジスト膜を選択的に露光する露光工程、露光さ
れたレジスト膜を所定の現像液で現像し、エッチングを
行ない、所定の遮光膜パターンを得るエッチング工程等
を経て行なわれる。ここで、成膜工程で遮光膜等が形成
された透光性基板を一般にフォトマスクブランクスと呼
んでいる。
製造において、半導体ウェハに微細パターンを転写する
際に使用されるフォトマスクの製造工程としては、通
常、石英ガラス等を精密研磨して透光性基板を得る研磨
工程、透光性基板の一主表面にスパックリング等により
クロム等の遮光膜を成膜する成膜工程、遮光膜上にレジ
スト膜をスピンコーティング法等により塗布するレジス
ト塗布工程、所定のパターンを有するマスターマスクを
通してレジスト膜を選択的に露光する露光工程、露光さ
れたレジスト膜を所定の現像液で現像し、エッチングを
行ない、所定の遮光膜パターンを得るエッチング工程等
を経て行なわれる。ここで、成膜工程で遮光膜等が形成
された透光性基板を一般にフォトマスクブランクスと呼
んでいる。
【０００３】このフォトマスクブランクスを従来の連続
式スパッタリング装置を用いて成膜する工程について説
明する。図３は、従来より使用されている連続式スパッ
タリング装置２０の一例を示す模式断面図である。２１
ａはガラス基板が載置されたトレイを、２１ｂは成膜中
のガラス基板が載置されたトレイを、２１ｃは成膜処理
が施されたガラス基板（フォトマスクブランクス）が載
置されたトレイをそれぞれ示す。２２は成膜チャンバで
あり、この中でスパッタリングによる成膜処理が行なわ
れる。２３はロード隔離室であり、成膜処理を行なう対
象であるガラス基板が載置されたトレイ２１ａが、ここ
から成膜チャンバ２２の中に供給される。成膜処理が施
されたガラス基板が載置されたトレイ２１ｃは、成膜チ
ャンバ２２を経てアンロード隔離室２４に排出され、ス
トックされる。２５はターゲットであり、成膜すべき化
合物の主成分である金属等から成る。２６はチムニーで
あり、ターゲット２５から叩き出された原子が成膜チャ
ンバ２２内に飛散しないようにしてガラス基板へ飛来す
る方向を制御するための部品であり、また副次的に発生
する塵埃が成膜チャンバ２２内に拡散しないようにする
障壁の役目も併せ持つ。ただし、チムニー２６は必須の
構成要素ではなく、なくて済む場合もある。２７はガス
導入口であり、プラズマを励起するためのガス、例えば
アルゴンガスをここから成膜チャンバ２２内に導入す
る。２８は真空排気系であり、これにより真空度を保
ち、ガスの流量を制御する。
式スパッタリング装置を用いて成膜する工程について説
明する。図３は、従来より使用されている連続式スパッ
タリング装置２０の一例を示す模式断面図である。２１
ａはガラス基板が載置されたトレイを、２１ｂは成膜中
のガラス基板が載置されたトレイを、２１ｃは成膜処理
が施されたガラス基板（フォトマスクブランクス）が載
置されたトレイをそれぞれ示す。２２は成膜チャンバで
あり、この中でスパッタリングによる成膜処理が行なわ
れる。２３はロード隔離室であり、成膜処理を行なう対
象であるガラス基板が載置されたトレイ２１ａが、ここ
から成膜チャンバ２２の中に供給される。成膜処理が施
されたガラス基板が載置されたトレイ２１ｃは、成膜チ
ャンバ２２を経てアンロード隔離室２４に排出され、ス
トックされる。２５はターゲットであり、成膜すべき化
合物の主成分である金属等から成る。２６はチムニーで
あり、ターゲット２５から叩き出された原子が成膜チャ
ンバ２２内に飛散しないようにしてガラス基板へ飛来す
る方向を制御するための部品であり、また副次的に発生
する塵埃が成膜チャンバ２２内に拡散しないようにする
障壁の役目も併せ持つ。ただし、チムニー２６は必須の
構成要素ではなく、なくて済む場合もある。２７はガス
導入口であり、プラズマを励起するためのガス、例えば
アルゴンガスをここから成膜チャンバ２２内に導入す
る。２８は真空排気系であり、これにより真空度を保
ち、ガスの流量を制御する。
【０００４】ロード隔離室２３より成膜チャンバ２２内
に供給されたガラス基板が載置されたトレイ２１ａは、
成膜チャンバ２２内を水平方向に移動する。トレイ２１
ａがターゲット２５の上を移動する間に、ターゲット２
５から叩き出された原子がガラス基板の下側の表面に付
着し、所定の厚さに成膜される。成膜処理されたガラス
基板が載置されたトレイ２１ｃはさらに水平方向に移動
し、成膜チャンバ２２からアンロード隔離室２４に排出
され、ストックされる。
に供給されたガラス基板が載置されたトレイ２１ａは、
成膜チャンバ２２内を水平方向に移動する。トレイ２１
ａがターゲット２５の上を移動する間に、ターゲット２
５から叩き出された原子がガラス基板の下側の表面に付
着し、所定の厚さに成膜される。成膜処理されたガラス
基板が載置されたトレイ２１ｃはさらに水平方向に移動
し、成膜チャンバ２２からアンロード隔離室２４に排出
され、ストックされる。
【０００５】ガラス基板が載置されたトレイ２１ａが成
膜チャンバ２２内のターゲット２５上を移動している間
に成膜チャンバ２２内のターゲット２５の近傍の真空度
（ガス圧力）が変動すると、得られたフォトマスクブラ
ンクスの面内での透過率、反射率等の光学特性にバラツ
キが発生するという問題が生じる。
膜チャンバ２２内のターゲット２５上を移動している間
に成膜チャンバ２２内のターゲット２５の近傍の真空度
（ガス圧力）が変動すると、得られたフォトマスクブラ
ンクスの面内での透過率、反射率等の光学特性にバラツ
キが発生するという問題が生じる。
【０００６】成膜チャンバ２２内のターゲット２５の近
傍の真空度（ガス圧力）が変動する原因を図４を参照し
て説明する。一般に、成膜チャンバ２２内では同時に複
数個のトレイが連続して移動しているが、ロード隔離室
２３から成膜チャンバ２２内にトレイ２１ａが供給され
るタイミングと、成膜チャンバ２２からアンロード隔離
室２４にトレイ２１ｃが排出されるタイミングのズレに
より、成膜チャンバ２２内に存在するトレイ（２１ａ、
２１ｂ及び２１ｃ）の個数に多少の差が生じる。
傍の真空度（ガス圧力）が変動する原因を図４を参照し
て説明する。一般に、成膜チャンバ２２内では同時に複
数個のトレイが連続して移動しているが、ロード隔離室
２３から成膜チャンバ２２内にトレイ２１ａが供給され
るタイミングと、成膜チャンバ２２からアンロード隔離
室２４にトレイ２１ｃが排出されるタイミングのズレに
より、成膜チャンバ２２内に存在するトレイ（２１ａ、
２１ｂ及び２１ｃ）の個数に多少の差が生じる。
【０００７】例えば、図４（ａ）に示すように、複数個
のトレイ（２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ）が成膜チャンバ
２２内で完全に繋がった状態の場合と、図４（ｂ）に示
すように、成膜チャンバ２２内でターゲット２５の上側
のロード隔離室２３に近い部位（ガス導入口２７の上に
あたる部位）にトレイ２１ａが存在しない場合と、図４
（ｃ）に示すように、成膜チャンバ２２内でターゲット
２５の上側のアンロード隔離室２４に近い部位（真空排
気系２８の上にあたる部位）にトレイ２１ｃが存在しな
い場合とがある。
のトレイ（２１ａ、２１ｂ及び２１ｃ）が成膜チャンバ
２２内で完全に繋がった状態の場合と、図４（ｂ）に示
すように、成膜チャンバ２２内でターゲット２５の上側
のロード隔離室２３に近い部位（ガス導入口２７の上に
あたる部位）にトレイ２１ａが存在しない場合と、図４
（ｃ）に示すように、成膜チャンバ２２内でターゲット
２５の上側のアンロード隔離室２４に近い部位（真空排
気系２８の上にあたる部位）にトレイ２１ｃが存在しな
い場合とがある。
【０００８】図４（ａ）に示すような状態の場合には、
ガス導入口２７から導入されたガスは隙間なく置かれた
トレイを壁にして成膜チャンバ２２内のターゲット２５
の上部を通過し、真空排気系２８まで定常的な流れが形
成され、所定の真空度（ガス圧）が維持される。図４
（ｂ）に示すような状態の場合には、ガス導入口２７か
ら導入されたガスの一部３２ａは、ターゲット２５の上
部を通過しないで、ガス導入口２７の上部の成膜チャン
バ２２内に拡散し、ターゲット２５の近傍の真空度（ガ
ス圧）が変動する。図４（ｃ）に示すような状態の場合
には、ガス導入口２７から導入されたガスは、ターゲッ
ト２５の上部を通過した後に真空排気系２８に到達する
前に、導入されたガスの一部３２ｂは真空排気系２８の
上部の成膜チャンバ２２内に拡散し、ターゲット２５の
近傍の真空度（ガス圧力）が変動する。
ガス導入口２７から導入されたガスは隙間なく置かれた
トレイを壁にして成膜チャンバ２２内のターゲット２５
の上部を通過し、真空排気系２８まで定常的な流れが形
成され、所定の真空度（ガス圧）が維持される。図４
（ｂ）に示すような状態の場合には、ガス導入口２７か
ら導入されたガスの一部３２ａは、ターゲット２５の上
部を通過しないで、ガス導入口２７の上部の成膜チャン
バ２２内に拡散し、ターゲット２５の近傍の真空度（ガ
ス圧）が変動する。図４（ｃ）に示すような状態の場合
には、ガス導入口２７から導入されたガスは、ターゲッ
ト２５の上部を通過した後に真空排気系２８に到達する
前に、導入されたガスの一部３２ｂは真空排気系２８の
上部の成膜チャンバ２２内に拡散し、ターゲット２５の
近傍の真空度（ガス圧力）が変動する。
【０００９】成膜チャンバ２２内の真空度（ガス圧力）
は、図４（ａ）に示すような状態の場合と比較して、図
４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すような状態の場合にはタ
ーゲット２５上の真空度（ガス圧力）は下がる。成膜チ
ャンバ２２内の真空度（ガス圧力）とフォトマスクブラ
ンクスの光学特性の関係を図５に示す。これは成膜チャ
ンバ２２内の真空度とフォトマスクブランクスの光学濃
度（０．Ｄ．）をプロットした図である。このように、
真空度が高い（ガス圧力が低い）ほど光学濃度が高い
（透過率が低い）ことがわかる。
は、図４（ａ）に示すような状態の場合と比較して、図
４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すような状態の場合にはタ
ーゲット２５上の真空度（ガス圧力）は下がる。成膜チ
ャンバ２２内の真空度（ガス圧力）とフォトマスクブラ
ンクスの光学特性の関係を図５に示す。これは成膜チャ
ンバ２２内の真空度とフォトマスクブランクスの光学濃
度（０．Ｄ．）をプロットした図である。このように、
真空度が高い（ガス圧力が低い）ほど光学濃度が高い
（透過率が低い）ことがわかる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであり、成膜チャンバ内
の成膜中の真空度が変動しない成膜装置を提供し、その
成膜装置を使用して光学特性にバラツキの少ないフォト
マスクブランクスを製造する方法を提供することを目的
とする。
を解決するためになされたものであり、成膜チャンバ内
の成膜中の真空度が変動しない成膜装置を提供し、その
成膜装置を使用して光学特性にバラツキの少ないフォト
マスクブランクスを製造する方法を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、まず請求項１においては、複数枚の
ガラス基板が載置されたトレイがロード隔離室、成膜チ
ャンバ及びアンロード隔離室を移動して前記ガラス基板
に成膜される連続式のスパッタリング成膜装置におい
て、前記成膜チャンバには少なくともガス導入口、ター
ゲット、真空排気系を有しており、前記ガス導入口から
ガスを導入して所定の真空度でスパッターを行う際前記
ターゲットの前部或いは後部にかけてガラス基板が載置
されたトレイの有る、無しに関わらず、ターゲットの周
辺の真空度を一定にできるようにガス流路調整用カバー
を設けたことを特徴とするスパッタリング成膜装置とし
たものである。
を解決するために、まず請求項１においては、複数枚の
ガラス基板が載置されたトレイがロード隔離室、成膜チ
ャンバ及びアンロード隔離室を移動して前記ガラス基板
に成膜される連続式のスパッタリング成膜装置におい
て、前記成膜チャンバには少なくともガス導入口、ター
ゲット、真空排気系を有しており、前記ガス導入口から
ガスを導入して所定の真空度でスパッターを行う際前記
ターゲットの前部或いは後部にかけてガラス基板が載置
されたトレイの有る、無しに関わらず、ターゲットの周
辺の真空度を一定にできるようにガス流路調整用カバー
を設けたことを特徴とするスパッタリング成膜装置とし
たものである。
【００１２】また、請求項２においては、前記ガス流路
調整用カバーはガス導入口及び真空排気系を覆い、ター
ゲットの近傍にのみ開口部を有することを特徴とする請
求項１記載のスパッタリング成膜装置としたものであ
る。
調整用カバーはガス導入口及び真空排気系を覆い、ター
ゲットの近傍にのみ開口部を有することを特徴とする請
求項１記載のスパッタリング成膜装置としたものであ
る。
【００１３】さらにまた、請求項３においては、請求項
１又は請求項２に記載のスパッタリング成膜装置を用い
てクロム等の遮光膜を成膜処理してフォトマスクブラン
クスを作製することを特徴とするフォトマスクブランク
スの製造方法としたものである。
１又は請求項２に記載のスパッタリング成膜装置を用い
てクロム等の遮光膜を成膜処理してフォトマスクブラン
クスを作製することを特徴とするフォトマスクブランク
スの製造方法としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明に係るスパッ
タリング成膜装置の模式斜視図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）の模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した模式断面図
であり、図２（ａ）〜（ｃ）は本発明に係るスパッタリ
ング成膜装置を用いてガラス基板にスパックリング成膜
処理を施す場合のガスの流れを模式的に示す模式断面図
である。本発明のスパッタリング成膜装置１０は成膜チ
ャンバ２内のガス導入口７、真空排気系８を覆い、ター
ゲット５の上部に開口部を設けたガス流路調整用カバー
９を設けたものである。このような構造にすることによ
り、成膜チャンバ２内でガラス基板が載置されたトレイ
１ａ及び１ｃが存在しない箇所があっても、成膜チャン
バ２のターゲット５の近傍の真空度（ガス圧力）の変動
を防止することができ、この成膜装置を用いて作製した
フォトマスクブランクスは光学濃度及び反射率等の光学
特性のバラツキを低く抑えることができる。
タリング成膜装置の模式斜視図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）の模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した模式断面図
であり、図２（ａ）〜（ｃ）は本発明に係るスパッタリ
ング成膜装置を用いてガラス基板にスパックリング成膜
処理を施す場合のガスの流れを模式的に示す模式断面図
である。本発明のスパッタリング成膜装置１０は成膜チ
ャンバ２内のガス導入口７、真空排気系８を覆い、ター
ゲット５の上部に開口部を設けたガス流路調整用カバー
９を設けたものである。このような構造にすることによ
り、成膜チャンバ２内でガラス基板が載置されたトレイ
１ａ及び１ｃが存在しない箇所があっても、成膜チャン
バ２のターゲット５の近傍の真空度（ガス圧力）の変動
を防止することができ、この成膜装置を用いて作製した
フォトマスクブランクスは光学濃度及び反射率等の光学
特性のバラツキを低く抑えることができる。
【００１５】さらに、詳しく説明すると、ガス流路調整
用カバー９を設けた場合、図２（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、成膜チャンバー２内のガラス基板が載置されたト
レイ１ａ及び１ｃの配置の如何に関わらず、ガス導入口
７から導入されたガスの真空排気系８迄のガス流路１２
はほぼ同一になり、成膜チャンバ内の真空度（ガス圧
力）の変動を防止することができる。
用カバー９を設けた場合、図２（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに、成膜チャンバー２内のガラス基板が載置されたト
レイ１ａ及び１ｃの配置の如何に関わらず、ガス導入口
７から導入されたガスの真空排気系８迄のガス流路１２
はほぼ同一になり、成膜チャンバ内の真空度（ガス圧
力）の変動を防止することができる。
【００１６】図７は、本発明に係る連続式スパッタリン
グ成膜装置１０を用いて図６に示すようなトレイ１に４
面付けでセットされたガラス基板にスパッタリング成膜
処理を施して得られたフォトマスクブランクス（Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄの４枚）について光学濃度を測定した結果を
元に各フォトマスクブランクス（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）及び
トレイ内のバラツキ（３σ）を計算処理した結果を示
す。図８は、従来の連続式スパッタリング成膜装置２０
を用いて同じく図６に示すようなトレイ１に４面付けで
セットされたガラス基板にスパッタリング成膜処理を施
して得られたフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、
Ｃ’、Ｄ’の４枚）について光学濃度を測定した結果を
元にフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、
Ｄ’）及びトレイ内のバラツキ（３σ）を計算処理した
結果を示す。それぞれの光学濃度測定は各フォトマスク
ブランクスの面内を横５×縦５の２５分割して行った。
グ成膜装置１０を用いて図６に示すようなトレイ１に４
面付けでセットされたガラス基板にスパッタリング成膜
処理を施して得られたフォトマスクブランクス（Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄの４枚）について光学濃度を測定した結果を
元に各フォトマスクブランクス（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）及び
トレイ内のバラツキ（３σ）を計算処理した結果を示
す。図８は、従来の連続式スパッタリング成膜装置２０
を用いて同じく図６に示すようなトレイ１に４面付けで
セットされたガラス基板にスパッタリング成膜処理を施
して得られたフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、
Ｃ’、Ｄ’の４枚）について光学濃度を測定した結果を
元にフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、
Ｄ’）及びトレイ内のバラツキ（３σ）を計算処理した
結果を示す。それぞれの光学濃度測定は各フォトマスク
ブランクスの面内を横５×縦５の２５分割して行った。
【００１７】この結果から明らかなように、本発明に係
る連続式スパッタリング成膜装置１０を使用して得られ
たフォトマスクブランクス（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）は、従来
の連続式スパッタリング成膜装置２０を使用して得られ
たフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’）
よりも、１トレイ内の４枚のフォトマスクブランクスの
光学濃度の全バラツキ（３σ）及び個々のフォトマスク
ブランクス面内の光学濃度のバラツキ（３σ）において
小さくなっていることが確認された。
る連続式スパッタリング成膜装置１０を使用して得られ
たフォトマスクブランクス（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）は、従来
の連続式スパッタリング成膜装置２０を使用して得られ
たフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’）
よりも、１トレイ内の４枚のフォトマスクブランクスの
光学濃度の全バラツキ（３σ）及び個々のフォトマスク
ブランクス面内の光学濃度のバラツキ（３σ）において
小さくなっていることが確認された。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。連続式スパッタリング成膜装置の
成膜チャンバ内にガス流路調整用カバーを設けることに
より、成膜チャンバー内のトレイの配置の如何に関わら
ず、ガス導入口から導入されたガスの真空排気系迄のガ
スの流れ方向はほぼ同一になり、成膜チャンバ内の真空
度（ガス圧力）の変動を防止することができる。さら
に、チャンバ内にガス流路調整用カバーを設けた連続式
スパッタリング成膜装置を用いてフォトマスクブランク
スを作製した場合１トレイ内のフォトマスクブランクス
の光学濃度のバラツキ及びフォトマスクブランクス面内
の光学濃度のバラツキを少なくすることができる。
示す如き効果がある。連続式スパッタリング成膜装置の
成膜チャンバ内にガス流路調整用カバーを設けることに
より、成膜チャンバー内のトレイの配置の如何に関わら
ず、ガス導入口から導入されたガスの真空排気系迄のガ
スの流れ方向はほぼ同一になり、成膜チャンバ内の真空
度（ガス圧力）の変動を防止することができる。さら
に、チャンバ内にガス流路調整用カバーを設けた連続式
スパッタリング成膜装置を用いてフォトマスクブランク
スを作製した場合１トレイ内のフォトマスクブランクス
の光学濃度のバラツキ及びフォトマスクブランクス面内
の光学濃度のバラツキを少なくすることができる。
【図１】（ａ）は、本発明に係る連続式スパッタリング
成膜装置の一実施例を示す模式斜視図である。（ｂ）
は、（ａ）の模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した模式断面
図を示す。
成膜装置の一実施例を示す模式斜視図である。（ｂ）
は、（ａ）の模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した模式断面
図を示す。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係るスパッタリン
グ成膜装置を用いてトレイに載置されたガラス基板にス
パックリング成膜処理を施す場合のガスの流れを模式的
に示す模式断面図である。
グ成膜装置を用いてトレイに載置されたガラス基板にス
パックリング成膜処理を施す場合のガスの流れを模式的
に示す模式断面図である。
【図３】従来の連続式スパッタリング成膜装置の一例を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、従来のスパッタリング成膜
装置を用いてトレイに載置されたガラス基板にスパック
リング成膜処理を施す場合のガスの流れを模式的に示す
模式断面図である。
装置を用いてトレイに載置されたガラス基板にスパック
リング成膜処理を施す場合のガスの流れを模式的に示す
模式断面図である。
【図５】スパッタリング成膜装置を用いて得られたフォ
トマスクブランクスの成膜チャンバの真空度と光学濃度
の関係を示す説明図である。
トマスクブランクスの成膜チャンバの真空度と光学濃度
の関係を示す説明図である。
【図６】トレイ内のガラス基板の配置状態を示す説明図
である。
である。
【図７】本発明に係るスパッタリング成膜装置を用いて
トレイに載置されたガラス基板にスパックリング成膜処
理を施して得られたフォトマスクブランクス（Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ）及びトレイ内の光学濃度のバラツキ（３σ）を
示す説明図である。
トレイに載置されたガラス基板にスパックリング成膜処
理を施して得られたフォトマスクブランクス（Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ）及びトレイ内の光学濃度のバラツキ（３σ）を
示す説明図である。
【図８】従来のスパッタリング成膜装置を用いてトレイ
に載置されたガラス基板にスパックリング成膜処理を施
して得られたフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、
Ｃ’、Ｄ’）及びトレイ内の光学濃度のバラツキ（３
σ）を示す説明図である。
に載置されたガラス基板にスパックリング成膜処理を施
して得られたフォトマスクブランクス（Ａ’、Ｂ’、
Ｃ’、Ｄ’）及びトレイ内の光学濃度のバラツキ（３
σ）を示す説明図である。
１、２１……トレイ １ａ、２１ａ……ガラス基板が載置されたトレイ １ｂ、２１ｂ……成膜処理中のガラス基板が載置された
トレイ １ｃ、２１ｃ……成膜処理後のガラス基板（フォトマス
クブランクス）が載置されたトレイ ２、２２……成膜チャンバ ３、２３……ロード隔離室 ４、２４……アンロード隔離室 ５、２５……ターゲット ６、２６……チムニー ７、２７……ガス導入口 ８、２８……真空排気系 ９……ガス流路調整用カバー １０、２０……スパッタリング成膜装置 １２、３２、３２ａ、３２ｂ……ガス流路
トレイ １ｃ、２１ｃ……成膜処理後のガラス基板（フォトマス
クブランクス）が載置されたトレイ ２、２２……成膜チャンバ ３、２３……ロード隔離室 ４、２４……アンロード隔離室 ５、２５……ターゲット ６、２６……チムニー ７、２７……ガス導入口 ８、２８……真空排気系 ９……ガス流路調整用カバー １０、２０……スパッタリング成膜装置 １２、３２、３２ａ、３２ｂ……ガス流路
Claims (3)
- 【請求項１】複数枚のガラス基板が載置されたトレイが
ロード隔離室、成膜チャンバ及びアンロード隔離室を移
動して前記ガラス基板に成膜される連続式のスパッタリ
ング成膜装置において、前記成膜チャンバには少なくと
もガス導入口、ターゲット、真空排気系を有しており、
前記ガス導入口からガスを導入して所定の真空度でスパ
ッターを行う際前記ターゲットの前部或いは後部にかけ
てガラス基板が載置されたトレイの有る、無しに関わら
ず、ターゲットの周辺の真空度を一定にできるようにガ
ス流路調整用カバーを設けたことを特徴とするスパッタ
リング成膜装置。 - 【請求項２】前記ガス流路調整用カバーはガス導入口及
び真空排気系を覆い、ターゲットの近傍にのみ開口部を
有することを特徴とする請求項１記載のスパッタリング
成膜装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載のスパッタリ
ング成膜装置を用いてクロム等の遮光膜を成膜処理して
フォトマスクブランクスを作製することを特徴とするフ
ォトマスクブランクスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28126499A JP3900758B2 (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | スパッタリング成膜装置及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP28126499A JP3900758B2 (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | スパッタリング成膜装置及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001107231A true JP2001107231A (ja) | 2001-04-17 |
| JP3900758B2 JP3900758B2 (ja) | 2007-04-04 |
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| JP28126499A Expired - Fee Related JP3900758B2 (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | スパッタリング成膜装置及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3900758B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015004107A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置および構造体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01125357U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-25 | ||
| JPH05297570A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
| JPH08165573A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Sony Corp | スパッタ装置及びスパッタリングガス導入管 |
| JP2000098582A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク及びそれらの製造方法、並びに該ブランクスの製造装置 |
-
1999
- 1999-10-01 JP JP28126499A patent/JP3900758B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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