JP2001105326A - Reconditioning disk for chemical-mechanical polishing mat and method of manufacturing the same - Google Patents

Reconditioning disk for chemical-mechanical polishing mat and method of manufacturing the same

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JP2001105326A
JP2001105326A JP2000026534A JP2000026534A JP2001105326A JP 2001105326 A JP2001105326 A JP 2001105326A JP 2000026534 A JP2000026534 A JP 2000026534A JP 2000026534 A JP2000026534 A JP 2000026534A JP 2001105326 A JP2001105326 A JP 2001105326A
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disk
abrasive particles
diamond
modified
modified disk
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JP2000026534A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinsei Rin
心正 林
Kenmin So
健民 宋
Yoryo Haku
陽亮 白
Shuyu Kan
秋雄 官
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CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGE
CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGENKOSHI
Original Assignee
CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGE
CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGENKOSHI
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent abrasive grains from being welded partially to or let fall on a correcting disk. SOLUTION: Abrasive grains are arranged in regular positions on a welding material layer of metal via a template, and are welded thereto. The metal welding material layer is then coated with a diamond or diamond-like carbon layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する技術分野】本発明は、化学機械的ポリシ
ングマットを修整する修整ディスクに関し、特に基質層
表面に研磨粒子が規則的に配列した修整ディスクに関す
る。
The present invention relates to a modified disk for modifying a chemical mechanical polishing mat, and more particularly to a modified disk in which abrasive particles are regularly arranged on a surface of a substrate layer.

【従来の技術】半導体産業の中心材料であるシリコンウ
ェハ(Silicon wafer)は、沈積層の表面を極めて平滑に
することにより、始めてチップ(chip) の製造に使え
る。従って、ポリシング方法等を用いて沈積層の表面を
精密に加工しなければならない。例えば、ポリシング方
法を用いて沈積層表面を平滑化する際には、研磨液内に
含まれている細かい研磨粒子による研磨の他、浸食を加
速するために、常に研磨液内に酸液を加える。このよう
な機械的及び化学的方法を併用したものをCMP(chem
ical mechanical polishing)と言う。CMPを行う場合
には、複数のシリコンウェハをそれぞれ円盤で被らせ
て、回転するポリシングマットに押さえ、懸垂ア−ムか
らマットに研磨液を注入する。研磨される材質に応じ
て、研磨液を酸性にするか又はアルカリ性にするかを選
択する。例えば、酸化物にはアルカリ性液を、金属材料
の研磨(例えばタングステン又は銅)には酸性液を用い
ることが多い。研磨を行う際に生じる屑は、殆ど水流に
伴って洗い流されるが、若干の屑がポリシングマットに
混入することもある。そしてポリシングマットは、混入
する屑が蓄積することにより硬化し、ポリシングの機能
を失う。そこで、ポリシングをする際に、修整ディスク
を用いてポリシングマットの屑を随時取り除くことによ
り、ポリシングマットの寿命を大幅に延ばすことができ
る。例えば、ポリッシングマットの屑を取り除かない場
合、8インチウェハを百枚(毎枚約1分間)ポリシング
する前に、ポリシングマットに蓄積する屑が過多とな
り、ポリシング速度が大幅に低下、しいては使用不可能
となる場合もある。しかし、ポリシングをする際に、修
整ディスクで屑を取り除くことにより、ポリシングマッ
トの寿命を500枚以上に延ばすことができる。また、
修整ディスクは屑を除去する機能の他、ポリシングマッ
トの表面を荒くすることもできる。この場合、浮遊する
研磨粒子をポリシングマットの表面に付着させてポリシ
ングを行い、修整ディスクは遊離研磨材料をポリシング
マット全体に均一に分散させてポリシングの効率を高め
ることもできる。
2. Description of the Related Art A silicon wafer, which is the main material in the semiconductor industry, can be used for the production of chips only by making the surface of the deposited layer extremely smooth. Therefore, the surface of the deposited layer must be precisely processed using a polishing method or the like. For example, when using a polishing method to smooth the deposited layer surface, in addition to polishing with fine abrasive particles contained in the polishing liquid, an acid solution is always added to the polishing liquid to accelerate erosion. . The combination of such mechanical and chemical methods is referred to as CMP (chem.
ical mechanical polishing). When performing CMP, a plurality of silicon wafers are covered with disks, respectively, pressed on a rotating polishing mat, and a polishing liquid is injected into the mat from the suspension arm. Depending on the material to be polished, whether the polishing liquid is made acidic or alkaline is selected. For example, an alkaline liquid is often used for an oxide, and an acidic liquid is often used for polishing a metal material (for example, tungsten or copper). Most of the debris generated during polishing is washed away with the water flow, but some debris may be mixed into the polishing mat. Then, the polishing mat hardens due to accumulation of mixed debris, and loses the polishing function. Therefore, when performing polishing, the life of the polishing mat can be greatly extended by removing the debris of the polishing mat as needed using a modified disk. For example, if the polishing mat debris is not removed, before polishing hundreds of 8-inch wafers (each one for about one minute), excessive debris accumulates on the polishing mat and the polishing speed is significantly reduced, and the polishing mat is not used. Sometimes it is impossible. However, during polishing, the life of the polishing mat can be extended to 500 sheets or more by removing the debris with the modified disk. Also,
The modified disk has the function of removing debris and can also roughen the surface of the polishing mat. In this case, polishing is performed by adhering the suspended abrasive particles to the surface of the polishing mat, and the modified disk can evenly disperse the free abrasive material throughout the polishing mat to increase the polishing efficiency.

【発明が解決しようとする課題】従来、修整ディスクと
して、ダイヤモンドメッキディスクが用いられることが
多かった。その構造は図2に示すように、修整ディスク
20の表面に施されたメッキであるニッケル層22中に
ダイヤモンド21が埋め込まれているもので、ダイヤモ
ンド21は機械的に位置に係止するだけで、その付着は
極めて不堅固であり、ポリシングマットを摩擦する時に
容易に脱落して高価なウェハを傷付ける。時には、ダイ
ヤモンドが脱落した穴220に蓄積した屑が脱落してウ
ェハを傷付ける場合もある。たとえ、ダイヤモンドが脱
落していない場合でも、メッキによるダイヤモンドの付
着は、メッキから突出するダイヤモンドの量が少ないの
で、ポリシングマットを有効に修整することが困難であ
ると共に、メッキした修整ディスクは通常その形状が不
規則なため、ポリシングマットの修整効果が高いとはい
い難い。また、ダイヤモンドの分布は均一でないので、
屑を除去する効率も低い。さらに、ダイヤモンドの付着
に用いているニッケルメッキは、酸性液中における溶解
速度が比較的早いため、ダイヤモンドの脱落が容易に起
こっていた。従来の修整ディスクには、図3に示すよう
に、合金を用いてダイヤモンドを修正ディスク表面に溶
接する、もう一つのタイプのものがあり、この方法では
ダイヤモンド31の修整ディスク30における付着力が
向上したが、ダイヤモンドの分布不均一の問題を解決す
ることができなかった。しかも、溶解した溶接材料によ
って溶接中にダイヤモンドが引き寄せられて山状となる
ためダイヤモンドの分布に偏りが生じ、ポリシングマッ
トの修整効果が低下すると共に、溶接材料層32もダイ
ヤモンド31のもたれ合いにより厚くなり、屑の排除が
困難になる。また、ダイヤモンドの溶接が緩くなる外、
屑の除去が困難となり、且つ、衝撃力が集中するため、
ダイヤモンドが容易に脱落してしまいウェハを傷つける
こともある。ダイヤモンド互いの距離が遠いので、溶接
材料層も薄くなり、その凹むところが屑の累積の場所に
なる。この外、硬い溶接方法でダイヤモンドを付着させ
ることは、溶接材料が酸性液に浸食されるのを避けられ
ないので、ダイヤモンドが脱落し易い。即ち、従来の修
整ディスクは以下の欠点がある。 1.ダイヤモンド付着不堅固;脱落したダイヤモンド粒
子によるウェハの傷つき。 2.ダイヤモンド分布不均一;ピッチが遠いため有効に
屑を除去できない。 3.結合剤は酸性液に浸食される;ダイヤモンドを結合
する結合剤を酸性液が浸食するため結合が緩み、ダイヤ
モンドが脱落する。 4.ダイヤモンドの突出量を制御できない;突出量が十
分でない場合には、研磨材料を分散できず、繊維を引っ
掻きだすこともできず、屑もかき分けられない;突出量
が過大な場合には、ポリシングマットを破壊する; 5. 結合剤の硬さが足りない;研磨液に磨耗されやす
い。 本発明者は従来使用されていた修整ディスクが使用者の
要求を満足できないことに鑑み、上記欠点に対して徹底
的に検討を行い、分布が均一であり、且つ結合が堅固な
研磨粒子を有する化学機械的ポリシングマット修整ディ
スク及びその製造方法を開発した。本発明の主な目的
は、化学機械的ポリシングマット修整ディスク及びその
製造方法を提供し、それは、適切な加工方法で研磨粒子
を均一に、且つ安定して修整ディスクに溶接することに
より、化学機械的ポリシングマットの修整に最も良い効
果を提供することにある。
Heretofore, diamond-plated disks have often been used as modified disks. As shown in FIG. 2, the diamond 21 is embedded in a nickel layer 22, which is a plating applied to the surface of the modified disk 20, and the diamond 21 is merely mechanically locked in position. The adhesion is very loose and easily falls off when rubbing the polishing mat, damaging expensive wafers. Occasionally, the debris that has accumulated in the hole 220 from which the diamond has fallen may fall off and damage the wafer. Even if the diamond is not dropped, the adhesion of diamond by plating is difficult to effectively modify the polishing mat because the amount of diamond protruding from the plating is small, and the plated modified disk is usually Since the shape is irregular, it is difficult to say that the polishing mat has a high retouching effect. Also, since the distribution of diamonds is not uniform,
The efficiency of removing debris is also low. Further, the nickel plating used for attaching diamond has a relatively high dissolution rate in an acidic solution, so that the diamond is easily dropped. Another type of modified disk, as shown in FIG. 3, uses an alloy to weld diamond to the modified disk surface, which improves the adhesion of diamond 31 to modified disk 30. However, the problem of nonuniform diamond distribution could not be solved. Moreover, the diamond is attracted during welding by the melted welding material and becomes mountain-shaped, so that the distribution of diamond is biased, thereby reducing the effect of modifying the polishing mat and increasing the thickness of the welding material layer 32 due to the leaning of the diamond 31. , And it becomes difficult to remove debris. Also, outside of the diamond welding becomes loose,
Since it becomes difficult to remove debris and the impact force is concentrated,
The diamond may easily fall off and damage the wafer. Since the diamonds are far apart from each other, the welding material layer becomes thinner, and the recessed portion becomes a place for accumulation of debris. In addition, when a diamond is adhered by a hard welding method, it is inevitable that the welding material is eroded by an acidic liquid, and thus the diamond is easily dropped. That is, the conventional modified disk has the following disadvantages. 1. Diamond adhesion inconsistent; damage to wafer due to diamond particles falling off. 2. Inhomogeneous diamond distribution; debris cannot be effectively removed due to distant pitch. 3. The binder is eroded by the acidic solution; the acidic solution erodes the binder that binds the diamond, loosening the bond and causing the diamond to fall off. 4. Inability to control the amount of protrusion of the diamond; if the amount of protrusion is not sufficient, the abrasive material cannot be dispersed, the fibers cannot be scraped out, and the debris cannot be removed; if the amount of protrusion is excessive, a polishing mat 4. destroy Insufficient hardness of binder; easily worn by polishing liquid. In view of the fact that the conventionally used modified disk cannot satisfy the user's requirements, the present inventors have thoroughly studied the above disadvantages, and have abrasive particles having a uniform distribution and a firm bond. A chemical mechanical polishing mat modified disk and its manufacturing method have been developed. SUMMARY OF THE INVENTION The main object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing mat modified disk and a method of manufacturing the same, which is capable of uniformly and stably welding abrasive particles to a modified disk by an appropriate processing method. The purpose is to provide the best effect on the modification of the dynamic polishing mat.

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項1記載の化学機械的ポリシングマット修整デ
ィスクは、基質層上に均一な濃度で散布された研磨粒子
を具備し、研磨粒子は溶接材料で基質層上に溶接されて
いる。また、請求項17記載の化学機械的ポリシングマ
ット修整ディスクの製造方法は、研磨粒子を穿孔を有す
る一つの予定の形状の型板を介いして基質層上に均一な
濃度で散布する工程と、研磨粒子を溶接材料で基質層上
に溶接する工程とを具備している。また、請求項19記
載の化学機械的ポリシングマット修整ディスクの製造方
法は、均一の厚さを有する薄い金属層を溶接材料として
製造する工程と、研磨粒子を基質層上に均一な濃度で散
布する工程と、研磨粒子を溶接材料で基質層上に溶接す
る工程とを具備している。また、請求項21記載の化学
機械的ポリシングマット修整ディスクの製造方法は、研
磨粒子を基質層上に均一な濃度で散布する工程と、研磨
粒子を溶接材料で基質層上に溶接する工程と、前記溶接
表面には一層のダイヤモンド又はダイヤモンドライクカ
ーボン(DLC)により被覆され、ダイヤモンドライク
カーボンの場合は、物理蒸着法(PVD)を用いて形成
する工程を具備している。
According to another aspect of the present invention, there is provided a chemical mechanical polishing mat modified disk comprising abrasive particles dispersed in a uniform concentration on a substrate layer. Is welded onto the substrate layer with a welding material. In addition, the method for producing a modified disk of claim 17 further includes the step of dispersing the abrasive particles at a uniform concentration on the substrate layer through one predetermined shape template having perforations. Welding the abrasive particles onto the substrate layer with a welding material. In the method for manufacturing a modified disk with a chemical mechanical polishing mat according to claim 19, a thin metal layer having a uniform thickness is manufactured as a welding material, and the abrasive particles are dispersed at a uniform concentration on the substrate layer. And a step of welding the abrasive particles onto the substrate layer with a welding material. In addition, the method for producing a modified disk for polishing a chemical mechanical polishing mat according to claim 21 includes a step of spraying the abrasive particles at a uniform concentration on the substrate layer, and a step of welding the abrasive particles to the substrate layer with a welding material. The welding surface is coated with one layer of diamond or diamond-like carbon (DLC). In the case of diamond-like carbon, a step of forming the same using physical vapor deposition (PVD) is provided.

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて詳細に説明する。本発明の化学機械的ポリシングマ
ット修整ディスクは図1に示すように、一つの金属基質
層を有し、この金属基質層はステンレスを用いて製造さ
れる。この金属基質層の表面には研磨粒子11が配列さ
れ、研磨粒子11の粒径は通常100〜350μm であ
ると共に異なる研磨粒子11の粒径の相違は通常50μ
m 以内である。そして、各研磨粒子11のピッチは通常
その粒径の1.5〜6倍迄であり、研磨粒子のピ−ク高
さの相違は100μm より小さく、金属溶接材料層12
は通常研磨粒子の粒度の10〜90%迄の厚さで形成さ
れる。また、金属溶接材料層12の成分は少量のクロ−
ム(>2wt%)を含むので、極めて良好な硬度と耐磨
耗度を提供することができる。次に、本発明による化学
機械的ポリシングマット修整ディスクの一製造方法につ
いて説明する。まず、溶接材料自身又はその粉末と有機
粘着剤(例えば臘)とを混合した後、ローラを用いて均
一な厚さの薄い金属層を形成する。そして研磨粒子(ダ
イヤモンド又は立方晶窒素ホウ素)を、規則的に分布し
ている穴を有する型板を用いて溶接材料金属層に導入す
る。研磨粒子は型板を用いて導入されるため、溶接材料
金属層に規則的に配列され、この後、溶接を行う。この
ような工程を経て溶接を行う場合は、研磨粒子は強制的
に位置決めされるため、規則的なマトリックス配列を形
成する。また、型板の穴を一個の研磨粒子より大きく、
二個の研磨粒子より小さいサイズとすることにより、穴
毎に一個の研磨粒子のみを収納するようにできる。本発
明で用いられる溶接材料金属層は、非常に均一な厚さを
有するため、その上を更に一層の薄いダイヤモンド又は
ダイヤモンドライクカ−ボン( Diamond Like Carbon又
はDLC )層(<3μm )で被覆することができる。この
際、ダイヤモンドライクカーボンに含まれる元素の95
%以上は炭素原子である。DLC は物理蒸着法(Physical
Vapor Deposition 又はPVD)を用いて修整ディスク
上に形成することができ、物理蒸着法ではグラファイト
陰極を用いた陰極電弧を用いた。DLC は耐酸性、耐アル
カリ性を有し、例えば王水(AQUAREGIA)を用いても侵食
されない。従って、溶接材料が溶解されないことを保証
できる。特にDLC は、溶接材料金属層の表面を被覆する
ことで、修整ディスクの金属が研磨液に溶け込むことを
防ぐため、シリコンチップの汚染を防止することができ
る。また、本発明において製造した修整ディスクでは、
研磨粒子の分布を均一とするだけではなく、所望の図案
に配列することができる。本発明で使用した研磨粒子1
1は良好な表面の結晶を有し(結晶面の結晶を有す
る)、研磨粒子11が有する一つの鋭い角が、基質層表
面から離れる方向に向かう状態で設置されている。本発
明では研磨粒子11のピッチを制御することができるの
で、ポリシングマットから屑の除去を素早く行うことが
でき、さらに研磨粒子11を完全なマトリックス配置に
することで、研磨材料を均一に散布することができる。
また、溶接材料12の厚さは均一であり、且つ制御でき
るので、研磨粒子11の突出量が最良値に達し、研磨粒
子11の脱落しないことを保証でき、屑の除去も順調
で、屑の付着を回避することができ、DLC の塗布は修整
ディスク10を酸、アルカリに浸食されないように保護
して、大幅にポリシングマットの使用寿命を延ばすこと
ができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below in detail. As shown in FIG. 1, the modified disk of the present invention has one metal substrate layer, and the metal substrate layer is manufactured using stainless steel. Abrasive particles 11 are arranged on the surface of the metal substrate layer, and the particle size of the abrasive particles 11 is usually 100 to 350 μm, and the difference in particle size of the different abrasive particles 11 is usually 50 μm.
m. The pitch of each abrasive particle 11 is usually 1.5 to 6 times the particle size, and the difference in peak height of the abrasive particles is less than 100 μm.
Is usually formed with a thickness of 10 to 90% of the particle size of the abrasive particles. Further, the components of the metal welding material layer 12 contain a small amount of
(> 2 wt%), it is possible to provide extremely good hardness and abrasion resistance. Next, a method for manufacturing a modified disk of a chemical mechanical polishing mat according to the present invention will be described. First, after mixing the welding material itself or its powder with an organic adhesive (eg, wax), a thin metal layer having a uniform thickness is formed using a roller. Abrasive particles (diamond or cubic boron nitride) are then introduced into the weld metal layer using a template having regularly distributed holes. Since the abrasive particles are introduced using the template, they are regularly arranged in the metal layer of the welding material, and thereafter, the welding is performed. When welding is performed through such a process, the abrasive particles are forcibly positioned, so that a regular matrix arrangement is formed. Also, the hole in the template is larger than one abrasive particle,
By making the size smaller than two abrasive particles, only one abrasive particle can be stored in each hole. Since the welding material metal layer used in the present invention has a very uniform thickness, it is coated thereon with a further thin layer of diamond or diamond-like carbon (DLC) (<3 μm). be able to. At this time, 95 of the elements contained in diamond-like carbon
% Or more is a carbon atom. DLC is a physical vapor deposition method.
It can be formed on a modified disk using Vapor Deposition (PVD), and the physical vapor deposition method used a cathode arc using a graphite cathode. DLC has acid resistance and alkali resistance, and is not eroded by using, for example, aqua regia (AQUAREGIA). Therefore, it can be ensured that the welding material is not melted. In particular, DLC covers the surface of the metal layer of the welding material, thereby preventing the metal of the modified disk from dissolving in the polishing liquid, thereby preventing contamination of the silicon chip. In the modified disk manufactured in the present invention,
In addition to making the distribution of the abrasive particles uniform, the abrasive particles can be arranged in a desired pattern. Abrasive particles 1 used in the present invention
1 has a crystal having a good surface (having a crystal of a crystal plane), and one sharp corner of the abrasive particles 11 is set in a state of going away from the surface of the substrate layer. According to the present invention, the pitch of the abrasive particles 11 can be controlled, so that it is possible to quickly remove debris from the polishing mat. Further, by disposing the abrasive particles 11 in a complete matrix arrangement, the abrasive material is evenly dispersed. be able to.
In addition, since the thickness of the welding material 12 is uniform and can be controlled, the protrusion amount of the abrasive particles 11 reaches the best value, it can be ensured that the abrasive particles 11 do not fall off, and the removal of debris is smooth, Adhesion can be avoided, and the application of DLC can protect the modified disk 10 from attack by acids and alkalis, greatly extending the useful life of the polishing mat.

【発明の効果】本発明は化学機械的ポリシングマット修
整ディスク及びその製法に係わり、それは該研磨粒子を
均一に修整ディスク基質層表面に散布し、しかも均一な
厚さである金属層を有することにより、ウェハのポリシ
ングマットに対して、良好な修整効果を提供し、且つか
なり長い使用寿命を持つことができる。
The present invention relates to a chemical mechanical polishing mat modified disk and a method for producing the same, which is capable of uniformly dispersing the abrasive particles on the surface of the modified disk substrate layer and having a metal layer having a uniform thickness. It provides a good retouching effect on the polishing mat of the wafer and has a considerably long service life.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の修整ディスクの断面表示図。FIG. 1 is a sectional view showing a modified disk according to the present invention.

【図2】 伝統的なダイヤモンドメッキディスクの断面
表示図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a traditional diamond-plated disk.

【図3】 伝統的なダイヤモンド溶接ディスクの断面表
示図。
FIG. 3 is a sectional view of a traditional diamond welding disk.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…修整ディスク 11…研磨粒子 12…溶接材料層 20、30…修整ディスク 21、31…ダイヤモンド 22…メッキ層 32…溶接材料層 220…穴 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Modification disk 11 ... Abrasive particle 12 ... Welding material layer 20, 30 ... Modification disk 21, 31 ... Diamond 22 ... Plating layer 32 ... Welding material layer 220 ... Hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C047 EE18 3C058 AA07 AA19 BC02 CB01 CB03 DA12 DA17 3C063 AA10 BA37 BB02 BB07 BB24 BC02 BG01 BG07 CC11 FF23 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3C047 EE18 3C058 AA07 AA19 BC02 CB01 CB03 DA12 DA17 3C063 AA10 BA37 BB02 BB07 BB24 BC02 BG01 BG07 CC11 FF23

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基質層上に均一な濃度で散布された研磨
粒子を具備し、前記研磨粒子は溶接材料で前記基質層上
に溶接されていることを特徴とする化学機械的ポリシン
グマット修整ディスク。
1. A chemical mechanical polishing mat modifying disk comprising abrasive particles dispersed at a uniform concentration on a substrate layer, wherein the abrasive particles are welded onto the substrate layer with a welding material. .
【請求項2】 前記研磨粒子はダイヤモンド又は立方晶
窒素ホウ素であることを特徴とする請求項1記載の化学
機械的ポリシングマット修整ディスク。
2. The disk as claimed in claim 1, wherein the abrasive particles are diamond or cubic boron nitride.
【請求項3】 前記基質層は金属からなることを特徴と
する請求項1記載の化学機械的ポリシングマット修整デ
ィスク。
3. The disk as claimed in claim 1, wherein the substrate layer is made of a metal.
【請求項4】 前記金属はステンレスであることを特徴
とする請求項3記載の化学機械的ポリシングマット修整
ディスク。
4. The disk as claimed in claim 3, wherein the metal is stainless steel.
【請求項5】 前記研磨粒子は所定の位置に散布されて
いることを特徴とする請求項1記載の化学機械的ポリシ
ングマット修整ディスク。
5. The chemical mechanical polishing mat modified disk according to claim 1, wherein the abrasive particles are dispersed at predetermined positions.
【請求項6】 前記研磨粒子は少なくとも2wt%のク
ロームを含有するニッケル合金を用いて溶接されている
ことを特徴とする請求項1記載の化学機械的ポリシング
マット修整ディスク。
6. The modified disk of claim 1, wherein the abrasive particles are welded using a nickel alloy containing at least 2 wt% chrome.
【請求項7】 前記研磨粒子の粒径は100から350
μm の間にあることを特徴とする請求項1記載の化学機
械的ポリシングマット修整ディスク。
7. The abrasive particles have a particle size of 100 to 350.
2. The modified disk of claim 1, wherein the thickness is between .mu.m.
【請求項8】 前記研磨粒子の粒径の相違は50μm 以
下であることを特徴とする請求項1記載の化学機械的ポ
リシングマット修整ディスク。
8. The modified disk according to claim 1, wherein the difference in particle size of the abrasive particles is 50 μm or less.
【請求項9】 各前記研磨粒子のピークの高さの相違は
50μm 以下であることを特徴とする請求項1記載の化
学機械的ポリシングマット修整ディスク。
9. The disk as claimed in claim 1, wherein the difference between the peak heights of the respective abrasive particles is 50 μm or less.
【請求項10】 前記研磨粒子の間隔距離は粒径の1.
5から6倍であることを特徴とする請求項5記載の化学
機械的ポリシングマット修整ディスク。
10. The distance between the polishing particles is 1.
6. The disk as claimed in claim 5, wherein the ratio is 5 to 6 times.
【請求項11】 前記溶接の厚さは粒径の10%〜90
%であることを特徴とする請求項1記載の化学機械的ポ
リシングマット修整ディスク。
11. The thickness of the weld is between 10% and 90% of the grain size.
%. 3. The modified disk of claim 1, wherein
【請求項12】 前記研磨粒子は良好な結晶型を有する
結晶体であることを特徴とする請求項1記載の化学機械
的ポリシングマット修整ディスク。
12. The chemical mechanical polishing mat modified disk according to claim 1, wherein the abrasive particles are crystals having a good crystal form.
【請求項13】 前記研磨粒子は一つの鋭い角を有し、
該角は基質層表面から離れる方向に向いて形成されるこ
とを特徴とする請求項1記載の化学機械的ポリシングマ
ット修整ディスク。
13. The abrasive particles have one sharp corner,
2. The disk as claimed in claim 1, wherein the corner is formed in a direction away from the surface of the substrate layer.
【請求項14】 前記溶接表面には一層のダイヤモンド
又はダイヤモンドライクカーボン(DLC)により被覆
されていることを特徴とする請求項1記載の化学機械的
ポリシングマット修整ディスク。
14. The modified disk of claim 1, wherein the welding surface is coated with a layer of diamond or diamond-like carbon (DLC).
【請求項15】 前記被覆層の厚さは3μm よりも薄い
ことを特徴とする請求項14の化学機械的ポリシングマ
ット修整ディスク。
15. The modified disk of claim 14, wherein the thickness of the coating layer is less than 3 μm.
【請求項16】 前記ダイヤモンドライクカーボンは9
5%以上のカーボン原子を有することを特徴とする請求
項14の化学機械的ポリシングマット修整ディスク。
16. The diamond-like carbon is 9
15. The disk of claim 14 having at least 5% carbon atoms.
【請求項17】 前記研磨粒子は穿孔を有する一つの予
定の形状の型板を介いして、取り付けられていることを
特徴とする請求項1記載の化学機械的ポリシングマット
修整ディスクの製造方法。
17. The method as claimed in claim 1, wherein the abrasive particles are attached via a template having a predetermined shape with perforations.
【請求項18】 前記穿孔のサイズは一個の研磨粒子よ
り大きく、二個の研磨粒子より小さくにしてあることを
特徴とする請求項17の化学機械的ポリシングマット修
整ディスクの製造方法。
18. The method of claim 17, wherein the size of the perforations is larger than one abrasive particle and smaller than two abrasive particles.
【請求項19】 予め均一の厚さを有する薄い金属層を
前記溶接材料として製造することを特徴とする請求項1
の化学機械的ポリシングマット修整ディスクの製造方
法。
19. The method according to claim 1, wherein a thin metal layer having a uniform thickness is manufactured as the welding material.
Of manufacturing a modified disk of chemical mechanical polishing mat.
【請求項20】 前記薄い金属層はローラでプレスをか
けて製造することを特徴とする請求項19の化学機械的
ポリシングマット修整ディスクの製造方法。
20. The method of claim 19, wherein the thin metal layer is manufactured by pressing with a roller.
【請求項21】 前記ダイヤモンドライクカーボンは物
理的気相沈積(PVD)方法により被覆されていること
を特徴とする請求項14の化学機械的ポリシングマット
修整ディスクの製造方法。
21. The method of claim 14, wherein the diamond-like carbon is coated by a physical vapor deposition (PVD) method.
【請求項22】 前記物理的気相沈積方法はグラフアイ
ト陰極を用いた陰極電弧により完成したことを特徴とす
る請求項21の化学機械的ポリシングマット修整ディス
クの製造方法。
22. The method of claim 21, wherein the physical vapor deposition method is completed by a cathodic arc using a graphite cathode.
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