KR100413371B1 - A diamond grid cmp pad dresser - Google Patents

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KR100413371B1
KR100413371B1 KR10-2000-0066159A KR20000066159A KR100413371B1 KR 100413371 B1 KR100413371 B1 KR 100413371B1 KR 20000066159 A KR20000066159 A KR 20000066159A KR 100413371 B1 KR100413371 B1 KR 100413371B1
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린프랑크에스.
성치엔-민
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키니크 컴퍼니
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Abstract

본 발명은 균일하게 이격된 다수의 연마 입자(180)로 이루어진 CMP 패드 드레서에 대하여 개시한다. 연마 입자(180)는 우수한 경질 재료이고, 일반적으로는 다이아몬드, 다결정 다이아몬드(PCD), 입방 보론 질화물(cBN), 또는 다결정 입방 보론 질화물(PcBN)이다. 연마 입자(180)는 기판(40)에 부착되고 이어서 추가적으로 내식 층(130)으로 코팅된다. 내식 층(130)은 보통, CMP 패드와 함께 사용되는 화학 슬러리에 의한 브레이징 재료(90)의 부식을 방지하기 위해 디스크의 표면 위로 코팅되는 다이아몬드 또는 다이아몬드형 카본이다. 화학 부식에 대한 불활성태(immunity)는 파가공물을 연마하는 동안 CMP 패드 드레서가 패드를 드레싱 할 수 있게 한다. 기판(40) 위에서 연마 입자(180)들의 간격이 균일할 뿐만 아니라 기판(40)으로부터 균일한 높이로 연장되고, 이에 따라 연마 입자(180)가 CMP 패드를 수직과 수평방향 모두에서 손질하거나 드레싱할 수 있게 한다. 또한 그러한 CMP 패드 드레서를 제조하는 방법이 개시되었다.The present invention discloses a CMP pad dresser consisting of a plurality of abrasive particles 180 uniformly spaced. The abrasive particles 180 are excellent hard materials and are generally diamond, polycrystalline diamond (PCD), cubic boron nitride (cBN), or polycrystalline cubic boron nitride (PcBN). The abrasive particles 180 are attached to the substrate 40 and then additionally coated with a corrosion resistant layer 130. The corrosion resistant layer 130 is usually diamond or diamond-like carbon coated over the surface of the disc to prevent corrosion of the brazing material 90 by chemical slurry used with the CMP pad. Immunity to chemical corrosion allows the CMP pad dresser to dress the pad while grinding the workpiece. Not only are the spacing of the abrasive particles 180 above the substrate 40 uniform, but also extend to a uniform height from the substrate 40, thereby allowing the abrasive particles 180 to trim or dress the CMP pad in both vertical and horizontal directions. To be able. Also disclosed is a method of making such a CMP pad dresser.

Description

다이아몬드 그리드 화학 기계적 연마 패드 드레서{A DIAMOND GRID CMP PAD DRESSER}Diamond grid chemical mechanical polishing pad dresser {A DIAMOND GRID CMP PAD DRESSER}

본 특허 출원은 1999년 11월 22일자로 출원된 미국 특허 출원 제09/447,620호의 일부 계속 출원이다.본 발명은 일반적으로 CMP(화학 기계적 연마) 패드(pad)를 컨디셔닝(conditioning)하거나 드레싱(dressing)하기 위한 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 CMP 패드를 컨디셔닝하거나 드레싱하기 위해서 다이아몬드 또는 입방 보론 질화물과 같은 우수한 경질 재료를 함유한 드레싱 디스크에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 화학적 침식으로부터 보호하기 위해서 탄소와 같은 다이아몬드의 얇은 피막으로 코팅될 수 있고, 균일하게 이격된 입자를 가진 드레싱 디스크에 관한 것이다.This patent application is part of US patent application Ser. No. 09 / 447,620, filed November 22, 1999. The present invention generally relates to conditioning or dressing CMP (chemical mechanical polishing) pads. The present invention relates to a device for manufacturing the same and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention relates to dressing discs containing good hard materials, such as diamond or cubic boron nitride, for conditioning or dressing CMP pads. More particularly, the present invention relates to a dressing disc with uniformly spaced particles, which can be coated with a thin film of diamond, such as carbon, to protect it from chemical erosion.

현재 많은 산업체에서는, 특정 피가공물을 연마하기 위해 화학 기계적 연마(CMP) 방법을 이용하고 있다. 특히, 제조 산업은 세라믹, 실리콘, 유리, 석영 및 금속의 웨이퍼를 연마하기 위해 대부분이 CMP 방법에 의존하고 있다. 일반적으로 그러한 연마 방법은 폴리우레탄과 같은 내구성 유기물로 제조된 회전 패드에 대해서 웨이퍼를 가압시키는 단계를 수반한다. 패드에는, 웨이퍼 기판을 파괴시킬 수 있는 화학물질을 함유한 화학 슬러리 및 웨이퍼 표면을 물리적으로 침식시키기 위해 작용하는 많은 양의 연마 입자가 첨가된다. 회전하는 CMP 패드에 슬러리가 연속적으로 첨가되어서 웨이퍼에 가해지는 이중의 화학적 작용과 기계적 작용으로 인하여 웨이퍼가 바람직하게 연마된다.Many industries now use chemical mechanical polishing (CMP) methods to polish certain workpieces. In particular, the manufacturing industry relies heavily on the CMP method for polishing wafers of ceramic, silicon, glass, quartz and metal. Such polishing methods generally involve pressing the wafer against a rotating pad made of durable organics such as polyurethane. In the pad, a chemical slurry containing chemicals capable of breaking the wafer substrate and a large amount of abrasive particles acting to physically erode the wafer surface are added. Slurry is added continuously to the rotating CMP pad so that the wafer is preferably polished due to the dual chemical and mechanical action applied to the wafer.

제조된 연마 품질과 관련해서 특히 중요한 점 중 하나는, 연마 입자가 패드 전체에 걸쳐서 분포되는 데 있다. 패드의 상부는 보통 폴리우레탄 내의 공동과 패드 상부에 있는 거친 조직에 의해서 입자를 유지한다. 유연한 패드 상부에는 연마제가 웨이퍼에 작용할 수 있도록 하는 데 필요한 지지물이 추가로 제공된다.One particularly important point with regard to the polishing quality produced is that the abrasive particles are distributed throughout the pad. The top of the pad is usually held by the cavity in the polyurethane and the coarse tissue on the top of the pad. The top of the flexible pad is further provided with the support needed to allow the abrasive to act on the wafer.

패드의 상부 조직을 유지하는 데 있어서는, 피가공물, 연마 슬러리 및 드레싱 디스크로부터 나오는 연마 부스러기(debris)의 축적이 문제가 된다. 이러한 축적은 패드가 슬러리의 연마 입자를 지지할 수 없게 만드는 패드 상부의 "글레이징(glazing)" 또는 경화를 발생시킨다.In maintaining the upper structure of the pad, the accumulation of abrasive debris from the workpiece, abrasive slurry and dressing disc becomes a problem. This buildup results in “glazing” or curing of the pad top which makes the pad unable to support the abrasive particles of the slurry.

따라서, 다양한 장치를 이용하여 패드를 "빗질(combing)" 함으로써 패드 상부를 재생하기 위한 시도가 이루어졌다. 이러한 처리를 CMP 패드의 "드레싱" 또는 "컨디셔닝"이라고 한다. 이러한 목적을 위해서 많은 형태의 장치 및 방법이 이용되고 있다. 그러한 장치중 하나가 기판 또는 표면에 부착된 다이아몬드 입자와 같은 매우 단단한 다수의 결정질 입자를 가진 디스크다.Thus, attempts have been made to reclaim the top of the pad by "combing" the pad using various devices. This process is referred to as "dressing" or "conditioning" of the CMP pad. Many forms of apparatus and methods are used for this purpose. One such device is a disk with a large number of very hard crystalline particles, such as diamond particles attached to a substrate or surface.

불행이도, 종래 방법에 의해 제조된 그러한 다이아몬드 디스크는 몇 가지 문제점을 보였다. 첫 번째, 다이아몬드가 디스크의 기판으로부터 분리되어서 CMP 패드 표면에 부착된다. 이로 인해 연마되는 피가공물에 스크래치가 유발된다. 두 번째, 종래 디스크에서는 다이아몬드가 무리를 이루어 덩어리지거나 기판의 표면 위에 불균일하게 이격되는 경향이 있다. 이러한 균일하지 않은 그루핑(grouping)에 의해, CMP 패드의 일부 부분은 과도하게 드레싱되어 마모 영역을 형성시키게 하며, 다른 부분은 드레싱이 부족하게 하여 글레이징 층(glazing layer)이 발생되게 한다. 어느 경우에서나, 패드 연마 효율은 감소되고, 균일하지 않은 연마를 야기한다. 마지막으로, 이러한 디스크의 다이아몬드는 디스크의 기판 표면 위에서 균일한 높이를 이루지 못한다. 이 불균일성은 드레서로부터 충분한 높이로 돌출하는 입자만이 패드에 접촉하기 때문에, CMP 패드에 대해서 균일하지 않은 드레싱을 추가로 발생시킨다. 패드 상부의 균일하지 않은 드레싱은 웨이퍼의 불균일성을 초래할 수 있다.Unfortunately, such diamond disks produced by conventional methods have shown some problems. First, the diamond is separated from the disk's substrate and attached to the CMP pad surface. This causes scratches on the workpiece to be polished. Second, in conventional disks, diamonds tend to cluster in clusters or to be unevenly spaced on the surface of the substrate. This non-uniform grouping causes some parts of the CMP pads to be excessively dressed to form wear areas, while other parts lack dressings resulting in a glazing layer. In either case, pad polishing efficiency is reduced, resulting in non-uniform polishing. Finally, the diamond of such disks does not have a uniform height above the substrate surface of the disk. This non-uniformity further results in non-uniform dressings for the CMP pads since only particles protruding from the dresser to a sufficient height contact the pads. Uneven dressings on top of the pads can result in non-uniformity of the wafer.

열등한 방식으로 다이아몬드가 부착되기 때문에 디스크 기판으부터의 다이아몬드 분리가 발생하게 된다. 다이아몬드가 전기도금된 니켈에 의해 기판에 지지될 때, 거기에서는 강력한 결합이 아닌 다이아몬드의 기계적 체결이 있게 된다. 따라서, 이러한 입자는 그들이 요동하여 느슨하게되자마자 분리될 것이다. 이러한 분리 과정은 전기도금 재료 위에서 화학 슬러리의 화학적 침식에 의해 촉진된다.Since diamond adheres in an inferior manner, diamond separation from the disk substrate occurs. When the diamond is supported on the substrate by electroplated nickel, there is a mechanical fastening of the diamond, not a strong bond. Thus, these particles will separate as soon as they rock and loosen. This separation process is facilitated by chemical erosion of the chemical slurry on the electroplating material.

한편, 다이아몬드가 기판 위에 브레이징되면, 화학 작용력은 더욱 확고하게 다이아몬드를 지지한다. 그러나, 화학 슬러리 내의 산은 브레이징 재료(braze)를 빠르게 용해시키고 다이아몬드를 분리시킨다. 따라서, 화학 물질에 대한 브레이징 재료의 노출을 최소화하기 위해서는, 드레싱이 일어나는 동안 연마 과정이 중지되어야 하고, 그 후에 다시 시작되어야 한다. 이러한 연속적인 다른 방법의 연마와 그 후의 드레싱은 시간을 낭비하게 되고, 따라서 비효율적이다.On the other hand, when diamonds are brazed onto the substrate, the chemical action forces more firmly support the diamonds. However, the acid in the chemical slurry quickly dissolves the braze and separates the diamond. Thus, to minimize the exposure of the brazing material to chemicals, the polishing process must be stopped while the dressing takes place and then restarted. This subsequent alternative method of polishing and subsequent dressing is time consuming and therefore inefficient.

전술한 바와 같은 견해를 통해서, CMP 패드의 균질한 손질(grooming)을 제공하는 CMP 패드 드레서가 바람직할 수 있다. 또한, 균일한 깊이로 CMP 패드를 손질하는 CMP 패드 드레서가 매우 바람직할 수 있다. 추가로, 다이아몬드 입자 분리에 덜 민감한 CMP 패드 드레서가 매우 바람직할 수 있다. 마지막으로, 화학 슬러리의 산 침식에 저항성이 있고, 연속적으로 CMP 패드를 드레싱할 수 있고, 심지어 산 슬러리에서도 연마가 실행되는 CMP 패드 드레서가 매우 바람직할 수 있다.In view of the foregoing, it may be desirable for a CMP pad dresser to provide homogeneous grooming of the CMP pad. In addition, a CMP pad dresser that trims the CMP pad to a uniform depth may be very desirable. In addition, CMP pad dressers that are less sensitive to diamond particle separation may be highly desirable. Finally, CMP pad dressers that are resistant to acid erosion of chemical slurries, can continuously dress CMP pads, and even polishing in acid slurries are highly desirable.

본 발명의 목적은 CMP 패드를 균일하게 드레싱하거나 컨디셔닝할 수 있도록 하기 위해서 연마 입자를 사용할 수 있는 CMP 패드 드레서를 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a CMP pad dresser that can use abrasive particles to enable uniform dressing or conditioning of the CMP pad.

본 발명의 다른 목적은 연마 입자 분리에 덜 민감한 CMP 패드 드레서를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a CMP pad dresser which is less sensitive to abrasive particle separation.

본 발명의 또 다른 목적은 심지어는 패드가 산 슬러리 내에서 연마 작용 상태에 있는 동안에도 CMP 패드를 계속적으로 드레싱할 수 있는 내식성을 구비한 CMP 패드 드레서를 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide a CMP pad dresser with corrosion resistance capable of dressing the CMP pad continuously even while the pad is in the abrasive state in the acid slurry.

또한 본 발명의 목적은 디스크로부터 나오는 용해 원소가 연마되고 있는 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하기 위해서 디스크에 화학작용 방해막(barrier)을 제공하기 위한 것이다.It is also an object of the present invention to provide a chemical barrier barrier to the disk to prevent the dissolved elements from the disk from contaminating the wafer being polished.

본 발명의 추가 목적은 균일하게 CMP 패드를 드레싱하거나 컨디셔닝하는 방법을 제공하기 위한 것이다.It is a further object of the present invention to provide a method of dressing or conditioning a CMP pad uniformly.

본 발명의 추가 목적은 패드가 산 슬러리에 담궈질 때 연마 입자 분리에 대하여 CMP 패드 드레서의 민감성을 감소시키는 방법을 제공하기 위한 것이다.It is a further object of the present invention to provide a method of reducing the sensitivity of a CMP pad dresser to abrasive particle separation when the pad is immersed in an acid slurry.

도 1은 다이아몬드를 디스크 기판에 고정하기 위해서 전기도금 방법을 사용한 종래의 CMP 패드 드레서의 측면도이다.1 is a side view of a conventional CMP pad dresser using an electroplating method to secure diamond to a disk substrate.

도 2는 다이아몬드 입자를 디스크 기판에 고정하기 위한 종래 브레이징 방법을 이용하여 제조된 종래의 CMP 패드 드레서의 측면도이다.2 is a side view of a conventional CMP pad dresser manufactured using a conventional brazing method for securing diamond particles to a disk substrate.

도 3은 본 발명의 원리에 따라서 제조된 CMP 패드 드레서의 측면도이다.3 is a side view of a CMP pad dresser made in accordance with the principles of the present invention.

도 4는 본 발명의 원리에 따라서 제조된 그의 표면 위에 연마 입자를 놓기 위한 형판을 가진 브레이징 합금 시트에 대한 측면도이다.4 is a side view of a brazing alloy sheet having a template for placing abrasive particles on its surface made in accordance with the principles of the present invention.

도 5는 본 발명의 원리에 따라서 브레이징 합금 시트 내부로 연마 입자를 가압하기 위해 평평한 표면이 사용되는 것을 보이고 있고, 표면 위의 형판과 형판의 구멍을 채우는 연마 입자를 가진 브레이징 합금 시트의 측면도이다.FIG. 5 shows a flat surface used to press abrasive particles into a braze alloy sheet in accordance with the principles of the present invention, and is a side view of a brazing alloy sheet with abrasive particles filling the template and holes in the template on the surface.

도 6은 본 발명의 원리에 따라서 내부로 가압된 연마 입자를 가진 브레이징 합금 시트의 측면도이다.** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **30: CMP 패드 드레서 40: 기판50: 다이아몬드 입자 90: 브레이징 재료70, 120: 공간 130: 내식 층140: 형판 150: 구멍160: 평평한 표면 180: 연마 입자(그리트)190: 브레이징 합금 시트Figure 6 is a side view of a brazing alloy sheet having abrasive particles pressed inwards in accordance with the principles of the present invention. ** Explanation of symbols for the main parts of the drawings. ** 30: CMP pad dresser 40: Substrate 50: Diamond particle 90 : Brazing material 70, 120: Space 130: Corrosion protection layer 140: Template 150: Hole 160: Flat surface 180: Abrasive particle (grit) 190: Brazing alloy sheet

상기한 바와 같은 목적과 구체적으로 언급하지 않은 기타 다른 목적들이 다수의 균일하게 이격된 연마 입자를 기판에 부착하는 CMP 패드 드레서의 특정 실시예를 통해서 성취되었다. 일반적으로, 입자는 단결정 또는 다결정 형태로서, 다이아몬드, 또는 입방형 보론 질화물(cBN)과 같은 매우 단단한 재료 중의 하나이다.본 발명의 CMP 패드 드레서를 형성하는 하나의 방법에 있어서, 첫 째로 브레이징 파우다와 유기 결합제가 반죽(dough) 형태로 되기 위해서 완전히 혼합된다. 그 다음에 반죽은 유연한 브레이징 합금 시트를 형성하기 위해 두 개의 롤러 사이를 통해서 압연된다. 그 후 연마 입자는 다수의 균일하게 이격된 구멍을 포함하는 형판의 사용에 의해 브레이징 합금 시트 위에 균일하게 놓인다. 형판의 구멍은 하나의 연마 입자 또는 "그리트(grit)"의 크기보다 크지만, 두 개의 연마 입자 크기보다는 작다. 모든 구멍이 연마 입자로 채워질 때, 잉여의 연마 입자는 제거되고, 강판과 같은 일반적으로 평평한 표면을 사용하여서 연마 입자를 그 안에 묻히도록 브레이징 합금 시트 내부로 가압한다. 그 후 형판은 제거되고, 연마 입자를 함유한 브레이징 합금 시트가 아크릴 아교를 가진 기판에 부착된다. 마지막으로, 완전한 조립체는 브레이징 과정을 완성하고 연마 입자를 확고하게 기판에 고정시키기 위해 진공로에서 브레이징 처리된다.다른 방법으로, 연마 입자는 상기에 기술된 바와 같은 형판을 사용하여 아크릴 아교를 가진 기판에 부착될 수 있다. 그 다음에, 브레이징 재료 입자가 연마 입자와 함께 기판 위로 뿌려진다. 마지막으로, 완전한 조립체를 진공 브레이징로에서 가열함으로써 브레이징 과정이 완성되고 이에 따라 연마 입자들이 기판에 견고하게 부착된다.제어된 방식으로 연마 입자를 놓기 위해 형판을 사용함으로써, 임의의 배치 패턴이 성취될 수 있다. 이러한 패턴은 거의 상상할 수 있는 패턴일 수 있지만, 그러나 가장 중요한 것은 기판 위에 연마 입자를 균일하게 이격시킬 수 있는 능력을 제공하는 데 있다. 또한, 균일한 크기인 구멍을 가진 형판을 사용함으로써, 각 연마 입자의 균일한 크기가 확보된다. 마지막으로, 연마 입자를 기판 내부로 가압하기 위해서 평평한 표면을 사용하는 것은 기판 표면 위에서 균일한 높이로 연마 입자가 돌출되게 한다. 이러한 높이가 균일한 연마 입자는 균일한 깊이로 CMP 패드의 드레싱 또는 홈파기(plowing)를 확보한다. 추가로, 기판을 가로지른 연마 입자의 균일한 분포는 그의 표면을 가로지른 패드 드레싱을 균일하게 한다.연마 입자를 기판에 부착한 후, 부가적인 내식 재료의 얇은 코팅이 CMP 패드 드레이서에 적용될 수 있다. 그러한 코팅은 CMP 패드 드레서의 표면을 효과적으로 밀봉한다. 그러한 밀봉제는 연마 입자 및 브레이징 재료 또는 다른 정착제를 보호하거나, 또는 연마 슬러리, 특히 산을 함유한 슬러리의 화학 물질로부터 야기되는 화학 침식에 대한 그의 민감성을 감소시킨다. CMP 패드 드레서의 표면이 화학적 분해에 덜 민감하게 되는 것과 같이, 연마 입자 분리에 대한 그의 민감성은 줄어든다. 따라서, CMP 패드 드레서는 기판에 연마 입자를 결합하는 작용제가 화학적 분해로부터 보호되기 때문에 연마 작용 중에도 CMP 패드를 연속적으로 드레싱할 수 있다.상기한 바와 같은 본 발명의 형태와 본 발명의 다른 목적, 형태 및 장점들이 첨부된 도면들과 관련하여 개시된 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.CMP 패드 드레서 및 그에 수반하는 사용 방법과 제조 방법이 개시되기 전에, 본 발명은 여기에서 개시된 특정 공정 단계와 재료에 제한을 두지 않았으며, 관계 기술을 통해서 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이 그에 대하여 대등하게 연장되는 것으로 이해되어져야 한다. 또한 여기에서 사용된 용어는 단지 특별한 실시예를 설명하기 위한 목적으로 사용되어졌기 때문에 한정되지 않도록 이해되어져야 한다.The above and other objects not specifically mentioned have been achieved through a particular embodiment of a CMP pad dresser for attaching a plurality of evenly spaced abrasive particles to a substrate. Generally, the particles are in monocrystalline or polycrystalline form and are one of very hard materials, such as diamond or cubic boron nitride (cBN). In one method of forming the CMP pad dresser of the present invention, firstly the brazing powder and organic The binder is mixed thoroughly to form a dough. The dough is then rolled through between two rollers to form a flexible brazing alloy sheet. The abrasive particles are then evenly laid on the brazing alloy sheet by the use of a template comprising a plurality of evenly spaced holes. The holes in the template are larger than the size of one abrasive particle or "grit", but smaller than the size of two abrasive particles. When all the holes are filled with abrasive particles, excess abrasive particles are removed and pressed into the brazing alloy sheet to embed the abrasive particles therein using a generally flat surface such as a steel sheet. The template is then removed and a braze alloy sheet containing abrasive particles is attached to the substrate with acrylic glue. Finally, the complete assembly is brazed in a vacuum furnace to complete the brazing process and firmly fix the abrasive particles to the substrate. Alternatively, the abrasive particles may be substrates with acrylic glue using a template as described above. It can be attached to. Then, the brazing material particles are sprayed onto the substrate together with the abrasive particles. Finally, the brazing process is completed by heating the complete assembly in a vacuum brazing furnace so that the abrasive particles are firmly attached to the substrate. By using a template to place the abrasive particles in a controlled manner, any placement pattern can be achieved. Can be. This pattern may be a nearly imaginable pattern, but most importantly, it provides the ability to evenly space abrasive particles over the substrate. In addition, by using a template having holes of uniform size, a uniform size of each abrasive grain is ensured. Finally, using a flat surface to press the abrasive particles into the substrate causes the abrasive particles to project at a uniform height above the substrate surface. Such uniform abrasive particles ensure dressing or plowing of the CMP pads with uniform depth. In addition, the uniform distribution of abrasive particles across the substrate evens the pad dressing across its surface. After attaching the abrasive particles to the substrate, a thin coating of additional corrosion resistant material can be applied to the CMP pad drier. have. Such a coating effectively seals the surface of the CMP pad dresser. Such sealants protect abrasive particles and brazing materials or other fixatives, or reduce their sensitivity to chemical erosion resulting from the chemicals of abrasive slurries, particularly slurries containing acids. As the surface of the CMP pad dresser becomes less sensitive to chemical degradation, its sensitivity to abrasive particle separation is reduced. Therefore, the CMP pad dresser can continuously dress the CMP pad even during the polishing operation because the agent that binds the abrasive particles to the substrate is protected from chemical decomposition. The present invention as described above and other objects and aspects of the present invention. And advantages will become more apparent from the following detailed description set forth in conjunction with the accompanying drawings. Prior to the disclosure of a CMP pad dresser and its accompanying method of use and manufacturing method, the present invention is directed to the specific process steps and materials disclosed herein. It is to be understood that no limitation is imposed and that it extends in parallel to it as will be appreciated by those skilled in the art through the relationship art. It is also to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only, and is not intended to be limiting.

본 발명의 상세한 설명과 첨부된 청구범위에서 사용된 것과 같은, 단수 형태인 "하나의(a)"와 "그(the)"는 문맥이 분명하게 다른 것으로 규정되지 않는 한 복수의 지지 대상을 포함하는 것으로 주목되어야 한다. 따라서, 예를 들면, "연마 입자" 또는 "그리트"는 하나 이상의 연마 입자 또는 하나 이상의 그리트를 포함한다.As used in the description of the invention and the appended claims, the singular forms "a" and "the" include plural supports unless the context clearly dictates otherwise. It should be noted that Thus, for example, “abrasive particles” or “grits” include one or more abrasive particles or one or more grits.

본 발명을 개시하고 청구함에 있어서, 다음의 용어는 아래에서 설명된 정의에 따라서 이용될 것이다.In describing and claiming the present invention, the following terminology will be used in accordance with the definitions set out below.

여기에서 사용된 용어인, "연마 입자", 또는 "그리트", 또는 유사한 관용구는 임의의 우수한 경질 결정체, 또는 다결정 물질, 또는 혼합물을 의미하지만, 다이아몬드, 다결정 다이아몬드(PCD), 입방 보론 질화물, 및 다결정 입방 보론 질화물(PCBN)로 제한되지 않는다. 또한, "연마 입자", "그리트", "다이아몬드", "다결정 다이아몬드(PCD)", "입방 보론 질화물" 및 "다결정 입방 보론 질화물(PCBN)"의 용어는 서로 교대로 사용될 수 있다.As used herein, the term “abrasive particles”, or “grits”, or similar idioms mean any good hard crystal, or polycrystalline material, or mixture, but diamond, polycrystalline diamond (PCD), cubic boron nitride, and It is not limited to polycrystalline cubic boron nitride (PCBN). In addition, the terms "abrasive particles", "grit", "diamond", "polycrystalline diamond (PCD)", "cubic boron nitride" and "polycrystalline cubic boron nitride" (PCBN) may be used interchangeably.

여기에서 사용된 용어인, "기판"은 연마 입자가 부착될 수 있는 표면을 구비한 CMP 드레서의 기부(基部)를 의미한다. 이 기부는 임의의 형상, 두께 또는 재료일 수 있고, 금속, 합금, 세라믹 및 그의 혼합물로 제한되지 않는다.As used herein, the term "substrate" refers to the base of a CMP dresser having a surface to which abrasive particles can adhere. This base may be of any shape, thickness or material and is not limited to metals, alloys, ceramics and mixtures thereof.

여기에서 사용된 용어인, "자형(euhedral)"은 고유 형태를 가짐을 의미하거나, 또는 성장된 결정학적면을 가진 변경되지 않은 자연 그대로의 형상을 가짐을 의미한다.As used herein, the term "euhedral" means to have a native form or to have an unaltered native shape with grown crystallographic planes.

여기에서 사용된 용어인, "뾰족한 포인트(sharp point)"는 결정으로 되는 임의의 협소한 정점을 의미하고, 모서리, 융기, 오벨리스크(obelisk) 및 다른 돌출부로 제한되지 않는다.As used herein, the term "sharp point" means any narrow vertex that is crystallized and is not limited to edges, bumps, obelisks, and other protrusions.

여기에서 사용된 용어인, "금속재"는 임의의 금속 형태, 합금 금속 또는 그의 혼합물을 의미하고, 강, 철, 및 스테인레스강으로 제한되지 않는다.As used herein, the term "metallic material" means any metal form, alloy metal or mixtures thereof, and is not limited to steel, iron, and stainless steel.

분 출원인은 향상된 효율성과 품질로 CMP 패드를 컨디셔닝하거나 드레싱하기 위한 장치를 개발하였다. 장치를 사용하고 제조하기 위한 방법이 여기에 포함되었다. CMP 패드를 컨디셔닝하거나 드레싱하기 위한 장치를 사용함으로써, 디스크 수명과 패드 수명이 연장되었을 뿐만 아니라 패드가 계속적으로 사용될 수 있어서 작업의 성취도와 작업에 의한 처리량이 향상되었다. 또한, 연마된 웨이퍼의 균일성이 향상되었고 결함율이 감소되었다.Applicants have developed a device for conditioning or dressing CMP pads with improved efficiency and quality. Included herein are methods for using and manufacturing the device. By using devices for conditioning or dressing CMP pads, not only the disc life and pad life can be extended, but also the pads can be used continuously, improving work performance and throughput by work. In addition, the uniformity of the polished wafer was improved and the defect rate was reduced.

도 1을 참고로 하면, 거기에는 다수의 다이아몬드 입자(50), 전기도금된 기판(40)이 구비된 종래의 CMP 패드 드레서(10)를 보이고 있다. 전기도금 재료(60)는 일반적으로 산 용액으로부터 석출된 니켈이다. 그러한 전기도금 방법은 고가이고 많은 시간이 소모될 뿐만 아니라, 처리 과정에서 발생된 폐기물 때문에 환경적으로 유해하다.Referring to FIG. 1, there is shown a conventional CMP pad dresser 10 equipped with a plurality of diamond particles 50 and an electroplated substrate 40. Electroplating material 60 is generally nickel deposited from an acid solution. Such electroplating methods are not only expensive and time consuming, but are also environmentally harmful due to the waste generated during the treatment.

도 1에 도시한 바와 같은 전기도금된 CMP 패드 드레서(10)는 많은 단점을 가지고 있다. 첫 번째, 전기도금 재료(60)는 다이아몬드 입자(50)와의 어떠한 화학적 결합을 형성할 수 없다. 따라서, 단지 약한 기계적 힘만으로 기판(60) 위의 다이아몬드 입자(50)를 지지한다. 그러한 기계적 힘은 패드 드레서가 CMP 패드에 대하여 문질러질 때 다이아몬드 입자(50)에 작용하는 보다 큰 마찰력에 의해 압도당해서 다이아몬드 입자가 전기도금 재료(60)로부터 쉽게 떨어져나오게 되어 전기도금 재료(60) 내에 공간(70)과 같은 공동을 남긴다. 그러한 공동은 슬러리로부터 나오는 화학 제품 및 연마 입자뿐만 아니라 피가공물의 연마된 잔유물로 빠르게 채워지게 된다. 그러나, 그러한 침적된 잔유물은 경화되고, 떨어질 때 종종 미세 스크래치를 발생시키며, 연마된 웨이퍼의 생산량을 감소시킨다.Electroplated CMP pad dresser 10 as shown in FIG. 1 has many disadvantages. First, electroplating material 60 may not form any chemical bonds with diamond particles 50. Thus, only weak mechanical forces support the diamond particles 50 on the substrate 60. Such mechanical forces are overwhelmed by the greater frictional forces acting on the diamond particles 50 when the pad dresser is rubbed against the CMP pads so that the diamond particles are easily released from the electroplating material 60 and thus in the electroplating material 60. It leaves a cavity like space 70. Such cavities are quickly filled with abrasive residues of the workpiece as well as chemical and abrasive particles from the slurry. However, such deposited residue hardens and often causes fine scratches as it falls, reducing the yield of the polished wafer.

전기도금 재료(60)에 의해 기계적 힘은 기판(40) 위에서 다이아몬드 입자(50)를 단지 지지하기 위한 수단이기 때문에, 전기도금 재료 위에서의 다이아몬드 입자(50) 노출은 최소로 유지되어야 한다. 따라서, 전기도금 재료(60)와 CMP 패드 사이의 접촉은 피할 수 없다. 그러한 접촉은 전기도금 재료를 마모시키고 다이아몬드 입자(50)의 분리를 촉진시킨다.Since the mechanical force by the electroplating material 60 is only a means of supporting the diamond particles 50 on the substrate 40, the exposure of the diamond particles 50 on the electroplating material should be kept to a minimum. Thus, contact between the electroplating material 60 and the CMP pad is inevitable. Such contact wears the electroplating material and promotes separation of the diamond particles 50.

또한, 전기도금 재료(60)는 볼록한 부분(80)과 같은 장소에서 다이아몬드 입자(50) 위로 솟아 오르는 경향이 있다. 이 과도한 솟아 오름은 이미 다이아몬드 입자(50)의 낮은 노출 및 협소한 간격에 더하여, CMP 패드 내부로 다이아몬드 입자(50)의 관통을, 불가능하게 하지는 않더라도, 상당히 어렵게 한다. 그러한 관통 없으면, 드레싱 처리는 심하게 방해를 받는다.In addition, the electroplating material 60 tends to rise above the diamond particles 50 at the same location as the convex portion 80. This excessive rise already makes the penetration of the diamond particles 50 into the CMP pad quite difficult, if not impossible, in addition to the low exposure and narrow spacing of the diamond particles 50. Without such penetrations, the dressing process is severely disturbed.

도 2를 참고하면, 거기에서는 브레이징 재료(90)와 종래 브레이징 기술을 사용하여 기판(40)에 브레이징된 다이아몬드 입자(50)를 구비한 기판(40)을 가진 종래 기술의 CMP 드레서 패드를 보이고 있다. 브레이징 재료는 일반적으로 탄화물 형성자와 혼합된 합금 금속을 포함한다. 그러한 탄화물 형성자는 차례로 기판(40)과 결합하는 브레이징 재료(90)에 화학적으로 결합시키기 위해서 다이아몬드 입자 (50)를 제공한다. 이러한 결합 장치는 그리트 부착 강도를 상당히 증가시키지만, 약간의 바람직하지 않은 부작용을 수반한다.Referring to FIG. 2, there is shown a prior art CMP dresser pad with a brazing material 90 and a substrate 40 having diamond particles 50 brazed to the substrate 40 using conventional brazing techniques. . Brazing materials generally include alloy metal mixed with carbide formers. Such carbide formers provide diamond particles 50 for chemically bonding to brazing material 90 which in turn bonds with substrate 40. Such coupling devices significantly increase grit adhesion strength, but involve some undesirable side effects.

브레이징 재료(90)는 다이아몬드 입자(50)를 완전히 덮지 않도록 하기 위해서 최소로 유지되어야 한다. 따라서, 다이아몬드 입자(50)는 단지 브레이징 재료(90)의 얇은 코팅에 의해서만 감싸진다. 일반적인 브레이징 재료는 기계적으로 약하다는 사실로 인해 문제가 야기된다. 이러한 기계적 약점은 브레이징 재료 그 자체가 분리된 다이아몬드 입자에 의해 전단될 수 있기 때문에 다이아몬드 입자(50)와 브레이징 재료(90) 사이의 화학 결합의 강도를 상쇄시킨다.The brazing material 90 should be kept to a minimum so as not to completely cover the diamond particles 50. Thus, the diamond particles 50 are only wrapped by a thin coating of the brazing material 90. The problem is caused by the fact that typical brazing materials are mechanically weak. This mechanical weakness cancels the strength of the chemical bond between the diamond particles 50 and the brazing material 90 because the brazing material itself can be sheared by the separated diamond particles.

상기에 언급된 전기도금 니켈과 같은 브레이징 재료(90)가 가진 추가적인 문제는, 연마 슬러리에 의한 화학 침식에 매우 민감하다는 것이다. 그러한 화학 침식은 브레이징 재료(90)를 약하게 함으로써 다이아몬드 입자(50)를 분리시킨다. 따라서, 화학 슬러리에 대한 CMP 패드 드레서(20)의 노출을 감소시키기 위해서는, 피가공물의 연마를 중지시키고 나서, 패드 드레서(20)가 적용되기 전에 화학 슬러리가 패드를 빠져나가도록 해야 한다. 이러한 연마 과정의 중지는 마무리 제품을 제조하기 위한 요구 시간을 증가시키고, 따라서 비효율적이다.A further problem with the brazing material 90, such as the electroplated nickel mentioned above, is that it is very sensitive to chemical erosion by the polishing slurry. Such chemical erosion separates the diamond particles 50 by weakening the brazing material 90. Thus, to reduce the exposure of the CMP pad dresser 20 to the chemical slurry, the polishing of the workpiece should be stopped and the chemical slurry exiting the pad before the pad dresser 20 is applied. This interruption of the polishing process increases the time required for producing the finished product and is therefore inefficient.

종래 브레이징에 대한 또 하나의 결점은 용융 합금 금속의 표면 장력이 기판(40)에 적용될 때 연마 입자(50)를 "덩어리"로 생성시키는 경향이 있다는 것이다. 그러한 덩어리는 도면부호 (100)으로 나타내었고, 틈(110)을 남긴다. 이는 다이아몬드 입자(50)를 전체적으로 불균일하게 분포시켜 비효율적으로 손질을 하게 한다. 이러한 비효율성은 틈(110) 때문이고, 따라서 컨디셔닝 처리가 되지 않고 남아 있는 CMP 패드의 영역을 발생시킨다.Another drawback to conventional brazing is that the surface tension of the molten alloy metal tends to produce “chunks” of abrasive particles 50 when applied to the substrate 40. Such agglomerates are indicated at 100 and leave gaps 110. This causes the diamond particles 50 to be unevenly distributed throughout, resulting in inefficient grooming. This inefficiency is due to the gap 110, thus creating areas of the CMP pad that remain unconditioned.

이러한 불균일한 컨디셔닝은, 피가공물의 마모 영역이 적당하게 컨디셔닝된 영역보다 덜 효과적으로 연마되기 때문에 불균일하게 연마되는 전체 결과에 따라서 다른 것 보다 빠르게 CMP 패드의 영역을 마모시키게 되는 일을 야기한다.Such non-uniform conditioning causes wear areas of the CMP pad to wear out faster than others, depending on the overall result of the non-uniform polishing because the wear areas of the workpiece are polished less effectively than the properly conditioned areas.

연마 입자를 덩어리로 만드는 다른 영향으로는 브레이징 재료(90) 내에 작은 무더기(mound)의 형성에 있다. 작은 무더기 형성은 약간의 다이아몬드 입자를 다른 연마 입자보다 기판(40) 위로 높게 상승시킨다. 따라서, 높아진 돌출 입자는 CMP 패드 내부로 깊게 관통하고, 이 때문에 어떠한 손질 효과를 이용하여 더 적게 연마 입자가 돌출하도록 방지해야 할 것이다. 이는 또한 비효율성 및 부적합한 컨디셔닝을 유발한다.Another effect of agglomerating abrasive particles is in the formation of small mounds in the brazing material 90. Small pile formation raises a few diamond particles above the substrate 40 than other abrasive particles. Thus, the elevated protruding particles penetrate deep into the CMP pad, which would require some trimming effect to prevent less abrasive particles from protruding. This also leads to inefficiency and inadequate conditioning.

종래의 CMP 패드 드레서와는 대조적으로, 본 발명의 CMP 패드 드레서는 균일한 CMP 패드의 드레싱을 제공하였다. 도 3을 참고로 하면, 거기에는 본 발명의 원리에 따라서 제조된 CMP 패드 드레서를 보이고 있다. 이 CMP 패드 드레서는 브레이징 재료(90)에 의해 기판(40)에 부착된 다수의 연마 입자(180)를 가진다. 연마 입자(180)는 임의의 우수한 경질 재료일 수 있다. 소정의 재료를 포함하며, 다이아몬드, 다결정 다이아몬드(PCD), 입방 보론 질화물(CBN) 및 다결정 입방 보론 질화물(PCBN)로 제한되지 않는다.In contrast to conventional CMP pad dressers, the CMP pad dresser of the present invention provided a uniform dressing of CMP pads. Referring to FIG. 3, there is shown a CMP pad dresser manufactured in accordance with the principles of the present invention. This CMP pad dresser has a plurality of abrasive particles 180 attached to the substrate 40 by the brazing material 90. The abrasive particles 180 can be any good hard material. It includes certain materials and is not limited to diamond, polycrystalline diamond (PCD), cubic boron nitride (CBN) and polycrystalline cubic boron nitride (PCBN).

또한 도 3에 도시된 바와 같이, 내식 층(130)이 있다. 이러한 내식 층은 연마 입자(180)가 아래에 기술된 방법을 통해 기판(40)에 부착되어진 후 CMP 패드 드레서의 표면 위에 형성된다. 내식 층(130)은 다이아몬드, 또는 다이아몬드형 카본과 같은 다른 우수한 경질 재료로 이루어진다. 바람직한 실시예에서, 내식 층(130)은 비다이아몬드 카본의 매트릭스 내에 약 70% 이상의 다이아몬드로 이루어진다. 내식 층(130)은 임의의 두께일 수 있으나, 일반적으로 0.5 내지 3㎛의 범위이다. 바람직한 실시예에서, 내식 층(130)은 약 1의 두께를 가진다. 그러한 얇은 내식 층(130)은 물리적 증기 증착(PVD) 방법에 의해 제조될 수 있다. 흑연 음극을 가진 음극 아크를 사용하는 것과 같은 PVD 방법은 종래 기술을 통해서 공지되었고 내식 층(130)을 제조하기 위해 사용될 수 있다.As also shown in FIG. 3, there is a corrosion resistant layer 130. This corrosion resistant layer is formed on the surface of the CMP pad dresser after the abrasive particles 180 are attached to the substrate 40 through the method described below. The corrosion resistant layer 130 is made of diamond, or other good hard material such as diamond-like carbon. In a preferred embodiment, the corrosion resistant layer 130 is comprised of at least about 70% diamond in the matrix of non-diamond carbon. Corrosion resistant layer 130 may be of any thickness, but is generally in the range of 0.5-3 μm. In a preferred embodiment, the corrosion resistant layer 130 has a thickness of about 1. Such thin corrosion resistant layer 130 may be manufactured by a physical vapor deposition (PVD) method. PVD methods, such as using a cathode arc with graphite cathode, are known through the prior art and can be used to fabricate the corrosion resistant layer 130.

내식 층(130)에 의해 제공된 장점은 가공 표면을 효과적으로 "밀봉"하고, 또한 화학 침식에 취약한 CMP 패드 드레서의 다른 소정의 표면을 밀봉할 수 있다. 밀봉재로서의, 내식 층(130)은 CMP 패드 내에 유지된 연마 화학 슬러리에 의한 화학 침식으로부터 브레이징 재료(90)를 보호한다. 이러한 보호는 패드가 피가공물을 연마할 때에도 CMP 패드 드레서(30)가 연속적으로 CMP 패드를 드레싱할 수 있게 하고, 종래의 CMP 패드 드레서의 수명을 연장하기 위해서 필수적으로 이용되고 있는 제조 과정 중지를 제거한다. CMP 패드의 연속적이고 균일한 드레싱은 더 많은 제품을 생산할 수 있게 하고, CMP 패드의 수명을 연장하고 효율성을 향상시킨다.The advantages provided by the corrosion resistant layer 130 can effectively "seal" the processing surface and also seal other desired surfaces of the CMP pad dresser that are susceptible to chemical erosion. As a seal, the corrosion resistant layer 130 protects the brazing material 90 from chemical erosion by the abrasive chemical slurry held in the CMP pad. This protection allows the CMP pad dresser 30 to continuously dress the CMP pad even when the pad polishes the workpiece, eliminating the manufacturing process interruptions that are essential for extending the life of conventional CMP pad dressers. do. Continuous and uniform dressing of the CMP pads enables more products to be produced, extending the life of the CMP pads and improving their efficiency.

기판(40)에 연마 입자(180)를 부착하는 하나의 방법이 도 4 내지 도 6에 도시되었다. 첫 번째, 구멍(150)으로 이루어진 형판(140)은 브레이징 합금 시트(190) 위에 놓인다. 형판의 용도는 구멍을 가진 형판이 소정 패턴으로 디자인되어서 연마 입자(180)를 적소에 배치하도록 제어한다. 연마 입자를 배치하기 위한 패턴이 CMP 패드 드레서가 사용되는 조건에 대한 특별한 요구 사항에 맞추어지도록 당업자에 의해 선택될 수 있다.One method of attaching abrasive particles 180 to the substrate 40 is shown in FIGS. 4-6. First, a template 140 consisting of holes 150 is placed on the brazing alloy sheet 190. The use of the template controls that the template with holes is designed in a predetermined pattern to place the abrasive particles 180 in place. The pattern for placing the abrasive particles can be selected by one of ordinary skill in the art to suit the particular requirements for the conditions under which the CMP pad dresser is used.

본 발명의 일 실시 태양에서, 구멍의 분포는 브레이징 재료(90)에 의해 결합된 연마 그리트(180)들 사이에 일정한 크기의 간격을 형성시킬 수 있도록 미리 설계된 구멍들 사이에 간격을 가진 그리드(grid) 패턴으로 이루어진다. 바람직한 실시예에서, 그리트는 각 그리트 크기의 약 1.5 내지 약 10배의 거리로 균일하게 이격된다.In one embodiment of the present invention, the distribution of the holes is a grid with gaps between the predesigned holes to form a certain sized gap between the abrasive grit 180 bonded by the brazing material 90. ) Consists of patterns. In a preferred embodiment, the grit is evenly spaced at a distance of about 1.5 to about 10 times the size of each grit.

형판(140)이 브레이징 합금 시트(190)에 놓인 후, 구멍(150)은 연마 입자(180)로 채워진다. 구멍(150)은 하나의 연마 입자만이 각각의 구멍에 채워지도록 하는 크기로 미리 설계되는 것이 바람직하다. 임의의 크기의 연마 입자 또는 그리트를 수용할 수 있지만, 본 발명의 일 실시 태양에서는, 입자 크기가 직경으로 약 100 내지 350 마이크로미터가 된다.After the template 140 is placed on the brazing alloy sheet 190, the hole 150 is filled with abrasive particles 180. The hole 150 is preferably predesigned to a size such that only one abrasive particle is filled in each hole. Although abrasive particles or grit of any size can be accommodated, in one embodiment of the present invention, the particle size is about 100 to 350 micrometers in diameter.

본 발명의 다른 실시 태양에서, 형판 내에 구멍의 크기는 크기에 있어서 변하거나 실질적으로 크기에 있어서 균일한 연마 입자의 패턴을 얻기 위한 것으로 요구된다. 바람직한 실시예에서, 형판의 구멍은 서로의 크기에 있어서 50 마이크로미터 이내에 있는 그리트만을 선택하기 위해 충분하다. 이러한 그리트 크기의 균일성은 각 연마 입자의 가공 하중이 균일하게 분포됨에 따라서, CMP 패드 손질의 균일성에 기인한다. 차례로, 균일한 가공 하중 분포는 개개의 연마 입자에 미치는 응력을 감소시키고, CMP 패드 드레서(30)의 수명을 효과적으로 연장시킨다.In another embodiment of the present invention, the size of the holes in the template is required to obtain a pattern of abrasive particles that vary in size or are substantially uniform in size. In a preferred embodiment, the holes of the template are sufficient to select only grit within 50 micrometers in size of each other. The uniformity of this grit size is due to the uniformity of CMP pad trim as the processing load of each abrasive particle is evenly distributed. In turn, the uniform work load distribution reduces the stress on the individual abrasive particles and effectively extends the life of the CMP pad dresser 30.

형판(140)의 구멍(150)이 그리트(180)로 채워진 후, 임의의 잉여 연마 입자는 제거되고, 평평한 표면(160)이 연마 입자(180)에 인가된다. 평평한 표면(160)은 브레이징 합금 시트(190) 내부로 내려오는 연마 입자(180)를 밀어낼 수 있는 만큼의 강하고 단단한 재료로 이루어져야 한다. 그러한 재료는 일반적으로, 강, 철 및 그의 합금 등을 포함하지만 그들로 제한되지는 않는다.After the hole 150 of the template 140 is filled with the grit 180, any excess abrasive particles are removed and a flat surface 160 is applied to the abrasive particles 180. The flat surface 160 should be made of a strong and hard material that can push the abrasive particles 180 down into the brazing alloy sheet 190. Such materials generally include, but are not limited to, steel, iron, alloys thereof, and the like.

연마 입자(180)는 도 6에서 브레이징 합금 시트(190) 내에 포함되는 것으로 보여지고 있다. 표면(160)이 평평하기 때문에, 연마 입자(180)는 기판(40)으로부터 균일한 거리로 떨어져 연장할 것이다. 이러한 거리는 형판(140)의 두께에 의해 결정될 것이고, 바람직한 실시예에서는, 각 연마 입자가 이러한 거리의 50 마이크로미터 이내에서 연장할 것이다.The abrasive particles 180 are shown to be included in the brazing alloy sheet 190 in FIG. 6. Since the surface 160 is flat, the abrasive particles 180 will extend away from the substrate 40 at a uniform distance. This distance will be determined by the thickness of the template 140, and in a preferred embodiment, each abrasive particle will extend within 50 micrometers of this distance.

도 4 내지 도 6에서 보인 바와 같이 연마 입자(180)는 둥글다. 그러나, 도 3에서 그들은 뾰족하였다. 본 발명의 범위는 자형을 포함한 임의의 형상의 연마 입자, 또는 자연 그대로의 형상을 이루고 있는 입자를 포함한다. 그러나, 바람직한 실시예에서, 연마 입자(180)는 기판(40)으로부터 떨어진 방향으로 연장하는 뾰족한 포인트 또는 가장자리를 가진다.As shown in FIGS. 4-6, the abrasive particles 180 are round. However, in Figure 3 they were sharp. The scope of the present invention includes abrasive particles of any shape including a child shape, or particles forming a natural shape. However, in the preferred embodiment, the abrasive particles 180 have sharp points or edges extending in a direction away from the substrate 40.

연마 입자(180)가 브레이징 합금 시트(190) 내에 포함되어진 후에, 시트는 도 3에서 보인 바와 같이, 기판(40)에 부착된다. 사용된 브레이징 합금은 종래 기술을 통해서 공지된 임의의 브레이징 재료일 수 있지만, 중량%로 2% 이상의 크롬을 함유한 니켈 합금이 바람직하다.After the abrasive particles 180 are included in the brazing alloy sheet 190, the sheets are attached to the substrate 40, as shown in FIG. 3. The brazing alloy used may be any brazing material known through the prior art, but nickel alloys containing at least 2% chromium by weight are preferred.

연마 입자(180)가 브레이징 합금 시트(190) 내에 포함되었기 때문에, 액체 브레이징 재료의 표면 장력은 입자 덩어리를 발생시키기에는 불충분하다. 또한, 브레이징 재료의 두께 증가가 훨씬 더 낮은 수준으로 발생하여서 "무더기"가 형성되지 않는다. 반대로, 브레이징 재료는 상당한 지지물과 슬러리 틈을 제공하는 각각의 연마 입자 사이에서 오목한 표면을 형성한다. 마지막으로, 바람직한 실시예에서, 브레이징 합금 시트(190)의 두께는 브레이징 재료(90)의 외부 표면 위로 돌출하기 위한 각 연마 입자의 약 10 내지 약 90%가 되도록 선택되어진다.Since the abrasive particles 180 were included in the brazing alloy sheet 190, the surface tension of the liquid brazing material is insufficient to generate agglomerate of particles. In addition, an increase in the thickness of the brazing material occurs at a much lower level so that no “mass” is formed. In contrast, the brazing material forms a concave surface between each abrasive particle that provides significant support and slurry clearance. Finally, in a preferred embodiment, the thickness of the brazing alloy sheet 190 is selected to be about 10 to about 90% of each abrasive particle for protruding over the outer surface of the brazing material 90.

브레이징 합금 시트(190) 내에 연마 입자(180)를 포함하기 위한 방법의 결과로써, 균일한 공간(120)이 형성되었다. 또한, 연마 그리트(180)는 CMP 패드에 적용될 때를 의미하는 기판(40) 위의 거리 또는 균일한 높이로 연장하고, 패드 섬유 내부에서 균일한 깊이로 돌출할 것이다. 균일한 간격과 균일한 돌출은 CMP가 고르게 드레싱되고 손질되는 것을 야기하여서, CMP 패드의 연마 효율성을 증가시키고 그의 사용 수명을 연장시킨다.As a result of the method for including the abrasive particles 180 in the braze alloy sheet 190, a uniform space 120 was formed. In addition, the abrasive grit 180 will extend to a distance or uniform height above the substrate 40, meaning when applied to a CMP pad, and will project to a uniform depth inside the pad fiber. Uniform spacing and uniform protrusions cause the CMP to be uniformly dressed and trimmed, thereby increasing the polishing efficiency of the CMP pad and extending its service life.

본 발명에 대하여 더 많은 이해를 제공하기 위해서, 실시예들이 아래에 제공되었다. 이러한 실시예들은 본 발명 범위의 한계로서 사용됨을 의미하지는 않는다.In order to provide a better understanding of the present invention, embodiments are provided below. These embodiments are not meant to be used as limitations of the scope of the invention.

실시예 1Example 1

두 개의 CMP 패드 드레서 디스크가 다음과 같이 제조되었다. 브레이징 합금 시트는 두 개의 롤러 사이에서 금속 파우다와 유기 결합체의 혼합물로 제조된다. 평균 크기가 135와 225 마이크로미터인 제네럴 일렉트릭사에 의해 제조된 MBS970의 다이아몬드 그리트가 형판에 의해서 브레이징 합금 시트 내부로 포함되었다. 사용된 형판에는 각 다이아몬드 그리트 사이에서 900 마이크로미터의 거리를 이루고 있는 그리드 패턴으로 다이아몬드 그리트가 형성되었다.Two CMP pad dresser discs were made as follows. The brazing alloy sheet is made of a mixture of metal powder and organic binder between two rollers. Diamond grits of MBS970 manufactured by General Electric, Inc., with average sizes of 135 and 225 micrometers, were embedded by the template into the brazing alloy sheet. In the template used, diamond grits were formed in a grid pattern with a distance of 900 micrometers between each diamond grit.

브레이징 합금 시트 내부에 다이아몬드 그리트 입자를 배치한 후, 아크릴 아교를 사용하여 시트를 금속 기판에 부착하였다. 그 후 조립체는 1000℃의 온도로 진공로에서 브레이징되었다. 이 결과, 약 100 밀리미터의 직경과 약 6.5 밀리미터의 두께를 가진 두 개의 평평한 디스크 제품이 얻어졌다.After placing diamond grit particles inside the brazing alloy sheet, the acrylic glue was used to attach the sheet to the metal substrate. The assembly was then brazed in a vacuum furnace at a temperature of 1000 ° C. As a result, two flat disc products having a diameter of about 100 millimeters and a thickness of about 6.5 millimeters were obtained.

그 후 이러한 디스크는 5배 이상의 다이아몬드 입자 양이 무질서한 형상으로 배치되어 있는 디스크와 비교하여 시험되었다. 디스크는 스트라우스바우(STRAUSBOUGH) 기계에 장착된 28인치 CMP 패드를 드레싱하기 위해 사용되었다. 이 패드는 알칼리성 슬러리 내에 8인치 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위해 사용되었다. 시험 결과를 아래 표 1에 나타내었다. DG 135-900은 900㎛의 거리로 떨어진 135 마이크로미터 입자를 가진 디스크이고, DG 225는 900㎛의 거리로 떨어진 225 마이크로미터 입자를 가진 디스크다.These discs were then tested in comparison to discs in which at least five times the amount of diamond particles were arranged in a disordered shape. The disc was used to dress 28 inch CMP pads mounted on the STRAUSBOUGH machine. This pad was used to polish 8 inch silicon wafers in alkaline slurry. The test results are shown in Table 1 below. DG 135-900 is a disk with 135 micrometer particles spaced at a distance of 900 μm, and the DG 225 is a disk with 225 micrometer particles spaced at a distance of 900 μm.

표 1을 통해서 알 수 있는 바와 같이, 입자가 균일하게 배치된 두 개의 디스크의 성능은 다이아몬드가 무질서하게 배치된 디스크 성능을 훨씬 능가하였다. 또한, 135 마이크로미터 입자를 가진 디스크는 입자가 무질서한 디스크 수행력의 거의 두 배였다.As can be seen from Table 1, the performance of the two disks with uniformly arranged particles far outperformed the disks with diamonds arranged randomly. In addition, disks with 135 micron particles nearly doubled the disk's disordered disk performance.

실시예 2Example 2

두 개의 추가 다이아몬드 디스크가 실시예 1의 방법에 의해 제조되었다. 그러나, 크기가 225 마이크로미터와 275 마이크로미터인 다이아몬드가 사용되었다. 또한, 각 디스크는 브레이징 재료를 보호하기 위해서 다이아몬드형 탄소 코팅재로 두께가 1 마이크로미터가 되게 코팅되었다. 이러한 다이아몬드형 탄소 피막은 음극 아크 방법에 의해 증착되었다.Two additional diamond disks were made by the method of Example 1. However, diamonds of 225 and 275 micrometers in size were used. In addition, each disk was coated with a diamond-like carbon coating to a thickness of 1 micrometer to protect the brazing material. This diamond-like carbon film was deposited by the cathode arc method.

그 후 이러한 디스크는 8인치 실리콘 웨이퍼를 연마하기 위한 응용 재료 기계(Applied material machine)(Mirra)에 장착된 CMP 패드를 드레싱함으로써 종래 다이아몬드 디스크와 비교되었다. 이 패드는 3.0pH의 산성 슬러리에 담궈졌다. 드레싱은 연마가 발생되는 동안 동시에 수행되었다. 결과를 아래 표 2에 나타내었다. DG 275-700은 균일하게 이격된 크기가 275 마이크로미터인 700㎛ 그리트를 함유한 디스크다. DG 225-700은 균일하게 이격된 크기가 225 마이크로미터인 700㎛ 그리트를 함유한 디스크이고, AT는 보호 코팅없이 무질서하게 분포된 그리트를 함유한 종래 다이아몬드 디스크다.This disk was then compared to conventional diamond disks by dressing CMP pads mounted on an Applied material machine (Mirra) for grinding 8 inch silicon wafers. This pad was immersed in an acid slurry of 3.0 pH. Dressing was carried out simultaneously while polishing was occurring. The results are shown in Table 2 below. DG 275-700 is a disk containing 700 μm grit with uniformly spaced dimensions of 275 micrometers. DG 225-700 is a disk containing 700 μm grit with a uniformly spaced size of 225 micrometers, and AT is a conventional diamond disc containing disorderly distributed grit without a protective coating.

표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 종래 제조된 다이아몬드 디스크는 연마된 웨이퍼의 제거 비율을 유지할 수 없다. 또한, 금속 결합은 단지 1.5 시간 동안만이 연마 슬러리의 산성 분위기에서 유지되었다. 그 후, 다이아몬드는 떨어지기 시작하고 고가의 웨이퍼 위에 많은 스크래치를 발생시켰다. 그러나, 본 발명의 디스크는 산성 분위기에서 30시간 이상동안 유지되었다. 그러한 수명의 범위로 더 나은 CMP 패드 드레싱 결과를 얻을 수 있었고, 종래 기술보다 웨이퍼를 제조하는 데 전체 비용이 훨씬 감소하였고 생산량 또한 향상되었다. 물론, 이는 상기한 바와 같은 실시예가 본 발명의 원리의 적용으로 단지 설명되는 것으로 이해되어져야 한다.As can be seen from Table 2, conventionally manufactured diamond disks cannot maintain the removal rate of the polished wafer. In addition, the metal bonds were maintained in the acidic atmosphere of the polishing slurry only for 1.5 hours. After that, diamonds began to fall off and caused a lot of scratches on expensive wafers. However, the disc of the present invention was maintained for at least 30 hours in an acidic atmosphere. Such a range of lifetimes resulted in better CMP pad dressing results, with much lower overall costs and higher yields for manufacturing wafers than the prior art. Of course, it should be understood that the embodiments as described above are only explained by the application of the principles of the present invention.

많은 변경 및 다른 장치들이 본 발명의 범위 및 범주로부터 벗어남 없이 당업자에 의해 발명되어질 수 있고 청구범위는 그러한 변경 및 장치를 한정하도록 의도되어졌다. 따라서, 본 발명이 발명의 가장 실질적이고 바람직한 실시예로 간주되는 것과 관련하여 상기에서 보다 상세하게 기술되어졌지만, 이는 크기의 다양함, 재료, 형상, 형태, 기능, 작동 방법, 조립체, 및 용도에 제한을 두지 않고 포함된 많은 변경이 여기에서 설명된 개념 및 원리로부터 벗어남 없이 이루어질 수 있음을 당업자라면 잘 이해할 수 있을 것이다.Many modifications and other arrangements may be made by those skilled in the art without departing from the scope and scope of the invention and the claims are intended to limit such modifications and arrangements. Thus, although the invention has been described in more detail above in connection with what is considered the most practical and preferred embodiment of the invention, it is intended to vary in size, material, shape, form, function, method of operation, assembly, and use. It will be understood by those skilled in the art that many changes that are included without limitation can be made without departing from the concepts and principles described herein.

상기한 바와 같이, 본 발명은 브레이징 합금 시트 내에 연마 입자를 포함하기 위한 방법의 결과로써, 균일한 공간이 만들어졌고, 연마 그리트가 CMP 패드에 적용될 때 기판 위에서 균일한 거리 또는 높이로 연장하고, 패드 섬유 내부에서 균일한 깊이로 돌출함에 따라서, 균일한 공간 및 균일한 돌출로 CMP가 균일하게 드레싱되고 손질되어 CMP 패드의 연마 효율성을 증가시키고 그의 사용 수명을 연장시켰다.As noted above, the present invention results in a method for including abrasive particles in a braze alloy sheet, whereby a uniform space is created, extending at a uniform distance or height above the substrate when the abrasive grit is applied to the CMP pad, As it protrudes to a uniform depth inside the fiber, the CMP is uniformly dressed and trimmed with uniform space and uniform protrusion to increase the polishing efficiency of the CMP pad and extend its service life.

Claims (48)

기판 부재에 부착되는 특정 크기 범위 내의 크기를 가진 다수의 연마 입자를 포함하고, 상기 연마 입자는 균일하게 이격되고 기판 부재 위에서 일정한 높이로 연장된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.A chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser comprising a plurality of abrasive particles having a size within a specific size range attached to a substrate member, wherein the abrasive particles are evenly spaced and extend at a constant height above the substrate member. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 단결정 또는 다결정 형태로서의 다이아몬드 또는 입방 보론 질화물의 결정 입자인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.2. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser according to claim 1, wherein the abrasive particles are crystal grains of diamond or cubic boron nitride in the form of single crystal or polycrystalline. 제1항에 있어서, 상기 특정 크기 범위는 50 내지 250 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the specific size range is from 50 to 250 micrometers. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자는, 모든 연마 입자가 서로에 대해서 10% 이내의 크기 차를 갖는 균일한 크기인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.2. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the abrasive particles are of uniform size, with all abrasive particles having a size difference within 10% of each other. 제1항에 있어서, 상기 다수의 균일하게 이격된 연마 입자는, 두 개의 입자 사이에서 거리가 유지되도록 일정한 패턴으로 분포되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the plurality of uniformly spaced abrasive particles are distributed in a predetermined pattern such that a distance is maintained between the two particles. 제5항에 있어서, 각 입자 사이의 거리는 입자 평균 크기의 1.5 내지 10 배인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.6. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser according to claim 5, wherein the distance between each particle is 1.5 to 10 times the average particle size. 제5항에 있어서, 상기 패턴은 그리드(grid)인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.6. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 5, wherein the pattern is a grid. 제1항에 있어서, 상기 기판 위의 높이는 모든 연마 입자가 50 마이크로미터 이내에서 연장하는 균일한 높이인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the height above the substrate is a uniform height where all abrasive particles extend within 50 micrometers. 제1항에 있어서, 상기 기판 위의 높이는 평균 70㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.2. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser according to claim 1, wherein the height on the substrate is at least 70 mu m. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 자형(euhedral) 결정 형상인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the abrasive particles are euhedral crystalline. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 일정 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the abrasive particles have a predetermined shape. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 기판으부터 떨어져 지향된 가장자리 또는 뾰족한 포인트을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the abrasive particles have edges or pointed points oriented away from the substrate. 제1항에 있어서, 상기 기판은 금속 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the substrate is made of a metallic material. 제12항에 있어서, 상기 금속 재료는 스테인레스강인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.13. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 12, wherein the metal material is stainless steel. 제1항에 있어서, 상기 연마 입자는 브레이징 재료에 의해 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the abrasive particles are attached to the substrate by a brazing material. 제14항에 있어서, 상기 브레이징 재료는 크롬 함량이 1wt% 이상인 니켈 합금을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.15. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 14, wherein the brazing material further comprises a nickel alloy having a chromium content of at least 1 wt%. 제14항에 있어서, 상기 브레이징 재료는 기판의 표면 위에서 두께를 이루고 있고, 각 연마 입자의 10 내지 90%가 노출되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.15. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser according to claim 14, wherein the brazing material is thick on the surface of the substrate and 10 to 90% of each abrasive particle is exposed. 제1항에 있어서, 상기 기판이 내식층으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 1, wherein the substrate is coated with a corrosion resistant layer. 제18항에 있어서, 연마 입자 층이 전기도금 니켈에 의해 기판에 결합되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.19. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 18, wherein the abrasive particle layer is bonded to the substrate by electroplating nickel. 제18항에 있어서, 상기 내식층은 다이아몬드형 카본으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.19. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 18, wherein the corrosion resistant layer is made of diamond-like carbon. 제18항에 있어서, 다이아몬드 결합시 상기 다이아몬드형 카본을 70% 이상 함유한 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.19. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser according to claim 18, wherein the diamond-containing carbon contains at least 70% of the diamond-like carbon. 제18항에 있어서, 상기 내식 층의 두께는 3 마이크로미터 미만인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.19. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 18, wherein the corrosion resistant layer is less than 3 microns thick. 제18항에 있어서, 상기 다이아몬드형 카본은 95% 이상의 원자 탄소 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서.19. The chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser of claim 18, wherein the diamond shaped carbon has an atomic carbon content of at least 95%. (a) 기판 부재를 제공하는 단계와,(a) providing a substrate member, (b) 상기 기판의 표면 위에 다수의 연마 입자를 균일하게 이격하는 단계와,(b) uniformly spaced apart the plurality of abrasive particles on the surface of the substrate, (c) 각 연마 입자가 기판 부재 위에서 일정한 높이로 연장하도록 기판에 상기 연마 입자를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.(c) attaching the abrasive particles to the substrate such that each abrasive particle extends at a constant height above the substrate member. 제24항에 있어서, 상기 연마 입자는 단결정 또는 다결정 형태로서의 다이아몬드 또는 입방 보론 질화물의 결정 입자인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the abrasive particles are crystal grains of diamond or cubic boron nitride in single or polycrystalline form. 제24항에 있어서,The method of claim 24, 단계 (b) 및 단계 (c)는 추가로,Step (b) and step (c) further comprise a) 상기 연마 입자의 배치가 구멍의 위치에 의해 제어되도록 브레이징 합금 시트 위에 형성된 구멍의 패턴을 구비한 형판을 놓는 단계와,a) placing a template with a pattern of holes formed on the brazing alloy sheet such that the placement of the abrasive particles is controlled by the position of the holes; b) 연마 입자로 상기 형판의 구멍을 채우는 단계와,b) filling the holes of the template with abrasive particles; c) 형판 구멍 내에 있지 않은 연마 입자를 제거하는 단계와,c) removing abrasive particles that are not in the template hole; d) 상기 연마 입자가 브레이징 재료로 부분적으로 에워싸여지도록 브레이징 합금 시트 내부의 구멍에 포함된 연마 입자를 가압하는 단계와,d) pressurizing the abrasive particles contained in the holes inside the brazing alloy sheet such that the abrasive particles are partially surrounded by the brazing material; e) 연마 입자가 브레이징 합금 시트 위에 놓인 상태로 유지되도록 형판을 제거하는 단계와,e) removing the template so that the abrasive particles remain on the braze alloy sheet; f) 기판에 연마 입자를 포함하는 브레이징 합금 시트를 부착하는 단계와,f) attaching a braze alloy sheet comprising abrasive particles to the substrate; g) 진공로에서 제품을 브레이징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.g) method of manufacturing a chemical mechanical polishing (CMP) pad dresser, comprising brazing the product in a vacuum furnace. 제26항에 있어서, 상기 구멍은 단지 하나의 연마 입자만을 수용하기에 충분한 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the aperture is sized to accommodate only one abrasive particle. 제27항에 있어서, 상기 구멍은 일정 범위의 연마 입자를 수용하기 위해 선택된 크기로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.28. The method of claim 27, wherein the aperture is of a size selected to receive a range of abrasive particles. 제24항에 있어서, 상기 연마 입자의 평균 크기가 50 내지 250 마이크로미터의 범위인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the average size of the abrasive particles is in the range of 50 to 250 micrometers. 제24항에 있어서, 상기 연마 입자는, 모든 연마 입자가 서로에 대해서 10% 이내의 크기 차를 갖는 균일한 크기인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the abrasive particles are of uniform size, wherein all abrasive particles have a size difference within 10% of each other. 제26항에 있어서, 상기 일정 패턴의 구멍은 두 개의 입자 사이의 일정한 거리를 만들기에 충분하게 이격된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the holes of the predetermined pattern are sufficiently spaced apart to make a constant distance between the two particles. 제31항에 있어서, 각 입자 사이의 거리는 입자 크기의 1.5 내지 10배인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.32. The method of claim 31 wherein the distance between each particle is between 1.5 and 10 times the particle size. 제26항에 있어서, 상기 입자의 패턴은 그리드인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the pattern of particles is a grid. 제24항에 있어서, 기판으로부터 높이는 모든 연마 입자가 50 마이크로미터 이내에서 연장하는 균일한 높이인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein all abrasive particles heighting from the substrate are of uniform height extending within 50 micrometers. 제24항에 있어서, 상기 연마 입자는 자형 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the abrasive particles are shaped to have a magnetic shape. 제24항에 있어서, 상기 연마 입자는 일정 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the abrasive particles have a predetermined shape. 제24항에 있어서, 상기 연마 입자는 상기 기판으로부터 떨어져 지향된 가장자리 또는 뾰족한 포인트을 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the abrasive particles have edges or sharp points directed away from the substrate. 제24항에 있어서, 상기 기판 부재는 금속 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, wherein the substrate member is made of a metallic material. 제38항에 있어서, 상기 금속 재료는 스테인레스강인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 (CMP) 패드 드레서 제조 방법.39. The method of claim 38, wherein the metal material is stainless steel. 제26항에 있어서, 상기 브레이징 합금 시트는 유기 결합제와 함께 브레이징 합금 입자를 결합하는 단계와, 상기 결합된 입자를 소망하는 두께의 시트로 형성하는 단계에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.27. The chemical mechanical polishing of claim 26, wherein the braze alloy sheet is prepared by bonding brazing alloy particles with an organic binder and forming the bonded particles into sheets of desired thickness. CMP) Pad Dresser Manufacturing Method. 제40항에 있어서, 상기 브레이징 합금 입자를 시트로 형성하는 단계는 압연, 압출 또는 테이프 케스팅에 의해 성취되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.41. The method of claim 40, wherein forming the braze alloy particles into a sheet is accomplished by rolling, extrusion, or tape casting. 제26항에 있어서, 상기 브레이징 재료는 크롬 함량이 1wt% 이상인 니켈 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the brazing material comprises a nickel alloy having a chromium content of at least 1 wt%. 제26항에 있어서, 상기 브레이징 합금 시트는 브레이징 재료 위의 각 연마 입자의 10 내지 90% 범위의 노출을 허용하기 위해 충분한 브레이징 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.27. The method of claim 26, wherein the brazing alloy sheet has a brazing thickness sufficient to allow exposure in the range of 10 to 90% of each abrasive particle on the brazing material. 제24항에 있어서, 상기 브레이징 재료와 상기 연마 입자를 내식층으로 코팅하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.25. The method of claim 24, further comprising coating the brazing material and the abrasive particles with a corrosion resistant layer. 제44항에 있어서, 상기 내식층이 다이아몬드, 또는 다이아몬드형 카본으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.45. The method of claim 44, wherein the corrosion resistant layer is made of diamond or diamond-like carbon. 제44항에 있어서, 상기 내식층이 3 마이크로미터 미만의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.45. The method of claim 44, wherein the corrosion resistant layer has a thickness of less than 3 micrometers. 제44항에 있어서, 상기 다이아몬드형 카본은 90% 이상의 원자 탄소 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.45. The method of claim 44, wherein the diamond shaped carbon has an atomic carbon content of at least 90%. 제47항에 있어서, 상기 코팅 단계는 음극 아크 방법을 사용하여 성취되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마(CMP) 패드 드레서 제조 방법.48. The method of claim 47, wherein said coating step is accomplished using a cathodic arc method.
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