JP2002210659A - Finishing tool of chemical/mechanical flatting technology pad of grid-like diamond array - Google Patents

Finishing tool of chemical/mechanical flatting technology pad of grid-like diamond array

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JP2002210659A
JP2002210659A JP2000390888A JP2000390888A JP2002210659A JP 2002210659 A JP2002210659 A JP 2002210659A JP 2000390888 A JP2000390888 A JP 2000390888A JP 2000390888 A JP2000390888 A JP 2000390888A JP 2002210659 A JP2002210659 A JP 2002210659A
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JP
Japan
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chemical mechanical
abrasive particles
polishing pad
finishing tool
mechanical polishing
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JP2000390888A
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Japanese (ja)
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Shinsei Rin
心正 林
Kenmin So
健民 宋
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CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGE
CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGENKOSHI
Original Assignee
CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGE
CHUGOKU SARIN KIGYO KOFUN YUGENKOSHI
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a finishing tool of a chemical/mechanical flatting technology pad capable of using abrasive grains for uniformly finishing or adjusting the chemical/mechanical flatting technology pad. SOLUTION: This finishing tool of the chemical/mechanical flatting technology pad has the abrasive grains 180 disposed at a uniform interval. Each of the abrasive grains is made of cemented carbide material such as diamond. The abrasive grains are adhered to a substrate 40 additionally covered with a rust preventing layer 130. The rust preventing layer prevents erosion of a brazed alloy 90 by a chemical slurry used in relation to the pad. The prevention of the chemical erosion allows the finishing tool to finish the pad while the pad polishes a work piece. The abrasive grains are not only disposed at the uniform interval on the substrate 40 and but also extended from the substrate in a uniform distance, so that the chemical/mechanical flatting technology pad can be groomed and finished both horizontally and vertically. A manufacturing method of the finishing tool of the chemical/mechanical flatting technology pad is also disclosed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、化学
的機械的平坦化技術パッドの仕上げおよび調整を行うた
めの装置および方法に関し、より詳細には、化学的機械
的平坦化技術パッドの仕上げおよび調整のためのダイヤ
モンドまたは立方晶窒化硼素のような超硬材料を含む仕
上げディスクに関する。さらに詳細には、本発明は、化
学的浸食から保護するためにダイヤモンド型炭素からな
る薄膜でコーティングされる、等間隔をおかれた多数の
研磨材粒子を有する仕上げディスクに関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to an apparatus and method for finishing and conditioning a chemical mechanical planarization pad, and more particularly to a chemical mechanical planarization pad. A finishing disc comprising a cemented carbide material such as diamond or cubic boron nitride for finishing and conditioning. More particularly, the present invention relates to a finished disc having a large number of equally spaced abrasive particles coated with a thin film of diamond-type carbon to protect against chemical erosion.

【0002】[0002]

【従来の技術】多くの産業では、現在、ワークピースを
研磨するために化学的機械的平坦化技術(Chemical Mech
anical Planarization)、すなわち化学的機械的研磨が
採用されている。特に、製造業において、セラミック
ス、シリコン、ガラス、水晶および金属からなるウエー
ハまたは薄片を研磨するための化学的機械的平坦化技術
方法に大いに依存し始めている。この研磨方法では、一
般的に、ポリウレタンのような丈夫な有機物でできた回
転パッドにウエーハを当てることが必要である。このパ
ッドには、ウエーハ表面に化学変化を生じさせ得る化学
物質と、ウエーハ表面を物理的に浸食するように働く多
量の研磨材粒子とが加えられている。このスラリーは回
転する化学的機械的平坦化技術パッド(化学的機械的研
磨パッド)に連続的に添加され、ウエーハに働く2つの
化学的および機械的な作用により、前記ウエーハが所望
の態様で研磨される。
2. Description of the Related Art In many industries, chemical mechanical planarization techniques (Chemical Mech.
anical Planarization), that is, chemical mechanical polishing. In particular, the manufacturing industry has begun to rely heavily on chemical mechanical planarization techniques for polishing wafers or flakes made of ceramics, silicon, glass, quartz and metal. This polishing method generally requires applying a wafer to a rotating pad made of a strong organic material such as polyurethane. The pad is added with a chemical that can cause a chemical change on the wafer surface and a large amount of abrasive particles that act to physically erode the wafer surface. This slurry is continuously added to a rotating chemical-mechanical planarization technology pad (chemical-mechanical polishing pad), and the wafer is polished in a desired manner by two chemical and mechanical actions acting on the wafer. Is done.

【0003】得られる研磨の質にとって特に大切なこと
は、研磨材粒子がパッド全体に分布していることであ
る。パッドの表面は、通常、前記ポリウレタンの空隙や
前記パッドの表面上の粗い組織のような手段により前記
粒子を保持する。可撓性を有するパッドの表面は、さら
に、研磨材がウエーハに作用し得るに十分な支持を与え
る。
Of particular importance to the quality of the resulting polishing is that the abrasive particles are distributed throughout the pad. The surface of the pad typically retains the particles by means such as voids in the polyurethane or rough texture on the surface of the pad. The flexible pad surface also provides sufficient support for the abrasive to act on the wafer.

【0004】パッド表面の組織を維持することに付随す
る問題として、ワークピース、研磨材スラリーおよび仕
上げディスクから生じる研磨材破片の蓄積がある。この
蓄積は、「つや出し」またはパッド表面の硬化を生じさ
せ、これは、前記スラリーの研磨材粒子の保持能力を低
下させる。
[0004] A problem associated with maintaining the texture of the pad surface is the accumulation of abrasive debris from the workpiece, abrasive slurry, and finishing disk. This build-up causes "polishing" or hardening of the pad surface, which reduces the slurry's ability to retain abrasive particles.

【0005】このため、さまざまな装置を用いてこれを
「梳くこと」によりパッドの表面を再活性化させる試み
がなされた。この方法は、化学的機械的平坦化技術パッ
ドの「仕上げ」または「調整」として知られている。多
くのタイプの装置および方法がこの目的のために用いら
れてきた。このような装置の一つが、表面または基板に
取り付けられたダイヤモンド粒子のような複数の超硬の
結晶粒子を有するディスクである。
Attempts have been made to re-activate the surface of the pad by "carding" it with various devices. This method is known as "finishing" or "conditioning" the chemical mechanical planarization technology pad. Many types of devices and methods have been used for this purpose. One such device is a disk having a plurality of superhard crystal grains, such as diamond particles, attached to a surface or substrate.

【0006】残念ながら、従来の方法で作られたこのよ
うなダイヤモンドディスクは、ある問題を提起する。第
1に、ダイヤモンドがディスクの基板から取り除かれ始
め、化学的機械的平坦化技術パッド上に捕えられる。こ
れは、研磨されているワークピースをけがくことにな
る。第2に、従来のディスクは、グループで群生しまた
は基板表面上で不規則な間隔をおかれたダイヤモンドを
有する傾向がある。不規則なグループ分けは、化学的機
械的平坦化技術パッドに、摩耗ゾーンを生みだす過度に
仕上げられた部分と艶出し層を生み出す非仕上げ部分と
を生じさせる。いずれの場合も、パッドの研磨効率は減
少し、不規則な研磨が生じる。最後に、これらのディス
クのダイヤモンドは、ディスクの基板表面上方に一様に
は伸びていない。この不均一は、加えて、仕上げ用具か
ら十分に高く突出するこれらの粒子のみが前記パッドに
接触するであろうことから、化学的機械的平坦化技術パ
ッドの不均一な仕上げが生じる。パッド表面の不均一な
仕上げは、ウエーハの不均一またはむらを生じさせる。
[0006] Unfortunately, such diamond disks made in a conventional manner present certain problems. First, the diamond begins to be removed from the disk substrate and becomes trapped on the chemical mechanical planarization technology pad. This will injure the workpiece being polished. Second, conventional disks tend to clump in groups or have irregularly spaced diamonds on the substrate surface. Irregular grouping causes the chemical mechanical planarization pads to have overfinished portions that create wear zones and unfinished portions that create a polished layer. In either case, the polishing efficiency of the pad decreases and irregular polishing occurs. Finally, the diamonds in these disks do not extend uniformly above the substrate surface of the disks. This non-uniformity, in addition, results in a non-uniform finish of the chemical mechanical planarization technology pad, since only those particles that project sufficiently high from the finishing tool will contact the pad. An uneven finish on the pad surface results in uneven or uneven wafers.

【0007】ディスク基板からのダイヤモンドの抜け落
ちは、これらを取り付けた劣悪な方法による。ダイヤモ
ンドが電気めっきされたニッケルによって基板に保持さ
れるときは、ダイヤモンドの機械的固定以外に接合力は
存在しない。このため、これらの粒子は、これらが固定
から解き放されると抜け落ち始める。この抜き落ちのプ
ロセスは、電気めっき材料上の化学的スラリーの化学的
浸食によって促進される。
[0007] The falling off of diamonds from the disk substrate is due to a poor method of attaching them. When diamond is held on a substrate by electroplated nickel, there is no bonding force other than mechanical fixing of the diamond. Thus, these particles begin to fall off as they are released from the fixation. This withdrawal process is facilitated by chemical erosion of the chemical slurry on the electroplating material.

【0008】他方、ダイヤモンドが基板に鑞づけされる
とき、この化学的力がダイヤモンドをより堅固に保持す
る。しかし、前記化学的スラリー中の酸が鑞づけを急速
に分解し、ダイヤモンドを除去する。このため、前記化
学物質に対する鑞づけの露出を最小にすべく、仕上げが
生じる間に研磨加工が停止され、次いで、再開される。
この交互に行われる研磨および仕上げの連続は時間を浪
費し、したがって、また、能率的でない。
On the other hand, when diamond is brazed to a substrate, this chemical force holds the diamond more firmly. However, the acid in the chemical slurry rapidly breaks down the brazing and removes the diamond. For this reason, the polishing process is stopped and then restarted during the finishing to minimize the exposure of the brazing to the chemical.
This alternating sequence of polishing and finishing is time consuming and therefore also inefficient.

【0009】前述のことを考慮して、化学的機械的平坦
化技術パッドの一様な梳きすなわち毛づくろいを付与す
る化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具(化学的機
械的研磨パッド仕上げ用具。)が望まれる。加えて、化
学的機械的平坦化技術パッドを一様な高さに毛づくろい
する化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具がより望
まれる。さらに、ダイヤモンド粒子が抜けにくい化学的
機械的平坦化技術パッド仕上げ用具がより一層望まれ
る。最後に、化学的スラリーの酸分解に抵抗し、また、
酸性スラリー中での研磨が行われる間でも連続的に化学
的機械的平坦化技術パッドを仕上げる化学的機械的平坦
化技術パッド仕上げ用具が非常に望まれる。
In view of the foregoing, there is provided a chemical mechanical planarization pad finishing tool which provides uniform combing or grooming of a chemical mechanical planarizing pad. ) Is desired. In addition, a chemical mechanical planarization pad finishing tool that grooms the chemical mechanical planarization pad to a uniform height is more desirable. In addition, there is a further need for a chemical mechanical planarization pad finishing tool that does not allow diamond particles to escape. Finally, it resists acid degradation of chemical slurries, and
A chemical mechanical planarization pad finishing tool that continuously completes a chemical mechanical planarization pad even while polishing in an acidic slurry is performed is highly desirable.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、化学的機械的平坦化技術パッドを一様に仕上げ
または調整する研磨材粒子を用いることができる化学的
機械的平坦化技術パッド仕上げ用具を提供することにあ
る。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a chemical mechanical planarization pad finish that can use abrasive particles to uniformly finish or condition the chemical mechanical planarization pad. To provide tools.

【0011】本発明の他の目的は、研磨材粒子が抜けに
くい化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具を提供す
ることにある。
It is another object of the present invention to provide a chemical mechanical planarization pad finishing tool in which abrasive particles are less likely to escape.

【0012】本発明のさらに他の目的は、化学的機械的
平坦化技術パッドが酸性スラリー内での研磨作用下にあ
っても化学的機械的平坦化技術パッドを絶えず仕上げる
ことができるような腐食抵抗を有する化学的機械的平坦
化技術パッド仕上げ用具を提供することにある。
It is a further object of the present invention to provide a method for producing a chemical mechanical planarization pad which is capable of being continuously finished even under polishing action in an acidic slurry. It is to provide a chemical-mechanical planarization technology pad finishing tool having resistance.

【0013】本発明のさらに他の目的は、研磨されてい
るウエーハを汚染する前記ディスクからのエレメントの
溶解または分解を阻止する化学的バリヤーを提供するこ
とにある。
Yet another object of the present invention is to provide a chemical barrier that prevents the dissolution or decomposition of elements from the disk that contaminate the wafer being polished.

【0014】本発明のさらに他の目的は、化学的機械的
平坦化技術パッドを均一に仕上げまたは調整する方法を
提供することにある。
It is yet another object of the present invention to provide a method for uniformly finishing or conditioning a chemical mechanical planarization technology pad.

【0015】本発明のさらに他の目的は、化学的機械的
平坦化技術パッドが酸性のスラリー中に浸されていると
きでも、化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具の研
磨材粒子の抜け落ち性向を低減する方法を提供すること
にある。
It is yet another object of the present invention to provide a chemical mechanical planarization pad finishing tool that has a tendency to shed abrasive particles even when the pad is immersed in an acidic slurry. It is to provide a method for reducing the above.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段、発明の作用および効果】
前記した目的および特に挙げられていない他の目的は、
図示の化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具の特別
な実施例において達成され、この実施例の化学的機械的
平坦化技術パッド仕上げ用具は、基板部材または基板に
付着された一様な相互間隔の複数の粒子を有し、該粒子
は、一般的に、ダイヤモンドまたは立方晶窒化硼素のよ
うな単結晶または多結晶質の形態の超硬物質からなる。
Means for Solving the Problems, Functions and Effects of the Invention
The purpose mentioned above and other purposes not specifically mentioned are:
The invention is accomplished in a specific embodiment of the illustrated chemical mechanical planarization pad finishing tool, in which the chemical mechanical planarization pad finishing tool comprises a substrate member or a uniform mutual spacing applied to the substrate. The particles generally comprise a hard material in a single or polycrystalline form, such as diamond or cubic boron nitride.

【0017】本発明に係る1の化学的機械的平坦化技術
パッド仕上げ用具の製造または形成方法にあっては、先
ず、生地を作るために鑞づけ粉末と有機結合剤とが徹底
的に混ぜ合わされる。次いで、鑞づけ合金の可撓性シー
トを作るために前記生地が2つのローラー間で伸ばされ
る。次に、同じ間隔を有する複数の穴を含むテンプレー
トを用いて、前記シート上の鑞づけ合金上に研磨材粒子
が均一に配置される。前記テンプレートの穴は、単一の
研磨材粒子または「粗粒」の寸法より大きいが2つのそ
れの寸法より小さい。全ての穴が研磨材粒子で満たされ
ると、余分な研磨材粒子は除かれ、研磨材粒子はこれら
を鑞づけ合金シートに埋め込むために前記鑞づけ合金シ
ートに押し付けられる。次に、前記テンプレートが取り
除かれ、研磨材粒子を含む鑞づけ合金が前記基板にアク
リル系接着剤で接着される。最後に、鑞づけ方法を行っ
て前記研磨材粒子を前記基板に付着させるため、アセン
ブリ全体が真空炉内で鑞づけされる。
In one method of manufacturing or forming a pad finishing tool of the present invention, a brazing powder and an organic binder are thoroughly mixed to produce a dough. . The dough is then stretched between two rollers to make a flexible sheet of brazing alloy. Next, the abrasive particles are uniformly distributed on the braze alloy on the sheet using a template including a plurality of holes having the same spacing. The holes in the template are larger than the dimensions of a single abrasive particle or "coarse grain" but smaller than the dimensions of two of them. When all the holes are filled with abrasive particles, the excess abrasive particles are removed and the abrasive particles are pressed onto the brazing alloy sheet to embed them in the brazing alloy sheet. Next, the template is removed and a brazing alloy containing abrasive particles is adhered to the substrate with an acrylic adhesive. Finally, the entire assembly is brazed in a vacuum furnace to perform a brazing process to attach the abrasive particles to the substrate.

【0018】代わりに、前記研磨材粒子は、前記したテ
ンプレートを用いて、アクリル系接着剤で前記基板に付
着させることができる。次に、鑞づけ合金粒子が前記研
磨材粒子および基板上に降り注がれる。最後に、鑞づけ
のプロセスを完了し、前記基板に研磨材粒子を堅く接合
するため、アセンブリ全体が真空鑞づけ炉内で加熱され
る。
Alternatively, the abrasive particles can be attached to the substrate with an acrylic adhesive using the template described above. Next, brazing alloy particles are poured down onto the abrasive particles and the substrate. Finally, the entire assembly is heated in a vacuum brazing furnace to complete the brazing process and firmly bond the abrasive particles to the substrate.

【0019】規制方式で前記研磨材粒子を配置すべく前
記テンプレートを使用することにより、所望の配置パタ
ーンを得ることができる。このパターンは、考えられる
パターンのほとんど全てであるが、最も重要なことは、
前記基板上の研磨材粒子の間隔を一様にする可能性を提
供することである。加えて、一様なサイズの穴を有する
テンプレートを使用することにより、各研磨材粒子の一
様な寸法が保証される。最後に、前記基板に前記研磨材
粒子を押し付けるための平坦面を用いて、前記基板の表
面の上方に突出する前記研磨材粒子の一様な高さを生じ
させる。研磨材粒子のこの一様な高さは、化学的機械的
平坦化技術パッドを一様な深さに耕しまたは仕上げるこ
とを保証する。さらに、前記基板の至る所への研磨材粒
子の一様な散布により、前記パッドの表面の至る所を均
一に仕上げることが可能である。
A desired arrangement pattern can be obtained by using the template to arrange the abrasive particles in a regulated manner. This pattern is almost every possible pattern, but most importantly,
It is to provide the possibility to even out the spacing of the abrasive particles on the substrate. In addition, the use of a template having uniformly sized holes ensures uniform dimensions of each abrasive particle. Finally, a flat surface for pressing the abrasive particles against the substrate is used to create a uniform height of the abrasive particles projecting above the surface of the substrate. This uniform height of the abrasive particles ensures that the chemical mechanical planarization technology pad is plowed or finished to a uniform depth. Further, by uniformly dispersing the abrasive particles throughout the substrate, it is possible to uniformly finish the entire surface of the pad.

【0020】前記基板への研磨材粒子の固着後、付加的
な錆止め材料からなる薄膜またはめっきが化学的機械的
平坦化技術パッド仕上げ用具に施される。この膜は、化
学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具の表面を効果的
に「シール」または「密封」する。この密封は、研磨材
粒子および鑞づけまたは他の接合剤を保護し、また、研
磨材スラリー、特に酸を含むこれらのスラリーの化学物
質からの化学的浸食を受けにくくする。化学的機械的平
坦化技術パッド仕上げ用具の表面が化学的浸食を受けに
くくされると、さらに、研磨材粒子を抜け落ちにくくす
る。したがって、化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ
用具は、研磨を行っている間でも、研磨材粒子を基板に
接着する接着剤が化学的浸食から保護されているため、
化学的機械的平坦化技術パッドを連続的に仕上げること
ができる。
After the abrasive particles are fixed to the substrate, a thin film or plating of additional rust inhibitor material is applied to the chemical mechanical planarization pad finishing tool. This film effectively "seals" or "seals" the surface of the chemical mechanical planarization technology pad finishing tool. This seal protects the abrasive particles and brazing or other bonding agents and also makes the abrasive slurries, especially those slurries containing acids, less susceptible to chemical attack from the chemicals. When the surface of the chemical mechanical planarization technology pad finishing tool is less susceptible to chemical erosion, the abrasive particles are also less likely to fall out. Therefore, the chemical-mechanical planarization technology pad finishing tool, while polishing, protects the adhesive that adheres the abrasive particles to the substrate from chemical erosion,
The chemical mechanical planarization technology pad can be continuously finished.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】本発明の前記した目的および他の
目的、特徴および利点は、添付図面に関連する次の詳細
な説明の記載から明らかとなろう。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings.

【0022】本発明に係る化学的機械的平坦化技術パッ
ド仕上げ用具(化学的機械的研磨パッド仕上げ用具)、
付随する使用方法および製造方法を開示し、説明するに
先立ち、本発明が、ここに開示される特別な方法および
材料に限定されないが、関連分野の当業者により認識さ
れると同等のものまで拡大されることは理解されよう。
また、ここで採用されている技術は特別な実施例を説明
する目的でのみ用いられ、限定する意図がないことは理
解されよう。
A chemical mechanical planarization technology pad finishing tool according to the present invention (chemical mechanical polishing pad finishing tool);
Prior to disclosing and describing the attendant methods of use and manufacture, the present invention is not limited to the particular methods and materials disclosed herein, but extends to equivalents as recognized by one of ordinary skill in the relevant art. It will be understood.
It should also be understood that the techniques employed herein are used only for the purpose of describing particular embodiments and are not intended to be limiting.

【0023】この明細書において使用される単数形式
は、文脈の中で明らかに異なった規定をする場合を除
き、複数の指示物を含む。したがって、「研磨材粒子」
または「粗粒」への言及は、1またはそれ以上の研磨材
粒子または粗粒を含む。
[0023] As used herein, the singular forms "a", "an" and "the" include plural referents unless the content clearly dictates otherwise in context. Therefore, "abrasive particles"
Or, reference to "grit" includes one or more abrasive particles or grit.

【0024】本発明についての記載において、次の用語
は以下で明らかにした定義に従って用いられている。
In describing the present invention, the following terminology will be used in accordance with the definitions set forth below.

【0025】ここで用いられている「研磨材粒子」、
「粗粒」または類似の句は、任意の超硬結晶質、多結晶
体、または、混合物質を意味し、また、限定されるもの
ではないが、ダイヤモンド、多結晶質ダイヤモンド、立
方晶窒化硼素および多結晶質の立方晶窒化硼素を含む。
さらに、用語「研磨材粒子」、「粗粒」、「ダイヤモン
ド」、「多結晶質ダイヤモンド」「立方晶窒化硼素」お
よび「多結晶質の立方晶窒化硼素」は交換可能である。
"Abrasive particles" used herein,
"Coarse grain" or similar phrases means any hard crystalline, polycrystalline, or mixed material, and includes, but is not limited to, diamond, polycrystalline diamond, cubic boron nitride. And polycrystalline cubic boron nitride.
Furthermore, the terms "abrasive particles", "coarse grains", "diamonds", "polycrystalline diamond", "cubic boron nitride" and "polycrystalline cubic boron nitride" are interchangeable.

【0026】ここで使用されている「基板」は、研磨材
粒子が接合される表面を有する化学的機械的平坦化技術
パッド仕上げ用具の基部を意味する。前記基部は、任意
の形状、厚さ、または材料を有し、また、限定はされな
いが、金属、合金、セラミックスおよびこれらの混合物
からなる。
As used herein, "substrate" means the base of a chemical mechanical planarization pad finishing tool having a surface to which abrasive particles are bonded. The base may have any shape, thickness, or material, and may include, but is not limited to, metals, alloys, ceramics, and mixtures thereof.

【0027】ここで用いられる「自形(euhedral)」
は、「自形(idiomorphic)」または成長結晶学的面を有
する、もとのままの自然な形状を意味する。
As used herein, "euhedral"
Means an "idiomorphic" or intact natural shape with a growing crystallographic surface.

【0028】ここで用いられている「先鋭点」は、結晶
になる任意の細い頂点を意味し、限定されるものではな
いが、管、稜、方尖塔および他の突起を含む。
As used herein, "sharp point" means any narrow vertex that becomes a crystal, including, but not limited to, tubes, ridges, spires and other protrusions.

【0029】ここで用いられる「金属」は、任意のタイ
プの金属、合金またはこれらの混合物を意味し、特に、
限定されるわけではないが、鋼、鉄およびステンレス鋼
を含む。
[0029] As used herein, "metal" means any type of metal, alloy, or mixture thereof,
Including but not limited to steel, iron and stainless steel.

【0030】本出願人は、化学的機械的平坦化技術パッ
ド(化学的機械的研磨パッド)を調整または仕上げの効
率および質を改善するための装置を発見した。この装置
を使用しおよび製造する方法はここに含まれている。化
学的機械的平坦化技術パッドを調整しまたは仕上げるた
めに前記装置を用いることにより、ディスクの寿命およ
びパッドの寿命の双方が伸びるだけでなく、前記パッド
が用いられる安定度、および、したがって、それがその
仕事を成し遂げるスループットの双方が改善される。さ
らに、研磨されたウエーハの一様性および欠陥率も改善
される。
The Applicant has discovered an apparatus for conditioning or improving the efficiency and quality of chemical mechanical planarization technology pads (chemical mechanical polishing pads). Methods for using and manufacturing this device are included herein. The use of the apparatus to condition or finish a pad using chemical mechanical planarization techniques not only increases both the life of the disk and the life of the pad, but also the stability with which the pad is used and, therefore, Both of the throughputs to accomplish that task are improved. In addition, the uniformity and defect rate of the polished wafer are improved.

【0031】図1を参照すると、従来の化学的機械的平
坦化技術パッド仕上げ用具10が示されており、該仕上
げ用具は、基板40に電気めっきされた複数のダイヤモ
ンド粒子50を有する。電気めっき材料60は、一般的
に、酸性溶液から析出したニッケルである。この電気め
っき方法は、高価につきかつ時間を浪費するだけでな
く、この方法によって生じる廃棄物質のために環境上有
害である。
Referring to FIG. 1, there is shown a conventional chemical mechanical planarization pad finishing tool 10 having a plurality of diamond particles 50 electroplated on a substrate 40. Electroplating material 60 is typically nickel precipitated from an acidic solution. This electroplating method is not only expensive and time consuming, but also environmentally harmful due to the waste material produced by the method.

【0032】電気めっきされた化学的機械的平坦化技術
パッド仕上げ用具10は、図1に明瞭に示されているよ
うに、多くの不利点を有する。第1に、電気めっき材料
60は、ダイヤモンド粒子50といかなる化学結合をも
形成することができない。このため、弱い機械的力のみ
でダイヤモンド粒子50を基板60に保持する。この機
械的力は、前記パッド仕上げ用具が化学的機械的平坦化
技術パッドと擦れ合うとき、ダイヤモンド粒子50に作
用するより大きい摩擦力によりすぐに打ち消され、電気
めっき材料60から簡単に離され、電気めっき材料60
中に空間70のような空所を残す。この空所は、ワーク
ピースの磨いた後の残留物と、前記スラリーからの化学
物質および研磨材ですぐに埋められる。しかし、この堆
積した残留物は硬化し、また、これが離れるときには、
しばしば、微細な擦り傷を生じさせ、研磨済みウエーハ
の歩留まりを減少させる。
The electroplated chemical mechanical planarization technology pad finishing tool 10 has a number of disadvantages, as clearly shown in FIG. First, the electroplating material 60 cannot form any chemical bonds with the diamond particles 50. Therefore, the diamond particles 50 are held on the substrate 60 only by a weak mechanical force. This mechanical force is quickly counteracted by the greater frictional forces acting on the diamond particles 50 when the pad finishing tool rubs against the chemical mechanical planarization technology pad, is easily separated from the electroplating material 60, and Plating material 60
Leave an empty space like space 70 inside. This void is immediately filled with post-polishing residues of the workpiece, and chemicals and abrasives from the slurry. However, this deposited residue hardens and, when it separates,
Often, fine scratches are created, reducing the yield of polished wafers.

【0033】電気めっき材料60によって生じる前記機
械的力は基板40上にダイヤモンド粒子50を保持する
唯一の手段であるため、前記電気めっき材料上のダイヤ
モンド粒子50の露出は最小に維持されなければならな
い。このため、電気めっき材料60と前記化学的機械的
平坦化技術パッドとの接触を避けることができない。こ
の接触は前記電気めっき材料を摩滅させ、ダイヤモンド
粒子50の分離を促進する。
Since the mechanical force generated by the electroplating material 60 is the only means of holding the diamond particles 50 on the substrate 40, exposure of the diamond particles 50 on the electroplating material must be kept to a minimum. . Therefore, contact between the electroplating material 60 and the chemical mechanical planarization technology pad cannot be avoided. This contact abrades the electroplating material and promotes the separation of diamond particles 50.

【0034】加えて、電気めっき材料60は、突状部分
80のような決まった場所でダイヤモンド50を越えて
成長する傾向がある。この過成長は、ダイヤモンド粒子
50の既に低い露出および詰まった間隔に加えて、不可
能でなければ、前記化学的機械的平坦化技術パッド内へ
の意味のあるめり込みを困難にする。このようなめり込
みなしでは、前記仕上げ方法は著しいハンディキャップ
を負う。
In addition, electroplating material 60 tends to grow beyond diamond 50 at certain locations, such as protrusions 80. This overgrowth, in addition to the already low exposure and plugged spacing of the diamond particles 50, makes it difficult, if not impossible, to meaningfully dig into the chemical mechanical planarization technology pad. Without such sinking, the finishing method suffers significant handicap.

【0035】図2を参照すると、基板40を有する従来
の化学的機械的平坦化技術パッドであって、基板40に
鑞づけされたダイヤモンド粒子50を有し、鑞づけ材料
90および従来の鑞づけ技術を使用する化学的機械的平
坦化技術パッド20が示されている。鑞づけ材料は、カ
ーバイド形成具で混合された合金を含む。このカーバイ
ド形成具は、ダイヤモンド粒子50を鑞づけ材料90に
化学的に接合させ、次いで基板40と接合することがで
きる。この接合配置は、グリタートハッチメント(grita
thachment)の強度を増すが、ある望ましくない副作用を
伴う。
Referring to FIG. 2, a conventional chemical mechanical planarization pad having a substrate 40, having diamond particles 50 brazed to the substrate 40, comprising a brazing material 90 and a conventional brazing A chemical mechanical planarization technology pad 20 using the technology is shown. Brazing materials include alloys mixed with carbide formers. The carbide former can chemically bond the diamond particles 50 to the brazing material 90 and then bond to the substrate 40. This mating arrangement is
thachment), but with some undesirable side effects.

【0036】鑞づけ材料90は、これがダイヤモンド粒
子50を完全に被覆しないように最小に維持しなければ
ならない。このため、ダイヤモンド粒子50は、鑞づけ
材料90の薄膜またはめっきのみで包まれる。この問題
は、典型的な鑞づけ材料は機械的に弱いという事実によ
り構成されている。この機械的弱さは、分離したダイヤ
モンド粒子50で鑞づけ材料自体が切れるため、ダイヤ
モンド粒子50と鑞づけ材料90との間の化学的接合力
を補う。
The brazing material 90 must be kept to a minimum so that it does not completely cover the diamond particles 50. Thus, the diamond particles 50 are wrapped with only a thin film or plating of the brazing material 90. This problem is constituted by the fact that typical brazing materials are mechanically weak. This mechanical weakness compensates for the chemical bonding force between the diamond particles 50 and the brazing material 90 because the brazing material itself breaks at the separated diamond particles 50.

【0037】鑞づけ材料90についての他の問題は、前
記した電気めっきされたニッケルと同様、前記研磨材ス
ラリーによる化学的浸食を非常に受けやすいことであ
る。この化学的浸食は、鑞づけ材料90を弱くする、ダ
イヤモンド粒子50の分離の原因となる。したがって、
前記化学的スラリーに対する化学的機械的平坦化技術パ
ッド仕上げ用具20の露出を低減するため、前記ワーク
ピースの研磨を一時中止しなければならず、また、パッ
ド仕上げ用具20が適用される前に前記化学的スラリー
が前記パッドから除去され得るものでなければならな
い。研磨工程中のこの一時的中止は最終製品の製造に要
する時間を増大させ、また、このために効率的でない。
Another problem with the brazing material 90, like the electroplated nickel described above, is that it is very susceptible to chemical attack by the abrasive slurry. This chemical erosion causes the diamond particles 50 to separate, weakening the brazing material 90. Therefore,
Polishing of the workpiece must be suspended to reduce the exposure of the chemical mechanical planarization technology pad finishing tool 20 to the chemical slurry, and the pad finishing tool 20 must be suspended before the pad finishing tool 20 is applied. The chemical slurry must be able to be removed from the pad. This suspension during the polishing process increases the time required to manufacture the final product and is therefore inefficient.

【0038】従来の鑞づけの他の障害は、溶融合金の表
面張力が、基板40に塗られるとき、研磨材粒子50を
「密集」させる傾向があることである。この密集化は隙
間110を離れた符号100の箇所に示されている。総
体的な結果はダイヤモンド粒子50の分布が一様でない
ことであり、これは、毛づくろいの効率を悪くする。こ
の非能率は、前記化学的機械的平坦化技術パッドに調整
されずに残る領域を生じさせる隙間110が原因であ
る。
Another obstacle to conventional brazing is that the surface tension of the molten alloy tends to "aggregate" the abrasive particles 50 when applied to the substrate 40. This densification is shown at 100 away from the gap 110. The overall result is that the distribution of diamond particles 50 is not uniform, which makes grooming less efficient. This inefficiency is due to gaps 110 which create areas that remain unadjusted in the chemical mechanical planarization technology pad.

【0039】この不均一な調整は、前記化学的機械的平
坦化技術パッドに他の領域よりも速く摩滅する領域を生
じさせ、その結果、全般的に、摩滅した領域が適切に調
節された領域より非効率的に研磨されるため、前記ワー
クピースは不均一な研磨を受ける。
This non-uniform adjustment causes the chemical mechanical planarization technology pad to wear out faster than other areas, so that generally the worn out area is properly adjusted. The workpiece is subject to uneven polishing due to less efficient polishing.

【0040】密集する研磨材粒子により生じる他の結果
は、鑞づけ材料90に複数の山が形成されることであ
る。山の形成により、いくつかのダイヤモンド粒子が他
の研磨材粒子より高い基板40上方高さに押し上げられ
る。このため、最も高く突出する研磨材粒子が前記化学
的機械的平坦化技術パッドに深くめり込み、これらの研
磨材粒子は、少ないめり込みをする研磨材粒子の毛づく
ろい効果の発揮を妨げる。これは、また、調整の非能率
および不適合をもたらす。
Another consequence of the dense abrasive particles is that the brazing material 90 forms a plurality of peaks. The formation of the peaks pushes some diamond particles to a higher height above the substrate 40 than other abrasive particles. For this reason, the highest projecting abrasive particles are deeply immersed in the chemical mechanical planarization technology pad, and these abrasive particles hinder the exertion of the grooming effect of the abrasive particles that are less entrapped. This also results in inefficiencies and inconsistencies in adjustment.

【0041】前記従来の化学的機械的平坦化技術パッド
仕上げ用具とは著しく異なり、本発明は、前記化学的機
械的平坦化技術パッドの均一な仕上げを可能とする。図
3を参照すると、本発明の原理に従って形成された化学
的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具が示されている。
この化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具は、鑞づ
け材料90で基板部材または基板40に付着または固着
された複数の研磨材粒子180を有する。研磨材粒子1
80は、任意の超硬材料からなる。好ましい材料は、限
定するものではないが、ダイヤモンド、多結晶質ダイヤ
モンド、立方晶窒化硼素および多結晶質の立方晶窒化硼
素である。
Significantly different from the conventional chemical mechanical planarization pad finishing tool, the present invention allows for uniform finishing of the chemical mechanical planarization pad. Referring to FIG. 3, there is shown a chemical mechanical planarization pad finishing tool formed in accordance with the principles of the present invention.
This chemical mechanical planarization technology pad finishing tool has a plurality of abrasive particles 180 adhered or secured to a substrate member or substrate 40 with a brazing material 90. Abrasive particles 1
80 is made of any super-hard material. Preferred materials include, but are not limited to, diamond, polycrystalline diamond, cubic boron nitride, and polycrystalline cubic boron nitride.

【0042】また、図3には錆止め層130が示されて
いる。この錆止め層は、後述する方法によって研磨材粒
子180が基板40に接合された後、前記化学的機械的
平坦化技術パッド仕上げ用具の表面全体に形成される。
錆止め層130は、ダイヤモンドまたはダイヤモンド型
炭素のような他の超硬材料からなる。好ましい実施例で
は、錆止め層130は、非ダイヤモンド炭素のマトリク
ス中に少なくとも約70%のダイヤモンドを含む。錆止
め層130の厚さは任意に定めることができるが、通常
は、0.5から3μmの範囲にある。好ましい実施例で
は、錆止め層130は、約1μmの厚さを有する。この
ような薄い錆止め層130は、物理蒸着(PVD)法により
形成することができる。黒鉛陰極の陰極アークを利用す
るような物理蒸着法がこの技術分野において知られてお
り、また、錆止め層130の形成に用いることができ
る。
FIG. 3 shows the rust prevention layer 130. The rust preventive layer is formed on the entire surface of the chemical mechanical planarization pad finishing tool after the abrasive particles 180 are bonded to the substrate 40 by a method described below.
Rust stop layer 130 is made of other super-hard material such as diamond or diamond-type carbon. In a preferred embodiment, rust inhibitor layer 130 includes at least about 70% diamond in a non-diamond carbon matrix. The thickness of the rust preventive layer 130 can be arbitrarily determined, but is usually in the range of 0.5 to 3 μm. In a preferred embodiment, rust stop layer 130 has a thickness of about 1 μm. Such a thin rust prevention layer 130 can be formed by a physical vapor deposition (PVD) method. Physical vapor deposition methods utilizing the cathodic arc of a graphite cathode are known in the art and can be used to form the rust stop layer 130.

【0043】錆止め層130によって得られる利点は、
前記錆止め層が作用面を効果的に「シール」し、また、
化学的浸食を受けやすい前記化学的機械的平坦化技術パ
ッド仕上げ用具の他の任意の表面をもシールする。シー
ラントとして、錆止め層130は、前記化学的機械的平
坦化技術パッド内に保持された研磨用化学的スラリーに
よる化学的浸食から鑞づけ材料90を保護する。この保
護により、前記化学的機械的平坦化技術パッドがワーク
ピースを研磨中であっても、化学的機械的平坦化技術パ
ッド仕上げ用具30が前記パッドを連続的に仕上げ、従
来の化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具の寿命を
長くするために採られた製造の一時中止をなくすること
ができる。化学的機械的平坦化技術パッドの連続したま
た一様な仕上げは、より大きい製造出力を可能とし、ま
た、化学的機械的平坦化技術パッドの寿命および効率を
高める。
The advantages provided by the rust stop layer 130 are:
The anti-rust layer effectively "seals" the working surface,
Seal any other surface of the chemical mechanical planarization pad finishing tool that is susceptible to chemical erosion. As a sealant, the rust stop layer 130 protects the brazing material 90 from chemical attack by the polishing chemical slurry held in the chemical mechanical planarization technology pad. This protection allows the chemical mechanical planarization pad finishing tool 30 to continuously finish the pad while the chemical mechanical planarization pad is polishing a work piece, thus reducing the conventional chemical mechanical planarization. Planarization techniques can eliminate the suspension of production taken to extend the life of the pad finishing tool. The continuous and uniform finish of the chemical mechanical planarization technology pad allows for greater manufacturing output and also increases the life and efficiency of the chemical mechanical planarization technology pad.

【0044】基板40に研磨材粒子180を接合する方
法は、図4から図6に示されている。先ず、穴150を
有するテンプレート140を鑞づけ合金90上に配置す
る。前記テンプレートの使用は、所望のパターンの穴を
有するテンプレートの設計による研磨材粒子180の配
置規制を可能にする。研磨材粒子配置のためのパターン
は、この技術分野の当業者により、前記化学的機械的平
坦化技術パッド仕上げ用具が使用される条件の特有なニ
ーズに合うように選択することができる。
The method of bonding the abrasive particles 180 to the substrate 40 is shown in FIGS. First, the template 140 having the holes 150 is placed on the brazing alloy 90. The use of the template allows the placement of the abrasive particles 180 to be regulated by designing a template having a desired pattern of holes. The pattern for abrasive particle placement can be selected by those skilled in the art to meet the specific needs of the conditions under which the chemical mechanical planarization pad finishing tool will be used.

【0045】本発明の1つの観点において、前記穴の分
布は、鑞づけ合金90によって接合される研磨材粗粒1
80相互間の所望量の間隔を形成するために定められて
いる穴相互間の間隔を有するグリッド(碁盤目)パター
ン内にある。好ましい実施例では、前記粗粒は、各粗粒
の寸法の約1.5倍から約10倍の距離で一様な間隔を
置かれている。
In one aspect of the invention, the distribution of holes is such that the abrasive grains 1 joined by the brazing alloy 90
80 in a grid pattern with the spacing between the holes defined to form the desired amount of spacing between them. In a preferred embodiment, the grit is uniformly spaced at a distance of about 1.5 to about 10 times the size of each grit.

【0046】テンプレート140を鑞づけ合金シート9
0上に配置した後、穴150に研磨材粒子180を充填
する。穴150は予め定められた寸法を有し、このた
め、1つの研磨材粒子のみが各穴に嵌まる。任意の寸法
の研磨材粒子、すなわち粗粒を受け入れ可能であるが、
本発明の1つの観点においては、粒子の寸法は直径で約
100マイクロメートルから約350マイクロメートル
(約0.1mmから約0.35mm)である。
The template 140 is brazed to the alloy sheet 9
After being placed on the top 0, the holes 150 are filled with abrasive particles 180. The holes 150 have predetermined dimensions, so that only one abrasive particle fits in each hole. Abrasive particles of any size are acceptable, i.e. grit,
In one aspect of the invention, the size of the particles is from about 100 micrometers to about 350 micrometers (about 0.1 mm to about 0.35 mm) in diameter.

【0047】本発明の他の観点において、前記テンプレ
ートの穴の寸法は、寸法が異なるかまたは実質的に一様
な寸法の研磨材粒子のパターンを得るため、注文によ
る。好ましい実施例では、前記テンプレートの穴は、互
いに50マイクロメートル以内の寸法の粗粒のみを選択
するのに十分なものである。粗粒の寸法のこの一様性
は、各研磨材粒子の作業負荷が一様に分配されるよう
に、化学的機械的平坦化技術パッドの毛づくろいの一様
性に寄与する。また、一様な作業負荷は、個々の研磨材
粒子の圧力を低減し、化学的機械的平坦化技術パッド仕
上げ用具30の有効寿命を伸ばす。
In another aspect of the invention, the dimensions of the holes in the template are custom made to obtain a pattern of abrasive particles of different or substantially uniform dimensions. In a preferred embodiment, the holes in the template are sufficient to select only coarse particles having a size within 50 micrometers of each other. This uniformity of grit size contributes to the grooming uniformity of the chemical mechanical planarization technology pad so that the workload of each abrasive particle is evenly distributed. Also, a uniform workload reduces the pressure of individual abrasive particles and increases the useful life of the chemical mechanical planarization technology pad finishing tool 30.

【0048】テンプレートの穴150が全て粗粒180
で満たされた後、過剰な研磨材粒子が取り除かれ、研磨
材粒子18に平坦面160が当てられる。平坦面160
は、これが鑞づけ合金シート90中に研磨材粒子180
を押し込むことができるように、強く、堅い材料でなけ
ればならない。このような材料は、典型的には、限定す
るわけではないが、鋼、鉄、これらの合金等を含む。
The holes 150 of the template are all coarse grains 180
, The excess abrasive particles are removed and a flat surface 160 is applied to the abrasive particles 18. Flat surface 160
Shows that this is the abrasive particles 180 in the brazing alloy sheet 90.
It must be a strong and rigid material so that it can be pressed. Such materials typically include, but are not limited to, steel, iron, alloys thereof, and the like.

【0049】研磨材粒子180は、図6において、鑞づ
け合金シート90中に埋め込まれるように示されてい
る。表面160は平坦であるため、研磨材粒子180は
基板40から一定の距離を伸びる。この距離はテンプレ
ート140の厚さにより定められ、好ましい実施例で
は、各研磨材粒子は50マイクロメートル以内の距離を
伸びる。
The abrasive particles 180 are shown in FIG. 6 as being embedded in the braze alloy sheet 90. Since the surface 160 is flat, the abrasive particles 180 extend a certain distance from the substrate 40. This distance is determined by the thickness of the template 140, and in the preferred embodiment, each abrasive particle extends a distance within 50 micrometers.

【0050】図4−図6に示す研磨材粒子180は丸み
を帯びている。しかし、図3においては、とがってい
る。本発明の範囲には、自形または自然形状の粒子を含
む任意の形状の研磨材粒子が含まれる。しかし、好まし
い実施例では、研磨材粒子180は先鋭点または基板4
0から離れる方向へ伸びるエッジまたは縁を有する。
The abrasive particles 180 shown in FIGS. 4 to 6 are rounded. However, it is pointed in FIG. The scope of the present invention includes abrasive particles of any shape, including self-shaped or natural shaped particles. However, in a preferred embodiment, the abrasive particles 180 have sharp points or substrate 4
It has edges or edges extending away from zero.

【0051】研磨材粒子180を鑞づけ合金シート19
0内に埋め込んだ後、図3に示すように、前記シートを
基板40に接合する。使用される前記鑞づけ合金は、こ
の技術分野において知られている任意の鑞づけ合金でよ
いが、好ましくは、2重量%以上のクロム量を有するニ
ッケル合金である。
Abrasive particles 180 are brazed to alloy sheet 19
After embedding in 0, the sheet is bonded to the substrate 40 as shown in FIG. The brazing alloy used may be any brazing alloy known in the art, but is preferably a nickel alloy having a chromium content of 2% by weight or more.

【0052】研磨材粒子180が鑞づけ合金90に埋め
込まれているため、液体の鑞づけ合金の表面張力は粒子
の密集を生じさせるのに不十分である。加えて、鑞づけ
増肉の程度は小さく、また、「山」は形成されない。む
しろ、前記鑞づけは、各研磨材粒子相互間に凹面を形成
し、これは、意味のある支持およびスラリー排除を提供
する。最後に、好ましい実施例では、鑞づけ合金シート
90の厚さは、鑞づけ材料90の外表面の上方へ突出す
るように各研磨材粒子の約10%から約90%までの間
で選択される。
Because the abrasive particles 180 are embedded in the brazing alloy 90, the surface tension of the liquid brazing alloy is not sufficient to cause a consolidation of the particles. In addition, the degree of brazing is small and no "mountains" are formed. Rather, the brazing creates a concave surface between each abrasive particle, which provides meaningful support and slurry rejection. Finally, in a preferred embodiment, the thickness of the brazing alloy sheet 90 is selected between about 10% and about 90% of each abrasive particle to protrude above the outer surface of the brazing material 90. You.

【0053】鑞づけ合金シート90中に研磨材粒子18
0を埋め込むための方法の結果として、一様なスペース
120が形成される。加えて、研磨材粗粒180は基板
40の上方へ一定の高さまたは距離を伸び、これは、化
学的機械的平坦化技術パッドに適用されるときにこれら
が前記パッドの繊維内を一様な深さまで突出することを
意味する。一様な間隔および一様な突出は、前記化学的
機械的平坦化技術パッドが均一に仕上げられまたは毛づ
くろいされるようにし、また、これは、前記化学的機械
的平坦化技術パッドの研磨効率を増大させ、また、その
耐用年数を伸ばす。
The abrasive particles 18 in the brazing alloy sheet 90
As a result of the method for embedding zeros, a uniform space 120 is formed. In addition, the abrasive grits 180 extend a certain height or distance above the substrate 40 so that when applied to a chemical mechanical planarization technology pad, they are evenly distributed within the fibers of the pad. Protruding to a certain depth. The uniform spacing and uniform protrusions ensure that the chemical mechanical planarization pad is evenly finished or groomed, and that this is the polishing of the chemical mechanical planarization pad. Increase efficiency and extend its useful life.

【0054】本発明のより一層の理解のため、以下にい
くつかの実例を示す。これらの実例は、本発明の範囲を
限定するものでは決してない。
For a better understanding of the invention, some examples are given below. These examples in no way limit the scope of the invention.

【0055】実例 1 2つの化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用ディスク
を次のように製造する。金属粉末および有機結合材の混
合物を平らに伸ばして鑞づけ合金のシートを作る。13
5マイクロメートルおよび225マイクロメートルの平
均サイズを有するゼネラルエレクトリック社製のダイヤ
モンド粗粒MBS970を、テンプレートを用いて、前記鑞づ
け合金シートに埋め込む。使用した前記テンプレート
が、900マイクロメートルのダイヤモンド粗粒間隔を
有するグリッドパターンに前記ダイヤモンド粗粒を形成
した。
EXAMPLE 1 Two chemical mechanical planarization technology pad finishing disks are manufactured as follows. The mixture of metal powder and organic binder is spread flat to make a sheet of brazing alloy. 13
A diamond coarse MBS970 from General Electric having an average size of 5 micrometers and 225 micrometers is embedded in the brazed alloy sheet using a template. The template used formed the diamond grit in a grid pattern having a diamond grit spacing of 900 micrometers.

【0056】前記鑞づけ合金シート中への前記ダイヤモ
ンド粗粒子の配置後、アクリル接着剤を用いて、金属基
板に前記シートを取り付けた。次に、このアセンブリを
真空炉内で1000 ℃にまでして鑞づけした。その結果物
は、約100ミリメートルの直径および約6.5ミリメ
ートルの厚さを有する2つの平らなディスクであった。
After placing the diamond grit in the brazing alloy sheet, the sheet was attached to a metal substrate using an acrylic adhesive. The assembly was then brazed at 1000 ° C. in a vacuum furnace. The result was two flat disks having a diameter of about 100 millimeters and a thickness of about 6.5 millimeters.

【0057】次に、これらのディスクについて、任意の
形状内に5倍以上のダイヤモンド粒子の配置場所を有す
るディスクに対する試験を行った。これらのディスク
を、STRAUSBOUGH機に据え付けられた約71cm(28
インチ)の化学的機械的平坦化技術パッドの仕上げを行
うために使用した。アルカリ性スラリー中の8インチ・
シリコンウエーハを研磨するため、前記パッドを使用し
た。前記試験の結果は下の表 Iに示されている。DG 1
35-900は、900μmの距離で隔てられた135マイク
ロメートルの粒子を有するディスクであり、また、DG 2
25は、900μmの距離で隔てられた225マイクロメ
ートルの粒子を有するディスクである。
Next, with respect to these discs, a test was conducted on discs having an arrangement of diamond particles five times or more in an arbitrary shape. These discs were installed on a STRAUSBOUGH machine approximately 71 cm (28 cm).
Inches) chemical mechanical planarization technology used to finish the pad. 8 inches in alkaline slurry
The pad was used to polish a silicon wafer. The results of the test are shown in Table I below. DG 1
35-900 is a disk with 135 micrometer particles separated by a distance of 900 μm, and DG 2
25 is a disk with 225 micrometer particles separated by a distance of 900 μm.

【0058】[0058]

【表1】 [Table 1]

【0059】見て取れるように、均一な粒子配置を有す
る両ディスクは、ランダムに配置されたダイヤモンドを
有するディスクに比べて非常に性能が優れていた。加え
て、135マイクロメートルの粒子を有するディスク
は、ランダムな粒子のディスクの性能のほぼ2倍であっ
た。
As can be seen, both disks having a uniform grain arrangement performed significantly better than disks having randomly arranged diamonds. In addition, disks with 135 micron particles were nearly twice as powerful as random particle disks.

【0060】実例 2 2つの追加ダイヤモンドディスクを実例1の方法により
製造した。しかし、225マイクロメートルおよび27
5マイクロメートルのダイヤモンドサイズを用いた。加
えて、鑞づけ合金を保護するため、各ディスクを1マイ
クロメートル厚さのダイヤモンド型炭素コーティングで
被覆した。前記ダイヤモンド型炭素フィルムは陰極アー
ク法で堆積させた。
Example 2 Two additional diamond disks were produced by the method of Example 1. However, 225 micrometers and 27
A 5 micron diamond size was used. In addition, each disk was coated with a 1 micrometer thick diamond-type carbon coating to protect the braze alloy. The diamond type carbon film was deposited by a cathodic arc method.

【0061】ついで、8インチのシリコンウエーハを研
磨するための応用材料マシン(Applied material machin
e)(ミラ)に据え付けられた化学的機械的平坦化技術パ
ッドの仕上げを行うことにより、これらのディスクを従
来のダイヤモンドディスクと比較した。前記パッドをp
H3の酸性スラリー中に浸した。前記仕上げは、前記研
磨が行われている間にもとの位置で行った。その結果
は、下の表 2に示されている。DG 275-700は、700
μmの一様な間隔を置かれた、寸法が275マイクロメ
ートルの粗粒を含んでいる。DG 225-700は、700μm
の一様な間隔を置かれた、寸法が225マイクロメート
ルの粗粒を含み、また、ATは、保護コーティングのな
いランダムに分配された粗粒を含む従来のダイヤモンド
ディスクである。
Next, an applied material machine for polishing an 8-inch silicon wafer.
e) These discs were compared to conventional diamond discs by finishing a chemical mechanical planarization technology pad mounted on (Mira). The pad
Dipped in an acidic slurry of H3. The finishing was performed at the original position while the polishing was being performed. The results are shown in Table 2 below. DG 275-700 is 700
It contains coarse particles of 275 micrometers in size, uniformly spaced in μm. 700 μm for DG 225-700
AT is a conventional diamond disc containing 225 micrometer sized grit, and AT containing randomly distributed grit without a protective coating.

【0062】[0062]

【表2】 [Table 2]

【0063】表2から見て取れるように、従来製造のダ
イヤモンドディスクは、研磨されたウエーハの除去率を
維持することができなかった。さらに、研磨スラリーの
酸性雰囲気中で金属接着が残存したのはわずかに1.5
時間であった。その後、ダイヤモンドが落ち、高価なウ
エーハに多数の擦り傷を生じさせ始めた。しかし、本発
明のディスクは、酸中で30時間以上残存した。このよ
うな寿命は、化学的機械的平坦化技術パッドに意味ある
良好な仕上げの結果もたらすことを可能にし、また、全
コストおよびウエーハ製造の歩留まりにおいて、従来技
術を越える意味のある改善をなす。もちろん、前記した
実施例は本発明の原理の適用を説明するのみであること
は理解されよう。
As can be seen from Table 2, conventionally produced diamond disks were unable to maintain the removal rate of polished wafers. Furthermore, only 1.5% of the metal bond remained in the acidic atmosphere of the polishing slurry.
It was time. Later, the diamonds fell and began to cause numerous scratches on the expensive wafer. However, the disks of the present invention remained in the acid for over 30 hours. Such lifetimes can result in significant good finishing of the chemical-mechanical planarization technology pads, and make a significant improvement over the prior art in overall cost and wafer manufacturing yield. Of course, it will be understood that the above-described embodiments only illustrate the application of the principles of the present invention.

【0064】本発明の精神および範囲から逸脱すること
なしにこの技術分野の当業者による多くの変更および代
わりの取り合わせの工夫が可能であり、また、特許請求
の範囲はこのような変更および取り合わせをカバーする
ものである。したがって、本発明について、最も実際的
でありまた好ましい実施例であるとやがて思われること
に関して入念にかつ詳細に説明したが、この技術分野の
当業者には、限定するものではないさまざまな寸法、材
料、形状、形態、機能、操作方法、アセンブリおよび使
用を含む多くの変更が、前記した原理およびコンセプト
から逸脱することなしになされ得ることは明らかであろ
う。
Many modifications and alternative arrangements may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention, and the appended claims are intended to cover such modifications and arrangements. It covers. Thus, while the invention has been elaborated and elaborated on in what is believed to be the most practical and preferred embodiment in the future, those skilled in the art will appreciate that various dimensions, It will be apparent that many changes can be made without departing from the principles and concepts described above, including materials, shapes, forms, functions, methods of operation, assemblies and uses.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ディスク基板にダイヤモンドを接合するための
電気めっき法を採用する従来の化学的機械的平坦化技術
パッド仕上げ用具の側面図である。
FIG. 1 is a side view of a conventional chemical mechanical planarization pad finishing tool employing an electroplating method for bonding diamond to a disk substrate.

【図2】ディスク基板にダイヤモンド粒子を接合するた
めの従来の鑞づけ法を使用して形成された従来の化学的
機械的平坦化技術パッド仕上げ用具の側面図である。
FIG. 2 is a side view of a conventional chemical mechanical planarization technology pad finishing tool formed using a conventional brazing method for bonding diamond particles to a disk substrate.

【図3】本発明の原理に従って形成された化学的機械的
平坦化技術パッド仕上げ用具の側面図である。
FIG. 3 is a side view of a chemical mechanical planarization pad finishing tool formed in accordance with the principles of the present invention.

【図4】本発明の原理に従う、鑞づけ合金シートであっ
てその上に研磨材粒子を配置するためのテンプレートを
有する鑞づけ合金シートの側面図である。
FIG. 4 is a side view of a braze alloy sheet having a template for placing abrasive particles thereon according to the principles of the present invention.

【図5】表面上にテンプレートを有する鑞づけ合金シー
トおよび該テンプレートの穴を満たす研磨材粒子の側面
図である。本発明の原理に従って前記鑞づけ合金シート
に研磨材粒子を押し付ける際に用いられる平坦面が示さ
れている。
FIG. 5 is a side view of a braze alloy sheet having a template on a surface and abrasive particles filling the holes of the template. A flat surface used in pressing abrasive particles onto the brazing alloy sheet in accordance with the principles of the present invention is shown.

【図6】本発明に係る発明の原理に従う、押し付けられ
た研磨材粒子を有する鑞づけ合金シートの側面図であ
る。
FIG. 6 is a side view of a braze alloy sheet having pressed abrasive particles in accordance with the principles of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 化学的機械的平坦化技術パッド仕上げ用具 40 基板 90 鑞づけ材料 130 錆止め層 140 テンプレート 150 テンプレートの穴 160 平坦面 180 研磨材粒子 Reference Signs List 30 chemical mechanical planarization technology pad finishing tool 40 substrate 90 brazing material 130 rust-proof layer 140 template 150 template hole 160 flat surface 180 abrasive particles

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B24D 3/06 B24D 3/06 C B C09K 3/14 550 C09K 3/14 550F 550D H01L 21/304 622 H01L 21/304 622F Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) B24D 3/06 B24D 3/06 CB C09K 3/14 550 C09K 3/14 550F 550D H01L 21/304 622 H01L 21/304 622F

Claims (48)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】望まれる寸法範囲内の寸法を有する複数の
研磨材粒子を含み、前記研磨材粒子が一様な間隔をおい
て配置されかつ基板部材の上方に予め定められた高さま
で一様に伸びるように前記基板部材に付着されている、
化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
1. A method, comprising: a plurality of abrasive particles having dimensions within a desired size range, wherein the abrasive particles are uniformly spaced and uniform to a predetermined height above a substrate member. Attached to the substrate member so as to extend,
Chemical mechanical polishing pad finishing tool.
【請求項2】前記研磨材粒子は、ダイヤモンドまたは立
方晶窒化硼素の結晶質粒子であり、単結晶または多結晶
質形態にある、請求項1に記載の化学的機械的研磨パッ
ド仕上げ用具。
2. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1, wherein said abrasive particles are crystalline particles of diamond or cubic boron nitride and are in a single crystal or polycrystalline form.
【請求項3】前記寸法範囲は、50から250マイクロ
メートルの間である、請求項1に記載の化学的機械的研
磨パッド仕上げ用具。
3. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1, wherein said dimensional range is between 50 and 250 micrometers.
【請求項4】前記研磨材粒子は、全ての研磨材粒子が互
いに10%の以内の寸法を有するように、実質的に寸法
が一様である、請求項1に記載の化学的機械的研磨パッ
ド仕上げ用具。
4. The chemical mechanical polishing of claim 1 wherein said abrasive particles are substantially uniform in size such that all abrasive particles have a size within 10% of each other. Pad finishing tool.
【請求項5】前記複数の一様な間隔を置かれた研磨材粒
子が、任意の2つの研磨材粒子間に予め定められた距離
が維持されるように、予め定められたパターンに従って
分配されている、請求項1に記載の化学的機械的研磨パ
ッド仕上げ用具。
5. A plurality of uniformly spaced abrasive particles are distributed according to a predetermined pattern such that a predetermined distance between any two abrasive particles is maintained. The chemical-mechanical polishing pad finishing tool of claim 1, wherein the polishing pad finishes.
【請求項6】前記予め定められた各粒子間の距離が、前
記粒子の平均寸法の約1.5から10倍である、請求項
5に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
6. A chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 5, wherein the predetermined distance between each of the particles is about 1.5 to 10 times the average size of the particles.
【請求項7】前記予め定められたパターンはグリッドで
ある、請求項5に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ
用具。
7. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 5, wherein said predetermined pattern is a grid.
【請求項8】前記予め定められた基板上方の高さは、全
ての研磨材粒子50マイクロメートル以内を伸びる一様
な高さである、請求項1に記載の化学的機械的研磨パッ
ド仕上げ用具。
8. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1, wherein the predetermined height above the substrate is a uniform height extending within 50 micrometers of all abrasive particles. .
【請求項9】前記予め定められた基板上方の高さは、平
均70μm以上である、請求項1に記載の化学的機械的
研磨パッド仕上げ用具。
9. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1, wherein the predetermined height above the substrate is not less than 70 μm on average.
【請求項10】前記研磨材粒子は自形の結晶形状を有す
る、請求項1に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用
具。
10. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1, wherein said abrasive particles have a self-shaped crystal shape.
【請求項11】前記研磨材粒子は予め定められた形状を
有する、請求項1に記載の化学的機械的研磨パッド仕上
げ用具。
11. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1, wherein the abrasive particles have a predetermined shape.
【請求項12】前記研磨材粒子は前記基板から離れる方
向に向けられた先鋭点またはエッジを有する、請求項1
に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
12. The abrasive particles having sharp points or edges directed away from the substrate.
6. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1.
【請求項13】前記基板は金属材料からなる、請求項1
に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
13. The substrate according to claim 1, wherein said substrate is made of a metal material.
6. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to 4.
【請求項14】前記金属材料はステンレス鋼である、請
求項12に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
14. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 12, wherein said metallic material is stainless steel.
【請求項15】前記研磨材粒子は鑞づけ合金により前記
基板に付着されている、請求項1に記載の化学的機械的
研磨パッド仕上げ用具。
15. The chemical mechanical polishing pad finishing tool of claim 1, wherein said abrasive particles are attached to said substrate by a brazing alloy.
【請求項16】前記鑞づけ合金は、さらに、少なくとも
約1重量%の量のクロムを有するニッケル合金を含む、
請求項14に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用
具。
16. The brazing alloy further comprises a nickel alloy having chromium in an amount of at least about 1% by weight.
The chemical mechanical polishing pad finishing tool of claim 14.
【請求項17】前記鑞づけ合金は、各研磨材粒子がその
約10−90%の間で露出するように、予め定められた
厚さで前記基板の表面上にある、請求項14に記載の化
学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
17. The brazing alloy according to claim 14, wherein the brazing alloy is on the surface of the substrate at a predetermined thickness such that each abrasive particle is exposed between about 10-90% thereof. A chemical mechanical polishing pad finishing tool.
【請求項18】錆止め層で被覆されている、化学的機械
的研磨パッド仕上げ用具。
18. A chemical mechanical polishing pad finishing tool coated with a rust inhibitor layer.
【請求項19】研磨材粒子層が、電気めっきされたニッ
ケルにより基板に接合されている、請求項18に記載の
化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
19. The chemical-mechanical polishing pad finishing tool of claim 18, wherein the abrasive particle layer is bonded to the substrate by electroplated nickel.
【請求項20】前記錆止め層はダイヤモンド型炭素を含
む、請求項18に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ
用具。
20. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 18, wherein said rust stop layer comprises diamond-type carbon.
【請求項21】前記ダイヤモンド型炭素は、ダイヤモン
ド接合中に少なくとも70%含まれている、請求項18
に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
21. The diamond-type carbon according to claim 18, wherein at least 70% is contained in the diamond joint.
6. The chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1.
【請求項22】前記錆止め層は、約3マイクロメートル
以下の厚さを有する、請求項18に記載の化学的機械的
研磨パッド仕上げ用具。
22. The chemical-mechanical polishing pad finishing tool of claim 18, wherein said rust stop layer has a thickness of about 3 micrometers or less.
【請求項23】前記ダイヤモンド型炭素は、少なくとも
約95%の原子状炭素分を有する、請求項18に記載の
化学的機械的研磨パッド仕上げ用具。
23. The chemical mechanical polishing pad finishing tool of claim 18, wherein said diamond-type carbon has an atomic carbon content of at least about 95%.
【請求項24】a)基板部材を準備すること、 b)前記基板部材の表面上に複数の研磨材粒子を一様な
間隔をおいて配置すること、 c)各研磨材粒子が前記基板部材の上方の予め定められ
た高さまで伸びるように、前記研磨材粒子を前記基板部
材に付着させることを含む、化学的機械的研磨パッド仕
上げ用具の製造方法。
24) a) providing a substrate member; b) disposing a plurality of abrasive particles at uniform intervals on a surface of the substrate member; c) providing each abrasive particle with the substrate member. A method of manufacturing a chemical mechanical polishing pad finishing tool, comprising: attaching the abrasive particles to the substrate member such that the abrasive particles extend to a predetermined height above.
【請求項25】前記研磨材粒子は、ダイヤモンドまたは
立方晶窒化硼素の結晶質粒子であり、単結晶または多結
晶質形態にある、請求項24に記載の化学的機械的研磨
パッド仕上げ用具の製造方法。
25. The method of claim 24, wherein the abrasive particles are diamond or cubic boron nitride crystalline particles and are in a single crystal or polycrystalline form. Method.
【請求項26】前記ステップa)およびc)は、さら
に、 a)複数の穴の予め定められたパターンを有するテンプ
レートを、前記研磨材粒子が前記穴の位置によって規制
されるように、鑞づけ合金シート上に配置すること、 b)前記テンプレートの穴を研磨材粒子で満たすこと、 c)前記テンプレートの穴内にない研磨材粒子を除去す
ること、 d)前記研磨材粒子が前記鑞づけ合金内に部分的に埋め
込まれ始めるように、前記穴に収容されている前記研磨
材粒子を前記鑞づけ合金シートに押し付けること、 e)前記研磨材粒子が前記鑞づけ合金シート上の原位置
に残るように、前記テンプレートを取り去ること、 f)前記研磨材粒子を含む前記鑞づけ合金シートを基板
に取り付けること、および、 g)得られた産物を真空炉内で鑞づけすることを含む、
請求項24に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具
の製造方法。
26. The steps a) and c) further include: a) brazing a template having a predetermined pattern of a plurality of holes such that the abrasive particles are regulated by the location of the holes. Placing on a sheet of alloy; b) filling the holes of the template with abrasive particles; c) removing abrasive particles that are not in the holes of the template; d) removing the abrasive particles from within the brazing alloy. Pressing the abrasive particles contained in the holes against the brazing alloy sheet so as to begin to be partially embedded in the brazing alloy sheet; e) so that the abrasive particles remain in situ on the brazing alloy sheet; Removing the template; f) attaching the brazing alloy sheet containing the abrasive particles to a substrate; and g) brazing the resulting product in a vacuum furnace. Including
A method for manufacturing a chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 24.
【請求項27】前記穴は、1つの研磨材粒子のみを収容
するのに十分な寸法を有する、請求項26に記載の化学
的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
27. The method of claim 26, wherein the holes have dimensions sufficient to accommodate only one abrasive particle.
【請求項28】前記穴は、予め定められた範囲の研磨材
粒子を収容するように選択された、予め定められた寸法
を有する、請求項27に記載の化学的機械的研磨パッド
仕上げ用具の製造方法。
28. The chemical mechanical polishing pad finishing tool of claim 27, wherein said holes have predetermined dimensions selected to accommodate a predetermined range of abrasive particles. Production method.
【請求項29】各研磨材粒子は、約50から250マイ
クロメートルの範囲内の平均寸法を有する、請求項24
に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方
法。
29. Each abrasive particle has an average size in the range of about 50 to 250 micrometers.
The method for producing a chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1.
【請求項30】前記研磨材粒子は、全ての研磨材粒子が
互いに10%の寸法を有するように、実質的に寸法が一
様である、請求項24に記載の化学的機械的研磨パッド
仕上げ用具の製造方法。
30. The chemical mechanical polishing pad finish of claim 24, wherein said abrasive particles are substantially uniform in size such that all abrasive particles have a size of 10% of each other. Tool manufacturing method.
【請求項31】前記予め定められたパターンの穴は、任
意の2つの粒子間に予め定められた距離を生じさせるに
十分であるように間隔を置かれている、請求項26に記
載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
31. The chemistry of claim 26, wherein said predetermined pattern of holes is spaced enough to create a predetermined distance between any two particles. For producing mechanical and mechanical polishing pad finishing tools.
【請求項32】各粒子間の前記予め定められた距離は、
前記粒子の寸法の1.5から10倍である、請求項31
に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方
法。
32. The predetermined distance between each particle is:
32. The particle is 1.5 to 10 times the size of the particle.
The method for producing a chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 1.
【請求項33】前記穴の予め定められたパターンはグリ
ッドである、請求項26に記載の化学的機械的研磨パッ
ド仕上げ用具の製造方法。
33. The method of claim 26, wherein the predetermined pattern of holes is a grid.
【請求項34】前記基板部材からの予め定められた高さ
は、全ての研磨材粒子が50マイクロメートル以内を伸
びる一様な高さである、請求項24に記載の化学的機械
的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
34. The chemical mechanical polishing pad of claim 24, wherein the predetermined height from the substrate member is a uniform height where all abrasive particles extend within 50 micrometers. Manufacturing method of finishing tools.
【請求項35】前記研磨材粒子は自形の形状を有する、
請求項24に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具
の製造方法。
35. The abrasive particles have a self-shaped shape,
A method for manufacturing a chemical mechanical polishing pad finishing tool according to claim 24.
【請求項36】前記研磨材粒子は予め定められた形状を
有する、請求項24に記載の化学的機械的研磨パッド仕
上げ用具の製造方法。
36. The method of claim 24, wherein the abrasive particles have a predetermined shape.
【請求項37】前記研磨材粒子は前記基板の表面から離
れる方向に向けられた先鋭点またはエッジを有する、請
求項24に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の
製造方法。
37. The method of claim 24, wherein the abrasive particles have sharp points or edges directed away from the surface of the substrate.
【請求項38】前記研磨材粒子は金属材料で形成されて
いる、請求項24に記載の化学的機械的研磨パッド仕上
げ用具の製造方法。
38. The method according to claim 24, wherein the abrasive particles are formed of a metal material.
【請求項39】前記金属材料はステンレス鋼である、請
求項38に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の
製造方法。
39. The method according to claim 38, wherein said metal material is stainless steel.
【請求項40】前記鑞づけ合金シートは、鑞づけ合金粒
子を有機結合材で接合し、前記接合された粒子を所望の
厚さのシートに形成することにより製造する、請求項2
6に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方
法。
40. The brazing alloy sheet is manufactured by joining brazing alloy particles with an organic binder and forming the joined particles into a sheet of a desired thickness.
7. The method for producing a chemical mechanical polishing pad finishing tool according to 6.
【請求項41】前記鑞づけ合金粒子をシートに形成する
ステップは、圧延、押し出し加工またはテープ鋳造によ
り行う、請求項40に記載の化学的機械的研磨パッド仕
上げ用具の製造方法。
41. The method of claim 40, wherein the step of forming the brazing alloy particles into a sheet is performed by rolling, extruding or tape casting.
【請求項42】前記鑞づけ合金は、少なくとも約1重量
%の量のクロムを有するニッケル合金を含む、請求項2
6に記載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方
法。
42. The brazing alloy comprises a nickel alloy having chromium in an amount of at least about 1% by weight.
7. The method for producing a chemical mechanical polishing pad finishing tool according to 6.
【請求項43】前記鑞づけ合金シートは、前記鑞づけ合
金の上方に各研磨材粒子の約10−90%が露出し得る
に十分な鑞づけ厚さを有する、請求項26に記載の化学
的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
43. The chemistry of claim 26, wherein said brazing alloy sheet has a brazing thickness sufficient to expose about 10-90% of each abrasive particle above said brazing alloy. For producing mechanical and mechanical polishing pad finishing tools.
【請求項44】さらに、前記研磨材粒子と前記鑞づけ合
金とを錆止め層で被覆することを含む、請求項24に記
載の化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
44. The method according to claim 24, further comprising coating the abrasive particles and the brazing alloy with a rust inhibitor layer.
【請求項45】前記錆止め層は、ダイヤモンドまたはダ
イヤモンド型炭素を含む、請求項44に記載の化学的機
械的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
45. The method according to claim 44, wherein the rust preventive layer includes diamond or diamond-type carbon.
【請求項46】前記錆止め層は、約3マイクロメートル
以下の厚さを有する、請求項44に記載の化学的機械的
研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
46. The method of claim 44, wherein the rust stop layer has a thickness of about 3 micrometers or less.
【請求項47】前記ダイヤモンド型炭素は、少なくとも
約90%の原子状炭素量を有する、請求項44に記載の
化学的機械的研磨パッド仕上げ用具の製造方法。
47. The method of claim 44, wherein the diamond-type carbon has an atomic carbon content of at least about 90%.
【請求項48】前記被覆工程は、陰極アーク法を用いて
行う、請求項47に記載の化学的機械的研磨パッド仕上
げ用具の製造方法。
48. The method according to claim 47, wherein said coating step is performed by using a cathodic arc method.
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