JP2001102759A

JP2001102759A - 多層配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2001102759A
Application number: JP28163099A
Authority: JP
Inventors: Shozo Kinoshita; 昌三木下; Yoichi Yokota; 洋一横田; Kazuki Kobayashi; 和貴小林
Original assignee: Asahi Kasei Corp; Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Asahi Kasei Corp; Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1999-10-01
Filing date: 1999-10-01
Publication date: 2001-04-13

Abstract

(57)【要約】【課題】微細配線化しても信頼性が高く、高速信号用
配線が可能な、生産性の高い逐次多層配線板の製造法を
提供する。【解決手段】接続バイアを形成して層間接続を行う多
層配線板の製造方法において、（ａ）変性ポリフェニレ
ンエーテル、（ｂ）トリアリルイソシアヌレート、
（ｃ）水添ブロック共重合体、及び（ｄ）最大粒径が７
μm 以下の球状シリカからなり、かつ（ａ）成分と
（ｂ）成分の和１００重量部を基準として、（ａ）成分
を４０〜９８重量部、（ｂ）成分を６０〜２重量部、
（ｃ）成分を１〜１５重量部、（ｄ）成分を５０〜１２
０重量部含有する熱硬化性ポリフェニレンエーテル系樹
脂組成物の膜が金属箔の表面に形成された樹脂付金属箔
を用いる多層配線板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微細配線加工の要
求される半導体パッケージ用基板等に適した、逐次多層
配線板用樹脂付金属箔をコア基板に積層した後に接続バ
イアを形成する多層配線板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化、高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、耐吸水性および高周波領域での電気特性
が要求されつつある。半導体パッケージ用基板産業の分
野でも、めっきスルーホール工法よりも高密度な配線を
形成しうる積層工法の確立が急務とされているが、高速
ディジタル回路および高周波アナログ回路に用いること
ができる適切な多層配線板用樹脂付金属箔がなかった。
例えば、熱硬化性の樹脂膜を有する樹脂付金属箔として
は、従来のエポキシ樹脂を用いたものがあるが、エポキ
シ樹脂は電気特性、特に高周波領域での電気特性が悪
い、耐熱性や耐吸水性が低く、例えば、高温高湿下にお
ける絶縁抵抗の保持性が悪いという欠点があった。さら
に、積層時の樹脂の平坦性および寸法安定性が十分でな
く、配線密度を上げることができない欠点があった。

【０００３】また、熱硬化性ポリフェニレンエーテル系
樹脂は、電気特性、特に高周波領域での電気特性に優
れ、耐熱性、耐吸水性が高いが、熱膨張係数がポリイミ
ド樹脂などに比べて大きいために、寸法安定性の点で不
十分な場合があった。そこで、この寸法安定性の改善に
シリカを配合することがおこなわれている。しかしなが
ら、シリカの配合は、レーザーによる穴開けに際しての
穴形状の不良およびその後のメッキでの接続不良に起因
する、接続の信頼性の悪化や、生産性の悪化の新たな問
題が出てきている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の事情
に鑑みてなされたものであり、微細配線化しても信頼性
が高く、高速信号用配線が可能な、生産性の高い逐次多
層配線板の製造方法を提供しようとするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述のよ
うな課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、熱硬化
性ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物の膜が金属箔の
表面に形成された樹脂付金属箔をコア基板に積層した
後、レーザーによる穴開け工程、めっき工程により層間
の接続バイアを形成する多層配線板の製造方法におい
て、樹脂付金属箔製造に用いる熱硬化性ポリフェニレン
エーテル系樹脂組成物の組成比とシリカの形状および最
大粒径とを特定することにより、本発明の課題を解決で
きることを見出し、本発明に至った。

【０００６】すなわち、本発明は、樹脂付金属箔を、基
板の導体層が形成された面に積層した後、該樹脂付金属
箔の所要の部位に上記導体層が底面に露出する開口部を
レーザー加工により形成し、該開口部にめっきを施して
層間の接続バイアを形成する多層配線板の製造方法にお
いて、上記樹脂付金属箔が、（ａ）ポリフェニレンエー
テルを不飽和カルボン酸または酸無水物と反応させるこ
とによって得られた変性ポリフェニレンエーテル、
（ｂ）トリアリルイソシアヌレート、（ｃ）少なくとも
１個のビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブロック
Аおよび少なくとも１個の共役ジエン化合物を主体とす
る重合体ブロックＢとからなるブロック共重合体を水素
添加して得られる水添ブロック共重合体、及び（ｄ）最
大粒径が７μm 以下の球状シリカからなり、かつ（ａ）
成分と（ｂ）成分の和１００重量部を基準として、
（ａ）成分を４０〜９８重量部、（ｂ）成分を６０〜２
重量部、（ｃ）成分を１〜１５重量部、（ｄ）成分を５
０〜１２０重量部含有する熱硬化性ポリフェニレンエー
テル系樹脂組成物の膜が金属箔の表面に形成された樹脂
付金属箔であることを特徴とする多層配線板の製造方
法、である。

【０００７】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
に用いられる変性ポリフェニレンエーテルは、ポリフェ
ニレンエーテルを不飽和カルボン酸または酸無水物と反
応させることによって製造されるものである。本発明に
用いられるポリフェニレンエーテルは、下記化１に示さ
れる式で表される。

【０００８】

【化１】

【０００９】一般式ＡにおけるＲ₁〜Ｒ₄の低級アルキ
ル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が
挙げられる。アリール基の例としてはフェニル基等が挙
げられる。ハロゲン原子の例としては臭素、塩素等が挙
げられる。化１のＱの代表的な例としては下記化２に示
される一般式で表される化合物群が挙げられる。

【００１０】

【化２】

【００１１】具体例として、下記化３〜化４等が挙げら
れる。

【化３】

【００１２】

【化４】前記化１の一般式中のＪで表わされるポリフェニレンエ
ーテル鎖中には、一般式Ａで表される単位の他、下記化
５に示される一般式で表される単位が含まれていてもよ
い。

【００１３】

【化５】

【００１４】本発明に用いられる前記化１に示される一
般式のポリフェニレンエーテル樹脂の好ましい例として
は、２，６−ジメチルフェノールの単独重合で得られる
ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテ
ル）、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエ
ーテル）のスチレングラフト共重合体、２，６−ジメチ
ルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールの共
重合体、２，６−ジメチルフェノールと２，６−ジメチ
ル−３−フェニルフェノールの共重合体、２，６−ジメ
チルフェノールを下記化６に示される多官能性フェノー
ル化合物の存在下で重合して得られた多官能性ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、例えば、特開昭６３−３０１２２
２号、特開平１−２９７４２８号に開示されているよう
な一般式ＡおよびＢの単位を含む共重合体等が挙げられ
る。

【００１５】

【化６】（式中、ＱおよびＨは前記化１におけると同様であ
る。）以上述べたポリフェニレンエーテル樹脂の分子量につい
ては、３０℃、０．５ｇ／ｄｌのクロロホルム溶液で測
定した粘度数ηｓｐ／Ｃが０．１〜１．０の範囲にある
ものが良好に使用できる。本発明の変性ポリフェニレン
エーテルの製造に用いられる好ましい不飽和カルボン酸
および酸無水物の例としては、アクリル酸、メタクリル
酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタ
コン酸、無水グルタコン酸、無水シトラコン酸等が挙げ
られる。特に無水マレイン酸、フマル酸が最も良好に使
用できる。

【００１６】反応は、ポリフェニレンエーテルと不飽和
カルボン酸または酸無水物とを１００〜３９０℃の温度
範囲で加熱することによって行われる。この際ラジカル
開始剤を共存させてもよい。溶液法と溶融混合法の両方
が使用できるが、押出し機等を用いる溶融混合法の方が
簡便に行うことができ、本発明の目的に適している。不
飽和カルボン酸または酸無水物の使用割合は、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂１００重量部に対し、０．０１〜
５．０重量部、好ましくは０．１〜３．０重量部であ
る。本発明に用いられるトリアリルイソシアヌレートと
は、次の構造式で表される３官能性モノマーである。

【００１７】

【化７】本発明において、トリアリルイソシアヌレートは、可塑
剤ならびに架橋剤としての効果を発揮する。本発明の成
分（ｃ）として用いられる水添ブロック共重合体は、少
なくとも１個のビニルのビニル芳香族化合物を主体とす
る重合体ブロックＡと少なくとも１個の共役ジエン化合
物を主体とする重合体ブロックＢとからなるブロック共
重合体を水素添加して得られるものであり、例えば、下
記化８に示すブロック構造等を有するビニル芳香族化合
物―共役ジエン化合物ブロック共重合体の水素添加され
たものである。

【００１８】

【化８】この水添ブロック共重合体は、ビニル芳香族化合物を５
〜８５重量％、好ましくは、１０〜７０重量％含むもの
である。さらにブロック構造について言及すると、水素
添加後の重合体ブロックＡが、ビニル芳香族化合物のみ
からなる重合体ブロック、またはビニル芳香族化合物を
５０重量％を越え、好ましくは７０重量％以上含有する
ビニル芳香族化合物と水素添加された共役ジエン化合物
との共重合体ブロックの構造を有しており、そしてさら
に、水素添加後の重合体ブロックＢが、水素添加された
共役ジエン化合物のみからなる重合体ブロック、または
水素添加された共役ジエン化合物を５０重量％を越え、
好ましくは７０重量％以上含有する水素添加された共役
ジエン化合物とビニル芳香族化合物との共重合体ブロッ
クの構造を有するものである。

【００１９】また、これらのビニル芳香族化合物を主体
とする、水素添加後の重合体ブロックＡ、水素添加され
た共役ジエン化合物を主体とする、水素添加後の重合体
ブロックＢは、それぞれの重合体ブロックにおける分子
鎖中の水素添加された共役ジエン化合物またはビニル芳
香族化合物の分布が、ランダム、テーパード（分子鎖に
沿ってモノマー成分が増加または減少するもの）、一部
ブロック状またはこれらの任意の組み合わせでなってい
てもよく、該ビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブ
ロックおよび該水素添加された共役ジエン化合物を主体
とする重合体ブロックがそれぞれ２個以上ある場合は、
各重合体ブロックはそれぞれが同一構造であっても、異
なる構造であってもよい。

【００２０】水添ブロック共重合体を構成するビニル芳
香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチ
レン、ｐ−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−第三
ブチルスチレン等のうちから１種または２種以上が選択
でき、中でもスチレンが好ましい。また、水素添加され
た共役ジエン化合物を構成する水素添加する前の共役ジ
エン化合物としては、例えば、ブタジエン、イソプレ
ン、１，３−ペンタジエン、１，３−ジメチル−１，３
−ブタジエン等のうちから１種または２種以上が選ば
れ、中でもブタジエン、イソプレンおよびこれらの組み
合わせが好ましい。

【００２１】また、上記の構造を有する本発明に供する
水添ブロック共重合体の数平均分子量は特に限定されな
いが、数平均分子量は５０００〜１００００００、好ま
しくは１００００〜５０００００、さらに好ましくは３
００００〜３０００００の範囲である。さらに水添ブロ
ック共重合体の分子構造は、直鎖状、分岐状、放射状あ
るいはこれらの任意の組み合わせのいずれであってもよ
い。

【００２２】これらのブロック共重合体の製造法として
は上記した構造を有するものであればどのような製造法
であってもかまわない。例えば、特公昭４０−２３７９
８号公報に記載された方法により、リチウム触媒等を用
いて不活性溶媒中でビニル芳香族化合物−共役ジエン化
合物ブロック共重合体を合成し、次いで、例えば、特公
昭４２−８７０４号公報、特公昭４３−６６３６号公報
に記載された方法、特に好ましくは特公昭５９−１３３
２０３号公報および特公昭６０−７９００５号公報に記
載された方法により、不活性溶媒中で水素添加触媒の存
在下に水素添加し、本発明に供する水添ブロック共重合
体を合成することができる。その際、ビニル芳香族化合
物−共役ジエン化合物ブロック共重合体の共役ジエン化
合物に基く脂肪族二重結合は少なくとも８０重量％を水
素添加せしめ、共役ジエン化合物を主体とする共重合体
ブロックＢを形態的にオレフィン性化合物重合体ブロッ
クに変換させることができる。また、ビニル芳香族化合
物を主体とする重合体ブロックΑおよび必要に応じて、
共役ジエン化合物を主体とする重合体ブロックＢに共重
合されているビニル芳香族化合物に基く芳香族二重結合
の水素添加率については特に限定しないが、水素添加率
を２０重量％以下にするのが好ましい。本発明の（ｄ）
成分として用いられるシリカとは、化学的には二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ₂）である。以下一般に用いられている通
称シリカを用いる。本発明において（ｄ）成分のシリカ
は、形状が球状で、最大粒径が７μm 以下であることが
必要である。好ましくは、球状で最大粒径が５μm 以下
である。

【００２３】本発明のポリフェニレンエーテル系樹脂組
成物の（ｄ）成分のシリカは、硬化後の樹脂組成物の寸
法安定性の向上に寄与するという特徴を有し、また球状
で最大粒径が７μm 以下のシリカを用いることにより、
レーザーによる穴開け時の穴形状が良好で、穴開け後の
接続バイア部のめっきに起因する接続信頼性、生産性を
高めることができる。

【００２４】以上説明した（ａ）〜（ｄ）の４つの成分
のうち（ａ）成分と（ｂ）成分の配合割合は、両者の和
１００重量部を基準として（ａ）成分が４０〜９８重量
部、（ｂ）成分が６０〜２重量部であり、より好ましく
は（ａ）成分が５０〜９５重量部、（ｂ）成分が５０〜
５重量部の範囲である。（ｂ）成分が２重量部未満では
耐薬品性の改善が不十分であり好ましくない。６０重量
部を越えると誘電特性、吸水特性が低下し、硬化後にお
いて非常に脆い材料になるので好ましくない。（ｃ）成
分の配合割合は、（ａ）成分と（ｂ）成分の和１００重
量部を基準として１〜１５重量部、好ましくは１〜１０
重量部である。１重量部未満であると硬化物の強靱性の
改善が不十分である。また、１５重量部を越えると、溶
融成形時の樹脂の流動性が低下するので好ましくない。

【００２５】本発明の組成物に用いられる（ｄ）成分の
配合割合は、（ａ）成分と（ｂ）成分の和１００重量部
を基準として５０〜１２０重量部、好ましくは９０〜１
１０重量部である。本発明の硬化性樹脂組成物の膜は、
後述するように加熱等の手段により架橋反応を起こして
硬化するが、その際の反応温度を低くしたり不飽和基の
架橋反応を促進する目的でラジカル開始剤を含有させて
使用してもよい。本発明の樹脂組成物に用いられるでラ
ジカル開始剤の量は、（ａ）成分と（ｂ）成分の和１０
０重量部を基準として０．１〜１０重量部、好ましくは
０．１〜８重量部である。

【００２６】ラジカル開始剤の代表的な例を挙げると、
ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサ
イド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５ジハイドロロ
パーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−
ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジ−ｔ−ブチルパー
オキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、α,α
−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロピル）ベ
ンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパ
ーオキシ）ヘキサン、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ
−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ−ブチルパーオ
キシベンゾエート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ブタン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オ
クタン、２，５−ジメチル−２，５−２，５−ジ（ベン
ゾイルパーオキシ）ヘキサン、ジ（トリメチルシリル）
パーオキサイド、トリメチルシリルトリフェニルシリル
パーオキサイド等の過酸化物があるが、これらに限定さ
れない。

【００２７】本発明の樹脂組成物は、その用途に応じて
所望の性能を付与させる目的で本来の性能を損なわない
範囲の量の充填材や添加剤を配合して用いることができ
る。充填材は繊維状であっても粉末状であってもよく、
カーボンブラック、アルミナ、タルク、雲母、ガラスビ
ーズ、ガラス中空球等が挙げることができる。添加剤と
しては、酸化防止剤、熱安定剤、帯電防止剤、可塑剤、
顔料、染料、着色剤等が挙げられる。また難燃性の一層
の向上を図る目的で塩素系、臭素系、リン系の難燃剤
や、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＮｂＳｂＯ₃・１／４Ｈ₂Ｏ等の難燃
助剤を併用できる。

【００２８】次に、本発明の熱硬化性ポリフェニレンエ
ーテル系樹脂組成物の膜が金属箔の表面に形成された樹
脂付金属箔の製造法についてのべる。熱硬化性ポリフェ
ニレンエーテル系樹脂組成物膜を形成する方法として
は、どのような手段によってもよいが、好ましい方法と
しては例えば、該樹脂組成物を溶剤に溶解もしくは分散
させたワニスを塗布、乾燥させる方法が挙げられる。熱
硬化性ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物のワニスの
調製に用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レンなどの芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、クロロ
ホルム、トリクロロエチレンなどのハロゲン系溶剤、さ
らにはＴＨＦ等が挙げられるが、これらは単体もしくは
混合して使用できる。熱硬化性ポリフェニレンエーテル
系樹脂組成物と溶剤とからなるワニスを塗布する方法と
しては、エアードコータ、ブレードコータ、ロッドコー
タ、ナイフコータ、グラビアコータ、リバースコータ、
キャストコータなどの装置を用いる方法が挙げられる。
塗布膜を乾燥する方法としては、熱風乾燥、ロール加熱
乾燥、赤外線乾燥、遠赤外線乾燥等の装置を用いる方法
が挙げられ、実施にあたってはこれらの装置が単独で、
あるいは２種以上を組み合わせて用いられてもよい。

【００２９】本発明中の金属箔としてはどのようなもの
も用いることができるが、例えば銅箔、アルミ箔、錫
箔、金箔などが挙げられる。容易に入手できかつ容易に
エッチングできることから銅箔、アルミ箔が好ましく、
銅箔は最も好ましい。金属箔の厚みは特に限定されない
が、扱い易さの点から５００μｍ以下が好ましく、２０
０μｍ以下がより好ましく、１２μｍ以上で１０５μｍ
以下が最も好ましい。金属箔の熱硬化性樹脂の膜が形成
される側の面は該樹脂との密着性を強めるため粗面化お
よび／またはカップリング処理されていてもよい。配線
板製造用として製造販売されている粗化処理電解銅箔は
本発明の多層配線板用樹脂付銅箔の製造にそのまま用い
ることができる。金属箔は本発明の多層配線板の導体と
して主に使用されるが、放熱を目的として使用されるこ
ともある。金属箔はそれらの目的に応じても選ばれる。

【００３０】熱硬化性樹脂組成物膜の厚さは特に限定さ
れないが、１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がよ
り好ましく、３０μｍ以上７０μｍ以下が最も好まし
い。極端に膜厚が小さいと積層ビルドアップ工法を行う
ことが困難になる。以下に本発明の多層配線板の製造方
法を樹脂付銅箔を用いて説明する。本発明の多層配線板
において、コア基板表面の導体層と、樹脂付銅箔を該基
板に積層してその表面の導体層との間、または樹脂付銅
箔の表面の導体層と、さらに樹脂付銅箔を積層してその
表面の導体層との間の電気的接続を行うためにレーザー
で穴開け加工をした後、めっきによりバイアを形成す
る。高密度配線を可能にするためには接続バイアの形成
により層毎の接続をすることが好ましい。スルーホール
と接続バイアは混在させても良い。

【００３１】接続バイアの形成手順の代表的例を以下に
説明する。接続バイアの形成は樹脂付金属箔をコア基板
に積層した後、表面の金属箔をエッチング等の加工によ
り接続バイアを形成したい部分にのみ穴を明けて熱硬化
性樹脂層を露出させ、エキシマーレーザ、炭酸ガスレー
ザ、ＹＡＧレーザ等によりレーザ加工し、樹脂部分を取
り除いて下のコア基板の導体層を露出させた後、めっき
により樹脂の穴内壁に金属膜を形成して層間接続する。
また、樹脂付金属箔をコア基板に積層した後、エッチン
グ等の加工により表面の金属箔を全面除去し熱硬化性樹
脂層を露出させ、エキシマーレーザ、炭酸ガスレーザ、
ＹＡＧレーザ等によりレーザ加工で穴形成後、メッキに
より樹脂の穴内壁に金属膜を形成して層間接続してもよ
い。または、樹脂付金属箔をコア基板に積層した後、Ｙ
ＡＧレーザーで所要の接続バイア形成部位に照射し、該
金属箔および樹脂を同時に穴開けし、めっきにより樹脂
の穴内壁に金属膜を形成して層間接続してもよい。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を一層明確にするた
めに実施例を挙げて説明するが、本発明の範囲をこれら
実施例に限定するものではない。以下の実施例には、各
成分として次のようなものを用いた。重合開始剤：２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂（株）製パー
ヘキシン２５Ｂ）粒状シリカ：（株）アドマテックス製の球状シリカを原
料として、空気流分級機（日新エンジニアリング（株）
製）を用いて所定の最大粒径を有するシリカを調製し
た。水添ブロック共重合体：スチレンとブタジエンとからな
るブロック共重合体を水素添加して得られる水添ブロッ
ク共重合体（旭化成工業（株）製タフテックＨ１０４
１）変性ポリフェニレンエーテル：下記製造例で製造した。

【００３３】（製造例）３０℃、０．５ｇｒ／ｄｌのク
ロロホルム溶液で測定した粘度数ηｓｐ／ｃが０．４０
のポリ（２，６−ジメチル−１，４−ジフェニレンエー
テル）１００重量部と、無水マレイン酸１．５重量部を
室温でドライブレンドした後、シリンダー温度３００
℃、スクリュー回転数２３０ｒｐｍの条件で２軸押し出
し機により押し出した。３０℃、０．５ｇｒ／ｄｌのク
ロロホルム溶液で測定した反応生成物も粘度数ηｓｐ／
ｃは０．４３であった。

【００３４】

【実施例】（実施例１〜２）変性ポリフェニレンエーテ
ル、水添ブロック共重合体、トリアリルイソシアヌレー
ト、球状で最大粒径が２μｍ、５μｍのシリカおよび重
合開始剤を表１に示した組成割合で８０℃のトルエン中
に添加し、１時間攪拌した。その後厚さ１２μｍのプリ
ント配線板用電解銅箔の上にブレードコーターにて塗布
後、５０℃で３０分エアーオーブンで乾燥し、樹脂付金
属箔を得た。得られた樹脂付金属箔の樹脂厚さは６０μ
ｍで、べたつきや粉落ち等がなく成膜性に優れていた。

【００３５】１２μｍの銅箔を両面に張った０．６ｍｍ
厚の熱硬化性ポリフェニレンエーテル両面銅張積層板に
内層回路を形成し、その両面に上記熱硬化性ポリフェニ
レンエーテル系樹脂組成物の膜が金属箔の表面に形成さ
れた樹脂付金属箔を金属箔が外層になるように積層し
た。外層金属箔のバイア接続する箇所をエッチング法で
除き、レーザーによる穴開け後の穴径が５０μｍ、１０
０μｍになるようにＹＡＧレーザーで樹脂に穴開けし、
通常の銅めっき法で接続バイアを形成した。さらに外層
回路を形成し、４層配線板を得た。同様の操作をさらに
１回繰り返し、積層部はデージー状にバイア接続された
１５０×１５０ｍｍの大きさの６層の多層配線板を作製
した。積層部は得られた６層板の逐次積層した接続バイ
ア部の電気的接続を調べたところ、各１００枚の作製基
板において、開口部の穴径が５０μｍ、１００μｍの接
続バイア部とも断線はみられなかった。またバイア断面
を走査型電子顕微鏡で観察したところ、レーザーによる
穴開け時の穴形状は壁面の荒れが少なく良好で、メッキ
に異常はみられなかった。さらに上記の作製基板を冷熱
衝撃試験（１サイクルが−６５℃×３０分と１２５℃×
３０分の気相での熱衝撃サイクルテスト）で１０００サ
イクル後に電気的接続を調べたが、各１００枚で断線は
みられず同様の結果が得られた。また接続バイア断面を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、レーザーによる穴
開け時の穴形状は壁面の荒れが少なく良好で、めっきに
異常はみられなかった。

【００３６】（実施例３）変性ポリフェニレンエーテ
ル、水添ブロック共重合体、トリアリルイソシアヌレー
ト、球状で最大粒径が２μｍのシリカおよび重合開始剤
を表１に示した組成割合で８０℃のトルエン中に加え、
１時間攪拌した。その後厚さ１２μｍのプリント配線板
用電解銅箔の上にブレードコーターにて塗布後、５０℃
で３０分エアーオーブンで乾燥し、樹脂付金属箔を得
た。得られた樹脂付金属箔の樹脂厚さは６０μｍで、べ
たつきや粉落ち等がなく成膜性に優れていた。

【００３７】１２μｍの銅箔を両面に張った０．６ｍｍ
厚の熱硬化性ポリフェニレンエーテル両面銅張積層板に
内層回路を形成し、その両面に上記熱硬化性ポリフェニ
レンエーテル系樹脂組成物の膜が金属箔の表面に形成さ
れた樹脂付金属箔を積層した。外層金属箔をエッチング
法で金属箔を除き、ＹＡＧレーザーによる穴開け後の穴
径が５０μｍ、１００μｍになるように樹脂に穴開け
し、通常のデスミア処理を行なったのち、厚さ約２μｍ
の無電解銅めっきを行った。次に厚さ３０μｍの感光性
ドライフィルムレジストを該無電解銅上にラミネートし
て露光・現像を行い、所要の配線となる部分のドライフ
ィルムレジストを除去した。次に通常の電解銅めっきを
行いドライフィルムレジストが現像除去された部分に銅
めっきを施した。次にドライフィルムレジストをすべて
剥離し、ペルオキシ塩水溶液と硫酸と過酸化水素水のう
ちいずれか１種類以上を含んだ溶液にて露出している無
電解銅をエッチング、同様の操作をさらに１回繰り返
し、積層部はデージー状にバイア接続された１５０×１
５０ｍｍの大きさの６層の多層配線板を作製した。積層
部は得られた６層板の積層した接続バイア部の電気的接
続を調べたところ、各１００枚の作製基板において、レ
ーザー穴径が５０μｍ、１００μｍのバイア接続部とも
断線はみられなかった。また接続バイアの断面を走査型
電子顕微鏡で観察したところ、レーザーによる穴開け時
の穴形状は壁面の荒れが少なく良好で、めっきに異常は
みられなかった。さらに上記の作製基板を冷熱衝撃試験
（１サイクルが−６５℃×３０分と１２５℃×３０分の
気相での熱衝撃サイクルテスト）で１０００サイクル後
に電気的接続を調べたが、各１００枚で断線はみられず
同様の結果が得られた。また接続バイアの断面を走査型
電子顕微鏡で観察したところ、レーザーによる穴開け時
の穴形状は壁面の荒れが少なく良好で、めっきに異常は
みられなかった。

【００３８】（比較例１）最大粒径が１３μｍの球状シ
リカを用いた以外は、実施例１と同じ操作を繰り返し、
同様に調べた。開口部の穴径が５０μｍの接続バイア部
では１００枚中９０枚で、１００μｍの接続バイア部で
は１００枚中９９枚で断線はみられなかったが、断線基
板の接続バイアの断面を走査型電子顕微鏡で観察したと
ころ、レーザーによる穴開け時の穴形状はいびつで、バ
イア壁面の荒れが大きく、異常成長しためっき層がみら
れた。熱衝撃試験（１サイクルが−６５℃×３０分と１
２５℃×３０分の気相での熱衝撃サイクルテスト）で１
０００サイクル後に電気的接続を調べたところ、開口部
の穴径が５０μｍの接続バイア部では９０枚中すべてで
断線がみられ、１００μｍのバイア接続部では９９枚中
４５枚で断線がみられた。実施例１〜３よりレーザー穴
開け時の穴形状、電気的接続信頼性に劣っている。

【００３９】（比較例２）最大粒径が２０μｍの球状シ
リカを用いた以外は、実施例１と同じ操作を繰り返し、
同様に調べた。開口部の穴径が５０μｍの接続バイア部
では１００枚中３枚で、１００μｍの接続バイア部では
１００枚中６０枚で断線はみられなかったが、断線基板
の接続バイアの断面を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、レーザーによる穴開け時の穴形状はいびつで、接続
バイア壁面の荒れが非常に大きく、異常成長しためっき
層がみられた。熱衝撃試験（１サイクルが−６５℃×３
０分と１２５℃×３０分の気相での熱衝撃サイクルテス
ト）で１０００サイクル後に電気的接続を調べたとこ
ろ、開口部の穴径が５０μｍの接続バイア部では３枚中
すべてで、１００μｍのバイア接続部では６０枚中２０
枚で断線がみられた。実施例１〜３よりレーザーによる
穴開け時の穴形状、電気的接続信頼性に劣っている。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【発明の効果】本発明の多層配線板の製造方法は、レー
ザーによる穴開けの穴形状が良好で、めっきでの接続信
頼性に優れ、生産性が高い特徴を有する。従って、本発
明の多層配線板の製造方法は、微細配線加工の要求され
る高信頼性の半導体パッケージ用基板等の製造方法とし
て好適に用いられる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｌ 71/10 Ｃ０８Ｌ 71/10 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６３０Ｈ０５Ｋ 1/03 ６３０Ｈ 3/00 3/00 Ｎ //(Ｃ０８Ｋ 13/02 (Ｃ０８Ｋ 13/02 3:36 3:36 5:3477） 5:3477） (72)発明者横田洋一神奈川県川崎市川崎区夜光１丁目３番１号旭化成工業株式会社内 (72)発明者小林和貴長野県長野市大字栗田字舎利田711番地新光電気工業株式会社内Ｆターム(参考） 4J002 BP012 CH071 DJ017 EU196 FA087 GQ05 5E346 AA42 CC08 DD23 DD44 EE13 FF07 FF13 GG15 GG18 HH07 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂付金属箔を、基板の導体層が形成さ
れた面に積層した後、該樹脂付金属箔の所要の部位に上
記導体層が底面に露出する開口部をレーザー加工により
形成し、該開口部にめっきを施して層間の接続バイアを
形成する多層配線板の製造方法において、上記樹脂付金
属箔が、（ａ）ポリフェニレンエーテルを不飽和カルボ
ン酸または酸無水物と反応させることによって得られた
変性ポリフェニレンエーテル、（ｂ）トリアリルイソシ
アヌレート、（ｃ）少なくとも１個のビニル芳香族化合
物を主体とする重合体ブロックАおよび少なくとも１個
の共役ジエン化合物を主体とする重合体ブロックＢとか
らなるブロック共重合体を水素添加して得られる水添ブ
ロック共重合体、及び（ｄ）最大粒径が７μm 以下の球
状シリカからなり、かつ（ａ）成分と（ｂ）成分の和１
００重量部を基準として、（ａ）成分を４０〜９８重量
部、（ｂ）成分を６０〜２重量部、（ｃ）成分を１〜１
５重量部、（ｄ）成分を５０〜１２０重量部含有する熱
硬化性ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物の膜が金属
箔の表面に形成された樹脂付金属箔であることを特徴と
する多層配線板の製造方法。