JP2001102677A - 光複合素子及び光学ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子の放熱性が良好で、発光効率が高
く、光学的な信頼性の高い構成を備えた光複合素子（レ
ーザカプラ）を提供する。 【解決手段】 本レーザカプラ３０は、良熱伝導性のパ
ッケージベース１０１と、絶縁性壁１０２、１０４の側
壁と、蓋体１０５とのパッケージ１００内に格納されて
いる。レーザカプラは、ＰＤＩＣ３２ａを備えるフォト
ダイオード基板３２と、基板３２上に設けられたプリズ
ム３３と、受光部３４ａを備えたＰｉｎＩＣ３４及びＰ
ｉｎＩＣ上の半導体レーザ素子３５からなるＬＯＰ４１
とを備える。プリズムは光透過性接着剤４２でＰＤＩＣ
上に、半導体レーザ素子は良熱伝導性の接着剤４４でＰ
ｉｎＩＣ上に接着されている。ベース１０１の底面に
は、ＬＯＰ及びプリズムが良熱伝導性の接着剤４８で接
着されている。ベースは、レーザ光を通過させるレーザ
光通過孔１０１ａと、作業用開口１０１ｂを適所に貫通
させている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光複合素子及び光
学ピックアップに関し、更に詳細には、放熱性に優れ、
発光効率の高い光複合素子、及びそのような光複合素子
を備えた光学ピックアップに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光複合素子とは、発光素子と受光素子と
を、例えば発光素子として半導体レーザ素子を、受光素
子としてフォトダイオードを同じ基板上に集積して形成
した半導体集積受発光装置である。光複合素子の代表的
なものは、例えば、半導体レーザ素子からなる発光素子
と、フォトダイオードからなる受光素子とをハイブリッ
ドに基板上に配置し、受光素子上にマイクロプリズムを
配置した構造の、いわゆるレーザカプラであって、光記
録媒体の記録・再生を行う光学ピックアップに用いられ
ている。

【０００３】ここで、図７を参照して、従来の光複合素
子（レーザカプラ）の構成を説明する。図７は従来のレ
ーザカプラの構成を示す断面図、図８は熱の伝達経路を
示す模式図である。従来のレーザカプラ１０は、光学ピ
ックアップの一部品として構成され、図７に示すよう
に、収容室を内部に有し、上面を開口面１ａとする箱型
のセラミックパッケージ１の収容室内に収容されてい
る。レーザカプラ１０は、受光素子としてＰＤＩＣ２ａ
を上面に備えて、収容室の底面１ｂ上に設けられた、シ
リコン単結晶製のフォトダイオード基板２と、４５゜面
３ａにハーフミラー面を有し、フォトダイオード基板２
のＰＤＩＣ２ａ上に配置されたプリズム３と、受光部４
ａを上部に有するＰｉｎＩＣ４と、ＰｉｎＩＣ４上の受
光部４ａ以外の領域に発光素子として設けられた半導体
レーザ素子５とを備えている。

【０００４】ＰｉｎＩＣ４は、シリコン単結晶基板上に
形成されたＰｉｎ型フォトダイオードであって、フォト
ダイオード基板２上に配置され、半導体レーザ素子５か
ら出射されたレーザ光の一部を受光部４ａで受光し、そ
の発光強度をレーザ駆動装置（図示せず）に出力する。
レーザ駆動装置は、その発光強度に基づいて所定の発光
強度になるように半導体レーザ素子５の動作を制御す
る。ＰＤＩＣ２ａは、シリコン単結晶製のフォトダイオ
ード基板２上に形成された受光素子（Phto Diode Ｉ
Ｃ、フォトダイオードＩＣ）であって、プリズム３は、
フォトダイオード基板２のＰＤＩＣ２ａ上に設けられて
いる。

【０００５】パッケージ１の収容室の開口面１ａは、板
ガラス６で覆われ、開口縁で封止されている。レーザカ
プラ１０は、光学ピックアップ本体７の取り付け面７ａ
に密着して取り付けられている。光学ピックアップ本体
７にレーザカプラ１０を取りつける際は、開口面１ａに
光学ピックアップ取付面７ａを押し付けるようにして、
図７に示すように、レーザカプラ１０を光学ピックアッ
プ本体７に密着させる。光学ピックアップ本体７は、半
導体レーザ素子５から放射されるレーザ光の光軸に直交
する方向に光軸を有する対物レンズ８をパッケージ１の
開口面１ａの上方に備えている。

【０００６】半導体レーザ素子５からパッケージ１の開
口面１ａに平行に出射されたレーザ光Ｌは、プリズム３
の４５゜面３ａで反射して、パッケージ１の開口面１ａ
上方の対物レンズ８にに向かってレーザ光Ｍとなって放
射される。レーザ光Ｍは、ガラス板６を透過して対物レ
ンズ８に達し、次いで対物レンズ８によって光ディスク
９の所定位置に集光される。光ディスク９は、例えはピ
ットと称される凹凸により情報が記録されている光ディ
スクである。光ディスク９上に集光された光は、光ディ
スク９に設けられたピットにより回折して、その反射戻
り光が対物レンズ８を通過して、プリズム３の４５゜面
３ａに戻って来る。

【０００７】戻り光は、プリズム３の４５゜面３ａに形
成されているハーフミラーにより、プリズム３内に入
り、フォトダイオード基板２上に形成されたＰＤＩＣ２
ａに投射される。ＰＤＩＣ２ａは、受光した光の強弱を
読み取り、電気信号に変換して出力する。

【０００８】レーザカプラ１０を起動して、半導体レー
ザ素子５からレーザ光を発光すると、半導体レーザ素子
５はレーザ光の出射に伴い発熱する。半導体レーザ素子
５がレーザ光を出射する際に放出される熱は、図８に示
すように、半導体レーザ素子５からＰｉｎＩＣ４に伝熱
し、次いでフォトダイオード基板２に伝熱して行く。更
に、熱は、フォトダイオード基板２からセラミックパッ
ケージ１に伝熱し、一部光学ピックアップ本体７に伝わ
るものの、殆どは空気中に放出される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の従来の
光複合素子には、以下の問題があった。第１の問題は、
半導体レーザ素子５で発生する熱が、放熱され難いとい
う問題であって、即ち、パッケージ１の外表面積が小さ
いため、空気への熱放散の効果が小さく、熱がパッケー
ジ１から空気中に十分に放散され難いという問題であ
る。この結果、熱エネルギーがパッケージ１に蓄積し、
従って、ＰｉｎＩＣ４、フォトダイオード基板２にも熱
エネルギーが蓄積し、半導体レーザ素子５で発生する熱
が半導体レーザ素子５からＰｉｎＩＣ４及びフォトダイ
オード基板２を介してパッケージ１に伝達され難くな
る。レーザ発振時、このような低い放熱性のために、発
熱する半導体レーザ素子５の温度が上昇するので、半導
体レーザ素子５の発光効率が悪くなる。

【００１０】第２の問題は、光複合素子の構造、組み立
て方に付随する光学的信頼性の問題である。従来の光複
合素子では、上面を開口した箱型のセラミックパッケー
ジ１の収容室の底面１ｂ上に、フォトダイオード基板２
を介してＰｉｎＩＣ４及び半導体レーザ素子５などが配
置されている。そのために、それぞれの厚みや接着剤層
厚み等のばらつきが生じる。その結果、パッケージ１の
開口面１ａと半導体レーザ素子５との距離がばらつき、
従って、レーザカプラ１０と光ディスク９との距離にば
らつきが生じ、ＰＤＩＣ２ａで読み取る戻り反射光の強
度に誤差が生じる。これでは、レーザカプラの光学的信
頼性を高めることは難しい。

【００１１】更に説明すると、従来の方式では、光学ピ
ックアップ本体７の取り付け面７ａと半導体レーザ素子
５との距離は、後で図５（ｂ）を参照して詳述するよう
に、パッケージ１の厚み誤差、フォトダイオード基板２
の厚み誤差、ＰｉｎＩＣ４の厚み誤差や、各部材を接着
させるための接着剤の層厚み誤差などがあるため、半導
体レーザ素子５から光ディスク９のデータ記録面９ａま
での距離、及びデータ記録面９ａからＰＤＩＣ２ａまで
の距離がばらつく。即ち、半導体レーザ素子５とデータ
記録面９ａとの光学的な距離、或いはデータ記録面９ａ
とＰＤＩＣ２ａとの光学的な距離がばらつき、レーザカ
プラの信頼性を向上させることが難しかった。

【００１２】そこで、本発明の目的は、発光素子の放熱
性が良好で、従って発光素子の発光効率が高く、かつ、
光学的な信頼性の高い構成を備えた光複合素子、及びそ
のような光複合素子を備えた光学ピックアップを提供す
ることである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係わる光複合素子は、レーザ光を発光する
発光素子と、発光素子から発光したレーザ光の反射戻り
光を受光する受光素子とをパッケージ内に有し、パッケ
ージを介して光学系本体に連結されるようにした光複合
素子であって、パッケージを形成するパッケージ壁のう
ち、光学系本体との連結部を構成するパッケージ連結壁
が、熱伝導性の良好な材料で形成され、発光素子が、熱
伝導性の良好な接着剤によってパッケージ連結壁に接着
されていることを特徴としている。

【００１４】本発明で言う発光素子とは、主として、半
導体レーザ素子である。パッケージ連結壁を形成する熱
伝導性の良好な材料とは、例えば銅、アルミニウム等の
金属板や、ＳｉＣセラミックス、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ＣＢ
Ｎ等の結晶板等である。。熱伝導性の良好な接着剤と
は、例えば金属粒子又は炭素粒子を分散させた接着剤で
ある。本発明では、発光素子で発熱する熱は、熱伝導性
の良好な接着剤を介してパッケージ連結壁に伝達され、
更に発光素子の発熱量に比べて熱容量の極めて大きな光
学系本体に伝達されるので、従来のように、発光素子の
温度が上昇して、発光効率が低下するようなことがな
い。また、発光素子及び受光素子は、光学系本体との連
結部を構成するパッケージ連結壁上に配置されているの
で、従来の光複合素子に比べて、光ディスク等の対象物
と発光素子の間、又は対象物と受光素子との間の光路長
にばらつきを与える誤差因子が少ないので、光複合素子
の光学的信頼性を高めることができる。

【００１５】本発明の好適な実施態様では、発光素子
が、発光素子の発光強度の制御のために、発光素子から
出射されたレーザ光の一部を受光し、受光したレーザ光
の光強度を出力する第２の受光素子の上面に配置され、
第２の受光素子の裏面が熱伝導性の良好な接着剤によっ
てパッケージ連結壁に接着されている。発光素子は、第
２の受光素子上にモノリシックに形成されても良く、ま
た第２の受光素子とは別個に形成され、接着剤等で第２
の受光素子上に接着されるようにしても良い。

【００１６】また、実用的には、パッケージ連結壁に
は、発光素子から出射されたレーザ光を通過、又は透過
させる光路開口が設けられ、ハーフミラーとして機能す
る４５°面を有し、４５°面を光路開口に向けてパッケ
ージ連結壁上に接着されたプリズムを備え、受光素子が
プリズムの下面に接着され、プリズムは、発光素子から
出射されたレーザ光を４５°面で光路開口に向けて反射
させて光路開口を通って外部に放射し、光路開口を通っ
た反射戻り光を４５°面で受けて、受光素子に投射する
ようにする。

【００１７】本発明の光学ピックアップは、請求項３に
記載の光複合素子と、レーザ光を対象物上に集光する対
物レンズと、光複合素子及び対物レンズを支持する光学
ピックアップ本体とを備える光学ピックアップであっ
て、光複合素子は、パッケージ連結壁と光学ピックアッ
プ本体との接合によって光学ピックアップ本体に機械的
及び光学的に接続され、発光素子から出射されたレーザ
光は、プリズムで反射され、光路開口を通って対物レン
ズに達して対象物上に集光され、対象物で反射したレー
ザ光の戻り光は、光路開口を通ってプリズムに達し、更
に受光素子に投射されることを特徴としている。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、実施の形態例を挙げ、添
付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳
細に説明する。 実施の形態例 図１は、本実施の形態例の光複合素子（レーザカプラ）
の構成を示す分解図である。本実施の形態例の光複合素
子（以下、レーザカプラと言う）３０は、光学ピックア
ップの一部品として機能するレーザカプラであって、熱
伝導性の良い金属材料、例えば銅、アルミニウム等で作
製され、底面壁として設けられたパッケージベース１０
１と、電気絶縁性壁１０２及び１０４からなる側壁と、
蓋体１０５とからなるパッケージ１００の収容室内に格
納された光複合素子である。

【００１９】レーザカプラ３０は、受光素子としてＰＤ
ＩＣ３２ａを基板上に備えるシリコン単結晶からなるフ
ォトダイオード基板３２と、フォトダイオード基板３２
上に配置されたプリズム３３と、シリコン単結晶基板上
に受光部３４ａを備えたＰｉｎＩＣ３４及びＰｉｎＩＣ
３４上の受光部３４ａを除く領域に設けられた半導体レ
ーザ素子３５からなるＬＯＰ４１とを備えている。Ｐｉ
ｎＩＣ３４は、半導体レーザ素子３５の発光強度をコン
トロールするために、半導体レーザ素子３５から放射さ
れるレーザ光の一部を受光部３４ａで受光し、受光強度
をレーザ駆動装置（図示せず）に出力する。

【００２０】プリズム３３は、ＰＤＩＣ３２ａの機能を
阻害しないように、レーザ光透過性の接着剤４２でフォ
トダイオード基板３２のＰＤＩＣ３２ａ上に接着されて
いる。また、同じく、半導体レーザ素子３５は、熱伝導
性の良好な接着剤４４でＰｉｎＩＣ３４上に接着されて
いる。

【００２１】パッケージベース１０１は、レーザ光を通
過させるレーザ光通過孔１０１ａと、作業用開口１０１
ｂとを適所に貫通させている。尚、レーザ光を透過させ
る材料、例えば波長板などをレーザ光通過孔１０１ａに
代えて使っても良い。パッケージベース１０１の内面の
所定領域には、ＬＯＰ４１が、ＰｉｎＩＣ３４の裏面を
上にし、半導体レーザ素子３５の出射面を内側に向けた
配置で、熱伝導性の良好な接着剤４６で接着されてい
る。また、レーザ光通過孔１０１ａを中心にして、パッ
ケージベース１０１のＰｉｎＩＣ３５と対称的な領域に
は、プリズム３３の４５°面３３ａがレーザ光通過孔１
０１ａに向くようにして、プリズム３３の上面がパッケ
ージベース１０１の内面に熱伝導性の良好な接着剤４８
で接着されている。

【００２２】レーザカプラ３０では、外部との信号の授
受のために、電気絶縁性壁１０２及び１０４を貫通して
外部に延びるリード端子１０３を備え、半導体レーザ素
子３５及びＰＤＩＣ３２ａは、それぞれ、金線等のワイ
ヤ２０及び２１でリード端子１０３に接続されている。
尚、熱伝導性の良好な接着剤４４、４６、４８は、熱伝
導性を良くするために、金属粒子等を分散させた接着剤
である。

【００２３】次に、図２及び図３を参照して、上述のレ
ーザカプラ３０の作製方法を説明する。図２はレーザカ
プラ３０の分解図、及び図３はレーザカプラの完成前の
工程を示す断面図である。先ず、図２に示すように、パ
ッケージベース１０１と、電気絶縁性壁１０２及び１０
４からなる側壁と、及び、側壁１０２／１０４を貫通さ
せたリード端子１０３とからなるパッケージ１００を用
意する。次いで、ＰｉｎＩＣ３４上の受光部３４ａ以外
の領域に半導体レーザ素子３５を熱伝導性の良好な接着
剤４４で接着し、ＬＯＰ４１を作製する。

【００２４】次に、ＰｉｎＩＣ３４の裏面を上にして熱
伝導性の良好な接着剤４６でパッケージベース１０１の
内面所定領域にＬＯＰ４１をマウントする。次いで、フ
ォトダイオード基板３２のＰＤＩＣ２ａ上にレーザ光透
過性接着剤４２でプリズム３３を接着し、続いてプリズ
ム３３の上面をパッケージベース１０１の内面所定領域
に熱伝導性の良好な接着剤４８で接着する。

【００２５】次に、図３に示すように、ＬＯＰ４１側の
ＬＯＰパッドと、リード端子１０３のインナー側とをワ
イヤ２０で接続し、導通させる。なお、導通できるなら
ば、ワイヤ２０に代えて別の方法を用いても良い。続い
て、パッケージ１００の蓋体１０５をパッケージ１００
の側壁１０４に接着剤５０などで接着する。その際に、
フォトダイオード基板３２と蓋体１０５とを接着剤５２
でど接着すれば、振動などが押さえることができ、レー
ザカプラ３０の機械的信頼性が向上する。

【００２６】次に、パッケージベース１０１に設けてあ
る作業用開口１０１ａを利用して、フォトダイオード基
板３２上の配線パターン（図示せず）を介してＰＤＩＣ
３２ａとリード端子１０３とをワイヤ２１で接続する。
接続できるのであれば、ワイヤ２１による接続に代えて
別の方法を用いても良い。以上の手順により、レーザカ
プラ３０を作製することができる。次いで、図２に示す
ように、レーザカプラ３０のパッケージベース１０１の
上面を光学ピックアップ本体７の取り付け面７ａに熱伝
導性の良好な接着剤５４を使って接着する。

【００２７】次に、図４を参照して、本実施の形態例の
レーザカプラ３０の作用及び動作を説明する。半導体レ
ーザ素子３５より放射されたレーザ光は、プリズム３３
の４５゜面３３ａにより反射して、図４で見ると上方に
進行する。次いで、レーザ光は、対物レンズ８を通過し
て光ディスク９のデータ記録面９ａ上に集光する。記録
面９ａ上で反射し、信号成分を持った戻りレーザ光は、
再び、対物レンズ８を透過し、ハーフミラーを形成して
いるプリズム３３の４５゜面３３ａに入射する。そし
て、その一部は、半導体レーザ素子３５の方に反射する
ものの、信号成分を持った残りの戻りレーザ光は、ＰＤ
ＩＣ３２ａに投射され、電気信号に変換される。

【００２８】半導体レーザ素子３５は、レーザ光を発光
する際にかなりの熱を発生させている。発生した熱は、
図５に示すように、熱伝導性の良好な接着剤４４を介し
てＰｉｎＩＣ３４に伝わり、続いて熱伝導性の良好な接
着剤４６を介して熱伝導性の良いパッケージベース１０
１に伝達される。熱は、更にパッケージベース１０１か
ら熱伝導性の良好な接着剤５４を介して熱容量の大きい
光学ピックアップ本体７に伝熱される。本実施の形態例
では、半導体レーザ素子３５の発熱量よりも、光学ピッ
クアップ本体７の熱容量が遙に大きいので、半導体レー
ザ素子３５の温度は、従来の受発光装置１０のように上
昇することはない。よって、半導体レーザ素子３５の発
光効率が、従来に比べて、著しく良くなる。

【００２９】本実施の形態例のレーザカプラ３０では、
光学ピックアップ本体７の取付面から半導体レーザ素子
まで光路誤差は、図６（ａ）に示すように、（１）光学
ピックアップの取付面とパッケージ１００を接着する熱
伝導性の良好な接着剤５４の厚み、（２）パッケージベ
ース１０５の厚み、（３）ＰｉｎＩＣ３４をパッケージ
ベース１０１に接着する熱伝導性の良好な接着剤４６の
厚み、（４）ＰｉｎＩＣ３４の厚み、（５）ＰｉｎＩＣ
３４と半導体レーザ素子３５を接続する半田材（図示せ
ず）の厚みである。一方、従来の受発光装置１０では、
図６（ｂ）に示すように、光学ピックアップ本体７の
取付面とパッケージ１を接着する接着剤の厚み、パッ
ケージ１の壁高さ、パッケージ１とフォトダイオード
基板２とを接着する接着剤の厚み、フォトダイオード
基板２の厚み、フォトダイオード基板２とＰｉｎＩＣ
４との接着をする接着剤の厚み、ＰｉｎＩＣ４の厚
み、ＰｉｎＩＣ４と半導体レーザ素子５とを接続する
半田材（図示せず）の厚みである。従来のレーザカプラ
１０の誤差は、からの厚みのばらつきの和である。
一方、本実施の形態例のレーザカプラ３０の誤差は、
（１）から（５）の厚みのばらつきの和であるから、本
実施の形態例のレーザカプラ３０の方が、誤差要因の数
が少ない。従って、このレーザカプラを具備する光学ピ
ックアップの光学的信頼性が高い。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱伝導性の良好な接着剤によって発光素子を熱伝導性の
良好なパッケージ連結壁に接着しているので、発光素子
で発熱する熱は、熱伝導性の良好な接着剤を介してパッ
ケージ連結壁に伝達され、更に発光素子の発熱量に比べ
て熱容量の極めて大きな光学系本体に伝達される。よっ
て、本発明の光複合素子では、従来のように、発光素子
の温度が上昇して、発光効率が低下するようなことがな
い。また、発光素子及び受光素子は、光学系本体との連
結部を構成するパッケージ連結壁上に配置されているの
で、従来の光複合素子に比べて、光ディスク等の対象物
と発光素子の間、又は対象物と受光素子との間の光路長
にばつきを与える誤差因子の数が少ない光複合素子の提
供が可能となり、これを具備する光学ピックアップの信
頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態例の光複合素子（レーザカプラ）の
構成を示す断面図である。

【図２】実施の形態例のレーザカプラの組立方法を説明
する分解図である。

【図３】実施の形態例のレーザカプラの組立方法を説明
する断面図である。

【図４】実施の形態例のレーザカプラの機能を説明する
断面図である。

【図５】実施の形態例のレーザカプラの伝熱経路を示す
模式図である。

【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、実施の形
態例及び従来のレーザカプラの誤差因子を示す断面図で
ある。

【図７】従来のレーザカプラの構成を示す断面図であ
る。

【図８】従来のレーザカプラの伝熱経路を示す模式図で
ある。

【符号の説明】

１……パッケージ、１ａ……開口面、１ｂ……底面、２
……フォトダイオード基板、２ａ……ＰＤＩＣ（Phto D
iode、フォトダイオードＩＣ）、３……プリズム、３ａ
……４５゜面、４……ＰｉｎＩＣ、４ａ……受光部、５
……発光素子、半導体レーザ素子、６……ガラス板、７
……光学ピックアップ本体、８……対物レンズ、９……
光ディスク、９ａ……データ記録面、１０……従来のレ
ーザカプラ、３０……実施の形態例の光複合素子、レー
ザカプラ、３２……フォトダイオード基板、３２ａ……
ＰＤＩＣ、３３……プリズム、３３ａ……４５°面、３
４……ＰｉｎＩＣ、３４ａ……受光部、３５……発光素
子、半導体レーザ素子、４１……ＬＯＰ、４２……レー
ザ光透過性接着剤、４４、４６、４８……熱伝導性の良
好な接着剤、５０、５２……接着剤、１００……パッケ
ージ、１０１……パッケージベース、１０２……電気絶
縁性壁、１０３……リード端子、１０４……電気絶縁性
壁、１０５……蓋体。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザ光を発光する発光素子と、発光素
   子から発光したレーザ光の反射戻り光を受光する受光素
   子とをパッケージ内に有し、パッケージを介して光学系
   本体に連結されるようにした光複合素子であって、 パッケージを形成するパッケージ壁のうち、光学系本体
   との連結部を構成するパッケージ連結壁が、熱伝導性の
   良好な材料で形成され、 発光素子が、熱伝導性の良好な接着剤によってパッケー
   ジ連結壁に接着されていることを特徴とする光複合素
   子。
2. 【請求項２】 発光素子が、発光素子の発光強度の制御
   のために、発光素子から出射されたレーザ光の一部を受
   光し、受光したレーザ光の光強度を出力する第２の受光
   素子の上面に配置され、第２の受光素子の裏面が熱伝導
   性の良好な接着剤によってパッケージ連結壁に接着され
   ていることを特徴とする請求項１に記載の光複合素子。
3. 【請求項３】 パッケージ連結壁には、発光素子から出
   射されたレーザ光を通過、又は透過させる光路開口が設
   けられ、 ハーフミラーとして機能する４５°面を有し、４５°面
   を光路開口に向けてパッケージ連結壁上に接着されたプ
   リズムを備え、 受光素子がプリズムの下面に接着され、 プリズムは、発光素子から出射されたレーザ光を４５°
   面で光路開口に向けて反射させて光路開口を通って外部
   に放射し、光路開口を通った反射戻り光を４５°面で受
   けて、受光素子に投射するようにしたことを特徴とする
   請求項１又は２に記載の光複合素子。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の光複合素子と、レーザ
   光を対象物上に集光する対物レンズと、光複合素子及び
   対物レンズを支持する光学ピックアップ本体とを備える
   光学ピックアップであって、 光複合素子は、パッケージ連結壁と光学ピックアップ本
   体との接合によって光学ピックアップ本体に機械的及び
   光学的に接続され、 発光素子から出射されたレーザ光は、プリズムで反射さ
   れ、光路開口を通って対物レンズに達して対象物上に集
   光され、 対象物で反射したレーザ光の戻り光は、光路開口を通っ
   てプリズムに達し、更に受光素子に投射されることを特
   徴とする光学ピックアップ。