JP2001102175A - Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device group and method of controlling its emission spectrum - Google Patents

Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device group and method of controlling its emission spectrum

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JP2001102175A
JP2001102175A JP27693399A JP27693399A JP2001102175A JP 2001102175 A JP2001102175 A JP 2001102175A JP 27693399 A JP27693399 A JP 27693399A JP 27693399 A JP27693399 A JP 27693399A JP 2001102175 A JP2001102175 A JP 2001102175A
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organic electroluminescent
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electroluminescent device
organic
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淳二 城戸
Jun Endo
潤 遠藤
Hiroshi Yokoi
啓 横井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device, which enables a reduction in drive power and also a control in emission spectrum. SOLUTION: A layer 5 adjacent to a negative electrode 5 is doped with an organic metal compound as a doner dopant. A change in a thickness of the metal-doped layer 5 produces a change in an optical path length between the negative electrode 6 and an emission layer 4. Also, the metal-doped layer 5 inhibits a spectrum of light emitted from a device. Thus, the metal-doped layer 5 serves as an emission spectrum-controlling layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【技術分野】本発明は、平面光源や表示素子に利用され
る有機エレクトロルミネッセント素子(以下、有機EL素
子)に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an organic electroluminescent device (hereinafter, referred to as an organic EL device) used for a flat light source or a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術およびその問題点】発光層が有機化合物か
ら構成される有機EL素子は、低電圧駆動の大面積表示素
子を実現するものとして注目されている。Tangらは素子
の高効率化のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物
を積層し、正孔と電子がそれぞれ陽極、陰極よりバラン
スよく注入される構造とし、しかも有機層の層厚を2000
Å以下とすることで、10V 以下の印加電圧で1000cd/m2
と外部量子効率1%の実用化に十分な高輝度、高効率を
得ることに成功した(Appl. Phys. Lett., 51, 913 (19
87). )。この高効率素子において、Tangらは基本的に
絶縁物とみなされる有機化合物に対して、金属電極から
電子を注入する際に問題となるエネルギー障壁を低下さ
せるため、仕事関数の小さいMg(マグネシウム)を使用
した。その際、Mgは酸化しやすく、不安定であるのと、
有機表面への接着性に乏しいので比較的安定で、しかも
有機表面に密着性の良いAg(銀)と共蒸着により合金化
して用いた。
2. Description of the Related Art An organic EL device in which a light-emitting layer is made of an organic compound has attracted attention as a device for realizing a low-voltage driven large-area display device. Tang and colleagues stacked organic compounds with different carrier transport properties to increase the efficiency of the device, and made a structure in which holes and electrons were injected in a balanced manner from the anode and cathode, respectively.
Å or less, 1000 cd / m 2 at an applied voltage of 10 V or less
And an external quantum efficiency of 1% have been successfully obtained with high brightness and high efficiency (Appl. Phys. Lett., 51, 913 (19
87).). In this high-efficiency device, Tang et al. Reduced the work function of Mg (magnesium), which lowers the energy barrier, which is a problem when injecting electrons from a metal electrode, into an organic compound that is basically regarded as an insulator. It was used. At that time, Mg is easily oxidized and unstable,
Since it has poor adhesion to the organic surface, it is relatively stable, and is alloyed with Ag (silver) having good adhesion to the organic surface by co-evaporation.

【0003】凸版印刷株式会社のグループ(第51回応
用物理学会学術講演会、講演予稿集28a-PB-4、p.1040)
およびパイオニア株式会社のグループ(第54回応用物
理学会学術講演会、講演予稿集29p-ZC-15 、p.1127)
は、Mgより更に仕事関数の小さいLi(リチウム)を用い
Al(アルミニウム)と合金化する事により安定化させ陰
極として用いることにより、Mg合金を用いた素子より低
い駆動電圧と高い発光輝度を達成している。また、本発
明者らは有機化合物層上にLiを単独で10Å程度に極めて
薄く蒸着し、その上から銀を積層した二層型陰極が低駆
動電圧の実現に有効であることを報告している(IEEE T
rans. Electron Devices., 40, 1342 (1993))。
A group of Toppan Printing Co., Ltd. (The 51st Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics, Proceedings 28a-PB-4, p.1040)
And Pioneer Corporation's group (The 54th Annual Conference of the Japan Society of Applied Physics, Proceedings 29p-ZC-15, p.1127)
Uses Li (lithium) which has a smaller work function than Mg
By stabilizing by alloying with Al (aluminum) and using it as a cathode, a lower driving voltage and higher luminous brightness than the element using Mg alloy are achieved. In addition, the present inventors have reported that Li is independently deposited on the organic compound layer in an extremely thin thickness of about 10 °, and that a two-layer cathode in which silver is laminated thereon is effective for realizing a low driving voltage. Yes (IEEE T
rans. Electron Devices., 40, 1342 (1993)).

【0004】これらの素子は特開昭63−264692
号公報に記載されている通り、有機層の層厚を1μm以
下(実質的には0.2μm以下)とすることで、基本的
に絶縁物である有機物を使用しても実用に耐えうる低電
圧での駆動を可能にしている。
[0004] These devices are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-264892.
As described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-209, by setting the thickness of the organic layer to 1 μm or less (substantially 0.2 μm or less), even if an organic material, which is basically an insulator, can be used practically, It enables driving with voltage.

【0005】本出願人は特開平10−270171号公
報に示すように、アルカリ金属やアルカリ土類金属、も
しくは稀土類金属を含む遷移金属等の低仕事関数の金属
と電子受容性有機物を共蒸着の手法により所定量混合
し、電子注入層とすることで陰極の仕事関数に依らない
低電圧駆動を実現した。この素子においては、予め有機
化合物の還元剤となりうるドナー(電子供与性)ドーパ
ント物質である金属を、陰極に接触する有機化合物層中
にドーピングする事により、有機化合物は還元された状
態(すなわち電子を受容し、電子が注入された状態)の
分子として存在するので、電子注入エネルギー障壁を小
さくでき、従来の有機EL素子と比べて駆動電圧をさらに
低下できる。しかも陰極には一般に配線材として用いら
れている安定なAlのような金属を使用できる。このよう
な金属ドーピング層において、適当な有機化合物と金属
の組み合わせを選べば、従来の、有機物のみによって構
成される層と異なり、層厚をμmオーダーにまで厚くし
ても駆動電圧の上昇が観測されず、駆動電圧の層厚依存
性が消失する。
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-270171, the present applicant co-deposits a low work function metal such as an alkali metal, an alkaline earth metal, or a transition metal containing a rare earth metal and an electron accepting organic material. A low-voltage driving independent of the work function of the cathode was realized by mixing a predetermined amount by the method described above and forming an electron injection layer. In this device, a metal which is a donor (electron-donating) dopant substance that can serve as a reducing agent for an organic compound is doped in the organic compound layer in contact with the cathode in advance, so that the organic compound is in a reduced state (that is, an electron is reduced). (Electrons are injected and electrons are injected), so that the electron injection energy barrier can be reduced, and the driving voltage can be further reduced as compared with the conventional organic EL device. Moreover, a metal such as stable Al generally used as a wiring material can be used for the cathode. In such a metal-doped layer, if an appropriate combination of an organic compound and a metal is selected, the drive voltage is observed to increase even if the layer thickness is increased to the order of μm, unlike a conventional layer composed of only an organic substance. However, the dependence of the driving voltage on the layer thickness disappears.

【0006】一方、有機EL素子の発光スペクトルは有機
色素の蛍光を利用するものであり、したがってそのスペ
クトルの半値幅は一般に広く、色純度の観点から見た場
合には必ずしも満足すべきものではないため、これまで
にもいくつかの工夫がなされている。
On the other hand, the emission spectrum of an organic EL device utilizes the fluorescence of an organic dye, and therefore, the half width of the spectrum is generally wide, and is not always satisfactory from the viewpoint of color purity. Some ingenuity has been made so far.

【0007】日立製作所の中山らは、特開平8−213
174号公報に示すように、ガラス基板とITO(イン
ジウム-スズ 酸化物)透明電極の間に半透明反射層を設
け、発光層と背面電極(陰極)との間の光学的距離(光
路長)を調節することにより、光共振器の作用を持たせ
色純度を向上させることに成功している。
[0007] Nakayama, et al., Hitachi, Ltd.
As shown in JP-A-174, a translucent reflective layer is provided between a glass substrate and an ITO (indium-tin oxide) transparent electrode, and an optical distance (optical path length) between the light emitting layer and the back electrode (cathode). By adjusting, the effect of an optical resonator is provided and the color purity is improved.

【0008】また、豊田中央研究所の時任らも、特開平
9−180883号公報に示すように、中山らとほぼ同
様の構造を用いて光路長を設定し、素子発光モードを単
一モードにして、単色性と強い前方への指向性を実現し
ている。
[0008] Tokito et al. Of the Toyota Central R & D Laboratories also set the optical path length using almost the same structure as Nakayama et al. And set the element light emission mode to a single mode, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-180883. It achieves monochromaticity and strong forward directivity.

【0009】これらの素子構造は陽極としての透明導電
膜と透明なガラス基板との間に、スパッタリング等の手
法により形成されるTiO2とSiO2のような屈折率の異なる
薄膜を交互に積層する半透明反射膜を形成し、反射鏡と
しての陰極との間で光共振器構造を形成するものである
が、従来の有機EL素子の様に有機物のみによって電荷注
入層を形成しようとする場合は、光の干渉作用を利用し
ようとして効果的な共振長を得るためには、このように
して有機層の外に該半透明反射層を設けなければならな
かった。
In these device structures, thin films having different refractive indexes such as TiO 2 and SiO 2 formed by a technique such as sputtering are alternately laminated between a transparent conductive film as an anode and a transparent glass substrate. A translucent reflective film is formed, and an optical resonator structure is formed between the cathode and the cathode as a reflecting mirror.However, when a charge injection layer is to be formed only by an organic substance like a conventional organic EL device, In order to obtain an effective resonance length in order to utilize the interference effect of light, the translucent reflection layer must be provided outside the organic layer in this way.

【0010】大阪大学の松村らは電子注入層兼、発光層
であるアルミキノリン錯体(Alq3)の層厚を意図的
に通常の素子よりも厚く3000Å以上として、陰極で
反射された光との干渉現象を作り出し、そのスペクトル
を解析することで発光領域の陰極材料依存性、素子劣化
依存性、電圧依存性を論じている(thin solid films33
1(1998)96-100,Synthetic Metals 91(1997)197-198,IEE
E TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES,VOL.44,NO.8,AUGU
ST 1997)。これは、分析手法の一つとして有用な方法
といえるが、駆動電圧の上昇を避けることはできない。
[0010] Matsumura et al. Of Osaka University deliberately set the layer thickness of the aluminum quinoline complex (Alq3), which is both an electron injection layer and a light emitting layer, to be 3000 mm or more thicker than a normal element, and to interfere with light reflected by the cathode. By creating phenomena and analyzing their spectra, we discuss the dependence of the emission region on the cathode material, device degradation, and voltage (thin solid films33
1 (1998) 96-100, Synthetic Metals 91 (1997) 197-198, IEE
E TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES, VOL.44, NO.8, AUGU
ST 1997). Although this can be said to be a useful method as one of the analysis methods, an increase in drive voltage cannot be avoided.

【0011】[0011]

【発明の目的】本発明は、以上の事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、陰極に接する電子注入層を金
属ドーピング層とすることで、素子の駆動電圧を低下さ
せるだけでなく、駆動電圧が該金属ドーピング層の層厚
に依存しないことを利用して、発光スペクトル制御層と
しても機能させる有機EL素子を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention not only to reduce the driving voltage of the device but also to make the electron injection layer in contact with the cathode a metal doping layer. Another object of the present invention is to provide an organic EL device that also functions as an emission spectrum control layer by utilizing that a driving voltage does not depend on the thickness of the metal doping layer.

【0012】[0012]

【発明の概要】本発明は、陰極に接する有機化合物層を
ドナー(電子供与性)ドーパントとして機能する金属で
ドーピングすると、陰極から有機化合物層への電子注入
障壁が小さくなり、さらに該金属ドーピング層の層厚を
厚くしても駆動電圧が上昇しないことを見い出して完成
されたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, when an organic compound layer in contact with a cathode is doped with a metal functioning as a donor (electron-donating) dopant, an electron injection barrier from the cathode to the organic compound layer is reduced. Have been completed by finding that the drive voltage does not increase even if the layer thickness is increased.

【0013】すなわち本発明は、有機EL素子の態様で
は、対向する陽極電極と陰極電極の間に、有機化合物か
ら構成される少なくとも一層の発光層を有する有機EL素
子において、陰極電極との界面に、ドナードーパントと
して機能する金属でドーピングした有機化合物層を金属
ドーピング層として有し、この金属ドーピング層の層厚
によって、本有機エレクトロルミネッセント素子が射出
する光の発光スペクトルが制御されていることを特徴と
している。
That is, according to the present invention, in an organic EL device, an organic EL device having at least one light-emitting layer composed of an organic compound between opposing anode and cathode electrodes, wherein Having an organic compound layer doped with a metal functioning as a donor dopant as a metal doping layer, and the emission spectrum of light emitted by the organic electroluminescent device is controlled by the thickness of the metal doping layer. It is characterized by.

【0014】このように金属ドーピング層の層厚を変化
させると、反射鏡として作用する陰極と発光層との間の
光学的層厚(層厚の光路長;層厚×屈折率)が変化する
ため、光の干渉効果が発現して素子が射出する光の発光
スペクトルを制御することができる。別言すると、陰極
に接する電子注入層に金属ドーピング層を用いると、素
子の駆動電圧が金属ドーピング層の層厚に依存しなくな
るため、素子特性を犠牲にすることなく、光の干渉効果
を利用して色純度の向上のみならず、様々の色調の光を
金属ドーピング層の層厚調整により得ることができる。
すなわち、金属ドーピング層の層厚を厚くしても、駆動
電圧を上げることなく色純度の向上や色調の変更が可能
である。
When the layer thickness of the metal doping layer is changed in this manner, the optical layer thickness (optical path length of the layer thickness; layer thickness × refractive index) between the cathode acting as a reflecting mirror and the light emitting layer changes. Therefore, the emission spectrum of light emitted from the element due to the light interference effect can be controlled. In other words, if a metal doping layer is used as the electron injection layer in contact with the cathode, the driving voltage of the device does not depend on the thickness of the metal doping layer, and the light interference effect is used without sacrificing device characteristics. As a result, not only the improvement of the color purity but also the light of various colors can be obtained by adjusting the thickness of the metal doping layer.
That is, even if the thickness of the metal doping layer is increased, the color purity can be improved and the color tone can be changed without increasing the driving voltage.

【0015】ドナードーパントとして機能する金属は、
より具体的には、仕事関数が4.2eV以下のアルカリ
金属、アルカリ土類金属、稀土類金属を含む遷移金属の
いずれか一つ以上から構成することができる。
The metal functioning as a donor dopant is
More specifically, it can be composed of one or more of transition metals including an alkali metal, an alkaline earth metal, and a rare earth metal having a work function of 4.2 eV or less.

【0016】また、金属ドーピング層中の金属のモル比
率が有機化合物に対して0.1〜10の範囲内であるこ
とが好ましく、金属ドーピング層の厚さは、特に制限は
ないが500Å以上とすることで光の干渉効果を発現さ
せることが可能となる。その層厚には基本的に制限はな
く、1μmを超えても何ら差支えはない。
Further, the molar ratio of the metal in the metal doping layer to the organic compound is preferably in the range of 0.1 to 10, and the thickness of the metal doping layer is not particularly limited, but is not less than 500 °. By doing so, it becomes possible to express a light interference effect. There is basically no limitation on the layer thickness, and there is no problem even if it exceeds 1 μm.

【0017】また、金属ドーピング層の有機化合物に、
ドーピングする金属のイオンに対して配位子としての機
能(該金属イオンに配位結合し得る機能)を有する分子
を使用すれば、前述の還元反応がより効果的に起こり、
且つ安定な状態で存在出来るので特に好適に使用するこ
とが出来る。
Further, the organic compound of the metal doping layer includes
If a molecule having a function as a ligand for a metal ion to be doped (a function capable of coordinating with the metal ion) is used, the above-described reduction reaction occurs more effectively,
In addition, since it can exist in a stable state, it can be used particularly preferably.

【0018】本発明による有機EL素子は、金属ドーピン
グ層として、各エリア内の層厚が互いに異なる分割エリ
アを設けることができる。このような分割エリアを設け
れば、分割エリア毎に発光スペクトルが異なる有機EL素
子を得ることができる。分割エリアの層厚は、各分割エ
リアで特定の発光スペクトルが得られるように制御す
る。このような分割エリアは、例えばマトリックス状に
整列している多数の画素群とすることができる。
In the organic EL device according to the present invention, divided areas having different layer thicknesses in each area can be provided as metal doping layers. By providing such divided areas, an organic EL device having a different emission spectrum for each divided area can be obtained. The layer thickness of each divided area is controlled so that a specific emission spectrum is obtained in each divided area. Such a divided area can be, for example, a large number of pixel groups arranged in a matrix.

【0019】また、本発明は、複数の有機EL素子群の態
様では、対向する陽極電極と陰極電極の間に、有機化合
物から構成される少なくとも一層の発光層を有する有機
エレクトロルミネッセント素子群において、各有機エレ
クトロルミネッセント素子はそれぞれ、陰極電極との界
面に、ドナー(電子供与性)ドーパントとして機能する
金属でドーピングした有機化合物層を金属ドーピング層
として有し、各有機エレクトロルミネッセント素子の金
属ドーピング層の層厚は、各有機エレクトロルミネッセ
ント素子が射出する光の発光スペクトルが異なるように
それぞれ制御されていることを特徴としている。
Further, according to the present invention, in an embodiment of a plurality of organic EL element groups, an organic electroluminescent element group having at least one light emitting layer composed of an organic compound between opposed anode and cathode electrodes. , Each organic electroluminescent element has, at the interface with the cathode electrode, an organic compound layer doped with a metal functioning as a donor (electron donating) dopant as a metal doping layer. The thickness of the metal doping layer of the device is controlled so that the emission spectrum of light emitted from each organic electroluminescent device is different.

【0020】さらに、本発明は、有機EL素子の発光ス
ペクトルの制御方法の態様では、対向する陽極電極と陰
極電極の間に、有機化合物から構成される少なくとも一
層の発光層を有し、陰極電極の上記発光層側の界面に、
ドナー(電子供与性)ドーパントとして機能する金属で
ドーピングした有機化合物層を金属ドーピング層として
有する有機エレクトロルミネッセント素子において、金
属ドーピング層の層厚を変化させることにより、本有機
エレクトロルミネッセント素子が射出する光の発光スペ
クトルを制御することを特徴としている。金属ドーピン
グ層の層厚を変化させ発光スペクトルを変化させた複数
の有機エレクトロルミネッセント素子は、層厚に拘わら
ず略同一の駆動電圧で駆動することができる。
Further, according to the present invention, in an aspect of a method for controlling an emission spectrum of an organic EL device, at least one light-emitting layer composed of an organic compound is provided between an opposed anode electrode and a cathode electrode. At the interface on the light emitting layer side of
In an organic electroluminescent device having an organic compound layer doped with a metal functioning as a donor (electron donating) dopant as a metal doping layer, by changing the thickness of the metal doping layer, the present organic electroluminescent device Is characterized by controlling the emission spectrum of the light emitted from it. A plurality of organic electroluminescent devices in which the emission spectrum is changed by changing the layer thickness of the metal doping layer can be driven at substantially the same drive voltage regardless of the layer thickness.

【0021】[0021]

【発明の実施形態】図1は、本発明による有機EL素子
の一実施形態を示す模式図である。ガラス基板(透明基
板)1上には、順に、陽極電極を構成する透明電極2、
正孔輸送性を有する正孔輸送層3、発光層4、金属ドー
ピング層5および陰極電極6を積層してなっている。こ
れらの要素(層)のうち、ガラス基板(透明基板)1、
透明電極2、正孔輸送層3、発光層4、および陰極電極
6は周知の要素であり、金属ドーピング層5が本発明で
提案した要素(層)である。有機EL素子の具体的な積層
構成としては、この他、陽極/発光層/金属ドーピング
層/陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/金属ドーピング
層/陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/金
属ドーピング層/陰極、陽極/正孔注入層/発光層/金
属ドーピング層/陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層
/発光層/金属ドーピング層/陰極、陽極/正孔注入層
/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/金属ドーピング層
/陰極、などが挙げられるが、本発明による有機EL素
子は、金属ドーピング層5を陰極電極6との界面に有す
るものであればいかなる素子構成であってもよい。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of an organic EL device according to the present invention. On a glass substrate (transparent substrate) 1, a transparent electrode 2 constituting an anode electrode,
A hole transporting layer 3 having a hole transporting property, a light emitting layer 4, a metal doping layer 5, and a cathode electrode 6 are laminated. Among these elements (layers), a glass substrate (transparent substrate) 1
The transparent electrode 2, the hole transport layer 3, the light emitting layer 4, and the cathode electrode 6 are well-known elements, and the metal doping layer 5 is an element (layer) proposed in the present invention. Specific examples of the laminated structure of the organic EL device include anode / light-emitting layer / metal-doped layer / cathode, anode / hole-transport layer / light-emitting layer / metal-doped layer / cathode, anode / hole-transport layer / light emission Layer / electron transport layer / metal doping layer / cathode, anode / hole injection layer / emission layer / metal doping layer / cathode, anode / hole injection layer / hole transport layer / emission layer / metal doping layer / cathode, anode / Hole injection layer / hole transport layer / emission layer / electron transport layer / metal doping layer / cathode, and the like. In the organic EL device according to the present invention, the metal doping layer 5 is provided at the interface with the cathode electrode 6. Any element configuration may be used as long as it has the same.

【0022】有機EL素子では、陰極から基本的に絶縁物
である有機化合物層への電子注入過程は、陰極表面での
有機化合物の還元、すなわちラジカルアニオン状態の形
成である(Phys. Rev. Lett., 14, 229 (1965))。本発
明の有機EL素子においては、予め有機化合物の還元剤と
なりうるドナー(電子供与性)ドーパント物質である金
属を陰極に接触する有機化合物層中にドーピングするこ
とにより、陰極電極からの電子注入に際するエネルギー
障壁を低下させることができる。金属ドーピング層5
は、このようにドナードーパントとして機能する金属を
ドーピングした有機化合物層である。金属ドーピング層
中には、すでにドーパントにより還元された状態(すな
わち電子を受容し、電子が注入された状態)の分子が存
在するので、電子注入エネルギー障壁が小さく、従来の
有機EL素子と比べて駆動電圧を低下できる。しかも陰極
には一般に配線材として用いられている安定なAlのよう
な金属を使用できる。この場合、ドナードーパントは有
機化合物を還元することのできるLi等のアルカリ金属、
Mg等のアルカリ土類金属、稀土類金属を含む遷移金属で
あれば特に限定はない。特に、仕事関数が4.2eV以下の
金属が好適に使用でき、具体例としてLi、Na、K、Rb、C
s、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Mg、Sm、Eu、Gd、Ybな
どが挙げられる。
In the organic EL device, the process of injecting electrons from the cathode into the organic compound layer, which is basically an insulator, is reduction of the organic compound on the surface of the cathode, that is, formation of a radical anion state (Phys. Rev. Lett.). ., 14, 229 (1965)). In the organic EL device of the present invention, a metal that is a donor (electron-donating) dopant substance that can be a reducing agent for an organic compound is doped in the organic compound layer in contact with the cathode in advance, so that electrons can be injected from the cathode electrode. Energy barrier can be reduced. Metal doping layer 5
Is an organic compound layer doped with a metal that functions as a donor dopant in this manner. In the metal doping layer, molecules already reduced by the dopant (that is, electrons are received and electrons are injected) are present, so the electron injection energy barrier is small, and compared with the conventional organic EL device. The drive voltage can be reduced. Moreover, a metal such as stable Al generally used as a wiring material can be used for the cathode. In this case, the donor dopant is an alkali metal such as Li capable of reducing an organic compound,
There is no particular limitation as long as it is a transition metal containing an alkaline earth metal such as Mg or a rare earth metal. In particular, metals having a work function of 4.2 eV or less can be suitably used, and specific examples thereof include Li, Na, K, Rb, and C.
s, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, La, Mg, Sm, Eu, Gd, Yb and the like.

【0023】金属ドーピング層中のドーパント濃度は、
金属ドーピング層中のドナードーパントのモル比率が有
機化合物に対して0.1〜10であることが好ましい。
0.1未満では、ドーパントにより還元された分子(以
下、還元分子)の濃度が低すぎドーピングの効果が小さ
く、10を超えると、膜中の金属濃度が有機分子濃度を
はるかに超え、還元分子の濃度が極端に低下するので、
ドーピングの効果も下がる。また、この金属ドーピング
層の厚みは、基本的には上限がない。
The dopant concentration in the metal doping layer is:
It is preferable that the molar ratio of the donor dopant in the metal doping layer is 0.1 to 10 with respect to the organic compound.
If it is less than 0.1, the concentration of the molecule reduced by the dopant (hereinafter referred to as “reduced molecule”) is too low, and the doping effect is small. If it exceeds 10, the metal concentration in the film far exceeds the organic molecule concentration, Because the concentration of
The effect of doping is also reduced. The thickness of the metal doping layer has basically no upper limit.

【0024】金属ドーピング層5の成膜法は、いかなる
薄膜形成法であってもよく、たとえば蒸着法やスパッタ
法が使用できる。また、溶液からの塗布で薄膜形成が可
能な場合には、スピンコーティング法やディップコーテ
ィング法などの溶液からの塗布法が使用できる。この場
合、ドーピングされる有機化合物とドーパントを不活性
なポリマー中に分散して用いてもよい。
The metal doping layer 5 may be formed by any thin film forming method, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. When a thin film can be formed by application from a solution, an application method from a solution such as spin coating or dip coating can be used. In this case, the organic compound to be doped and the dopant may be dispersed and used in an inert polymer.

【0025】発光層、電子輸送層、金属ドーピング層と
して使用できる有機化合物としては、特に限定はない
が、p-テルフェニルやクアテルフェニルなどの多環化合
物およびそれらの誘導体、ナフタレン、テトラセン、ピ
レン、コロネン、クリセン、アントラセン、ジフェニル
アントラセン、ナフタセン、フェナントレンなどの縮合
多環炭化水素化合物及びそれらの誘導体、フェナントロ
リン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、フェナ
ントリジン、アクリジン、キノリン、キノキサリン、フ
ェナジンなどの縮合複素環化合物およびそれらの誘導体
や、フルオロセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフ
タロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペ
リノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジ
エン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサ
ゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、キナ
クリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体などを挙げ
ることができる。
The organic compound which can be used as the light emitting layer, the electron transporting layer and the metal doping layer is not particularly limited, but includes polycyclic compounds such as p-terphenyl and quaterphenyl and derivatives thereof, naphthalene, tetracene and pyrene. , Coronene, chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene, condensed polycyclic hydrocarbon compounds such as phenanthrene and derivatives thereof, phenanthroline, bathophenanthroline, bathocuproine, phenanthridine, acridine, quinoline, quinoxaline, condensed heterocyclic compounds such as phenazine And their derivatives, fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthalopallylene, perinone, phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazo Le, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinyl anthracene, diaminocarbazole,
Examples include pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, quinacridone, rubrene, and derivatives thereof.

【0026】また、特開昭63-295695号公報、特開平8-2
2557号公報、特開平8-81472号公報、特開平5-9470号公
報、特開平5-17764号公報に開示されている金属キレー
ト錯体化合物、特に金属キレート化オキサノイド化合物
では、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム、ビス
(8-キノリノラト)マグネシウム、ビス[ベンゾ(f)-
8-キノリノラト]亜鉛、ビス(2-メチル-8-キノリノラ
ト)アルミニウム、トリス(8-キノリノラト)インジウ
ム、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウ
ム、8-キノリノラトリチウム、トリス(5-クロロ-8-キ
ノリノラト)ガリウム、ビス(5-クロロ-8-キノリノラ
ト)カルシウムなどの8-キノリノラトあるいはその誘導
体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体が好適
に使用される。
Further, JP-A-63-295695, JP-A-8-2
No. 2557, JP-A-8-81472, JP-A-5-9470, and JP-A-5-17764, tris (8-quinolinolato) is a metal chelate complex compound, particularly a metal chelated oxanoid compound. ) Aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis [benzo (f)-
8-quinolinolato] zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro) A metal complex having at least one of 8-quinolinolato or a derivative thereof such as -8-quinolinolato) gallium and bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium as a ligand is preferably used.

【0027】特開平5-202011号公報、特開平7-179394号
公報、特開平7-278124号公報、特開平7-228579号公報に
開示されているオキサジアゾール類、特開平7-157473号
公報に開示されているトリアジン類、特開平6-203963号
公報に開示されているスチルベン誘導体およびジスチリ
ルアリーレン誘導体、特開平6-132080号公報や特開平6-
88072号公報に開示されているスチリル誘導体、特開平6
-100857号公報や特開平6-207170号公報に開示されてい
るジオレフィン誘導体も発光層、電子輸送層、金属ドー
ピング層として好ましい。
Oxadiazoles disclosed in JP-A-5-202011, JP-A-7-179394, JP-A-7-278124, JP-A-7-228579, JP-A-7-157473 JP-A-6-32080 and JP-A-6-320396, the triazines disclosed in JP-A-6-203963, the stilbene derivatives and distyrylarylene derivatives disclosed in JP-A-6-203963
Styryl derivatives disclosed in 88072, JP-A-6
The diolefin derivatives disclosed in JP-A-100857 and JP-A-6-207170 are also preferable as the light emitting layer, the electron transport layer, and the metal doping layer.

【0028】さらに、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチ
アゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤も
使用でき、例えば、特開昭59-194393号公報に開示され
ているものが挙げられる。その代表例としては、2,5-ビ
ス(5,7-ジ-t-ベンチル-2-ベンゾオキサゾリル)-1,3,4
-チアジアゾール、4,4'-ビス(5,7-t-ペンチル-2-ベン
ゾオキサゾリル)スチルベン、4,4'-ビス[5,7-ジ-(2-
メチル-2-ブチル)-2-ベンゾオキサゾリル]スチルベ
ン、2,5-ビス(5.7-ジ-t-ペンチル-2-ベンゾオキサゾリ
ル)チオフェン、2,5-ビス[5-(α,α-ジメチルベンジ
ル)-2-ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,5-ビス
[5,7-ジ-(2-メチル-2-ブチル)-2-ベンゾオキサゾリ
ル]-3,4-ジフェニルチオフェン、2,5-ビス(5-メチル-
2-ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4'-ビス(2-ベ
ンゾオキサゾリル)ビフェニル、5-メチル-2-{2-[4-
(5-メチル-2-ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニ
ル}ベンゾオキサゾール、2-[2-(4-クロロフェニル)
ビニル]ナフト(1,2-d)オキサゾールなどのベンゾオキ
サゾール系、2,2'-(p-フェニレンジピニレン)-ビスベン
ゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2-{2-[4-
(2-ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル}ベンゾイ
ミダゾール、2-[2-(4-カルボキシフェニル)ビニル]
ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾール系などの
蛍光増白剤が挙げられる。
Further, fluorescent brighteners such as benzoxazole, benzothiazole, and benzimidazole can be used, and examples thereof include those disclosed in JP-A-59-194393. As a typical example, 2,5-bis (5,7-di-t-bentyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4
-Thiadiazole, 4,4'-bis (5,7-t-pentyl-2-benzooxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-
Methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5.7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5- (α, α-Dimethylbenzyl) -2-benzoxazolyl] thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenyl Thiophene, 2,5-bis (5-methyl-
2-benzoxazolyl) thiophene, 4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- {2- [4-
(5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl} benzoxazole, 2- [2- (4-chlorophenyl)
Benzoxazoles such as vinyl] naphtho (1,2-d) oxazole, benzothiazoles such as 2,2 '-(p-phenylenedipinylene) -bisbenzothiazole, 2- {2- [4-
(2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl} benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl]
Fluorescent whitening agents such as benzimidazoles such as benzimidazole are exemplified.

【0029】ジスチリルベンゼン系化合物としては、例
えば欧州特許第0373582号明細書に開示されているもの
を用いることができる。その代表例としては、1,4-ビス
(2-メチルスチリル)ベンゼン、1,4-ビス(3-メチルス
チリル)ベンゼン、1,4-ビス(4-メチルスチリル)ベン
ゼン、ジスチリルベンゼン、1,4-ビス(2-エチルスチリ
ル)ベンゼン、1,4-ビス(3-エチルスチリル)ベンゼ
ン、1,4-ビス(2-メチルスチリル)-2-メチルベンゼ
ン、1,4-ビス(2-メチルスチリル)-2-エチルベンゼン
などが挙げられる。
As the distyrylbenzene compound, for example, those disclosed in European Patent No. 0 375 382 can be used. Typical examples are 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene, 1,4-bis (2- Methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like.

【0030】また、特開平2-252793号公報に開示されて
いるジスチリルピラジン誘導体も発光層、電子輸送層、
金属ドーピング層として用いることができる。その代表
例としては、2,5-ビス(4-メチルスチリル)ピラジン、
2,5-ビス(4-エチルスチリル)ピラジン、2,5-ビス[2-
(1-ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5-ビス(4-メトキ
シスチリル)ピラジン、2,5-ビス[2-(4-ビフェニル)
ビニル]ピラジン、2,5-ビス[2-(1-ピレニル)ビニ
ル]ピラジンなどが挙げられる。
Further, a distyrylpyrazine derivative disclosed in JP-A-2-252793 is also used as a light emitting layer, an electron transport layer,
It can be used as a metal doping layer. Typical examples are 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine,
2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, 2,5-bis [2-
(1-Naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl)
Vinyl] pyrazine, 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine and the like.

【0031】その他、欧州特許第388768号明細書や特開
平3-231970号公報に開示されているジメチリディン誘導
体を発光層、電子輸送層、金属ドーピング層の材料とし
て用いることもできる。その代表例としては、1,4-フェ
ニレンジメチリディン、4,4'-フェニレンジメチリディ
ン、2,5-キシリレンジメチリディン、2,6-ナフチレンジ
メチリディン、1,4-ビフェニレンジメチリディン、1,4-
p-テレフェニレンジメチリディン、9,10-アントラセン
ジイルジメチリディン、4,4'-(2,2-ジ-t-ブチルフェニ
ルビニル)ビフェニル、4,4'-(2,2-ジフェニルビニル)
ビフェニルなど、及びこれらの誘導体や、特開平6-4907
9号公報、特開平6-293778号公報に開示されているシラ
ナミン誘導体、特開平6-279322号公報、特開平6-279323
号公報に開示されている多官能スチリル化合物、特開平
6-107648号公報や特開平6-92947号公報に開示されてい
るオキサジアゾール誘導体、特開平6-206865号公報に開
示されているアントラセン化合物、特開平6-145146号公
報に開示されているオキシネイト誘導体、特開平4-9699
0号公報に開示されているテトラフェニルブタジエン化
合物、特開平3-296595号公報に開示されている有機三官
能化合物、さらには、特開平2-191694号公報に開示され
ているクマリン誘導体、特開平2-196885号公報に開示さ
れているペリレン誘導体、特開平2-255789号に開示され
ているナフタレン誘導体、特開平2-289676号及び特開平
2-88689号公報に開示されているフタロペリノン誘導
体、特開平2-250292号公報に開示されているスチリルア
ミン誘導体などが挙げられる。さらに、従来有機EL素子
の作製に使用されている公知のものを適宜用いることが
できる。
In addition, dimethylidin derivatives disclosed in European Patent No. 388768 and JP-A-3-231970 can be used as a material for a light emitting layer, an electron transport layer and a metal doping layer. Typical examples are 1,4-phenylenedimethylidin, 4,4'-phenylenedimethylidin, 2,5-xylylenedimethylidin, 2,6-naphthylenedimethylidin, 1,4-biphenylene Dimethylidin, 1,4-
p-Telephenylenedimethylidin, 9,10-anthracenediyldimethylidin, 4,4 '-(2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl, 4,4'-(2,2-diphenylvinyl )
Biphenyl and the like and derivatives thereof, and JP-A-6-4907
No. 9, JP-A-6-293778, silanamin derivatives disclosed in JP-A-6-279322, JP-A-6-279323
Patent Application Publication No.
Oxadiazole derivatives disclosed in JP-A-6-107648 and JP-A-6-92947, anthracene compounds disclosed in JP-A-6-206865, and disclosed in JP-A-6-145146 Oxynate derivatives, JP-A-4-9699
0, a triphenylbutadiene compound disclosed in JP-A-3-296595, and a coumarin derivative disclosed in JP-A-2-191694, 2-196885, perylene derivatives disclosed in JP-A-2-255789, naphthalene derivatives disclosed in JP-A-2-289676, JP-A-2-289676 and
Examples thereof include a phthaloperinone derivative disclosed in JP-A-2-88689 and a styrylamine derivative disclosed in JP-A-2-250292. Further, a known device conventionally used for manufacturing an organic EL device can be appropriately used.

【0032】正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送性発光
層として使用されるアリールアミン化合物類としては、
特に限定はないが、特開平6-25659号公報、特開平6-203
963号公報、特開平6-215874号公報、特開平7-145116号
公報、特開平7-224012号公報、特開平7-157473号公報、
特開平8-48656号公報、特開平7-126226号公報、特開平7
-188130号公報、特開平8-40995号公報、特開平8-40996
号公報、特開平8-40997号公報、特開平7-126225号公
報、特開平7-101911号公報、特開平7-97355号公報に開
示されているアリールアミン化合物類が好ましく、例え
ば、N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノフェニ
ル、N,N'-ジフェニル-N,N'-ジ(3-メチルフェニル)-4,
4'-ジアミノビフェニル、2,2-ビス(4-ジ-p-トリルアミ
ノフェニル)プロパン、N,N,N',N'-テトラ-p-トリル-4,
4'-ジアミノビフェニル、ビス(4-ジ-p-トリルアミノフ
ェニル)フェニルメタン、N,N'-ジフェニル-N,N'-ジ(4
-メトキシフェニル)-4,4'-ジアミノビフェニル、N,N,
N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノジフェニルエーテ
ル、4,4'-ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニ
ル、4-N,N-ジフェニルアミノ-(2-ジフェニルビニル)
ベンゼン、3-メトキシ-4'-N,N-ジフェニルアミノスチル
ベンゼン、N-フェニルカルバゾール、1,1-ビス(4-ジ-
p-トリアミノフェニル)-シクロヘキサン、1,1-ビス(4
-ジ-p-トリアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサ
ン、ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェ
ニルメタン、N,N,N-トリ(p-トリル)アミン、4-(ジ-p
-トリルアミノ)-4'-[4(ジ-p-トリルアミノ)スチリ
ル]スチルベン、N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジア
ミノ-ビフェニルN-フェニルカルバゾール、4,4'-ビス
[N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル、
4,4''-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ]p-
ターフェニル、4,4'-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニ
ル-アミノ]ビフェニル、4,4'-ビス[N-(3-アセナフテ
ニル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル、1,5-ビス[N-
(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ナフタレン、4,4'
-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニル-アミノ]ビフ
ェニル、4,4''-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニル-
アミノ]p-ターフェニル、4,4'-ビス[N-(2-フェナン
トリル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル、4,4'-ビス
[N-(8-フルオランテニル)-フェニル-アミノ]ビフェ
ニル、4,4'-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニル-アミ
ノ]ビフェニル、4,4'-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フ
ェニル-アミノ]ビフェニル、4,4'-ビス[N-(1-コロネ
ニル)-N- フェニル-アミノ]ビフェニル、2,6-ビス
(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン、2,6-ビス[ジ-(1-
ナフチル)アミノ]ナフタレン、2,6-ビス[N-(1-ナフ
チル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン、4.4''-
ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミノ]ターフェニル、4.
4'-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)フェニル]
アミノ}ビフェニル、4,4'-ビス[N-フェニル-N-(2-ピ
レニル)- アミノ]ビフェニル、2,6-ビス[N,N-ジ(2-
ナフチル)アミノ]フルオレン、4,4''-ビス(N,N-ジ-p
-トリルアミノ)ターフェニル、ビス(N-1-ナフチル)
(N-2-ナフチル)アミンなどがある。さらに、従来有機
EL素子の作製に使用されている公知のものを適宜用いる
ことができる。
The arylamine compounds used as the hole injecting layer, the hole transporting layer, and the hole transporting light emitting layer include:
Although not particularly limited, JP-A-6-25659, JP-A-6-203
No. 963, JP-A-6-215874, JP-A-7-145116, JP-A-7-224012, JP-A-7-157473,
JP-A-8-48656, JP-A-7-126226, JP-A-7
-188130, JP-A-8-40995, JP-A-8-40996
Publication, JP-A-8-40997, JP-A-7-122225, JP-A-7-101911, and arylamine compounds disclosed in JP-A-7-97355 are preferable, for example, N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,
4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,
4'-diaminobiphenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, N'-di (4
-Methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N,
N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl, 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl)
Benzene, 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-di-
p-triaminophenyl) -cyclohexane, 1,1-bis (4
-Di-p-triaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) -phenylmethane, N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di- p
-Tolylamino) -4 '-[4 (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diamino-biphenylN-phenylcarbazole, 4,4 ' -Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl,
4,4 ''-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] p-
Terphenyl, 4,4'-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 1 , 5-bis [N-
(1-Naphthyl) -N-phenyl-amino] naphthalene, 4,4 '
-Bis [N- (9-anthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4 ''-bis [N- (1-anthryl) -N-phenyl-
Amino] p-terphenyl, 4,4'-bis [N- (2-phenanthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (8-fluoranthenyl) -phenyl-amino ] Biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-pyrenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4 , 4'-Bis [N- (1-coronenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 2,6-bis (di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis [di- (1-
Naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] naphthalene, 4.4 ''-
Bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4.
4'-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) phenyl]
Amino dibiphenyl, 4,4'-bis [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) -amino] biphenyl, 2,6-bis [N, N-di (2-
Naphthyl) amino] fluorene, 4,4 ''-bis (N, N-di-p
-Tolylamino) terphenyl, bis (N-1-naphthyl)
(N-2-naphthyl) amine and the like. In addition, conventional organic
A known device used for manufacturing an EL element can be used as appropriate.

【0033】さらに、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸
送性発光層として、上述の有機化合物をポリマー中に分
散したものや、ポリマー化したものも使用できる。ポリ
パラフェニレンビニレンやその誘導体などのいわゆるπ
共役ポリマー、ポリ(N-ビニルカルバゾール)に代表さ
れるホール輸送性非共役ポリマー、ポリシラン類のシグ
マ共役ポリマーも用いることができる。
Further, as the hole injecting layer, the hole transporting layer, and the hole transporting light emitting layer, those in which the above-mentioned organic compound is dispersed in a polymer or those in which a polymer is formed can be used. So-called π such as polyparaphenylene vinylene and its derivatives
Conjugated polymers, hole-transporting non-conjugated polymers represented by poly (N-vinylcarbazole), and sigma-conjugated polymers such as polysilanes can also be used.

【0034】ITO電極上に形成する正孔注入層として
は、特に限定はないが、銅フタロシアニンなどの金属フ
タロシアニン類および無金属フタロシアニン類、カーボ
ン膜、ポリアニリンなどの導電性ポリマーが好適に使用
できる。さらに、前述のアリールアミン類に酸化剤とし
てルイス酸を作用させ、ラジカルカチオンを形成させて
正孔注入層として用いることもできる。
The hole injection layer formed on the ITO electrode is not particularly limited, but metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and non-metal phthalocyanines, carbon films, and conductive polymers such as polyaniline can be suitably used. Further, the arylamines described above can be reacted with a Lewis acid as an oxidizing agent to form radical cations and be used as a hole injection layer.

【0035】陰極電極には、空気中で安定に使用できる
金属であれば限定はないが、特に配線電極として一般に
広く使用されているアルミニウムが好ましい。
The cathode electrode is not limited as long as it is a metal that can be used stably in the air. In particular, aluminum, which is generally widely used as a wiring electrode, is preferable.

【0036】[実施例]以下に実施例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。なお、有機化合物および金属の蒸着には、真空機工
社製VPC-400真空蒸着機を使用し、層厚の測定はスロー
ン社製DekTak3ST触針式段差計を用いた。素子の特性評
価には、ケースレー社ソースメータ2400、トプコンBM-8
輝度計を使用した。ITOを陽極、Alを陰極として直流電
圧を1V/2秒の割合でステップ状に印加し、電圧上昇1
秒後の輝度および電流値を測定した。また、ELスペクト
ルは浜松ホトニクスPMA-11オプチカルマルチチャンネル
アナライザーを使用して定電流駆動し測定した。
[Examples] The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, VPC-400 vacuum vapor deposition machine manufactured by Vacuum Kiko Co., Ltd. was used for vapor deposition of the organic compound and metal, and DekTak3ST stylus type step meter manufactured by Sloan Co., Ltd. was used for measuring the layer thickness. For element characteristics evaluation, Keithley SourceMeter 2400, Topcon BM-8
A luminance meter was used. DC voltage is applied stepwise at a rate of 1 V / 2 seconds with ITO as the anode and Al as the cathode, and the voltage rises 1
After 2 seconds, the luminance and the current value were measured. The EL spectrum was measured with a constant current drive using a Hamamatsu Photonics PMA-11 optical multichannel analyzer.

【0037】実施例1 図1の積層構成の有機EL素子に本発明を適用したもので
ある。ガラス基板1上に、陽極透明電極2として、シー
ト抵抗20Ω/□のITO(インジウム-スズ 酸化物、三容
真空社製スパッタ蒸着品)がコートされている。その上
に正孔輸送性を有する下記式(1):
Example 1 The present invention is applied to the organic EL device having the laminated structure shown in FIG. A glass substrate 1 is coated with ITO (indium-tin oxide, sputter deposited by Sanyo Vacuum Co., Ltd.) having a sheet resistance of 20Ω / □ as an anode transparent electrode 2. The following formula (1) having a hole transport property thereon:

【化1】 で表されるαNPDを10-6torr下で、2Å/秒の蒸着速度
で500Åの厚さに成膜し、正孔輸送層3を形成した。次
に、前記正孔輸送層3の上に、発光層4として緑色発光
を有する下記式(2):
Embedded image Was formed at a deposition rate of 2 ° / sec to a thickness of 500 ° at 10 -6 torr to form a hole transport layer 3. Next, the following formula (2) having green light emission as the light emitting layer 4 on the hole transport layer 3:

【化2】 で表されるトリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯
体層(以下「Alq」という)4を正孔輸送層3と同じ条
件で400Åの厚さに真空蒸着して形成した。次に、前記
発光層4の上に金属ドーピング層5として、下記式
(3):
Embedded image A tris (8-quinolinolato) aluminum complex layer (hereinafter referred to as “Alq”) 4 represented by the following formula was formed by vacuum evaporation to a thickness of 400 ° under the same conditions as the hole transport layer 3. Next, as a metal doping layer 5 on the light emitting layer 4, the following formula (3):

【化3】 で示されるバソフェナントロリンとLiをモル比で1:1
となるように各々の蒸着速度を調整して300Å成膜し
た。最後に、前記金属ドーピング層5の上に陰極電極6
としてAlを蒸着速度10Å/秒で1000Å蒸着した。発光領
域は縦0.5cm、横0.5cmの正方形状とした。前記の有機EL
素子において、陽極電極であるITOと陰極電極であるAl
6との間に、直流電圧を印加し、発光層Alq4からの緑色
発光の輝度を測定した。図2、図3中の丸プロットは輝
度−電圧特性、輝度−電流密度特性を示すもので、最高
28000cd/m2の高輝度を11Vにおいて示した。こ
のときの電流密度は600mA/cm2あった。また、100
0cd/m2の輝度は7Vで得られた。また発光スペクトル
を観察するとAlqの蛍光スペクトルと一致した(図4の
実線)。
Embedded image 1: 1 molar ratio of bathophenanthroline and Li represented by
The deposition rate was adjusted so as to obtain a film of 300 °. Finally, a cathode electrode 6 is formed on the metal doping layer 5.
Was deposited at a deposition rate of 10 ° / sec to 1000 °. The light emitting region was a square having a length of 0.5 cm and a width of 0.5 cm. The above organic EL
In the device, ITO as the anode electrode and Al as the cathode electrode
6, a DC voltage was applied, and the luminance of green light emission from the light emitting layer Alq4 was measured. The circle plots in FIGS. 2 and 3 show the luminance-voltage characteristics and the luminance-current density characteristics, in which a high luminance of 28000 cd / m 2 at the maximum is shown at 11V. The current density at this time was 600 mA / cm 2 . Also, 100
A luminance of 0 cd / m 2 was obtained at 7V. Observation of the emission spectrum was consistent with the fluorescence spectrum of Alq (solid line in FIG. 4).

【0038】比較例1 実施例1と同じく、ITO上にまず正孔輸送層としてαNPD
を500Åの厚さに成膜し、その上に、発光層としてAl
qを正孔輸送層と同じ条件で700Åの厚さに真空蒸着して
形成した。そして、Alqの上から陰極としてAlを1000Å
蒸着した。図2、図3の三角プロットはこの素子の輝度
-電圧特性、輝度-電流密度特性を示すものであり、15V
で最高4700cd/m2の輝度しか与えなかった。また、1
000cd/m2の輝度を得るのに、13Vを印加する必要があ
った。この実験から駆動電圧を下げるのに金属ドーピン
グ層5が有効であることがわかる。
Comparative Example 1 As in Example 1, αNPD was first formed on ITO as a hole transport layer.
Is formed to a thickness of 500 °, and Al is formed thereon as a light emitting layer.
q was formed by vacuum evaporation to a thickness of 700 mm under the same conditions as the hole transport layer. Then, Al is used as a cathode from above
Evaporated. The triangle plots in FIGS. 2 and 3 show the luminance of this element.
-Indicates voltage characteristics, luminance-current density characteristics, 15V
Gave a maximum brightness of 4700 cd / m 2 . Also, 1
13 V had to be applied to obtain a luminance of 000 cd / m 2 . This experiment shows that the metal doping layer 5 is effective in lowering the driving voltage.

【0039】実施例2 実施例1と同じく、ITO上に、正孔輸送層3としてαNPD
を500Å、発光層4としてAlqを400Å真空蒸着し
た後、バソフェナントロリンとLiをモル比で1:1とな
るように各々の蒸着速度を調整して1900Å、480
0Å、10000Å(1μm)の3種類の層厚の金属ド
ーピング層をそれぞれ成膜した。その上から、該3種類
の素子に陰極電極6として、Alを1000Å蒸着し素子を作
製した。これらの素子の電圧−電流特性を図5に示し
た。図中、A、B、Cは、金属ドーピング層の層厚が、
それぞれ1900Å、4800Å、10000Å(1μm)の素子特
性を示すプロットである。
Example 2 In the same manner as in Example 1, αNPD was formed as a hole transport layer 3 on ITO.
Is vacuum-deposited at 500 ° and Alq is deposited at 400 ° as the light-emitting layer 4, and the respective deposition rates are adjusted so that the molar ratio of bathophenanthroline and Li is 1: 1 to 1900 ° and 480.
Metal doping layers having three different thicknesses of 0 ° and 10000 ° (1 μm) were formed. From above, Al was vapor-deposited on the three types of devices as the cathode electrode 6 at 1000 ° to produce devices. FIG. 5 shows the voltage-current characteristics of these devices. In the figure, A, B, and C indicate the thickness of the metal doping layer,
It is a plot which shows the device characteristic of 1900 degrees, 4800 degrees, and 10000 degrees (1 micrometer), respectively.

【0040】この実験から金属ドーピング層5の有機物
に、ドーピングする金属のイオンに対して配位子として
の機能を有するバソフェナントロリンを使用した態様で
は、層厚を厚くしても、素子の駆動電圧をまったく上昇
させないことが分かった。また発光スペクトルを観察す
ると陰極での反射光との干渉効果によってAlqからの発
光スペクトルが変化して、色純度や色調を制御できるこ
とが分かった。図4の点線は金属ドーピング層1900Åの
時の発光スペクトルを示し、300Å時と比較して色純度
が向上している。また図6のスペクトルの点線と実線は
それぞれ、金属ドーピング層の層厚が4800Åと10000Å
の時のスペクトルを示しており、陰極での反射光との干
渉効果によって、色調を大きく変化させることが可能で
あることが分かった。
According to this experiment, in the embodiment in which bathophenanthroline having a function as a ligand for the ion of the metal to be doped is used as the organic substance of the metal doping layer 5, even if the layer thickness is increased, the driving voltage of the device is increased. Did not rise at all. Observation of the emission spectrum showed that the emission spectrum from Alq changed due to the interference effect with the reflected light at the cathode, and that the color purity and color tone could be controlled. The dotted line in FIG. 4 shows an emission spectrum when the metal doping layer is 1900 °, and the color purity is improved as compared with 300 °. The dotted and solid lines in the spectrum of FIG. 6 indicate that the thickness of the metal doping layer is 4800 ° and 10000 °, respectively.
This shows that the color tone can be largely changed by the interference effect with the reflected light from the cathode.

【0041】実施例3 実施例2と同じく、ITO上に、正孔輸送層3としてαNPD
を500Å、発光層4としてAlqを400Å真空蒸着した後、
下記式(4):
Example 3 As in Example 2, αNPD was formed as a hole transport layer 3 on ITO.
After vacuum-depositing 500 mm of Alq and 400 mm of Alq as the light-emitting layer 4,
The following equation (4):

【化4】 で示されるバソクプロインとLiをモル比で1:1となる
ように各々の蒸着速度を調整して、1900Å、4800Å、10
000Å(1μm)の3種類の層厚の金属ドーピング層を
それぞれ成膜した。その上から、該3種類の素子に陰極
電極6として、Alを1000Å蒸着し素子を作製した。これ
らの素子の電圧−電流特性を図5のD、E、Fに示し
た。この実験から、ドーピングする金属のイオンに対し
て配位子としての機能を有するバソクプロインを用いて
該金属ドーピング層を形成し、その層厚を厚くしても、
バソフェナントロリンを使用した実施例2の場合と同様
に素子の駆動電圧をまったく上昇させないことが分かっ
た。また発光スペクトルを観察すると実施例2の場合と
同様に陰極での反射光との干渉効果によってAlqからの
発光スペクトルが変化して、色純度や色調を制御できる
ことが分かった。
Embedded image The evaporation rates were adjusted so that the molar ratio of bathocuproine and Li represented by 1 was 1: 1 and 19001, 4800Å, 10
Metal doping layers having three types of thicknesses of 000 ° (1 μm) were formed. From above, Al was vapor-deposited on the three types of devices as the cathode electrode 6 at 1000 ° to produce devices. The voltage-current characteristics of these devices are shown in FIGS. From this experiment, even if the metal doping layer is formed using bathocuproine having a function as a ligand for ions of the metal to be doped, and the layer thickness is increased,
As in the case of Example 2 using bathophenanthroline, it was found that the driving voltage of the device was not increased at all. Observation of the emission spectrum showed that the emission spectrum from Alq changed due to the effect of interference with the reflected light from the cathode as in the case of Example 2, and that the color purity and color tone could be controlled.

【0042】比較例1 実施例2、実施例3と同じく、ITO上に、正孔輸送層3
としてαNPDを500Å、発光層4としてAlq を400Å真空
蒸着した後、AlqとLiをモル比で1:1となるように各
々の蒸着速度を調整して300Å、800Åの2種類の層厚の
金属ドーピング層を、それぞれ成膜した。その上から、
該2種類の素子に陰極電極6として、Alを1000Å蒸着し
素子を作製した。これらの素子の電圧−電流特性を図5
のG、Hに示した。金属ドーピング層中の有機物をAlq
にした場合はバソフェナントロリンやバソクプロインと
比較して、該層厚を厚くしていくと徐々に駆動電圧が高
電圧にシフトしていき、層厚の電圧依存性が観察され
た。
Comparative Example 1 As in Examples 2 and 3, a hole transport layer 3 was formed on ITO.
After vacuum-depositing αNPD at 500 ° and Alq at 400 ° as the light emitting layer 4, adjust the respective deposition rates so that the molar ratio of Alq and Li is 1: 1. Doping layers were each formed. From above,
Al was vapor-deposited on the two types of elements as the cathode electrode 6 at 1000 ° to produce the elements. The voltage-current characteristics of these devices are shown in FIG.
G and H of FIG. Organic material in metal doping layer is Alq
In this case, as compared with bathophenanthroline and bathocuproine, the drive voltage gradually shifted to a higher voltage as the layer thickness was increased, and the voltage dependence of the layer thickness was observed.

【0043】このように金属ドーピング層中の有機物と
して、バソフェナントロリンやバソクプロインのよう
な、ドーピングする金属のイオンに対して配位子として
機能する化合物を使用すると、効果的に有機物の還元が
起こりラジカルアニオンを生成できるので、駆動電圧の
層厚依存性が消失し、発光スペクトルの制御を自由に行
えることが分かった。
As described above, when a compound such as bathophenanthroline or bathocuproine, which functions as a ligand for ions of the metal to be doped, is used as the organic substance in the metal doping layer, the organic substance is effectively reduced and radicals are reduced. It was found that since anions can be generated, the dependence of the driving voltage on the layer thickness disappears, and the emission spectrum can be controlled freely.

【0044】以上のように、本発明の有機EL素子による
と、金属ドーピング層の層厚を変化させることにより、
素子が射出する光の発光スペクトルの制御が可能であ
る。従って、本発明の有機EL素子は、金属ドーピング層
に、各エリア内の層厚が異なる分割エリアを設定するこ
とにより、分割エリア毎に発光色が異なる素子が得られ
る。さらに、分割エリアをマトリックス状に配置した多
数の画素群とし、画素毎に層厚を異ならせて発光色を変
化させることによりカラー表示が可能となる。例えば、
図7に示すように、R(赤)、G(緑)、B(青)を発
光するようにそれぞれの層厚を設定した3つの画素1
1、12、13を縦横に配列させる。そして、カラーC
RTディスプレイやカラー液晶ディスプレイ等で用いら
れている周知のカラー表示の手法によってこれらの画素
に選択的に駆動電圧を印加することにより、カラー画像
やカラー映像を表示させることができる。
As described above, according to the organic EL device of the present invention, by changing the thickness of the metal doping layer,
The emission spectrum of light emitted from the element can be controlled. Therefore, in the organic EL device of the present invention, by setting divided areas having different layer thicknesses in each area in the metal doping layer, an element having a different emission color for each divided area can be obtained. Furthermore, color display is possible by dividing the divided areas into a large number of pixels arranged in a matrix and changing the emission color by varying the layer thickness for each pixel. For example,
As shown in FIG. 7, three pixels 1 each having a layer thickness set to emit R (red), G (green), and B (blue) light are emitted.
1, 12, 13 are arranged vertically and horizontally. And color C
By selectively applying a drive voltage to these pixels by a well-known color display method used in an RT display, a color liquid crystal display, or the like, a color image or a color image can be displayed.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明によれば、陰極に接する電子注入
層を金属ドーピング層とすることで、素子の駆動電圧を
低下させるとともに、発光スペクトルの制御が可能な有
機EL素子を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an organic EL device in which the driving voltage of the device can be reduced and the emission spectrum can be controlled by using the metal injection layer as the electron injection layer in contact with the cathode. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の有機EL素子の積層構造例を示す模式
断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a laminated structure of an organic EL device of the present invention.

【図2】本発明の有機EL素子と比較例の輝度−電圧特
性を示すグラフ図である。
FIG. 2 is a graph showing luminance-voltage characteristics of the organic EL device of the present invention and a comparative example.

【図3】本発明の有機EL素子と比較例の輝度−電流密
度特性を示すグラフ図である。
FIG. 3 is a graph showing luminance-current density characteristics of the organic EL device of the present invention and a comparative example.

【図4】本発明の有機EL素子の発光スペクトルを示す
グラフ図である。
FIG. 4 is a graph showing an emission spectrum of the organic EL device of the present invention.

【図5】本発明の有機EL素子と比較例の電圧−電流特
性を示すグラフ図である。
FIG. 5 is a graph showing voltage-current characteristics of the organic EL device of the present invention and a comparative example.

【図6】本発明の有機EL素子の発光スペクトルを示す
グラフ図である。
FIG. 6 is a graph showing an emission spectrum of the organic EL device of the present invention.

【図7】カラーディスプレイの画素を示す模式図であ
る。
FIG. 7 is a schematic diagram showing pixels of a color display.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透明基板 2 陽極透明電極(ITO) 3 正孔輸送層 4 発光層 5 金属ドーピング層(電子注入層) 6 陰極電極 Reference Signs List 1 transparent substrate 2 anode transparent electrode (ITO) 3 hole transport layer 4 light emitting layer 5 metal doping layer (electron injection layer) 6 cathode electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横井 啓 神奈川県藤沢市桐原町3番地 株式会社ア イメス内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB04 AB06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hiroshi Yokoi 3 Kirihara-cho, Fujisawa-shi, Kanagawa F-term in Aimes Corporation (reference) 3K007 AB00 AB04 AB06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する陽極電極と陰極電極の間に、有
機化合物から構成される少なくとも一層の発光層を有す
る有機エレクトロルミネッセント素子において、 上記陰極電極との界面に、ドナー(電子供与性)ドーパ
ントとして機能する金属でドーピングした有機化合物層
を金属ドーピング層として有し、 この金属ドーピング層の層厚によって、本有機エレクト
ロルミネッセント素子が射出する光の発光スペクトルが
制御されていることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセント素子。
An organic electroluminescent device having at least one light-emitting layer composed of an organic compound between an anode electrode and a cathode electrode facing each other, wherein a donor (electron donating property) is provided at an interface with the cathode electrode. A) an organic compound layer doped with a metal that functions as a dopant is provided as a metal doping layer, and the emission spectrum of light emitted from the organic electroluminescent device is controlled by the thickness of the metal doping layer. Characteristic organic electroluminescent element.
【請求項2】 請求項1記載の有機エレクトロルミネッ
セント素子において、上記金属ドーピング層中の金属
は、仕事関数が4.2eV以下のアルカリ金属、アルカ
リ土類金属及び稀土類金属を含む遷移金属のうちから選
択された1種以上の金属からなる有機エレクトロルミネ
ッセント素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal in the metal doping layer is a transition metal containing an alkali metal, an alkaline earth metal, and a rare earth metal having a work function of 4.2 eV or less. An organic electroluminescent device comprising at least one metal selected from the group consisting of:
【請求項3】 請求項1または2記載の有機エレクトロ
ルミネッセント素子において、上記金属ドーピング層中
の金属のモル比率が有機化合物に対して0.1〜10で
ある有機エレクトロルミネッセント素子。
3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the molar ratio of the metal in the metal doping layer is 0.1 to 10 with respect to the organic compound.
【請求項4】 請求項1から3のいずれか1項記載の有
機エレクトロルミネッセント素子において、上記金属ド
ーピング層の層厚が500Å以上である有機エレクトロ
ルミネッセント素子。
4. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the thickness of the metal doping layer is 500 ° or more.
【請求項5】 請求項1から4のいずれか1項記載の有
機エレクトロルミネッセント素子において、上記金属ド
ーピング層中の有機化合物が上記金属のイオンに対して
配位子としての機能を有する有機エレクトロルミネッセ
ント素子。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the organic compound in the metal doping layer has a function as a ligand for ions of the metal. Electroluminescent element.
【請求項6】 請求項1から5のいずれか1項記載の有
機エレクトロルミネッセント素子において、金属ドーピ
ング層は、各エリア内の層厚が互いに異なる分割エリア
を有している有機エレクトロルミネッセント素子。
6. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal doping layer has divided areas having different thicknesses in each area. Cent element.
【請求項7】 請求項6記載の有機エレクトロルミネッ
セント素子において、上記分割エリアは、マトリックス
状に整列している多数の画素群である有機エレクトロル
ミネッセント素子。
7. The organic electroluminescent device according to claim 6, wherein the divided area is a group of a large number of pixels arranged in a matrix.
【請求項8】 請求項6または7記載の有機エレクトロ
ルミネッセント素子において、上記分割エリアの層厚
は、各分割エリアで特定の発光スペクトルが得られるよ
うに制御されている有機エレクトロルミネッセント素
子。
8. The organic electroluminescent device according to claim 6, wherein a layer thickness of the divided area is controlled so that a specific emission spectrum is obtained in each divided area. element.
【請求項9】 対向する陽極電極と陰極電極の間に、有
機化合物から構成される少なくとも一層の発光層を有す
る有機エレクトロルミネッセント素子群において、 各有機エレクトロルミネッセント素子はそれぞれ、上記
陰極電極との界面に、ドナー(電子供与性)ドーパント
として機能する金属でドーピングした有機化合物層を金
属ドーピング層として有し、 各有機エレクトロルミネッセント素子の金属ドーピング
層の層厚は、各有機エレクトロルミネッセント素子が射
出する光の発光スペクトルが異なるようにそれぞれ制御
されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ント素子群。
9. An organic electroluminescent device group having at least one light-emitting layer composed of an organic compound between opposing anode and cathode electrodes, wherein each of the organic electroluminescent devices is a cathode. An organic compound layer doped with a metal that functions as a donor (electron-donating) dopant is provided as a metal doping layer at the interface with the electrode, and the thickness of the metal doping layer of each organic electroluminescent element is An organic electroluminescent device group, wherein the emission spectra of light emitted from the luminescent devices are controlled to be different from each other.
【請求項10】 請求項9記載の有機エレクトロルミネ
ッセント素子群において、上記金属ドーピング層中の金
属は、仕事関数が4.2eV以下のアルカリ金属、アル
カリ土類金属及び稀土類金属を含む遷移金属のうちから
選択された1種以上の金属からなる有機エレクトロルミ
ネッセント素子群。
10. The organic electroluminescent device group according to claim 9, wherein the metal in the metal doping layer is a transition including an alkali metal, an alkaline earth metal, and a rare earth metal having a work function of 4.2 eV or less. An organic electroluminescent device group comprising one or more metals selected from metals.
【請求項11】 請求項9または10記載の有機エレク
トロルミネッセント素子群において、上記金属ドーピン
グ層中の金属のモル比率が有機化合物に対して0.1〜
10である有機エレクトロルミネッセンス素子群。
11. The organic electroluminescent device group according to claim 9, wherein the molar ratio of the metal in the metal doping layer is 0.1 to 0.1 with respect to the organic compound.
10. An organic electroluminescent device group of No. 10.
【請求項12】 請求項9から11のいずれか1項記載
の有機エレクトロルミネッセント素子群において、上記
金属ドーピング層の層厚が500Å以上である有機エレ
クトロルミネッセント素子群。
12. The organic electroluminescent element group according to claim 9, wherein the metal doping layer has a thickness of 500 ° or more.
【請求項13】 請求項9から12のいずれか1項記載
の有機エレクトロルミネッセント素子群において、上記
金属ドーピング層中の有機化合物が上記金属のイオンに
対して配位子としての機能を有する有機エレクトロルミ
ネッセント素子群。
13. The organic electroluminescent device group according to claim 9, wherein the organic compound in the metal doping layer has a function as a ligand for ions of the metal. Organic electroluminescent device group.
【請求項14】 対向する陽極電極と陰極電極の間に、
有機化合物から構成される少なくとも一層の発光層を有
し、上記陰極電極の上記発光層側の界面に、ドナー(電
子供与性)ドーパントとして機能する金属でドーピング
した有機化合物層を金属ドーピング層として有する有機
エレクトロルミネッセント素子において、 上記金属ドーピング層の層厚を変化させることにより、
本有機エレクトロルミネッセント素子が射出する光の発
光スペクトルを制御することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセント素子の発光スペクトルの制御方法。
14. An anode and a cathode, which are opposed to each other,
An organic compound layer doped with a metal that functions as a donor (electron-donating) dopant as a metal-doped layer at an interface of the cathode electrode on the light-emitting layer side, which has at least one light-emitting layer composed of an organic compound; In the organic electroluminescent device, by changing the thickness of the metal doping layer,
A method for controlling an emission spectrum of an organic electroluminescent device, comprising controlling an emission spectrum of light emitted from the present organic electroluminescent device.
【請求項15】 請求項14記載の制御方法において、
金属ドーピング層の層厚を変化させ発光スペクトルを変
化させた複数の有機エレクトロルミネッセント素子を、
上記層厚に拘わらず略同一の駆動電圧で駆動する有機エ
レクトロルミネッセント素子の発光スペクトルの制御方
法。
15. The control method according to claim 14, wherein
A plurality of organic electroluminescent devices in which the emission spectrum is changed by changing the layer thickness of the metal doping layer,
A method for controlling an emission spectrum of an organic electroluminescent device driven at substantially the same drive voltage regardless of the layer thickness.
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