JP2001101641A - 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁性層がグラニュラー磁性層であって優れた磁
気特性および電磁変換特性を有し、しかも耐久性に優れ
た磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。さら
に、このような磁気記録媒体を使用することにより、高
記録密度で低ノイズの磁気記録装置を提供する。 【解決手段】非磁性基体上に、基体を加熱することなし
に、スパッタ法で非磁性下地層，グラニュラー磁性層，
保護層を順次成膜し、保護層上に液体潤滑剤を塗布して
液体潤滑剤層を形成して磁気記録媒体とする。その際、
磁性層成膜時のスパッタ成膜ガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以
下とする，あるいは非磁性下地層および磁性層成膜時の
スパッタ成膜ガス圧をともに１０ｍＴｏｒｒ以下として
成膜する。
気特性および電磁変換特性を有し、しかも耐久性に優れ
た磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。さら
に、このような磁気記録媒体を使用することにより、高
記録密度で低ノイズの磁気記録装置を提供する。 【解決手段】非磁性基体上に、基体を加熱することなし
に、スパッタ法で非磁性下地層，グラニュラー磁性層，
保護層を順次成膜し、保護層上に液体潤滑剤を塗布して
液体潤滑剤層を形成して磁気記録媒体とする。その際、
磁性層成膜時のスパッタ成膜ガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以
下とする，あるいは非磁性下地層および磁性層成膜時の
スパッタ成膜ガス圧をともに１０ｍＴｏｒｒ以下として
成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンピュータの
外部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載さ
れる磁気記録媒体およびその製造方法と、それを用いた
磁気記録装置に関する。
外部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載さ
れる磁気記録媒体およびその製造方法と、それを用いた
磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置をはじめと
する各種磁気記録装置に用いられ、高記録密度と低ノイ
ズが要求される磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体
に対しては、優れた磁気特性と電磁変換特性が要求さ
れ、従来からさまざまな磁性層の組成，構造、および非
磁性下地層の材料などが提案されている。特に、近年、
一般にグラニュラー磁性層と呼ばれる，磁性結晶粒の周
囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ
構造の磁性層が提案されている。
する各種磁気記録装置に用いられ、高記録密度と低ノイ
ズが要求される磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体
に対しては、優れた磁気特性と電磁変換特性が要求さ
れ、従来からさまざまな磁性層の組成，構造、および非
磁性下地層の材料などが提案されている。特に、近年、
一般にグラニュラー磁性層と呼ばれる，磁性結晶粒の周
囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ
構造の磁性層が提案されている。
【０００３】例えば、特開平８−２５５３４２号公報に
は、非磁性膜・強磁性膜・非磁性膜を順次積層した後加
熱処理を行うことにより、非磁性膜中に強磁性体の結晶
粒が分散したグラニュラー記録層を形成することで、低
ノイズ化を図ることが提案されている。この場合、非磁
性膜としてはシリコン酸化物や窒化物などが用いられて
いる。また、米国特許５６７９４７３号明細書には、Ｓ
ｉＯ2 などの酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔターゲッ
トを用いＲＦスパッタリングを行うことで、磁性結晶粒
が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離した構造のグラ
ニュラー記録層が形成でき、高いＨｃと低ノイズ化が実
現されることが記載されている。
は、非磁性膜・強磁性膜・非磁性膜を順次積層した後加
熱処理を行うことにより、非磁性膜中に強磁性体の結晶
粒が分散したグラニュラー記録層を形成することで、低
ノイズ化を図ることが提案されている。この場合、非磁
性膜としてはシリコン酸化物や窒化物などが用いられて
いる。また、米国特許５６７９４７３号明細書には、Ｓ
ｉＯ2 などの酸化物が添加されたＣｏＮｉＰｔターゲッ
トを用いＲＦスパッタリングを行うことで、磁性結晶粒
が非磁性の酸化物で囲まれて個々に分離した構造のグラ
ニュラー記録層が形成でき、高いＨｃと低ノイズ化が実
現されることが記載されている。
【０００４】このようなグラニュラー磁性層は、非磁性
非金属の粒界相が磁性粒子を物理的に分離するため、磁
性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷
移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するので、低
ノイズ特性が得られると考えられている。従来用いられ
てきたＣｏＣｒ系金属磁性膜では、非磁性基体を高温に
して成膜することによりＣｒがＣｏ系磁性粒から偏析す
ることで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的相互作用を
低減させているが、グラニュラー磁性層の場合はこの粒
界相として非磁性非金属の物質を用いるため、従来のＣ
ｒに比べて偏析し易く、比較的容易に磁性粒の孤立化が
促進できるという利点がある。特に従来のＣｏＣｒ系金
属磁性層の場合には成膜時の基板温度を２００℃以上に
上昇させることがＣｒの十分な偏析に必要不可欠なのに
対し、グラニュラー磁性層の場合は加熱なしでの成膜に
おいても、その非磁性非金属の物質は偏析を生じ、優れ
た磁気特性と電磁変換特性が実現できるという利点もあ
る。
非金属の粒界相が磁性粒子を物理的に分離するため、磁
性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷
移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するので、低
ノイズ特性が得られると考えられている。従来用いられ
てきたＣｏＣｒ系金属磁性膜では、非磁性基体を高温に
して成膜することによりＣｒがＣｏ系磁性粒から偏析す
ることで粒界に析出し、磁性粒子間の磁気的相互作用を
低減させているが、グラニュラー磁性層の場合はこの粒
界相として非磁性非金属の物質を用いるため、従来のＣ
ｒに比べて偏析し易く、比較的容易に磁性粒の孤立化が
促進できるという利点がある。特に従来のＣｏＣｒ系金
属磁性層の場合には成膜時の基板温度を２００℃以上に
上昇させることがＣｒの十分な偏析に必要不可欠なのに
対し、グラニュラー磁性層の場合は加熱なしでの成膜に
おいても、その非磁性非金属の物質は偏析を生じ、優れ
た磁気特性と電磁変換特性が実現できるという利点もあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グラニ
ュラー磁性層は、金属強磁性材料からなる結晶粒と酸化
物または窒化物などの非磁性非金属材料からなる結晶粒
界相から成り立っており、これら２種類の材料はその物
性がまったく異なっている。そのため、スパッタリング
法で磁性層を成膜した場合、成膜条件によっては容易に
磁性層の表面粗さが増大してしまい、保護層が磁性層を
覆いきれなくなって、磁性層中のＣｏ原子が媒体表面に
析出し易くなる傾向がある。このように媒体表面に析出
したＣｏ原子は、媒体表面の液体潤滑剤の分解を促進
し、媒体の耐久性を著しく劣化させてしまう。なお、保
護層が薄膜であるため、磁性層の表面粗さはほぼそのま
ま媒体表面粗さとなる。
ュラー磁性層は、金属強磁性材料からなる結晶粒と酸化
物または窒化物などの非磁性非金属材料からなる結晶粒
界相から成り立っており、これら２種類の材料はその物
性がまったく異なっている。そのため、スパッタリング
法で磁性層を成膜した場合、成膜条件によっては容易に
磁性層の表面粗さが増大してしまい、保護層が磁性層を
覆いきれなくなって、磁性層中のＣｏ原子が媒体表面に
析出し易くなる傾向がある。このように媒体表面に析出
したＣｏ原子は、媒体表面の液体潤滑剤の分解を促進
し、媒体の耐久性を著しく劣化させてしまう。なお、保
護層が薄膜であるため、磁性層の表面粗さはほぼそのま
ま媒体表面粗さとなる。
【０００６】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、磁性層がグラニュラー磁性層であって優れ
た磁気特性および電磁変換特性を有し、しかも耐久性に
優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること
を目的とする。さらに、このような磁気記録媒体を使用
することにより、高記録密度で低ノイズの磁気記録装置
を提供することを目的とする。
のであって、磁性層がグラニュラー磁性層であって優れ
た磁気特性および電磁変換特性を有し、しかも耐久性に
優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること
を目的とする。さらに、このような磁気記録媒体を使用
することにより、高記録密度で低ノイズの磁気記録装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層，磁
性層，保護層および液体潤滑剤層が順次積層されてなる
磁気記録媒体において、前記磁性層がＣｏを含有して強
磁性を有する結晶粒とそれを取り囲む非磁性粒界からな
るグラニュラー磁性層であり、かつ、磁気記録媒体を５
０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出したＣｏの量をＩ
ＣＰ発光分光分析により測定した値が磁気記録媒体の面
積１ｍ2 当たり５０μｇ以下である磁気記録媒体とする
ことによって解決される。
によれば、非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層，磁
性層，保護層および液体潤滑剤層が順次積層されてなる
磁気記録媒体において、前記磁性層がＣｏを含有して強
磁性を有する結晶粒とそれを取り囲む非磁性粒界からな
るグラニュラー磁性層であり、かつ、磁気記録媒体を５
０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出したＣｏの量をＩ
ＣＰ発光分光分析により測定した値が磁気記録媒体の面
積１ｍ2 当たり５０μｇ以下である磁気記録媒体とする
ことによって解決される。
【０００８】温度６０℃相対湿度８０％の高温高湿環境
下に９６時間以上放置した磁気記録媒体を、５０ｍｌの
純水中で３分間揺動して抽出したＣｏの量をＩＣＰ発光
分光分析により測定した値が磁気記録媒体の面積１ｍ2
当たり５０μｇ以下である磁気記録媒体とするとより好
適である。
下に９６時間以上放置した磁気記録媒体を、５０ｍｌの
純水中で３分間揺動して抽出したＣｏの量をＩＣＰ発光
分光分析により測定した値が磁気記録媒体の面積１ｍ2
当たり５０μｇ以下である磁気記録媒体とするとより好
適である。
【０００９】媒体表面へのＣｏの析出量が上述のように
少ない媒体では、媒体表面の液体潤滑剤層の潤滑剤の変
質は少なく、耐久性の劣化を防ぐことができる。上述の
ように媒体表面へのＣｏの析出量の少ない媒体表面の粗
さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、媒体表面の１
０μｍ角の領域を観察した像の中心線平均粗さＲa が１
ｎｍ以下と微細である。
少ない媒体では、媒体表面の液体潤滑剤層の潤滑剤の変
質は少なく、耐久性の劣化を防ぐことができる。上述の
ように媒体表面へのＣｏの析出量の少ない媒体表面の粗
さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、媒体表面の１
０μｍ角の領域を観察した像の中心線平均粗さＲa が１
ｎｍ以下と微細である。
【００１０】本発明者は、グラニュラー磁性層の優れた
磁気特性および電磁変換特性と媒体の耐久性を両立する
ために鋭意検討した結果、媒体表面粗さと媒体表面への
Ｃｏ析出量との間に強い相関があることを見いだし、こ
の発明をなすに至ったのである。
磁気特性および電磁変換特性と媒体の耐久性を両立する
ために鋭意検討した結果、媒体表面粗さと媒体表面への
Ｃｏ析出量との間に強い相関があることを見いだし、こ
の発明をなすに至ったのである。
【００１１】媒体表面の粗さを小さくすること，すなわ
ち磁性層の表面粗さを小さくすることで保護層による磁
性層の被覆率が向上することによって磁性層中のＣｏ原
子の媒体表面への析出を抑えることができる。原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）により媒体表面の１０μｍ角の領域を
観察した像の中心線平均粗さＲa を１ｎｍ以下に制御す
ることで、５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出した
Ｃｏの量をＩＣＰ発光分光分析によって測定した値が媒
体の表面積１ｍ2 あたり５０μｇ以下に制御され、十分
な耐久性を有する媒体が得られる。温度６０℃，相対湿
度８０％の高温高湿下に９６時間以上放置した後であっ
ても、５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出したＣｏ
の量をＩＣＰ発光分光分析によって測定した値が媒体の
表面積１ｍ2 あたり５０μｇ以下である媒体とすると、
Ｃｏの析出量はより抑えられ、より好適である。
ち磁性層の表面粗さを小さくすることで保護層による磁
性層の被覆率が向上することによって磁性層中のＣｏ原
子の媒体表面への析出を抑えることができる。原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）により媒体表面の１０μｍ角の領域を
観察した像の中心線平均粗さＲa を１ｎｍ以下に制御す
ることで、５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出した
Ｃｏの量をＩＣＰ発光分光分析によって測定した値が媒
体の表面積１ｍ2 あたり５０μｇ以下に制御され、十分
な耐久性を有する媒体が得られる。温度６０℃，相対湿
度８０％の高温高湿下に９６時間以上放置した後であっ
ても、５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出したＣｏ
の量をＩＣＰ発光分光分析によって測定した値が媒体の
表面積１ｍ2 あたり５０μｇ以下である媒体とすると、
Ｃｏの析出量はより抑えられ、より好適である。
【００１２】媒体の表面粗さを上述の値に制御するため
には、媒体の製造に際して、スパッタ成膜前の基体加熱
を行わないことが必要である。成膜前の基体加熱を行わ
ないことで、基体に到達した原子の移動度を抑えること
ができ、個々の結晶が大きな核成長をすることなく堆積
するので、表面粗さを低下させることができる。グラニ
ュラー磁性層の場合には、基体加熱なしでの成膜でも非
磁性非金属の物質は十分に偏析し優れた磁気特性と電磁
変換特性が得られる。
には、媒体の製造に際して、スパッタ成膜前の基体加熱
を行わないことが必要である。成膜前の基体加熱を行わ
ないことで、基体に到達した原子の移動度を抑えること
ができ、個々の結晶が大きな核成長をすることなく堆積
するので、表面粗さを低下させることができる。グラニ
ュラー磁性層の場合には、基体加熱なしでの成膜でも非
磁性非金属の物質は十分に偏析し優れた磁気特性と電磁
変換特性が得られる。
【００１３】さらに、少なくとも磁性層成膜時のスパッ
タ成膜ガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以下とするとよい。望ま
しくは、非磁性下地層および磁性層の成膜時のスパッタ
成膜ガス圧をともに１０ｍＴｏｒｒ以下とするとよい。
成膜ガス圧を低くしてスパッタされた原子の平均自由行
程を長くすることで、微細な結晶粒が緻密に堆積し、表
面粗さをさらに低下させることができる。そうして、上
述のような製造方法で作製された磁気記録媒体を用いる
ことにより、高記録密度で低ノイズの磁気記録装置を得
ることができる。
タ成膜ガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以下とするとよい。望ま
しくは、非磁性下地層および磁性層の成膜時のスパッタ
成膜ガス圧をともに１０ｍＴｏｒｒ以下とするとよい。
成膜ガス圧を低くしてスパッタされた原子の平均自由行
程を長くすることで、微細な結晶粒が緻密に堆積し、表
面粗さをさらに低下させることができる。そうして、上
述のような製造方法で作製された磁気記録媒体を用いる
ことにより、高記録密度で低ノイズの磁気記録装置を得
ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係わる磁気記
録媒体の一例を示す模式的断面図であって、非磁性基体
１上に、非磁性下地層２，グラニュラー磁性層３，保護
層４，液体潤滑剤層５が順次形成された構成である。
録媒体の一例を示す模式的断面図であって、非磁性基体
１上に、非磁性下地層２，グラニュラー磁性層３，保護
層４，液体潤滑剤層５が順次形成された構成である。
【００１５】非磁性基体としては、アルミニウム合金，
硬質ガラスなどからなる通常用いられる基体はいずれも
用いることができる。
硬質ガラスなどからなる通常用いられる基体はいずれも
用いることができる。
【００１６】これらの基体を洗浄後スパッタ装置内に導
入し、基体の加熱を行うことなしに、スパッタ成膜ガ
ス，例えばＡｒガス中でＣｒ下地層，ＣｏＣｒ系合金か
らなるグラニュラー磁性層，カーボン系材料からなる保
護層をスパッタ成膜する。そのとき、磁性層成膜時のス
パッタ成膜ガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以下とする。より望
ましくは、下地層および磁性層の成膜時のスパッタ成膜
ガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以下とする。その後スパッタ装
置から取り出し、保護層表面に液体潤滑剤を塗布して液
体潤滑剤層を形成して媒体を作製する。
入し、基体の加熱を行うことなしに、スパッタ成膜ガ
ス，例えばＡｒガス中でＣｒ下地層，ＣｏＣｒ系合金か
らなるグラニュラー磁性層，カーボン系材料からなる保
護層をスパッタ成膜する。そのとき、磁性層成膜時のス
パッタ成膜ガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以下とする。より望
ましくは、下地層および磁性層の成膜時のスパッタ成膜
ガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以下とする。その後スパッタ装
置から取り出し、保護層表面に液体潤滑剤を塗布して液
体潤滑剤層を形成して媒体を作製する。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の具体的な実施例について説
明する。 実施例１ 非磁性基体として表面が平滑な結晶化ガラス基板を用
い、この基体を洗浄後、スパッタ装置内に導入し、成膜
に先立つ基体加熱を行うことなしに、Ａｒガス中で、膜
厚１５ｎｍの純Ｃｒからなる下地層，膜厚２５ｎｍの
（ＣｏＣｒ12Ｐｔ12）90−（Ｃｒ2 Ｏ3 ）10からなる磁
性層，膜厚１０ｎｍのカーボンからなる保護層を順次積
層した後、装置内から取り出し、保護層表面に液体潤滑
剤を１．５ｎｍの厚さで塗布して、図１に示す構成の媒
体を作製する。
明する。 実施例１ 非磁性基体として表面が平滑な結晶化ガラス基板を用
い、この基体を洗浄後、スパッタ装置内に導入し、成膜
に先立つ基体加熱を行うことなしに、Ａｒガス中で、膜
厚１５ｎｍの純Ｃｒからなる下地層，膜厚２５ｎｍの
（ＣｏＣｒ12Ｐｔ12）90−（Ｃｒ2 Ｏ3 ）10からなる磁
性層，膜厚１０ｎｍのカーボンからなる保護層を順次積
層した後、装置内から取り出し、保護層表面に液体潤滑
剤を１．５ｎｍの厚さで塗布して、図１に示す構成の媒
体を作製する。
【００１８】その際、Ｃｒ下地層のスパッタ成膜時のＡ
ｒガス圧を５ｍＴｏｒｒ，１０ｍＴｏｒｒ，２０ｍＴｏ
ｒｒ，５０ｍＴｏｒｒと変化させてＣｒ下地層を成膜
し、これらの各Ｃｒ下地層上に磁性層をスパッタ成膜時
のＡｒガス圧を変化させて成膜して媒体を作製した。
ｒガス圧を５ｍＴｏｒｒ，１０ｍＴｏｒｒ，２０ｍＴｏ
ｒｒ，５０ｍＴｏｒｒと変化させてＣｒ下地層を成膜
し、これらの各Ｃｒ下地層上に磁性層をスパッタ成膜時
のＡｒガス圧を変化させて成膜して媒体を作製した。
【００１９】このようにして得られた各媒体について、
下地層および磁性層のスパッタ成膜時のＡｒガス圧と媒
体表面粗さとの関係を図２に示す。図２おいて、下地層
のスパッタ成膜時のＡｒガス圧をパラメーターとし、横
軸に磁性層成膜時のＡｒガス圧を示し、縦軸に表面粗さ
を示す。表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＭＦ）を用
い、１０μｍ角の領域を測定したときの中心線平均粗さ
Ｒa で示してある。図２に見られるように、Ｒa 値は下
地層および磁性層それぞれの成膜ガス圧の増加に伴いほ
ぼ単調に増加していく傾向にあり、磁性層成膜時のＡｒ
ガス圧を約１５ｍＴｏｒｒ以下にすることで表面粗さは
１μｍ以下となり、かつ、同時に下地層成膜時のＡｒガ
ス圧をも低下させるとさらに表面粗さが低下することが
判る。下地層および磁性層の成膜時のＡｒガス圧をとも
に１０ｍＴｏｒｒ以下とすることにより表面粗さが充分
小さくなる。
下地層および磁性層のスパッタ成膜時のＡｒガス圧と媒
体表面粗さとの関係を図２に示す。図２おいて、下地層
のスパッタ成膜時のＡｒガス圧をパラメーターとし、横
軸に磁性層成膜時のＡｒガス圧を示し、縦軸に表面粗さ
を示す。表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＭＦ）を用
い、１０μｍ角の領域を測定したときの中心線平均粗さ
Ｒa で示してある。図２に見られるように、Ｒa 値は下
地層および磁性層それぞれの成膜ガス圧の増加に伴いほ
ぼ単調に増加していく傾向にあり、磁性層成膜時のＡｒ
ガス圧を約１５ｍＴｏｒｒ以下にすることで表面粗さは
１μｍ以下となり、かつ、同時に下地層成膜時のＡｒガ
ス圧をも低下させるとさらに表面粗さが低下することが
判る。下地層および磁性層の成膜時のＡｒガス圧をとも
に１０ｍＴｏｒｒ以下とすることにより表面粗さが充分
小さくなる。
【００２０】次に、Ｃｒ下地層および磁性層のスパッタ
成膜時のＡｒガス圧と媒体からのＣｏ溶出量との関係を
図３に示す。図３おいて、下地層のスパッタ成膜時のＡ
ｒガス圧をパラメーターとし、横軸に磁性層成膜時のＡ
ｒガス圧を示し、縦軸にＣｏ溶出量を示してある。Ｃｏ
溶出量は、媒体を５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽
出したＣｏの量をＩＣＰ発光分光分析によって測定し
た。なお、抽出前に媒体を温度６０℃，相対湿度８０％
の高温高湿下に９６時間放置した。
成膜時のＡｒガス圧と媒体からのＣｏ溶出量との関係を
図３に示す。図３おいて、下地層のスパッタ成膜時のＡ
ｒガス圧をパラメーターとし、横軸に磁性層成膜時のＡ
ｒガス圧を示し、縦軸にＣｏ溶出量を示してある。Ｃｏ
溶出量は、媒体を５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽
出したＣｏの量をＩＣＰ発光分光分析によって測定し
た。なお、抽出前に媒体を温度６０℃，相対湿度８０％
の高温高湿下に９６時間放置した。
【００２１】図２および図３から明らかなように、Ｃｏ
溶出量は表面粗さに強く相関して変化し、表面粗さの増
加に伴いＣｏ溶出量が急激に増加していく。そして、磁
性層成膜時のＡｒガス圧を約１５ｍＴｏｒｒ以下にする
ことでＣｏ溶出量は５０μｇ／ｍ2 以下となり、さら
に、Ｃｒ下地層と磁性層のスパッタ成膜時のＡｒガス圧
をともに１０ｍＴｏｒｒ以下にすることで、Ｃｏ溶出量
を約１０μｇ／ｍ2 以下に抑制することができることが
判る。
溶出量は表面粗さに強く相関して変化し、表面粗さの増
加に伴いＣｏ溶出量が急激に増加していく。そして、磁
性層成膜時のＡｒガス圧を約１５ｍＴｏｒｒ以下にする
ことでＣｏ溶出量は５０μｇ／ｍ2 以下となり、さら
に、Ｃｒ下地層と磁性層のスパッタ成膜時のＡｒガス圧
をともに１０ｍＴｏｒｒ以下にすることで、Ｃｏ溶出量
を約１０μｇ／ｍ2 以下に抑制することができることが
判る。
【００２２】
【発明の効果】この発明によれば、非磁性基体上に少な
くとも非磁性下地層，磁性層，保護層および液体潤滑剤
層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、磁性層
がグラニュラー磁性層であり、かつ、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）により、媒体表面の１０μｍ角の領域を観察
した像の中心線平均粗さＲa が１ｎｍ以下である媒体と
することによって、媒体を５０ｍｌの純水中で３分間揺
動して抽出したＣｏの量をＩＣＰ発光分光分析により測
定した値を媒体の面積１ｍ2 当たり５０μｇ以下である
媒体を得ることができ、優れた磁気特性および電磁変換
特性を有し、しかも耐久性に優れた磁気記録媒体が得ら
れる。
くとも非磁性下地層，磁性層，保護層および液体潤滑剤
層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、磁性層
がグラニュラー磁性層であり、かつ、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）により、媒体表面の１０μｍ角の領域を観察
した像の中心線平均粗さＲa が１ｎｍ以下である媒体と
することによって、媒体を５０ｍｌの純水中で３分間揺
動して抽出したＣｏの量をＩＣＰ発光分光分析により測
定した値を媒体の面積１ｍ2 当たり５０μｇ以下である
媒体を得ることができ、優れた磁気特性および電磁変換
特性を有し、しかも耐久性に優れた磁気記録媒体が得ら
れる。
【００２３】このような媒体は、非磁性基体を事前に加
熱することなしに、非磁性下地層，磁性層，保護層をス
パッタ成膜し、その際、磁性層のスパッタ成膜ガス圧を
１５ｍＴｏｒｒ以下に抑えることにより作製することが
できる。非磁性下地層および磁性層のスパッタ成膜ガス
圧を１０ｍＴｏｒｒ以下に抑えると媒体表面粗さをさら
に小さくして、Ｃｏ析出量を低減することができより好
適である。
熱することなしに、非磁性下地層，磁性層，保護層をス
パッタ成膜し、その際、磁性層のスパッタ成膜ガス圧を
１５ｍＴｏｒｒ以下に抑えることにより作製することが
できる。非磁性下地層および磁性層のスパッタ成膜ガス
圧を１０ｍＴｏｒｒ以下に抑えると媒体表面粗さをさら
に小さくして、Ｃｏ析出量を低減することができより好
適である。
【００２４】このような媒体を使用することにより、高
記録密度でノイズの少ない優れた磁気記録装置が得られ
る。
記録密度でノイズの少ない優れた磁気記録装置が得られ
る。
【図１】この発明に係わる媒体の一例の模式的断面図
【図２】非磁性下地層および磁性層成膜時のスパッタ成
膜ガス圧と媒体表面粗さとの関係を示す線図
膜ガス圧と媒体表面粗さとの関係を示す線図
【図３】非磁性下地層および磁性層成膜時のスパッタ成
膜ガス圧と媒体表面へのＣｏ溶出量との関係を示す線図
膜ガス圧と媒体表面へのＣｏ溶出量との関係を示す線図
１ 非磁性基体 ２ 非磁性下地層 ３ グラニュラー磁性層 ４ 保護層 ５ 液体潤滑剤層
Claims (7)
- 【請求項１】非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層，
磁性層，保護層および液体潤滑剤層が順次積層されてな
る磁気記録媒体において、前記磁性層がＣｏを含有して
強磁性を有する結晶粒とそれを取り囲む非磁性粒界から
なるグラニュラー磁性層であり、かつ、磁気記録媒体を
５０ｍｌの純水中で３分間揺動して抽出したＣｏの量を
ＩＣＰ発光分光分析により測定した値が磁気記録媒体の
面積１ｍ2 当たり５０μｇ以下であることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】温度６０℃相対湿度８０％の高温高湿環境
下に９６時間以上放置した磁気記録媒体を、５０ｍｌの
純水中で３分間揺動して抽出したＣｏの量をＩＣＰ発光
分光分析により測定した値が磁気記録媒体の面積１ｍ2
当たり５０μｇ以下であることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、磁気記
録媒体表面の１０μｍ角の領域を観察した像の中心線平
均粗さＲa が１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
１または２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気
記録媒体の製造方法において、非磁性基体を事前に加熱
せずに、非磁性下地層，磁性層，保護層を順次スパッタ
成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】磁性層成膜時のスパッタ成膜ガス圧が１５
ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項４記載の
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】非磁性下地層および磁性層の成膜時のスパ
ッタ成膜ガス圧が１０ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴
とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気
記録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27554699A JP2001101641A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27554699A JP2001101641A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001101641A true JP2001101641A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17556964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27554699A Pending JP2001101641A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001101641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7270898B2 (en) | 2002-04-04 | 2007-09-18 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure of ordered alloy and method of making the same |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27554699A patent/JP2001101641A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7270898B2 (en) | 2002-04-04 | 2007-09-18 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure of ordered alloy and method of making the same |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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