JP2001100446A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 濃度ムラの発生を低減する画像形成装置を提
供すること。 【解決手段】 切削ピッチＤ（μｍ）が印字ピッチＸ
（μｍ）との関係で下記式；（Ｘ／Ｙ）×Ｗ−５≦Ｄ≦
（Ｘ／Ｙ）×Ｗ＋５（但し、Ｙは下記式；Ｙ＜Ｘ／Ｚ；
を満たす２以上の任意の自然数である：Ｚは切削ピッチ
振れ幅（μｍ）を示す：ＷはＹとの間に公約数を持たな
い任意の自然数であって、Ｗ≠１およびＷ≠Ｙを満た
す）を満足する基体からなる感光体を備えた画像形成装
置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光等の光を
電子写真感光体に照射して静電潜像を形成し、この電子
写真感光体にトナーを供給して画像形成を行う複写機や
プリンター等の画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複写機やプリンター等の画像形成装置と
しては、露光装置から電子写真感光体に光を照射し、こ
の電子写真感光体の表面に静電潜像を形成した後、この
電子写真感光体に現像装置からトナーを供給して画像形
成を行うようにした装置が一般的に知られており、この
ような画像形成装置においては、画質の向上等の観点か
ら電子写真感光体にレーザー光や発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）光等の光を照射させるようにした装置が普及するに
至っている。

【０００３】しかしながら、上記のようにレーザー光等
の光を電子写真感光体に照射して画像を形成した場合、
得られる画像に濃度ムラが周期的に発生し、特にハーフ
画像を複写するとその濃度ムラは顕著に現れるという問
題が生じていた。

【０００４】例えば、図２に示すように、基体１の表面
に電荷発生層２と電荷輸送層３が積層された積層型の有
機電子写真感光体１０においては、画像を形成させるド
ット部分に照射されたレーザー光が基体で反射する際
に、基体上で散乱されないで、反射光が集中する部分
（「正反射部」という）が生じ、この正反射部で反射し
たレーザー光が再度電荷発生層を通過し、その際に画像
情報であるべきでない部分までを光感応させ、次に画像
が形成されるべきドット部分に入射してくるレーザー光
の周囲に感度アップ部を発生させ、このような場合に、
ドット太りが生じることは十分考えられる。通常、感光
体を構成する感光体基体（基体）はアルミニウム等のド
ラムからなり、そのアルミニウム基体はその表面形状を
均一に保つために旋盤等の切削機により周期的に切削さ
れており、その表面は規則的かつ周期的な凹凸が存在す
る。このような基体上で上記のような現象が起きると、
ドット太りが画像上、規則的かつ周期的に発生し、濃度
ムラとなって現れることも十分に考えられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みなされたものであって、レーザー光等の光を照射して
画像を形成させた場合に、濃度ムラの発生を低減する画
像形成装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、切削ピッチＤ
（μｍ）が印字ピッチＸ（μｍ）との関係で下記式； （Ｘ／Ｙ）×Ｗ−５≦Ｄ≦（Ｘ／Ｙ）×Ｗ＋５ （但し、Ｙは下記式； Ｙ＜Ｘ／Ｚ を満たす２以上の任意の自然数である；Ｚは切削ピッチ
振れ幅（μｍ）を示す；ＷはＹとの間に公約数を持たな
い任意の自然数であって、Ｗ≠１およびＷ≠Ｙを満た
す）を満足する基体からなる感光体を備えた画像形成装
置に関する。

【０００７】本発明の発明者等は、感光体を構成する基
体表面の切削ピッチ（Ｄ）と画像形成装置の規定値とし
ての印字ピッチ（Ｘ）に着目し、これらが特定の関係を
有する場合に濃度ムラの発生を低減できることを見い出
した。

【０００８】

【発明の実施の態様】本発明は、感光体において切削ピ
ッチ（Ｄ）と印字ピッチ（Ｘ）ができるだけ干渉を起こ
さないようにこれらの関係を規定するものである。切削
ピッチ（Ｄ）と印字ピッチ（Ｘ）の干渉が起こると当該
干渉部分において濃度ムラが発生し易い。

【０００９】濃度ムラ発生の単純モデルを示す図１を用
いて「切削ピッチ（Ｄ）と印字ピッチ（Ｘ）との干渉」
について説明する。図１において（ａ）は基体表面の切
削ピッチ（Ｄ）の繰り返しを示す概念図を示し、（ｂ）
は感光体表面の印字ピッチ（Ｘ）の繰り返しを示す概念
図を示し、（ｃ）は（ａ）および（ｂ）を重ねたときの
見取り図を示す。（ｃ）において周期的に現れている帯
状の黒色部分は、（ａ）および（ｂ）において切削ピッ
チ（Ｄ）および印字ピッチ（Ｘ）の繰り返しを示す直線
の重なりを示し、本明細書中においては当該重なりを
「干渉」と呼んでいる。このような感光体を用いてハー
フ画像を複写すると上記黒色部分（干渉部分）において
ドット太りが生じやすく、画像上、濃度ムラが周期的に
現れると考えられる。

【００１０】本発明は、上記のような干渉、すなわち切
削ピッチ（Ｄ）および印字ピッチ（Ｘ）の繰り返しを示
す直線の重なりを低減させることにより、濃度ムラの発
生を抑制するものである。

【００１１】すなわち、本発明の画像形成装置において
は、感光体を構成する基体の切削ピッチＤ（μｍ）を、
画像形成装置の規定値としての印字ピッチＸ（μｍ）と
の関係で下記式（Ｉ−１〜Ｉ−４）（以下、単に式
（Ｉ）という）； （Ｘ／Ｙ）×Ｗ−５≦Ｄ≦（Ｘ／Ｙ）×Ｗ＋５ （Ｉ−１） 好ましくは （Ｘ／Ｙ）×Ｗ−２≦Ｄ≦（Ｘ／Ｙ）×Ｗ＋２ （Ｉ−２） より好ましくは （Ｘ／Ｙ）×Ｗ−０．３≦Ｄ≦（Ｘ／Ｙ）×Ｗ＋０．３ （Ｉ−３） 最も好ましくは Ｄ＝（Ｘ／Ｙ）×Ｗ （Ｉ−４） を満足するように規定する。このように切削ピッチ
（Ｄ）および印字ピッチ（Ｘ）を上記式を満足するよう
に設定することにより、切削ピッチ（Ｄ）と印字ピッチ
（Ｘ）との上記干渉が低減される。

【００１２】換言すれば、画像形成装置における切削ピ
ッチＤ（μｍ）および印字ピッチＸ（μｍ）について上
記式（Ｉ）を満足するようなＹとＷの組み合わせが少な
くとも１組存在すれば、当該装置は本発明の範囲内であ
る。

【００１３】切削ピッチＤ（μｍ）は切削送りピッチと
もいい、JIS-’82規格によるもので、概略的には切削バ
イトが基体を切削する際に、基体表面が一回転する間に
送られたバイトの距離を意味する。切削ピッチは感光体
製造時、基体表面を切削する工程において切削条件を適
宜変更したり、所望の切削ピッチを有する旋盤を適宜使
用することによって制御され得る。切削ピッチＤは濃度
ムラ低減の観点からは大きいほど好ましいが、通常、１
００〜６００μｍ、好ましくは１３０〜５００μｍ、よ
り好ましくは１６０〜４００μｍの範囲内で設定され
る。切削ピッチは感光体表面において複数個所の切削ピ
ッチを表面粗さ計（サーフコム；東京精密（株）社製）
によって測定し、それらの値を平均することによって得
ることができるが、上記装置を用いなければならないと
いうわけではなく、上記ＪＩＳ規格を測定できる装置で
あればいかなる装置を用いてよい。

【００１４】印字ピッチＸ（μｍ）は最小印字ピッチと
もいい、ドットハーフ画像を印字する場合の最小ドット
間距離を示し、画像形成装置、特に後述の露光手段にお
いて適宜設定される値であり、例えば、ハーフ画像をワ
ン・バイ・ワン（one by one）方式で出力する設定の場
合、２個分のドット長を指し、またハーフ画像をツー・
バイ・ツー（two by two）方式で出力する設定の場合、
４個分のドット長を指す。具体的には、ハーフ画像をエ
ヌ・バイ・エヌ（n by n）方式（エヌ（ｎ）は自然数）
で出力する設定で、マシン解像力が６００ｄｐｉのと
き、印字ピッチＸは（２５４００／６００）×２ｎで表
される。本発明において印字ピッチは通常、解像力の観
点から２０〜１３０μｍ、好ましくは４０〜７０μｍの
範囲で設定される。

【００１５】上記の式において、Ｙは下記式（II）； Ｙ＜Ｘ／Ｚ （II） を満たす２以上の任意の自然数、好ましくは上記式（I
I）を満たす最大の自然数である。Ｙの値が大きくなる
ほど印字ピッチと切削ピッチとの干渉の頻度が減少する
ことから、濃度ムラをより有効に抑制できる。

【００１６】Ｚは切削ピッチ振れ幅（μｍ）であり、上
記切削ピッチの精度を表し、例えば、切削ピッチがａ、
切削ピッチ振れ幅がｂの場合、実際の基体表面において
切削ピッチはａ±ｂ/２の範囲内であることを示す。切
削ピッチ振れ幅は切削時に所望の切削ピッチ振れ幅の旋
盤を適宜使用することにより制御され得る。切削ピッチ
振れ幅は画像ノイズの観点からは小さいほど好ましい
が、本発明においては当該振れ幅が比較的大きくても濃
度ムラの低減を達成できる。振れ幅は通常、２０μｍ以
下、好ましくは１０μｍ以下程度である。切削ピッチ振
れ幅は、切削ピッチ測定のための上記装置によって測定
された複数のＤ値についての最大値と最小値との差によ
って得ることができる。

【００１７】ＷはＹとの間に公約数を持たない任意の自
然数であって、Ｗ≠１およびＷ≠Ｙを満たす。このよう
な条件を満たすＷの中でもＷはＹより大きい自然数であ
ることが好ましい。

【００１８】このようなＹとＷの組み合わせとしてはＸ
値とＺ値、すなわち上記式（II）から得られるＹの上限
値にもよるが、例えば、Ｙが２、３、４または５をとり
得るとき、（Ｙ，Ｗ）＝（２，２ｐ＋１）（３，３ｑ±
１）（４，２ｒ＋１）（５，５ｓ−３）（５，５ｓ−
２）（５，５ｓ−１）（５，５ｓ＋１）（式中、ｐ、
ｑ、ｒおよびｓは任意の自然数である）等が挙げられ
る。本発明においては、上記式（Ｉ）を満足するような
ＹとＷの組み合わせを少なくとも１組存在させる。

【００１９】本発明の画像形成装置において、解像力お
よびハーフ画像の出力方式が適宜選択可能である場合、
いかなる設定のときも濃度ムラの発生を抑制できるよう
に、全ての場合において上記の式（Ｉ）を満足している
ことが好ましい。すなわち、例えば解像力が６００ｄｐ
ｉまたは４００ｄｐｉで選択可能であり、ハーフ画像の
出力方式がワン・バイ・ワン（one by one）方式または
ツー・バイ・ツー（two by two）方式で選択可能な場
合、当該装置における切削ピッチＤ（μｍ）は、下記に
示す「解像力」と「ハーフ画像の出力方式」の各組み合
わせにおいて上記式（Ｉ）を満足するようなＹとＷの組
み合わせが少なくとも１組ずつ存在するように決定され
ることが好ましい。 （解像力、ハーフ画像の出力方式）＝（６００dpi、ワン・バイ・ワン方式） （６００dpi、ツー・バイ・ツー方式） （４００dpi、ワン・バイ・ワン方式） （４００dpi、ツー・バイ・ツー方式）

【００２０】本発明において感光体を構成する基体は、
印字ピッチＸと上記の関係を有する切削ピッチＤを基体
表面に付与できれば、電子写真感光体の分野で公知のい
かなる材料からなっていてもよいが、一般に、アルミニ
ウム、銅、鉄、ニッケル等の金属板をドラム状にしたも
のが使用される。また、基体は上記切削ピッチＤを付与
できれば、プラスチックフィルム等に上記金属を真空蒸
着、スパッタリング、無電解メッキしたものも使用可能
である。

【００２１】本発明においては上記のような基体の最表
面にアルマイト層を有していることが好ましい。アルマ
イト層は基体から感光層への電荷注入を防止し、画像ノ
イズの発生を有効に防止することができる。基体表面に
アルマイト層を有する場合においては、当該アルマイト
層を形成する直前の基体表面における切削ピッチＤが印
字ピッチＸと上述のような関係を有していればよいが、
アルマイト層形成の前後において切削ピッチＤの値はほ
とんど変わらない。

【００２２】アルマイト層は、例えば、円筒状に加工さ
れたアルミニウム素管を陽極とし、電解液として硫酸あ
るいはシュウ酸等を用いて公知の電解処理（アルマイト
処理）を行って得られる。その後、所望により、ニッケ
ルイオン等を含む液中に浸漬して封孔処理を行ってもよ
い。アルマイト層の膜厚としては２〜１５μｍ程度が好
適である。

【００２３】本発明における感光体は、上記のような基
体上に公知の感光層を形成してなる。本発明は基体上ま
で露光光が照射されるような感光層形態を持った感光体
に対して有効であり、例えば、電荷発生材料を含む層及
び電荷輸送材料を含む層を順次積層した形態があるが、
これに限らない。

【００２４】電荷発生材料としては有機系感光体の分野
で公知の材料が使用可能であり、例えば、ビスアゾ系顔
料、トリアリールメタン系染料、チアジン系染料、オキ
サジン系染料、キサンテン系染料、シアニン系色素、ス
チリル系色素、ピリリウム系染料、アゾ系染料、キナク
リドン系染料、インジゴ系顔料、ペリレン系顔料、多環
キノン系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料、インダ
スロン系顔料、スクアリリウム系色素、フタロシアニン
系顔料等の光を吸収して極めて高い効率で電荷担体を発
生する材料が挙げられる。

【００２５】電荷輸送材料としては有機系感光体の分野
で公知の材料が使用可能であり、例えば、アントラセン
誘導体、ピレン誘導体、カルバゾール誘導体、テトラゾ
ール誘導体、メタロセン誘導体、フェノチアジン誘導
体、ジアミノ化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾン化
合物、スチリル化合物、スチリルヒドラゾン化合物、エ
ナミン化合物、ブタジエン化合物、ジスチリル化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、チアゾ
ール化合物、イミダゾール化合物、トリフェニルアミン
誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノスチルベン
誘導体、トリフェニルメタン誘導体等が挙げられる。

【００２６】感光層において上記の電荷発生材料および
電荷輸送材料は結着樹脂中に溶解または分散されていて
よい。結着樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、
ポリビニルアセタール、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテル
スルホン、ＡＢＳ樹脂等の熱可塑性樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、イソ
シアネート樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、熱
硬化性アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン
等の光導電性樹脂を挙げることができるが、特にこれら
のものに限定されるものではない。

【００２７】感光層は公知のいかなる方法によって形成
されてよく、例えば、上記の電荷発生材料または電荷輸
送材料および所望により上記結着樹脂を溶媒に溶解また
は分散させて得られた塗液を用いて浸漬塗布またはスプ
レー塗布することによって形成され得る。上記の塗液に
おける溶媒としては、電子写真感光体の製造において一
般に使用されている公知の溶媒を用いることができ、例
えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスル
ホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、セロソ
ルブ、カルビトール等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチル等のエステル類、クロロホルム、ジクロルメタ
ン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタン等
の脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、トル
エン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルベンゼン等の芳香族類等の有機溶剤を使用するこ
とができる。

【００２８】また、感光体は感光層の表面に保護層を有
していても、前記基体と感光層との間に中間層や下引き
層等を有していてもよい。

【００２９】本発明の画像形成装置は少なくとも以上の
ような感光体を備えてなり、通常、公知の画像形成装置
に一般的に備わっている他の手段を備えてなる。公知の
画像形成装置に一般的に備わっている他の手段として
は、例えば、上記した感光体を帯電する手段、上記した
感光体上に静電潜像を形成する静電潜像形成手段、該静
電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段、該トナ
ー像を転写材に転写する転写手段、転写材上に転写され
たトナー像を定着する定着手段、感光体に対して光除電
を行う光除電手段、感光体をクリーニングする感光体ク
リーナなどが挙げられる。

【００３０】本発明の装置において静電潜像形成手段
は、感光体を露光して感光体上に静電潜像を形成する機
能を有し、すなわち少なくとも、感光体に対して帯電を
行う帯電手段と、静電潜像を形成すべく像露光を行う露
光手段とを有してなる。

【００３１】帯電手段としては、特に制限はなく、例え
ば、導電性又は半導電性のローラ、ブラシ、フィルム、
ゴムブレード等を用いた接触型帯電器、コロナ放電を利
用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器などのそ
れ自体公知の帯電器が挙げられる。これらの中でも、帯
電補償能力に優れる点で接触型帯電器が好ましい。帯電
手段は、感光体に対し、通常、直流電流を印加するが、
交流電流をさらに重畳させて印加してもよい。

【００３２】露光手段としては、前記感光体表面を所望
の像様に露光できる機能を有し、かつ当該露光手段によ
って照射される光ビームの最小印字間隔の整数倍（ハー
フ画像の出力方式によって異なる）で表される印字ピッ
チＸが切削ピッチＤと上述したような関係を有すれば特
に制限はないが、画質向上の観点から、スポット径、す
なわち１個分のドット長が１００μｍ以下、好ましくは
７０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下の範囲で設
定されている光学系機器を用いることが望ましい。この
ような光学系機器の光源としては、特に制限されず、例
えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）光、半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）光、液晶シャッタ光、白色光等が挙げられる。本発
明においては上記の光源の中でも、ＬＥＤ光またはＬＤ
光等のコヒーレント光学系機器を用いた場合において
は、光の干渉性より画像ノイズが発生しやすいため、特
に有効である。

【００３３】現像手段は、前記感光体上に形成された静
電潜像を現像してトナー像を形成する機能を有する。現
像は、静電潜像と逆極性に帯電されたトナーを潜像に付
着させる方式の公知の正現像であっても、静電潜像と同
極性に帯電されたトナーを潜像に付着させる方式の公知
の反転現像であってもよい。また現像は、磁性もしくは
非磁性の一成分系現像剤または二成分系現像剤などを接
触あるいは非接触させて現像する一般的な現像手段を用
いて行うことができる。そのような現像手段としては、
上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応
じて適宜選択することができるが、例えば、一成分系現
像剤または二成分系現像剤をブラシ、ローラー等を用い
て前記感光体に付着させる機能を有する公知の現像器な
どが挙げられる。

【００３４】転写手段としては、現像により感光体上に
形成されたトナー像を転写材に転写する機能を有すれ
ば、特に制限されず、例えば、ベルト、ローラ、フィル
ム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ
放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転
写帯電器などのそれ自体公知の転写帯電器が挙げられ
る。転写手段は、現像により感光体上に形成されたトナ
ー像を、例えば、導電性粒子を分散させたポリウレタン
系樹脂等からなるベルト状の中間転写体に一旦転写する
第１転写手段、および中間転写体上のトナー像を転写材
に転写する第２転写手段からなっていてもよい。

【００３５】定着手段としては、転写材上に転写された
トナー像を定着する機能を有すれば、特に制限はなく、
それ自体公知の定着器が使用可能であり、例えば熱ロー
ル定着器、オーブン定着器などが挙げられる。

【００３６】光除電手段としては、感光体に対して光除
電を行う機能を有すれば、特に制限はなく、例えば、タ
ングステンランプ、ＬＥＤなどが挙げられ、該光除電プ
ロセスに用いる光質としては、例えば、タングステンラ
ンプ等の白色光、ＬＥＤ光等の赤色光などが挙げられ
る。以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明す
る。

【００３７】

【実施例】（実施例１）切削ピッチ振れ幅Ｚが１５μｍ
以内である旋盤を使用し、切削ピッチＤが２３３μｍと
なるようにアルミ管を切削し、φ３０ｍｍ×Ｌ３５０ｍ
ｍのアルミベースを得た。次に、このベースをアルマイ
ト処理（陽極酸化処理）し、６μｍ厚のアルマイト層を
設け、これを基体とした。

【００３８】フタロシアニン（東洋インキ製造社製：ａ
ｍ−ＴｉＯＰＣ）１重量部、テトラヒドロフラン１００
重量部、およびブチラール樹脂（積水化学工業社製：エ
スレックＢＸ−１）１重量部をサンドミルにより分散処
理して、ｍ型チタニルフタロシアニン顔料が分散された
電荷発生層用塗液を調製した。そして、この塗液を上記
支持体上に塗布し、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形
成した。

【００３９】次いで、塩化メチレン１００重量部に対し
て、ポリカーボネート樹脂（帝人化成社製：パンライト
Ｋ−１３００）を１５重量部、下記一般式；

【化１】 で示される電荷輸送材料を１０重量部の割合で溶解させ
て電荷輸送層用の塗液を調製した。そして、この電荷輸
送層用の塗液を上記の電荷発生層上に塗布し、これを１
００℃で４５分間乾燥させて膜厚が２５μｍになった電
荷輸送層を形成し、基体上に上記の電荷発生層と電荷輸
送層とが積層された機能分離型の電子写真感光体を得
た。

【００４０】（実施例２）切削ピッチＤが２７５μｍと
なるようにアルミ管を切削したこと以外、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を得た。 （実施例３）切削ピッチＤが２８８μｍとなるようにア
ルミ管を切削したこと以外、実施例１と同様にして、電
子写真感光体を得た。 （比較例１）切削ピッチＤが２５４μｍとなるようにア
ルミ管を切削したこと以外、実施例１と同様にして、電
子写真感光体を得た。

【００４１】（評価）得られた感光体を、解像力６００
ｄｐｉのプリンター（Ｄｉ３５０；ミノルタ社製）に搭
載し、ドットハーフ画像（Ａ４サイズ）をワン・バイ・
ワン（one byone）方式（印字ピッチＸ＝８４．７μ
ｍ）にて印字した。得られた画像を目視により観察し、
濃度ムラについて以下のランク付けに従って評価した。 ○；濃度ムラは発生していなかった； ×；濃度ムラが発生しており、実用上問題あった。

【００４２】評価結果を以下の表に示す。

【表１】

【００４３】

【発明の効果】本発明により、濃度ムラの発生を抑制で
きるという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）は基体表面の切削ピッチ（Ｄ）の繰り
返しを示す概念図を示し、（ｂ）は感光体表面の印字ピ
ッチ（Ｘ）の繰り返しを示す概念図を示し、（ｃ）は
（ａ）および（ｂ）を重ねたときの見取り図を示す。

【図２】 積層型の有機電子写真感光体におけるドット
太りの発生メカニズムを説明するための概念図を示す。

【符号の説明】

１；基体、２；電荷発生層、３；電荷輸送層、１０；有
機感光体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 裕史 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H035 CA07 CB02 2H068 AA54 AA59 DA80 EA07 FA17 FB07

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 切削ピッチＤ（μｍ）が印字ピッチＸ
   （μｍ）との関係で下記式； （Ｘ／Ｙ）×Ｗ−５≦Ｄ≦（Ｘ／Ｙ）×Ｗ＋５ （但し、Ｙは下記式； Ｙ＜Ｘ／Ｚ を満たす２以上の任意の自然数である；Ｚは切削ピッチ
   振れ幅（μｍ）を示す；ＷはＹとの間に公約数を持たな
   い任意の自然数であって、Ｗ≠１およびＷ≠Ｙを満た
   す）を満足する基体からなる感光体を備えた画像形成装
   置。
2. 【請求項２】 ＷがＹより大きい自然数である請求項１
   に記載の画像形成装置。
3. 【請求項３】 Ｙが下記式； Ｙ＜Ｘ／Ｚ を満たす最大の自然数である請求項１または２に記載の
   画像形成装置。
4. 【請求項４】 切削ピッチＤが１００〜６００μｍであ
   る請求項１〜３いずれかに記載の画像形成装置。