JP2001098375A - 改良冷却ｉｍｐコイル支持体 - Google Patents

改良冷却ｉｍｐコイル支持体

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JP2001098375A JP2000208308A JP2000208308A JP2001098375A JP 2001098375 A JP2001098375 A JP 2001098375A JP 2000208308 A JP2000208308 A JP 2000208308A JP 2000208308 A JP2000208308 A JP 2000208308A JP 2001098375 A JP2001098375 A JP 2001098375A
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ヴァトヴェツ グナール
Peijun Ding
ディン ペイジュン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に真空条件において、コイルやヒートシン
クなどのチャンバ要素間の熱伝導性を上昇することによ
り、熱による負荷をより容易に分散させ、なおチャンバ
要素に対して電気的な絶縁性を提供する必要がある。 【解決手段】 本発明は一般に、加熱された部材からの
熱分散を図る、加熱された部材に連結された熱的伝導性
および電気的絶縁性の部材を有する基板処理装置を提供
する。好適実施形態では、本発明は、ＩＭＰ反応チャン
バ１００内の電気的に絶縁されたコイル１２２の熱伝導
性によって熱分散を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理の装置と方
法に関する。特に、基板処理チャンバに熱を分散するた
めの、熱伝導性および電気絶縁性部材を有する装置およ
び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】サブクオータ・ミクロンのマルチレベル
・メタライズ法は、集積回路（ＩＣ）の、次世代超大規
模集積回路（ＵＬＳＩ）のための主用技術を代表する１
つである。回路密度の増加に伴い、バイアス、コンタク
ト、およびその他の特徴が０．２５μｍ以下に縮小する
一方で、誘電層の厚さはほぼ一定に保たれ、その結果、
特徴に対するアスペクト比、すなわち、その高さを幅で
割ったものは増大する。従来の多くの堆積処理で、アス
ペクト比が４：１を越える場合、特に１０：１に近い場
合には、構造に充填することが困難である。
【０００３】高アスペクト比特徴への堆積を達成するた
め、１つの方法では、イオン化金属プラズマ（ＩＭＰ）
処理として知られる高圧物理的気相成長法（ＰＶＤ）を
用いる。一般にＩＭＰ処理は、アスペクト比の高い構造
上に、良好な底面被覆率を持った高方向性の堆積を提供
する。図１は、典型的なＩＭＰチャンバ１０の概略図で
あり、チャンバ１０内には、支持体３０によってコイル
２２が支持されている。通常、ヘリウムやアルゴンなど
の処理ガスがチャンバに注入され、電源装置１２によっ
てターゲット１４にバイアスがかけられて、ターゲット
と、基板１８を支持している基板支持体１６との間に、
処理ガスイオンのプラズマ１３が生成される。イオンは
ターゲットに衝撃を与え、ターゲットの物質をスパッタ
する。スパッタされたターゲット物質のいくつかは、基
板方向に向う。第２の電源装置２０が、ターゲット１４
と基板１８の間に置かれたコイル２２に電源を供給す
る。コイルはプラズマ濃度を増加させ、コイルと強度を
増したプラズマによって発生した磁場を横切る、スパッ
タされた物質をイオン化する。第３の電源装置２４が基
板にバイアスをかけ、スパッタされた物質のイオンを高
い方向性で基板表面に引き付けることによって、基板内
の高アスペクト比の特徴はより上手く充填される。クラ
ンプ・リング２６が基板周辺に配置され、基板を正しい
位置に保つ。シールド２８がチャンバの側壁とスパッタ
された物質の間に配置され、チャンバ側壁にスパッタさ
れた物質が堆積するのを避ける。シールド２８は導電性
があり、通常アルミニウムで作られ、接地されており、
またコイル２２は導電性があり電源供給されているの
で、２つの構成要素間の電気絶縁性は、通常、電気絶縁
性支持体３０によるのが望ましい。
【０００４】図１の典型的な支持体３０の詳細が、図２
に示されている。コイル２２は、コイルの雌ねじピン３
６と、雄ねじ３２を持つシールド２８近くのスクリュー
３４との組み合わせによって、シールド２８に取り付け
られる。処理中、コイルもプラズマ・イオンによってス
パッタされるので、一般にコイルは銅など、ターゲット
と同じ物質から作られる。ピンとスクリューは、通常酸
化アルミニウム（アルミナ）で作られる絶縁性の支持迷
路４０によってシールドから隔てられている。アルミナ
の迷路は、電気絶縁性かつ熱遮断性である。支持体３０
の内部表面を支持体近くでスパッタされた物質から保護
するため、内部カップ４２がコイルと支持迷路の間に置
かれる。内部カップはプラズマ・イオンにさらされるた
め、一般に内部カップもまた、コイルと同じ物質から作
られる。外部カップ４４がボルト４６ａ、４６ｂによっ
てシールドに取り付けられ、内部カップの外周の一部を
取り巻いて、支持体３０の内部表面に堆積するスパッタ
物質を減少する。外部カップ４４は一般にステンレス・
スチールなどの導電性物質から作られる。内部カップ、
支持迷路、およびシールドとコイル間の外部カップとの
アセンブリは、スクリュー３４とピン３６による位置に
保持される。絶縁性セラミック・キャップ４８がスクリ
ュー３４を保護し、チャンバ表面とスクリュー３４を隔
離する。
【０００５】チャンバの発熱性、特にプラズマ発生のた
めに電圧を加えられるコイル内の発熱性は、基板処理お
よび生成される膜に不利な効果をもたらすことが発見さ
れている。熱が、コイルなど構造要素を変形させる原因
となり、それによってプラズマ密度やその形が変化する
可能性がある。温度上昇はまた、コイル温度の変化にと
もなってスパッタ速度が変化する原因ともなりうる。上
昇した温度によって、コイルを過熱することなくコイル
に与えることのできる電力量が、制限される可能性もあ
る。熱は、ヒートシンクに取り付けられた導電性要素全
体に分散され得ることが知られている。しかし、熱をヒ
ートシンクに導く典型的な導電性物質には電気導電性が
あり、コイルや他の電気絶縁性要素の適正に機能する能
力に対して不利に働くことがある。
【０００６】さらに熱分散は、真空条件の下では、構造
要素のボルト締めやクランプなどの通常の付属品によっ
て妨害される。真空条件では、隣接する表面の間で熱を
伝達する分子がほとんどない。研磨表面であっても、拡
大すると表面には不規則面が見られる。２つの表面をボ
ルトやクランプで締め合わせると、両表面間の界面をわ
たって熱伝達がおこなわれるのは、直接に接触している
微視的表面に限られ、２表面の非接触部分間は、真空条
件の下では空間を占める分子がないため、熱伝達は妨げ
られる。通常、界面の数が多いほど伝導性に対する抵抗
が増加する。典型的な支持体３０はいくつかの表面を持
ち、これにより熱伝達が妨害される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、特に真空
条件において、コイルやヒートシンクなどのチャンバ要
素間の熱伝導性を上昇することにより、熱による負荷を
より容易に分散させ、なおチャンバ要素に対して電気的
な絶縁性を提供する必要が残されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は一般に、過熱さ
れた部材に連結され、過熱された部材からの熱分散を図
る熱伝導性かつ電気絶縁性の部材を有する、基板処理装
置を提供する。本発明の好適実施形態では、ＩＭＰ反応
チャンバ内の、電気絶縁コイルの熱伝導性により熱分散
が図られる。
【０００９】本発明は、１様態においてチャンバ、電気
伝導性部材、および電気伝導性部材を支持する熱伝導性
かつ電気絶縁性支持体を備え、熱伝導性かつ電気絶縁性
支持体が少なくとも９０ワット／メートル・ケルビン
（Ｗ／ｍ・Ｋ）の熱伝導係数値と少なくとも１０14キロ
ボルト／ミリメーター（ｋＶ／ｍｍ）の電気抵抗の指標
である絶縁耐力値を持つ要素からなる、基板処理装置を
提供する。別の様態において、本発明は、チャンバ、チ
ャンバ付近の電気伝導性部材、および電気伝導性部材を
支持する熱伝導性かつ電気絶縁性支持体を備え、支持体
には基本的に窒化アルミニウムと酸化ベリリウムで構成
するグループから選択される要素が含まれる、基板処理
装置を提供する。別の様態において、本発明は、セラミ
ックおよびセラミックに接合された金属伝導体を含む基
板処理装置を提供する。本発明はまた、基板処理チャン
バを冷却する方法も含んでおり、チャンバを提供するス
テップ、チャンバ内の電気伝導性部材を熱伝導性および
電気絶縁性の接合部材によって支持するステップと、電
気伝導性部材からチャンバまでの１つ以上の接合された
支持接続を通る、少なくとも１つの熱流路を提供するス
テップとを備える。別の様態において、本発明は、少な
くとも９０W／m・Ｋの熱伝導係数値と、少なくとも１０
14ｋＶ／ｍｍの絶縁耐力値を持つ半導体セラミックを含
む、基板処理装置用支持体を提供する。さらに別の様態
では、本発明は、基本的に窒化アルミニウムと酸化ベリ
リウムで構成するグループから選択される、半導体セラ
ミックを含む、基板処理装置用支持体を提供する。
【００１０】上に述べられた特徴、利点および本発明の
目的の達成と詳細な理解のため、添付図面に示す実施形
態を参照することにより、上に簡潔にまとめられた本発
明のより具体的な説明が得られる。
【００１１】しかしながら添付図面は本発明の典型実施
形態のみを説明するものであり、したがってその範囲を
制限するものとは考えられず、本発明は効果の等しいそ
の他の実施形態を認め得るものである点に注意する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図３はＩＭＰチャンバ１００の略
断面図であり、別のチャンバ要素からコイルなど、電気
伝導性部材の電気的絶縁に利するため、本発明の支持体
が使用されている。ＩＭＰ ＶＥＣＴＲＡTMチャンバと
して知られる、イオン化金属プラズマ（ＩＭＰ）処理チ
ャンバは、カリフォルニア、サンタクララのＡｐｐｌｉ
ｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｃ．から入手可能であ
る。ＩＭＰチャンバはＥｎｄｕｒａ（登録商標）プラッ
トフォームに統合可能であり、これもＡｐｐｌｉｅｄＭ
ａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｃ．から入手可能である。チャ
ンバ１００は側壁１０１、リッド１０２、および底部１
０３を含む。リッド１０２には、ターゲット支持プレー
ト１０４が含まれ、堆積される物質のターゲット１０５
を支持する。チャンバ１００の開口部１０８は、チャン
バへ基板１１０を渡し、またチャンバから基板１１０を
取り出すロボット（図示されない）に対し、通路を提供
する。基板支持体１１２は基板１１０を支持し、通常接
地されている。基板支持体はリフト・モータ１１４上に
備えられ、リフト・モータ１１４は基板支持体１１２と
その上に置かれた基板１１０を上下する。チャンバ内に
はリフト板１１６がリフト・モータ１１８に連結されて
備えられ、基板支持体に取り付けられたピン１２０ａ、
１２０ｂを上下する。これらのピンが基板１１０を基板
支持体１１２の表面に対して上げ下げする。基板支持体
１１２とターゲット１０５の間にコイル１２２が備え付
けられ、チャンバに誘導磁場を供給してターゲット−基
板間のプラズマ生成、およびその維持を補助する。コイ
ルによってスパッタ物質をイオン化するプラズマの密度
が高まる。イオン化された物質は、次に基板の方向に向
けられ基板上に堆積される。シールド１２４がチャンバ
の壁をスパッタ物質から保護するためにチャンバ内に配
置されている。シールドはまたコイル１２２を本発明の
支持体５０を介して支持している。支持体５０はコイル
１２２を、シールド１２４とチャンバ１００から電気的
に絶縁している。クランプ・リング１２８はコイル１２
２と基板支持体１１２の間に取り付けられており、基板
が処理位置まで上昇しクランプ・リングの低部分が噛み
合わされる際に、基板の外縁および裏面をスパッタ物質
から保護する。チャンバの構成によっては、基板がシー
ルドの下まで下降されて基板搬送が可能な場合、シール
ド１２４がクランプ・リングを支持するものもある。
【００１３】３つの電源供給装置がこのタイプの誘導結
合形スパッタリング・チャンバの中に使用される。電源
供給装置１３０はエネルギーを静電結合するＲＦ電源ま
たはＤＣ電源のいずれかをターゲット１０５に分配し、
処理ガスにプラズマを形成させる。ターゲット板１０４
の後ろに配置された磁石１０６ａ、１０６ｂはスパッタ
効率を増加するために、ターゲット付近のプラズマ濃度
を上昇する。好ましくはＲＦ電源である電源１３２が、
ＭＨｚレンジの電力をコイル１２２に供給しプラズマ濃
度を増加する。ＲＦ電源もしくはＤＣ電源のいずれかで
ある別の電源１３４が、プラズマに関して基板支持体１
１２にバイアスをかけ、基板に向けてイオン化されたス
パッタ物質の方向性誘引を与える。
【００１４】アルゴンやヘリウムの不活性ガスなどの処
理ガスが、質量流量制御装置１４２、１４４によって計
量されながら、それぞれガス源１３８、１４０からガス
注入口１３６を通ってチャンバ１００へ供給される。真
空ポンプ１４６が排気ポート１４８でチャンバに接続さ
れており、チャンバを排気しチャンバ内を望ましい圧力
に維持する。
【００１５】制御装置１４９は電源供給装置、リフト・
モータ、ガス注入のための質量流量制御装置、真空ポン
プ、および他の関連するチャンバ要素の機能を制御す
る。制御装置１４９は、好ましくはプログラム可能なマ
イクロプロセッサを備え、メモリに格納されたシステム
制御ソフトウェアを実行し、好適実施形態ではメモリは
ハードディスク・ドライブであり、また制御装置１４９
はアナログおよびデジタル入出力ボード、インターフェ
ースボード、およびステッピング・モータ制御ボード
（図示されない）を含み得る。制御装置１４９はチャン
バ要素への電力を制御し、オペレータによるモニターお
よびチャンバの操作を可能とするパネルを含む。一般に
光および／または磁気センサ（図示されない）が、可動
機構アセンブリの位置を移動し決定する。
【００１６】図４と図５を参照してより詳細に記述され
る、本発明の支持体５０がコイル１２２に対して電気的
絶縁を提供し、さらにまた基板処理チャンバ１００内で
発生した熱に対するコイル１２２からの熱伝導性を提供
する。物質の選択は熱伝導性と電気的絶縁性を併せて可
能である。ろう付けなどの接合により要素間の積極的な
接合を可能にすることにより、ボルト接続やクランプ接
続による従来の取り組み程に、真空状態下における要素
の界面間で熱伝達が制限されることがない。接続数を制
限して界面の数を最小限にすることにより、さらなる利
益がもたらされる。
【００１７】図４は、本発明に基づく、たとえばコイル
５２などの電気伝導性部材を支持する電気絶縁性および
熱伝導性支持体５０の略部分断面図である。コイル５２
は、ねじ山５７を有するスクリュー５６と連結された、
雌ねじピン５４によりシールド２８に取り付けられる。
１実施形態ではコイルはターゲットと同じ物質、たとえ
ば銅で作られる。内部カップ５８がコイルと内部伝導体
６０の間に配置され、支持体５０の内部表面をプラズマ
から保護する。内部カップはプラズマイオンにさらされ
るので、一般に内部カップもコイルと同じ物質から作ら
れる。内部伝導体６０は導電性でかつコイル５２および
内部カップ５８と同じ物質で作ることができ、コイル５
２からの熱伝達を助ける。
【００１８】誘電要素６２は内部伝導体６０とシールド
２８に向けた間に配置される。誘電要素６２は、好まし
くは電気絶縁性かつ熱伝導性物質である。好適な物質の
１つが窒化アルミニウムである。他に酸化ベリリウムも
可能である。両物質とも、少なくとも９０ワット／メー
トル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）の熱伝導係数値と少なく
とも１０14キロボルト／ミリメーター（ｋＶ／ｍｍ）の
電気抵抗の指標である絶縁耐力値を示す。ここに指定さ
れた電気的および熱的特性を有する他の物質もまた適当
であろう。外部伝導体６４が誘電要素６２から外側に配
置されて、シールド２８に噛み合い、シールド２８に熱
エネルギーを伝達できる。外部伝導体６４は銅などの導
電性物質で作られ、内部伝導体６０と同じ物質にするこ
とが可能である。
【００１９】このように、１様態において、２つの伝導
体６０、６４と熱伝導性誘電要素６２が、コイル５２と
シールド２８の間で熱エネルギーを伝達し、同時に誘電
要素６２はコイル５２とシールド２８の間に電気的絶縁
を提供する。好ましくは、伝導体６０、６４のうち少な
くとも１つと誘電要素６２とを接合することによって、
熱伝導性がさらに向上する。上述のように、通常の基板
処理の真空状態は、ボルト接続やクランプ接続された界
面を含む界面間の熱伝達を阻害する。本発明は、伝導体
６０、６４のうち少なくとも１つと誘電要素６２とを接
合することによって、熱伝導性を向上する。接合はろう
付け、はんだ付け、あるいは他に知られる２つの要素を
接合する方法によって実現可能である。接合することに
よって、真空状態と物理的なクランプタイプの接続によ
りもたらされる界面効果が減じられる。好ましくは、外
部伝導体６４と誘電要素６２が接合部６３でろう付けさ
れる。図示の実施形態では、内部伝導体６０は誘電要素
６２に接合されて図示されていないが、そのような接続
により熱伝導性をさらに向上させる実施形態も可能であ
る。同様に、内部カップ５８をコイル５２に、外部伝導
体６４をシールド２８に接合する実施形態も可能であ
る。図示の実施形態で外部伝導体６４と誘電要素６２の
接合が不足しているのは、アセンブリと保守の実際上の
考慮が反映されている。
【００２０】ねじ要素６８、７０によりシールド２８に
取り付けられる外部カップ６６は、内部カップ５８の外
周の一部を取り囲んで支持体５０の内部表面にスパッタ
物質が堆積するのを減少し、一般にステンレス・スチー
ルなどの導電物質で作られる。シールド２８の外に配置
されるスクリュー５６のスクリュー・ヘッドがクランプ
７２に噛み合って、シールド２８のスクリュー５６とコ
イル５２のピン５４間の様々な要素を押しつける補助を
する。クランプ７２が導電性である場合、クランプ７２
とシールド２８の間に配置されるクランプ絶縁物７４に
よってシールド２８からクランプ７２を絶縁することが
望ましい。スクリュー５６が非導電性である場合、この
ような絶縁物は不要である。図示の実施形態では、クラ
ンプ７２は電気伝導性でありシールド２８全体に延伸
し、ライナー７６によりシールド２８から電気的に絶縁
されている。クランプ７２が非導電性である場合、この
ような電気絶縁物はやはり不要である。アルミナなどの
絶縁物質で作られる絶縁性セラミックのキャップ７８
が、スクリュー５６および／またはその他の導電性要素
を保護しチャンバ表面から絶縁する。
【００２１】図５は支持体５０の、別の実施形態の略断
面図である。この実施形態では、コイル８２が図４に示
される内部伝導体６０と内部カップ５８を含み、それに
よって、これら要素にわたり界面なく連続した熱伝達が
もたらされる。誘電要素８６がコイル８２とシールド２
８の間に配置される。誘電要素８６は図４に示す誘電要
素６２と同じ物質によって作ることが可能である。コイ
ル８２と誘電要素８６は、セラミックワッシャ８０と誘
電要素８６を通るねじ８３によってシールド２８と連結
し、コイル８２のねじ穴８４に入る。支持体５０はセラ
ミックキャップ７８によってシールド２８上に保護され
る。支持体５０のこの実施形態によってコイルとシール
ド間の界面数が減少する。
【００２２】図６は、従来技術の支持体３０と本発明の
支持体５０を用いて、図３に示される典型的なコイル１
２２の温度を比較して得られた試験結果を示すものであ
る。各支持体をコイル１２２に連結されるチャンバに取
り付けて、処理を開始した。過渡的なコイル温度が、多
数の堆積サイクルにわたり増加的に測定された。これら
試験に使用された処理方法は、以下の通りであった。約
２０００ワット（Ｗ）のＤＣ電力をターゲットに与えて
プラズマを発生した。約２０００ＷのＲＦ電力をコイル
１２２に与えてプラズマ濃度を増し、プラズマを横切る
スパッタされたターゲット物質をイオン化した。負荷サ
イクルは約５０％、すなわちコイルに電力が与えられる
時間とコイルに電力が与えられない時間は、ほぼ等しか
った。基板１１０をバイアスしてイオン化されたスパッ
タ物質を基板１１０に引きつけるため、約３５０ＷのＤ
Ｃ電力が基板支持体１１２に与えられた。チャンバ圧力
は約２０ｍＴｏｒｒに維持された。
【００２３】図６に示す上の線１５０は従来技術の支持
体３０のコイル温度を表す。コイル温度は約８０堆積サ
イクル以後、約６００℃に上昇した。これに対し、下の
線１５４は本発明の支持体５０のコイル温度を表してい
る。下の線１５４は、約４０堆積サイクル以後にコイル
温度が約４００℃の温度まで上昇し、約１２５堆積サイ
クルの間、この温度を維持したことを示している。した
がって、本発明の支持体５０は通常の従来技術による支
持体３０よりも低いコイル温度を与え、より早く確定し
た。より低いコイル温度は、処理開始からコイルの温度
の変化がより少ないことから、基板処理に安定性を与
え、その結果コイルやプラズマの歪みが少なくなる。ま
たその他の試験によって、シールド１２４の温度がわず
かに約５０℃上昇し、約２００℃の温度になることが示
され、確かに支持体５０がシールド１２４により多くの
熱を伝え、コイル１２２を避けることを示している。
【００２４】前述は本発明の好適実施形態に向けられて
いるが、他のまたはさらなる実施形態が、本発明の基本
的範囲および以下の請求項により定められる本発明の範
囲から逸脱することなく考案され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】支持体により支持されたコイルを用いる、典型
的な処理チャンバの図である。
【図２】図１の支持体の詳細を示す、略部分断面図であ
る。
【図３】電気的に絶縁された部材と本発明の支持体が使
用可能な、チャンバの略断面図である。
【図４】本発明による電気的に絶縁された部材を支持す
る支持体の略部分断面図である。
【図５】本発明による電気的に絶縁された部材を支持す
る支持体の、別の実施形態の略部分断面図である。
【図６】従来技術の支持体と本発明の支持体間の、コイ
ル処理温度の変化を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イルヤング リチャード ホン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， リオ ロボ ドライヴ 5233 (72)発明者 ジェイムズ エイチ． ツァン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， ステュービンズ ウェイ 1512 (72)発明者 グナール ヴァトヴェツ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， １／２ ロジャース ロ ード 60 (72)発明者 ペイジュン ディン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， ウエスト リヴァーサイド ウェイ 1020 (72)発明者 アルヴィンド スンダラジャン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， モンロー ストリート 2200 ナンバー408

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）チャンバと、 ｂ）前記チャンバ内に配置された電気伝導性部材と、 ｃ）前記電気伝導性部材を支持する、少なくとも９０ワ
    ット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）の熱伝導係数
    値と少なくとも１０14キロボルト／ミリメーター（ｋＶ
    ／ｍｍ）の絶縁耐力値を有する部分を含む、熱伝導性お
    よび電気絶縁性の支持体と、を備える、基板処理装置。
  2. 【請求項２】前記電気伝導性部材がコイルを含む、請求
    項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】前記支持体が、共に接合された少なくとも
    ２つの部分を含む、請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】前記接合部が、共にろう付けされた部分を
    含む、請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】前記部分がセラミック部分と金属伝導体部
    分とを含む、請求項３に記載の装置。
  6. 【請求項６】前記セラミック部分が、基本的に窒化アル
    ミニウムと酸化ベリリウムで構成されるグループから選
    択される物質を含む、請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】 ａ）チャンバと、 ｂ）前記チャンバに近接する電気伝導性部材と、 ｃ）前記電気伝導性部材を支持する、基本的に窒化アル
    ミニウムと酸化ベリリウムで構成されるグループから選
    択される物質を有する部分を含む、熱伝導性かつ電気絶
    縁性の支持体と、を備える基板処理装置。
  8. 【請求項８】前記電気伝導性部材がコイルを含む、請求
    項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】前記支持体が、共に接合された少なくとも
    ２つの部分を含む、請求項７に記載の装置。
  10. 【請求項１０】前記接合部が、共にろう付けされた部分
    を含む、請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】前記部分がセラミック部分と金属伝導体
    部分とを含む、請求項９に記載の装置。
  12. 【請求項１２】前記セラミック部分が少なくとも９０Ｗ
    ／ｍ・Ｋの熱伝導係数値と少なくとも１０14ｋＶ／ｍｍ
    の絶縁耐力値を有する、請求項１１に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 ａ）セラミック部分と、 ｂ）前記セラミックに接合された金属伝導体部分と、を
    備える、基板処理装置用支持体。
  14. 【請求項１４】前記接合部が、共にろう付けされた部分
    を含む、請求項１３に記載の装置。
  15. 【請求項１５】前記セラミック部分が基本的に窒化アル
    ミニウムと酸化ベリリウムで構成されるグループから選
    択される物質を含む、請求項１３に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 ａ）チャンバを提供するステップと、 ｂ）前記チャンバ内の電気伝導性部材を、熱伝導性かつ
    電気絶縁性の、接合された支持体によって支持するステ
    ップと、 ｃ）前記電気伝導性部材から前記チャンバまで、前記支
    持体の１つ以上の接合部分を通して、少なくとも１つの
    熱流路を提供するステップと、を備える、基板処理チャ
    ンバの冷却方法。
  17. 【請求項１７】前記電気伝導性部材の電気的絶縁を維持
    しながら、前記電気伝導性部材から前記支持体を通って
    熱を伝えるステップを更に備える、請求項１６に記載の
    方法。
  18. 【請求項１８】前記接合された支持体を形成するよう
    に、金属伝導体部分とセラミック部分とをろう付けする
    ステップを更に備える、請求項１６に記載の方法。
  19. 【請求項１９】前記セラミック部分が基本的に窒化アル
    ミニウムと酸化ベリリウムで構成されるグループから選
    択される物質を含む、請求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】前記支持体が少なくとも９０Ｗ／ｍ・Ｋ
    の熱伝導係数値と少なくとも１０14ｋＶ／ｍｍの絶縁耐
    力値を有する部分を含む、請求項１６に記載の方法。
  21. 【請求項２１】少なくとも９０Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導係数
    値と少なくとも１０ 14ｋＶ／ｍｍの絶縁耐力値を有する
    半導体セラミック部分を含み、前記セラミック部分が処
    理装置の加熱された部材を支持するよう適合された、基
    板処理装置用支持体。
  22. 【請求項２２】基本的に窒化アルミニウムと酸化ベリリ
    ウムで構成されるグループから選択される物質を有する
    半導体セラミック部分を含み、前記セラミック部分が処
    理装置の加熱された部材を支持するよう適合された、基
    板処理装置用支持体。
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