JP2001094007A

JP2001094007A - パッケージ基板及びその製造方法

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Publication number: JP2001094007A
Application number: JP26913999A
Authority: JP
Inventors: Motoo Asai; 元雄浅井; Touto O; 東冬王; Kenichi Shimada; 憲一島田; Koji Sekine; 浩司関根
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-09-22
Filing date: 1999-09-22
Publication date: 2001-04-06
Anticipated expiration: 2019-09-22
Also published as: JP4127448B2

Abstract

(57)【要約】【課題】配線密度を高めたパッケージ基板及びその製
造方法を提供する。【解決手段】ＩＣチップへの接続端子の開口７１Ｕを
エキシマレーザで形成するため、当該端子に相当する通
孔７８ａを備えるマスク７０を用いることで、微細な開
口７１Ｕを狭ピッチで正確に形成することができる。一
方、ドータボードへの接続端子の開口７１Ｄを炭酸ガス
レーザで形成するため、大径の開口７１Ｄを容易に形成
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、層間樹脂絶縁層
と導体層とを交互に積層してなり、表面にソルダーレジ
スト層を被覆したＩＣチップ搭載用のパッケージ基板に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】パッケージ基板は、コア基板の両面に層
間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより形
成される。該パッケージ基板では、表面にソルダーレジ
スト層を配設し、該ソルダーレジスト層に設けた開口に
外部接続用の半田バンプを設けている。ここで、ソルダ
ーレジスト層の開口は、ソルダーレジストとして感光性
樹脂を用い、開口に相当する位置に黒円の描かれたマス
クを介してソルダーレジストを感光させ、黒円位置に相
当する未感光部分を溶解することにより形成していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記フ
ォトリソグラフィーによる方法では、微細な開口を狭ピ
ッチで形成することができず、パッケージ基板の高集積
化のために要求される性能を満たし得ないことがある。

【０００４】このため、本発明者は、ソルダーレジスト
層に炭酸ガスレーザを用いて開口を形成することを案出
した。しかしながら、炭酸ガスレーザを用いてもＩＣチ
ップ接続端子用の小径の開口を、正確な位置に形成する
ことは困難であり、更に、炭酸ガスレーザを照射して微
細な開口を１孔ずつ穿設すると、加工時間が長くなるこ
とが予想された。

【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、配線密度を高めたパ
ッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１は、上面にＩＣチップへ接続するための端
子を備え、下面に外部接続基板へ接続するための端子を
備え、上面及び下面にソルダーレジスト層を配設したパ
ッケージ基板であって、前記上面側のソルダーレジスト
層に、前記端子を露出させるためのエキシマレーザによ
る開口を形成し、前記下面側のソルダーレジスト層に、
前記端子を露出させるための炭酸ガスレーザによる開口
を形成したことを技術的特徴とする。

【０００７】請求項１では、ソルダーレジスト層にレー
ザで貫通孔を穿設するため、感光性樹脂に限定されるこ
となく、ソルダーレジスト層として種々の材料を用いる
ことが可能となる。また、ソルダーレジストの樹脂残り
による導通不良を低減させることができる。更に、ＩＣ
チップへの接続端子の開口をエキシマレーザで形成する
ため、当該端子に相当する通孔を備えるマスクを用いる
ことで、微細な開口を狭ピッチで正確に形成することが
できる。一方、外部端子への接続端子の開口を炭酸ガス
レーザで形成するため、大径の開口を容易に形成するこ
とができる。

【０００８】請求項２の発明では、炭酸ガスレーザによ
る開口の側壁に縞状の凹凸を形成してあるため、該開口
に金属膜を形成する際に、密着させることができる。

【０００９】請求項３の発明では、ソルダーレジスト層
が、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との
複合体からなるため、炭酸ガスレーザにより貫通孔側面
に縞状の凹凸を形成し易い。なお、熱可塑性樹脂のみの
場合は、樹脂が溶融してしまし、明確な凹凸形状の形成
が困難である。

【００１０】請求項４は、少なくとも以下の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）の工程を含むことを特徴とするパッケー
ジ基板の製造方法にある：（ａ）上面にＩＣチップへ接続するための端子を、下面
に外部接続基板へ接続するための端子を備えた基板の表
面にソルダーレジスト層を形成する工程、（ｂ）前記上
面側のソルダーレジスト層に、前記端子に対応する通孔
を備えるマスクを介してエキシマレーザを照射し、前記
端子に至る開口を形成する工程、（ｃ）前記下面側のソ
ルダーレジスト層に炭酸ガスレーザを照射し、前記端子
に至る開口を形成する工程。

【００１１】請求項４の発明では、ソルダーレジスト層
にレーザで貫通孔を穿設するため、感光性樹脂に限定さ
れることなく、ソルダーレジスト層として種々の材料を
用いることが可能となる。また、ソルダーレジストの樹
脂残りによる導通不良を低減させることができる。更
に、ＩＣチップへの接続端子の開口をエキシマレーザで
形成するため、当該端子に相当する通孔を備えるマスク
を用いることで、微細な開口を狭ピッチで正確に形成す
ることができる。一方、外部端子への接続端子の開口を
炭酸ガスレーザで形成するため、大径の開口を容易に形
成することができる。

【００１２】請求項５の発明では、貫通孔を形成する工
程において、炭酸ガスレーザの反射波と入射波との干渉
を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状の凹凸を
形成するため、該貫通孔に金属膜を形成する際に、当該
貫通孔に密着させることができる。

【００１３】請求項６の発明では、位置決めマークの開
口を炭酸ガスレーザで形成するため、大径の開口を容易
に形成することができる。

【００１４】請求項７の発明では、ビーム径を大きくす
ることができるシングルモードのレーザを照射するた
め、他のプリント配線板（例えば、マザーボード）への
接続用のバンプを形成するための大径の開口をソルダー
レジスト層に形成することが可能になる。

【００１５】請求項８は、少なくとも以下の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）の工程を含むことを特徴とするパッケー
ジ基板の製造方法：（ａ）上面にＩＣチップへ接続するための端子を備え、
下面に外部接続基板へ接続するための端子を備えた基板
の表面にソルダーレジスト層を形成する工程、（ｂ）前
記下面側のソルダーレジスト層を露光・現像し、前記端
子に至る開口を形成する工程、（ｃ）前記上面側のソル
ダーレジスト層に、前記端子に対応する通孔を備えるマ
スクを介してエキシマレーザを照射し、前記端子に至る
開口を形成する工程。

【００１６】請求項８の発明では、ＩＣチップへの接続
端子の開口をエキシマレーザで形成するため、当該端子
に相当する通孔を備えるマスクを用いることで、微細な
開口を狭ピッチで正確に形成することができる。一方、
外部端子への接続端子の開口を露光・現像によって形成
するため、大径の開口を容易に形成することができる。

【００１７】なお、パッケージ基板の表面に付加するソ
ルダーレジスト層としては、熱硬化性樹脂又は熱硬化性
樹脂と熱可塑性樹脂との複合体を使用でき、例えば、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン
系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を
使用できる。また、１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以
下の樹脂も用いることができる。更に誘電正接が０．０
１以下である樹脂が望ましい。その樹脂としては、ポリ
オレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰ
Ｅ）、フッ素樹脂の内のいずれか１種類以上含有したも
のがよい。それらを使用することによって、電子信号の
遅延やエラーが発生しなくなる。

【００１８】一方、このようなソルダーレジスト層は、
剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じること
がある。このため、補強層を設けることでソルダーレジ
スト層の剥離を防止することもできる。

【００１９】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。

【００２０】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品
名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品
名：2E4MZ ）を用いることができる。

【００２１】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量
％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。

【００２２】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させな
い。また、人体に対する有害性も少ない。

【００２３】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選
ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH_３Ｏ - (CH_２ CH_２Ｏ) _ｎ−CH_３（ｎ＝１〜
５）このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して１０〜７０wt％がよい。

【００２４】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感
剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。

【００２５】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後
者がよい。

【００２６】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−
６０４を用いることができる。また、これらのソルダー
レジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、よ
り望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで
塗布しやすい粘度だからである。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係るパ
ッケージ基板及びその製造方法について図を参照して説
明する。先ず、本発明の第１実施形態に係るパッケージ
基板１０の構成について、図６〜図８を参照して説明す
る。図６は、ＩＣチップ搭載前のパッケージ基板１０の
断面図を示し、図７（Ａ）は、図６に示すパッケージ基
板の上面を、図７（Ｂ）は底面を示し、図８は、図６に
示すパッケージ基板１０にＩＣチップ９０を載置し、ド
ータボード９４へ取り付けた状態を示している。

【００２８】図６に示すようにパッケージ基板１０で
は、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該
コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されてい
る。また、該コア基板３０の上には、バイアホール６０
及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶縁層５
０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上に
は、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成され
た上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。上層層
間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０
が配設されている。

【００２９】図７（Ａ）に示すように、パッケージ基板
１０の上面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕ
に、ＩＣチップへの接続用の半田バンプ７６Ｕが配設さ
れ、開口７１Ｏにより位置決めマーク７９が露出されて
いる。ここで、開口７１Ｕは、直径Φ１が８５μｍで、
ピッチＰ１が２５０μｍで形成されている。

【００３０】一方、図７（Ｂ）に示すようにパッケージ
基板の底面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄ
に、ドータボードへの接続用の半田バンプ７６Ｄが配設
されている。ここで、開口７１Ｄは、直径Φ２が１５０
μｍで、ピッチＰ１が６００μｍで形成されている。

【００３１】図６に示すように該半田バンプ７６Ｕは、
層間樹脂絶縁層１５０に形成されたバイアホール１６０
及び層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０
を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、該
半田バンプ７６Ｄは、層間樹脂絶縁層１５０に形成され
たバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁層５０に形成さ
れたバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続
されている。

【００３２】半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄは、ソルダーレ
ジスト層７０に穿設した開口７１Ｕ、７１Ｄ下の導体回
路１５８及びバイアホール１６０に、ニッケルめっき層
７２及び金めっき層７４を介して配設される。ソルダー
レジスト層７０のＩＣチップ側開口７１Ｕはエキシマレ
ーザで、ドータボード側開口７１Ｄは、炭酸ガスレーザ
により穿設されている。即ち、本実施形態では、ソルダ
ーレジスト層７０にレーザで開口を穿設するため、感光
性樹脂に限定されることなく、ソルダーレジスト層とし
て電気特性に優れた種々の材料を用いることが可能とな
る。

【００３３】ここで、エキシマレーザでＩＣチップ側の
開口７１Ｕを形成する際に、後述するように開口形成位
置に対応する通孔を設けたマスクを用いることで、開口
７１Ｕを一括して形成することができる。一方、炭酸ガ
スレーザにてドータボード側の開口７１Ｄを穿設する際
に、側壁にレーザ光干渉による縞状の凹凸を形成するた
め、ニッケルめっき層７２を密着させることができ、半
田バンプ７６Ｄの接続信頼性を高めることができる。

【００３４】以下、本発明の第１実施形態に係る多層パ
ッケージ基板の製造方法について図を参照して説明す
る。ここでは先ず、上面側のソルダーレジスト層７０に
開口７１Ｕを穿設するエキシマレーザ装置の概略構成に
ついて、図１３を参照して説明する。

【００３５】Ｘ−Ｙ方向に移動するテーブル１９０に取
り付けられたパッケージ基板１０の上には、図６に示す
開口形成位置に対応する通孔７８ａが穿設されたマスク
７８が載置されている。レーザ発振器８０から出た光
は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク８２
を経由してマスク７８に照射され、通孔７８ａを通過し
てソルダーレジスト層７０に開口７１Ｕを形成する。

【００３６】次に、底面側のソルダーレジスト層７０に
開口７１Ｄを穿設する炭酸ガスレーザの概略構成につい
て、図１４を参照して説明する。実施態様に係るレーザ
装置としては、三菱電機製のＭＬ５０５ＧＴを用いる。
また、ＣＯ2レーザ発信器１８０としては、三菱電機製
のＭＬ５００３Ｄ２を用いる。

【００３７】レーザ発振器１８０から出た光は、基板上
の焦点を鮮明にするための転写用マスク１８２を経由し
てガルバノヘッド１７０へ入射する。ガルバノヘッド１
７０は、レーザ光をＸ方向にスキャンするガルバノミラ
ー１７４ＸとＹ方向にスキャンするガルバノミラー１７
４Ｙとの２枚で１組のガルバノミラーから構成されてお
り、このミラー１７４Ｘ、１７４Ｙは制御用のモータ１
７２Ｘ、１７２Ｙにより駆動される。モータ１７２Ｘ、
１７２Ｙは図示しない制御装置からの制御指令に応じ
て、ミラー１７４Ｘ、１７４Ｙの角度を調整すると共
に、内蔵しているエンコーダからの検出信号を該コンピ
ュータ側へ送出するよう構成されている。

【００３８】レーザ光は、ガルバノミラー１７４Ｘ、１
７４Ｙを経由してそれぞれＸ−Ｙ方向にスキャンされて
ｆ−θレンズ１７６を通り、ソルダーレジスト層７０に
半田バンプ用の開口（貫通孔）７１Ｄ及び位置決めマー
ク７９用の開口７１Ｏを形成する。基板１０は、Ｘ−Ｙ
方向に移動するＸ−Ｙテーブル１９０に載置されてい
る。

【００３９】パッケージ基板の製造方法について説明を
続ける。ここでは、第１実施形態の多層パッケージ基板
の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層
間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジスト
組成物の組成について説明する。

【００４０】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマ（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。必要に応じて感光
性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、
Ｒ604 ）を混合する。

【００４１】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。

【００４２】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュアＩ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得た。

【００４３】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００４４】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。

【００４５】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュアＩ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得た。

【００４６】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量310 、YL983U）100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μｍのSiＯ_２球状粒子（アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レ
ベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。

【００４７】Ｄ．ソルダーレジスト組成物ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。

【００４８】引き続き、本発明の第１実施形態に係るパ
ッケージ基板の製造工程について図１乃至図６を参照し
て説明する。この第１実施形態では、パッケージ基板を
セミアディティブ方により形成する。

【００４９】（１）図１（Ａ）に示すように厚さ０．８
mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドト
リアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１２μｍの銅
箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発
材料とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔
し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチング
することによりスルーホール３６及び導体回路３４を形
成し、図１（Ｂ）に示すコア基板３０を形成する。

【００５０】(2) プレーン層３４およびスルーホール３
６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴
（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO _２（40
ｇ／ｌ），Na_３PO_４（６ｇ／ｌ）、還元浴として、
NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH_４（６ｇ／ｌ）を用いた酸化
−還元処理により、導体回路３４およびスルーホール３
６の表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｃ）参照）。

【００５１】(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。

【００５２】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調
製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータを用い
て塗布することにより、導体回路３４と導体回路３４と
の間、及び、スルーホール３６内に充填し、70℃，20分
間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填
剤４０を導体回路３４間あるいはスルーホール３６内に
充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図１（Ｄ）参
照）。

【００５３】(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片
面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスル
ーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残
らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨
による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよう
な一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った
（図２（Ａ）参照）。次いで、100 ℃で１時間、120 ℃
で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理
を行って樹脂充填剤４０を硬化した。

【００５４】(6) 導体回路３４を形成した基板３０にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２
×１０^−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０^−３
ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０^−２ｍｏｌ／ｌ、次亜
りん酸ナトリウム３．３×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸
５．０×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工
業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９か
らなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当
たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路
３４、スルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホー
ルの底部６０ａ表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金
の被覆層と粗化層４２を設けた（図２（Ｂ）参照）。

【００５５】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００５６】(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶
縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに
調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。

【００５７】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４
４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベー
ク）を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度７Pa・ｓ
の感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥（指触乾燥）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５
０αを形成した（図２（Ｃ）参照）。

【００５８】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３
０の両面に、ＰＥＴフィルム５１を密着させ（図２
（Ｄ））、超高圧水銀灯により 500mJ／cm^２で露光し
た。さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により3000mJ
／cm^２で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、
その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をす
ることにより、厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構
造）５０を形成した。その後、ＰＥＴフィルム５１を剥
離した。

【００５９】(10)引き続き、層間樹脂絶縁層５０を形成
した基板３０に図１４を参照して上述したレーザ装置の
Ｘ−Ｙテーブル９０に載置し、炭酸ガスレーザを照射す
ることにより貫通孔４８を形成した（図３（Ａ））。な
お、バイアホールとなる貫通孔４８には、スズめっき層
（図示せず）を部分的に露出させた。ここでは、直径６
０μｍの貫通孔を形成するため、レーザ装置のレーザ発
振器としてＭＬ５００３Ｄを用い、１パルスエネルギー
０．３mＪ、パルス幅５０μsec、マスク径０．５mm、パ
ルスモードとしてバーストで、マルチモードで、波長１
０．６μｍの炭酸ガスレーザを３ショット照射した。

【００６０】(11)引き続き、貫通孔４８が形成された基
板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５
０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去するこ
とにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図
３（Ｂ）参照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に
浸漬してから水洗いした。

【００６１】(12)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤
３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与
することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を
付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板３０を浸漬して、全体に厚さ０．６μｍの無
電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｃ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００６２】(13)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ／cm^２で露光、0.8 ％炭酸ナト
リウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４
を設けた（図３（Ｄ）参照）。

【００６３】(14)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成した（図４（Ａ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm^２時間 30分温度室温

【００６４】(15)めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５
６からなる厚さ18μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０を形成した（図４（Ｂ））。

【００６５】(16)(6) と同様の処理を行い、導体回路５
８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図
４（Ｃ）参照）。

【００６６】(17)(7) 〜(16)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及びバイアホー
ル１６０、導体回路１５８を形成することで、パッケー
ジ基板を完成する（図４（Ｄ）参照）。なお、この上層
の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わ
なかった。

【００６７】(18)そして、上述したパッケージ基板に半
田バンプを形成する。前記(16)で得られた基板３０両面
に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物を４
５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃
で30分間の乾燥処理（指触乾燥）を行った後、ＰＥＴフ
ィルムを（図示せず）を密着させ、1000mJ／cm^２の紫
外線で露光し、そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で
１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱
処理してからＰＥＴフィルムを剥離して、ソルダーレジ
スト層（厚み20μｍ）７０を形成する（図５（Ａ））。

【００６８】(19)その後、ソルダーレジスト層７０を形
成したパッケージ基板１０に図１３を参照して上述した
レーザ装置のＸ−Ｙテーブル９０に取り付け、パッケー
ジ基板１０に通孔７８ａの形成されたマスク７８を載置
する。そして、該マスク７８へエキシマレーザを照射す
ることで、上面（ＩＣチップ側）のソルダーレジスト層
７０に貫通孔（開口）７１Ｕを形成した（図５
（Ｂ））。

【００６９】ここで、図５（Ｂ）中のＡ部、即ち、ＩＣ
チップ接続側の開口１Ｕを拡大して図９に示す。本実施
形態においては、図１３を参照して上述したように、端
子位置に相当する通孔７８ａを備えるマスク７８を用い
ることで、エキシマレーザにより微細径（８５μｍ）の
開口７１Ｕを狭ピッチ（２５０μｍ）で同時に形成する
ことができる。

【００７０】このエキシマレーザによる開口（上側）７
１Ｕの拡大写真のスケッチを図１０（Ａ）及び図１０
（Ｂ）に示す。ここで、図１０（Ａ）は、貫通孔を斜め
上から見た状態を、図１０（Ｂ）は、真上から見た状態
を示している。エキシマレーザによる開口７１Ｕは、後
述する炭酸ガスレーザによるものと異なり、干渉縞が発
生することがない。

【００７１】(20) パッケージ基板１０を図１４を参照
して上述した炭酸ガスレーザ装置のＸ−Ｙテーブル１９
０に載置し、底面（ドータボード）側のソルダーレジス
ト層７０へ炭酸ガスレーザを照射することにより貫通孔
（開口）７１Ｄを形成した（図５（Ｃ））。同様に、上
面のソルダーレジスト層７０に炭酸ガスレーザを照射
し、位置決めマーク７９用の貫通孔（開口）７１Ｏを形
成した。

【００７２】ここで、図５（Ｂ）中のＢ部、即ち、下側
（マザーボード接続側）の貫通孔７１Ｄを拡大して図１
１に示す。この下面側に６００μｍピッチで直径１５０
μｍの貫通孔７１Ｄを形成するため、レーザ装置に、
（ＭＬ５０５ＧＴ）に、レーザ発振器としてＭＬ５００
３Ｄ２を用い、１パルスエネルギー１４mJ、パルス幅１
６μsec、マスク径１０．０mm、パルスモードとしてバ
ーストでシングルモード、波長１０．６μｍの炭酸ガス
レーザを５ショット照射した。

【００７３】本実施形態のパッケージ基板においては、
炭酸ガスレーザをソルダーレジスト層７０下の導体回路
１５８に対して垂直に照射し、該導体回路からの反射波
と入射波との干渉を生ぜしめることで、貫通孔７１Ｄの
側壁７１ａに干渉による縞状の凹凸（干渉縞と称する）
を形成してある。該干渉縞のえぐられている部分の深さ
は、０．１〜５μｍ程度である。本実施形態では、ビー
ム径を大きくできるシングルモードの炭酸ガスレーザを
照射するため、マザーボードへの接続用のバンプを形成
するための相対的に大径（１５０〜６５０μｍ）の開口
７１Ｄを容易に形成することができる。

【００７４】ソルダーレジスト層７０に炭酸ガスレーザ
で穿設した貫通孔７１Ｄ（下側）の拡大写真のスケッチ
を図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）に示
す。ここで、図１２（Ａ）は、真上から見た状態を、図
１２（Ｂ）は、貫通孔の側壁を側方から見た状態を、図
１２（Ｃ）は、貫通孔を斜め上から見た状態を示してい
る。

【００７５】本実施形態では、ソルダーレジスト層にレ
ーザで貫通孔を穿設するため、ソルダーレジスト層とし
て種々の材料を用いることが可能となる。即ち、従来技
術においては、フォトリソグラフィーにより貫通孔を穿
設するため、ソルダーレジストとして感光性樹脂しか使
用できなかったが、本実施形態では、レーザを用いるた
め、電気特性に優れた種々の材質をソルダーレジストに
用いることができる。更に、層間樹脂絶縁層と同じレー
ザ装置を用いて貫通孔を形成できるので、パッケージ基
板を廉価に製造することができる。なお、ソルダーレジ
ストとしては、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑
性樹脂との複合体を用いることが望ましい。これは、レ
ーザ干渉による縞状の凹凸を容易に形成することができ
るからである。更に、フォトリソグラフと異なり、開口
に樹脂残さが残らず、接続信頼性を高めることができ
る。

【００７６】(21)次に、塩化ニッケル2.31×10^−１ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^−１ｍｏｌ／
ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10^−１ｍｏｌ／ｌ、から
なるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３
０を２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５
μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その
基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10^−２ｍｏｌ／ｌ、
塩化アンモニウム1.87×10 ^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナ
トリウム1.16×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム1.7 ×10^−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に
80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層
上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、
バイアホール１６０及び導体回路１５８に半田パッド７
５を形成する（図５（Ｄ）参照）。

【００７７】(22)そして、ソルダーレジスト層７０の開
口部７１Ｕ、７１Ｄに、低融点金属として半田ペースト
を印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バン
プ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、パッケージ基板
１０を完成した（図６参照）。本実施形態では、ニッケ
ルめっき層７２及び金めっき層７４を介して、半田を充
填することで半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを形成するた
め、該ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４を縞状
の凹凸の形成された開口７１Ｄに密着させることで、半
田バンプ７６Ｄを強固に導体回路１５８へ接続させるこ
とができる。

【００７８】完成したパッケージ基板１０の半田バンプ
７６Ｕに、ＩＣチップ９０のパッド９２が対応するよう
に載置し、リフローを行いＩＣチップ９０を搭載する。
このＩＣチップ９０を搭載したパッケージ基板１０を、
ドータボード９４側のバンプ９６に対応するように載置
してリフローを行い、ドータボード９４へ取り付ける
（図８参照）。

【００７９】引き続き、本発明の第２実施形態に係るパ
ッケージ基板１１０について、図１５及び図１６を参照
して説明する。上述した第１実施形態では、半田バンプ
を介してドータボードとの接続を取った。これに対し
て、第２実施形態では、図１５に示すように導電性接続
ピン８４を介して接続を取るように構成されている。

【００８０】また、上述した第１実施形態では、大径の
ドータボード側の開口７１Ｄ及び位置決めマーク７９用
の開口７１Ｏが、炭酸ガスレーザにより形成された。こ
れに対して、第２実施形態では、露光・現像処理により
大径の開口７１Ｕ、７１Ｏが形成される。

【００８１】このソルダーレジスト層への開口形成工程
を図１６を参照して説明する。第１実施形態と同様のソ
ルダーレジスト組成物７０αを20μｍの厚さで基板３０
に塗布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾
燥処理を行った後、位置決めマーク７９の形成位置に対
応する円パターン（マスクパターン）８５ａが描画され
た厚さ５mmのフォトマスクフィルム８５を密着させて、
1000mJ／cm^２の紫外線で露光する（図１６の工程
（Ａ））。同様に、導電性接続ピン８４の配設位置に対
応する円パターンが描画されたフォトマスクフィルムを
介してソルダーレジスト組成物７０αを露光する

【００８２】引き続き、DMTG現像処理を施す。そしてさ
らに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時
間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、導電性接続ピ
ン８４の開口７１Ｕ、及び、位置決めマーク７９の開口
７１Ｏを有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０
を形成した（図１６の工程（Ｂ））。

【００８３】引き続き、第１実施形態と同様に、エキシ
マレーザによりＩＣチップ側の開口７１Ｕを形成する
（図１６（Ｃ））。

【００８４】この第２実施形態においては、大径の開口
７１Ｕ、７１Ｏを露光・現像処理で一括して形成でき、
また、小径の開口７１Ｕもマスクを用いることで、一括
して形成することができる。

【００８５】引き続き、本発明の第３実施形態に係るパ
ッケージ基板の製造方法について、図１７乃至図２４を
参照して説明する。（１）厚さ０．8ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板３０
の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅
貼積層板３０Ａを出発材料とした（図１７の工程
（Ａ））。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削孔
し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板３０
に無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形成
し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチング
することにより、基板３０の両面に内層銅パターン（下
層導体回路）３４を形成した（図１７の工程（Ｂ））。

【００８６】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の
両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面
とスルーホール３６のランド表面３６ａと内壁とをエッ
チングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗
化面３８を形成した（図１７の工程（Ｃ））。エッチン
グ液として、イミタゾール銅（II）錯体１０重量部、グ
リコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオ
ン交換水７８重量部を混合したものを使用した。

【００８７】（３）シクロオレフィン系樹脂を主成分と
する樹脂充填剤４０を、基板３０の両面に印刷機を用い
て塗布することにより、下層導体回路３４間またはスル
ーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行った。すなわ
ち、この工程により、樹脂充填剤４０が下層導体回路３
４の間あるいはスルーホール３６内に充填される（図１
７の工程（Ｄ））。

【００８８】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やス
ルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４０が
残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよ
うな一連の研磨を基枚の他方の面についても同様に行っ
た。そして、充填した樹脂充填剤４０を加熱硬化させた
（図１８の工程（Ａ））。

【００８９】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３
４上面の粗化層３８を除去して基板両面を平滑化し、樹
脂充填剤４０と下層導体回路３４の側面とが粗化面３８
を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面
と樹脂充填剤４０とが粗化面３８を介して強固に密着し
た配線基板３０を得た。

【００９０】（５）次に、上記工程を経た基板３０の両
面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂
シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋ
ｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン
系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設けた（図１８の
工程（Ｂ））。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇで
あった。

【００９１】（６）次に、波長０．２４８μｍのエキシ
マレーザにて、熱硬化型シクロオレフィン系樹脂からな
る層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用
開口４８を設けた（図１８の工程（Ｃ））。この後、酸
素プラズマを用いてデスミア処理を行った。

【００９２】（７）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタ
リングを、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００
Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層５１を層間樹
脂絶縁層５０の表面に形成した（図１８の工程
（Ｄ））。このとき、形成されたＮｉ金属層５１の厚さ
０．１μｍであった。

【００９３】（８）次に、以下の組成の無電界銅めっき
水溶液中に基板３０を浸漬して、Ｎｉ金属層５１の表面
全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電界銅めっき膜５２
を形成した（図１９の工程（Ａ））。〔無電界銅めっき水溶液〕ＥＤＴＡ０．０８ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０８ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．０５ｍｏｌ／ｌａ、ａ’−ビピリジル８０ｍｇ／ｌＰＥＧ０．１０ｇ／ｌ（ポリエチレングリコール）〔無電解めっき条件〕６５℃の液温度で２０分

【００９４】（９）上記処理を終えた基板３０の両面
に、市販の感光性ドライフィルムを無電界銅めっき膜５
２に熱圧着することにより貼り付け、フォトマスクフィ
ルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍの
めっきレジスト５４のパターンを形成した（図１９の工
程（Ｂ））。

【００９５】（１０）次に、以下の条件で電気めっきを
施して、直さ１５μｍの電気めっき膜５６を形成した
（図１９の工程（Ｃ））。なお、この電気めっき膜５６
により、後述する工程で導体回路５８となる部分の厚付
けおよびバイアホール６０となる部分のめっき充填等が
行われたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加
剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬであ
る。

【００９６】〔電気めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ〔電気めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【００９７】（１１）さらに、めっきレジスト５４を５
％ＫＯＨで剥離除去した（図１９の工程（Ｄ））。その
後、めっきレジスト５４下の無電解めっき膜５２を硫酸
と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去
し、独立の上層導体回路５８（バイアホール６０を含
む）とした（図２０の工程（Ａ））。

【００９８】（１２）続いて、上記（５）〜（１１）の
工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１
５８を形成した（図２０の工程（Ｂ））。

【００９９】（１３）次に、上層導体回路１５８が形成
された多層配線基板３０の両面に厚さ２０μｍの熱硬化
型ポリオレフィン系樹脂シート（住友３Ｍ社製、商品
名：１５９２）を温度５０℃〜１５０℃まで昇温しなが
ら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、ポリオ
レフィン系樹脂からなるソルダーレジスト層７０を設け
た（図２１の工程（Ａ））。真空圧着時の真空度は、１
０ｍｍＨｇであった。

【０１００】（１４）次に、第１実施形態と同様にマス
ク７８を載置し、波長２４８μｍのエキシマレーザに
て、熱硬化型ポリオレフィン系樹脂からなる上面のソル
ダーレジスト層７０に直径１８０μｍの開口７１を形成
した（図２１の工程（Ｂ））。

【０１０１】（１５）第１実施形態と同様に、パッケー
ジ基板１０を炭酸ガスレーザ装置のＸ−Ｙテーブル１９
０（図１４参照）に載置し、底面（ドータボード）側の
ソルダーレジスト層７０へ炭酸ガスレーザを照射するこ
とにより直径６５０μｍの貫通孔（開口）７１Ｄを形成
した（図２２（Ａ））。同様に、上面のソルダーレジス
ト層７０に炭酸ガスレーザを照射し、位置決めマーク７
９用の貫通孔（開口）７１Ｏを形成した。この後、酸素
プラズマを用いてデスミア処理を行い、半田パッド部分
が開口した、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した。

【０１０２】（１６）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した基板３０を、塩化ニッケル
（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム
（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さら
に、その基板３０をシアン化金カリウム（７．６×１０
^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０ ^-1ｍ
ｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏ
ｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏ
ｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５
分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０
３μｍの金めっき層７４を形成した（図２２の工程
（Ｂ））。

【０１０３】（１７）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口７１に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフ
ローすることにより半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６
Ｄを形成し、半田パンプ７６Ｕ、７６Ｄを有する多層配
線プリント基板１０を製造した（図２３参照）。

【０１０４】（１８）上記方法により製造した多層配線
プリント配線板１０の他の一部を用い、ＩＣチップ９０
との接合を行った。すなわち、所定の取り付け装置を用
い、フラックス洗浄後、ターゲットマークを基準とし
て、プリント配線板１０の半田バンプ７６ＵとＩＣチッ
プ９０に設けられたバンプ９２との位置合わせを行い、
半田をリフローさせることによりプリント配線板１０の
半田バンプ７６ＵとＩＣチップ９０のバンプ９２とを接
合させた。そして、フラックス洗浄を行い、該ＩＣチッ
プ９０と多層プリント配線板１０との間にアンダーフィ
ル９８を充填し、これによりＩＣチップ９０が接続され
たプリント配線板（半導体装置）１０を得た（図２４参
照）。

【０１０５】

【発明の効果】本発明では上述したように、エキシマレ
ーザによりＩＣチップ側の開口７１Ｕを形成するため、
マスクを用いることで、微細径の開口７１Ｕを狭ピッチ
で正確に形成できる。即ち、開口７１Ｕを相互の相対的
な位置誤差を発生させることなく形成することができ
る。このためＩＣチップ側のバンプの密度を高めること
ができ、パッケージ基板の配線密度を上げることが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図で
ある。

【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図で
ある。

【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図で
ある。

【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図で
ある。

【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図で
ある。

【図６】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の
断面図である。

【図７】図７（Ａ）は、図６に示すパッケージ基板の平
面図であり、図７（Ｂ）は、裏面図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の
断面図である。

【図９】図５（Ｂ）のＡ部の拡大図である。

【図１０】ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔（上
側）の拡大写真のスケッチであって、図１０（Ａ）は貫
通孔を斜め上から見た状態を、図１０（Ｂ）は真上から
見た状態を示している。

【図１１】図５（Ｃ）のＢ部の拡大図である。

【図１２】ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔（下
側）の拡大写真のスケッチであって、図１２（Ａ）は真
上から見た状態を、図１２（Ｂ）は貫通孔の側壁を側方
から見た状態を、図１２（Ｃ）は貫通孔を斜め上から見
た状態を示している。

【図１３】開口を形成するエキシマレーザ装置の説明図
である。

【図１４】開口を形成する炭酸ガスレーザ装置の説明図
である。

【図１５】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。

【図１６】図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の
第２実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。

【図１７】図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板の製造工程
図である。

【図１８】図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程
図である。

【図１９】図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程
図である。

【図２０】図２０（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施
形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。

【図２１】図２１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第３実施
形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。

【図２２】図２１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第３実施
形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。

【図２３】本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。

【図２４】本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。

【符号の説明】

３０コア基板３４導体回路３６バイアホール４８貫通孔４８ａ側壁４９縞状の凹凸５０層間樹脂絶縁層５８導体回路６０バイアホール７０ソルダーレジスト層７１Ｕ、７１Ｄ開口７２ニッケルめっき層７６Ｕ、７６Ｄ半田バンプ７８マスク７８ａ通孔７９位置決めマーク１５０層間樹脂絶縁層１５８導体回路（端子）１６０バイアホール（端子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者島田憲一岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者関根浩司岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 4E068 AF01 CD10 DA11 5E346 AA12 AA15 AA17 BB01 BB16 CC08 EE31 EE38 GG02 GG15 GG27 HH25 HH26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面にＩＣチップへ接続するための端子
を備え、下面に外部接続基板へ接続するための端子を備
え、上面及び下面にソルダーレジスト層を配設したパッ
ケージ基板であって、前記上面側のソルダーレジスト層に、前記端子を露出さ
せるためのエキシマレーザによる開口を形成し、前記下面側のソルダーレジスト層に、前記端子を露出さ
せるための炭酸ガスレーザによる開口を形成したことを
特徴とするパッケージ基板。
【請求項２】前記炭酸ガスレーザによる開口の側壁
に、縞状に凹凸が形成されてなることを特徴とする請求
項１のパッケージ基板。
【請求項３】前記ソルダーレジスト層として、熱硬化
性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体から
なることを特徴とする請求項２のプリント配線板。
【請求項４】少なくとも以下の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）の工程を含むことを特徴とするパッケージ基板の
製造方法：（ａ）上面にＩＣチップへ接続するための端子を、下面
に外部接続基板へ接続するための端子を備えた基板の表
面に、ソルダーレジスト層を形成する工程、（ｂ）前記上面側のソルダーレジスト層に、前記端子に
対応する通孔を備えるマスクを介してエキシマレーザを
照射し、前記端子に至る開口を形成する工程、（ｃ）前記下面側のソルダーレジスト層に炭酸ガスレー
ザを照射し、前記端子に至る開口を形成する工程。
【請求項５】前記下面側のソルダーレジスト層に開口
を形成する工程において、炭酸ガスレーザをソルダーレ
ジスト層下の前記端子に垂直に照射し、該端子からの反
射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該開口の
側壁に縞状に凹凸を形成することを特徴とする請求項４
に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】更に、上面側のソルダーレジスト層に炭
酸ガスレーザを照射し、位置決めマークに至る開口を設
ける工程を行う請求項４のパッケージ基板の製造方法。
【請求項７】前記炭酸ガスレーザで開口を形成する工
程において、シングルモードのレーザを照射することを
特徴とする請求項４のパッケージ基板の製造方法。
【請求項８】少なくとも以下の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）の工程を含むことを特徴とするパッケージ基板の
製造方法：（ａ）上面にＩＣチップへ接続するための端子を備え、
下面に外部接続基板へ接続するための端子を備えた基板
の表面に、ソルダーレジスト層を形成する工程、（ｂ）前記下面側のソルダーレジスト層を露光・現像
し、前記端子に至る開口を形成する工程、（ｂ）前記上面側のソルダーレジスト層に、前記端子に
対応する通孔を備えるマスクを介してエキシマレーザを
照射し、前記端子に至る開口を形成する工程。